CN103060891B - 小梯度温场上升定向生长氟化物单晶的装置及方法 - Google Patents
小梯度温场上升定向生长氟化物单晶的装置及方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN103060891B CN103060891B CN201310039285.5A CN201310039285A CN103060891B CN 103060891 B CN103060891 B CN 103060891B CN 201310039285 A CN201310039285 A CN 201310039285A CN 103060891 B CN103060891 B CN 103060891B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- crucible
- crystal
- electrode
- temperature field
- seed crystal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims abstract description 143
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 title claims abstract description 27
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 22
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 19
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims abstract description 7
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 14
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 14
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 9
- 239000000155 melt Substances 0.000 claims description 9
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 6
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 claims description 4
- ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L magnesium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Mg+2] ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L 0.000 abstract description 13
- 229910001635 magnesium fluoride Inorganic materials 0.000 abstract description 13
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 abstract description 3
- 230000003068 static effect Effects 0.000 abstract description 2
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 5
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 3
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 2
- 229910016036 BaF 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004261 CaF 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000049 Carbon (fiber) Polymers 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000004917 carbon fiber Substances 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Inorganic materials [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
小梯度温场上升定向生长氟化物单晶的装置及方法属于晶体生长技术领域。现有技术成功率低、晶体质量差。本发明之装置其特征在于，坩埚经坩埚座安置在保温套底部上面；每个连接梁将两两相对的电极座连接起来，各个连接梁的中点相交于一点，各个连接梁在该点彼此连接成一体，提拉杆的下端在该点与各个连接梁相连；电极杆与密封圈动配合。本发明之方法其特征在于，由提拉杆通过连接梁、电极座、电极杆向上提拉加热体，温场随之上升，坩埚、仔晶筒、坩埚座、仔晶静止。依本发明生长氟化镁晶体成功率为95%以上，位错密度降低到10~30/cm2，在0.2~7.5μm波段的吸收系数小于2×10E-4/cm，晶体质量全面提高。
Description
技术领域
本发明涉及一种小梯度温场上升定向生长氟化物单晶的装置及方法，在真空条件下生长特定方向氟化物如氟化镁单晶，属于晶体生长技术领域。
背景技术
氟化物单晶是一种具有各向异性和双折射特性的晶体材料，主要用于紫外波段偏光元件中。由于双折射特性方面的要求，晶体的切取必须按照特定方向进行，如果晶体未能按照预定方向生长，则切取损耗大，利用率低。为了提高利用率，必须定向生长晶体。现有定向生长氟化物单晶的方法是一种仔晶下降法。该方法在真空条件下生长晶体，以氟化镁单晶为例，将氟化镁籽晶安放在坩埚底部，坩埚连接在水冷下降杆上。在晶体生长初期，精确控制籽晶所在位置的温度以及温场，使籽晶融化掉约一半，然后水冷下降杆缓慢向下移动，坩埚随之从炉内热区向冷区缓慢移动，使晶体按照籽晶固有的方向缓慢生长。
所述仔晶下降法对晶体生长设备和环境条件的要求很苛刻，尤其是在晶体生长初期，也就是将氟化镁籽晶融化掉约一半的关键阶段，该阶段要求非常精确地控制温度。籽晶所处温场由发热体、坩埚、水冷下降杆等共同构成，籽晶中部所处温场的温度必须控制在仔晶熔点以上5~10度，使籽晶上半部完全融化，籽晶下半部不融化，这样晶体才能正常生长。采用现有仔晶下降法生长氟化镁单晶，由于籽晶在坩埚底部通过坩埚座连接于水冷下降杆上，冷却水水温与流量的波动会导致籽晶所处温场偏离预设温场，导致籽晶要么完全融化掉要么融化不充分，这两种情况都将导致晶体生长失败。
现有仔晶下降法的另一个缺点是，由于冷却水的存在，水冷下降杆的温度始终小于100℃，而晶体的熔点远高于该温度，如氟化镁晶体的熔点为1255℃，这就使得籽晶所在位置的温场梯度很陡，要使当籽晶中部所处温场达到晶体熔点以上5~10度时，坩埚中、上部的温度将远高于晶体熔点，导致晶体原料的挥发，甚至导致原料大量外溢，晶体生长失败。
总之，采用现有仔晶下降法定向生长氟化物单晶的成功率只有50~60%。由于在晶体生长过程中无法实时观察到籽晶融化情况，无法及时察知籽晶是否按照预定的要求融化，直到晶体生长过程完全结束才能知道晶体生长结果，如果失败，势必造成原材料和电能的严重浪费。如此低的成功率及如此严重的浪费，致使市场上的具有特定方向的氟化镁单晶毛坯价格高达10000元/公斤以上，影响了该材料的在更广泛的领域应用。
尽管现有仔晶下降法定向生长氟化物晶体尚有50~60%的成功率，但是，在晶体质量方面还存在问题。由于水冷下降杆的存在，出现温度波动、温场不稳和温度梯度过大等现象，这些现象的负面结果是导致固液界面的形状不是理想的平整微凸界面，进而导致晶体内部缺陷大量形成，位错密度达到60~100/cm2，吸收系数达到5×10E-4/cm，这样的质量很难满足高端偏光棱镜的要求。
发明内容
本方发明的目的在于，提高氟化物单晶定向生长的成功率，提高晶体质量，为此，我们发明了一种小梯度温场上升定向生长氟化物单晶的装置及方法。其技术方案的核心是取消水冷下降杆，控制发热体上升，仔晶变相下降，温场稳定，温度梯度减小，全面克服现有技术存在的问题。
在本发明之小梯度温场上升定向生长氟化物单晶的装置中，在真空室1内部外围是保温套2，坩埚3位于保温套2内部中央，如图1所示；在坩埚3底部中心有仔晶筒4，仔晶筒4下面是坩埚座5；若干个加热体6等高悬挂在坩埚3侧壁周围，加热体6上端连接水冷电极杆7，电极杆7先穿过保温套2顶部再穿过真空室2顶部的密封圈8与电极座9连接；控温热电偶10位于仔晶筒4侧面1/2~2/3仔晶筒高度处；其特征在于，坩埚3经坩埚座5安置在保温套2底部上面，见图2所示；每个连接梁11将两两相对的电极座9连接起来，各个连接梁11的中点相交于一点，各个连接梁11在该点彼此连接成一体，提拉杆12的下端在该点与各个连接梁11相连；电极杆7与密封圈8动配合。
按照本发明之小梯度温场上升定向生长氟化物单晶的方法，见图3所示，将仔晶13插入仔晶筒4，仔晶13的上端探入坩埚3，将生长料14装入坩埚3，由加热体6产生生长温场，由控温热电偶10控制仔晶13上半部所处温场温度为高于所生长的氟化物单晶熔点5~10℃的温度，当仔晶13上半部融化后，仔晶13与温场上下相对运动，固液界面从温场的热区移向冷区，直至晶体生长完毕；其特征在于，由提拉杆12通过连接梁11、电极座9、电极杆7向上提拉加热体6，温场随之上升，坩埚3、仔晶筒4、坩埚座5、仔晶13静止。
本发明其技术效果在于，由于坩埚3经坩埚座5安置在保温套2底部上面，取消了现有技术中的坩埚座5下面的水冷下降杆，在晶体生长过程中坩埚3、仔晶筒4、坩埚座5、仔晶13保持静止，仔晶13与温场之间的上下相对运动，或者说固液界面从温场的热区移向冷区是通过温场上升实现，这些技术措施能够带来多方面的技术效果。例如，仔晶13周围的温场的梯度变小，仔晶13上半部所处温度易于控制，在很大程度上避免出现仔晶13上半部没融化或者仔晶13全融化的情况；能够正常保持仔晶13上半部所处温场温度为高于所生长的氟化物单晶熔点5~10℃的温度，无需将生长料熔体温度提高到氟化物单晶熔点以上很多，因而能够减轻晶体原料的挥发，避免原料大量外溢。最终晶体生长的成功率能够因此提高到95%以上。再如，生长温度平稳、温场梯度几近恒定，固液界面的形状基本呈现理想的平整微凸界面，大幅减少晶体内部缺陷，采用X射线定向仪定向，定向精度为30″，方向精度为达到2°，在C方向生长的氟化镁单晶晶锭直径最大100mm、长度200mm，C方向的可利用率大于90%，位错密度降低到10~30/cm2，在0.2~7.5μm波段的吸收系数小于2×10E-4/cm，晶体质量全面提高。本发明还具有一个附带效果，随着原有的水冷下降杆的取消，冷却结构得到简化。
附图说明
图1为本发明之小梯度温场上升定向生长氟化物单晶的装置整体结构示意图。图2为本发明之小梯度温场上升定向生长氟化物单晶的装置下半部分结构放大示意图。图3为本发明之小梯度温场上升定向生长氟化物单晶的方法示意图，该图同时作为摘要附图。
具体实施方式
在本发明之小梯度温场上升定向生长氟化物单晶的装置中，在真空室1内部外围是保温套2，保温套2材质为复合碳纤维，坩埚3位于保温套2内部中央，坩埚3上加石墨材质坩埚盖15，防止生长料熔体热量散失和阻止生长料挥发，如图1所示；在坩埚3底部中心有仔晶筒4，仔晶筒4下面是坩埚座5，坩埚座5为石墨材质；若干个加热体6等高悬挂在坩埚3侧壁周围，加热体6上端连接水冷电极杆7，电极杆7先穿过保温套2顶部再穿过真空室2顶部的密封圈8与电极座9连接；控温热电偶10位于仔晶筒4侧面1/2~2/3仔晶筒高度处；坩埚3经坩埚座5安置在保温套2底部上面，见图2所示；每个连接梁11将两两相对的电极座9连接起来，连接梁11与电极座9绝缘，电源线接电极座9；各个连接梁11的中点相交于一点，各个连接梁11在该点彼此连接成一体，提拉杆12的下端在该点与各个连接梁11相连；电极杆7与密封圈8动配合，电极杆7为紫铜材质，中空通水冷却，由密封圈8保持真空室1内的真空度。电极杆7通过螺栓螺母与加热体6的石墨端子连接。
按照本发明之小梯度温场上升定向生长氟化物单晶的方法，见图3所示，将小块氟化镁单晶加工成圆柱状作为仔晶13，籽晶13直径15mm、长度65mm，圆柱的轴向为单晶C向，沿这一方向生长的氟化物单晶晶锭的利用率最高；将仔晶13插入仔晶筒4，籽晶筒13内径与籽晶13外径相配合，保持籽晶13的竖直状态；仔晶13的上端探入坩埚3。将氟化镁颗粒生长料14装入坩埚3。依次开启旋片式真空泵和油扩散泵，将真空室1抽至2×10E-3乇的真空。由加热体6产生生长温场，炉温由室温按升温速率25℃/小时升至氟化镁晶体熔点以上5~10℃即1260~1265℃之间的某个温度，如1263℃，生长料14慢慢熔化成熔体，之后控制恒温，在恒温时段内，熔体充分排除气体和其他杂质。由控温热电偶10控制仔晶13上半部所处温场温度在该温度值上。恒温5小时后，仔晶13上半部融化，由提拉杆12通过连接梁11、电极座9、电极杆7以1~3mm/h的速度如1mm/h向上提拉加热体6，温场随之上升，坩埚3、仔晶筒4、坩埚座5、仔晶13静止，仔晶13与温场上下相对运动，坩埚3的底部、仔晶筒4上口处率先远离加热体6而成为温场冷区，同时固液界面也以1mm/h的速度从温场的热区移向冷区，通过熔体内的质量输运，在坩埚3内生长的晶体将完全按照籽晶13固有的方向不断生长下去，200小时后晶体生长完毕，由控温热电偶10控制自动降温，降温速度为30℃/h，温度降至150℃时停止为加热体6供电，自然冷却到室温，获得与籽晶13方向一致的完整氟化镁单晶，晶锭直径58mm、长度160mm，晶锭圆柱体轴线与晶体C向平行。所述的氟化物单晶还包括CaF2、BaF2、LiF晶体。
Claims (4)
1.一种小梯度温场上升定向生长氟化物单晶的装置，在真空室(1)内部外围是保温套(2)，坩埚(3)位于保温套(2)内部中央；在坩埚(3)底部中心有仔晶筒(4)，仔晶筒(4)下面是坩埚座(5)；若干个加热体(6)等高悬挂在坩埚(3)侧壁周围，加热体(6)上端连接水冷电极杆(7)，电极杆(7)先穿过保温套(2)顶部再穿过真空室(1)顶部的密封圈(8)与电极座(9)连接；控温热电偶(10)位于仔晶筒(4)侧面1/2～2/3仔晶筒高度处；其特征在于，坩埚(3)经坩埚座(5)安置在保温套(2)底部上面；每个连接梁(11)将两两相对的电极座(9)连接起来，各个连接梁(11)的中点相交于一点，各个连接梁(11)在该点彼此连接成一体，提拉杆(12)的下端在该点与各个连接梁(11)相连；电极杆(7)与密封圈(8)动配合。
2.根据权利要求1所述的小梯度温场上升定向生长氟化物单晶的装置，其特征在于，连接梁(11)与电极座(9)绝缘，电源线接电极座(9)。
3.一种小梯度温场上升定向生长氟化物单晶的方法，将仔晶(13)插入仔晶筒(4)，仔晶(13)的上端探入坩埚(3)，将生长料(14)装入坩埚(3)，由加热体(6)产生生长温场，由控温热电偶(10)控制仔晶(13)上半部所处温场温度为高于所生长的氟化物单晶熔点5～10℃的温度，当仔晶(13)上半部融化后，仔晶(13)与温场上下相对运动，固液界面从温场的热区移向冷区，直至晶体生长完毕；其特征在于，若干个加热体(6)等高悬挂在坩埚(3)侧壁周围，由提拉杆(12)通过连接梁(11)、电极座(9)、电极杆(7)向上提拉加热体(6)，温场随之上升，坩埚(3)、仔晶筒(4)、坩埚座(5)、仔晶(13)静止。
4.根据权利要求3所述的小梯度温场上升定向生长氟化物单晶的方法，其特征在于，由提拉杆(12)通过连接梁(11)、电极座(9)、电极杆(7)以1～3mm/h的速度向上提拉加热体(6)。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201310039285.5A CN103060891B (zh) | 2013-01-31 | 2013-01-31 | 小梯度温场上升定向生长氟化物单晶的装置及方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201310039285.5A CN103060891B (zh) | 2013-01-31 | 2013-01-31 | 小梯度温场上升定向生长氟化物单晶的装置及方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN103060891A CN103060891A (zh) | 2013-04-24 |
| CN103060891B true CN103060891B (zh) | 2015-04-29 |
Family
ID=48103775
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201310039285.5A Active CN103060891B (zh) | 2013-01-31 | 2013-01-31 | 小梯度温场上升定向生长氟化物单晶的装置及方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN103060891B (zh) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105133005B (zh) * | 2014-06-03 | 2018-01-09 | 长春理工大学 | 获得平整固液界面的晶体生长方法及装置 |
| CN104790025A (zh) * | 2015-04-14 | 2015-07-22 | 营口市荣兴达科技实业有限公司 | 氟化镁单晶镀膜材料的制备装置及制备工艺 |
| CN105112993B (zh) * | 2015-10-12 | 2017-10-20 | 山东大学 | 一种调节微下拉晶体生长温度梯度的装置及方法 |
| CN107287657B (zh) * | 2017-06-26 | 2019-10-08 | 北京中材人工晶体研究院有限公司 | 一种溴化镧闪烁晶体的生长方法及所得晶体 |
| CN108866619A (zh) * | 2018-07-02 | 2018-11-23 | 南京光宝光电科技有限公司 | 大尺寸氟化镁单晶的定向生长装置及工艺 |
| CN116988155A (zh) * | 2023-07-31 | 2023-11-03 | 上海芯飞睿科技有限公司 | 一种氟化物晶体及其制备方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1485467A (zh) * | 2003-08-08 | 2004-03-31 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 | 大面积晶体的温梯法生长装置及其生长晶体的方法 |
| CN1603475A (zh) * | 2004-09-06 | 2005-04-06 | 周永宗 | 一种纯静态双加热温梯法晶体生长装置 |
| CN102766901A (zh) * | 2012-08-20 | 2012-11-07 | 元亮科技有限公司 | 实时可调温度梯度法生长大尺寸高温晶体的装置及方法 |
-
2013
- 2013-01-31 CN CN201310039285.5A patent/CN103060891B/zh active Active
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1485467A (zh) * | 2003-08-08 | 2004-03-31 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 | 大面积晶体的温梯法生长装置及其生长晶体的方法 |
| CN1603475A (zh) * | 2004-09-06 | 2005-04-06 | 周永宗 | 一种纯静态双加热温梯法晶体生长装置 |
| CN102766901A (zh) * | 2012-08-20 | 2012-11-07 | 元亮科技有限公司 | 实时可调温度梯度法生长大尺寸高温晶体的装置及方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN103060891A (zh) | 2013-04-24 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN103060891B (zh) | 小梯度温场上升定向生长氟化物单晶的装置及方法 | |
| JP5344919B2 (ja) | 結晶成長のための装置及び方法 | |
| CN102162123B (zh) | 双加热器移动热屏式直拉单晶炉 | |
| KR100954291B1 (ko) | 고품질의 반도체 단결정 잉곳 제조장치 및 방법 | |
| CN110983429A (zh) | 单晶炉及单晶硅制备方法 | |
| CN107541776A (zh) | 一种大尺寸氧化镓单晶的生长设备及方法 | |
| CN104451892A (zh) | 蓝宝石晶体生长设备的多段式石墨加热系统及其使用方法 | |
| CN102927815A (zh) | 悬浮式冷坩埚连续熔铸与定向凝固装置 | |
| KR101574749B1 (ko) | 단결정 제조용 상부히터, 단결정 제조장치 및 단결정 제조방법 | |
| CN105951169B (zh) | 一种大梯度可视化管式单晶生长炉 | |
| CN106149051A (zh) | 氟化物单晶体的热控布里奇曼法单晶生长装置与方法 | |
| CN106868584B (zh) | 一种单晶炉用电阻加热器及使用该电阻加热器制备硅单晶的方法 | |
| CN104073875A (zh) | 一种大尺寸蓝宝石晶体动态温度场制备方法 | |
| CN102534779A (zh) | 单一组分氧化物晶体的制备方法 | |
| CN104651938A (zh) | SiC单晶的制造方法 | |
| CN106319621A (zh) | 一种大尺寸直拉硅单晶生长方法 | |
| CN104532353A (zh) | 掺铬硒化锌单晶的布里奇曼生长装置及方法 | |
| TWI737997B (zh) | 矽晶錠的製造方法及矽晶錠的製造裝置 | |
| JP5163386B2 (ja) | シリコン融液形成装置 | |
| CN208791811U (zh) | 晶体生长装置 | |
| CN111074346A (zh) | 一种提拉法制备高纯单晶锗的装置及方法 | |
| CN103469304B (zh) | 多支成形蓝宝石长晶装置及其长晶方法 | |
| KR20100028798A (ko) | 선택적 자기 차폐를 이용한 반도체 단결정 제조장치 및 제조방법 | |
| CN213652724U (zh) | 连续拉晶单晶炉的热场结构 | |
| CN110042461A (zh) | 一种增加热传递大尺寸磷化锗锌晶体的生长方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| C41 | Transfer of patent application or patent right or utility model | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20160812 Address after: Three, Huaian 223001 Industrial Zone, Huaian District, Jiangsu Patentee after: HUAIAN HONGXIANG GUANGDIAN TECHNOLOGY CO.,LTD. Address before: 130022 No. 7989 Satellite Road, Changchun, Jilin, Chaoyang District Patentee before: changchun university of science and technology |
|
| CP03 | Change of name, title or address |
Address after: 223001 Xingping Street, Pingqiao Town, Huaian District, Huaian City, Jiangsu Province Patentee after: Jiangsu Bridgeman Technology Co.,Ltd. Address before: Three, Huaian 223001 Industrial Zone, Huaian District, Jiangsu Patentee before: HUAIAN HONGXIANG GUANGDIAN TECHNOLOGY Co.,Ltd. |
|
| CP03 | Change of name, title or address | ||
| PE01 | Entry into force of the registration of the contract for pledge of patent right |
Denomination of invention: Device and method for directional growth of fluoride single crystals with small gradient temperature field rise Granted publication date: 20150429 Pledgee: China Construction Bank Corporation Huai'an Chuzhou sub branch Pledgor: Jiangsu Bridgeman Technology Co.,Ltd. Registration number: Y2024980030449 |
|
| PE01 | Entry into force of the registration of the contract for pledge of patent right |