CN103166574B - 能改善音频信号突波的放大电路 - Google Patents

Abstract

能改善音频信号突波的放大电路包含一积分模块、一比较模块、一输出模块、一反馈模块及一限制模块。该积分模块用以接收一输入信号并对应地产生一第一电压信号；该比较模块耦合至该积分模块，用以接收该第一电压信号与一参考信号，及产生一比较信号；该输出模块耦合至该比较模块，根据该比较信号产生一音频信号；该反馈模块耦合于该输出模块与该积分模块之间，用以反馈一输出信号至该积分模块；该限制模块耦接于该积分模块与该反馈模块之间，限制该比较信号的值于一预定范围之间。

Description

能改善音频信号突波的放大电路

技术领域

本发明涉及一种能改善音频信号突波的放大电路，尤其涉及一种能改善积分模块所输出的音频信号突波的放大电路。

背景技术

请参照图1，图1为先前技术说明音频信号的放大电路100的示意图。放大电路100包含一积分模块102、一比较模块104、一三角波产生器106、一输出模块109、一反馈电阻111及一低通滤波器112。积分模块102接收一输入信号VIN后，产生并输出一第一电压信号V1至比较模块104；比较模块104比较第一电压信号V1与产生自三角波产生器106的三角波信号VT，以产生一比较信号VPWM；输出模块109根据比较信号VPWM，产生一输出信号DOUT，其中输出信号DOUT经由反馈电阻111反馈至积分模块102；低通滤波器112耦接于输出模块109，用以转换并滤波输出信号DOUT成为一音频信号VA。一扬声器114耦接于低通滤波器112，用以将音频信号VA转换成一声音。

请参照图2A和图2B，图2A为说明当输入信号VIN的振幅愈来愈大时，音频信号VA出现突波的示意图，图2B为说明当输入信号VIN的振幅愈来愈大时，输出信号DOUT停止脉冲宽度调制的示意图。如图2A所示，当输入信号VIN的振幅愈来愈大时，在音频信号VA的正半周期及负半周期会产生大的突波。而突波会让听众在聆听音乐时，产生不悦耳的杂音。另外，如图2B所示，输出信号DOUT会在输入信号VIN的振幅愈来愈大时，停止脉冲宽度调制，亦即输出信号DOUT会持续保持高电位或是低电位。而持续保持高电位或是低电位的输出信号DOUT经由反馈电阻111反馈到积分模块102，导致第一电压信号V1饱和至高电位或是低电位。请参照图3，图3为说明积分模块102输出的第一电压信号V1饱和至高电位或是低电位的示意图。如图3所示，当输入信号VIN回复到正常工作范围时，积分模块102输出的第一电压信号V1需要一段时间从高电位或是低电位回复至三角波信号VT的振幅范围，导致音频信号VA出现突波。

发明内容

本发明的一实施例提供一种能改善音频信号突波的放大电路。该放大电路包含一积分模块、一比较模块、一输出模块、一反馈模块及一限制模块。该积分模块用以接收一输入信号并对应地产生一第一电压信号；该比较模块耦合至该积分模块，用以接收该第一电压信号与一参考信号，及产生一比较信号；该输出模块耦合至该比较模块，根据该比较信号产生一音频信号；该反馈模块耦合于该输出模块与该积分模块之间，用以反馈一输出信号至该积分模块；该限制模块耦接于该积分模块与该反馈模块之间，限制该比较信号的值于一预定范围之间。

本发明提供一种能改善音频信号突波的放大电路。该电路利用一限制模块限制一积分模块的第一电压信号在一固定范围，亦即该积分模块的第一电压信号不会饱和至一高电位以及一地端的电位。因此，本发明可改善该放大电路的低通滤波器所输出的音频信号产生的突波现象且该音频信号的失真变小。另外，本发明亦能提升该放大电路的最大输出功率。

附图说明

图1为先前技术说明音频信号的放大电路的示意图。

图2A为说明当输入信号的振幅愈来愈大时，音频信号出现突波的示意图。

图2B为说明当输入信号的振幅愈来愈大时，输出电压停止脉冲宽度调制的示意图。

图3为说明积分模块输出的第一电压信号饱和至高电位或是低电位的示意图。

图4为本发明的一实施例说明能改善音频信号突波的放大电路的示意图。

图5A为说明限制模块的功能方块的示意图。

图5B为说明限制模块的电路架构的示意图。

图6A为说明积分器所输出的第一电压信号的波形的示意图。

图6B为说明低通滤波器所输出的音频信号的波形的示意图。

图7为本发明的另一实施例说明限制模块的电路架构的示意图。

【主要元件符号说明】

100、400放大电路

102、4022积分模块

104、4026比较模块

106、4024三角波产生器

109、4027输出模块

111反馈电阻

112、4030低通滤波器

114、406扬声器

404、704限制模块

4023积分器

4025比较器

4028栅极驱动器

4029输出级电路

4032反馈模块

4042、7042电压检测电路

4044、7044电流镜电路

40422N型金属氧化物半导体晶体管

40424P型金属氧化物半导体晶体管

40442、70442第一P型金属氧化物半导体晶体管

40444、70444第二P型金属氧化物半导体晶体管

40446、70446第三P型金属氧化物半导体晶体管

40448、70448第四P型金属氧化物半导体晶体管

40450、70450第三N型金属氧化物半导体晶体管

40452、70452第四N型金属氧化物半导体晶体管

40454第五N型金属氧化物半导体晶体管

40456第六N型金属氧化物半导体晶体管

70422第一N型金属氧化物半导体晶体管

70424第二N型金属氧化物半导体晶体管

DOUT输出信号

GND地端

Ic1、Ic2充电电流

Id1、Id2放电电流

V1第一电压信号

VA音频信号

VDD第二电压

VFB反馈电压

VIN输入信号

VREF参考信号

VO1第一输出信号

VO2第二输出信号

VPWM比较信号

VREFH参考高电压信号

VREFL参考低电压信号

VT三角波信号

Vthn1、Vthp1阈值

具体实施方式

请参照图4，为本发明的一实施例说明能改善音频信号突波的放大电路400的示意图。放大电路400包含一积分模块4022、一比较模块4026、一输出模块4027、一反馈模块4032及一限制模块404。积分模块4022用以接收一输入信号VIN并对应地产生一第一电压信号V1；比较模块4026耦合至积分模块4022，接收第一电压信号V1与一参考信号VREF，用以产生一比较信号VPWM，其中参考信号VREF是为一三角波信号，由一三角波产生器4024所产生，且比较信号VPWM是为一脉冲宽度调制电压；输出模块4027耦合至比较模块4026，根据比较信号VPWM产生一音频信号VA，其中音频信号VA用以驱动一扬声器406；反馈模块4032耦合于输出模块4027与积分模块4022之间，反馈一输出信号VOUT至积分模块4022，其中输出信号VOUT是为一脉冲宽度调制电压；限制模块404耦接于积分模块4022与反馈模块4032之间，限制比较信号VPWM的值于一预定范围之间。

积分模块4022包含一积分器4023。积分器4023的第一端是用以接收输入信号VIN，积分器4023的第二端是用以接收产生自反馈模块4032的一反馈电压VFB，积分器4023的第三端是用以输出一对应于输入信号VIN的第一电压信号V1，及积分器4023的第四端是耦接于一地端GND，其中积分器4023为一一阶积分器，但本发明并不受限于一阶积分器，亦即积分器4023也可为其他阶积分器。

比较模块4026包括一比较器4025。比较器4025的第一端是耦接于积分器4023的第三端，比较器4025的第二端是耦接于三角波产生器4024，及比较器4025的输出端是用以输出比较信号VPWM，其中比较器4025是用以比较第一电压信号V1与三角波信号VT，以输出比较信号VPWM，且比较器4025为一迟滞比较器。

输出模块4027包括一栅极驱动器4028、一输出级电路4029及一低通滤波器4030。栅极驱动器4028的第一输入端是耦接于比较器4025的输出端，用以接收比较信号VPWM，栅极驱动器4028的第一输出端是用以输出一第一输出信号VO1，及栅极驱动器4028的第二输出端是用以输出一第二输出信号VO2。栅极驱动器4028根据比较信号VPWM，产生第一输出信号VO1及第二输出信号VO2。输出级电路4029的第一输入端是耦接于栅极驱动器4028的第一输出端，输出级电路4029的第二输入端是耦接于栅极驱动器4028的第二输出端，及输出级电路4029的输出端是用以输出输出信号DOUT。输出级电路4029是用以根据第一输出信号VO1或第二输出信号VO2，产生输出信号DOUT，且输出信号DOUT是为一脉冲宽度调制电压。反馈模块4032是耦接于输出级电路4029的输出端及积分器4023的第二端之间，用以反馈输出信号DOUT并产生反馈电压VFB至积分器4023的第二端。低通滤波器4030是耦接于输出级电路4029，用以转换并滤波输出信号DOUT成为音频信号VA。

请参照图5A和图5B，图5A为说明限制模块404的功能方块的示意图，图5B为说明限制模块404的电路架构的示意图。如图5A所示，限制模块404包含一电压检测电路4042及一电流镜电路4044。电压检测电路4042是耦合至积分模块4022。电压检测电路4042的第一输入端是用以接收一参考高电压信号VREFH，电压检测电路4042的第二输入端是用以接收一参考低电压信号VREFL，电压检测电路4042的第三输入端是用以接收第一电压信号V1，电压检测电路4042的第一输出端是用以抽取(sink)一放电电流Id1，及电压检测电路4042的一第二输出端是用以输出一充电电流Ic1。电流镜电路4044的第一端是耦接于电压检测电路4042的第一输出端，电流镜电路4044的第二端是耦接于电压检测电路4042的第二输出端，及电流镜电路4044的输出端是耦接于反馈模块4032。

如图5B所示，电压检测电路4042包含一N型金属氧化物半导体晶体管40422及一P型金属氧化物半导体晶体管40424。N型金属氧化物半导体晶体管40422的第一端是耦接于放电电流Id1，N型金属氧化物半导体晶体管40422的第二端是耦接于参考低电压信号VREFL，及N型金属氧化物半导体晶体管40422的第三端是耦接于第一电压信号V1。P型金属氧化物半导体晶体管40424的第一端是耦接于第一电压信号V1，P型金属氧化物半导体晶体管40424的第二端是耦接于参考高电压信号VREFH，及P型金属氧化物半导体晶体管40424的第三端是耦接于充电电流Ic1。

电流镜电路4044包含一第一P型金属氧化物半导体晶体管40442、一第二P型金属氧化物半导体晶体管40444、一第三P型金属氧化物半导体晶体管40446、一第四P型金属氧化物半导体晶体管40448、一第三N型金属氧化物半导体晶体管40450、一第四N型金属氧化物半导体晶体管40452、一第五N型金属氧化物半导体晶体管40454及一第六N型金属氧化物半导体晶体管40456。第一P型金属氧化物半导体晶体管40442的第一端是用以接收一第二电压VDD，第一P型金属氧化物半导体晶体管40442的第二端是N型金属氧化物半导体晶体管40422的第一端，及第一P型金属氧化物半导体晶体管40442的第三端，耦接于第一P型金属氧化物半导体晶体管40442的第二端。第二P型金属氧化物半导体晶体管40444的第一端是用以接收第二电压VDD，和第二P型金属氧化物半导体晶体管40444的第二端是耦接于第一P型金属氧化物半导体晶体管40442的第二端。第三P型金属氧化物半导体晶体管40446的第一端是用以接收第二电压VDD，和第三P型金属氧化物半导体晶体管40446的第二端是耦接于第三P型金属氧化物半导体晶体管40446的第三端。第四P型金属氧化物半导体晶体管40448的第一端是用以接收第二电压VDD，第四P型金属氧化物半导体晶体管40448的第二端是耦接于该第三P型金属氧化物半导体晶体管40446的第二端，及第四P型金属氧化物半导体晶体管40448的第三端是耦接于反馈模块4032；第三N型金属氧化物半导体晶体管40450的第一端是耦接于充电电流Ic1，第三N型金属氧化物半导体晶体管40450的第二端是耦接于第三N型金属氧化物半导体晶体管40450的第一端，及第三N型金属氧化物半导体晶体管40450的第三端是耦接于地端GND；第四N型金属氧化物半导体晶体管40452的第一端是耦接于第三P型金属氧化物半导体晶体管40446的第三端，第四N型金属氧化物半导体晶体管40452的第二端是耦接于第三N型金属氧化物半导体晶体管40450的第二端，及第四N型金属氧化物半导体晶体管40452的第三端是耦接于地端GND。第五N型金属氧化物半导体晶体管40454的第一端是耦接于第二P型金属氧化物半导体晶体管40444的第三端，第五N型金属氧化物半导体晶体管40454的第二端是耦接于第五N型金属氧化物半导体晶体管40454的第一端，及第五N型金属氧化物半导体晶体管40454的第三端是耦接于地端GND。第六N型金属氧化物半导体晶体管40456的第一端是耦接于反馈模块4032，第六N型金属氧化物半导体晶体管40456的第二端是耦接于第五N型金属氧化物半导体晶体管40454的第二端，及第六N型金属氧化物半导体晶体管40456的第三端是耦接于地端GND。

限制模块404中的电压检测电路4042和电流镜电路4044根据式(1)、式(2)、式(3)运作：

VREFL-Vthn1>V1(1)

V1>VREFH+Vthp1(2)

VREFL-Vthn1>V1>VREFH+Vthp1(3)

其中Vthn1为N型金属氧化物半导体晶体管40422的阈值，Vthp1为P型金属氧化物半导体晶体管40424的阈值。当积分器4023输出的第一电压信号V1满足式(1)，亦即第一电压信号V1太低时，N型金属氧化物半导体晶体管40422开启并抽取放电电流Id1。而放电电流Id1会通过电流镜电路4044内的第一P型金属氧化物半导体晶体管40442、第二P型金属氧化物半导体晶体管40444、第五N型金属氧化物半导体晶体管40454及第六N型金属氧化物半导体晶体管40456所组成的电流镜对积分器4023的第二端放电，导致反馈电压VFB下降。因为反馈电压VFB下降，所以第一电压信号V1会经由积分器4023的负反馈而提高。当积分器4023输出的第一电压信号V1满足式(2)，亦即第一电压信号V1太高时，P型金属氧化物半导体晶体管40424开启并输出充电电流Ic1。而充电电流Ic1会通过电流镜电路4044内的第三P型金属氧化物半导体晶体管40446、第四P型金属氧化物半导体晶体管40448、第三N型金属氧化物半导体晶体管40450、第四N型金属氧化物半导体晶体管40452所组成的电流镜对积分器4023的第二端充电，导致反馈电压VFB上升。因为反馈电压VFB上升，所以经由积分器4023的负反馈将降低第一电压信号V1。当积分器4023输出的第一电压信号V1满足式(3)，限制模块404将不动作。

请参照图6A和图6B，图6A为说明积分器4023所输出的第一电压信号V1的波形的示意图，图6B为说明低通滤波器4030所输出的音频信号VA的波形的示意图。如图6A所示，第一电压信号V1的上下界限会被限制在“参考高电位VREFH加上P型金属氧化物半导体晶体管40424的阈值Vthp1”及“参考低电位VREFL扣除N型金属氧化物半导体晶体管40422的阈值Vthn1”之间。因此，如图6B所示，低通滤波器4030所输出的音频信号VA不会出现突波且音频信号的失真变小，所以放大电路400的最大输出功率亦将提升。

请参照图7，图7为本发明的另一实施例说明限制模块704的电路架构的示意图。限制模块704包含电压检测电路7042及一电流镜电路7044，其中电压检测电路7042和电流镜电路7044的耦接关系和图5A中的电压检测电路4042和电流镜电路4044的耦接关系相同，在此不再赘述。电压检测电路7042包含一第一N型金属氧化物半导体晶体管70422及一第二N型金属氧化物半导体晶体管70424。第一N型金属氧化物半导体晶体管70422的第一端是用以抽取一放电电流Id2，第一N型金属氧化物半导体晶体管70422的第二端是耦接于参考低电压信号VREFL，及第一N型金属氧化物半导体晶体管70422的第三端是耦接于第一电压信号V1。第二N型金属氧化物半导体晶体管70424的第一端是用以抽取一充电电流Ic2，第二N型金属氧化物半导体晶体管70424的第二端是耦接于第一电压信号V1，及第二N型金属氧化物半导体晶体管70424的第三端是耦接于参考高电压信号VREFH。

电流镜电路7044包含一第一P型金属氧化物半导体晶体管70442、一第二P型金属氧化物半导体晶体管70444、一第三P型金属氧化物半导体晶体管70446、一第四P型金属氧化物半导体晶体管70448、一第三N型金属氧化物半导体晶体管70450及一第四N型金属氧化物半导体晶体管70452。第一P型金属氧化物半导体晶体管70442的第一端是用以接收第二电压VDD，第一P型金属氧化物半导体晶体管70442的第二端是耦接于第一N型金属氧化物半导体晶体管70422的第一端；及第一P型金属氧化物半导体晶体管70442的第三端是耦接于第一P型金属氧化物半导体晶体管70442的第二端。第二P型金属氧化物半导体晶体管70444的第一端是用以接收第二电压VDD，第二P型金属氧化物半导体晶体管70444的第二端是耦接于第一P型金属氧化物半导体晶体管70442的第二端，及第二P型金属氧化物半导体晶体管70444的第三端。第三P型金属氧化物半导体晶体管70446的第一端是用以接收第二电压VDD，和第三P型金属氧化物半导体晶体管70446的第三端是耦接于第三P型金属氧化物半导体晶体管70446的第二端与第二N型金属氧化物半导体晶体管70424的第一端。第四P型金属氧化物半导体晶体管70448的第一端是用以接收第二电压VDD，第四P型金属氧化物半导体晶体管70448的第二端是耦接于第三P型金属氧化物半导体晶体管70446的第二端，及第四P型金属氧化物半导体晶体管70448的第三端，耦接于反馈模块4032。第三N型金属氧化物半导体晶体管70450的第一端是耦接于第二P型金属氧化物半导体晶体管70444的第三端，第三N型金属氧化物半导体晶体管70450的第二端是耦接于第三N型金属氧化物半导体晶体管70450的第一端，及第三N型金属氧化物半导体晶体管70450的第三端是耦接于地端GND。第四N型金属氧化物半导体晶体管70452的第一端是耦接于第四P型金属氧化物半导体晶体管70448的第三端，第四N型金属氧化物半导体晶体管70452的第二端是耦接于第三N型金属氧化物半导体晶体管70450的第二端，及第四N型金属氧化物半导体晶体管70452的第三端是耦接于地端GND。

限制模块704中的电压检测电路7042和电流镜电路7044根据式(4)、式(5)、式(6)运作：

VREFL-Vthn2>V1(4)

V1>VREFH+Vthn3(5)

VREFL-Vthn2>V1>VREFH+Vthn3(6)

其中Vthn2为第一N型金属氧化物半导体晶体管70422的阈值，Vthn3为第二N型金属氧化物半导体晶体管70424的阈值。当积分器4023输出的第一电压信号V1满足式(4)，亦即第一电压信号V1太低时，第一N型金属氧化物半导体晶体管70422开启并抽取放电电流Id2。而放电电流Id2会通过电流镜电路7044内的第一P型金属氧化物半导体晶体管70442、第二P型金属氧化物半导体晶体管70444、第三N型金属氧化物半导体晶体管70450及第四N型金属氧化物半导体晶体管70452所组成的电流镜对积分器4023的第二端放电，导致反馈电压VFB下降。因为反馈电压VFB下降，所以第一电压信号V1会经由积分器4023的负反馈而提高。当积分器4023输出的第一电压信号V1满足式(5)，亦即第一电压信号V1太高时，第二N型金属氧化物半导体晶体管70424开启并抽取充电电流Ic2。而充电电流Ic2会通过电流镜电路7044内的第三P型金属氧化物半导体晶体管70446及第四P型金属氧化物半导体晶体管70448所组成的电流镜对积分器4023的第二端充电，导致反馈电压VFB上升。因为反馈电压VFB上升，所以经由积分器4023的负反馈将降低第一电压信号V1。当积分器4023输出的第一电压信号V1满足式(6)，限制模块704将不动作。

综上所述，本发明所提供的能改善音频信号突波的放大电路利用限制模块限制积分模块的第一电压信号在固定范围，亦即积分模块的第一电压信号不会饱和至第二电压以及地端的电压。因此，由低通滤波器所输出的音频信号不会出现突波消失且音频信号的失真变小。另外，本发明亦能提升放大电路的最大输出功率。

以上所述仅为本发明的优选实施例，凡依本发明权利要求书所做的均等变化与修饰，皆应属本发明的涵盖范围。

Claims (9)

1.一种能改善音频信号突波的放大电路，包含：

一积分模块，用以接收一输入信号并对应地产生一第一电压信号；

一比较模块，耦合至该积分模块，用以接收该第一电压信号与一参考信号，及产生一比较信号；

一输出模块，耦合至该比较模块，根据该比较信号产生一音频信号；

一反馈模块，耦合于该输出模块与该积分模块之间，用以反馈一输出信号至该积分模块，其中，该反馈模块的输入端耦接于该输出模块的输出端，该反馈模块的输出端耦接于积分模块的输入端；及

一限制模块，耦接于该积分模块与该反馈模块之间，限制该比较信号的值于一预定范围之间，

其中该限制模块包含：

一电压检测电路，耦合至该积分模块，其中该电压检测电路的第一输入端接收一参考高电压信号，其中该电压检测电路的第二输入端接收一参考低电压信号，其中该电压检测电路的第三输入端耦接于该积分模块的输出端以接收该第一电压信号，其中该电压检测电路的第一输出端，用以抽取(sink)一放电电流，及该电压检测电路的第二输出端，用以输出一充电电流；及

一电流镜电路，其中该电流镜电路的第一端耦接于该电压检测电路的第一输出端，其中电流镜电路的第二端耦接于该电压检测电路的第二输出端，其中该电流镜电路的输出端，耦接于该反馈模块的输出端。

2.如权利要求1所述的放大电路，其中该积分模块包括一积分器，其中该积分器的第一端，用以接收该输入信号，其中该积分器的第二端，用以接收产生自该反馈模块的一反馈电压，其中该积分器的第三端，用以输出一对应于该输入信号的第一电压信号，以及该积分器的第四端，耦接于一接地端；其中该参考信号是为一三角波信号，由一三角波产生器所产生；其中该比较模块包括一比较器，其中该比较器的第一输入端，耦接于该积分器的第三端，其中该比较器的第二端，耦接于该三角波产生器，其中该比较器的输出端，用以输出该比较信号，其中该比较器比较该第一电压信号与该三角波信号，以输出该比较信号。

3.如权利要求1所述的放大电路，其中该输出模块包括：

一栅极驱动器，根据该比较信号，产生一第一输出信号及一第二输出信号，其中该栅极驱动器的第一输入端，耦接于该比较器的输出端，接收该比较信号，该栅极驱动器的第一输出端，用以输出该第一输出信号，该栅极驱动器的第二输出端，用以输出该第二输出信号；

一输出级电路，其中该输出级电路的第一输入端，耦接于该栅极驱动器的第一输出端，该输出级电路的第二输入端，耦接于该栅极驱动器的第二输出端，及该输出级电路的输出端，耦接于该反馈模块的输入端，用以输出该输出信号；以及

一低通滤波器，耦接于该输出级电路，用以转换并滤波该输出信号成为该音频信号。

4.如权利要求1所述的放大电路，其中该电压检测电路包含：

一N型金属氧化物半导体晶体管，包含一第一端，耦接于该电流镜电路的第一端以抽取该放电电流，一第二端，用以接收该参考低电压信号，及一第三端，耦接于该积分模块的输出端以接收该第一电压信号；及

一P型金属氧化物半导体晶体管，具有一第一端，耦接于该积分模块的输出端以接收该第一电压信号，一第二端，用以接收该参考高电压信号，及一第三端，耦接于该电流镜电路的第二端以输出该充电电流。

5.如权利要求4所述的放大电路，其中该电流镜电路包含：

一第一P型金属氧化物半导体晶体管，包含一第一端，用以接收一第二电压，一第二端，耦接于该N型金属氧化物半导体晶体管的第一端，及一第三端，耦接于该第一P型金属氧化物半导体晶体管的第二端；

一第二P型金属氧化物半导体晶体管，包含一第一端，用以接收该第二电压，一第二端，耦接于该第一P型金属氧化物半导体晶体管的第二端，及一第三端；

一第三P型金属氧化物半导体晶体管，包含一第一端，用以接收该第二电压，一第二端，及一第三端，耦接于该第三P型金属氧化物半导体晶体管的第二端；

一第四P型金属氧化物半导体晶体管，包含一第一端，用以接收该第二电压，一第二端，耦接于该第三P型金属氧化物半导体晶体管的第二端，及一第三端，耦接于该反馈模块的输出端；

一第三N型金属氧化物半导体晶体管，包含一第一端，耦接于该充电电流，一第二端，耦接于该第三N型金属氧化物半导体晶体管的第一端，及一第三端，耦接于一接地端；

一第四N型金属氧化物半导体晶体管，具有一第一端，耦接于该第三P型金属氧化物半导体晶体管的第三端，一第二端，耦接于该第三N型金属氧化物半导体晶体管的第二端，及一第三端，耦接于该接地端；

一第五N型金属氧化物半导体晶体管，具有一第一端，耦接于该第二P型金属氧化物半导体晶体管的第三端，一第二端，耦接于该第五N型金属氧化物半导体晶体管的第一端，及一第三端，耦接于该接地端；及

一第六N型金属氧化物半导体晶体管，具有一第一端，耦接于该反馈模块，一第二端，耦接于该第五N型金属氧化物半导体晶体管的第二端，及一第三端，耦接于该接地端。

6.如权利要求1所述的放大电路，其中该电压检测电路包含：

一第一N型金属氧化物半导体晶体管，具有一第一端，耦接于该电流镜电路的第一端以抽取该放电电流，一第二端，用以接收该参考低电压信号，及一第三端，耦接于该积分模块的输出端以接收该第一电压信号；及

一第二N型金属氧化物半导体晶体管，具有一第一端，耦接于该电流镜电路的第二端以抽取该充电电流，一第二端，用以接收该第一电压信号，及一第三端，用以接收该参考高电压信号。

7.如权利要求6所述的放大电路，其中该电流镜电路包含：

一第一P型金属氧化物半导体晶体管，包含一第一端，用以接收一第二电压，一第二端，耦接于该第一N型金属氧化物半导体晶体管的第一端，及一第三端，耦接于该第一P型金属氧化物半导体晶体管的第二端；

一第二P型金属氧化物半导体晶体管，包含一第一端，用以接收该第二电压，一第二端，耦接于该第一P型金属氧化物半导体晶体管的第二端，及一第三端；

一第三P型金属氧化物半导体晶体管，包含一第一端，用以接收该第二电压，一第二端，及一第三端，耦接于该第三P型金属氧化物半导体晶体管的第二端与该第二N型金属氧化物半导体晶体管的第一端；

一第四P型金属氧化物半导体晶体管，包含一第一端，用以接收该第二电压，一第二端，耦接于该第三P型金属氧化物半导体晶体管的第二端，及一第三端，耦接于该反馈模块的输出端；

一第三N型金属氧化物半导体晶体管，包含一第一端，耦接于该第二P型金属氧化物半导体晶体管的第三端，一第二端，耦接于该第三N型金属氧化物半导体晶体管的第一端，及一第三端，耦接于一接地端；及

一第四N型金属氧化物半导体晶体管，具有一第一端，耦接于该第四P型金属氧化物半导体晶体管的第三端，一第二端，耦接于该第三N型金属氧化物半导体晶体管的第二端，及一第三端，耦接于该接地端。

8.如权利要求1所述的放大电路，其中该输出信号为一脉冲宽度调制电压。

9.如权利要求1所述的放大电路，其中该比较信号为一脉冲宽度调制电压。