CN102963077A - 电磁屏蔽面板及其制备方法和显示器 - Google Patents
电磁屏蔽面板及其制备方法和显示器 Download PDFInfo
- Publication number
- CN102963077A CN102963077A CN201210487441XA CN201210487441A CN102963077A CN 102963077 A CN102963077 A CN 102963077A CN 201210487441X A CN201210487441X A CN 201210487441XA CN 201210487441 A CN201210487441 A CN 201210487441A CN 102963077 A CN102963077 A CN 102963077A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- electromagnetic shielding
- shielding panel
- thickness
- ito
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 15
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 23
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 11
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 claims description 18
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 15
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 claims description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 7
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000012300 argon atmosphere Substances 0.000 claims description 3
- 239000003595 mist Substances 0.000 claims description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 8
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 abstract 4
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 abstract 4
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract 4
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract 4
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 abstract 4
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 abstract 4
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 abstract 1
- 239000006117 anti-reflective coating Substances 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 3
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 3
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 230000002195 synergetic effect Effects 0.000 description 2
- 101001018064 Homo sapiens Lysosomal-trafficking regulator Proteins 0.000 description 1
- 102100033472 Lysosomal-trafficking regulator Human genes 0.000 description 1
- 235000010703 Modiola caroliniana Nutrition 0.000 description 1
- 244000038561 Modiola caroliniana Species 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Surface Treatment Of Optical Elements (AREA)
Abstract
本发明涉及一种电磁屏蔽面板，包括玻璃基底、设于玻璃基底表面上的ITO层及设于ITO层上的SiO2层，其中，ITO层的厚度为80~100nm，SiO2层的厚度为85~95nm。该电磁屏蔽面板由ITO层与SiO2层构成的两层减反射膜系和玻璃基底构成，形成一种高透防电磁屏蔽的电磁屏蔽面板；而且ITO层外的SiO2层对ITO层能够起到很好的保护作用，从而上述电磁屏蔽面板具有相对较长的使用寿命。此外，本发明还提供一种电磁屏蔽面板的制备方法。
Description
技术领域
本发明涉及电磁屏蔽技术领域，特别是涉及一种电磁屏蔽面板及其制备方法和一种含有该电磁屏蔽面板的显示器。
背景技术
传统的电磁屏蔽面板包括玻璃基底及镀于玻璃基底表面上的一层ITO膜，这种电磁屏蔽面板具有一定的电磁屏蔽效果，但其透光效果较差，满足不了一些应用要求。例如，将传统的电磁屏蔽面板应用于液晶显示屏时，其透光效果和视觉效果皆较差；又例如，将传统的电磁屏蔽面板应用于飞机内部时，既要求电磁屏蔽面板具有较好的电磁屏蔽效果，同时还需要电磁屏蔽面板具有较高的透射率，只有这样才使飞行员很好地看到外面的场景，才能满足正常的飞行的需要。而且传统的电磁屏蔽面板中的ITO膜层裸露在外，长时间使用后，容易出现ITO膜层吸水或由于使用不当导致部分ITO膜层刮落，从而导致电磁屏蔽效果下降，进而缩短其使用寿命。
发明内容
基于此，有必要提供一种透射率高且使用寿命较长的电磁屏蔽面板及其制备方法。
一种电磁屏蔽面板，包括玻璃基底、设于所述玻璃基底表面上的ITO层及设于所述ITO层上的SiO2层，其中，所述ITO层的厚度为80~100nm，所述SiO2层的厚度为85~95nm。
由于ITO具有电阻率低，透明性好且折射率较高（一般为2.0左右）等优点，而SiO2的折射率较低（一般为1.5左右），因此，ITO层与SiO2层可以构成两层减反射膜系，在保证电磁屏蔽效果的同时还能获得较好的透光率；同时根据光的干涉原理、光的波动性特性以及电磁屏蔽的效果将ITO层的厚度设计为80~100nm，SiO2层的厚度设计为85~95nm。根据光的干涉原理及光的波动性特性可知，膜层的厚度只有在满足一定的光学厚度时，才能获得较佳的透光率；同时对于两层减反射膜系，既要考虑两层膜各自的膜的厚度，还要考虑二者的一个协同作用的膜的厚度；而且膜层的厚度对电磁屏蔽效果也有一定的影响。此外，ITO层外的SiO2层对ITO层能够起到很好的保护作用，从而使得上述电磁屏蔽面板具有相对较长的使用寿命。因此，上述电磁屏蔽面板具有优良的电磁屏蔽效果、高透射率以及相对较长的使用寿命。此外，通过测试传统的方阻为17欧姆的电磁屏蔽面板和上述方阻为17欧姆的电磁屏蔽面板的透射率，透射率分别80%和90%，因此上述设计的电磁屏蔽面板的透射率得到了较大的提高。
一种电磁屏蔽面板的制备方法，包括如下步骤：
使用ITO靶材进行磁控溅射镀膜，在玻璃基底表面上镀制厚度为80~100nm的ITO层；
使用Si靶进行磁控溅射镀膜，在所述ITO层上镀制厚度为85~95nm的SiO2层。
在其中一个实施例中，所述使用ITO靶材进行磁控溅射镀膜，在玻璃基底表面上镀制厚度为80~100nm的ITO层的过程是在直流或中频电源下进行磁控溅射镀膜，其中气体氛围是流量为100~200sccm的氩气氛围。
在其中一个实施例中，所述使用Si靶进行磁控溅射镀膜，在所述ITO层上镀制厚度为85~95nm的SiO2层的过程中，磁控溅射频率为40KHZ，气体氛围是Ar与O2的混合气体氛围，其中Ar的流量为100~200sccm，O2的流量为80~120sccm。
上述电磁屏蔽面板的制备方法的制备工艺相对简单，制备得到的电磁屏蔽面板具有优良的电磁屏蔽效果和高透射率。
此外，还有必要提供一种使用上述电磁屏蔽面板的显示器。
一种显示器，包括电磁屏蔽面板，所述电磁屏蔽面板包括玻璃基底、设于所述玻璃基底表面上的ITO层及设于所述ITO层上的SiO2层，其中，所述ITO层的厚度为80~100nm，所述SiO2层的厚度为85~95nm。
上述显示器由于使用了上述高透防电磁屏蔽的面板，其透光效果和视觉效果均得到提高。
附图说明
图1为一实施方式的电磁屏蔽面板的结构示意图。
具体实施方式
下面主要结合附图及具体实施方式对电磁屏蔽面板及其制备方法和应用作进一步详细的说明。
如图1所示，一实施方式的电磁屏蔽面板100，包括玻璃基底110、ITO层120及SiO2层130。其中，ITO层120位于玻璃基底110的表面上，SiO2层130位于ITO层120上；ITO层120的厚度为80~100nm，SiO2层130的厚度为85~95nm。
其中，ITO是一种优良的半导体材料，具有相对较低的电阻率，从而使得上述电磁屏蔽面板100具有较好的电磁屏蔽效果。而且ITO的折射率较高（一般为2.0左右），而SiO2的折射率较低（一般为1.5左右），ITO和SiO2均为透光性良好的材料，因此，ITO层120与SiO2层130能构成两层减反射膜系，从而使得上述电磁屏蔽面板100具有较好的透射率。
为了使上述电磁屏蔽面板100的性能效果更佳，同时还对ITO层120和SiO2层130的厚度设计进行了优化。首先，ITO层120的厚度设计要能满足具有较好的电磁屏蔽效果。其次，ITO层120与SiO2层130构成两层减反射膜系，根据光的干涉原理及光的波动性特性可知，二者的厚度只有在满足一定光学厚度时，才能获得较佳的透光率；同时对于两层减反射膜系，既要考虑两层膜各自的膜的厚度，还要考虑二者的一个协同作用的膜的厚度，以使ITO层120与SiO2层130构成的两层减反射膜系具有高的透射率；另外，从节约成本和透光性好的角度考虑，二者的膜层厚度不宜过厚，因为膜层越厚，膜层的吸收会变大，透光性也会变差。
而且电磁屏蔽面板100中的SiO2层130能够对ITO层120起到很好的保护作用，从而能够确保电磁屏蔽面板100具有相对较长的使用寿命。
此外，上述设计的两层减反射膜具有紫红色的颜色，还可以应用在一些对颜色有特别要求的领域。
因此，上述电磁屏蔽面板100具有优良的电磁屏蔽效果、高透射率、相对较长的使用寿命以及颜色的独特性。
此外，本实施方式还提供一种电磁屏蔽面板的制备方法，包括如下步骤：
使用ITO靶材进行磁控溅射镀膜，在玻璃基底表面上镀制厚度为80~100nm的ITO层；
使用Si靶进行磁控溅射镀膜，在ITO层上镀制厚度为85~95nm的SiO2层。
其中，使用ITO靶材进行磁控溅射镀膜，在玻璃基底表面上镀制厚度为80~100nm的ITO层的过程是在直流或中频电源下进行磁控溅射镀膜，其中气体氛围是流量为100~200sccm的氩气氛围。使用Si靶进行磁控溅射镀膜，在ITO层上镀制厚度为85~95nm的SiO2层的过程中，磁控溅射频率为40KHZ，气体氛围是Ar与O2的混合气体氛围，其中Ar的流量为100~200sccm，O2的流量为80~120sccm。
上述电磁屏蔽面板的制备方法的制备工艺相对简单，制备得到的电磁屏蔽面板具有优良的电磁屏蔽效果和高透射率；同时测试了传统的方阻为17欧姆的电磁屏蔽面板和按上述方法制备得到的方阻为17欧姆的电磁屏蔽面板的透射率，透射率分别80%和90%，该方法制备得到的电磁屏蔽面板的透射率得到了较大的提高。
此外，本实施方式还提供一种显示器，包括电磁屏蔽面板，电磁屏蔽面板包括玻璃基底、设于玻璃基底表面上的ITO层及设于ITO层上的SiO2层，其中，ITO层的厚度为80~100nm，SiO2层的厚度为85~95nm。
上述显示器的透光效果和视觉效果皆好。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。
Claims (5)
1.一种电磁屏蔽面板，其特征在于，包括玻璃基底、设于所述玻璃基底表面上的ITO层及设于所述ITO层上的SiO2层，其中，所述ITO层的厚度为80~100nm，所述SiO2层的厚度为85~95nm。
2.一种电磁屏蔽面板的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
使用ITO靶材进行磁控溅射镀膜，在玻璃基底表面上镀制厚度为80~100nm的ITO层；
使用Si靶进行磁控溅射镀膜，在所述ITO层上镀制厚度为85~95nm的SiO2层。
3.如权利要求2所述的电磁屏蔽面板的制备方法，其特征在于，所述使用ITO靶材进行磁控溅射镀膜，在玻璃基底表面上镀制厚度为80~100nm的ITO层的过程是在直流或中频电源下进行磁控溅射镀膜，其中气体氛围是流量为100~200sccm的氩气氛围。
4.如权利要求2所述的电磁屏蔽面板的制备方法，其特征在于，所述使用Si靶进行磁控溅射镀膜，在所述ITO层上镀制厚度为85~95nm的SiO2层的过程中，磁控溅射频率为40KHZ，气体氛围是Ar与O2的混合气体氛围，其中Ar的流量为100~200sccm，O2的流量为80~120sccm。
5.一种显示器，包括电磁屏蔽面板，其特征在于，所述电磁屏蔽面板包括玻璃基底、设于所述玻璃基底表面上的ITO层及设于所述ITO层上的SiO2层，其中，所述ITO层的厚度为80~100nm，所述SiO2层的厚度为85~95nm。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201210487441XA CN102963077A (zh) | 2012-11-26 | 2012-11-26 | 电磁屏蔽面板及其制备方法和显示器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201210487441XA CN102963077A (zh) | 2012-11-26 | 2012-11-26 | 电磁屏蔽面板及其制备方法和显示器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN102963077A true CN102963077A (zh) | 2013-03-13 |
Family
ID=47793649
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201210487441XA Pending CN102963077A (zh) | 2012-11-26 | 2012-11-26 | 电磁屏蔽面板及其制备方法和显示器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN102963077A (zh) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104386924A (zh) * | 2014-10-18 | 2015-03-04 | 中山市创科科研技术服务有限公司 | 一种中空电磁屏蔽玻璃及制备方法 |
| CN106380085A (zh) * | 2016-10-28 | 2017-02-08 | 宜昌南玻显示器件有限公司 | 一种低阻高透电磁屏蔽玻璃 |
| CN106830708A (zh) * | 2017-03-22 | 2017-06-13 | 宜昌南玻显示器件有限公司 | 具有电磁屏蔽功能的半反半透玻璃 |
| CN107589784A (zh) * | 2017-09-07 | 2018-01-16 | 山东超越数控电子有限公司 | 一种加固计算机显示视窗屏蔽装置及方法 |
| CN114371790A (zh) * | 2020-10-15 | 2022-04-19 | 瀚宇彩晶股份有限公司 | 电磁屏蔽基板与显示面板 |
-
2012
- 2012-11-26 CN CN201210487441XA patent/CN102963077A/zh active Pending
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| 高劲松等: "在有机玻璃上射频溅射ITO组合薄膜", 《光学技术》 * |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104386924A (zh) * | 2014-10-18 | 2015-03-04 | 中山市创科科研技术服务有限公司 | 一种中空电磁屏蔽玻璃及制备方法 |
| CN104386924B (zh) * | 2014-10-18 | 2017-08-08 | 中山市创科科研技术服务有限公司 | 一种中空电磁屏蔽玻璃及制备方法 |
| CN106380085A (zh) * | 2016-10-28 | 2017-02-08 | 宜昌南玻显示器件有限公司 | 一种低阻高透电磁屏蔽玻璃 |
| CN106830708A (zh) * | 2017-03-22 | 2017-06-13 | 宜昌南玻显示器件有限公司 | 具有电磁屏蔽功能的半反半透玻璃 |
| CN107589784A (zh) * | 2017-09-07 | 2018-01-16 | 山东超越数控电子有限公司 | 一种加固计算机显示视窗屏蔽装置及方法 |
| CN114371790A (zh) * | 2020-10-15 | 2022-04-19 | 瀚宇彩晶股份有限公司 | 电磁屏蔽基板与显示面板 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN203658697U (zh) | 一种用于具有液晶中介的可变散射特性的上光单元的导电支撑物及此上光单元 | |
| CN100576408C (zh) | 等离子体显示器滤光板及使用该滤光板的显示器 | |
| CN102963077A (zh) | 电磁屏蔽面板及其制备方法和显示器 | |
| US20090297877A1 (en) | Extreme low resistivity light attenuation anti-reflection coating structure in order to increase transmittance of blue light and method for manufacturing the same | |
| CN102963076A (zh) | 电磁屏蔽面板及其制备方法和显示器 | |
| CN102501450A (zh) | 透光单银低辐射镀膜玻璃及其制造方法 | |
| CN201000489Y (zh) | 高透光率玻璃的显示器保护屏及使用该屏的液晶显示器 | |
| CN101211736B (zh) | 等离子体显示器滤光片及使用该滤光片的显示器 | |
| CN202782020U (zh) | 导电玻璃 | |
| JP6287533B2 (ja) | 熱線遮蔽合わせガラス | |
| CN201309893Y (zh) | 高透过率触摸屏用透明导电玻璃 | |
| CN103570254B (zh) | 导电玻璃、其制备方法和应用 | |
| KR101691376B1 (ko) | 방오코팅막 및 그 제조방법 | |
| CN201035171Y (zh) | 高透光率透明树脂的显示器保护屏及使用该屏的液晶显示器 | |
| CN106484193A (zh) | 一种电容式触摸屏 | |
| US7851065B2 (en) | Extreme low resistivity light attenuation anti-reflection coating structure in order to increase transmittance of blue light and method for manufacturing the same | |
| CN204079780U (zh) | Ito导电玻璃 | |
| JP7255179B2 (ja) | 熱線遮蔽合わせガラス | |
| CN201000868Y (zh) | 等离子体显示器滤光片及使用该滤光片的显示器 | |
| CN104176947B (zh) | Ito导电玻璃及其制备方法 | |
| CN104166285A (zh) | Ito导电玻璃及其制备方法 | |
| CN204142981U (zh) | 一种超硬消反光防水防油薄膜 | |
| CN101881850A (zh) | 具有防电磁辐射及滤光功能的显示器滤光片及使用该滤光片的显示器 | |
| CN204079781U (zh) | Ito导电玻璃 | |
| CN117510093A (zh) | 耐高温抗紫外高透型节能镀膜玻璃及其制作方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C53 | Correction of patent of invention or patent application | ||
| CB02 | Change of applicant information |
Address after: 338004 Xinyu City, Jiangxi Province High - tech Industrial Development Zone Xicheng Avenue Vogg Industrial Park Applicant after: WG TECH (JIANGXI) CO., LTD. Address before: 338004 Xinyu City, Jiangxi Province High - tech Development Zone Xicheng Road Vogg Industrial Park Applicant before: Jiangxi Woge Optoelectronic Technology Co., Ltd. |
|
| COR | Change of bibliographic data |
Free format text: CORRECT: APPLICANT; FROM: JIANGXI WG PHOTOELECTRIC TECHNOLOGY CO., LTD. TO: JIANGXI WG PHOTOELECTRIC CO., LTD. |
|
| C12 | Rejection of a patent application after its publication | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20130313 |