CN102955267A - 硅基集成啁啾光栅可调光延迟线 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种硅基集成啁啾光栅可调光延迟线，包括在绝缘体上硅基底上两个重掺杂区域及该两个重掺杂区域之间的本征区的光波导变迹光栅，所述的两个重掺杂区域为p型和n型重掺杂区域或p型和p型重掺杂区域，形成p-i-n结或p-i-p结构形式，所述的光波导变迹光栅是由高折射率差的硅基材料构成，中间为常规硅波导，旁边为硅锯齿和空气缝相间形成的光栅，在所述的p型重掺杂区域和n型重掺杂区上淀积金属电极，用来和外部电路相连以加载电压。通过改变外加电压可以改变光栅的啁啾量，实现对光信号延迟量的动态调节，具有加工简单，调节迅速，可调范围大等优点。
Description
技术领域
本发明涉及光通信技术领域的集成器件，特别是一种硅基集成啁啾光栅可调光延迟线。
背景技术
可调光延迟线是光通信网络、全光信息处理中的重要器件。在光通信网络中，尤其是在光分组交换网中，可调光延迟线能够按系统的需求提供一定的延迟时间来进行包头处理和解决不同用户竞争同一信道的网络冲突问题，从而提高网络节点的吞吐量，降低丢包率；在光信号处理方面，可调光延迟线可以增强主机的通信能力，增加整个系统的性能以及实现高效可重构光学信号处理等。传统的实现可调光延迟线的方法是采用啁啾光纤光栅，通过改变载波光源的波长来改变光信号反射的位置，从而实现对光信号的可调延迟，这种方案需要同步可调的激光源和可调的滤波器，系统比较复杂。用啁啾光纤光栅对特定波长实现光可调延迟线，可以采用调节温度、应力以及磁场等来改变光纤光栅的折射率，同样使得特定波长的光信号的反射位置的不同来实现可调延迟。这两种啁啾光纤光栅实现可调光延迟线的方案都有所需器件体积大、反应慢、时间分辨率差等缺点。
近年来，随着光电子技术和半导体加工工艺的不断发展，硅基光子学的研究在国内外取得引人注目的成就。在硅基上实现可调光延迟线的方案也有很多种，主要包括全通滤波器（APF）、光波导耦合谐振腔（CROW）以及光子晶体光波导（PhCW）等。全通滤波器（APF）和光波导耦合谐振腔（CROW）方案在实现大的可调延迟时需要的面积较大，并且损耗较大；光子晶体光波导（PhCW）虽然需要面积不大，但对加工工艺要求极高，损耗大。因此，利用集成的布拉格光栅在硅基上实现损耗低、体积小、高带宽以及调节速度快的可调延迟线成了最近两年人们研究的重点。经对现有的技术文献检索发现，Ivano Giuntoni等人2009年在OPTICSEXPRESS(Vol.17,No.21)上发表的论文“Tunable Bragg reflectors onsilicon-on-insulator rib waveguides”中提出在硅基上通过改变光栅的周期来实现啁啾光栅，通过热光效应改变硅的折射率，从而使得特定波长的光信号反射位置的变化实现可调光延时。2012年，该小组在OPTICSLETTERS(Vol.20,No.10)上发表的论文“Continuously tunable delay linebased on SOI tapered Bragg gratings”中提出通过在固定的光栅周期中，改变波导宽度来改变波导的有效折射率实现啁啾光栅，利用热光效应实现了固定波长光信号延迟量可调，完成了25Gb/s的光信号450ps的最大延迟量。综合已报道的方法，在硅基上用光栅来实现可调光延迟，主要是通过精确改变光栅的周期或者波导宽度来实现啁啾光栅。这样对加工工艺的要求很高，因此成本也较高。另外，目前都只是通过热光效应的方法来实现延迟的可调，调节速率较慢。因此，本发明提出通过设计p-i-n或者p-i-p结构来动态调节光栅啁啾量以实现光延迟的方案，结构简单，可应用热光效应或者等离子色散效应来进行延迟的调节。
发明内容
本发明的目的在于针对上述现有技术的不足，提供一种硅基集成啁啾光栅可调光延迟线，通过设计p-i-n或者p-i-p结构来实现光栅啁啾调节，以获得可调光延迟的方案。该方案通过设计一个本征区（i区）宽度线性变化的p-i-n或者p-i-p结，将光栅嵌入到结的本征i区，利用相同电压下不同本征区宽度的硅波导的载流子浓度或电阻值不同的性质来实现啁啾光栅，从而通过改变电压的大小实现光延迟的调节。
本发明的技术解决方案如下：
一种硅基集成啁啾光栅可调光延迟线，其特点在于，构成包括在绝缘体上硅基底上两个重掺杂区域及该两个重掺杂区域之间的本征区的光波导变迹光栅，所述的两个重掺杂区域为p型和n型重掺杂区域或p型和p型重掺杂区域，形成p-i-n结或p-i-p结构形式，所述的光波导变迹光栅是由高折射率差的硅基材料构成，中间为常规硅波导，旁边为硅锯齿和空气缝相间形成的光栅，在所述的p型重掺杂区域和n型重掺杂区上淀积金属电极，用来和外部电路相连以加载电压。
所述光波导变迹光栅的上包层为氧化硅。
所述的光波导变迹光栅，其硅锯齿的宽度从中间向波导两端递减，中间常规硅波导的宽度从中间向波导两端递增，在两端和常规硅波导平滑相连，避免光栅与常规波导耦合时由于突变引起的强反射。
所述的SOI光波导光栅，其硅锯齿和中间常规波导的宽度相互匹配，使得光栅每个周期的中心波长为一个定值，以获得最大的反射效率。
所述的p-i-n结构形式：所述的变迹光栅完全处于本征i区，p型和n型重掺杂区分别处于本征i区的两侧，中间本征i区的宽度沿光栅纵向线性变化，不同宽度的本征区，在相同的电压下，载流子注入的浓度不同，由等离子色散效应导致硅的折射率不同，形成啁啾光栅；
所述的p-i-p结构形式：变迹光栅完全处于本征i区，两个p型重掺杂区分别处于本征区的两侧，中间本征区的宽度同样沿光栅纵向线性变化，不同宽度的本征区，电阻值不同，在相同的电压下，温度升高不同，由热光效应导致硅的折射率不同，形成啁啾光栅。
所述的p型或n型重掺杂区域的掺杂浓度在1018-1021/cm3之间，以形成良好的欧姆接触。
所述的p型或n型重掺杂区域离光栅的宽度在几百纳米到几微米之间。与现有的技术相比，本发明的优势在于啁啾光栅的形成不是依靠精确地改变光栅的周期或者光栅波导的宽度形成，而是通过将非啁啾光栅嵌入到一个本征区宽度线性变化的p-i-n或者p-i-p结中，加电压后通过等离子体色散效应或者热光效应动态形成啁啾，因此对工艺要求降低，调节迅速，能够实现动态可调集成光延迟线。
附图说明
图1为本发明硅基集成啁啾光栅可调光延迟线结构示意图，其中：图(a)为p-i-n的结构示意图，图(b)为p-i-p的结构示意图。
图2为本发明实施例硅基集成啁啾光栅可调光延迟线光栅波导宽度变化图。
图3为本发明硅基集成啁啾光栅可调光延迟线在没有加电压时的反射强度谱线和延迟谱线，其中：图(a)为反射强度谱线，图(b)为延迟谱线。
图4为本发明硅基集成啁啾光栅可调光延迟线采用p-i-n结构时不同电压下载流子浓度沿光栅纵向的分布图。
图5为本发明硅基集成啁啾光栅可调光延迟线采用p-i-n结构时不同电压下的反射强度谱线和延迟谱线,其中：图(a)为反射强度谱线，图(b)为延迟谱线。
图6为本发明硅基集成啁啾光栅可调光延迟线采用p-i-p结构时不同电压下折射率变化沿光栅纵向的分布图。
图7为本发明硅基集成啁啾光栅可调光延迟线采用p-i-p结构时不同电压下的反射强度谱线和延迟谱线，其中：图(a)为反射强度谱线，图(b)为延迟谱线。
具体实施方式
下面结合实施例和附图对本发明作进一步说明，但不应以此限制本发明的保护范围。
一种硅基集成的可调延迟线，主要包括基于绝缘体上硅（Silicon-On-Insulator,SOI)光波导的变迹光栅、p型和n型重掺杂区或者p型和p型重掺杂区以及电极。其特征在于基于SOI光波导的变迹光栅嵌入p-i-n或者p-i-p的本征i区，该本征i区的宽度沿光栅纵向线性变化，p型和n型重掺杂区域与外部电路相连。当采用p-i-n结构时，电极两端加上正向电压，载流子注入到本征i区，本征区的载流子浓度改变，由于等离子色散效应改变了光栅中硅波导的折射率，引起反射光波长的漂移；当采用的是p-i-p结构时，本征i区相当于一个电阻，当在p-i-p结上加上一定电压后，电阻产生热量，本征区的温度就会升高，由于热光效应，光栅波导的折射率也会改变。光栅纵向不同位置处的本征区宽度不同，本征区的电阻和载流子浓度改变也就不同，在相同的电压下，光栅硅波导的折射率在纵向呈递减或递增分布，变化幅度取决于外加电压。这样，原非啁啾光栅可动态调节为啁啾光栅，特定波长的光信号的延迟量由电压灵活调节。
所述的变迹光栅是由高折射率差的硅基材料构成，中间为常规硅波导，旁边采用硅锯齿和空气缝隙相间的方式来形成光栅，上包层为氧化硅。本发明设计的光栅结构，其硅锯齿的宽度从中间向两端逐渐变窄，而中间常规硅波导的宽度从中间向两端则逐渐变宽，在两端和常规硅波导平滑相连。锯齿和波导的宽度需要互相匹配使得光栅每个周期的中心波长保持为一个定值以获得最大的反射效率。变迹光栅所处的区域为硅的本征区域，没有掺杂，避免了载流子吸收引起的损耗。
所述的p型和n型重掺杂区在硅基上可通过离子注入或扩散形成，为了减小与金属相连时的接触电阻，掺杂浓度在1018-1021/cm3之间。P型和n型重掺杂区（或者p型和p型重掺杂区）以及中间光栅所处的本征区形成p-i-n（或者p-i-p）结；p-i-n（或者p-i-p）结中的本征区域的宽度沿光栅纵向呈线性变化，均要宽于变迹光栅的宽度，变迹光栅完全嵌入到本征区域内。
所述的金属电极设置在p型和n型重掺杂区域上，用来加载正负电压。
本发明提出了一种硅基集成啁啾光栅可调光延迟线。图1为本发明硅基集成啁啾光栅可调光延迟线结构示意图。如图1(a)所示，本发明主要由基于SOI光波导的变迹光栅、p型和n型重掺杂区域以及电极等组成。变迹光栅处于p-i-n结或者p-i-p结的本征i区，两边重参杂区域浓度为2×1019/cm3，电极分别设计在p型和n型重掺杂区的上方。由于本设计发明的可调光延迟线要与普通的光波导器件相连，为了避免光栅两端由于突变引起的强反射，因此本发明设计中的光栅结构采用逐渐变化的方式，其中硅锯齿的宽度从中间沿光栅纵向两端逐渐变窄，中间常规硅波导宽度从中间向两端逐渐变宽至与之相连的波导宽度。通过设计锯齿和波导宽度使得光栅中每个周期的中心波长保持为一个定值。在本实施例中，光栅的周期为563nm，光栅锯齿的宽度如图2所示，其中虚线为硅锯齿处波导宽度的分布，实线为空气缝隙处波导宽度的分布，本征区宽度呈线性变化，开始端为2μm，末端为5μm，光栅的总长度为1.46cm。图1(b)为本发明硅基集成啁啾光栅可调光延迟线采用p-i-p结构时的示意图，除了本征区两端均为p型掺杂以外，其他的各个参数均与图1(a)相同。图3所示为本发明硅基集成啁啾光栅可调光延迟线在没有加电压时的反射强度谱线和延迟谱线。从图3(a)可以看出，通过对光栅锯齿和缝隙宽度的设计，光栅的反射谱线旁瓣明显被抑制，在光通信常用载波波长1550nm处的延迟为45ps。图4所示为本发明硅基集成啁啾光栅可调光延迟线采用p-i-n结构时不同电压下载流子浓度沿光栅纵向的分布图。本实施例使用商用软件Silvaco来仿真某一电压下的载流子浓度在光栅纵向的分布。由于本发明采用的光栅长度很长（厘米量级），因此纵向上的变化很缓慢，可以采用二维截面仿真来代替三维仿真。从图4可以看出，相同电压下，不同本征区宽度对应的载流子浓度并不相同，光栅波导的折射率在纵向上形成梯度，从而实现了啁啾光栅。图5为本发明硅基集成啁啾光栅可调光延迟线采用p-i-n结构时不同电压下的反射强度谱线和延迟谱线。从图中可以看出，电压越大，载流子注入就越多，由于等离子色散效应，折射率下降就越大，导致反射谱线和延迟谱线都发生蓝移（即谱线向短波长移动），从而使得特定波长的光信号的延迟量发生了改变。本实施例中，假设光载波波长为1550nm，对应光信号的可调延迟量约为150ps。随着注入载流子浓度的增加，载流子吸收损耗增大。在本实施例中，实现150ps延迟的同时损耗也加大了12dB。从图5还可以看出，采用这种结构的延迟量可以继续增加，不过损耗也会进一步加大。图6所示为本发明硅基集成啁啾光栅可调光延迟线采用p-i-p结构时不同电压下折射率变化沿光栅纵向的分布图。本实施例中采用商用软件Comsol对光栅波导在某一电压下的温度变化进行仿真。从图6可以看出，不同电压下，光栅不同位置温度升高并不相同，热光效应导致折射率变化呈梯度分布，实现啁啾光栅。图7为本发明硅基集成啁啾光栅可调光延迟线采用p-i-p结构时不同电压下的反射强度谱线和延迟谱线。采用这种结构，增大电压时，产生热量增加，温度升高，硅的折射率升高，导致反射谱线和延迟谱线都发生红移（即谱线向长波长移动），从而使得特定波长的光信号延迟量发生改变。本实施例中，假设光载波波长为1550nm，从图6和图7可以看出，当光栅前端的折射率增加0.0015，反射谱线红移0.2nm，假设光载波波长为1550nm，对应的光信号延迟将达到230ps，损耗为6dB，远小于p-i-n电调节结构时的损耗。当光栅前端的折射率增加小于0.0013时，额外的损耗基本上为0，延迟量可达到约210ps。
实施例
本实施例中，采用p-i-p的电调节结构，如图1(b)所示。光载波波长为1550nm，p型重掺杂区掺杂浓度为2×1019/cm3，光栅波导的宽度取值如图2所示，本征区宽度呈线性变化，开始端为2μm，末端为5μm，光栅总长度为1.46cm。光栅不同位置处对应的电阻值不同，同一电压下温度升高不同：宽度越小，电阻值越小，温度升高越多，折射率增加越大，如图6所示。折射率增加将导致谱线的红移，如图7所示，当光栅前端的折射率增加0.0015时，反射谱线红移了0.2nm，对应的光信号延迟量为230ps，损耗为6dB。从图7也可以看出，当电压改变使得光栅前端折射率增加小于0.0013时，损耗基本为0，延迟量最高可达210ps.
通过上述步骤，本发明专利啁啾光栅可调光延迟集成器件可以实现光延迟的动态可调，优势在于加工相对容易，调节迅速。
Claims (8)
1.一种硅基集成啁啾光栅可调光延迟线，其特征在于，构成包括在绝缘体上硅基底上两个重掺杂区域及该两个重掺杂区域之间的本征区的光波导变迹光栅，所述的两个重掺杂区域为p型和n型重掺杂区域或p型和p型重掺杂区域，形成p-i-n结或p-i-p结构形式，所述的光波导变迹光栅是由高折射率差的硅基材料构成，中间为常规硅波导，旁边为硅锯齿和空气缝相间形成的光栅，在所述的p型重掺杂区域和n型重掺杂区上淀积金属电极，用来和外部电路相连以加载电压。
2.根据权利要求1所述的硅基集成啁啾光栅可调光延迟线，其特征在于，所述光波导变迹光栅的上包层为氧化硅。
3.根据权利要求1所述的硅基集成啁啾光栅可调光延迟线，其特征在于，所述的光波导变迹光栅，其硅锯齿的宽度从中间向波导两端递减，中间常规硅波导的宽度从中间向波导两端递增，在两端和常规硅波导平滑相连，避免光栅与常规波导耦合时由于突变引起的强反射。
4.根据权利要求3所述的硅基集成啁啾光栅可调光延迟线，其特征在于，所述的SOI光波导光栅，其硅锯齿和中间常规波导的宽度相互匹配，使得光栅每个周期的中心波长为一个定值，以获得最大的反射效率。
5.根据权利要求1所述的硅基集成啁啾光栅可调光延迟线，其特征在于，所述的p-i-n结构形式：
所述的变迹光栅完全处于本征i区，p型和n型重掺杂区分别处于本征i区的两侧，中间本征i区的宽度沿光栅纵向线性变化，不同宽度的本征区，在相同的电压下，载流子注入的浓度不同，由等离子色散效应导致硅的折射率不同，形成啁啾光栅。
6.根据权利要求1所述的硅基集成啁啾光栅可调光延迟线，其特征在于，所述的p-i-p结构形式：变迹光栅完全处于本征i区，两个p型重 掺杂区分别处于本征区的两侧，中间本征区的宽度同样沿光栅纵向线性变化，不同宽度的本征区，电阻值不同，在相同的电压下，温度升高不同，由热光效应导致硅的折射率不同，形成啁啾光栅。
7.根据权利要求1所述的硅基集成啁啾光栅可调光延迟线，其特征在于，所述的p型或n型重掺杂区域的掺杂浓度在1018-1021/cm3之间，以形成良好的欧姆接触。
8.根据权利要求1所述的硅基集成啁啾光栅可调光延迟线，其特征在于，所述的p型或n型重掺杂区域离光栅的宽度在几百纳米到几微米之间。
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|---|---|
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Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104216051A (zh) * | 2014-09-16 | 2014-12-17 | 上海交通大学 | 一种基于波导模式复用的光延迟线结构 |
| CN105794057A (zh) * | 2013-12-27 | 2016-07-20 | 英特尔公司 | 不对称光波导光栅共振器及dbr激光器 |
| CN114594612A (zh) * | 2022-03-04 | 2022-06-07 | 南京邮电大学 | 基于变迹光栅组的捕获原子、操纵和读取原子态的方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1292500A (zh) * | 1999-07-02 | 2001-04-25 | 三星电子株式会社 | 变迹光纤光栅制造设备 |
| CN101859002A (zh) * | 2010-06-25 | 2010-10-13 | 浙江大学 | 基于soi的外脊布拉格波导光栅 |
-
2012
- 2012-11-08 CN CN2012104445611A patent/CN102955267A/zh active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1292500A (zh) * | 1999-07-02 | 2001-04-25 | 三星电子株式会社 | 变迹光纤光栅制造设备 |
| CN101859002A (zh) * | 2010-06-25 | 2010-10-13 | 浙江大学 | 基于soi的外脊布拉格波导光栅 |
Non-Patent Citations (2)
| Title |
|---|
| IVANO GIUNTONI,ET,AL.: "Tunable Bragg reflectors on silicon-on-insulator rib waveguides", 《OPTICS EXPRESS》 * |
| SAEED KHAN, ET AL.: "Complementary apodized grating waveguides for tunable optical delay lines", 《OPTICS EXPRESS》 * |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105794057A (zh) * | 2013-12-27 | 2016-07-20 | 英特尔公司 | 不对称光波导光栅共振器及dbr激光器 |
| CN104216051A (zh) * | 2014-09-16 | 2014-12-17 | 上海交通大学 | 一种基于波导模式复用的光延迟线结构 |
| CN114594612A (zh) * | 2022-03-04 | 2022-06-07 | 南京邮电大学 | 基于变迹光栅组的捕获原子、操纵和读取原子态的方法 |
| CN114594612B (zh) * | 2022-03-04 | 2024-04-26 | 南京邮电大学 | 基于变迹光栅组的捕获原子、操纵和读取原子态的方法 |
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