CN103203681A - 一种ii-vi族软脆晶体绿色环保研磨抛光方法 - Google Patents
一种ii-vi族软脆晶体绿色环保研磨抛光方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN103203681A CN103203681A CN2013101179495A CN201310117949A CN103203681A CN 103203681 A CN103203681 A CN 103203681A CN 2013101179495 A CN2013101179495 A CN 2013101179495A CN 201310117949 A CN201310117949 A CN 201310117949A CN 103203681 A CN103203681 A CN 103203681A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- polishing
- juice
- abrasive
- grinding
- workpiece
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000005498 polishing Methods 0.000 title claims abstract description 53
- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims abstract description 30
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 16
- 238000000227 grinding Methods 0.000 title claims abstract description 15
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 32
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 20
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 18
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 13
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 13
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims abstract description 11
- 239000003082 abrasive agent Substances 0.000 claims abstract description 10
- 235000011389 fruit/vegetable juice Nutrition 0.000 claims abstract description 10
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 10
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 claims abstract description 9
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims abstract description 8
- 235000015205 orange juice Nutrition 0.000 claims abstract description 6
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 6
- 235000005979 Citrus limon Nutrition 0.000 claims abstract description 5
- 244000131522 Citrus pyriformis Species 0.000 claims abstract description 5
- CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N ceric oxide Chemical compound O=[Ce]=O CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 5
- 229910000422 cerium(IV) oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 235000015201 grapefruit juice Nutrition 0.000 claims abstract description 5
- 235000015193 tomato juice Nutrition 0.000 claims abstract description 5
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 claims description 13
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims description 9
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 8
- 230000003750 conditioning effect Effects 0.000 claims description 7
- 238000003801 milling Methods 0.000 claims description 6
- 235000013175 Crataegus laevigata Nutrition 0.000 claims description 3
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 claims description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 3
- RMAQACBXLXPBSY-UHFFFAOYSA-N silicic acid Chemical compound O[Si](O)(O)O RMAQACBXLXPBSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 235000009917 Crataegus X brevipes Nutrition 0.000 abstract 1
- 235000013204 Crataegus X haemacarpa Nutrition 0.000 abstract 1
- 235000009685 Crataegus X maligna Nutrition 0.000 abstract 1
- 235000009444 Crataegus X rubrocarnea Nutrition 0.000 abstract 1
- 235000009486 Crataegus bullatus Nutrition 0.000 abstract 1
- 235000017181 Crataegus chrysocarpa Nutrition 0.000 abstract 1
- 235000009682 Crataegus limnophila Nutrition 0.000 abstract 1
- 235000004423 Crataegus monogyna Nutrition 0.000 abstract 1
- 240000000171 Crataegus monogyna Species 0.000 abstract 1
- 235000002313 Crataegus paludosa Nutrition 0.000 abstract 1
- 235000009840 Crataegus x incaedua Nutrition 0.000 abstract 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 7
- NSRBDSZKIKAZHT-UHFFFAOYSA-N tellurium zinc Chemical compound [Zn].[Te] NSRBDSZKIKAZHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910000661 Mercury cadmium telluride Inorganic materials 0.000 description 6
- MCMSPRNYOJJPIZ-UHFFFAOYSA-N cadmium;mercury;tellurium Chemical compound [Cd]=[Te]=[Hg] MCMSPRNYOJJPIZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 3
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 3
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 3
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 3
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 2
- QWUZMTJBRUASOW-UHFFFAOYSA-N cadmium tellanylidenezinc Chemical compound [Zn].[Cd].[Te] QWUZMTJBRUASOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 238000013467 fragmentation Methods 0.000 description 2
- 238000006062 fragmentation reaction Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000012188 paraffin wax Substances 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical compound [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001018 Cast iron Inorganic materials 0.000 description 1
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 244000137852 Petrea volubilis Species 0.000 description 1
- QDOSJNSYIUHXQG-UHFFFAOYSA-N [Mn].[Cd] Chemical compound [Mn].[Cd] QDOSJNSYIUHXQG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N bromine Substances BrBr GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 description 1
- NCOPCFQNAZTAIV-UHFFFAOYSA-N cadmium indium Chemical compound [Cd].[In] NCOPCFQNAZTAIV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010431 corundum Substances 0.000 description 1
- 229910001651 emery Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003912 environmental pollution Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- KZUJUDQRJCCDCM-UHFFFAOYSA-N indium mercury Chemical compound [In].[Hg] KZUJUDQRJCCDCM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- XJIHHCVBCQLUNJ-UHFFFAOYSA-N manganese mercury Chemical compound [Mn].[Hg] XJIHHCVBCQLUNJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- VTLHPSMQDDEFRU-UHFFFAOYSA-O telluronium Chemical compound [TeH3+] VTLHPSMQDDEFRU-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
一种II-VI族软脆晶体绿色环保研磨抛光方法,属于II-VI族软脆晶体加工制造技术领域。其特征是样品为II-VI族软脆晶体,采用固结磨料的防水砂纸,固结磨料磨盘作为研磨工具,磨料为氧化铝、二氧化铈、二氧化硅,粒度为2000-5000。工件和研磨盘转速均为40-80 rpm,压力为15-20 kPa,研磨液为去离子水,研磨时间3-10 min。化学机械抛光液由硅溶胶、双氧水组成,硅溶胶的pH值为6-8,二氧化硅粒径为50-80 nm,pH值调节剂为桔子汁、柚子汁、山楂汁、西红柿汁、柠檬汁中的一种,调节后抛光液的pH值为4-6,工件和抛光盘转速均为40-80 rpm,压力20-30 kPa,抛光时间 20-40 min。本发明的效果和益处是实现了II-VI族软脆晶体绿色环保研磨抛光方法。
Description
技术领域
一种II-VI族软脆晶体绿色环保研磨抛光方法,属于II-VI族软脆晶体加工制造技术领域,特别涉及II-VI族软脆晶体的半导体晶片的加工方法。
背景技术
II-VI族软脆晶体目前广泛应用于军事、国防、航空航天等高尖端技术领域,已经成为国内外研究的焦点和热点。碲锌镉和碲镉汞为II-VI族软脆晶体的典型代表。碲锌镉为室温核辐射探测器的首选材料,也是作为碲镉汞红外薄膜衬底的理想材料。碲镉汞是红外探测器的首选材料,尤其是红外焦平面阵列应用的最广泛的材料。II-VI族软脆晶体具有独特的力学性能,碲镉汞和碲锌镉的纳米硬度分别为0.5 GPa和1.2 GPa左右,具有软脆特性。这种软脆特性既不同于传统的第一代半导体硅的硬脆性能,也不同于传统的软塑性金属的性能。这种独特的力学性能使得II-VI族软脆晶体成为难加工材料。
目前采用的传统的加工软脆晶体的方法为游离研磨、抛光、化学机械抛光方法。这种游离磨料研磨抛光的方法使得磨料极易嵌入工件表面,一旦嵌入将很难去除。即使去除也会留下凹坑、微变形、微划痕等加工缺陷。最终的化学机械抛光方法采用溴甲醇作为最终的刻蚀剂,虽然能够去除表面的机械加工的损伤层,但是同时会留下腐蚀沟,而且对于游离磨料研磨造成的较大的划痕也很难去除。
虽然II-VI族软脆晶体容易产生各种加工缺陷,但是II-VI族半导体晶片要求加工后的表面没有磨料嵌入、划痕、崩边、破碎等各种加工缺陷,而且要求其表面粗糙度达到亚纳米级,这种苛刻的要求对我国精密超精密加工领域提出了严峻的挑战。
发明内容
本发明的目的是提供固结磨料研磨以及绿色环保抛光液抛光方法,实现II-VI族软脆晶体超光滑、低/无损伤加工。
本发明的技术方案是样品为II-VI族软脆晶体,采用固结磨料的防水砂纸,固结磨料磨盘作为研磨工具,磨料为氧化铝、二氧化铈、二氧化硅,粒度为2000-5000。工件和研磨盘转速均为40-80 rpm,压力为15-20 kPa,研磨液为去离子水,研磨时间3-10 min。化学机械抛光液由硅溶胶、双氧水组成,硅溶胶的pH值为6-8,二氧化硅粒径为50-80 nm,pH值调节剂为桔子汁、柚子汁、山楂汁、西红柿汁、柠檬汁中的一种,调节后抛光液的pH值为4-6,工件和抛光盘转速均为40-80rpm,压力20-30 kPa,抛光时间 20-40 min。本发明的效果和益处是实现了II-VI族软脆晶体绿色环保研磨抛光方法。
样品为II-VI族软脆晶体。II-VI族软脆晶体为一系列晶体,比如碲锌镉、碲铟镉、碲锰镉、碲镉汞、碲锰汞、碲铟汞等,其中的典型代表为碲锌镉和碲镉汞,在实施方案中选择碲锌镉作为加工样品。
研磨采用固结磨料的防水砂纸,固结磨料磨盘。由于游离磨料容易嵌入II-VI族软脆晶体表面,因此为了克服传统游离磨料研磨的缺点,采用固结磨料的防水砂纸和固结磨料磨盘。
磨料为氧化铝、二氧化铈、二氧化硅,粒度为2000-5000。考虑到经济以及实际研磨的需要,选择常用的三种磨料如氧化铝、二氧化铈和二氧化硅作为磨料。由于软脆晶体非常容易发生崩边、破碎,因此选择粒度非常细的磨料作为实际研磨磨料,其粒度在2000-5000时为宜。
工件和研磨盘转速均为40-80 rpm,压力为15-20 kPa,研磨液为去离子水,研磨时间3-10 min。为了防止崩边和破碎的发生,II-VI族工件和研磨盘的转速为40-80 rpm。为了达到去除率和表面加工质量的优化,选择压力为15-20 kPa。为了使得研磨液不污染环境,研磨液选择去离子水。
化学机械抛光液由硅溶胶、双氧水组成,硅溶胶的pH值为6-8,二氧化硅粒径为50-80 nm。为了使得化学机械抛光液具有绿色环保的特点,选用硅溶胶和双氧水作为最终的化学机械抛光液。其pH值为6-8时,可以直接融入环境,不会对环境造成污染,而二氧化硅本身也在自然界广泛存在,因此不会对环境造成污染。双氧水中的氧气分离出来,即为普通的水,因此也是绿色环保的。这种化学机械抛光液不同于传统的加工II-VI族软脆晶体所用的酸、碱等腐蚀液,也不同于环境不友好的各种醇类。
化学机械抛光液pH值调节剂为桔子汁、柚子汁、山楂汁、西红柿汁、柠檬汁中的一种,调节后抛光液的pH值为4-6。采用绿色环保的桔子汁、柚子汁、山楂汁、西红柿汁、柠檬汁作为pH值调节剂,有别于传统的化学机械抛光液采用酸或者碱作为pH值调节剂。
工件和抛光盘转速均为40-80 rpm,压力20-30 kPa,抛光时间 20-40 min。由于采用绿色环保的化学机械抛光液作为抛光液使用,而且为无磨料抛光液,因此其抛光压力较研磨时为大,20-30 kPa较为合适。抛光时间适当延长,达到20-40 min为宜。工件和抛光盘转速也不宜过大,经过实验,选择40-80 rpm为宜。
工件抛光后用去离子水冲洗干净,再用压缩空气吹干。抛光完毕的II-VI族晶片,表面必须经过清洗才能使用。采用去离子水为绿色环保的清洗液,压缩空气也是普通空气进行压缩而成的,也是绿色环保的。这种清洗方式也不同于传统的丙酮超声等清洗方法。
本发明的效果和益处是采用固结磨料砂轮和固结磨料磨盘做研磨工具,化学机械抛光液成分为环境友好的双氧水和硅溶胶,pH调节剂采用的是来自自然界的酸性汁液,从而实现了绿色环保的II-VI族软脆晶体的研磨抛光方法。
具体实施方式
以下结合技术方案详细叙述本发明的具体实施方式。
加工晶片为Cd0.96Zn0.04Te(111)单晶片,长宽高分别为10mm、10mm、1mm。首先用石蜡将3片碲锌镉晶片粘在圆形铝合金配重盘上,均布于边缘圆周上。铝合金配重盘直径为80 mm,厚度为12 mm。在铝合金配重盘上施加压力,直到17 kPa,加压方式为增加同样的配重盘,用螺栓串在一起。将#3000的刚玉防水砂纸放在玻璃盘上,用螺栓和压环固定,然后将玻璃盘放在铸铁盘上,用螺栓将压环固定。
研磨时配重盘和砂纸转速均为80 rpm,研磨时间为5 min。研磨完成后,开始进行化学机械抛光实验。化学机械抛光液由硅溶胶和双氧水组成,体积比为5:3,双氧水质量分数为30%。硅溶胶pH值为6-8,二氧化硅粒径为50-70 nm。抛光垫采用的是绒毛抛光垫。pH值调节剂为桔子汁,调节后的抛光液的pH值为4-5。抛光时,工件和抛光垫转速均为60 rpm,时间为30 min,压力为28 kPa,抛光液流速为0.6-0.7ml/min。抛光完成后,用去离子水将表面冲洗干净,然后用压缩空气吹干。
将石蜡溶解后,可将抛光后的碲锌镉晶片取下,到美国产NewView5022 ZYGO表面轮廓仪进行表面粗糙度测试。测试后的碲锌镉的表面粗糙度Ra为0.568 nm、rms为0.724 nm、PV值为6.061 nm。
Claims (1)
1.一种II-VI族软脆晶体绿色环保研磨抛光方法,采用固结磨料研磨以及绿色环保抛光液抛光方法,实现II-VI族软脆晶体超光滑、低/无损伤加工,其特征是:
(1)样品为II-VI族软脆晶体;
(2)研磨采用固结磨料的防水砂纸,固结磨料磨盘;
(3)磨料为氧化铝、二氧化铈、二氧化硅,粒度为2000-5000;
(4)工件和研磨盘转速均为40-80 rpm,压力为15-20 kPa,研磨液为去离子水,研磨时间3-10 min;
(5) 化学机械抛光液由硅溶胶、双氧水组成,硅溶胶的pH值为6-8,二氧化硅粒径为50-80 nm;
(6)化学机械抛光液pH值调节剂为桔子汁、柚子汁、山楂汁、西红柿汁、柠檬汁中的一种,调节后抛光液的pH值为4-6;
(7)工件和抛光盘转速均为40-80 rpm,压力20-30 kPa,抛光时间20-40 min;
(8)工件抛光后用去离子水冲洗干净,再用压缩空气吹干。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201310117949.5A CN103203681B (zh) | 2013-04-07 | 2013-04-07 | 一种ii-vi族软脆晶体研磨抛光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201310117949.5A CN103203681B (zh) | 2013-04-07 | 2013-04-07 | 一种ii-vi族软脆晶体研磨抛光方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN103203681A true CN103203681A (zh) | 2013-07-17 |
CN103203681B CN103203681B (zh) | 2015-04-29 |
Family
ID=48751195
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201310117949.5A Expired - Fee Related CN103203681B (zh) | 2013-04-07 | 2013-04-07 | 一种ii-vi族软脆晶体研磨抛光方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN103203681B (zh) |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103991027A (zh) * | 2014-06-06 | 2014-08-20 | 深圳市欣天科技股份有限公司 | 谐振频率调谐片制备工艺 |
CN106078487A (zh) * | 2016-06-07 | 2016-11-09 | 大连理工常州研究院有限公司 | 镍基合金固结磨料研磨及化学机械抛光方法 |
CN106112791A (zh) * | 2016-07-01 | 2016-11-16 | 大连理工常州研究院有限公司 | 钛合金研磨及化学机械抛光方法 |
CN107384218A (zh) * | 2017-06-29 | 2017-11-24 | 华中光电技术研究所(中国船舶重工集团公司第七七研究所) | 一种碲锌镉材料的抛光液及抛光方法 |
CN109848821A (zh) * | 2018-12-28 | 2019-06-07 | 大连理工大学 | 一种镍合金的绿色环保化学机械抛光方法 |
CN111834229A (zh) * | 2020-07-23 | 2020-10-27 | 大连理工大学 | 一种碲锌镉晶片的绿色环保化学机械抛光方法 |
CN111975627A (zh) * | 2020-08-27 | 2020-11-24 | 中国电子科技集团公司第十一研究所 | 非规则碲锌镉晶片的研磨方法 |
CN116871985A (zh) * | 2023-09-05 | 2023-10-13 | 河北远东通信系统工程有限公司 | 一种小尺寸高频压电晶片的抛光工艺 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101235255A (zh) * | 2008-03-07 | 2008-08-06 | 大连理工大学 | 一种化学机械抛光半导体晶片用的抛光液 |
CN101297015A (zh) * | 2005-10-24 | 2008-10-29 | 3M创新有限公司 | 用于cmp的抛光流体和方法 |
CN102049723A (zh) * | 2009-10-28 | 2011-05-11 | 硅电子股份公司 | 抛光半导体晶片的方法 |
CN102172879A (zh) * | 2011-02-23 | 2011-09-07 | 南京航空航天大学 | 基于固结磨料抛光垫的软脆lbo晶体的加工方法 |
JP2013016830A (ja) * | 2009-12-10 | 2013-01-24 | Hitachi Chem Co Ltd | Cmp研磨液、基板の研磨方法及び電子部品 |
-
2013
- 2013-04-07 CN CN201310117949.5A patent/CN103203681B/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101297015A (zh) * | 2005-10-24 | 2008-10-29 | 3M创新有限公司 | 用于cmp的抛光流体和方法 |
CN101235255A (zh) * | 2008-03-07 | 2008-08-06 | 大连理工大学 | 一种化学机械抛光半导体晶片用的抛光液 |
CN102049723A (zh) * | 2009-10-28 | 2011-05-11 | 硅电子股份公司 | 抛光半导体晶片的方法 |
JP2013016830A (ja) * | 2009-12-10 | 2013-01-24 | Hitachi Chem Co Ltd | Cmp研磨液、基板の研磨方法及び電子部品 |
CN102172879A (zh) * | 2011-02-23 | 2011-09-07 | 南京航空航天大学 | 基于固结磨料抛光垫的软脆lbo晶体的加工方法 |
Non-Patent Citations (2)
Title |
---|
张振宇: "软脆功能晶体碲锌镉化学机械抛光", 《机械工程学报》 * |
李岩: "碲锌镉晶体高效低损伤CMP工艺研究", 《人工晶体学报》 * |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103991027A (zh) * | 2014-06-06 | 2014-08-20 | 深圳市欣天科技股份有限公司 | 谐振频率调谐片制备工艺 |
CN106078487A (zh) * | 2016-06-07 | 2016-11-09 | 大连理工常州研究院有限公司 | 镍基合金固结磨料研磨及化学机械抛光方法 |
CN106112791A (zh) * | 2016-07-01 | 2016-11-16 | 大连理工常州研究院有限公司 | 钛合金研磨及化学机械抛光方法 |
CN107384218A (zh) * | 2017-06-29 | 2017-11-24 | 华中光电技术研究所(中国船舶重工集团公司第七七研究所) | 一种碲锌镉材料的抛光液及抛光方法 |
CN109848821A (zh) * | 2018-12-28 | 2019-06-07 | 大连理工大学 | 一种镍合金的绿色环保化学机械抛光方法 |
CN111834229A (zh) * | 2020-07-23 | 2020-10-27 | 大连理工大学 | 一种碲锌镉晶片的绿色环保化学机械抛光方法 |
CN111975627A (zh) * | 2020-08-27 | 2020-11-24 | 中国电子科技集团公司第十一研究所 | 非规则碲锌镉晶片的研磨方法 |
CN116871985A (zh) * | 2023-09-05 | 2023-10-13 | 河北远东通信系统工程有限公司 | 一种小尺寸高频压电晶片的抛光工艺 |
CN116871985B (zh) * | 2023-09-05 | 2023-12-01 | 河北远东通信系统工程有限公司 | 一种小尺寸高频压电晶片的抛光工艺 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN103203681B (zh) | 2015-04-29 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN103203681A (zh) | 一种ii-vi族软脆晶体绿色环保研磨抛光方法 | |
CN100595032C (zh) | 一种软脆功能晶体磨削加工方法 | |
CN103192297B (zh) | 一种单晶碳化硅晶片的化学集群磁流变复合加工方法 | |
CN111421391A (zh) | 一种单晶金刚石晶片的双面化学机械抛光方法 | |
CN100579723C (zh) | 激光玻璃机械化学抛光方法 | |
CN103072069B (zh) | 磁流变效应粘弹性夹持的电瓷基片柔性研抛装置及方法 | |
CN103921205A (zh) | 一种6英寸铌酸锂晶片或钽酸锂晶片的生产工艺 | |
CN103978406A (zh) | 一种铌酸锂晶体高效超光滑化学机械抛光方法 | |
JP2021503170A5 (zh) | ||
JP2021503170A (ja) | 高平坦性、低ダメージの大きな直径の単結晶炭化ケイ素基板及びその製造方法 | |
CN106738360A (zh) | 石英摆片基片及其制备方法 | |
CN104842253A (zh) | 用于碳化硅晶体的光学级平面加工的抛光装置及加工方法 | |
CN106271900A (zh) | 一种蓝宝石抛光工艺 | |
CN108972159B (zh) | 一种蓝宝石球罩双面磨削方法 | |
CN109676437A (zh) | 碳化硅晶片及其制造方法 | |
CN105269450A (zh) | 氧化镓衬底的超精密加工方法 | |
CN102407483A (zh) | 一种半导体晶圆高效纳米精度减薄方法 | |
CN101503599B (zh) | 一种化学机械磨削液制备方法 | |
CN106057218B (zh) | 磁盘用玻璃基板的制造方法以及磁盘的制造方法 | |
CN102303268A (zh) | 一种软脆薄膜超光滑无损伤纳米磨削加工方法 | |
Zhang et al. | Material removal mechanism of precision grinding of soft-brittle CdZnTe wafers | |
CN109732471B (zh) | 一种化学机械-机械化学协同微细磨削加工方法与复合磨粒型微小磨具 | |
CN105291287B (zh) | 蓝宝石晶片加工方法及其加工工艺中的中间物 | |
CN102672593B (zh) | 一种超精密复合抛光方法 | |
CN104625888A (zh) | 碳化硅光学镜面加工方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20150429 Termination date: 20190407 |