CN103132057A - 触控面板的低阻抗电控线路及其制造方法 - Google Patents
触控面板的低阻抗电控线路及其制造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN103132057A CN103132057A CN2011103826293A CN201110382629A CN103132057A CN 103132057 A CN103132057 A CN 103132057A CN 2011103826293 A CN2011103826293 A CN 2011103826293A CN 201110382629 A CN201110382629 A CN 201110382629A CN 103132057 A CN103132057 A CN 103132057A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- control circuit
- gold
- layer
- transparent conductive
- electric control
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 22
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 65
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims abstract description 47
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims abstract description 46
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 42
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims abstract description 36
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims abstract description 26
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 17
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 claims abstract description 15
- 230000009467 reduction Effects 0.000 claims abstract description 9
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 9
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims abstract 2
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 47
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 36
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 23
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 23
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 19
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 10
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 8
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000003929 acidic solution Substances 0.000 claims description 6
- 238000006555 catalytic reaction Methods 0.000 claims description 6
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 claims description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 4
- 230000003750 conditioning effect Effects 0.000 claims description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 3
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 claims description 2
- 238000002791 soaking Methods 0.000 claims description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 claims 4
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 claims 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 abstract description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract description 3
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 abstract 1
- MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N indium;tin;hydrate Chemical compound O.[In].[Sn] MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 26
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 25
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 230000008569 process Effects 0.000 description 10
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 8
- 150000002815 nickel Chemical class 0.000 description 8
- 230000000153 supplemental effect Effects 0.000 description 8
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 5
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 5
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 150000002343 gold Chemical class 0.000 description 4
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- 229940125725 tranquilizer Drugs 0.000 description 4
- 239000003204 tranquilizing agent Substances 0.000 description 4
- 230000002936 tranquilizing effect Effects 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 3
- -1 inorganic acid salt Chemical class 0.000 description 3
- 238000012805 post-processing Methods 0.000 description 3
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 3
- 238000002203 pretreatment Methods 0.000 description 3
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 229910017053 inorganic salt Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 description 2
- PIBWKRNGBLPSSY-UHFFFAOYSA-L palladium(II) chloride Chemical compound Cl[Pd]Cl PIBWKRNGBLPSSY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- CHKVPAROMQMJNQ-UHFFFAOYSA-M potassium bisulfate Chemical compound [K+].OS([O-])(=O)=O CHKVPAROMQMJNQ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- NNFCIKHAZHQZJG-UHFFFAOYSA-N potassium cyanide Chemical compound [K+].N#[C-] NNFCIKHAZHQZJG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XTFKWYDMKGAZKK-UHFFFAOYSA-N potassium;gold(1+);dicyanide Chemical compound [K+].[Au+].N#[C-].N#[C-] XTFKWYDMKGAZKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 2
- 239000001117 sulphuric acid Substances 0.000 description 2
- 235000011149 sulphuric acid Nutrition 0.000 description 2
- MIMUSZHMZBJBPO-UHFFFAOYSA-N 6-methoxy-8-nitroquinoline Chemical compound N1=CC=CC2=CC(OC)=CC([N+]([O-])=O)=C21 MIMUSZHMZBJBPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000004159 Potassium persulphate Substances 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- LDDQLRUQCUTJBB-UHFFFAOYSA-O azanium;hydrofluoride Chemical compound [NH4+].F LDDQLRUQCUTJBB-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000013043 chemical agent Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005868 electrolysis reaction Methods 0.000 description 1
- MSNOMDLPLDYDME-UHFFFAOYSA-N gold nickel Chemical compound [Ni].[Au] MSNOMDLPLDYDME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IZLAVFWQHMDDGK-UHFFFAOYSA-N gold(1+);cyanide Chemical compound [Au+].N#[C-] IZLAVFWQHMDDGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TVZISJTYELEYPI-UHFFFAOYSA-N hypodiphosphoric acid Chemical compound OP(O)(=O)P(O)(O)=O TVZISJTYELEYPI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- LGQLOGILCSXPEA-UHFFFAOYSA-L nickel sulfate Chemical compound [Ni+2].[O-]S([O-])(=O)=O LGQLOGILCSXPEA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910000363 nickel(II) sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- ACVYVLVWPXVTIT-UHFFFAOYSA-N phosphinic acid Chemical compound O[PH2]=O ACVYVLVWPXVTIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000343 potassium bisulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- USHAGKDGDHPEEY-UHFFFAOYSA-L potassium persulfate Chemical compound [K+].[K+].[O-]S(=O)(=O)OOS([O-])(=O)=O USHAGKDGDHPEEY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 235000019394 potassium persulphate Nutrition 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- NHDHVHZZCFYRSB-UHFFFAOYSA-N pyriproxyfen Chemical compound C=1C=CC=NC=1OC(C)COC(C=C1)=CC=C1OC1=CC=CC=C1 NHDHVHZZCFYRSB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010019 resist printing Methods 0.000 description 1
- 230000008719 thickening Effects 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Abstract
本发明提供了一种触控面板的低阻抗电控线路及其制造方法，是在氧化铟锡电控线路上进一步进行以下顺序的步骤：可视区覆盖步骤、前处理步骤、化学无电解镍镀覆步骤、热退火步骤、化学置换金镀覆步骤、及置换还原镀金步骤；藉此，利用化学无电解镍，以及置换金的化学电镀步骤、置换还原镀金步骤，加厚氧化铟锡电控线路中的金层，以制作出具特殊镀层厚度的低阻抗电控线路结构，进而降低其表面电阻值，使触控讯号不易损失、变形和失真。
Description
技术领域
本发明涉及一种触控面板的结构及其制造方法，更特别的是涉及触控面板中，用来降低ITO透明导电层形成的电控线路阻抗的一种低阻抗电控线路结构及其制造方法。
背景技术
随着触控技术的演进，触控式人机接口，如：触控面板(Touch Panel)，已被广泛地应用至各式各样的电子产品中，用于取代传统的输入装置(如：键盘及鼠标等)，方便使用者操控以及浏览数据。
触控面板(Touch Panel)一般可分为软式及硬式面板，一种硬式面板是如下述的透明导电板，利用玻璃基板与形成于其上的透明导电层组成透明导电板的下部，透明导电板的上部则为透明导电薄膜，用来控制操作动作的电控线路分别位于上下部透明导电板的四周，再藉由排线及控制IC供使用者以触控方式进行操作。触控面板依动作方式不同可分为：电阻式、电容式、音波式、光导波式、荷重变化式等。软式面板则可利用可透光PET塑料基板、透明导电层及透明导电薄膜来分别组成上下部的透明导电板。
传统上，先通过对基材上的透明导电层的曝光/显影/蚀刻工艺，形成位于基材四周的电控线路，然而，这些电控线路产生的表面电阻值大约在100Ω/cm2至500Ω/cm2间，为了进一步降低此高阻抗值，通常会再利用例如：银胶印刷法、钼/铝/钼溅镀法、及铜电镀/溅镀法等增层增厚方法于透明导电层形成的电控线路上更加形成一种用来降低电控线路阻抗的低阻抗电控线路层，然而习知的这些制作方式工艺复杂且所需设备繁多，造成成本提高，此外，这些制作方式有线宽间距上的制作极限，日亦微缩的线路线宽造成制作上困难度的提升以及良率的降低，这是因为采用这样的制作方式，线路容易发生阻抗不均、断线、或是与邻近线路发生短路等的情况。
发明内容
本发明之一目的在于提出一种触控面板的低阻抗电控线路制造方法，以及提供一种低阻抗电控线路的结构，此结构可提高触控面板辨识力的精确度并可达到精细的线路制作要求。
本发明之另一目的在于使用前述低阻抗电控线路的结构，其制作方式得以简易且精确化。
为达上述目的及其它目的，本发明的触控面板的低阻抗电控线路制造方法中，该触控面板内的透明导电板包含基材及形成于该基材上的氧化铟锡电控线路，该方法包含：可视区覆盖步骤，是以保护膜覆盖部分该基材以露出该氧化铟锡电控线路；前处理步骤，是在该氧化铟锡电控线路上形成钯催化剂；化学无电解镍镀覆步骤，是使镍金属层沉积于该氧化铟锡电控线路上；化学置换金镀覆步骤，是使金层沉积于该镍金属层上；及置换还原镀金步骤，是使金补充层沉积于该金层上，其中，该镍金属层是不经热退火处理。
在各种实施例之下，在化学无电解镍镀覆步骤中，可于该氧化铟锡电控线路上沉积0.9至1.5微米的镍金属层，再者，其是可将该透明导电板于70℃至80℃的温度下浸泡于酸性溶液中12至18分钟；可于化学置换金镀覆步骤中，在该镍金属层上沉积0.08至0.13微米的金层；在化学置换金镀覆步骤中，可将该透明导电板浸泡于85℃至95℃的温度下浸泡于酸性溶液中0.5至2分钟；以及，在该置换还原镀金步骤中，可将该透明导电板于80℃至90℃的温度下浸泡于酸性溶液中9至11分钟。据此，所制作完成的该低阻抗电控线路仅具有每平方公分0.3欧姆以下的表面电阻值。
在本发明的前处理步骤的实施例中，进一步可包含以下步骤：清洗步骤、调质步骤、催化步骤、催化后处理步骤；其中，该清洗步骤可进行4至6分钟，该调质步骤可进行3至6分钟，该催化步骤可进行3至6分钟，该催化后处理步骤可进行3至6分钟。
在本发明的低阻抗电控线路的实施例中，其结构包含：该低阻抗电控线路自该基材向上依序包含有氧化铟锡电控线路层、0.9至1.5微米的镍金属层、0.010至0.025微米的金层、及0.08至0.12微米的金补充层；其中，该镍金属层的厚度可为1微米，该金补充层的厚度可为0.1微米，而该金层的厚度可为0.015微米。
藉由在光学玻璃或光学膜上覆盖保护膜以使位于周边的氧化铟锡电控线路表面上依序形成镍金属层、金层，进而可使其表面电阻值降至约0.3Ω/cm2以下，使触控讯号不易损失、变形和失真，进而增加触控面板的整体稳定度，且采用此方法，用来降低阻抗值而附加的电控线路层得以精细化，其表面也不易产生氧化来影响到于后续步骤中进行组合的贴合面，再者，这样结构的制作方式还可减低整体的制作成本，以及，在本发明得方法下，可于形成该镍金属层后不需再经过热退火工艺处理，亦可节省制作的时间。
附图说明
图1为一般触控面板的透明导电板上的电控线路示意图。
图2为本发明实施例中低阻抗电控线路的制造方法流程图。
图3为三种完成图2中步骤S50的覆盖步骤的不同实施例的流程图。
图4为本发明实施例中化学无电解工艺的制造方法流程图。
图5为根据图1的I-I′线段下的剖面图。
100透明导电板
1001基材
1002透明导电层
101氧化铟锡电控线路
103讯号排线
105镍金属层
107金层
109金补充层
A可视区
B不可视区
I-I’线段
S10～S100步骤
具体实施方式
为充分了解本发明之目的、特征及功效，兹藉由下述具体之实施例，并配合附图，对本发明做详细说明，说明如后：
本发明在原有电控线路上附加的低阻抗线路层有别于银胶印刷法、钼/铝/钼溅镀法及铜电镀溅镀法等形成的低阻抗线路层。习知的在基材上非可视区进行的曝光/显影/蚀刻工艺是将透明导电层制作成氧化铟锡电控线路，本发明是更进一步进行用以降低电控线路表面电阻值的后续方法步骤，简言之，本发明是将镍以及金料附加于氧化铟锡电控线路上，而使该氧化铟锡电控线路形成一种低阻抗电控线路，并可将原有之100Ω/cm2至500Ω/cm2的表面电阻值降至约0.3Ω/cm2以下。
首先请参阅图1，是一般触控面板的透明导电板上的电控线路示意图。图1所示的透明导电板是为触控面板中的上下两部透明导电板中的其中一部，另一部的透明导电板除了基材可能不同外，于基材上皆形成有氧化铟锡的透明导电层，本发明仅示例其中一部透明导电板的制作情形，另一部的之制作情形相同。图1中，触控面板内具有透明导电板100，其上包含了可视区A与不可视区B，电控线路101成形于不可视区B内，并通过讯号排线103将触控动作所产生的电压讯号传递出去。透明导电板100包含基材及披覆于该基材的透明导电层，基材可为硬式的玻璃基板或软式的可挠性基板或其它性质的基材，而基材与透明导电层重叠在一起，图式中的可视区A加上不可视区B是其叠合在一起后的结构。
本发明是以习知的线路制作技术先完成基材上氧化铟锡电控线路的制作，之后，再进行本发明的低阻抗电控线路的制造方法。
接着请参阅图2，是本发明实施例中低阻抗电控线路的制造方法流程图。图式中包含七个步骤，其中步骤S10～S40即为氧化铟锡电控线路制作步骤中的一种示例。例如：步骤S10为正负片流程，再经步骤S20的印刷涂布以将所需的电控线路走线预先布局于透明导电层上，之后步骤S30会进行全面曝光，最后的步骤S40的显影/蚀刻/去膜即会完成全部的氧化铟锡电控线路制作。
完成前述的步骤后，再经以下由本发明提出的步骤方法后即能进一步地降低电控线路的表面电阻。其中，前述的步骤仅为一种示例，任何其它可完成氧化铟锡电控线路制作皆可适用本发明。
接着进行步骤S50的可视区覆盖步骤，其是用于将可视区覆盖保护膜并露出不可视区中的氧化铟锡电控线路，以供后续化学无电解镍金步骤在该氧化铟锡电控线路上加厚导线，达到降低表面电阻值的功效。
接着进行步骤S60的前处理步骤，以利用钯金属材料作为化学镍反应的催化剂。
接着进行步骤S70的化学无电解镍镀覆步骤(electro1ess nickel plating)，其为无电解镍置换步骤，浸泡该透明导电板，使镍金属层沉积于该氧化铟锡电控线路上。在实施例中，是在该氧化铟锡电控线路上沉积至少0.8微米但不超过2微米的镍金属层，较佳是沉积0.9至1.5微米，例如：1微米。
接着进行步骤S80的化学置换金镀覆步骤(immersion Au plating)，其为浸泡金置换步骤，浸泡该透明导电板，以使金层沉积于该镍金属层上。在实施例中，是在该镍金属层上沉积至少0.01微米的金层，较佳为0.010至0.025微米，例如可为0.015微米。
接着进行步骤S90的置换还原镀金步骤，其为一种厚镀金步骤，用以于步骤S80所形成的金层上镀覆金补充层，以加厚金膜的整体厚度。在实施例中，是在该金层上沉积至少0.08微米的金补充层，较佳为0.08至0.12微米，例如可为0.10微米。
最后进行步骤S100的去膜步骤，用于除去步骤S50中覆盖于可视区上的保护膜，以露出全部的电控线路图形。在步骤S100之后会进行触控面板的后制程，其系为习知技术，于此即不再赘述。
其中，步骤S50可利用不同的方法于可视区上形成该保护膜，例如图3所示，是三种不同实施例的完成步骤S50的覆盖步骤的流程图。A方法为经过步骤S511的可剥胶印刷，以将可剥式的胶材料印刷于可视区上，再经步骤S512的烘烤固化，以将胶材料固化成该保护膜。B方法为经过步骤S521的光致抗蚀剂印刷，以将光致抗蚀材料印刷于可视区上，再经步骤S522的UV固化，以将光致抗蚀材料固化成该保护膜。C方法则为经过步骤S531的光致抗蚀剂压膜或光致抗蚀剂涂布，以将光致抗蚀材料形成于可视区与不可视区上，再经步骤S532的曝光，以使可视区上的光致抗蚀材料曝光成形为该保护膜，最后经过步骤S533的显影，以剥离不可视区上的光致抗蚀材料，以显露出不可视区中的氧化铟锡电控线路。前述的三种方法仅为一种示例，任何其它可于可视区上形成保护膜的其它等效方法皆不离开本发明之范畴。
至于前述的步骤S60则可参阅图4，其是本发明实施例中钯活化步骤的方法流程图。其包含以下所述的S601～S604的步骤：
首先进行清洗(cleaning)步骤S601，为脱脂步骤，可利用酸性或碱性的清洁液来进行透明导电板的清洁。
接着进行调质(conditioning)步骤S602，其用于调整透明导电层，使其易于附着后续的钯金属材料。
接着进行催化(activating)步骤S603，浸泡该透明导电板，使钯金属材料可附着于该氧化铟锡电控线路上以及非可视区的该基材上。
接着进行催化后处理(post-activating)步骤S604，保留该氧化铟锡电控线路上的钯金属材料，去除其余部分的钯金属材料，此步骤是以化学剂进行离子化处理。
经过前述的S10～S100步骤后，原有的氧化铟锡电控线路表面上即会依序形成镍金属层、金层、金补充层，进而可使表面电阻值降至约0.3Ω/cm2之下，使触控讯号不易损失、变形和失真，进而增加触控面板的整体稳定度。
以下将举例实施上述方法的实施范例来做示例：
首先以表一来做整合性的说明：
表一
在清洗步骤S601中，可采用酸性清洁液，例如：利用Melplate PC-6122的硫酸溶液100(毫升/升)清洗该透明导电板4至6分钟(例如：可为4至6间的整数值)，该硫酸溶液包含：重量百分比为13％的硫酸(sulfuric acid)、重量百分比为10％～20％的安定剂及重量百分比为70％～80％的水。
在调质步骤S602中，可同时采用例如：Melplate 480A的溶液20(克/升)与Melplate 480B的溶液200(毫升/升)一同浸泡该透明导电板3至6分钟(例如：可为3至6间的整数值)。其中，该480A溶液包含：重量百分比为20％～30％的硫酸氢钾(potassium hydrogen sulfate)、重量百分比为2％的过硫酸钾(di-potassium peroxodisulfate)、重量百分比为70％～80％的无机酸盐(inorganicacid salt)；该480B溶液则包含：重量百分比约为1.3％的氟化氢铵(ammoniumhydrogen fluoride)、重量百分比为40％～50％的有机酸(Organic acid)、重量百分比为50％～60％的水。
在催化步骤S603中，可同时采用例如：当量浓度约为0.1N的氢氧化钾溶液1.5(毫升/升)，以及Melplate 7331的溶液30(毫升/升)一同浸泡该透明导电板3至6分钟(例如：可为3至6间的整数值)。其中，该7331溶液包含：重量百分比约为1％或更小的氯化钯(palladium dichloride)、重量百分比为1％～10％的安定剂、重量百分比约为90％或更小的水。
在催化后处理步骤S604中，可采用例如：Melplate 7340的溶液10(毫升/升)浸泡该透明导电板3至6分钟(例如：可为3至6间的整数值)。其中，该7340溶液包含：重量百分比为45％至55％的磷酸(phosphinic acid)、重量百分比为45％至55％的水。
在化学无电解镍镀覆步骤S70中，可同时采用例如：Melplate NI-8670M1的溶液140(毫升/升)与Melplate NI-8670M2的溶液140(毫升/升)于70℃至80℃的温度下(例如：可为70℃至80℃间的整数温度值)一同浸泡该透明导电板12至18分钟(例如：可为12至18间的整数值)。其中，该NI-8670M1溶液包含：重量百分比约为20％的硫酸镍(Nickel Sulfate)、重量百分比约为1％或更小的安定剂、重量百分比为75％～85％的水；该NI-8670M2溶液则包含：重量百分比为10％～20％的连二磷酸盐(hypophosphoric acid salt)、重量百分比约为10％～20％的安定剂、重量百分比为65％～75％的水。
在化学置换金镀覆步骤S80中，可同时采用例如：氰化亚金钾(Potassiumgold cyanide)2.9(克/升)、Melplate AU-6601MA号溶液100(毫升/升)与AU-6601MB号溶液100(毫升/升)一同浸泡该透明导电板0.5至2.0分钟(例如：可为30秒至120秒间的整数秒数值)。其中，该AU-6601MA号溶液包含：重量百分比约为10％～20％的稳定剂、重量百分比为80％～90％的水；该AU-6601MB号溶液则包含：重量百分比约为30％～40％的稳定剂、重量百分比为60％～70％的水。
在置换还原镀金步骤S90中，可同时采用例如：氰化亚金钾(Potassium goldcyanide)2.9(克/升)、氰化钾(Potassium cyanide)1.0(克/升)、Melplate AU-6691A号溶液100(毫升/升)、Melplate AU-6691B号溶液200(毫升/升)、MelplateAU-6691C号溶液200(毫升/升)、与AU-6691D号溶液10(毫升/升)一同浸泡该透明导电板9至11分钟(例如：9至11分钟的整数值)。其中，该AU-6691A号溶液包含：重量百分比约为10％～20％的稳定剂、重量百分比为80％～90％的水；该AU-6691B号溶液包含：重量百分比约为20％～30％的稳定剂、重量百分比为70％～80％的水；该AU-6691C号溶液包含：重量百分比约为10％～20％的无机盐(Inorganic salt)、重量百分比为80％～90％的水；该AU-6691D号溶液包含：重量百分比为100％的稳定剂。该步骤中是将氰化亚金钾溶液中的金还原至金层上。
据此，本发明提供的低阻抗电控线路结构，其可于该基材1001(请参阅图5)向上依序具有氧化铟锡电控线路层101、0.9至1.5微米的镍金属层105、0.010至0.025微米(例如可为0.011、0.012、0.013、0.014、0.015、0.016、0.017、0.018、0.019、0.020、0.021、0.022、0.023、0.024微米)的金层107、及0.08至0.12微米(例如可为A/1000微米，A为80～120间的整数数值)的金补充层109，上述结构可由图5的根据图1的I-I′线段下的剖面图来视得，其中该透明导电板100包含基材1001及透明导电层1002，而这些三个氧化铟锡电控线路层101是藉由蚀刻原透明导电层1002而得。
综上所述，本案利用特殊镀层的低阻抗电控线路结构而实行了一种低阻抗电控线路的制造方法，此线路的线宽控制相较于习知技术可更加地精细化，且亦可有效地降低制作成本，而制作出的低阻抗电控线路结构可增加该触控面板接触点的准确定位率以及具有较低的信号损失。
本发明在上文中已以较佳实施例揭露，然熟习本项技术者应理解的是，该实施例仅用于描绘本发明，而不应解读为限制本发明的范围。应注意的是，举凡与该实施例等效之变化与置换，均应设为涵盖于本发明之范畴内。因此，本发明的保护范围当以权利要求书为准。
Claims (14)
1.一种触控面板的低阻抗电控线路制造方法，该触控面板内的透明导电板包含基材及形成于该基材上的氧化铟锡电控线路，其特征在于，该方法包含：
可视区覆盖步骤，是以保护膜覆盖部分该基材，以露出该氧化铟锡电控线路；
前处理步骤，是在该氧化铟锡电控线路上形成钯催化剂；
化学无电解镍镀覆步骤，是使镍金属层沉积于该氧化铟锡电控线路上；
化学置换金镀覆步骤，是使金层沉积于该镍金属层上；及
置换还原镀金步骤，是使金补充层沉积于该金层上，
其中，该镍金属层不经热退火处理。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在该化学无电解镍镀覆步骤中，是在该氧化铟锡电控线路上沉积0.9至1.5微米的镍金属层。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在该化学无电解镍镀覆步骤中，是将该透明导电板于70℃至80℃的温度下浸泡于酸性溶液中12至18分钟。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在该化学置换金镀覆步骤中，是在该镍金属层上沉积0.08至0.13微米的该金层。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，在该化学置换金镀覆步骤中，是将该透明导电板于85℃至95℃的温度下浸泡于酸性溶液中0.5至2分钟。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在该置换还原镀金步骤中，是在该金层上沉积0.08至0.12微米的该金补充层。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，在该置换还原镀金步骤中，是将该透明导电板于80℃至90℃的温度下浸泡于酸性溶液中9至11分钟。
8.根据权利要求1至6中任一项所述的方法，其特征在于，该前处理步骤进一步包含以下步骤：
清洗步骤，清洗该透明导电板；
调质步骤，使该透明导电板上易于附着钯金属材料；
催化步骤，浸泡该透明导电板，使钯金属材料附着于部分的该基材上及附着于该氧化铟锡电控线路上；及
催化后处理步骤，保留该氧化铟锡电控线路上的钯金属材料，去除其余部分的钯金属材料。
9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，该清洗步骤进行4至6分钟，该调质步骤进行3至6分钟，该催化步骤进行3至6分钟，该催化后处理步骤进行3至6分钟。
10.一种触控面板的低阻抗电控线路，其特征在于，其是使用根据权利要求1至9中任一项所述的方法所制成。
11.一种触控面板的低阻抗电控线路，该触控面板内的透明导电板包含基材，其特征在于：
该低阻抗电控线路自该基材向上依序包含有氧化铟锡电控线路层、0.9至1.5微米的镍金属层、0.010至0.025微米的金层、及0.08至0.12微米的金补充层。
12.根据权利要求11所述的低阻抗电控线路，其特征在于，该镍金属层的厚度为1微米。
13.根据权利要求11或12所述的低阻抗电控线路，其特征在于，该金补充层的厚度为0.1微米。
14.根据权利要求13所述的低阻抗电控线路，其特征在于，该金层的厚度为0.015微米。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN2011103826293A CN103132057A (zh) | 2011-11-24 | 2011-11-24 | 触控面板的低阻抗电控线路及其制造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN2011103826293A CN103132057A (zh) | 2011-11-24 | 2011-11-24 | 触控面板的低阻抗电控线路及其制造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN103132057A true CN103132057A (zh) | 2013-06-05 |
Family
ID=48492488
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN2011103826293A Pending CN103132057A (zh) | 2011-11-24 | 2011-11-24 | 触控面板的低阻抗电控线路及其制造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN103132057A (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109158590A (zh) * | 2018-09-29 | 2019-01-08 | 淮阴师范学院 | 一维棒状核壳结构的复合金粉的制备方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20050260388A1 (en) * | 2004-05-21 | 2005-11-24 | Lai Shui T | Apparatus and method of fabricating an ophthalmic lens for wavefront correction using spatially localized curing of photo-polymerization materials |
| CN101706703A (zh) * | 2009-11-24 | 2010-05-12 | 无锡阿尔法电子科技有限公司 | 一种电容式触摸屏四边边缘金属膜的制作方法 |
| CN101845625A (zh) * | 2010-06-01 | 2010-09-29 | 无锡阿尔法电子科技有限公司 | 一种在电容式触摸屏表面进行化学镀金的方法 |
| CN102207806A (zh) * | 2011-05-31 | 2011-10-05 | 无锡阿尔法电子科技有限公司 | 一种在电容式触摸屏上均匀化学镀金ito走线的方法 |
-
2011
- 2011-11-24 CN CN2011103826293A patent/CN103132057A/zh active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20050260388A1 (en) * | 2004-05-21 | 2005-11-24 | Lai Shui T | Apparatus and method of fabricating an ophthalmic lens for wavefront correction using spatially localized curing of photo-polymerization materials |
| CN101706703A (zh) * | 2009-11-24 | 2010-05-12 | 无锡阿尔法电子科技有限公司 | 一种电容式触摸屏四边边缘金属膜的制作方法 |
| CN101845625A (zh) * | 2010-06-01 | 2010-09-29 | 无锡阿尔法电子科技有限公司 | 一种在电容式触摸屏表面进行化学镀金的方法 |
| CN102207806A (zh) * | 2011-05-31 | 2011-10-05 | 无锡阿尔法电子科技有限公司 | 一种在电容式触摸屏上均匀化学镀金ito走线的方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109158590A (zh) * | 2018-09-29 | 2019-01-08 | 淮阴师范学院 | 一维棒状核壳结构的复合金粉的制备方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US8692790B2 (en) | Capacitive touch sensitive housing and method for making the same | |
| TW464880B (en) | Method for fabricating metal interconnections and wiring board having the metal interconnections | |
| CN203072250U (zh) | 用于生产印制电路板的半成品及印制电路板 | |
| CN102176194B (zh) | 金属引线电极的加工方法 | |
| CN103602964A (zh) | 一种具有金属电极的石墨烯导电膜及其制备方法 | |
| WO2015182881A1 (ko) | 직접 도금에 의한 도전성 박막소재 및 이의 제조방법 | |
| WO2015200008A1 (en) | Method of patterning a metal on a transparent conductor | |
| TW201939236A (zh) | 觸控面板、應用其的觸控顯示裝置及觸控面板的製造方法 | |
| TW202132962A (zh) | 觸控面板、觸控面板的製作方法及其裝置 | |
| US20160186327A1 (en) | Method for forming a circuit pattern on a substrate | |
| US9933811B2 (en) | Capacitive touch sensitive housing and method for making the same | |
| CN103430133A (zh) | 触摸面板用垫板的制造方法及通过该制造方法制造的触摸面板用垫板 | |
| KR20070106669A (ko) | 회로기판 및 그 제조방법 | |
| TW202132119A (zh) | 電極、電極的製作方法及其裝置 | |
| KR101796525B1 (ko) | 터치스크린패널의 제조방법 및 이로부터 제조된 터치스크린패널 | |
| CN103132057A (zh) | 触控面板的低阻抗电控线路及其制造方法 | |
| CN102455807A (zh) | 触控面板的低阻抗电控线路及其制造方法 | |
| CN113260740B (zh) | 镀敷用图案版以及布线基板的制造方法 | |
| KR101412990B1 (ko) | 터치 스크린 패널의 제조방법 | |
| KR20070119349A (ko) | 커플링 에이전트를 포함하는 전도성 금속 도금 폴리이미드기판 및 그 제조 방법 | |
| JP2007214338A (ja) | 片面ポリイミド配線基板の製造方法 | |
| CN105051259A (zh) | 金属零件的制造方法及用于其的铸模及离型膜 | |
| TW201324594A (zh) | 觸控面板之低阻抗電控線路及其製造方法 | |
| CN103700930A (zh) | 含金属组件的制造方法以及天线组件的制造方法 | |
| JP2013136810A (ja) | 半導体部品の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C02 | Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001) | ||
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20130605 |