CN103165826A

CN103165826A - 双面有机发光二极管及其制造方法、显示装置

Info

Publication number: CN103165826A
Application number: CN2011104279585A
Authority: CN
Inventors: 牛泉; 许芳; 尚可; 阳光
Original assignee: Lenovo Beijing Ltd
Current assignee: Lenovo Beijing Ltd
Priority date: 2011-12-19
Filing date: 2011-12-19
Publication date: 2013-06-19
Anticipated expiration: 2031-12-19
Also published as: CN103165826B; US20140306204A1; WO2013091520A1; US9312321B2

Abstract

提供了一种双面有机发光二极管及其制造方法、以及使用该双面有机发光二极管构成像素的显示装置。所述双面有机发光二极管包括：第一电极；第一有机半导体层，其布置在所述第一电极上；共享电极，其布置在所述第一有机半导体层上，并且与薄膜晶体管的输出端电连接；第二有机半导体层，其布置在所述共享电极上；以及第二电极，其布置在所述第二有机半导体层上，其中，所述第一电极、所述共享电极以及所述第二电极彼此电绝缘。对于所述双面有机发光二极管，可以独立地控制其中的两个有机发光二极管。

Description

双面有机发光二极管及其制造方法、显示装置

技术领域

本发明涉及一种新型的有机发光二极管，更具体地涉及一种双面有机发光二极管及其制造方法、以及具有该双面有机发光二极管的显示装置。

发明内容

在有源矩阵型(Active Matrix)有机发光显示技术中，每个显示像素由一个专用的薄膜晶体管来驱动，通过控制所述专用薄膜晶体管(TFT)导通来使对应的有机发光二极管(OLED)发光。

通常，有机发光二极管可以被形成为顶部发光或底部发光的OLED。在双面显示的应用场景下，对应于一个像素，可以并排布置一个顶部发光的OLED和一个底部发光的OLED。在此情况下，必然增大了一个像素所对应的面积(例如在显示屏幕上所占据的显示面积)，这不利于增加显示设备的分辨率。

另外，在利用一个共享电极将顶部发光子OLED和底部发光子OLED集成在一个共享电极的双面有机发光二极管OLED的情况下，通常将TFT与OLED像素的一个电极(通常是阳极电极)集成在一起，利用该TFT来同时驱动这两个OLED，由此无法实现这两个OLED的独立控制。在图1A中，示意性地示出了这种共享电极的双面有机发光二极管OLED的示意性结构。

因此，需要一种新型的双面有机发光二极管，其可以双面发光并且可以独立地控制每侧的发光。

发明内容

考虑到上述问题而作出了本发明，本发明的一个目的是提供一种双面有机发光二极管，其通过将其中的共享电极与薄膜晶体管的输出端连接，使得所述双面发光二极管中包括的两个OLED可以被独立地控制。

根据本发明的一方面，提供了一种双面有机发光二极管，包括：第一电极；第一有机半导体层，其布置在所述第一电极上；共享电极，其布置在所述第一有机半导体层上，并且与薄膜晶体管的输出端电连接；第二有机半导体层，其布置在所述共享电极上；以及第二电极，其布置在所述第二有机半导体层上，其中，所述第一电极、所述共享电极以及所述第二电极彼此电绝缘。

优选地，在所述双面有机发光二极管中，所述第一电极、所述第一有机半导体层、以及所述共享电极操作为第一发光有机二极管；以及所述第二电极、所述第二有机半导体层、以及所述共享电极操作为第二发光有机二极管。

优选地，所述双面有机发光二极管还包括：透明导电层，其与薄膜晶体管的输出端电连接；以及透明绝缘层，其被布置在所述透明导电层上。所述第一电极被布置在所述透明绝缘层上以便与所述透明导电层电绝缘；以及所述共享电极与所述透明导电层电连接。

优选地，在所述双面有机发光二极管中，所述透明绝缘层的面积小于所述透明导电层的面积；所述第一电极的面积小于所述透明绝缘层的面积；所述第一有机半导体层的面积大于所述第一电极的面积且小于等于所述透明绝缘层的面积；以及所述共享电极的面积大于所述透明绝缘层的面积且小于等于所述透明导电层的面积。

根据本发明的另一方面，提供了一种制造双面有机发光二极管的方法，包括：提供第一电极；在所述第一电极上布置第一有机半导体层；在所述第一有机半导体层上布置共享电极，并且使所述共享电极与薄膜晶体管的输出端电连接而与所述第一电极电绝缘；在所述共享电极上布置第二有机半导体层；以及在所述第二有机半导体层上布置第二电极，并且使所述第二电极与所述第一电极和所述共享电极电绝缘。

优选地，所述方法还包括：提供透明导电层，并使得该透明导电层与薄膜晶体管的输出端电连接；以及在所述透明导电层上布置透明绝缘层。在所述透明绝缘层上布置所述第一电极，使得所述第一电极与所述透明导电层电绝缘；以及布置所述共享电极与所述透明导电层电连接。

优选地，所述透明导电层完全覆盖所述薄膜晶体管的输出端，并且所述透明导电层的面积大于等于所述薄膜晶体管的输出端的面积。

优选地，在所述方法中，在一部分所述透明导电层上布置所述透明绝缘层，所述透明绝缘层的面积小于所述透明导电层的面积；在一部分所述透明绝缘层上布置所述第一电极，所述第一电极的面积小于所述透明绝缘层的面积；覆盖所述第一电极地在所述第一电极上布置所述第一有机半导体层，所述第一有机半导体层的面积大于所述第一电极的面积且小于等于所述透明绝缘层的面积；以及覆盖所述第一有机半导体层地在所述第一有机半导体层上布置所述共享电极，所述共享电极的面积大于所述透明绝缘层的面积且小于等于所述透明导电层的面积。

优选地，所述共享电极为不透光的反射层，以及所述第一电极和所述第二电极为透明层。

根据本发明的又一方面，提供了一种显示装置，其具有像素阵列，所述像素阵列中的每个像素包括双面有机发光二极管以及薄膜晶体管，其中，所述双面有机发光二极管包括：第一电极；第一有机半导体层，其布置在所述第一电极上；共享电极，其布置在所述第一有机半导体层上，并且与所述薄膜晶体管的输出端电连接；第二有机半导体层，其布置在所述共享电极上；以及第二电极，其布置在所述第二有机半导体层上，其中，所述第一电极、所述共享电极以及所述第二电极彼此电绝缘。

优选地，在所述显示装置中，所述双面有机发光二极管还包括：透明导电层，其与薄膜晶体管的输出端电连接；以及透明绝缘层，其被布置在所述透明导电层上。所述第一电极被布置在所述透明绝缘层上以便与所述透明导电层电绝缘；以及所述共享电极与所述透明导电层电连接。

优选地，在所述显示装置中，所述透明绝缘层的面积小于所述透明导电层的面积；所述第一电极的面积小于所述透明绝缘层的面积；所述第一有机半导体层的面积大于所述第一电极的面积且小于等于所述透明绝缘层的面积；以及所述共享电极的面积大于所述透明绝缘层的面积且小于等于所述透明导电层的面积。

附图说明

通过结合附图对本发明的实施例进行详细描述，本发明的上述和其它目的、特征和优点将会变得更加清楚，其中：

图1A是示出薄膜晶体管TFT的漏极与双面有机发光二极管OLED的阳极电极连接的示意图；

图1B是示出根据本发明构思的将TFT的漏极与双面有机发光二极管OLED的共享电极连接的示意图；

图2A是根据本发明实施例的双面有机发光二极管的示意性结构图；

图2B是图2A所示的双面有机发光二极管的示意性操作图；

图3是示出根据本发明实施例的双面有机发光二极管的制造方法的流程图；以及

图4是示出根据本发明实施例的制造双面有机发光二极管的示意性工艺流程。

具体实施方式

下面将参照附图来描述根据本发明实施例的双面有机发光二极管及其制造方法、以及利用根据本发明实施例的双面有机发光二极管来构造像素的电子装置。在附图中，相同的参考标号自始至终表示相同的元件。应当理解：这里描述的实施例仅仅是说明性的，而不应被解释为限制本发明的范围。

如1A中所示，通常将双面有机发光二极管OLED的阳极电极(通常，利用铟锡氧化物(ITO)层作为阳极电极层)与TFT的漏极(D)连接，在此情况下无法实现对该双面有机发光二极管OLED中的两个子OLED(例如，顶部发光子OLED和底部发光子OLED)的独立控制。此外，为了简化，在图1A中没有示出TFT的栅极(Gate)和源极(S)的连接，然而本领域技术人员基于本领域公知常识容易确定其连接方式。

在图1B中示意性地示出了根据本发明构思的将TFT的漏极电极与双面有机发光二极管OLED的共享电极连接的示意图。根据本发明构思的双面有机发光二极管OLED，通过引出其中两个子OLED(例如，顶部发光子OLED和底部发光子OLED)的共享电极并将该共享电极与薄膜晶体管的输出端电连接，来实现对于该双面有机发光二极管中的两个子OLED的独立控制。

在图2以及图4中，简化了TFT的表示，而未具体示出TFT的栅极(Gate)、源极(S)和漏极(D)。然而，应理解，在图2以及图4中示出的连接方式是针对TFT的漏极(D)作出的，换句话说，TFT的栅极和源极不与图2和图4中的连接结构相连接。

此外，在图2和图4中示出的结构，并非按照实际比例示出，而可能夸大了其中的某些层，因此，应理解，在图2和图4中仅示意性地给出了各层的位置布置关系。

下面，将参考图2来描述根据本发明实施例的双面有机发光二极管OLED的结构。

双面有机发光二极管OLED包括：第一电极1；第一有机半导体层2；共享电极3；第二有机半导体层4；以及第二电极5。

所述第一有机半导体层2布置在所述第一电极1上。所述共享电极3布置在所述第一有机半导体层2上，并且与薄膜晶体管TFT的输出端(例如，漏极D)电连接。

所述第二有机半导体层4布置在所述共享电极3上。所述第二电极5布置在所述第二有机半导体层4上。

在所述双面有机发光二极管OLED操作时，所述第一电极1、所述第一有机半导体层2、以及所述共享电极3操作为第一发光有机二极管OLED；以及所述第二电极5、所述第二有机半导体层4、以及所述共享电极3操作为第二发光有机二极管OLED。

在所述双面有机发光二极管OLED中，引出了三个彼此电绝缘的电极：所述第一电极1、所述共享电极3、以及所述第二电极5。所述共享电极3与所述薄膜晶体管TFT的输出端电连接。此外，可以分别向所述第一电极1和第二电极5施加适当的电压，从而可以独立地控制在所述第一电极1和所述共享电极3之间的电压、以及在所述第二电极5和所述共享电极3之间的电压。

优选地，为了将所述共享电极3与TFT的输出端电连接，所述双面有机发光二极管OLED还包括：透明导电层6，其与TFT的输出端电连接；以及透明绝缘层7，其被布置在所述透明导电层6上。

所述第一电极1布置在所述透明绝缘层7上，并且所述透明绝缘层7将所述第一电极1与所述透明导电层6绝缘。另外，所述共享电极3与所述透明导电层6电连接，从而实现与所述TFT的输出端的电连接。

在图2A中，除了示出所述双面有机发光二极管OLED的分层结构之外，还示出了所述双面有机发光二极管OLED与TFT的优选的集成结构。

在所述集成结构中，所述透明导电层6布置在所述TFT的输出端上，并且覆盖所述TFT的输出端的至少一部分。优选地，所述透明导电层6完全覆盖所述TFT的输出端，并且在如图2A所示的水平方向上(即，在与由所述双面有机发光二极管OLED所形成的显示像素依次排列的平面方向上)扩展所述透明导电层6的面积。更为优选地，所述透明导电层的面积大于等于TFT的输出端的面积(例如，TFT的漏极电极的面积)。

在如图2A所示的双面有机发光二极管OLED中，所述透明绝缘层7的面积小于所述透明导电层6的面积，所述第一电极1的面积小于所述透明绝缘层7的面积，从而使得所述透明绝缘层7能够将所述透明导电层6与所述第一电极1隔离。

此外，所述第一有机半导体层2的面积大于所述第一电极1的面积且小于等于所述透明绝缘层7的面积，从而使得所述透明绝缘层7也能够将所述透明导电层6与所述第一有机半导体层2隔离。

此外，所述共享电极3的面积大于所述透明绝缘层7的面积且小于等于所述透明导电层6的面积，从而使得所述共享电极3能够与所述透明导电层6连接。

通过如图2A中所示的结构，可以将双面有机发光二极管OLED中的共享电极3引出并且通过所述透明导电层6将所引出的共享电极3与TFT的输出端连接。由此，可以独立地控制双面有机发光二极管OLED中3个电极的电压，继而实现了对双面有机发光二极管OLED中的两个子OLED(图2B中的第一OLED和第二OLED)的独立控制。

如图2B所示，示出了图2A所示的双面有机发光二极管OLED在操作时示意图。

此外，为了实现双面发光的发光效果，将所述共享电极3形成为不透光的反射层，以及将所述第一电极1和所述第二电极5形成为透明层。

尽管在图2A中未示出，应理解，所述双面有机发光二极管OLED被布置在衬底上，所述衬底层也是透明的。

此外，应理解，在图2A中仅仅示出了所述双面有机发光二极管OLED必须具备的基本结构，在所示出的各层之间可以沉积其它的层以便进一步改善所述双面有机发光二极管OLED的性能。

接下来，将参考图3说明根据本发明实施例的双面有机发光二极管的制造方法100。

首先，该制造方法100在步骤S101开始。

在步骤S110，提供第一电极。所述第一电极为透明电极，其例如可以为铟锡氧化物(ITO)层、或者其它透明的电极材料层。例如，所述第一电极可以通过沉积的方式来提供。

接下来，在步骤S120，在所述第一电极上布置第一有机半导体层。例如，所述第一有机半导体层可以通过沉积的方式来提供。所述第一有机半导体层用作第一发光层。

在步骤S130，在所述第一有机半导体层上布置共享电极，并且使所述共享电极与薄膜晶体管的输出端电连接而与所述第一电极电绝缘。例如，在所述第一有机半导体层上沉积所述共享电极，所述共享电极层例如可以为不透明的铝(Al)或铝化合物层。

接下来，在步骤S140，在所述共享电极上布置第二有机半导体层。例如，所述第二有机半导体层可以通过沉积的方式来提供。所述第二有机半导体层用作第二发光层。

然后，在步骤S150，在所述第二有机半导体层上布置第二电极，并且使所述第二电极与所述第一电极和所述共享电极电绝缘。所述第二电极为透明电极，其例如可以为铟锡氧化物(ITO)层、或者其它透明的电极材料层。例如，所述第二有机半导体层可以通过沉积的方式来提供。

最后，根据本发明实施例的双面有机发光二极管的制造方法100在步骤S199结束。

如前所述，所述共享电极是非透明的，其将所述第一有机半导体层发射的光和所述第二有机半导体层发射的光分离。因此，所述第一有机半导体层发射的光透过所述第一电极，所述第二有机半导体层发射的光透过所述第二电极，由此实现了双面发光。通过适当地选择所述第一有机半导体层和所述第二有机半导体层的材料，以及/或者通过适当地调节夹在所述第一有机半导体层两端的电压以及夹在所述第二有机半导体层两端的电压，可以选择发光颜色以及发光亮度。

此外，优选地，为了将所述共享电极与TFT的输出端电连接，所述双面有机发光二极管OLED的制造方法还包括步骤S102和S105(图3中未示出)。

在步骤S102，提供透明导电层，并使得该透明导电层与薄膜晶体管的输出端电连接。所述透明导电层例如可以为铟锡氧化物(ITO)层、或者具有良好电子迁移性的其它透明的电极材料。优选地，如图4中的(1)所示，所述透明导电层与TFT的输出端集成在一起。

在S105，在所述透明导电层上布置透明绝缘层。例如，所述透明绝缘层可以通过沉积或旋转涂覆的方式来提供。

由此，通过上述制造方法，产生了第一电极和第二电极，可以从外部向第一电极和第二电极供电，同时通过将TFT的输出端与所述共享电极集成在一起，也实现了对所述共享电极的供电。因此，可以独立地控制在所述第一电极和所述共享电极之间的电压、以及在所述第二电极和所述共享电极之间的电压。

有利地，所述透明导电层覆盖所述TFT的输出端的至少一部分。优选地，所述透明导电层完全覆盖所述TFT的输出端，并且所述透明导电层的面积大于等于TFT的输出端的面积(例如，TFT的漏极电极的面积)。

优选地，在一部分所述透明导电层上布置所述透明绝缘层，所述透明绝缘层的面积小于所述透明导电层的面积，在一部分所述透明绝缘层上布置所述第一电极，所述第一电极的面积小于所述透明绝缘层的面积，从而使得所述透明绝缘层能够将所述透明导电层与所述第一电极隔离。

优选地，覆盖所述第一电极地在所述第一电极上布置所述第一有机半导体层，所述第一有机半导体层的面积大于所述第一电极的面积且小于等于所述透明绝缘层的面积，从而使得所述透明绝缘层也能够将所述透明导电层与所述第一有机半导体层隔离。

此外，覆盖所述第一有机半导体层地在所述第一有机半导体层上布置所述共享电极，所述共享电极的面积大于所述透明绝缘层的面积且小于等于所述透明导电层的面积，从而使得所述共享电极能够与所述透明导电层连接。

接下来，参考图4来更详细地描述根据本发明实施例的制造双面发光有机二极管OLED的工艺。

如图4中的(1)所示，将例如ITO层或其它透明导电材料层与TFT的输出端集成。例如，通过在透明衬底上沉积ITO层或其它透明导电材料层来提供透明导电层。

如图4中的(2)所示，在透明导电层上沉积或旋转涂覆透明绝缘层，该透明绝缘层只覆盖所述透明导电层的一部分。

如图4中的(3)所示，在该透明绝缘层上沉积透明电极材料层作为第一电极层。该电极材料层只覆盖所述透明绝缘层的一部分。所述第一电极层例如可以为ITO层或其它透明导电材料层。

如图4中的(4)所示，在该第一电极上沉积第一有机半导体层，该第一有机半导体层完全覆盖或包裹所述第一电极层，并且覆盖所述透明绝缘层的一部分。所述第一有机半导体层的面积大于所述第一电极的面积且小于等于所述透明绝缘层的面积。

应注意，如本领域技术人员已知的，该第一半导体层本身包括多层，例如，空穴传输层(HTL)、发光层(EL)、电子传输层(ETL)。

如图4中的(5)所示，在所述第一半导体层上沉积共享电极层，该共享电极层完全覆盖或包裹所述第一半导体层，并且覆盖所述透明电极层的一部分。所述共享电极层为不透明的导电层，其例如可以是铝或铝化合物。所述共享电极层的面积大于所述透明绝缘层的面积且小于等于所述透明导电层的面积。

如图4中的(6)所示，在所述共享电极层上沉积第二有机半导体层，该第二有机半导体层覆盖所述共享电极层的一部分。所述第二有机半导体层的面积小于等于所述共享电极层的面积。

类似地，该第二半导体层本身也包括多层，例如，空穴传输层(HTL)、发光层(EL)、电子传输层(ETL)。

如图4中的(7)所示，在所述第二有机半导体层上沉积透明电极材料层作为第二电极层，该第二电极层的面积小于等于所述第二有机半导体层的面积。

通过适当地选择所述第一电极的电极材料、所述共享电极的电极材料、第二电极的电极材料、施加在所述第一电极和所述共享电极之间的电压极性、以及施加在所述第二电极和所述共享电极之间的电压极性，来具体地形成双面有机发光二极管，例如：

1)在所述第一电极和所述共享电极中，选择第一电极和共享电极的电极材料使得将第一电极(例如ITO)用作透明阳极而将共享电极(例如Al)用作不透明阴极，在第一电极上施加的电压的电势高于在共享电极上施加的电压的电势时，所述第一有机半导体层发光；

2)在所述第二电极和所述共享电极中，选择第二电极和共享电极的电极材料使得将第二电极(例如ITO)用作透明阳极而将共享电极(例如Ag)用作不透明阴极，在第二电极上施加的电压的电势高于在共享电极上施加的电压的电势时，所述第二有机半导体层发光；

3)在所述第一电极和所述共享电极中，选择第一电极和共享电极的电极材料使得将第一电极用作透明阴极而将共享电极用作不透明阳极，当在第一电极上施加的电压的电势低于在共享电极上施加的电压的电势时，所述第一有机半导体层发光；

4)在所述第二电极和所述共享电极中，选择第二电极和共享电极的电极材料使得将第二电极用作透明阴极而将共享电极用作不透明阳极，在第二电极上施加的电压的电势低于在共享电极上施加的电压的电势时，所述第二有机半导体层发光。

可以根据需要任意地组合上述4种情况，本发明不受具体阴极和阳极选择的限制。

此外，本发明还提供了一种显示装置，该显示装置具有像素阵列，所述像素阵列中的每个像素包括双面有机发光二极管以及薄膜晶体管。所述有机发光二极管具有如上所述的结构。有利地，所述双面有机发光二极管中的透明导电层与所述薄膜晶体管的输出端集成在一起。

根据本发明的双面有机发光二极管将两个OLED集成在一起，并且可以独立地控制这两个OLED的发光，并且同时也保证了应用该双面有机发光二极管作为像素的显示装置的分辨率。

尽管在这里参照附图描述了本发明的一些实施例，但是应当理解，所述实施例仅是示例性的，而非限制性的。本领域技术人员应当理解，在不背离权利要求及其等价物中限定的本发明的范围和精神的情况下，可以对这些示例性实施例做出各种形式和细节上的变化。

Claims

1.一种双面有机发光二极管，包括：

第一电极；

第一有机半导体层，其布置在所述第一电极上；

共享电极，其布置在所述第一有机半导体层上，并且与薄膜晶体管的输出端电连接；

第二有机半导体层，其布置在所述共享电极上；以及

第二电极，其布置在所述第二有机半导体层上，

其中，所述第一电极、所述共享电极以及所述第二电极彼此电绝缘。

2.如权利要求1所述的双面有机发光二极管，其中，

所述第一电极、所述第一有机半导体层、以及所述共享电极操作为第一发光有机二极管；以及

所述第二电极、所述第二有机半导体层、以及所述共享电极操作为第二发光有机二极管。

3.如权利要求1所述的双面有机发光二极管，还包括：

透明导电层，其与薄膜晶体管的输出端电连接；以及

透明绝缘层，其被布置在所述透明导电层上，

其中，所述第一电极被布置在所述透明绝缘层上以便与所述透明导电层电绝缘；以及

所述共享电极与所述透明导电层电连接。

4.如权利要求3所述的双面有机发光二极管，其中，

所述透明绝缘层的面积小于所述透明导电层的面积；

所述第一电极的面积小于所述透明绝缘层的面积；

所述第一有机半导体层的面积大于所述第一电极的面积且小于等于所述透明绝缘层的面积；以及

所述共享电极的面积大于所述透明绝缘层的面积且小于等于所述透明导电层的面积。

5.如权利要求1所述的双面有机发光二极管，其中，所述共享电极为不透光的反射层，以及所述第一电极和所述第二电极为透明层。

6.一种显示装置，其具有像素阵列，所述像素阵列中的每个像素包括双面有机发光二极管以及薄膜晶体管，

其中，所述双面有机发光二极管包括：

第一电极；

第一有机半导体层，其布置在所述第一电极上；

共享电极，其布置在所述第一有机半导体层上，并且与所述薄膜晶体管的输出端电连接；

第二有机半导体层，其布置在所述共享电极上；以及

第二电极，其布置在所述第二有机半导体层上，

7.如权利要求6所述的显示装置，其中，所述双面有机发光二极管还包括：

透明导电层，其与薄膜晶体管的输出端电连接；以及

透明绝缘层，其被布置在所述透明导电层上，

所述共享电极与所述透明导电层电连接。

8.如权利要求7所述的显示装置，其中，

所述透明绝缘层的面积小于所述透明导电层的面积；

所述第一电极的面积小于所述透明绝缘层的面积；

9.如权利要求6所述的显示装置，其中，所述共享电极为不透光的反射层，以及所述第一电极和所述第二电极为透明层。

10.如权利要求7所述的显示装置，其中，所述透明导电层覆盖在所述薄膜晶体管的输出端的至少一部分，并且与所述薄膜晶体管的输出端电连接。

11.如权利要求10所述的显示装置，其中，所述透明导电层覆盖在所述薄膜晶体管的输出端上，所述透明导电层的面积大于等于所述薄膜晶体管的输出端的面积。

12.一种制造双面有机发光二极管的方法，包括：

提供第一电极；

在所述第一电极上布置第一有机半导体层；

在所述第一有机半导体层上布置共享电极，并且使所述共享电极与薄膜晶体管的输出端电连接而与所述第一电极电绝缘；

在所述共享电极上布置第二有机半导体层；以及

在所述第二有机半导体层上布置第二电极，并且使所述第二电极与所述第一电极和所述共享电极电绝缘。

13.如权利要求12所述的方法，还包括：

提供透明导电层，并使得该透明导电层与薄膜晶体管的输出端电连接；以及

在所述透明导电层上布置透明绝缘层，

其中，在所述透明绝缘层上布置所述第一电极，使得所述第一电极与所述透明导电层电绝缘；以及

布置所述共享电极与所述透明导电层电连接。

14.如权利要求13所述的方法，其中，

所述透明导电层覆盖在所述薄膜晶体管的输出端的至少一部分上。

15.如权利要求14所述的方法，其中，所述透明导电层完全覆盖所述薄膜晶体管的输出端，并且所述透明导电层的面积大于等于所述薄膜晶体管的输出端的面积。

16.如权利要求13所述的方法，其中，

在一部分所述透明导电层上布置所述透明绝缘层，所述透明绝缘层的面积小于所述透明导电层的面积；

在一部分所述透明绝缘层上布置所述第一电极，所述第一电极的面积小于所述透明绝缘层的面积；

覆盖所述第一电极地在所述第一电极上布置所述第一有机半导体层，所述第一有机半导体层的面积大于所述第一电极的面积且小于等于所述透明绝缘层的面积；以及

覆盖所述第一有机半导体层地在所述第一有机半导体层上布置所述共享电极，所述共享电极的面积大于所述透明绝缘层的面积且小于等于所述透明导电层的面积。