CN103219273A - 一种提湿法刻蚀承托装置和方法 - Google Patents
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Abstract
本发明为提湿法刻蚀承托装置和方法。包括晶圆滚动装置、传动装置和驱动装置；所述晶圆放置于所述晶圆滚动装置上，所述驱动装置通过所述传动装置驱动所述晶圆滚动装置带动所述晶圆转动；其中，所述晶圆滚动装置包括至少两根滚动杆，每根所述滚动杆上均设置有多个导向结构，所述晶圆可转动地置于所述导向结构中。本发明通过对湿法刻蚀设备中的承托装置进行了设计，赋予了承托装置旋转晶圆的功能，从而使得晶圆能够在承托装置上进行匀速的旋转。当晶圆在保持匀速旋转的同时进入和离开刻蚀液时，能够基本保证刻蚀液在对晶圆刻蚀时的均匀，并且，对于晶圆的刻蚀能够克服刻蚀液不同深度液面处的刻蚀液的温度和浓度的不同给晶圆刻蚀均匀度带来的影响。
Description
技术领域
本发明涉及硅半导体器件制造装置，尤其涉及一种湿法刻蚀承托装置。
背景技术
随着半导体器件工艺的发展以及按比例尺寸缩小，给晶圆的均匀度带来了越来越大的影响。
在现有的感到体器件加工工艺中，湿法刻蚀会使晶圆存在表面不均匀的问题，即蚀刻率越大导致晶圆的均匀度越差。而目前这一问题还不能够完全被避免。
在现有的技术中，晶圆通过承托装置的上下移动从而使晶圆能够进入或退出湿法刻蚀所用的刻蚀槽，由于晶圆上不同高度位置处通过承托装置送入刻蚀槽后刻蚀的时间存在差异，这就会导致晶圆上不同高度处的晶圆表面被刻蚀液刻蚀的厚度存在着不同，从而影响了刻蚀的均匀性。
通过分析能够证明这一缺陷，假设晶圆表面不吸附刻蚀液，即晶圆离开刻蚀液表面没有刻蚀液的残留。晶圆的直径为300mm，因此晶圆在进入和拉出刻蚀液表面时共有600mm的路程差。承托装置的上升和下降的速度范围一般为300mm/s-0mm/s，不同的承托装置可能会有不同的速度，在湿法刻蚀中选用的承托装置一般速度为150mm/s。如果以H3PO4对Si3N4的蚀刻率
为例，晶圆的最高点和最低点之间就会有一个厚度差，通过公式表达为：
所以晶圆的最高点和最低点之间就会有一个
的厚度差。
此外，在刻蚀槽内的刻蚀液对应于不同的深度处所具有不同的温度和浓度，因此，在进行湿法刻蚀工艺时，刻蚀槽内的刻蚀液在不同的深度处对晶圆表面的刻蚀效率也不同。
中国专利（申请号：201110392004.5）公开了一种离液式晶圆湿法刻蚀装置，包括蚀刻槽、蚀刻液、吸雾管和吸液滚轮，其中，吸液滚轮等间隔等高度地安装在蚀刻槽内的上断面，蚀刻液的液面高于吸液滚轮外圆的下端面，低于吸液滚轮的轴线，吸雾管设置在两只吸液滚轮之间，且位于蚀刻液之上，吸液滚轮外圆上端面之下，在吸雾管的外圆上侧面上设有吸气孔，吸雾管与吸风机相连。该发明的湿法刻蚀装置通过吸液滚轮吸附刻蚀液来实现对晶圆表面的刻蚀，该装置在理论上能够实现对于晶圆表面的均匀刻蚀，但是在实际操作过程中，对于吸附滚轮的要求较高，并不能保证晶圆在不同的滚轮之间滚动的同时不发生相对滑动，并且也不能够保证滚轮吸附蚀刻液的均匀。
中国专利（申请号：201120041290.6）公开了一种半导体用湿法刻蚀装置。包括有动力系统、制冷系统、操作台、反应槽、盛放晶圆的花篮。在花篮上设置吊臂，吊臂上设置机械抓取机构。反应槽放置在操作台上，并在操作台的外面设置采用防酸工程塑料的防护罩，在防护罩上部开有矩形操作窗口，在矩形操作窗口的上面设置采用透明防酸材料的前挡板，防护罩顶部设置集气罩，其形状由下至上呈喇叭口收缩，在集气罩的顶部设置排气管道。在操作台的下方设置储存窗口。该装置虽然能够解决了常规湿法刻蚀装置的设备复杂难以操作的问题，但是并没有解决晶圆刻蚀时均匀度不同的问题。
所以，对于湿法刻蚀中的晶圆均匀度的控制仍然是目前半导体工艺中急需解决的技术问题。
发明内容
鉴于上述问题，本发明提供一种湿法刻蚀承托装置。
本发明解决技术问题所采用的技术方案为：
一种湿法刻蚀承托装置，设置于晶圆的湿法刻蚀工艺中的升降装置上，其中，包括晶圆滚动装置、传动装置和驱动装置；
所述晶圆放置于所述晶圆滚动装置上，所述驱动装置通过所述传动装置驱动所述晶圆滚动装置带动所述晶圆转动；
其中，所述晶圆滚动装置包括至少两根滚动杆，每根所述滚动杆上均设置有多个导向结构，所述晶圆可转动地置于所述导向结构中。
所述的湿法刻蚀承托装置，其中，所述驱动装置为马达。
所述的湿法刻蚀承托装置，其中，所述滚动杆包括第一滚动杆、第二滚动杆和第三滚动杆；
其中，所述晶圆通过所述第一滚动杆、所述第二滚动杆和所述第三滚动杆可滚动的固定在所述晶圆滚动装置上，且所述第一滚动杆和/或所述第二滚动杆和/或所述第三滚动杆驱动所述晶圆绕进行自转。
所述的湿法刻蚀承托装置，其中，所述传动装置为传动带；
所述马达通过所述传动带驱动所述第一滚动杆和/或所述第二滚动杆和/或所述第三滚动杆转动。
所述的湿法刻蚀承托装置，其中，所述承托装置还包括固定结构；
所述晶圆滚动装置通过所述固定结构固定设置在所述升降装置上。
所述的湿法刻蚀承托装置，其中，所述导向结构包括多个环状固定块，所述环状固定块套设于所述滚动杆上，且相邻的两个所述环状固定块之间形成导向槽，所述晶圆可转动的插设在所述导向槽中。
所述的湿法刻蚀承托装置，其中，所述导向槽底部的宽度小于所述晶圆的厚度，所述导向槽开口端部的宽度大于所述晶圆的厚度。
所述的提升硅片均匀度的湿法刻蚀承托装置，其中，所述承托装置各部件的材质均为抗酸碱腐蚀的材料。
一种提升硅片均匀度的湿法刻蚀方法，其中，所述方法应用于采用如权力要求1-8中任意一项所述的承托装置来进行晶圆的湿法刻蚀工艺中，包括以下步骤：
将所述晶圆放置于所述承托装置的导向槽内；
启动所述驱动装置，所述驱动装置通过所述传动装置驱动所述晶圆滚动装置带动所述晶圆转动；
所述升降装置带动所述承托装置下降，以将所述晶圆完全浸没于所述湿法刻蚀工艺中的刻蚀液中；
其中，所述晶圆在进行所述湿法刻蚀工艺的过程中均保持所述晶圆的转动。
所述的提升硅片均匀度的湿法刻蚀方法，其中，所述晶圆在进入所述蚀刻液和离开所述蚀刻液时，均以相同的速度匀速转动。上述技术方案具有如下优点或有益效果：
本发明通过对湿法刻蚀设备中的承托装置进行了设计，赋予了承托装置旋转晶圆的功能，从而使得晶圆能够在承托装置上进行匀速的旋转。当晶圆在保持匀速旋转的同时进入和离开刻蚀液时，能够基本保证刻蚀液在对晶圆刻蚀时的均匀，并且，当晶圆完全浸没在刻蚀液中时，晶圆仍处于匀速的旋转状态，此时，对晶圆的刻蚀能够克服刻蚀液不同深度液面处的刻蚀液的温度和浓度的不同给晶圆刻蚀均匀度带来的影响。
附图说明
参考所附附图，以更加充分的描述本发明的实施例。然而，所附附图仅用于说明和阐述，并不构成对本发明范围的限制。
图1是本发明承托装置的正视结构示意图；
图2是本发明承托装置的俯视结构示意图；
图3是本发明承托装置的后视结构示意图。
具体实施方式
本发明一种湿法刻蚀承托装置，本发明装置的具体实施方式如下：
承托装置（Lift）包括晶圆滚动装置1（Wafer Guide）、传动装置2和驱动装置。
其中，晶圆滚动装置1包括至少两个滚动杆，本实施例中以三根滚动杆为例来阐述本发明，因此，晶圆滚动装置包括第一滚动杆11、第二滚动杆12和第三滚动杆13。
其中，每根滚动杆的表面均设置有若干个环状固定块，环状固定块和滚动杆之间为固定连接，相邻的环状固定块之间形成导向槽4，导向槽4的截面形状为上大下小的体形，其上端的宽度大于晶圆的厚度，其下端的宽度小于晶圆的厚度。
为了便于区分，将位于第一滚动杆表面的环状固定块定义为第一环状固定块，将位于第二滚动杆表面的环状固定块定义为第二环状固定块，将位于第三滚动杆表面的环状固定块定义为第三环状固定块。
其中，若干个第一环状固定块111以相同的间距设置在第一滚动杆11的表面；若干个第二环状固定块121以相同的间距设置在第二滚动杆12的表面；若干个第三环状固定块131以相同的间距设置在第三滚动杆13的表面。
连接装置2包括三个连接皮带；驱动装置为马达3；如图2所示，从上到下分别为第一连接皮带21、第二连接皮带22和第三连接皮带23，其中，第一连接皮带21套设在马达3换向杆的左侧端部，同时第一连接皮带21还套设在第一滚动杆11的右侧的端部；第二连接皮带22套设在马达3换向杆的左侧端部，同时第二连接皮带22套设在第二滚动杆12的右侧的端部；第三连接皮带23套设在马达3换向杆的左侧端部，同时第三连接皮带23套设在第三滚动杆13右侧的端部。且连接皮带始终保持紧张状态。
如图1或图3所示，第一滚动杆11、第二滚动杆12和第三滚动杆13通过在其端部设置的两个T形结构65连接，该T形结构6包括上部横向结构61和下部纵向结构62，其中，上部横向结构61分别与第一滚动杆11、第二滚动杆12和第三滚动杆13的两端通过轴承5连接；下部纵向结构62的一端与上部横向结构61的中部固定连接，另一端与常规湿法刻蚀设备中的提供升降功能的结构连接。
本发明对于湿法刻蚀晶圆的表面均匀度的提升是通过如下的方法和原理来实现的。
如图所示，若干第一环形固定块111、若干第二环形固定块121和若干第三环形固定块131可设置为圆柱形，分别套接于第一滚动杆11、第二滚动杆12和第三滚动杆13的表面，并且若干第一环状固定块111和第一滚动杆11之间、若干第二环状固定块121和第二滚动杆12之间、若干第三环状固定块131和第三滚动杆13之间均为固定连接，即若干第一环状固定块111与第一滚动杆11之间不发生相对位置的变化，若干第二环形固定块121与第二滚动杆12之间不发生相对位置的变化，若干第三环状固定块131与第三滚动杆13之间不发生相对位置的变化。其中，若干第一环状固定块111、若干第二环状固定块121和若干第三环状固定块131的材料可选用表面摩擦系数高的材料，并且该材料抗酸、碱腐蚀的能力高。
晶圆被放置于导向槽4内，位于导向槽4两侧的环状固定块将晶圆进行固定，本发明承托装置的动力来自于驱动装置，驱动装置里的马达3转动，从而带动套设于马达3换向杆上的连接皮带滚动，连接皮带的滚动带动与之套设的滚动杆转动，滚动杆的转动是以自身为轴转动，滚动杆的转动带动位于其上的若干个环状固定块转动，从而带动位于环状固定块之间导向槽4内的晶圆转动，在转动过程中晶圆与环状固定块之间的摩擦基本为滚动摩擦。滚动杆与下方的T形结构6之间通过轴承5连接，从而能够使滚动杆既保持了自身的旋转又与保持了在T形结构6上固定位置的连接。
由于，本发明装置的动力来自于一个马达3，且旋转是通过连接皮带传送到每根连接杆上，因此，晶圆通过本发明装置在旋转的过程中，与晶圆边缘接触的若干第一环状固定块111、若干第二环状固定块121和若干第三环状固定块131的旋转方向和速度均相同。
在本发明承托装置的下方按常规设置有刻蚀槽，本发明的承托装置通过底部T形结构6中的下部纵向结构62与湿法刻蚀设备的提供升降功能的结构连接，使得本承托装置在保持晶圆旋转的同时能够对晶圆的位置进行改变。
本发明还包括一种提升晶圆均匀度的湿法刻蚀方法，该方法包括如下步骤：
将所述晶圆放置于所述承托装置的导向槽4内；
启动所述承托装置的所述驱动装置，使所述驱动装置通过所述传动装置驱动所述滚动装置，从而带动所述晶圆的转动；
使所述承托装置中的所述T形结构6与湿法刻蚀设备中的升降装置连接；
使所述升降装置带动所述承托装置下降，从而使所述晶圆完全浸没于刻蚀液中；
保持所述晶圆的转动速率不变，使其在所述刻蚀液中继续转动；
待刻蚀工艺完成之后，继续保持晶圆的匀速转动，并使所述晶圆离开所述刻蚀液。
本发明方法通过晶圆在刻蚀槽内保持匀速的转动，从而能够避免刻蚀槽内不同深度处的刻蚀液的温度和浓度的不同的问题。
另外，晶圆在进入刻蚀液液面和离开刻蚀液液面的过程中，由于一直处于匀速转动中，以晶圆的直径为300mm，升降结构的速度为150mm/s，H3PO4对Si3N4的刻蚀率
为例，所以晶圆最高点和最低点的处的刻蚀厚度差值可近似为 
综上所述，本通过本发明提高晶圆均匀度的湿法刻蚀承托装置和方法，能够有效提高晶圆在传统湿法刻蚀工艺中的表面均匀度差的问题，从而克服湿法刻蚀工艺中钻刻严重、对图形的控制性较差，不能用于小的特征尺寸的问题。
对于本领域的技术人员而言，阅读上述说明后，各种变化和修正无疑将显而易见。因此，所附的权利要求书应看作是涵盖本发明的真实意图和范围的全部变化和修正。在权利要求书范围内任何和所有等价的范围与内容，都应认为仍属本发明的意图和范围内。
Claims (10)
1.一种湿法刻蚀承托装置，设置于晶圆的湿法刻蚀工艺中的升降装置上，其特征在于，包括晶圆滚动装置、传动装置和驱动装置；
所述晶圆放置于所述晶圆滚动装置上，所述驱动装置通过所述传动装置驱动所述晶圆滚动装置带动所述晶圆转动；
其中，所述晶圆滚动装置包括至少两根滚动杆，每根所述滚动杆上均设置有多个导向结构，所述晶圆可转动地置于所述导向结构中。
2.如权利要求1所述的湿法刻蚀承托装置，其特征在于，所述驱动装置为马达。
3.如权利要求2所述的湿法刻蚀承托装置，其特征在于，所述滚动杆包括第一滚动杆、第二滚动杆和第三滚动杆；
其中，所述晶圆通过所述第一滚动杆、所述第二滚动杆和所述第三滚动杆可滚动的固定在所述晶圆滚动装置上，且所述第一滚动杆和/或所述第二滚动杆和/或所述第三滚动杆驱动所述晶圆绕进行自转。
4.如权利要求3所述的湿法刻蚀承托装置，其特征在于，所述传动装置为传动带；
所述马达通过所述传动带驱动所述第一滚动杆和/或所述第二滚动杆和/或所述第三滚动杆转动。
5.如权利要求1所述的湿法刻蚀承托装置，其特征在于，所述承托装置还包括固定结构；
所述晶圆滚动装置通过所述固定结构固定设置在所述升降装置上。
6.如权利要求1所述的湿法刻蚀承托装置，其特征在于，所述导向结构包括多个环状固定块，所述环状固定块套设于所述滚动杆上，且相邻的两个所述环状固定块之间形成导向槽，所述晶圆可转动的插设在所述导向槽中。
7.如权利要求6所述的湿法刻蚀承托装置，其特征在于，所述导向槽底部的宽度小于所述晶圆的厚度，所述导向槽开口端部的宽度大于所述晶圆的厚度。
8.如权利要求1所述的提升晶圆均匀度的湿法刻蚀承托装置，其特征在于，所述承托装置各部件的材质均为抗酸碱腐蚀的材料。
9.一种提升晶圆均匀度的湿法刻蚀方法，其特征在于，所述方法应用于采用如权力要求1-8中任意一项所述的承托装置来进行晶圆的湿法刻蚀工艺中，包括以下步骤：
将所述晶圆放置于所述承托装置的导向槽内；
启动所述驱动装置，所述驱动装置通过所述传动装置驱动所述晶圆滚动装置带动所述晶圆转动；
所述升降装置带动所述承托装置下降，以将所述晶圆完全浸没于所述湿法刻蚀工艺中的刻蚀液中；
其中，所述晶圆在进行所述湿法刻蚀工艺的过程中均保持所述晶圆的转动。
10.如权利要求9所述的提升晶圆均匀度的湿法刻蚀方法，其特征在于，所述晶圆在进入所述蚀刻液和离开所述蚀刻液时，均以相同的速度匀速转动。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| PB01 | Publication | ||
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