CN103035174B - 有机发光二极管显示器 - Google Patents

Abstract

本发明提供了一种有机发光二极管显示器。该有机发光二极管（OLED）显示器包括：显示面板，其包括数据线、与数据线交叉的扫描线和多个像素，所述多个像素中的每一个包括有机发光二极管，并且所述多个像素按照矩阵形式设置；电力生成器，其在正常模式下启用以产生用于驱动显示面板的高电势电源电压，并在低功率模式下禁用；以及面板驱动电路，其驱动数据线和扫描线，在低功率模式下禁用电力生成器以切断电力生成器的输出，并在低功率模式下将小于高电势电源电压的内部电力提供给显示面板以减小高电势电源电压。

Description

有机发光二极管显示器

技术领域

本发明的实施方式涉及一种有机发光二极管（OLED）显示器。

背景技术

已经开发了可代替阴极射线管（CRT）的多种平板显示器（FPD）。FPD的示例包括液晶显示器（LCD）、场致发光显示器（FED）、等离子体显示面板（PDP）显示器和有机发光二极管（OLED）显示器。

使用MIPI（移动产业处理器接口）的移动LCD支持用于低功率驱动的低功率模式。已知低功率模式为部分空闲模式（PIM:Partial Idle Mode）或变暗低功率（DLP:Dimmed Low Power）模式。在低功率模式下，移动LCD低功耗（例如，通过关闭背光单元）地工作。在低功率模式下，因为移动LCD通过如同反射LCD那样反射外部光来显示先前确定的数据，因此移动LCD不能任意调整亮度。

OLED是不需要背光单元的自发光元件。由此，OLED显示器不能如移动LCD那样应用低功率模式。OLED显示器使用高像素驱动电压驱动像素，以在正常模式下以高亮度显示输入的图像，并在低功率模式下通过减小像素驱动电压来减小功耗。然而，像素驱动电压在正常模式改变为低功率模式时会升高一段时间，因此流过像素的OLED的电流可能改变。结果，当低功率模式改变为正常模式时，OLED显示器的像素的亮度可能迅速改变。

发明内容

本发明的实施方式提供了一种能够在低功率模式改变为正常模式时防止像素亮度的急剧变化的有机发光二极管（OLED）显示器。

一方面，一种有机发光二极管显示器包括：显示面板，其包括数据线、与所述数据线交叉的扫描线以及以矩阵形式设置的多个像素，所述多个像素中的每一个包括有机发光二极管；电力生成器，其在正常模式下被启用以产生用于驱动所述显示面板的高电势电源电压，并且在低功率模式下被禁用；以及面板驱动电路，其驱动所述显示面板的所述数据线和所述扫描线，在所述低功率模式下禁用所述电力生成器以切断所述电力生成器的输出，并且在所述低功率模式下向所述显示面板提供比所述高电势电源电压小的内部电力以降低所述高电势电源电压。

紧接在所述低功率模式改变为所述正常模式之后，所述电力生成器的启用时间和所述电力生成器的软启动时间存在于垂直消隐期内。

附图说明

附图被包括在本说明书中以提供对本发明的进一步理解，并结合到本说明书中且构成本说明书的一部分，附图示出了本发明的实施方式，且与说明书一起用于解释本发明的原理。在附图中：

图1是根据本发明示例实施方式的有机发光二极管（OLED）显示器的框图；

图2是详细示出图1中示出的像素的电路图；

图3是正常模式下图2中示出的像素的驱动信号的波形图；

图4示出了正常模式下根据本发明示例实施方式的OLED显示器上显示的用户界面图像的示例；

图5示出了低功率模式下根据本发明示例实施方式的OLED显示器上显示的低功率图像的示例；

图6示出了低功率模式下在面板驱动电路芯片的控制下的电力生成器的禁用操作和高电势电源电压的切换操作；

图7示出了指示当低功率模式改变为正常模式时显示面板的电流短暂急剧增加的实验结果；

图8和图9示出了驱动薄膜晶体管（TFT）的电压-电流特性；

图10示出了紧接在低功率模式改变为正常模式之后的预定时间段内垂直消隐期变宽以及电力生成器的软启动时间在变宽的垂直消隐期内受到控制的实验结果；

图11是示出紧接在低功率模式改变为正常模式之后的预定时间段内扫描脉冲的脉冲开始时间与发光控制脉冲的脉冲开始时间同步的波形图；

图12示出了在低功率模式和正常模式下扫描脉冲和发光控制脉冲的定时的变化；以及

图13示出了在紧接在低功率模式改变为正常模式之后的预定时间段内垂直消隐期变宽以及电力生成器的软启动时间在变宽的垂直消隐期内受到控制。

具体实施方式

下面将详细描述本发明的优选实施方式，在附图中例示出了其示例。在可能的情况下，相同的标号在整个附图中代表相同或类似部件。注意，如果确定对现有技术的描述可误导本发明的实施方式，则省略对现有技术的详细描述。

如图1至图3所示，根据本发明实施方式的有机发光二极管（OLED）显示器包括显示面板10、数据驱动器20、扫描驱动器30、电力生成器50和定时控制器40。

显示面板10包括：数据线12，其接收数据电压；扫描线13，其与数据线12交叉，并顺序地接收扫描脉冲SCAN和发光控制脉冲EM；以及像素11，它们以矩阵形式设置。像素11接收高电势电源电压VDDEL作为像素驱动电压。如图2所示，每个像素11都包括多个薄膜晶体管（TFT）、电容器Cb和OLED。像素11响应于扫描脉冲SCAN而初始化，并对驱动TFT DT的阈值电压进行采样。像素11的OLED由于在发光控制脉冲EM的低逻辑时段（或发光时段）期间流过驱动TFT DT的电流而发光。

数据驱动器20在定时控制器40的控制下将数字视频数据RGB转换成伽马补偿电压，并利用伽马补偿电压产生数据电压。数据驱动器20将该数据电压提供给数据线12。扫描驱动器30在定时控制器40的控制下将扫描脉冲SCAN和发光控制脉冲EM提供给扫描线13。

电力生成器50在正常显示数字视频数据RGB的正常模式下被启用以产生用于驱动像素11的高电势电源电压VDDEL。电力生成器50在低功率模式下被禁用以不产生输出。

如果电力生成器50的输出迅速增加，则可由于涌流（inrush current）导致在电池中产生压降。电池的压降可导致其它电路部件出现故障。电力生成器50可利用具有软启动功能的低压差（LDO）稳压器来慢慢地增加其输出，从而防止出现故障。LDO稳压器产生具有与基准电压LDO REF的电势成比例的电势的输出电压。因此，如果基准电压LDO REF以斜坡波形逐渐增加，则从LDO稳压器输出的高电势电源电压VDDEL的电势可逐渐增加，从而实现软启动。可利用斜坡波形的斜率来调整软启动时间。

在正常模式下，定时控制器40将从主机系统60接收到的输入的图像或者图4的先前确定的用户界面图像的数字视频数据提供给数据驱动器20。在低功率模式下，定时控制器40将先前存储在内部存储器中的低功率图像的数据提供给数据驱动器20。例如，如图5所示，低功率图像可以是包括在黑灰度级的背景上显示的时间信息的低亮度图像。另选地，可将低功率图像设置成低功耗地驱动的各种DLP（变暗低功率）图像数据。

定时控制器40从主机系统60接收外部定时信号（诸如垂直同步信号、水平同步信号和时钟），并基于外部定时信号来产生用于控制数据驱动器20和扫描驱动器30的操作定时的定时控制信号。垂直同步信号在启动定时处在一帧周期内产生一次，并且可用将一帧周期与另一帧周期区分开的撕裂效应（TE:Tearing Effect）信号。

主机系统60可连接到外部视频源设备（诸如导航系统、机顶盒、DVD播放器、蓝光播放器、个人计算机、家庭影院系统、广播接收器和电话系统），并可从所述外部视频源设备接收图像数据。主机系统60利用包括嵌入在其中的缩放器的片上系统（SoC）将从外部视频源设备接收到的图像数据或者用户界面图像数据转换成适合于在显示面板10上显示的图像格式。主机系统60将所述图像数据或者所述用户界面图像数据传送到定时控制器40。主机系统60可响应于用户命令、通信待机状态、没有输入数据计数（data no-input count）结果等而把用于将正常模式改变为低功率模式的模式转换命令传送到定时控制器40。

数据驱动器20、扫描驱动器30和定时控制器40可以集成到面板驱动电路芯片100中。

如图2所示，每个像素11包括OLED、6个TFT M1至M5和DT以及电容器Cb。可向每个像素11提供驱动电压（例如，高电势电源电压VDDEL、地电平电压VSS（或GND）或者基准电压VREF）。可将TFT M1至M5和DT实现为p型金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）。

在正常模式下提供给像素11的高电势电源电压VDDEL大于在低功率模式下提供给像素11的高电势电源电压VDDEL。正常模式的高电势电源电压VDDEL与低功率模式的高电势电源电压VDDEL之间的差异太小以至于当低功率模式改变为正常模式时无法迅速改变屏幕亮度。根据实验结果，优选但并强迫的是，该差异等于或小于3.45V。

按照使基准电压VREF与地电平电压GND之差小于OLED的阈值电压的方式设置基准电压VREF。例如，基准电压VREF可设置为大约2V。

当把基准电压VREF施加到OLED的阳极，并且将地电平电压GND施加到OLED的阴极时，因为OLED没有导通，所以OLED不发光。基准电压VREF可设置为负电压，以使得当连接到OLED的驱动TFT DT初始化时可向OLED施加反偏压。在这种情况下，因为向OLED周期性地施加反偏压，所以可减小OLED的劣化。结果，可以增加OLED的寿命。

第一开关TFT MI响应于扫描脉冲SCAN而导通，从而形成第一节点n1与数据线l2之间的电流路径，其中，扫描脉冲SCAN是在图3的第一时间t1和第二时间t2的逻辑低电平产生的。第三开关TFTM3响应于图3的扫描脉冲SCAN而导通，从而形成第二节点n2与第三n3之间的电流路径。因此，第三开关TFTM3将驱动TFTDT操作为二极管。第五开关TFT M5响应于图3的扫描脉冲SCAN而导通，从而向OLED的阳极提供基准电压VREF。在第一开关TFT M1中，源极连接到数据线12，漏极连接到第一节点n1，并且栅极连接到扫描脉冲SCAN被提供到的扫描线13a。在第三开关TFT M3中，源极连接到第二节点n2，漏极连接到第三节点n3，并且栅极连接到扫描脉冲SCAN被提供到的扫描线13a。基准电压VREF被提供给第五开关TFT M5的源极。第五开关TFT M5的漏极连接到OLED的阳极，第五开关TFT M5的栅极连接到扫描脉冲SCAN被提供到的扫描线13a。

第一节点n1连接到第一开关TFT M1的漏极、第二开关TFT M2的漏极以及电容器Cb的一个端子。第二节点n2连接到电容器Cb的另一个端子、驱动TFT DT的栅极以及第三开关TFT M3的源极。第三节点n3连接到第三开关TFT M3的漏极、驱动TFT DT的漏极以及第四开关TFT M4的源极。

第二开关TFT M2和第四开关TFT M4响应于在图3的第二时间t2和第三时间t3的高逻辑电平产生的发光控制脉冲EM而截止，并在剩余时间保持导通状态。基准电压VREF被提供给第二开关TFT M2的源极，并且第二开关TFT M2的漏极连接到第一节点n1。第二开关TFT M2的栅极连接到发光控制脉冲EM被提供到的扫描线13b。第四开关TFT M4的源极连接到第三节点n3，第四TFT M4的漏极连接到OLED的阳极和第五开关TFT M5的漏极。第四开关TFT M4的栅极连接到发光控制脉冲EM被提供到的扫描线13b。

电容器Cb连接在第一节点n1与第二节点n2之间。电容器Cb在图3的第一时间t1对驱动TFT DT的阈值电压进行采样。在第二时间t2之后，电容器Cb向驱动TFT DT的栅极提供数据电压，所述数据电压被补偿为驱动TFT DT的阈值电压的程度。驱动TFT DT接收电容器Cb的电压作为选通电压，并根据被补偿为其阈值电压的程度的数据电压Vdata来调整在OLED中流动的电流量。高电势电源电压VDDEL被提供给驱动TFT DT的源极。驱动TFT DT的漏极连接到第三节点n3，驱动TFT DT的栅极连接到第二节点n2。

OLED的阳极连接到第四开关TFT M4和第五开关TFT M5的漏极，OLED的阴极连接到地电平电压电源GND。在OLED中流动的电流（在等式1中表示为I_OLED）不受到驱动TFTDT的阈值电压或者由下式1指示的高电势电源电压VDDEL的偏差的影响：

I_OLED＝k(Vdata-VREF)²， $k=\frac{1}{2}(\mathrm{\μCoxW}/L)...\left(1\right)$

其中，‘k’是使用驱动TFT DT的迁移率μ、寄生电容Cox和沟道比W/L的函数的常数。

图3的波形是当在正常模式下驱动像素时所获得的波形。在图3中示出的波形中，第一时间t1存在于扫描脉冲SCAN的逻辑电平从高逻辑电平下降到低逻辑电平时的扫描脉冲SCAN的脉冲开始时间（或下降时间）与发光控制脉冲EM的逻辑电平从低逻辑电平上升到高逻辑电平时的发光控制脉冲EM的脉冲开始时间（或上升时间）之间。在正常模式下，扫描脉冲SCAN和发光控制脉冲EM的电压在第一时间t1均为低逻辑电平电压。第一开关TFT M1至第五TFT M5在第一时间t1导通以初始化像素。在时间t1，第一节点n1的电压和OLED的阳极的电压被初始化为基准电压VREF，并且电容器Cb对驱动TFT DT的阈值电压进行采样。

如图6所示，OLED的阴极可通过第六开关TFT M6连接到地电平电压电源GND。第六开关TFT M6可被实现为N型MOSFET（NMOS）。第六开关TFT M6安装在安装有面板驱动电路芯片100的印制电路板（PCB）或挠性印制电路板（FPCB）上。第六开关TFT M6在正常模式和低功率模式下控制OLED的发光定时和不发光定时。在本发明的实施方式中，第六开关TFT M6可不分别连接到像素11。即，一个第六开关TFT M6可公共地连接到所有像素11。在这种情况下，一个第六开关TFT M6可安装在PCB或FPCB上。第六开关TFT M6的源极连接到在显示面板10的各像素11上形成的OLED的阴极，第六开关TFT M6的漏极连接到地电平电压电源GND。第六开关TFT M6的栅极连接到面板驱动电路芯片100的第一低功率模式控制端子GPIO1。当第一低功率模式控制端子GPIO1的输出电压具有高逻辑电平时，第六开关TFT M6保持导通状态，从而将像素11的OLED连接到地电平电压电源GND。当第一低功率模式控制端子GPIO1的输出电压被反转为低逻辑电平时，第六开关TFTM6截止，从而切断像素11的OLED与地电平电压电源GND之间的电流路径。

如图6所示，在低功率模式下，面板驱动电路芯片100切断电力生成器50的输出，并用被降低了二极管101的阈值电压的DC电压DDVDH来代替电力生成器50的输出。面板驱动电路芯片100向像素11提供DC电压DDVDH。如图12所示，面板驱动电路芯片100将低功率模式的帧频（例如，大约10Hz至30Hz）降低到正常模式的帧率（例如，大约60Hz）的1/3，从而减小图像更新周期。因此，降低了功耗。

在正常模式下，面板驱动电路芯片100从内部帧存储器中读出仅包括R数据、G数据和B数据中的每一个的最高有效位（MSB）的像素数据，并在显示面板10上显示低功率图像（例如，图5的低功率图像）。该低功率图像的各个像素数据的24个比特被存储在面板驱动电路芯片100的内部帧存储器中，其中R数据、G数据和B数据中的每一个具有8个比特，因此每个数据是24个比特（=3×8个比特）。另一方面，在低功率模式下，面板驱动电路芯片100读出仅包括R数据、G数据和B数据中的每一个的MSB的低功率图像的像素数据。然后，面板驱动电路芯片100将三个MSB的像素数据转换成模拟伽马补偿电压。因此，在低功率模式下，面板驱动电路芯片100仅利用8个颜色（=2³）来显示低功率图像。在低功率模式下，面板驱动电路芯片100从内部帧存储器SRAM中仅读取三个MSB，并仅对这三个MSB进行伽马校正，从而进一步降低功耗。

在正常模式下，面板驱动电路芯片100在内部帧存储器SRAM上写入视频数据的各个像素数据的24个比特，并读出各个像素数据的24个比特。因此，在正常模式下，面板驱动电路芯片100显示全颜色图像，全颜色图像具有远大于低功率模式下的灰度值的量的灰度值。

图6示出了低功率模式下在面板驱动电路芯片100的控制下电力生成器50的禁用操作及高电势电源电压VDDEL的切换操作。图6仅示出了包括面板驱动电路芯片100、电力生成器50和显示面板的涉及低功率模式下的高电势电源电压VDDEL的切换操作的电路构造的一部分。

如图6所示，面板驱动电路芯片100还包括充电泵CP、第一开关SW1、二极管101等。

充电泵CP接收大约2.3V至4.8V的电池电压VBAT，并将电池电压增加到DC电压DDVDH。从充电泵CP输出的DC电压DDVDH小于正常模式下从电力生成器50输出的高电势电源电压VDDEL。DC电压DDVDH和高电势电源电压VDDEL之间的差等于或小于大约3.45V。

面板驱动电路芯片100利用稳压器将从充电泵CP输出的DC电压DDVDH调整为基准电压VREF，并通过电容器C将调整后的电压提供给显示面板10的各个像素11。

第一开关SW1响应于通过缓冲器102从主机系统60接收到的模式转换命令而导通。第一开关SW1可被实现为N型MOSFET（NMOS），该NMOS包括：漏极，其连接到充电泵CP的输出端子；源极，其连接到二极管101的阳极；以及栅极，其连接到缓冲器102的反相输出端子。模式转换命令可在正常模式下以高逻辑电平产生，并在低功率模式下以低逻辑电平产生。当所述模式转换命令在正常模式下以高逻辑电平产生时，缓冲器102的反相输出电压具有低逻辑电平。在正常模式下，第一开关SW1保持在截止状态，并切断充电泵CP与二极管101之间的电流路径。在低功率模式下，模式转换命令被反转为低逻辑电平，缓冲器102的反相输出电压被反转成高逻辑电平。在低功率模式下，第一开关SW1导通，并在充电泵CP与二极管101之间形成电流路径。第一开关SW1将充电泵CP的输出电压DDVDH提供给二极管101。

面板驱动电路芯片100响应于从主机系统600接收到的模式转换命令反转通过第二低功率控制端子GPIO2输出的启用信号或禁用信号。例如，在正常模式下，面板驱动电路芯片100通过第二低功率控制端子GPIO2输出高逻辑电平的启用/禁用信号，并启用电力生成器50。另一方面，在低功率模式下，面板驱动电路芯片100通过第二低功率控制端子GPIO2输出低逻辑电平的启用/禁用信号，并禁用电力生成器50。

电力生成器50包括连接到面板驱动电路芯片100的第二低功率控制端子GPIO2的使能端子EN、第二开关SW2、第三开关SW3等。在正常模式下，电力生成器50响应于高逻辑电平的启用/禁用信号而被启用，并产生用于驱动显示面板10的像素11的高电势电源电压VDDEL。

电力生成器50通过包括第一电阻器R1和第二电阻器R2的反馈分压电阻器电路来检测输入到反馈端子FB的反馈信号的变化，并调整电力生成器50的输出。即使显示面板10的负载改变，电力生成器也50不变地保持提供给显示面板10的像素11的高电势电源电压VDDEL。

在正常模式下，第二开关SW2响应于高逻辑电平的启用信号将反馈分压电阻器电路的第二电阻器R2连接到地电平电压电源GND。反馈分压电阻器电路的第一电阻器R1连接到显示面板10的高电势电源电压端子以及电容器C。第二开关SW2可被实现为N型MOSFET（NMOS），NMOS包括：源极，其连接到第二电阻器R2；漏极，其连接到地电平电压电源GND；以及栅极，启用/禁用信号通过使能端子EN施加到该栅极。

在低功率模式下，电力生成器50响应于低逻辑电平的禁用信号而被禁用，以不产生输出。此外，在低功率模式下，第二开关SW2响应于低逻辑电平的禁用信号而截止，并切断地电平电压电源GND中的通过反馈分压电阻器电路而流到地电压电源GND的漏电流Ileak，从而降低功耗。

电力生成器50的第三开关SW3可用于将电源电容器C中剩余的电荷放电。在本发明的实施方式中，假设第三开关SW3在正常模式和低功率模式下保持在截止状态。然而，本发明的实施方式不限于此，根据设计目的，各种实施方式是可用的。

当正常模式改变为低功率模式时，电力生成器50的输出（即，高电势电源电压VDDEL）被切断，同时，面板驱动电路芯片100的充电泵CP的输出（即，DC电压DDVDH）通过第一开关SW1和二极管101提供给显示面板10的像素11。相反，当低功率模式改变为正常模式时，面板驱动电路芯片100的输出（即，DC电压DDVDH）被切断，同时，电力生成器50的输出（即，高电势电源电压VDDEL）通过第一开关SW1和二极管101提供给显示面板10的像素11。因此，当低功率模式改变为正常模式时，如图7和图10所示，提供给显示面板的像素11的高电势电源电压VDDEL和显示面板10中流动的电流IPNL增大。

二极管101的阳极连接到第一开关SW1。二极管101的阴极连接到电力生成器50的反馈分压电阻器电路的第一电阻器R1、显示面板101的高电势电源电压端子以及电容器C。优选但非强迫的是，二极管101是可高速工作的肖特基二极管。

如图7所示，当低功率模式改变为正常模式时，高电势电源电压VDDEL增大。当第六开关TFT M6导通时，显示面板10的电流IPNL迅速增大，并且像素11的亮度迅速增加。结果，当低功率模式改变为正常模式时，显示面板10的屏幕亮度短暂地迅速增加。在图7中，‘NMOS’是图6中示出的第一低功率模式控制端子GPIO1的输出电压（即，第六开关TFT M6的控制信号电压）。

当高电势电源电压VDDEL如图7所示增大时，驱动TFTDT在线性区中工作，在线性区中，如图8和图9所示，漏源电流I_DS急剧增大，漏源电流I_DS的增大与栅源电压V_GS的变化差不多。然后，当高电势电源电压VDDEL被不变保持时，驱动TFTDT在饱和区工作。饱和区中的驱动TFTDT的漏源电流I_DS增大并且接着保持在预定电平，漏源电流I_DS的增大与由于正常模式的高电势电源电压VDDEL所导致的栅源电压V_GS增大差不多。因此，当驱动TFT DT在线性区中工作时，电荷在OLED的阳极上迅速累积，并且OLED由于OLED的漏电流而发光。结果，当低功率模式（或DLP模式）改变为正常模式时，因为像素11的亮度短暂地迅速增加，用户可能感觉屏幕闪烁（fiicker）。在图9中，与驱动TFT DT的栅源电压（V_GS）曲线交叉的虚线是像素11的OLED的电流曲线。

当低功率模式改变为正常模式时，像素11的亮度发生迅速变化的主要原因是高电势电源电压VDDEL增加。驱动TFT DT的栅源电压V_GS改变得与高电势电源电压VDDEL的改变量差不多，并且像素11的亮度改变量随着驱动TFT DT的栅源电压V_GS增加而增加。在产生扫描脉冲SCAN的一个水平周期（即，图3的时间t1至t3）期间，可以补偿像素11的高电势电源电压VDDEL的变化。然而，当高电势电源电压VDDEL在剩余的帧周期期间改变时，像素的亮度改变。

根据本发明实施方式的OLED显示器应用以下方法（1）至（5）中的至少一种来防止低功率模式改变为正常模式时用户感知显示面板10的亮度的迅速变化。

（1）紧跟在OLED显示器的操作模式退出低功率模式并改变为正常模式后，OLED显示器将电力生成器50的启用时间与垂直消隐期Vblank同步。电力生成器50的启用时间可由通过第二低功率模式控制端子GPIO2输出的启用信号的定时来控制。在垂直消隐期Vblank期间，没有输入图像，并且没有数据被写入显示面板10的像素11。在图10、图12和图13中，垂直消隐期Vblank对应于帧周期划分信号（即，撕裂效应（TE）信号）的高逻辑电平周期。

在图12中，‘13h’是从主机系统60传送到面板驱动电路芯片100的正常模式开始命令代码。‘38h’是从主机系统60传送到面板驱动电路芯片100的低功率模式关闭（PIM/DLP/Idle（空闲）模式关闭）命令代码。响应于命令代码13h和38h，面板驱动电路芯片100的操作模式从低功率模式改变为正常模式。

（2）紧跟在OLED显示器的操作模式退出低功率模式并改变为正常模式之后，垂直消隐期Vblank变宽达预定时段，并且在变宽的垂直消隐期Vblank中，电力生成器50的输出（即，高电势电源电压VDDEL）增加到正常模式的目标电势。在正常模式下，在紧接在低功率模式改变为正常模式之后的预定时间段后，如图13所示，垂直消隐期Vblank的宽度可减小为垂直消隐期Vblank2。此外，在低功率模式下，垂直消隐期Vblank的宽度可减小到垂直消隐期Vblank2。在图13中，垂直消隐期Vblank的宽度可设置成垂直消隐期Vblank2的宽度的大约2倍。紧随在OLED显示器的操作模式退出低功率模式并改变为正常模式之后，在预定时间段内存在电力生成器50的软启动时间Tss（参见图13），在该软启动时间Tss中，电力生成器50的输出（即，高电势电源电压VDDEL）增加。例如，如图12所示，该预定时间段可设置为正常模式的两个帧周期。另选地，该预定时间段可设置为一个至五个帧周期。

（3）在图3的初始时间t1，像素11的所有开关TFT导通，并且当高电势电源电压VDDEL迅速增加时，异常高的电流在OLED中流动。因此，像素11的亮度可迅速增加。因此，紧随在OLED显示器的操作模式退出低功率模式并且改变为正常模式之后，把其中以逻辑低电平产生扫描脉冲SCAN和发光控制脉冲EM二者的电压的初始时间t1省略预定时段。为此，如图11和图12所示，紧跟在OLED显示器的操作模式退出低功率模式并且改变为正常模式之后，OLED显示器将扫描脉冲SCAN的脉冲开始时间与发光控制脉冲EM的脉冲开始时间同步达预定时段。

如图3所示，在低功率模式中以及在经过预定时间后的正常模式中，扫描脉冲SCAN的脉冲开始时间与发光控制脉冲EM的脉冲开始时间之间存在时间差。即，扫描脉冲SCAN的脉冲开始时间早于发光控制脉冲EM的脉冲开始时间。该时间差被设置为像素11的初始时间t1。

（4）根据实验结果，当低功率模式改变为正常模式时，当如下面表1和图13所指示的高电势电源电压VDDEL的改变宽度等于或者小于大约3.45V时，观测者不能察觉到亮度的迅速变化。优选但并非强迫的是，低功率模式下的高电势电源电压VDDEL比正常模式下的高电势电源电压VDDEL小等于或大于大约2.7V的改变宽度，以充分获得降低功耗的效果。因此，低功率模式的高电势电源电压VDDEL与正常模式的高电势电源电压VDDEL之差必须设置成大约2.7V至3.45V，以满足低功率模式下降低功耗的效果以及当低功率模式改变为正常模式时防止像素11的亮度迅速变化的效果。

当正常模式下的高电势电源电压VDDEL小于大约8V时，正常模式下的亮度不充分，像素11可能不正常工作。鉴于此，正常模式下的高电势电源电压VDDEL必须设置为大约8V至10V，低功率模式的高电势电源电压VDDEL与正常模式的高电势电源电压VDDEL之差必须设置为大约2.7V至3.45V。

[表1]

（5）当低功率模式改变为正常模式时在像素中流动的电流量的迅速增加与高电势电源电压VDDEL的改变时间成比例。根据实验结果，当如下面表2所指示的电力生成器50的软启动时间Tss（参见图13）等于或小于大约2ms时，防止了像素11的亮度的迅速改变。因此，电力生成器50的软启动时间Tss必须存在于垂直消隐期Vblank内，并被设置为大约0并等于或小于大约2ms。

[表2]

软启动时间Tss	亮度的异常变化
		500μs	没有发生
1ms	没有发生
		1.5ms	没有发生
1.75ms	没有发生

2ms	没有发送
		2.5ms	发生

如上所述，紧跟在根据本发明实施方式的OLED显示器的操作模式从低功率模式改变为正常模式之后，OLED显示器将电力生成器的启动时间控制在垂直消隐期内，并将电力生成器的软启动时间控制在垂直消隐期内。结果，当低功率模式改变为正常模式时，根据本发明实施方式的OLED显示器可防止像素亮度的迅速变化。

尽管参照多个示例性实施方式描述了实施方式，应理解的是本领域技术人员可建议落入本公开的原理的精神和范围内的许多其它修改和实施方式。更具体地，在本公开、附图以及所附的权利要求的范围内，在主题组合设置的组成部分和/或设置中可以做出各种变型和修改。除了组成部分和/或设置中的变型和修改之外，替换使用对于本领域技术人员也是明显的。

本申请要求于2011年9月29日提交的韩国专利申请No.10-2011-0099237的优先权，为了本文充分阐述的目的，该申请的整个内容通过引用包含于此。

Claims (6)

1.一种有机发光二极管显示器，该有机发光二极管显示器包括：

显示面板，其包括数据线、与所述数据线交叉并接收扫描脉冲和发光控制脉冲的扫描线以及多个像素，所述多个像素中的每一个包括有机发光二极管，并且所述多个像素按照矩阵形式设置；

电力生成器，其在正常模式下被启用以产生用于驱动所述显示面板的高电势电源电压，而在低功率模式下被禁用；以及

面板驱动电路，其驱动所述显示面板的所述数据线和所述扫描线，在所述低功率模式下禁用所述电力生成器以切断所述电力生成器的输出，并且在所述低功率模式下将小于所述高电势电源电压的内部电力提供给所述显示面板以减小所述高电势电源电压，

其中，紧随在所述低功率模式改变为所述正常模式之后，所述电力生成器的启用时间和所述电力生成器的软启动时间存在于垂直消隐期内，

其中，紧跟在所述低功率模式改变为所述正常模式之后，所述扫描脉冲的逻辑电平从高逻辑电平改变为低逻辑电平时的所述扫描脉冲的脉冲开始时间与所述发光控制脉冲的逻辑电平从低逻辑电平改变为高逻辑电平时的所述发光控制脉冲的脉冲开始时间同步预定时段。

2.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中所述多个像素中的每一个包括：

第一开关，其响应于通过第一扫描线提供的低逻辑电平的所述扫描脉冲而在所述数据线与第一节点之间形成电流路径；

第二开关，其响应于通过第二扫描线提供的高逻辑电平的所述发光控制脉冲而截止，在剩余时间保持在导通状态，并且向所述第一节点提供基准电压；

第三开关，其响应于所述扫描脉冲而在第二节点与第三节点之间形成电流路径；

第四开关，其响应于所述发光控制脉冲而截止，在剩余时间保持在导通状态，并且在所述第三节点与所述有机发光二极管的阳极之间形成电流路径；

第五开关，其响应于所述扫描脉冲而将所述基准电压提供给所述有机发光二极管的所述阳极；

驱动元件，其包括连接到所述第二节点的栅极、被提供所述高电势电源电压的源极以及连接到所述第三节点的漏极；

电容器，其连接在所述第一节点与所述第二节点之间；以及

所述发光二极管，其连接在所述第四开关与地电平电压电源之间。

3.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中，在所述低功率模式中以及在经过所述预定时段的所述正常模式中，所述扫描脉冲的所述脉冲开始时间与所述发光控制脉冲的所述脉冲开始时间之间存在差异，

其中所述扫描脉冲的所述脉冲开始时间早于所述发光控制脉冲的所述脉冲开始时间。

4.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中当所述低功率模式改变为所述正常模式时，所述高电势电源电压的改变宽度被设置为2.7V至3.45V。

5.根据权利要求4所述的有机发光二极管显示器，其中所述正常模式下的所述高电势电源电压是8V至10V。

6.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中所述电力生成器的所述软启动时间大于0并且等于或小于2ms。