CN103066069A - Tft阵列基板、电子纸显示面板及其形成方法 - Google Patents
Tft阵列基板、电子纸显示面板及其形成方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN103066069A CN103066069A CN2011103213078A CN201110321307A CN103066069A CN 103066069 A CN103066069 A CN 103066069A CN 2011103213078 A CN2011103213078 A CN 2011103213078A CN 201110321307 A CN201110321307 A CN 201110321307A CN 103066069 A CN103066069 A CN 103066069A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- electronic paper
- tft array
- transparent
- array substrate
- color
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 237
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 59
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 35
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims abstract description 32
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims abstract description 16
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 13
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 30
- 239000003094 microcapsule Substances 0.000 claims description 21
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 10
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 9
- 239000004033 plastic Substances 0.000 claims description 4
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 claims description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 25
- 230000008569 process Effects 0.000 description 13
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 6
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 5
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 5
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- -1 indium tin metal oxide Chemical class 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000001548 drop coating Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical class [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- KKEYFWRCBNTPAC-UHFFFAOYSA-L terephthalate(2-) Chemical compound [O-]C(=O)C1=CC=C(C([O-])=O)C=C1 KKEYFWRCBNTPAC-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229920001169 thermoplastic Polymers 0.000 description 1
- 239000004416 thermosoftening plastic Substances 0.000 description 1
- 239000013585 weight reducing agent Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/165—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on translational movement of particles in a fluid under the influence of an applied field
- G02F1/166—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on translational movement of particles in a fluid under the influence of an applied field characterised by the electro-optical or magneto-optical effect
- G02F1/167—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on translational movement of particles in a fluid under the influence of an applied field characterised by the electro-optical or magneto-optical effect by electrophoresis
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D86/00—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates
- H10D86/40—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates characterised by multiple TFTs
- H10D86/481—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates characterised by multiple TFTs integrated with passive devices, e.g. auxiliary capacitors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D86/00—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates
- H10D86/40—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates characterised by multiple TFTs
- H10D86/60—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates characterised by multiple TFTs wherein the TFTs are in active matrices
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H29/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one light-emitting semiconductor element covered by group H10H20/00
- H10H29/10—Integrated devices comprising at least one light-emitting semiconductor component covered by group H10H20/00
- H10H29/14—Integrated devices comprising at least one light-emitting semiconductor component covered by group H10H20/00 comprising multiple light-emitting semiconductor components
- H10H29/142—Two-dimensional arrangements, e.g. asymmetric LED layout
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/165—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on translational movement of particles in a fluid under the influence of an applied field
- G02F1/1675—Constructional details
- G02F1/1676—Electrodes
- G02F1/16766—Electrodes for active matrices
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Molecular Biology (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electrochromic Elements, Electrophoresis, Or Variable Reflection Or Absorption Elements (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
一种TFT阵列基板、电子纸显示面板及其形成方法，电子纸显示面板包括：第一透明基板；位于所述第一透明基板内侧的存储电容阵列，每一存储电容依次包括：位于第一透明基板内侧的公共电极、位于所述公共电极上的透明电容介质层、以及位于所述透明电容介质层上的像素电极；所述公共电极和所述像素电极的材料均为透明导电材料；位于所述TFT阵列基板上的电子纸膜；位于所述电子纸膜上的透明电极；位于所述透明电极上的第二透明基板。本技术方案的电子纸显示面板可以进行双面显示。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及TFT阵列基板、电子纸显示面板及其形成方法。
背景技术
电子纸(E-Paper)以其较低的能源消耗、类似纸张的柔和显示效果以及可以替代纸张的前景预期，如今越来越受到市场的欢迎，其优秀的保持特性非常适于文本阅读一类的静态显示产品。
电子纸的基本原理是电泳液里面存在带电颗粒，这些带电颗粒可以对环境光进行反射，进而显示图像被人眼接收。在画面转换阶段，根据电泳液两端的加电电压和加电时间可以控制带电微粒在电泳液里面所在的位置，从而控制反射光的强弱实现灰阶显示。在画面保持阶段，电泳液两端等电位，使得带电微粒在电泳液里面保持位置，从而能够实现低能耗的静态画面显示。
用户在阅读时，电子纸只在其刷新页面时消耗电能，而不刷新页面时，即使关闭电源也能够继续显示，因此电子纸显示具有低功耗。而且，电子纸显示具有高反射的特点，电子纸显示不需要背光源，通过反射实现黑白或彩色显示；由于电子纸是反射式显示，不同于目前使用的透过式显示的LCD，因此即使在很亮的环境中使用，也有良好的显示效果。
电子纸显示技术包含彩色显示和黑白显示。图1为现有技术的黑白显示电子纸的剖面结构示意图，参考图1，黑白显示的电子纸包括：TFT阵列基板10和显示基板20。TFT阵列基板10包括：玻璃基板11，形成在玻璃基板11上的由公共电极12、电容介质层13和像素电极14构成的存储电容。其中，公共电极12的材料为不透明的金属，像素电极14的材料为透明的ITO材料(Indium Tin Oxides，纳米铟锡金属氧化物)。显示基板20包括：电子纸膜21；与电子纸膜21结合在一起的PET基板23，在PET基板23上具有透明电极22，其中，聚苯二甲酸乙二醇酯是热塑性聚酯中最主要的品种，英文名为Polythylene terephthalate简称PET。现有技术中电子纸膜21主要使用微胶囊纸膜，在微胶囊纸膜内具有带负电的黑色粒子和带正电的白色粒子。黑白显示的主要原理为：在透明电极22上施加参考电压，通过数据线给像素电极14上对应的像素电极施加对应的像素电压，像素电极14和透明电极22之间的电势差为像素的电势差，通过控制该电势差控制该像素区域中带负电的黑色粒子和带正电的白色粒子的移动方方向。由于白色粒子对光进行反射，黑色粒子吸收光，因此当带正电的白色粒子聚集到靠近PET基板23一侧时，白色粒子聚集的地方显示白色，当带负电的黑色粒子聚集到靠近PET基板23一侧时，黑色粒子聚集的地方显示黑色。
要实现彩色显示的电子纸，需要在黑白显示电子纸的基础上增加彩色滤光(CF，Color Filter)板。目前，彩色电子纸显示面板主要包含三大部分：TFT阵列基板；CF板；由PET基板和电子纸膜组成的显示基板。图2为现有技术的彩色电子纸的剖面结构示意图，显示基板20位于TFT阵列基板10上，CF板30位于显示基板20上。其彩色显示原理为：由白色粒子反射的光经过CF板30后呈彩色图像。
然而，以上所述的现有技术的彩色电子纸需要使用CF板30以达到彩色显示的目的，由于CF基板的存在导致电子纸显示面板厚度增加，并且也只能实现彩色显示，不能实现彩色显示和黑白显示两种功能。
发明内容
本发明解决的问题是现有技术的电子纸显示装置只能在一面进行显示，不能在电子纸显示装置的两面均进行显示。
为解决上述问题，本发明提供一种TFT阵列基板，包括：
第一透明基板；
位于所述第一透明基板内侧的存储电容阵列，每一存储电容依次包括：位于第一透明基板内侧的公共电极、位于所述公共电极上的透明电容介质层、以及位于所述透明电容介质层上的像素电极；
所述公共电极和所述像素电极的材料均为透明导电材料。
可选的，还包括彩色滤光板，位于所述第一透明基板的外侧。
可选的，所述彩色滤光板为RGB彩色滤光板。
可选的，还包括色阻层，所述色阻层位于所述第一透明基板的内侧。
可选的，所述色阻层包括R色阻、G色阻和B色阻。
可选的，所述色阻层位于所述像素电极上。
可选的，还包括平坦层，所述平坦层覆盖所述色阻层。
可选的，所述色阻层位于所述透明电容介质层与所述像素电极之间。
可选的，还包括平坦层，所述平坦层位覆盖所述色阻层。
可选的，还包括平坦层，所述平坦层覆盖所述像素电极。
可选的，所述透明导电材料为ITO。
可选的，所述第一透明基板为玻璃基板。
本发明的TFT阵列基板在应用于电子纸显示面板时，由于公共电极和所述像素电极的材料均为透明导电材料，因此可以实现电子纸显示面板的双面显示。
在一具体实施例中，在TFT阵列基板的第一透明基板的外侧设置彩色滤光板，这样可以实现在电子纸显示面板的正面实现黑白显示，背面实现彩色显示。
在另一具体实施例中，在TFT阵列基板的第一透明基板的内侧设置色阻层，可以实现在电子纸显示面板的正面实现黑白显示，背面实现彩色显示。而且，TFT阵列基板的厚度较薄，由于没有采用那么多的绝缘膜，相应的成本降低，形成TFT阵列基板的工艺也相对简单。而且，在该实施例中，采用色阻层代替彩色滤光板作为滤色层，由于形成色阻层的方法为曝光、显影，因此色阻层与像素区域的对准比较精细，避免由于采用彩色滤光板作为滤色层时，将彩色滤光板粘附在TFT阵列基板上，与像素区域精细对准比较困难的问题。
本发明还提供一种电子纸显示面板，包括：
所述的TFT阵列基板；
位于所述TFT阵列基板上的电子纸膜；
位于所述电子纸膜上的透明电极；
位于所述透明电极上的第二透明基板。
可选的，所述透明电极的材料为ITO。
可选的，所述第二透明基板为PET基板、玻璃基板或者塑料基板。
可选的，所述电子纸膜为微胶囊膜，所述微胶囊膜内包括多个微胶囊膜。
可选的，所述每一微胶囊内包括黑色颗粒和白色颗粒以及透明液体。
可选的，所述每一微胶囊内包括白色粒子和黑色不透明液体。
可选的，所述每一微胶囊内包括黑色粒子和白色不透明液体。
本发明的电子纸显示面板由于公共电极和所述像素电极的材料均为透明导电材料，因此可以实现电子纸显示面板的双面显示。
在一具体实施例中，在TFT阵列基板的第一透明基板的外侧设置彩色滤光板，这样可以实现在电子纸显示面板的正面实现黑白显示，背面实现彩色显示。
在另一具体实施例中，在TFT阵列基板的第一透明基板的内侧设置色阻层，可以实现在电子纸显示面板的正面实现黑白显示，背面实现彩色显示。TFT阵列基板的厚度较薄，相应的成本降低，形成TFT阵列基板的工艺也相对简单。而且，在该实施例中，采用色阻层代替彩色滤光板作为滤色层，由于形成色阻层的方法为曝光、显影，因此色阻层与像素区域的对准比较精细，避免由于采用彩色滤光板作为滤色层时，将彩色滤光板粘附在TFT阵列基板上，与像素区域精细对准比较困难的问题。
本发明还提供一种形成电子纸显示面板的方法，包括：
提供所述的TFT阵列基板；
提供电子纸膜，将电子纸膜贴附在TFT阵列基板上；
提供第二透明基板，在所述第二透明基板上沉积透明电极；
使所述透明电极朝向电子纸膜一侧将所述第二透明基板贴附在电子纸膜上。
本发明还提供一种形成电子纸显示面板的方法，包括：
提供所述的TFT阵列基板；
提供第二透明基板，在所述第二透明基板上沉积透明电极；
提供电子纸膜，将电子纸膜贴附在透明电极上；
使所述电子纸膜朝向TFT阵列基板一侧将所述第二透明基板粘附在TFT阵列基板上。
本发明提供的电子纸显示面板的方法所使用的TFT阵列基板，色阻层是通过涂覆材料在TFT阵列基板内的。在组合TFT阵列基板、电子纸膜和第二透明基板时并不需要像素级别上的精细对位，大大降低了贴附时的精度要求，降低了工艺难度，提高了良品率。
附图说明
图1为现有技术的黑白显示的电子纸显示面板剖面结构示意图；
图2为现有技术的彩色显示的电子纸显示面板剖面结构示意图；
图3为本发明具体实施例的电子纸显示面板的像素结构示意图；
图4为本发明第一具体实施例的电子纸显示面板沿图3所示的A-A方向显示像素区域的剖面结构示意图；
图5为本发明第一具体实施例的电子纸显示面板中的TFT阵列基板沿图3所示的A-A方向的剖面结构示意图；
图6为本发明第二具体实施例的电子纸显示面板的TFT阵列基板沿图3所示的A-A方向的剖面结构示意图；
图7为本发明第三具体实施例的电子纸显示面板像素区域的剖面结构示意图；
图8为本发明第四具体实施例的电子纸显示面板像素区域的剖面结构示意图；
图9为本发明第五具体实施例的电子纸显示面板像素区域的剖面结构示意图；
图10为本发明第六具体实施例的电子纸显示面板像素区域的剖面结构示意图；
图11为本发明第七具体实施例的电子纸显示面板像素区域的剖面结构示意图；
图12为本发明第八具体实施例的电子纸显示面板像素区域的剖面结构示意图；
图13为本发明具体实施例的形成TFT阵列基板的方法的流程示意图；
图14～图16为本发明第一具体实施例的形成TFT阵列基板的方法的剖面结构示意图；
图17为将TFT阵列基板和第二透明基板、电子纸膜结合的第一实施例的示意图；
图18为将TFT阵列基板和第二透明基板、电子纸膜结合的第二实施例的示意图。
具体实施方式
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。
在以下描述中阐述了具体细节以便于充分理解本发明。但是本发明能够以多种不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似推广。因此本发明不受下面公开的具体实施方式的限制。
在详述本发明具体实施例的电子纸显示面板之前，首先需要说明的是，第一透明基板具有两侧，一侧与电子纸膜相对，另一侧与电子纸膜相背，本发明中提到的第一透明基板的内侧指与电子纸膜相对的一侧，第一透明基板的外侧指与电子纸膜相背的一侧。第二透明基板具有两侧，一侧与TFT阵列基板相对，另一侧与TFT阵列基板相背，本发明中提到的第二透明基板的内侧指与TFT阵列基板相对的一侧，第二透明基板的外侧指与TFT阵列基板相背的一侧。
第一实施例
图3为本发明第一具体实施例的电子纸显示面板像素的结构示意图，图4为本发明第一具体实施例的电子纸显示面板沿图3所示A-A方向的像素区域剖面结构示意图。
结合参考图3和参考图4，本发明的电子纸显示面板包括：TFT阵列基板40，TFT阵列基板40包括：第一透明基板41；存储电容阵列，存储电容阵列中每一存储电容包括位于第一透明基板41内侧的公共电极42、位于所述公共电极42上的透明电容介质层43、以及位于所述透明电容介质层43上的像素电极44；公共电极42的材料、像素电极44的材料均为透明导电材料。电子纸显示面板还包括位于所述TFT阵列基板40上的电子纸膜51，位于所述电子纸膜51上的透明电极52，位于所述透明电极52上的第二透明基板53。在该第一实施例在中，TFT阵列基板40还包括滤色层49，位于所述像素电极44上，也就是位于像素电极44和电子纸膜51之间。
本实施例中的电子纸显示面板的显示原理为：当用户从电子纸显示面板的TFT阵列基板40一侧观看时，光穿过第一透明基板41、存储电容阵列，再透过滤色层49，经由电子纸膜51内的白色粒子512反射回来后，再经过滤色层49，射出TFT阵列基板40，在TFT阵列基板40一侧实现彩色显示。当用户从电子纸显示面板的第二透明基板53一侧观看时，光透过第二透明基板53，在遇到电子纸膜内的白色粒子512时，被白色粒子512反射回来再透过第二透明基板53，在第二透明基板53一侧实现黑白显示。
本实施例中的电子纸显示面板的优点在于：提供双面显示功能，并且一侧为彩色显示，用户在需要观看彩色图片等时可以使用该侧；另一侧为黑白显示，因为电子纸显示面板一个很重要的作用是提供如纸质般柔和显示效果，如果用户只需要阅读文章时，可以选择使用该侧，光线从电子纸显示面板射出时只透过TFT阵列基板40，而不用透过滤色层49，减少了光线的损失，保证了显示的亮度以及良好的黑白对比度。
本发明的电子纸显示面板由于公共电极和所述像素电极的材料均为透明导电材料，因此可以实现电子纸显示面板的双面显示。而且，在第一实施例中，由于像素电极44和电子纸膜51之间形成有滤色层49，可以在电子纸显示面板的TFT阵列基板一侧实现彩色显示，在电子纸显示面板的第二透明基板一侧实现黑白显示。如果没有滤色层49，则电子纸显示面板的两侧均为黑白显示。
在本发明中，滤色层49可以为色阻层，也可以为彩色滤光板。当为色阻层时，色阻层包括R色阻、G色阻和B色阻，经过R色阻的光出射后为R光，经过G色阻的光出射后为G光，经过B色阻的光出射后为B光。R色阻、G色阻和B色阻均直接沉积形成在TFT阵列基板上；如果通过彩色滤光板形成彩色显示，则将彩色滤光板与TFT阵列基板对齐后黏贴在TFT阵列基板上。在图4所示的第一实施例中，色阻层中，相邻色阻之间具有空隙，该空隙内可以形成黑色矩阵(BM，black matrix)；相邻色阻之间也可以没有空隙，也就是相邻色阻彼此接触。当为彩色滤光板时，该彩色滤光板为RGB彩色滤光板，从RGB彩色滤光板出射的光线为R、G、B三色光。
作为优选实施例，本实施例中的滤色层49为色阻层，因为将滤色层49直接沉积在TFT阵列基板上，可省去彩色滤光板，使得整个电子纸显示面板的厚度减薄，重量减轻，成本降低。
另外，如果滤色层为彩色滤光板，则在电子纸显示面板的形成过程的彩色滤光板与TFT阵列基板贴合时，需要像素级别上的精细对准，R滤色区域需要与R像素区域对准，G滤色区域需要与G像素区域对准，B滤色区域需要与B像素区域对准，该对准过程稍微有点偏差就容易造成彩色滤光板与TFT阵列基板的错位。如果采用色阻层作为滤色层49，色阻层是通过涂覆材料在TFT阵列基板上，然后进行曝光、显影形成色阻，由于曝光、显影的过程均是在像素级别上的曝光、显影，因此色阻层较容易与TFT阵列基板进行精细对准，防止出现对位的错位。所以，优选地，形成滤色层采用将色阻层直接沉积在TFT阵列基板上，可降低制程工艺的难度。
在该第一实施例中，第一透明基板41为玻璃基板，但本发明中，第一透明基板41不限于玻璃基板，也可以为其他材料的透明基板。
在该第一实施例中，公共电极42、像素电极44的材料均为ITO材料，但公共电极42、像素电极44的材料不限于ITO材料，也可以为其他的透明导电材料。
在该第一实施例中，多个公共电极42呈阵列排布。由于公共电极42的都拥有相同的电位，因此公共电极42也可以为一整面公共电极，各个像素共用该整面公共电极，而不是一个像素对应一个公共电极。
在该第一实施例中，第二透明基板53为PET基板、玻璃基板或者塑料基板，但本发明中，第二透明基板53不限于PET基板、玻璃基板或者塑料基板，也可以为其他材料的透明基板。
在该第一实施例中，电子纸膜51为微胶囊膜，所述微胶囊膜内包括多个微胶囊膜，每一微胶囊内包括黑色颗粒511和白色颗粒512以及透明液体。也可以为每一微胶囊内包括白色粒子和黑色不透明液体。还可以为每一微胶囊内包括黑色粒子和白色不透明液体。但本发明中，电子纸膜51不限于微胶囊膜，也可以为其他可以应用于本发明的电子纸膜。
在该第一实施例中，透明电极52的材料也为ITO材料，但透明电极52的材料不限于ITO材料，可以其他的透明导电材料。并且，透明电极52为一整面电极。
在该第一实施例中，结合参考图3和图4，第一实施例的电子纸显示面板中，TFT阵列基板50还包括：TFT开关阵列，每一个存储电容与对应的TFT开关电连接，且所述TFT开关和所述存储电容沿平行透明基板的方向排布在所述第一透明基板41上。参考图3，TFT开关包括源极46a、漏极46b、栅极45，源极46a和漏极46b之间的沟道区(图中未标)，与源极46a连接的数据线48、与栅极45连接的扫描线47，漏极46b与像素电极44电连接。通过扫描线47在栅极45上施加电压，使沟道区打开后，数据线48上施加的电压通过源极46a传递给漏极46b，继而施加在像素电极44上，使像素电极具有一定的电压。
图5为本发明第一实施例的电子纸显示面板的TFT阵列基板沿图3所示的A-A方向的剖面结构示意图，结合参考图3和图5，在该实施例中，从第一透明基板41向上，依次为第一层的扫描线47、栅极45及公共线71，该公共线71用于向公共电极42提供电压；第二层的公共电极42；第三层的沟道区，材料为非晶硅；第四层的数据线48、源极46a及漏极46b；第五层的绝缘层72，材料为SiNx，在公共电极42和像素电极44之间的绝缘层作为电容介质层43；第六层的像素电极44。本实施例中，公共线71为金属布线。
第二实施例
图6为本发明第二具体实施例的电子纸显示面板的TFT阵列基板沿图3所示的A-A方向的剖面结构示意图，与图5所示的实施例相比，该实施例中，在制作第一层时，可以不用金属做公共线，而用ITO形成公共线，这样会牺牲一些对比度，但是可以提高开口率。分别为第一层的扫描线47及栅极45；第二层的公共电极42及公共线；第三层的沟道区，材料为非晶硅；第四层的数据线48、源极46a及漏极46b；第五层的绝缘层72，材料为SiNx，在公共电极42和像素电极44之间的绝缘层作为电容介质层43；第六层的像素电极44。第二实施的其它结构和第一实施例相同，在此不再详细描述。
第三实施例
图7为本发明第三具体实施例的电子纸显示面板像素的剖面结构示意图，参考图7，滤色层49位于透明电容介质层43上，像素电极44位于滤色层49上。即，与第一实施例相比，像素电极44和滤色层49的位置关系互换。其他与第一实施例相同，在此不做赘述。
第四实施例
图8为本发明第四具体实施例的电子纸显示面板的像素区域的剖面结构示意图，参考图8，滤色层49为色阻层，像素电极44位于透明电容介质层43上，滤色层49位于像素电极44上，TFT阵列基板40还包括平坦层61，覆盖所述像素电极44、滤色层49，平坦层61的材料为有机膜；其中，平坦层61的表面为平面，也就是说，形成平坦层61后，对平坦层61进行平坦化工艺使其表面平整。涂布一层平坦层的目的是对滤色层和TFT阵列形成的段差进行平坦化。由于滤色层49为色阻层时，沉积形成色阻层时没有进行平坦化，可能会造成TFT阵列基板的表面不平整，与电子纸膜黏贴不太好，所以在该实施例中形成平坦层61，可使得TFT阵列基板40的表面平整化。其他与第一实施例相同，在此不做赘述。
第五实施例
图9为本发明第五具体实施例的电子纸显示面板的像素区域的剖面结构示意图，滤色层49为色阻层，滤色层49位于电容介质层43上，像素电极44位于滤色层49上，TFT阵列基板40还包括平坦层61，覆盖所述像素电极44、滤色层49；其中，平坦层61的表面为平面，也就是说，沉积形成平坦层61后，对平坦层61进行平坦化工艺使其表面平整。平坦层的作用和第四实施例相同，在此不做赘述。
第六实施例
图10为本发明第六具体实施例的电子纸显示面板的像素区域的剖面结构示意图，参考图10，滤色层49为色阻层，TFT阵列基板40还包括平坦层61，滤色层49位于透明电容介质层43上，平坦层61覆盖滤色层49，像素电极44位于平坦层61上，其中，平坦层61的表面为平面，也就是说，沉积形成平坦层61后，对平坦层61进行平坦化工艺使其表面平整。平坦层的作用和第四实施例相同，在此不做赘述。
第七实施例
图11为本发明第七具体实施例的电子纸显示面板的像素区域的剖面结构示意图，参考图11，滤色层491为彩色滤光板，该彩色滤光板位于第二透明基板53的外侧；滤色层492也为彩色滤光板，其位于第一透明基板41的外侧。本实施例提供的电子纸显示面板可以在电子纸显示面板的两个显示面均实现彩色显示。
第八实施例
图12为本发明第八具体实施例的电子纸显示面板的像素区域的剖面结构示意图，参考图12，滤色层49为彩色滤光板，该彩色滤光板位于第二透明基板53的外侧，这样可以在电子纸显示面板的第二透明基板53一侧实现彩色显示，在TFT阵列基板40实现黑白显示。
基于以上所述的电子纸显示面板，本发明还提供一种TFT阵列基板，在具体阐述电子纸显示面板时，对电子纸显示面板中的TFT阵列基板的所有内容可以援引于此。在此不对TFT阵列基板重复描述。
本发明还提供一种形成TFT阵列基板的方法，图14为本发明的TFT阵列基板形成方法的第一具体实施例的流程示意图，参考图14，本发明TFT阵列基板形成方法的第一具体实施例包括：
步骤S11，提供第一透明基板；
步骤S12，在所述第一透明基板上形成公共电极，在所述公共电极上形成透明电容介质层，在所述透明电容介质层上形成像素电极，所述公共电极的材料和所述像素电极的材料均为透明导电材料；所述公共电极、透明电容介质层、像素电极构成存储电容；
步骤S13，在所述像素电极上形成滤色层。
结合参考图13和图14，执行步骤S11，提供第一透明基板41。
结合参考图13和图15，执行步骤S12，在所述第一透明基板41上形成公共电极42，在所述公共电极42上形成透明电容介质层43，在所述透明电容介质层43上形成像素电极44，所述公共电极42的材料和所述像素电极44的材料均为透明导电材料，例如ITO材料。在该实施例中，各个像素的公共电极42呈阵列排布，其形成方法为：在透明基板41上沉积形成一层ITO材料，然后对该ITO材料进行光刻、刻蚀形成呈阵列排布的公共电极42。
结合参考图13和图16，执行步骤S13，在所述像素电极44上形成滤色层49。滤色层49为色阻层，色阻层包括R色阻、G色阻和B色阻；形成色阻层的方法包括：沉积形成第一色阻层，之后对所述第一色阻层进行曝光显影，形成第一色阻；沉积形成第二色阻层，之后对所述第二色阻层进行曝光显影，形成第二色阻；形成第三色阻层，之后对所述第三色阻层进行曝光显影，形成第三色阻；所述第一色阻、第二色阻、第三色阻分别为R色阻、G色阻和B色阻中的一种，构成所述色阻层。其中，形成第一色阻层、第二色阻层、第三色阻层的方法为涂覆、旋涂或者滴涂。可以为第一色阻层为R色阻层、第二色阻层为G色阻层、第三色阻层为B色阻层；也可以为第一色阻层为B色阻层、第二色阻层为G色阻层、第三色阻层为R色阻层。此处只是列举，第一色阻、第二色阻、第三色阻为R色阻、G色阻和B色阻中的一种，构成RGB色阻层。
具体实施例的TFT阵列基板的形成方法，还包括：在所述透明基板上形成TFT开关阵列，参考图5或图6，形成的TFT开关和存储电容沿平行透明基板表面的方向排布在所述透明基板上，每一个存储电容与对应的TFT开关电连接。形成TFT开关阵列的方法为本领域技术人员的公知技术，在此不做赘述。形成的TFT开关可以为图5或图6所示具体实施例中的TFT开关。
以上方法形成TFT阵列基板对应图4所示的TFT阵列基板。
图7所示的第三实施例的TFT阵列基板的形成方法，在所述第一透明基板41上形成公共电极42，在所述公共电极42上形成透明电容介质层43，在所述透明电容介质层43上形成滤色层49，在所述滤色层49上形成像素电极44。也就是将像素电极44和滤色层49的形成顺序互换，其他与TFT阵列基板形成方法的第一具体实施例相同。
图8所示的第四实施例的TFT阵列基板的形成方法，在形成像素电极44、滤色层49后，形成平坦层61，覆盖所述像素电极44、滤色层49。形成平坦层61的方法为化学气相沉积方法，之后对平坦层61进行平坦化。其他与TFT阵列基板形成方法的第一具体实施例相同。
图9所示的第五实施例的TFT阵列基板的形成方法，在形成像素电极44、滤色层49后，形成平坦层61，覆盖所述像素电极44、滤色层49。形成平坦层61的方法为化学气相沉积方法，之后对平坦层61进行平坦化。其他与TFT阵列基板形成方法的第一具体实施例相同。
图10所示的第六实施例的TFT阵列基板的形成方法，在形成滤色层49后，形成平坦层61，覆盖滤色层49；之后，在平坦层61上形成像素电极44。形成平坦层61的方法为化学气相沉积方法，之后对平坦层61进行平坦化。也就是说，与第二实施例相比，在像素电极44和滤色层49之间形成了平坦层61，其他与TFT阵列基板形成方法的第一具体实施例相同。
需要说明的是，关于TFT阵列基板结构中描述的内容，可以援引于形成TFT阵列基板的方法中。本发明的TFT阵列基板具有厚度薄，成本低、形成方法相对简单的优点。
参考图17，本发明还提供了一种形成电子纸显示面板的方法，包括：
提供所述的TFT阵列基板40；图17中显示的TFT阵列基板40为图4第一实施例的TFT阵列基板，即滤色层为色阻层，并且所述色阻层形成在TFT阵列基板内。TFT阵列基板可以为以上其他实施例的TFT阵列基板，只要滤色层为色阻层，并且所述色阻层形成在TFT阵列基板内即可。TFT阵列基板40的形成方法为以上所述的方法；
提供电子纸膜51，将电子纸膜51贴附在TFT阵列基板40上；
提供第二透明基板53，在所述第二透明基板上沉积透明电极52；
使所述透明电极52朝向电子纸膜一侧将所述第二透明基板53贴附在电子纸膜上。
也就是说，在该实施例中，先将电子纸膜51与TFT阵列基板40粘合在一起，然后将结合在一起的第二透明基板53、透明电极52与电子纸膜51粘合在一起。
参考图18，，本发明另一种形成电子纸显示面板的方法，包括：
提供所述的TFT阵列基板40；图18中显示的TFT阵列基板40为图4第一实施例的TFT阵列基板，即滤色层为色阻层，并且所述色阻层形成在TFT阵列基板内。TFT阵列基板可以为以上其他实施例的TFT阵列基板，只要滤色层为色阻层，并且所述色阻层形成在TFT阵列基板内即可。TFT阵列基板40的形成方法为以上所述的方法；
提供第二透明基板53，在所述第二透明基板53上沉积透明电极52；
提供电子纸膜51，将电子纸膜51贴附在透明电极52上；
使所述电子纸膜51朝向TFT阵列基板40一侧，将所述第二透明基板53粘附在TFT阵列基板40上。
也就是说，该实施例中，先将第二透明基板53、透明电极52、电子纸膜51结合在一起，然后将其和TFT阵列基板结合在一起。
本发明的形成电子纸显示面板的方法，减小了贴附时的精度要求。通常地，电子纸显示面板的形成过程的彩色滤光板与TFT阵列基板结合时，需要像素级别上的精细对准，R滤色区域需要与R像素区域对准，G滤色区域需要与G像素区域对准，B滤色区域需要与B像素区域对准，该对准过程稍微有点偏差就容易造成彩色滤光板与TFT阵列基板的错位，对制程的对位精度要求非常高，但是对位贴合的机器很难保证如此高的精度。
本发明提供的电子纸显示面板的方法所使用的TFT阵列基板，色阻层是通过涂覆材料在TFT阵列基板内的。在组合TFT阵列基板、电子纸膜和第二透明基板时并不需要像素级别上的精细对位，大大降低了贴附时的精度要求，降低了工艺难度，提高了良品率。
本发明虽然已以较佳实施例公开如上，但其并不是用来限定本发明，任何本领域技术人员在不脱离本发明的精神和范围内，都可以利用上述揭示的方法和技术内容对本发明技术方案做出可能的变动和修改，因此，凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化及修饰，均属于本发明技术方案的保护范围。
Claims (21)
1.一种TFT阵列基板，其特征在于，包括：
第一透明基板；
位于所述第一透明基板内侧的存储电容阵列，每一存储电容依次包括：位于第一透明基板内侧的公共电极、位于所述公共电极上的透明电容介质层、以及位于所述透明电容介质层上的像素电极；
所述公共电极和所述像素电极的材料均为透明导电材料。
2.如权利要求1所述的TFT阵列基板，其特征在于，还包括彩色滤光板，位于所述第一透明基板的外侧。
3.如权利要求2所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述彩色滤光板为RGB彩色滤光板。
4.如权利要求1所述的TFT阵列基板，其特征在于，还包括色阻层，所述色阻层位于所述第一透明基板的内侧。
5.如权利要求4所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述色阻层包括R色阻、G色阻和B色阻。
6.如权利要求4所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述色阻层位于所述像素电极上。
7.如权利要求6所述的TFT阵列基板，其特征在于，还包括平坦层，所述平坦层覆盖所述色阻层。
8.如权利要求4所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述色阻层位于所述透明电容介质层与所述像素电极之间。
9.如权利要求8所述的TFT阵列基板，其特征在于，还包括平坦层，所述平坦层覆盖所述色阻层。
10.如权利要求8所述的TFT阵列基板，其特征在于，还包括平坦层，所述平坦层覆盖所述像素电极。
11.如权利要求1所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述透明导电材料为ITO。
12.如权利要求1所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述第一透明基板为玻璃基板。
13.一种电子纸显示面板，其特征在于，包括：
如权利要求1～12任一所述的TFT阵列基板；
位于所述TFT阵列基板上的电子纸膜；
位于所述电子纸膜上的透明电极；
位于所述透明电极上的第二透明基板。
14.如权利要求13所述的电子纸显示面板，其特征在于，所述透明电极的材料为ITO。
15.如权利要求13所述的电子纸显示面板，其特征在于，所述第二透明基板为PET基板、玻璃基板或者塑料基板。
16.如权利要求13所述的电子纸显示面板，其特征在于，所述电子纸膜为微胶囊膜，所述微胶囊膜内包括多个微胶囊膜。
17.如权利要求16所述的电子纸显示面板，其特征在于，所述每一微胶囊内包括黑色颗粒和白色颗粒以及透明液体。
18.如权利要求16所述的电子纸显示面板，其特征在于，所述每一微胶囊内包括白色粒子和黑色不透明液体。
19.如权利要求16所述的电子纸显示面板，其特征在于，所述每一微胶囊内包括黑色粒子和白色不透明液体。
20.一种形成电子纸显示面板的方法，包括：
提供如权利要求4～10任一所述的TFT阵列基板；
提供电子纸膜，将电子纸膜贴附在TFT阵列基板上；
提供第二透明基板，在所述第二透明基板上沉积透明电极；
使所述透明电极朝向电子纸膜一侧将所述第二透明基板贴附在电子纸膜上。
21.一种形成电子纸显示面板的方法，包括：
提供如权利要求4～10任一所述的TFT阵列基板；
提供第二透明基板，在所述第二透明基板上沉积透明电极；
提供电子纸膜，将电子纸膜贴附在透明电极上；
使所述电子纸膜朝向TFT阵列基板一侧将所述第二透明基板粘附在TFT阵列基板上。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN2011103213078A CN103066069A (zh) | 2011-10-20 | 2011-10-20 | Tft阵列基板、电子纸显示面板及其形成方法 |
| PCT/CN2012/078230 WO2013056573A1 (zh) | 2011-10-20 | 2012-07-05 | 薄膜晶体管（tft)阵列基板、电子纸显示面板及其形成方法 |
| US13/927,006 US9285647B2 (en) | 2011-10-20 | 2013-06-25 | TFT array substrate, E-paper display panel and method for manufacturing the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN2011103213078A CN103066069A (zh) | 2011-10-20 | 2011-10-20 | Tft阵列基板、电子纸显示面板及其形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN103066069A true CN103066069A (zh) | 2013-04-24 |
Family
ID=48108623
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN2011103213078A Pending CN103066069A (zh) | 2011-10-20 | 2011-10-20 | Tft阵列基板、电子纸显示面板及其形成方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9285647B2 (zh) |
| CN (1) | CN103066069A (zh) |
| WO (1) | WO2013056573A1 (zh) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103353701A (zh) * | 2013-07-22 | 2013-10-16 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示面板、显示装置、显示面板制作方法及显示方法 |
| WO2017117827A1 (zh) * | 2016-01-05 | 2017-07-13 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 液晶显示面板、tft基板及其制造方法 |
| CN110262154A (zh) * | 2019-07-22 | 2019-09-20 | 成都捷翼电子科技有限公司 | 一种彩色显示模块的结构及制造方法 |
| CN111948868A (zh) * | 2019-05-16 | 2020-11-17 | 广州奥翼电子科技股份有限公司 | 电子纸显示屏及其制作方法 |
| CN113325619A (zh) * | 2021-05-26 | 2021-08-31 | 信利半导体有限公司 | 一种新型电子透明屏 |
| CN113495390A (zh) * | 2020-04-01 | 2021-10-12 | 虹曜电纸技术股份有限公司 | 胆固醇液晶显示装置以及其制作方法 |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8947762B2 (en) * | 2013-01-08 | 2015-02-03 | Visitret Displays Ou | Fine pixel pitch electrophoretic display |
| CN103779390B (zh) * | 2014-02-11 | 2016-08-17 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种柔性显示基板及其制备方法 |
| CN104730757B (zh) * | 2015-03-27 | 2017-10-27 | 京东方科技集团股份有限公司 | 彩膜基板、彩膜基板的制造方法、触摸屏及显示装置 |
| CN106328016B (zh) * | 2016-09-29 | 2017-12-15 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板及其制造方法、显示装置 |
| CN115185135A (zh) * | 2021-04-01 | 2022-10-14 | 川奇光电科技（扬州）有限公司 | 色彩滤波模块 |
| TWI757138B (zh) * | 2021-04-01 | 2022-03-01 | 元太科技工業股份有限公司 | 色彩濾波模組 |
Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1534367A (zh) * | 2003-03-31 | 2004-10-06 | ������������ʽ���� | 显示装置、电子设备和显示方法 |
| CN1683973A (zh) * | 2004-04-12 | 2005-10-19 | 三星电子株式会社 | 滤色基板、显示装置及其制造方法 |
| CN100422837C (zh) * | 2005-08-01 | 2008-10-01 | Nec液晶技术株式会社 | 彩色电子纸显示装置 |
| CN101308818A (zh) * | 2007-05-16 | 2008-11-19 | 东部高科股份有限公司 | 用于制造图像传感器的方法 |
| CN101329487A (zh) * | 2007-06-22 | 2008-12-24 | 精工爱普生株式会社 | 电泳显示装置的驱动方法以及电泳显示装置 |
| CN101446705A (zh) * | 2007-11-26 | 2009-06-03 | 乐金显示有限公司 | 液晶显示装置 |
| CN101655646A (zh) * | 2008-08-18 | 2010-02-24 | Nec液晶技术株式会社 | 显示装置及其制造方法 |
| CN101989015A (zh) * | 2009-07-31 | 2011-03-23 | 上海天马微电子有限公司 | 一种tft阵列结构及其制造方法 |
| CN102237411A (zh) * | 2010-05-05 | 2011-11-09 | 元太科技工业股份有限公司 | 氧化物薄膜晶体管及其制造方法 |
Family Cites Families (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6704133B2 (en) * | 1998-03-18 | 2004-03-09 | E-Ink Corporation | Electro-optic display overlays and systems for addressing such displays |
| US7230750B2 (en) * | 2001-05-15 | 2007-06-12 | E Ink Corporation | Electrophoretic media and processes for the production thereof |
| JP4050119B2 (ja) * | 2001-10-02 | 2008-02-20 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置 |
| JP4168649B2 (ja) * | 2002-04-05 | 2008-10-22 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | 画像記録装置 |
| JP4417072B2 (ja) * | 2003-03-28 | 2010-02-17 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置用基板及びそれを用いた液晶表示装置 |
| JP4285158B2 (ja) * | 2003-08-29 | 2009-06-24 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置及び電子機器 |
| JP2006098641A (ja) * | 2004-09-29 | 2006-04-13 | Seiko Epson Corp | 薄膜半導体装置、電気光学装置、および電子機器 |
| US7445350B2 (en) | 2005-08-22 | 2008-11-04 | Nissan Technical Center North America, Inc. | Interior/exterior component with electroluminescent lighting and soft touch switching |
| JP4407699B2 (ja) * | 2007-02-02 | 2010-02-03 | セイコーエプソン株式会社 | 表示装置及び電子ペーパー |
| KR20090003643A (ko) * | 2007-07-03 | 2009-01-12 | 삼성전자주식회사 | 표시 장치의 구동 장치와 이를 포함하는 전기 영동 표시장치 |
| CN101685233B (zh) * | 2008-09-23 | 2012-06-27 | 乐金显示有限公司 | 电泳显示设备及其制造方法 |
| KR20100073356A (ko) * | 2008-12-23 | 2010-07-01 | 엘지디스플레이 주식회사 | 컬러 전기 영동 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
| KR101283366B1 (ko) * | 2008-12-23 | 2013-07-08 | 엘지디스플레이 주식회사 | 전기영동 표시장치용 어레이 기판 및 그 제조 방법 |
| US9136286B2 (en) * | 2009-08-07 | 2015-09-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display panel and electronic book |
| JP5504866B2 (ja) * | 2009-12-10 | 2014-05-28 | セイコーエプソン株式会社 | 電気泳動表示装置、電子機器および電気光学装置の製造方法 |
-
2011
- 2011-10-20 CN CN2011103213078A patent/CN103066069A/zh active Pending
-
2012
- 2012-07-05 WO PCT/CN2012/078230 patent/WO2013056573A1/zh active Application Filing
-
2013
- 2013-06-25 US US13/927,006 patent/US9285647B2/en active Active
Patent Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1534367A (zh) * | 2003-03-31 | 2004-10-06 | ������������ʽ���� | 显示装置、电子设备和显示方法 |
| CN1683973A (zh) * | 2004-04-12 | 2005-10-19 | 三星电子株式会社 | 滤色基板、显示装置及其制造方法 |
| CN100422837C (zh) * | 2005-08-01 | 2008-10-01 | Nec液晶技术株式会社 | 彩色电子纸显示装置 |
| CN101308818A (zh) * | 2007-05-16 | 2008-11-19 | 东部高科股份有限公司 | 用于制造图像传感器的方法 |
| CN101329487A (zh) * | 2007-06-22 | 2008-12-24 | 精工爱普生株式会社 | 电泳显示装置的驱动方法以及电泳显示装置 |
| CN101446705A (zh) * | 2007-11-26 | 2009-06-03 | 乐金显示有限公司 | 液晶显示装置 |
| CN101655646A (zh) * | 2008-08-18 | 2010-02-24 | Nec液晶技术株式会社 | 显示装置及其制造方法 |
| CN101989015A (zh) * | 2009-07-31 | 2011-03-23 | 上海天马微电子有限公司 | 一种tft阵列结构及其制造方法 |
| CN102237411A (zh) * | 2010-05-05 | 2011-11-09 | 元太科技工业股份有限公司 | 氧化物薄膜晶体管及其制造方法 |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103353701A (zh) * | 2013-07-22 | 2013-10-16 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示面板、显示装置、显示面板制作方法及显示方法 |
| WO2015010363A1 (zh) * | 2013-07-22 | 2015-01-29 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板、显示装置、显示面板制作方法及显示方法 |
| CN103353701B (zh) * | 2013-07-22 | 2015-08-19 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示面板、显示装置、显示面板制作方法及显示方法 |
| WO2017117827A1 (zh) * | 2016-01-05 | 2017-07-13 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 液晶显示面板、tft基板及其制造方法 |
| CN111948868A (zh) * | 2019-05-16 | 2020-11-17 | 广州奥翼电子科技股份有限公司 | 电子纸显示屏及其制作方法 |
| CN110262154A (zh) * | 2019-07-22 | 2019-09-20 | 成都捷翼电子科技有限公司 | 一种彩色显示模块的结构及制造方法 |
| CN113495390A (zh) * | 2020-04-01 | 2021-10-12 | 虹曜电纸技术股份有限公司 | 胆固醇液晶显示装置以及其制作方法 |
| CN113325619A (zh) * | 2021-05-26 | 2021-08-31 | 信利半导体有限公司 | 一种新型电子透明屏 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2013056573A1 (zh) | 2013-04-25 |
| US9285647B2 (en) | 2016-03-15 |
| US20130286465A1 (en) | 2013-10-31 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN103066069A (zh) | Tft阵列基板、电子纸显示面板及其形成方法 | |
| US7177067B1 (en) | Color electronic paper display device | |
| US6621541B1 (en) | Transflective liquid crystal display device having an electrophoretic display | |
| US10386694B2 (en) | Display panel and driving method thereof | |
| US7580092B2 (en) | Liquid crystal display device and method for fabricating the same | |
| US20100110522A1 (en) | Display device using electrochromism and methods of driving the same | |
| TWI788646B (zh) | 電光顯示器及其驅動方法 | |
| CN101650894B (zh) | 可挠性显示面板及其制造方法 | |
| US20130162511A1 (en) | Electronic paper display device | |
| CN101750834B (zh) | 使用光传感器的电泳显示设备 | |
| CN110346988A (zh) | 显示装置 | |
| CN107843996A (zh) | 触控显示面板与显示装置 | |
| US7477369B2 (en) | Apparatus for testing liquid crystal display device and testing method thereof | |
| US20100302614A1 (en) | Mems and electrophoretic display devices integrated with organic light-emitting device | |
| EP2105788A2 (en) | E-paper apparatus and driving substrate thereof | |
| JP2006524360A (ja) | 電気泳動ディスプレイ装置 | |
| TW201441724A (zh) | 複合顯示裝置 | |
| JP2007140533A (ja) | 電気泳動表示装置と電気泳動表示装置の駆動方法 | |
| CN105223720A (zh) | 便携式电子装置及其整合型面板 | |
| US20190064616A1 (en) | Transflective liquid crystal display | |
| CN107608565B (zh) | 触控显示面板及触控显示装置 | |
| TWI431569B (zh) | 顯示裝置 | |
| US20190056622A1 (en) | Transflective liquid crystal display and manufacturing method thereof | |
| US20120223928A1 (en) | Method for driving electrophoresis display device | |
| CN103376609A (zh) | 反射式视觉接口装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20130424 |
|
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |