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CN102998862B - 阵列基板及液晶显示面板 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种阵列基板，包括由多条在行方向上设置的栅极线和多条在列方向上设置的数据线相交限定的多个呈矩阵排列的像素单元；所述像素单元包括第一像素单元和第二像素单元，所述第一像素单元在边缘区域设置有反射电极，所述第二像素单元在边缘区域设置有透射电极。采用本发明提供的阵列基板，可提高阵列基板以及使用该阵列基板的液晶显示面板的光的透过率。

Description

阵列基板及液晶显示面板
技术领域
本发明涉及液晶显示领域，尤其涉及一种阵列基板及包含该阵列基板的液晶显示面板。
背景技术
液晶显示装置，具有低压、微功耗、显示信息量大、易于彩色化等优点，现已广泛应用于电子计算机、电子记事本、移动电话、摄像机、高清电视机等电子设备中。液晶显示装置通常包括用于显示画面的液晶显示面板和用于向液晶显示面板提供信号的电路部分。液晶显示面板通常包括薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)阵列基板和上基板，及阵列基板与上基板之间的液晶物质。
与阴极射线管或等离子体显示装置不同，液晶显示面板自身并不发光，而是通过调制外界光达到显示目的，即依靠对外界光的反射和透射形成不同对比度达到显示目的。
根据外界光的来源不同，液晶显示面板分透射和反射两种模式。透射式液晶显示面板利用液晶显示装置自带的背光所发出的光线进行显示，这种显示模式的缺点是：背光源需处于常开状态功耗大，且当液晶显示装置在户外使用时，图像会受外界光的影响，造成图像不能清晰显示。与透射模式不同地，反射式液晶显示面板通过反射外界光并对其进行调制而显示图像，此种模式的优点是极大地降低了功耗，但也存在缺点，例如外界光必须足够强。综合以上两种显示模式，技术人员开发了半透过半反射型液晶显示面板，其在一个像素内具有透射区域与反射区域，背光经过透射区域利用透射模式，外界光经过反射区域利用反射模式，因此，半透过半反射型液晶显示面板在户外可读性及降低功耗方面均有着极大的优势。
在薄膜晶体管阵列基板上，多条视频信号线(也称数据线)和多条扫描线(也称栅极线)交叉设置，由这些视频信号线和扫描线划分出多个区域。各个区域内设置有用于将视频信号有选择地提供给像素单元的开关元件TFT与像素电极，由此构成像素单元。
现有技术中，半透过半反射型液晶显示面板的薄膜晶体管阵列基板上，一般每个像素单元都为反射电极围绕透射电极，因此，相邻像素单元的反射电极相邻，同时由于两者由同一层导电层构成，为了避免相邻两个像素单元之间的短路问题，一般将两个像素单元的反射电极间隔开一定距离。但这样的薄膜晶体管阵列基板结构会导致反射区域与透射区域的面积总和减小，以致反射区域或透射区域面积减小，以上任意一个区域面积的减小都会引起光的利用率(开口率)降低。
有鉴于此，实有必要提出一种新的阵列基板及包含该阵列基板的液晶显示面板，以解决现有的薄膜晶体管阵列基板所引起的光的利用率(开口率)低的问题。
发明内容
本发明解决的问题是提出一种新的阵列基板及包含该阵列基板的液晶显示面板，以解决现有的薄膜晶体管阵列基板的光的利用率(开口率)低的问题。
为解决上述问题，本发明提供一种阵列基板，包括由多条在行方向上设置的栅极线和多条在列方向上设置的数据线相交限定的多个呈矩阵排列的像素单元；所述像素单元包括第一像素单元和第二像素单元，所述第一像素单元在边缘区域设置有反射电极，所述第二像素单元在边缘区域设置有透射电极。
可选地，至少有一个第一像素单元和第二像素单元相邻设置。
可选地，所述相邻设置的第一像素单元的反射电极和第二像素单元的透射电极之间设置有绝缘层。
可选地，所述第一像素单元成行排列，所述第二像素单元也是成行排列，所述第一像素单元行和第二像素单元行在行方向上间隔设置。
可选地，所述第一像素单元成列排列，所述第二像素单元也是成列排列，所述第一像素单元列和第二像素单元列在列方向上间隔设置。
可选地，所述第一像素单元和第二像素单元在行和列的方向上都是间隔设置的。
可选地，驱动第一像素单元行的栅极线设置于该行各第一像素单元边缘区域的反射电极的下方。
可选地，驱动第二像素单元行的栅极线设置于其相邻的第一像素单元行的各第一像素单元边缘区域的反射电极的下方。
可选地，第一像素单元行的公共电极线设置于该行各第一像素单元边缘区域的反射电极的下方。
可选地，第二像素单元行的公共电极线设置于其相邻的第一像素单元行的各第一像素单元边缘区域的反射电极的下方。
可选地，驱动第一像素单元列的数据线设置于该列各第一像素单元边缘区域的反射电极的下方。
可选地，驱动第二像素单元列的数据线设置于其相邻的第一像素单元列的各第一像素单元边缘区域的反射电极的下方。
可选地，所述多条栅极线呈折线设置，在相邻两行像素单元中多个第一像素单元边缘区域的反射电极下方平行设置，在相邻两行像素单元中的边角相邻的两个第一像素单元的相邻边角处偏折连接。
可选地，所述多条数据线呈折线设置，在相邻两列像素单元中多个第一像素单元边缘区域的反射电极下方平行设置，在相邻两行像素单元中的边角相邻的两个第一像素单元的相邻边角处偏折连接。
可选地，所述第一像素单元和第二像素单元还包括薄膜晶体管。
可选地，控制第一像素单元的薄膜晶体管设置于其边缘区域的反射电极下方。
可选地，控制第二像素单元的薄膜晶体管设置于相邻的第一像素单元边缘区域的反射电极下方。
可选地，所述第一像素单元和第二像素单元还包括存储电容。
可选地，所述第一像素单元的存储电容设置于其边缘区域的反射电极下方。
可选地，所述第二像素单元的存储电容设置于相邻的第一像素单元边缘区域的反射电极下方。
可选地，所述存储电容的上极板为薄膜晶体管的漏极，所述存储电容的下级板为公共电极线。
可选地，所述第一像素单元的中间区域设置有反射电极。
可选地，所述第一像素单元的中间区域的反射电极和其边缘区域的反射电极由同一反射金属层形成，并且直接相连。
可选地，所述第一像素单元的中间区域设置有透射电极。
可选地，所述第一像素单元的中间区域的透射电极形状为圆形、矩形或菱形。
可选地，所述第一像素单元的中间区域的透射电极和其边缘区域的反射电极电连接。
可选地，第一像素单元的透射电极和反射电极之间设置有机膜，调整反射电极部分的盒厚为透射电极部分的盒厚的一半。
可选地，所述多个第一像素单元的透射电极面积都相等。
可选地，第二像素单元边缘区域的透射电极面积和第一像素单元中间区域的透射电极面积相等。
可选地，所述第二像素单元的中间区域设置有透射电极。
可选地，所述第二像素单元的透射电极和其边缘的透射电极为同一透明导电层形成，并且直接相连。
可选地，所述第二像素单元的中间区域设置有反射电极。
可选地，所述第二像素单元的中间区域的反射电极形状为圆形、矩形或菱形。
可选地，所述第二像素单元的中间区域的反射电极和其边缘区域的透射电极电连接。
可选地，第二像素单元的透射电极和反射电极之间设置有有机膜，调整反射电极部分的盒厚为透射电极部分的盒厚的一半。
可选地，所述多个第二像素单元的反射电极面积都相等。
可选地，第一像素单元边缘区域的反射电极的面积和第二像素单元中间区域的反射电极的面积相等。
可选地，所述第一像素单元与第二像素单元的透射电极面积都相等，所述第一像素单元与第二像素单元的反射电极面积都相等。
本发明还提供一种液晶显示面板，包含如上所述的阵列基板。
可选地，还包括彩膜基板，所述彩膜基板只设置多个彩色光阻、平坦化层以及彩膜基板公共电极，所述多个彩色光阻分别与多个像素单元相对应。
附图说明
图1是本实施例一提供的阵列基板的俯视图；
图2是本实施例二提供的阵列基板的栅极线与公共电极线分布示意图；
图3是本实施例二提供的阵列基板的数据线与薄膜晶体管的源极和漏极分布示意图；
图4是本实施例二提供的阵列基板的薄膜晶体管的漏极对应的过孔分布示意图；
图5是本实施例二提供的阵列基板的俯视图；
图6是图5所示的阵列基板沿A-A直线剖视示意图；
图7是本实施例三提供的阵列基板的俯视图；
图8是本实施例三提供的阵列基板的栅极线与公共电极分布示意图；
图9是本实施例三提供的阵列基板的数据线与薄膜晶体管的源极和漏极分布示意图；
图10是本实施例三提供的薄膜晶体管的漏极对应的过孔分布示意图；
图11是本实施例四的阵列基板的栅极线与公共电极线分布示意图；
图12是本实施例四的阵列基板的数据线与薄膜晶体管的源极和漏极分布示意图；
图13是本实施例四的薄膜晶体管的漏极对应的过孔分布示意图；
图14是本实施例四提供的阵列基板的俯视图；
图15是图14中的区域Q的放大结构示意图。
具体实施方式
正如背景技术中所述，现有的半透过半反射型液晶显示面板的阵列基板，其每个像素单元都为反射电极围绕透射电极，因此，相邻像素单元的反射电极相邻，由于两者为同层金属形成，因此为了避免相邻两个像素单元的反射电极的短路，需将两个像素单元的反射电极间隔一定距离以达到绝缘效果。
本发明的发明人提出一种新的半透过半反射型液晶显示面板的阵列基板，可减小相邻像素单元间的距离，从而可以提高像素单元的开口率。
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。由于重在说明本发明的原理，所以没有按比例制图。
实施例一
阵列基板包括由多条在行方向上设置的栅极线和多条在列方向上设置的数据线相交限定的多个呈矩阵排列的像素单元；所述像素单元包括第一像素单元和第二像素单元，所述第一像素单元在边缘区域设置有反射电极，所述第二像素单元在边缘区域设置有透射电极。
参考图1，为描述方便，本实施例一以两个第一像素单元11和12、两个第二像素单元13和14为例，其它区域可以为该四个像素单元在行与列方向的重复或者其他排列方式。其中，第一像素单元11和第二像素单元13相邻设置，第一像素单元12和第二像素单元14也是相邻设置的。
如图1所示，在本实施例一中，第一像素单元11的中间区域设置有反射电极，并且和其边缘区域的反射电极为同一金属层并在同一工艺步骤中形成，共同组成了第一像素单元11的反射电极110；同样，第一像素单元12中间区域和边缘区域的反射电极也是同步形成的，共同组成了第一像素单元12的反射电极120。
同时，第二像素单元13的中间区域设置有透射电极，并且和其边缘区域的透射电极为同一透明导电层并在同一工艺步骤中形成，共同组成了第二像素单元13的透射电极130；同样地，第二像素单元14中间区域和边缘区域的透射电极也是同步形成的，共同组成了第二像素单元14的透射电极140。
在第一像素单元11和第二像素单元13相邻的边缘处设置有绝缘层，用于将反射电极110和透射电极130电绝缘。具体地，透射电极130位于下层，透射电极130的上层设置有绝缘层，然后在绝缘层的上层设置反射电极110，依此实现透射电极130和反射电极110两层之间的电绝缘。同理，在第一像素单元12和第二像素单元14的边缘处也设置有绝缘层，用于将反射电极120和透射电极140电绝缘。
通过以上设计可以使得相邻的第一像素单元与第二像素单元之间都是反射电极和透射电极相邻。反射电极一般为金属层，透射电极一般为透明导电层比如为氧化铟锡层，反射电极和透射电极不在同一层上，并且反射电极和透射电极之间间隔有绝缘层使其相互绝缘。因此，相邻的第一像素单元与第二像素单元之间不用间隔一定的距离，相邻的第一像素单元与第二像素单元的边缘区域的透射电极和边缘区域的反射电极可以直接相邻甚至还可以有一部分的叠加，在提高了显示开口率的基础上还降低了对制程工艺精度的要求。
实施例二
图2至图5为本发明实施例二的阵列基板不同层的结构示意图，图6是图5中的阵列基板沿A-A直线剖视示意图。为使本实施二所示的阵列基板中的数据线、栅极线、薄膜晶体管及存储电容的布置更为清楚，以下结合图2-图6做详细说明。
首先，请参考图5，图5为本发明实施二提供的阵列基板的俯视图，如图所示，本发明实施例二提供的阵列基板包括四个像素单元：第一像素单元1100、第一像素单元1200、第二像素单元1300和第二像素单元1400。第一像素单元排列成行，图中只示意出两个第一像素单元，还可以包括其他和第一像素单元1100、第一像素单元1200在一行上排列的其它第一像素单元；第二像素单元排列成行，图中也只示意出两个第二像素单元，还可以包括其他和第二像素单元1300、第二像素单元1400在一行上排列的其它第二像素单元；并且，第一像素单元行和第二像素单元行在行方向上为间隔设置。
第一像素单元1100的边缘区域设置有反射电极1102，中间区域设置有呈矩形的透射电极1101，并且所述反射电极1102和透射电极1101是电连接的；第一像素单元1200的边缘区域设置有反射电极1202，中间区域设置有呈矩形的透射电极1201，并且所述反射电极1202和透射电极1201也是电连接的。所述透射电极1201和1101还可以为菱形或圆形等其他形状。
第二像素单元1300的边缘区域设置有透射电极1301，中间区域设置有呈矩形的反射电极1302，并且所述反射电极1302和透射电极1301是电连接的；第二像素单元1400的边缘区域设置有透射电极1401，中间区域设置有呈矩形的反射电极1402，并且所述反射电极1402和透射电极1401也是电连接的。所述反射电极1302和1402还可以为菱形或圆形等其他形状。
作为优选实施方式，本实施例二中的各反射电极面积相等，各透射电极的面积也相等，可提高显示的均匀性。
驱动第一像素单元行的栅极线设置于该行各第一像素单元边缘区域的反射电极的下方，被反射电极所遮挡。结合图2与图5所示，驱动第一像素单元行的栅极线1135在第一像素单元1100和1200内的部分设置于第一像素单元1100边缘区域的反射电极1102和第一像素单元1200边缘区域的反射电极1202下方，图中只示出了两个第一像素单元，同理，当第一像素单元在该行方向上重复时，控制该第一像素单元行的栅极线设置于该行各第一像素单元边缘的反射电极的下方，即该栅极线完全被反射电极遮盖住。
驱动第二像素单元行的栅极线设置于其相邻的第一像素单元行的各第一像素单元边缘区域的反射电极的下方，被所述反射电极所遮挡。如图2和图5，驱动第二像素单元1300和1400的栅极线1136设置于其相邻的第一像素单元行的第一像素单元1100边缘区域的反射电极1102和第一像素单元1200边缘区域的反射电极1202的下方。当第二像素单元在该行方向上重复时，控制该第二像素单元行的栅极线设置于其相邻的第一像素单元行的各第一像素单元边缘区域的反射电极的下方，即该栅极线完全被相邻行的反射电极遮盖住。
栅极线1135和1136如此布置是为了提高像素单元的开口率。具体地，因为栅极线为金属布线，在现有技术的常规设计中都是要占用一定开口率的，从而影响了显示面积。在本发明中，通过以上设置可以大大减小栅极线所占用的显示面积。
参考图3与图5所示，在形成栅极线以及栅极绝缘层后形成数据线。第一像素单元1100与第二像素单元1300为同一数据线1155驱动；类似地，第一像素单元1200与第二像素单元1400为同一数据线1156驱动。数据线1155和1156在第一像素单元1100和1200内部的部分设置于第一像素单元1100边缘区域的反射电极1102和第一像素单元1200边缘区域的反射电极1202下方，并被所述反射电极所遮挡。在本实施例中除了位于第二像素单元1300和1400内部的数据线会影响像素单元的开口率外，整体上相对现有技术的常规设计减小了数据线所占用的开口率。
各像素单元内还设置有薄膜晶体管，在常规设计中，控制像素单元的薄膜晶体管也是要占用一定的开口率。为了进一步提高开口率，本实施例二提供的阵列基板中，驱动第一像素单元的薄膜晶体管设置于其边缘区域的反射电极下方，驱动第二像素单元的薄膜晶体管设置于其相邻的第一像素单元边缘区域的反射电极下方。
具体地，请参考图2、图3和图5，以相邻设置的第一像素单元1100和第二像素单元1300为例，驱动第一像素单元1100的薄膜晶体管1103设置于其边缘区域的反射电极1102的下方，驱动第二像素单元1300的薄膜晶体管1303也设置于第一像素单元1100边缘区域的反射电极1102的下方。
薄膜晶体管1103和1303分别包括栅极、栅极绝缘层、半导体层、源极和漏极。具体地，薄膜晶体管1103的栅极1131由栅极线1135的一部分向第一像素单元1100的内部延伸形成；薄膜晶体管1303的栅极1133由栅极线1136的一部分向第一像素单元1100的内部延伸形成。薄膜晶体管1103和1303的源极1151、1153分别由数据线1155向第一像素单元1100的内部延伸至分别于与栅极1131、1133交叠处形成。在形成源极1151、1153的同时还形成有薄膜晶体管1103的漏极1161和薄膜晶体管1303的漏极1163，所述漏极1161和栅极1131有交叠，所述漏极1163和栅极1133有交叠。
参考图4和图5，在图3所示结构上形成钝化层119，并分别在位于第一像素单元1100的漏极1161、第二像素单元1300的漏极1163上的钝化层119内开过孔1171和1173。所述过孔1171将透射电极1101和漏极1161电连接，所述过孔1173将透射电极1301和漏极1163电连接。
阵列基板在与上基板(例如彩膜基板)共同控制液晶分子的过程中，阵列基板与上基板的等效电路为一电容，称为液晶电容；但液晶电容无法将电压保持到数据线下一次更新图像画面时，换句话说，当薄膜晶体管对液晶电容充好电后，液晶电容无法将这个电压保持住直到薄膜晶体管再次对此像素单元进行充电时。由于电压的变化会导致液晶显示的变化，因此，在阵列基板上，一般还需要设置存储电容，用以将电压保持住直到薄膜晶体管再次对此像素单元进行充电。
为了提高像素单元的开口率，本实施例二中，将存储电容设置在像素单元的反射电极下方。具体地，请参考图2至图6，在本实施例中，所述第一像素单元1100的存储电容以及与其相邻的第二像素单元1300的存储电容都形成在第一像素单元1100边缘区域的反射电极1102下方；所述第一像素单元1200的存储电容以及与其相邻的第二像素单元1400的存储电容都形成在第一像素单元1200边缘区域的反射电极1202下方。
在阵列基板的制作过程中，栅极线一般位于玻璃基板的表面，与栅极线同层的还有公共电极线114。公共电极线114可以作为存储电容的下极板。存储电容的上极板可以为薄膜晶体管的漏极。因为存储电容不占用开口率，在反射电极面积允许的范围内可以设置较大的存储电容，以提高像素单元对电位的保持能力。
如图6所示结构是沿图5中的A-A直线的剖视图，以相邻设置的第一像素单元1100和第二像素单元1300为例，第一像素单元1100内，公共电极线114和漏极1161形成第一像素单元1100的存储电容，公共电极线114和漏极1163形成第二像素单元1300的存储电容。第一像素单元1100内，在透射电极1101及钝化层119上形成有机膜120，有机膜120上设置有反射电极1102，反射电极1102与透射电极1101电连接；同时，在第一像素单元1100的反射电极1202与列方向相邻的第二像素单元1300的透射电极1301之间同时也形成有机膜120。
在像素单元的内部，有机膜的作用是调节反射电极处的盒厚为透射电极处的盒厚的一半，可以对光程差起到调节作用；同时，在像素单元的边缘处相邻的反射电极和透射电极可能会出现部分交叠，以及第二像素单元的薄膜晶体管是设置相邻的第一像素单元的反射电极下方的，如图5所示，第二像素单元1300的薄膜晶体管1303设置在第一像素单元1100边缘区域的反射电极1102的下方，第二像素单元1300的透射电极1301需要有一部分延伸至第一像素单元1100的反射电极1102的下方与薄膜晶体管1303的漏极1163连接，所以反射电极1102和透射电极1301也会存在一分部交叠。有机膜可以使边缘区域的透射电极和反射电极电绝缘，相当于实施例一中的绝缘层，即实施例二中的绝缘层为有机膜，并且有机膜120的厚度一般在200μm左右，可以保证以上两处交叠带来的串扰干扰很小，不会对阵列基板的工作造成影响。
实施例三
本实施例三与实施例二的区别在于：第一像素单元与第二像素单元都成列排列，且第一像素单元列和第二像素单元列在列方向上间隔设置。
具体地，在列方向上间隔设置的第一像素单元列和第二像素单元列形成的阵列基板的俯视图如图7所示，第一像素单元2100的中间区域也设置有反射电极，该中间区域的反射电极与第一像素单元2100边缘区域的反射电极由同一反射金属层形成，并且连接在一起形成反射电极2012；第一像素单元2300的设置和第一像素单元2100相同。第二像素单元2200的中间区域也设置有透射电极，该中间区域的透射电极与第二像素单元2200边缘区域的透射电极由同一透明导电层形成，并且连接在一起形成透射电极2201；第二像素单元2400的设置和第二像素单元2200相同。
第一像素单元与第二像素单元成列排列并间隔设置会使得阵列基板中的数据线、栅极线、薄膜晶体管及存储电容的布置与实施例二有区别，以下结合图7-图10做详细说明。
参考图7与图9所示，驱动第一像素单元列(图中只示出了第一像素单元2100和第一像素单元2300)的数据线2155设置于该列各第一像素单元边缘区域的反射电极下方(图中只示出了反射电极2102和反射电极2302)。驱动第二像素单元列(图中只示出了第二像素单元2200和第二像素单元2400)的数据线2156设置于相邻的第一像素单元列的反射电极下方(图中只示出了反射电极2102和反射电极2302)。通过以上设置，各数据线设置于第一像素单元列的反射电极的下方，被反射金属所遮挡，可以不占用透光面积，大大提高了开口率。
与实施例二类似地，控制第一像素单元的薄膜晶体管设置于其边缘区域的反射电极下方，控制第二像素单元的薄膜晶体管设置于其相邻的第一像素单元边缘区域的反射电极下方。本实施例三中，如图所示，驱动第一像素单元2100的薄膜晶体管2103设置于其反射电极2102的下方，驱动第二像素单元2200的薄膜晶体管2203也设置于第一像素单元2100的反射电极2102的下方。
具体地，薄膜晶体管分别包括栅极、栅极绝缘层、半导体层、源级和漏极。栅极2131、2132分别由栅极线213的一部分向第一像素单元2100的内部延伸形成；源极2151由驱动第一像素单元2100的数据线2155向第一像素单元2100的内部延伸形成；源极2152由驱动第二像素单元2200的数据线2156向第一像素单元2100的内部延伸形成。在形成源级的同时还形成有漏极2161和2261.
参考图10，在图9所示结构上形成钝化层，并在钝化层内形成通过孔2171，用于将反射电极2102和漏极2161电连接；还形成过孔2271，用于将透射电极2201和其漏极2261电连接。
与实施例二类似地，第一像素单元的存储电容设置在其边缘区域的反射电极下方，第二像素单元的存储电容设置在相邻的第一像素单元边缘区域的反射电极下方。具体地，请参考图7至图10，在本实施例中，所述第一像素单元2100的存储电容以及与其相邻的第二像素单元2200的存储电容都形成在第一像素单元2100的反射电极2102下方；所述第一像素单元2300的存储电容以及与其相邻的第二像素单元2400的存储电容都形成在第一像素单元2300的反射电极2302下方。
与实施例二类似地，本实施例三中，第一像素单元的中间区域也设置为反射电极，第二像素单元的中间区域也设置为透射电极的替换方案可以为：第一像素单元的中间区域设置为透射电极，第二像素单元的中间区域设置为反射电极，可进一步提高显示的效果。
实施例四
本实施例四提供的阵列基板中的第一像素单元与第二像素单元在行和列的方向上都是间隔设置的，换句话说，与第一像素单元在上、下、左、右四个方向上相邻的像素单元都为第二像素单元，与第二像素单元在上、下、左、右四个方向上相邻的像素单元也都为第一像素单元。
具体地，参照图14所示，本实施例四提供的阵列基板包括第一像素单元3100、3300、3500、3700、3900和第二像素单元3200、3400、3600、3800，所述第一像素单元与第二像素单元在行和列的方向上都是间隔设置的。通过以上设计可以使得与第一像素单元在上、下、左、右四个方向上相邻的像素单元都为第二像素单元，与第二像素单元在上、下、左、右四个方向上相邻的像素单元也都为第一像素单元。比如，第一像素单元3500在其上、下、左、右四个方向分别与第二像素单元3200、3800、3400和3600相邻；第二像素单元3600在其上、下、左三个方向分别与第一像素单元3300、3900和3500相邻，第二像素单元3600的右边也与一个第一像素单元相邻，图上未示出。
本实施例四提供的阵列基板，与第一像素单元在上、下、左、右四个方向上相邻的像素单元都为第二像素单元，与第二像素单元在上、下、左、右四个方向上相邻的像素单元也都为第一像素单元，所以在四个方向都是反射电极和透射电极直接相邻的。又因为，反射电极为金属，透射电极为透明导电物质比如为氧化铟锡，反射电极和透射电极不在同一层上，并且反射电极和透射电极之间间隔有绝缘层使其相互绝缘，因此，四个方向上相邻的像素单元之间不用间隔一定的距离，相邻的像素单元的边缘区域的透射电极和边缘区域的反射电极可以直接相邻甚至还可以有一部分的叠加，在提高了显示开口率的基础上还降低了对制程工艺精度的要求。
第一像素单元与第二像素单元在行和列的方向上都是间隔设置的会使得阵列基板中的数据线、栅极线、薄膜晶体管及存储电容的布置与实施例二、三有区别，以下结合图11-图15做详细说明，其中，图12-图14为阵列基板3不同层的结构示意图，图15是图14中的区域Q的放大结构示意图。
结合图11和图14，所述多条栅极线呈折线设置，在相邻两行像素单元中多个第一像素单元的边缘区域的反射电极下方平行设置，在相邻两行像素单元中的边角相邻的两个第一像素单元的相邻边角处偏折连接。具体地，如栅极线313在第一像素单元3100边缘区域的反射电极3102的下方、第一像素单元3500边缘区域的反射电极3502的下方以及第一像素单元3300边缘区域的反射电极3302的下方为平行设置的多段；栅极线313在相邻两行像素单元中的边角相邻的第一像素单元3100和3500的相邻边角处偏折连接，将平行设置于反射电极3102下方和反射电极3502下的两部分连接，在边角相邻的第一像素单元3500和3300相邻的边角处偏折连接，将平行设置于反射电极3502下方和反射电极3302下的两部分连接。在本发明中，通过以上设置可以大大减小栅极线313所占用的面积，在本实施例中，栅极线313只在第二像素单元3200、3400和3600，的透射电极3201、3401、3601边角处占用很小的开口率，和现有技术相比可大大提高显示面积。
相应地，数据线也可以采用与此相同的方法设置，所述多条数据线呈折线设置，在相邻两列像素单元的多个第一像素单元边缘区域的反射电极下方平行设置，在相邻两行像素单元中边角相邻的两第一像素单元的相邻的边角处偏折连接。具体地，请参考图12和图14，数据线315在行的方向上呈折线设置，所述数据线315在第一像素单元3100边缘区域的反射电极3102的下方、第一像素单元3500边缘区域的反射电极3502的下方以及第一像素单元3800的反射电极3802的下方都是平行设置的；所述数据线315在边角相邻的第一像素单元3100、第一像素单元3500的相邻的边角处偏折，在边角相邻的第一像素单元3500、第一像素单元3700的相邻的边角处偏折，将平行的部分连接在一起。数据线315的偏折部分和栅极线313的偏折部分在透光方向上可以重合，不单独占用开口率(如图15所示)。
为了进一步提高开口率，本实施例四提供的阵列基板将控制第一像素单元的薄膜晶体管设置于其边缘区域的反射电极下方；控制第二像素单元的薄膜晶体管设置于相邻的第一像素单元边缘区域的反射电极下方。
具体地，请参考图11至图14，以位于同一行相邻的第一像素单元3100和第二像素单元3200为例，驱动第一像素单元3100的薄膜晶体管3103设置于其边缘区域的反射电极3102下方，驱动第二像素单元3200的薄膜晶体管3203也设置于第一像素单元3100边缘区域的反射电极3102下方。在本实施例中，薄膜晶体管栅极、漏极、源级的设置和第三实施例相同，第二像素单元的薄膜晶体管设置于与其左右相邻的第一像素单元边缘区域的反射电极下方，具体地可参考第三实施例；可选地，第二像素单元的薄膜晶体管还可以设置于与其上下相邻的第一像素单元边缘区域的反射电极下方，具体地可参考第二实施例。
为了提高透射区域的开口率，本发明中，将第一像素单元的存储电容设置于其边缘区域的反射电极下方；将第二像素单元的存储电容设置于相邻的第一像素单元边缘区域的反射电极下方。具体地，请参考图11至图14，在本实施例中，第一像素单元3100的存储电容以及与其相邻的第二像素单元3200的存储电容都形成在第一像素单元3100边缘区域的反射电极3102的下方。在本实施例中，存储电容的设置和第三实施例相同，第二像素单元的存储电容设置于与其左右相邻的第一像素单元边缘区域的反射电极下方，具体地可参考第三实施例；可选地，第二像素单元的存储电容还可以设置于与其上下相邻的第一像素单元边缘区域的反射电极下方，具体地可参考第二实施例。
本实施例中，为了提高像素单元的显示效果，第一像素单元的中间区域设置有透射电极，并且所述透射电极和其边缘区域的反射电极电连接；第二像素单元的中间区域设置有反射电极，并且所述反射电极和其边缘区域的透射电极电连接。
参考图13，在图12所示结构上形成钝化层，并在钝化层内形成过孔，用于将各像素单元的漏极和透射电极电连接。
参考图14，第一像素单元3100的中间区域设置有透射电极3101，并且所述透射电极3101和边缘区域的反射电极3102电连接；第一单元3300、3500、3700和3900的设置和第一像素单元3100相同，此处不再详细说明。第二像素单元3200的中间区域设置有反射电极3202，并且所述反射电极3202和边缘区域的透射电极3201电连接；第二单元3200、3400、3600和3800的设置和第二像素单元3200相同，此处不再详细说明。
在本实施例中透射电极3101、3301、3501、3701和3901呈矩形状，在其它实施例中也可以根据需要设置为圆形或菱形；反射电极3202、3402、3602和3802为矩形，在其它实施方式中也可以根据需要设置为圆形或菱形。
在本发明实施例中，在一个像素单元中即设置了反射电极还设置了透射电极，则每个像素单元即能实现透射显示也能实现反射显示；相比于实施例一的阵列基板，一个像素单元只能实现透射显示或者只能实现反射显示的模式相比，在其他设置相同的情况下分辨率提高了一倍，具有更好的显示效果。
因为反射电极是靠外界光线来显示的，而透射电极是依靠背光来显示的，一般情况下，外界光线和背光的亮度是不一致的，所以在同等灰阶下反射电极显示的亮度和透射电极显示的亮度也是不一致的。如果设置各像素单元的反射电极面积不一致，可能会导致各像素单元的明暗不均，同样，如果透射电极的面积不一致，可能也会存在这个问题。所以，为了进一步的提高显示效果，在本实施例中设置各像素单元的反射电极的面积都相等，各像素单元的透射电极的面积也相等，可以使显示效果的均匀性良好。
上述阵列基板中，在反射电极和透射电极之间还设置有机膜，在像素单元的内部，有机膜的作用是调节反射电极处的盒厚为透射电极处的盒厚的一半，可以对光程差起到调节作用；同时，在像素单元的边缘处可以使相邻的反射电极和透射电极实现电绝缘。
本实施例提供的阵列基板具有很高的透光率，图14所示阵列基板仅为数据线315在第二像素单元3200和第二像素单元3400的边角处(如图15所示)，以及公共电极线314在第二像素单元的透射电极处占用透光面积，共两处会影响透射区域的开口率。以九个像素单元3100，3200，3300，3400，3500，3600，3700，3800，3900的长与宽各为141μm为例，偏折处每个三角形面积为50μm2，每段在透射电极处占用透光面积的公共电极的面积为72μm2，本发明人对开口率进行了计算：
第一像素单元因全部为有效显示区域：共141×141＝19981μm2。
第二像素单元的总面积也为：141×141＝19981μm2
其中，数据线占用透光面积为：50×4＝200μm2
公共电极线占用透光面积为：72×2＝144μm2
则第二像素单元的有效显示面积为：19981-200-144＝19637μm2
阵列基板开口率为：(19981+19637)/19981×2＝99.14％
本实施例提供的阵列基板开口率高达99.14％，如此之高的开口率是现有技术所没有的。需要说明的是，在其它实施方式中，公共电极和栅极线可以设置为非同层结构，公共电极线也通过像栅极线或数据线一样呈折线设置，还可以在本实施例的基础上进一步提高开口率。
本发明还提供一种液晶显示面板，包含上述任一实施例所示的薄膜晶体管阵列基板。
进一步地，所述液晶显示面板还包括彩膜基板，所述彩膜基板只设置多个彩色光阻、平坦化层以及彩膜基板公共电极层，所述多个彩色光阻分别与多个像素单元相对应。
在常规的液晶显示面板中，彩膜基板上通常还设置有黑矩阵，因为在现有技术中数据线、栅极线以及公共电极线都是占用透光面积的，并且都是由金属制成具有反光性，如果不使用具有不透光的黑矩阵对其进行遮挡，金属反光会对显示造成影响。但是因为彩膜基板和阵列基板在对位贴合时偏差的影响，黑矩阵通常都比需要遮挡的金属布线要宽很多以保证能对其进行遮挡，但是这样要牺牲很大的显示面积。本发明提供的液晶显示面板，因为栅极线、数据线和公共电极线大部分都设置于反射电极的下方，都只占用非常小的透光面积，所以本发明的液晶显示面板可以不设置黑矩阵，保证显示效果的同时也提高了开口率。
以上所述，仅是本发明的较佳实施例而已，并非对本发明作任何形式上的限制。任何熟悉本领域的技术人员，在不脱离本发明技术方案范围情况下，都可利用上述揭示的技术内容对本发明技术方案作出许多可能的变动和修饰，或修改为等同变化的等效实施例。因此，凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所做的任何简单修改、等同变化及修饰，均仍属于本发明技术方案保护的范围内。

Claims (39)

1.一种阵列基板，其特征在于，包括由多条在行方向上设置的栅极线和多条在列方向上设置的数据线相交限定的多个呈矩阵排列的像素单元；所述像素单元包括第一像素单元和第二像素单元，所述第一像素单元在边缘区域设置有反射电极，所述第二像素单元在边缘区域设置有透射电极；至少有一个第一像素单元和第二像素单元相邻设置，相邻的第一像素单元与第二像素单元之间都是反射电极和透射电极相邻；反射电极和透射电极不在同一层上。
2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述相邻设置的第一像素单元的反射电极和第二像素单元的透射电极之间设置有绝缘层。
3.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第一像素单元成行排列，所述第二像素单元也是成行排列，所述第一像素单元行和第二像素单元行在行方向上间隔设置。
4.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第一像素单元成列排列，所述第二像素单元也是成列排列，所述第一像素单元列和第二像素单元列在列方向上间隔设置。
5.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第一像素单元和第二像素单元在行和列的方向上都是间隔设置的。
6.如权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，驱动第一像素单元行的栅极线设置于该行各第一像素单元边缘区域的反射电极的下方。
7.如权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，驱动第二像素单元行的栅极线设置于其相邻的第一像素单元行的各第一像素单元边缘区域的反射电极的下方。
8.如权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，第一像素单元行的公共电极线设置于该行各第一像素单元边缘区域的反射电极的下方。
9.如权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，第二像素单元行的公共电极线设置于其相邻的第一像素单元行的各第一像素单元边缘区域的反射电极的下方。
10.如权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，驱动第一像素单元列的数据线设置于该列各第一像素单元边缘区域的反射电极的下方。
11.如权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，驱动第二像素单元列的数据线设置于其相邻的第一像素单元列的各第一像素单元边缘区域的反射电极的下方。
12.如权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述多条栅极线呈折线设置，在相邻两行像素单元中多个第一像素单元边缘区域的反射电极下方平行设置，在相邻两行像素单元中的边角相邻的两个第一像素单元的相邻边角处偏折连接。
13.如权利要求5所述阵列基板，其特征在于，所述多条数据线呈折线设置，在相邻两列像素单元中多个第一像素单元边缘区域的反射电极下方平行设置，在相邻两行像素单元中的边角相邻的两个第一像素单元的相邻边角处偏折连接。
14.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一像素单元和第二像素单元还包括薄膜晶体管。
15.如权利14所述的阵列基板，其特征在于，控制第一像素单元的薄膜晶体管设置于其边缘区域的反射电极下方。
16.如权利14所述的阵列基板，其特征在于，控制第二像素单元的薄膜晶体管设置于相邻的第一像素单元边缘区域的反射电极下方。
17.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一像素单元和第二像素单元还包括存储电容。
18.如权利要求17所述的阵列基板，其特征在于，所述第一像素单元的存储电容设置于其边缘区域的反射电极下方。
19.如权利要求17所述的阵列基板，其特征在于，所述第二像素单元的存储电容设置于相邻的第一像素单元边缘区域的反射电极下方。
20.如权利要求18或19所述的阵列基板，其特征在于，所述存储电容的上极板为薄膜晶体管的漏极，所述存储电容的下级板为公共电极线。
21.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一像素单元的中间区域设置有反射电极。
22.如权利要求21所述的阵列基板，其特征在于，所述第一像素单元的中间区域的反射电极和其边缘区域的反射电极由同一反射金属层形成，并且直接相连。
23.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一像素单元的中间区域设置有透射电极。
24.如权利要求23所述的阵列基板，其特征在于，所述第一像素单元的中间区域的透射电极形状为圆形、矩形或菱形。
25.如权利要求23所述的阵列基板，其特征在于，所述第一像素单元的中间区域的透射电极和其边缘区域的反射电极电连接。
26.如权利要求23所述的阵列基板，其特征在于，第一像素单元的透射电极和反射电极之间设置有机膜，调整反射电极部分的盒厚为透射电极部分的盒厚的一半。
27.如权利要求23所述的阵列基板，其特征在于，所述多个第一像素单元的透射电极面积都相等。
28.如权利要求23所述的阵列基板，其特征在于，第二像素单元边缘区域的透射电极面积和第一像素单元中间区域的透射电极面积相等。
29.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第二像素单元的中间区域设置有透射电极。
30.如权利要求29所述的阵列基板，其特征在于，所述第二像素单元的透射电极和其边缘的透射电极为同一透明导电层形成，并且直接相连。
31.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第二像素单元的中间区域设置有反射电极。
32.如权利要求31所述的阵列基板，其特征在于，所述第二像素单元的中间区域的反射电极形状为圆形、矩形或菱形。
33.如权利要求31所述的阵列基板，其特征在于，所述第二像素单元的中间区域的反射电极和其边缘区域的透射电极电连接。
34.如权利要求31所述的阵列基板，其特征在于，第二像素单元的透射电极和反射电极之间设置有有机膜，调整反射电极部分的盒厚为透射电极部分的盒厚的一半。
35.如权利要求31所述的阵列基板，其特征在于，所述多个第二像素单元的反射电极面积都相等。
36.如权利要求35所述的阵列基板，其特征在于，第一像素单元边缘区域的反射电极的面积和第二像素单元中间区域的反射电极的面积相等。
37.如权利要求28或35所述的阵列基板，其特征在于，所述第一像素单元与第二像素单元的透射电极面积都相等，所述第一像素单元与第二像素单元的反射电极面积都相等。
38.一种液晶显示面板，包含如权利要求1所述的阵列基板。
39.如权利38所述的液晶显示面板，其特征在于，还包括彩膜基板，所述彩膜基板只设置多个彩色光阻、平坦化层以及彩膜基板公共电极，所述多个彩色光阻分别与多个像素单元相对应。
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