CN102906896B - 光电器件、用于光电器件的电极、以及制作电极和具有该电极的光电器件的方法与设备 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种具有电极(10)的光电器件。所述电极包括在平面内延伸的导电结构。该结构在所述平面内包括长度为L并且宽度尺寸为D的细长型元件(12)的网格。所述导电结构进一步包括一个或多个接触区(14)，所述接触区(14)具有半径至少为2D的内切圆和半径至多为三倍L的外切圆。所述接触区(14)所占据的面积至多为所述细长型元件(12)的网格所占据的面积的20％。

Description

光电器件、用于光电器件的电极、以及制作电极和具有该电极的光电器件的方法与设备

技术领域

本发明涉及一种用于光电器件的电极。

本发明进一步涉及一种具有这种电极的光电器件。

本发明进一步涉及一种制造这种电极的方法。

本发明进一步涉及一种制造具有这种电极的光电器件的方法。

本发明进一步涉及一种制造这种电极的器件。

本发明进一步涉及一种制造具有这种电极的光电器件的设备。

背景技术

光电器件为响应于电信号提供光学效应或者响应于光学刺激生成电信号的器件。第一种实例为发光二极管，比如有机发光二极管以及电致变色器件。第二种实例为光伏电池。

对于在柔性塑料衬底上照明的大面积有机发光二极管(OLED)，需要大电流以驱动该系统。用于阳极(比如ITO)和阴极(比如Ba/Al)的现有薄膜材料的电阻率大，并且大电流引起很大的压降，这就决定了发光不均匀。为了在塑料衬底上产生大面积的柔性有机发光二极管器件，需要其他的金属化结构以支持一个或两个电极。为了降低制造成本，使用内联卷到卷网涂层工艺，这种结构类型的金属化涂层将优选地用于一卷卷塑料薄膜上。

因此，对于光电器件而言，比如发光器件和电致变色器件，以及对于光伏产品而言，金属化结构一方面需要具有良好的导电率，另一方面需要具有高传输的光子辐射。

美国专利申请2002130605A中公开了光电器件的电极。光能够穿过该电极，该电极包括导电元件模式。与光的波长相比，元件的尺寸小，所以电极外观透明。与穿透电极之前的光强分布相比，穿透电极之后的光强分布受到前向散射的影响。

在引用的美国专利申请中未描述电极如何连接到外部电源线。这通常通过连接到电极的边缘的母线实现。然而，在完成使用电极的最终产品之前，应使用母线。因此，应提前了解母线的尺寸。最好提供电极和具有可以任意尺寸制造成的这种电极的光电产品。

发明内容

本发明的目的在于提供一种改进的光电器件。

本发明的另一目的在于提供一种制造光电器件的改进方法。

本发明的又一目的在于提供一种制造光电器件的设备。

根据本发明的第一方面，提供了一种光电器件，包括第一电极(10)、第二电极(26)以及光电层(24)，其中光电层设置在第一电极和第二电极之间，其中至少第一电极包括在平面内延伸的导电结构，该结构在所述平面内包括长度为L并且宽度尺寸为D的细长型元件的网格，该导电结构进一步包括一个或多个接触区，所述接触区具有半径至少为2D的内切圆和半径至多为三倍L的外切圆，其中接触区所占据的面积至多为细长型元件的网格所占据的面积的20％。

接触区的内切圆在此定义为适合接触区的最大的圆。外切圆为封闭接触区的最小圆。

要注意的是，US2008/251808描述了氮化物半导体发光器件，该器件包括在衬底上发光的分层部分。分层部分包括n型半导体层、有源层以及p型半导体层。分层部分的外围倾斜，并且在该外围处暴露出n型半导体层的表面。n电极设置在n型半导体层的暴露面上。所引用的美国文档教导了用于产生光的分层部分10具有倾斜的外围。具有迷宫般结构的电极12同样具有倾斜部分，靠着分层部分10的倾斜外围施加(applied)所述倾斜部分。根据该美国文档，在倾斜外围处暴露的n型接触层的表面上建立n电极的欧姆接触，从而防止n型接触层透光。因此，根据所引用的美国文档，必须在分层部分的相同水平上施加迷宫般结构，以达到与此处所公开的每个实施例中一致显示的效果。

有鉴于此，该美国文档的教导不适用于美国专利申请2002130605A中所公开的光电器件，对于该美国专利申请而言，发光材料必须设置在电极的后面以实现光强分布受到前向散射的影响。

根据该施加，根据本发明的器件中的第二电极还可包括如上所述的导电结构。如果也要求第二电极透明，就较为有利。或者，如果不作此要求，可使用连续的电极，比如金属箔。

根据本发明的第二方面，提供了一种制造光电器件的方法，包括：

制造光电器件的电极，包括步骤：

提供载体，

在所述载体的表面上施加在平面内延伸的导电结构，该结构在所述平面内包括长度为L并且宽度尺寸为D的细长型元件的网格，该结构进一步包括一个或多个接触区，所述接触区具有半径至少为2D的内切圆和半径至多为三倍L的外切圆，其中所述接触区所占据的面积至多为细长型元件的网格所占据的面积的20％。

该方法进一步包括步骤：

在电极处施加光电层，

在与导电结构所形成的电极相对的光电层的侧边施加第二电极，

提供可从外部进入的电气连接，该连接延伸到一个或多个接触区的至少一个接触区中。

根据本发明的第五方面，提供了一种制造光电器件的设备，该设备包括制造用于光电器件的电极的器件，光电器件包括受控制的设施以在载体的表面处施加在平面内延伸的导电结构，该结构在所述平面内包括长度为L并且宽度尺寸为D的细长型元件的网格，该结构进一步包括一个或多个接触区，所述接触区具有半径至少为2D的内切圆和半径至多为三倍L的外切圆，其中接触区所占据的面积至多为细长型元件的网格所占据的面积的20％，该设备进一步包括施加光电层的器件和施加第二电极的器件。

根据本发明的措施能够在根据任意的切割线与半成品分离的器件内提供可靠的电气连接到网格状电极中。本发明尤其可应用于有机光电器件中，比如有机发光二极管，因为这些光电器件包括阻挡结构以防止该器件内部受到环境的湿度影响。

附图说明

结合附图更详细地描述这些和其他方面。其中：

图1为根据本发明的第一方面的光电器件的电极；

图1A为图1的电极的第一细节；

图1B为图1的电极的第二细节；

图2为根据本发明的第一方面的光电器件；

图2A为根据本发明的第一方面的光电器件的替换实施例；

图3A到图3I为根据本发明的第二方面的方法的第1到第9步骤；

图4A到图4C为根据本发明的第二方面的方法的第10到第12步骤；

图5A到图5D为根据本发明的第一方面的光电器件的电极的替换实施例；

图6A到图6C为根据本发明的第一方面的光电器件的电极的其他替换实施例；

图7示意性示出了根据本发明的第三方面的设备。

具体实施方式

在下面的具体描述中，提出了多个特定细节以便彻底理解本发明。然而，本领域的技术人员会理解的是，无需这些特定的细节就可实施本发明。在其他实例中，众所周知的方法、程序和元件未被详细描述，以避免本发明的各方面过于晦涩难懂。

在附图中，为了清晰起见，层和区域的尺寸与相对尺寸被放大。

要理解的是，虽然术语第一、第二、第三等在此可用于描述各种元件、部件、区域、层和/或部分，但是这些部件、元件、区域、层和/或部分不应受到这些术语的限制。这些术语仅仅用于区分一个元件、部件、区域、层或部分和另一个元件、部件、区域、层或部分。因此，在不背离本发明的教导的情况下，下面讨论的第一元件、部件、区域、层或部分可称为第二元件、部件、区域、层或部分。

在此结合剖视图描述本发明的实施例，这些剖视图为本发明的理想的实施例(以及中间结构)的示意图。同样，预期比如制造技术和/或容差会引起示图形状发生变化。因此，本发明的实施例不应理解为局限于此处所述的区域的特定形状，而应包括比如制造造成的形状偏差。

除非另有说明，否则此处所使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)的意义与本发明所属领域的技术人员共同理解的意义相同。要进一步理解的是，在常用字典内定义的那些术语应解释为，具有与相关领域的上下文中的意义相同的意义，并且除非此处这样进行了明确的说明，否则不应在理想的或过于正式的意义上解释这些术语。通过引用的方式包括此处所提及的所有出版物、专利申请书、专利和其他参考文献的全文。为了避免冲突，控制该说明书，包括定义。此外，材料、方法和实例仅仅具有说明性，而不具有限制性。

在全文中，相同的数字表示相同的元件。

图1显示了用于光电器件的电极10。电极10包括在与附图中的平面一致的图1中的平面内延伸的导电结构。如图1A中所示，即图1的放大部分，导电结构在所述平面内包括长度为L并且宽度尺寸为D的细长型元件12的网格。细长型元件12密封开口11。在所示的实施例中，长度L大约等于1mm。然而，比如在0.5到5mm的间隔内可选择长度L的另一个值。然而，对于一些应用而言，长度L显然可更大。比如，对于面积非常大的有机发光二极管而言，其中导电结构和光电器件之间具有良好导电层(wellconductinglayer)，导电结构的元件可具有大到10cm的长度。这种良好导电层比如可为另外具有良好的横向传导性的空穴注入层或电子注入层。元件12的宽度D大约为50μm。然而，根据本申请，比如在1到500μm的间隔内可选择宽度D的另一个值。

电极10进一步包括多个接触区14，在图1B中放大显示了其中的一个。所显示的接触区14具有半径至少为细长型元件12的宽度D的两倍的内切圆14i以及半径至多为细长型元件12的长度L的三倍的外切圆14c。在该实施例中，内切圆14i的半径为 $\frac{1}{2}\sqrt{3.}L\≈0.87mm,$ 该半径比细长型元件12的宽度D(50μm)大两倍以上。外切圆14c的半径等于L，该半径小于细长型元件12的长度L的三倍。

接触区14所占据的表面至多为细长型元件12的网格所占据的面积的20％。

细长型元件12所形成的网格留下六边形开口以允许光子辐射穿过。每个细长型元件12邻接(bounds)两个开口。因此，用于每个开口的细长型元件12所占据的面积为1/2×6×50μm×1mm＝0.15mm²。

接触区14所占据的面积为2.5mm²。对于该实施例而言，如果导电结构内的100开口中至多1个开口由接触区14代替，那么接触区14所占据的面积不大于细长型元件4的网格所占据的面积的20％。在电极10的实际实施例中，接触区14在两个方向上每3cm被设置。

在图1中所示的电极10的实施例中，可见接触区14均连接到至少5个细长型元件12中，这样每个接触区14均连接到6个元件中。

图2显示了根据本发明的第一方面的光电产品的实施例。

所显示的光电器件包括第一电极10、第二电极26和光电层24。光电层24设置在第一和第二电极10、26之间。第一电极10为结合图1、图1A、图1B所描述的电极。光电层24为将电流转换成光子辐射的层。在第一电极10和光电层24之间施加透明的导电层4，比如一层SnO2:F。透明的导电层4用做局部分配层以及电子注入层，所述局部分配层用于横向地分配电极10所提供的电流，所述电子注入层用于在光电层24内注入电子。或者，光电层24为将光子辐射转换成电流的层。层24也可为一堆光电活性的有机材料或无机材料或其组合。一些有机层或/或无机层也可为掺杂式。在另一个实施例中，光电层可具有光学性能，比如透射或反射率，这取决于电极10、26上施加的电压。具有这些功能之一的光电层同样在该领域中是众所周知的。光电层24可包括多个子层。

在所示的实施例中，光电器件在第一电极10的至少一侧具有一个或多个绝缘层20、22，并且具有至少一个电通孔32，该通孔通过一个或多个绝缘层20、22延伸到至少一个或多个接触区14。

在所示的实施例中，一个或多个绝缘层包括至少一个阻挡层20。阻挡层20阻碍水和氧气运输到内部，这对于有机发光产品极其重要。一个或多个绝缘层另外包括衬底22。

该器件可进一步具有可用作电极26的空穴注入层，比如PEDOT层。

在第二电极26的侧边，光电器件具有金属衬底28。金属衬底28用作该器件的机械支撑以及用作导电平面。金属衬底进一步具有阻挡功能。所述金属衬底可通过电镀制造。元件30表示阻挡层，该阻挡层可包括一堆相互不同的陶瓷材料(比如氧化硅和氮化硅材料)的子层。元件30可选地用于需要侧面保护的情况。该元件也可为用于进行机械保护的保护层。该保护层也可与阻挡层相结合。比如，如果保护层是有机的，那么该保护层就与陶瓷材料堆相结合。图2进一步显示了在施加阻挡层30之前所施加的粘着剂34。去除粘着剂34之后，在金属衬底28处可进行接触。

图2A显示了另一个实施例。在其内，金属衬底28由电极结构10a代替，该电极结构与参看图1、图1A和图1B描述的电极结构10相同。与元件32所连接的电极10的那些部件对应的部件以及阻挡层20具有相同的带有后缀a的附图标记。在该实施例中，空穴注入层26进一步用作用于横向地分配电极结构10所提供的电流的局部分配层。

在图2A中所示的实施例中，电极结构10a覆盖有另一个阻挡层20a。而且，该器件嵌入到覆盖物内，该覆盖物通过利用电绝缘粘合剂38连接到其的金属箔36形成。绝缘粘合剂38具有吸气剂颗粒39。接触元件14a经由通孔32a电连接。

一些器件对于大气影响不敏感，或者可用于惰性气体中。在这种情况下，可忽略阻挡层，并且当从外面可直接获得接触元件时，也不需要进入接触元件的通孔。

参看图3A到图3I，描述了根据本发明的第一方面制造光电器件的方法。

在(图3A中所示的)第一步骤中，提供了金属箔2，比如铝箔，比如厚度范围在20到200μm，比如厚度为100μm。如果有必要的话，通过进行湿化学清洁或通过等离子体处理，比如通过与(静电)粘结滚轴接触可清洁金属箔。图3A的部分a和b分别显示了金属箔2的剖视图和俯视图。

在(图3B中所示的)第二步骤中，在金属箔2的主要表面上施加透明的导电层4。在该实施例中，通过常压化学气相沉积(APCVD)在550℃的温度下施加透明的导电层SnO2:F。所施加的层4的厚度通常在20-600nm的范围内。

图3C显示了第三步骤，其中施加电极10，该电极包括在平面内延伸的导电结构。此处，该平面由金属箔处的透明导电层4的表面限定，或者当没有透明导电层时由金属箔2本身的表面限定。图3C的部分a和b分别显示了金属箔的剖视图和俯视图。根据部分b内的c-c获取剖面图。

通常印刷电极10，因为这允许快速无接触地施加形成该电极的导电材料。尤其地，通过印刷银浆料来施加电极10。然而，具有良好导电性的其他材料(比如铜或铝)也是合适的。或者，如图1、图1A和图1B中所示，通过结合抗蚀工序进行电镀，可施加电极10。电极10在所述平面内包括长度为L并且宽度尺寸为D的细长型元件12的网格形成的结构。电极10进一步包括多个接触区14，所述接触区具有半径至少为2D的内切圆和半径至多为三倍L的外切圆。接触区14所占据的面积至多为细长型元件12的网格所占据的面积的20％。

在图3D中所示的第四步骤中，在电极10上施加阻挡层20。阻挡层20可包括多个彼此交替的不同无机材料的子层。或者，阻挡层20可包括无机材料和有机材料彼此交替的子层。在该实施例中，施加阻挡层，该阻挡层随后包括氮化硅层、氧化硅层、氮化硅层、氧化硅层以及氮化硅层。其有利之处在于，利用相同的技术可施加阻挡层的所有子层。

在图3E中所示的第五步骤中，阻挡层20由有机支撑层22覆盖，该有机支撑层也称为衬底，比如厚度范围为20到50μm。比如通过旋转涂覆可施加有机支撑层22，比如聚酰亚胺层。或者，通过层压到阻挡层20中可施加有机层22，这就允许具有较快的工序。然而，应优化胶黏剂、压力、温度和速度，以避免粘合层起泡以及SnO2:F破裂。

在图3F中所示的第六步骤中，施加有机支撑层22之后，去除第一步骤内提供的金属箔10。在该实施例中，通过使用蚀刻剂蚀刻去除金属箔10，倘若这样，将5％的NaOH溶液加入水中，在大约60℃的温度下蚀刻15-16分钟进行蚀刻去除金属箔10。进行蚀刻之后，在H₃PO₄溶液内中和以及在脱矿质水内冲洗这样获得的半成品。

在图3G中所示的第七步骤中，比如通过旋转涂覆，施加导电聚合物层24，比如PEDOT层。如果该聚合物层具有足够高的导电性，那么可跳过第二步骤，在第二步骤中透明的导电层4被施加。导电聚合物层24通常具有大约100nm的厚度。随后，通过旋转涂覆，还施加厚度大约为80nm的发光层25。

图3H显示了第八步骤，其中在这种情况下，通过热蒸发来沉积阴极26。所述沉积包括在发光聚合物层沉积大约5nm的钡层以及在钡层沉积大约100到400nm的铝层。或者，可施加透明的阴极，比如包括非常薄的金属层(比如Ba、Al或Ag等)以及透明的导电氧化层和电介质。

图3I显示了第九步骤，其中阴极26由金属层28覆盖。在第九步骤中能够具有各种选择。在一个实施例中，如相同申请人所申请的欧洲专利申请09158618.0(P87649EP00)中所描述的，通过使用离子液体进行电镀，将较薄的铝层施加到阴极层26中，从而施加金属层。或者，可使用导电粘合剂将金属箔粘合到阴极上。

如果需要该器件在阴极26的侧边是透明的，那么能够交替地将具有导电结构的阻挡箔粘合到阴极上，比如步骤3F中制备的箔。在这种情况下，层4不需要透明。

在卷到卷工序中可执行用于制作图3I的半成品的第一到第九步骤。使用该工序获得的半成品比如可为薄片，所述薄片具有比如在10cm到2m范围的宽度以及在1m到几km范围的长度。该薄片可存储在滚轴上。半成品包括对大气物质(比如水分和氧气)敏感的组件时，通过注意阻挡结构10和层28共同完全密封这些组件，可保护该半成品不发生侧漏。然而，可选地，半成品可存储在保护气体内。

在第10步骤中，具有所需要的形状和尺寸的部件与第九步骤中获得的半成品分离。比如通过激光切割或通过冲孔，可分离这些部件。

图1显示了圆形部件与半成品分离的实例。图4A显示了相应的分离部件，然而，只要所分离的部件包括至少一个接触区14，那么所分离的部件可具有任意的形状和尺寸。

在(图4B中所示的)第11步骤中，在通过分离产品而变得暴露的侧边处施加阻挡层30。阻挡层30可包括一堆相互不同的陶瓷材料的子层，比如氧化硅和氮化硅材料。可选地，具有阴极26的产品的侧边也可具有阻挡层30，但是，这并非严格必需的，因为该侧边已经受到金属箔28的保护。在这种情况下，在施加阻挡层30之前，在金属箔28处可施加粘着剂34(见图4C)。施加阻挡层30之后，可使用其去除粘着剂34以在金属箔28处留下电接触。可通过低温PECVD工艺施加阻挡层30，并且这样获得的阻挡层30随后可通过施加(比如通过浸涂)有机层(比如其上的聚酰亚胺或PEN)被机械保护。

在(图4C中所示的)第12步骤中，施加至少一个电通孔32，该通孔通过有机支撑层22和阻挡层20延伸到导电结构10的接触区14内。导电结构10内存在至少一个接触区14，使得能够更容易在导电结构10和外部导电体之间获得可靠的电接触。如果需要的话，导电结构10内一个以上的接触区14可通过这样的电通孔连接到外部导电体中。

在所示的实施例中，接触区14代替细长型元件12的网格内的开口11。其优点在于，接触区14和细长型元件12的网格之间实现非常好的电气连接。然而，可选地，细长型元件12的网格内的接触区14可具有其他相对位置，如图5A或图5B中所示。同样，接触区14不需要与开口具有相同的尺寸，但是可更小(图5C)或更大(图5D)。在图5C的实例中，内切圆的半径为0.45mm，该半径大约比细长型元件的宽度D(50μm)大9倍。外切圆的半径为0.5mm，该半径大约为细长型元件的长度L(1mm)的0.5倍。在图5D的实例中，内切圆的半径为1mm，该半径大约比细长型元件的宽度D(50μm)大20倍。在图5D中，外切圆的半径为1.1mm，该半径大约为细长型元件的长度L(1mm)的1.1倍。

细长型元件12的网格不必为六边形网格。比如，可使用矩形网格(图6A)、三角形网格(图6B)或八角形网格(图6C)。网格不必完全有规则(fullyregular)。可选地，该网格可无规则，比如结合不同尺寸的细长型元件形成该网格。然而，对于有机发光二极管，该网格最好足够规则以产生造成强度分布的电流分布，对于观察者而言，该强度分布看上去均匀。

各种方法都适用以根据本发明提供具有导电结构的衬底。如上所述，根据一种这样的方法，印刷导电结构，并且根据另一种方法，通过电镀来施加导电结构。根据又一种方法，可通过选择性蚀刻金属箔施加导电层，以使进行选择性蚀刻工序之后金属箔的剩余材料形成导电结构，比如，如相同申请人早期申请的欧洲专利申请08173040(P86830EP00)中所述的。这样获得的导电结构可嵌入到阻挡层内，又比如，如相同申请人早期申请的欧洲专利申请09167416.8(P88200EP00)中所述的。

图7示意性地示出了用于制造光电器件的设备50。该设备50包括器件52，该器件52用于制造用于光电器件的电极10，光电器件包括受控制的设施(比如印刷设施)以在载体2的表面处施加在平面内延伸的导电结构。通过印刷设施所施加的结构(比如图1、图1A和图1B的结构)，在所述平面内包括长度为L并且宽度尺寸为D的细长型元件12的网格。该结构进一步包括一个或多个接触区14，所述接触区14具有半径至少为2D的内切圆14i和半径至多为三倍L的外切圆14e。接触区14所占据的面积至多为细长型元件12的网格所占据的面积的20％。该设备50进一步包括施加光电层24的器件54和施加第二电极26的器件56(见图2)。

实际上，根据待制造的电光器件的类型，设备50可包括用于施加其他层的其他设施。比如，待制造的光电器件为有机发光二极管时，可存在施加空穴注入层、阻挡层等的设施。各种设施可要求特别的大气条件以用于操作。比如，为了施加无机层操作，需要排出大气。在这种情况下，在该工序中，待根据这种特别的大气条件处理的半成品可分批放置在腔室内，该腔室具有特定的设施并且提供加工过程中所需要的特别的大气条件。或者，如果与卷到卷工序中一样需要连续的工艺流程，那么待处理的半成品通过大气去耦狭槽可运输到腔室内或从腔室中运出，该腔室具有特定的设施并且提供所需要的特别的大气条件，如相同申请人早期申请的欧洲专利申请09169668.2(P88847EP00)中所述的。在所示的实施例中，通过运输设施沿着各种设施引导待处理的衬底2，运输设施包括至少一个展开卷轴51和重绕卷轴59。

已经在附图和前面的描述中详细阐述和描述本发明的同时，这种阐述和描述应视为具有阐述性和示范性，而不具有限制性；本发明不局限于所公开的实施例。

通过研究附图、说明书以及所附权利要求书，在实施请求保护的发明的过程中，本领域的技术人员可理解和实现所公开的实施例的其他变化。在权利要求书中，单词“comprising”(包括)并不排除其他的元件或步骤，不定冠词“a”或“an”不排除复数。单个处理器或其他单元可实现权利要求书中所叙述的若干物品的功能。在相互不同的权利要求书中叙述某些措施这一事实，并不表示这些措施的组合无利。权利要求书中的任何附图标记不应理解为限制该范围。

Claims (10)

1.一种光电器件，所述光电器件包括第一电极(10)、第二电极(26)以及光电层(24)，其中所述光电层设置在所述第一电极和所述第二电极之间，其中至少所述第一电极包括在平面内延伸的导电结构，所述导电结构由导电材料形成，所述结构在所述平面内包括长度为L并且宽度尺寸为D的细长型元件(12)的网格，所述导电结构进一步包括一个或多个接触区(14)，所述接触区(14)具有半径至少为2D的内切圆(14i)和半径至多为三倍L的外切圆(14c)，其中所述接触区(14)所占据的面积至多为所述细长型元件(12)的网格所占据的面积的20％，所述细长型元件(12)的网格和所述接触区(14)均由所述导电材料形成，并且被布置在公共层上。

2.根据权利要求1所述的光电器件，其中所述第一电极和所述第二电极包括所述导电结构。

3.根据权利要求1所述的光电器件，具有围绕所述器件的覆盖物以及设置在所述覆盖物内的吸气材料。

4.根据权利要求1所述的光电器件，在至少所述第一电极(10)的侧边具有一个或多个绝缘层(20、22)并且具有至少一个电通孔(32)，所述电通孔通过所述一个或多个绝缘层延伸到所述一个或多个接触区的至少一个接触区。

5.根据权利要求4所述的光电器件，其中所述一个或多个绝缘层包括阻挡层(20)。

6.根据权利要求4所述的光电器件，其中所述一个或多个绝缘层包括衬底(22)。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的光电器件，在所述第二电极的、与所述光电层(24)相对的一侧具有金属衬底(28)。

8.一种制造光电器件的方法，包括：

制造所述光电器件的电极，包括步骤：

提供载体，

施加至少第一电极，至少所述第一电极包括由导电材料形成的导电结构，所述导电结构在所述载体的表面处的平面内延伸，该结构在所述平面内包括长度为L并且宽度尺寸为D的细长型元件(12)的网格，该结构进一步包括一个或多个接触区(14)，所述接触区(14)具有半径至少为2D的内切圆(14i)和半径至多为三倍L的外切圆(14c)，其中所述接触区(14)所占据的面积至多为所述细长型元件(12)的网格所占据的面积的20％，所述细长型元件(12)的网格和所述接触区(14)均由所述导电材料形成，

该方法进一步包括步骤：

在所述电极上施加光电层，

在与所述导电结构所形成的所述电极相对的所述光电层的侧边施加第二电极，

提供可从外部进入的电气连接，该电气连接延伸到所述一个或多个接触区的至少一个接触区中。

9.根据权利要求8所述的方法，其中所述施加的步骤包括在所述载体的表面印刷所述导电结构。

10.根据权利要求8所述的方法，其中所述施加的步骤包括：

在所述载体的表面提供金属衬底，

选择性地蚀刻所述金属衬底以形成所述导电结构。