[go: up one dir, main page]

CN102819998B - 移位寄存器和显示装置 - Google Patents

移位寄存器和显示装置 Download PDF

Info

Publication number
CN102819998B
CN102819998B CN201210266145.7A CN201210266145A CN102819998B CN 102819998 B CN102819998 B CN 102819998B CN 201210266145 A CN201210266145 A CN 201210266145A CN 102819998 B CN102819998 B CN 102819998B
Authority
CN
China
Prior art keywords
shift register
film transistor
output
tft
control module
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201210266145.7A
Other languages
English (en)
Other versions
CN102819998A (zh
Inventor
青海刚
祁小敬
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
BOE Technology Group Co Ltd
Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd
Original Assignee
BOE Technology Group Co Ltd
Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority to CN201210266145.7A priority Critical patent/CN102819998B/zh
Application filed by BOE Technology Group Co Ltd, Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd filed Critical BOE Technology Group Co Ltd
Priority to CN201510007408.6A priority patent/CN104464645B/zh
Publication of CN102819998A publication Critical patent/CN102819998A/zh
Priority to KR1020137021747A priority patent/KR101493186B1/ko
Priority to PCT/CN2012/086704 priority patent/WO2014019315A1/zh
Priority to EP12866403.4A priority patent/EP2881934A4/en
Priority to US13/984,697 priority patent/US20140064439A1/en
Priority to JP2015524597A priority patent/JP2015528974A/ja
Application granted granted Critical
Publication of CN102819998B publication Critical patent/CN102819998B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
    • G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
    • G09G3/32—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C19/00—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers
    • G11C19/28—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using semiconductor elements
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/34—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source
    • G09G3/36—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source using liquid crystals
    • G09G3/3611—Control of matrices with row and column drivers
    • G09G3/3674—Details of drivers for scan electrodes
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2310/00—Command of the display device
    • G09G2310/02—Addressing, scanning or driving the display screen or processing steps related thereto
    • G09G2310/0264—Details of driving circuits
    • G09G2310/0286—Details of a shift registers arranged for use in a driving circuit

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Shift Register Type Memory (AREA)
  • Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)

Abstract

本发明提供一种移位寄存器单元、移位寄存器和显示装置。所述移位寄存器单元包括：第一输出控制模块；第二输出控制模块；分级输出模块，分别与上拉节点、下拉节点、进位信号输出端和驱动信号输出端连接，用于通过分级输出进位信号和驱动信号，而使得在驱动信号在求值阶段维持高电平而在复位阶段、预充电阶段和非工作阶段维持低电平；上拉节点电平维持电容，连接于所述第一低电平输出端与第一输出控制模块包括的第一薄膜晶体管的源极之间，用于在求值阶段通过所述第一输出控制模块维持所述上拉节点的电平为高电平，以使得所述驱动信号维持高电平。本发明可以解决耗尽型TFT的漏电流问题对移位寄存器的影响。

Description

移位寄存器和显示装置
技术领域
本发明涉及有机发光显示领域，尤其涉及一种移位寄存器单元、移位寄存器和显示装置。 
背景技术
随着平板显示的发展，高分辨率，窄边框成为发展的潮流，而要实现高分辨率，窄边框显示，面板上集成栅极驱动电路是最重要的解决办法。对于a-si（非晶硅）和p-si（多晶硅）技术，现有的各种成熟移位寄存电路可以很好的实现这个目标。氧化物TFT（晶体管）作为一种非常有潜力的半导体技术，相比于p-si工艺更简单，成本更低，相比于a-si迁移率更高，因而越来越受到重视，未来很可能是OLED（有机发光二极管），柔性显示的主流背板驱动技术。然而氧化物TFT是一种耗尽型晶体管，而前面提到的a-si TFT和p-si TFT为增强型的晶体管。 
图1为传统的基本的移位寄存器单元的电路图。如图1所示，该基本的移位寄存器单元包括上拉薄膜晶体管T1、下拉薄膜晶体管T2、自举电容C1、上拉控制薄膜晶体管T3、下拉控制薄膜晶体管T4、存储电容C2、第一时钟信号输入端CK、第二时钟信号输入端CKB、输入端Input、复位端Reset和输出端Output； 
上拉节点（PU点）为与T1的栅极连接的节点，下拉节点（PD点）为与T2的栅极连接的节点； 
并且从输入端Input输入起始信号STV，VGL为低电平。 
图2是如图1所示的基本的移位寄存器单元在工作时各信号的时序图，VGH为高电平。 
当使用增强型TFT技术制作该基本的移位寄存器单元的电路时，该基本的移位寄存器单元的电路可以正常工作，见图2实线部分，然而如果使用氧化 物晶体管（耗尽型晶体管）制作该电路时，由于下拉晶体管无法关闭，电路失效，见图2虚线部分。 
增强型晶体管和耗尽型晶体管的差别见图3和图4，图3为增强型晶体管的特性曲线图，图3的纵轴为增强型晶体管的漏极电流iD，图3的横轴为增强型晶体管的栅源电压Vgs，从图3上可以看到，当Vgs为零时，iD为零，说明Vgs为零时，增强型晶体管完全关闭；图4为耗尽型晶体管的特性曲线图，同样图4的纵轴为耗尽型晶体管的漏极电流iD，图4的横轴为耗尽型晶体管的栅源电压Vgs，但图4显示的却是Vgs为零时，iD远大于零，而只有在栅源电压Vgs为-6V时，iD才为零，因此，在栅源电压Vgs为0时耗尽型晶体管仍然处于导通状态，无法关闭，因此现有的使用a-si技术或p-si技术能正常工作的电路，在运用氧化物晶体管制作时，由于氧化物晶体管不能关闭，漏电流较大，因此如图1所述的传统的基本的移位寄存器单元的电路就不再适用。 
发明内容
本发明的主要目的在于提供一种移位寄存器单元、移位寄存器和显示装置，以解决耗尽型TFT的漏电流问题对移位寄存器的影响。 
为了达到上述目的，本发明提供了一种移位寄存器单元，包括： 
第一输出控制模块，其与上拉节点连接，用于在求值阶段将上拉节点上拉到高电平，而在复位阶段下拉到第一低电平； 
第二输出控制模块，其与下拉节点连接，用于在复位阶段和非工作阶段将下拉节点上拉到高电平； 
分级输出模块，分别与上拉节点、下拉节点、进位信号输出端和驱动信号输出端连接，用于通过分级输出进位信号和驱动信号，而使得在所述驱动信号在求值阶段维持高电平而在复位阶段、预充电阶段和非工作阶段维持低电平； 
上拉节点电平维持电容，连接于所述第一低电平输出端与所述第一薄膜晶体管的源极之间，用于在求值阶段通过所述第一输出控制模块维持所述上拉节点的电平为高电平。 
实施时，所述第一输出控制模块包括第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管和第四薄膜晶体管；所述第一薄膜晶体管，栅极和漏极与所述 输入端连接，源极与所述第二薄膜晶体管的漏极连接；所述第二薄膜晶体管，栅极与所述输入端连接，源极与所述上拉节点连接；所述第三薄膜晶体管，栅极与复位端连接，源极分别与所述第四薄膜晶体管的漏极和第一薄膜晶体管的源极连接，漏极与所述上拉节点连接；所述第四薄膜晶体管，栅极与所述复位端连接，源极与第一低电平输出端连接。 
实施时，所述分级输出模块包括： 
进位输出单元，用于在预充电阶段、复位阶段和非工作阶段在所述第一输出控制模块和第二输出控制模块的控制下使得进位信号输出端输出第一低电平，并在求值阶段在所述第一输出控制模块和第二输出控制模块的控制下使得进位信号输出端输出高电平； 
驱动输出单元，用于在求值阶段在所述第一输出控制模块和第二输出控制模块的控制下使得驱动信号输出端输出高电平，并在预充电阶段、复位阶段和非工作阶段在所述第一输出控制模块和第二输出控制模块的控制下使得驱动信号输出端输出第二低电平。 
实施时，所述进位输出单元包括第一进位输出薄膜晶体管和第二进位输出薄膜晶体管；所述驱动输出单元包括第一驱动薄膜晶体管、第二驱动薄膜晶体管和自举电容； 
所述第一进位输出控制薄膜晶体管，栅极与所述第一输出控制模块连接，源极与所述进位信号输出端连接，漏极与时钟信号输入端连接； 
所述第二进位输出薄膜晶体管，栅极与所述第二输出控制模块连接，源极与第一低电平输出端连接，漏极与所述进位信号输出端连接； 
所述第一驱动薄膜晶体管的栅极和源极之间并联有所述自举电容； 
所述第一驱动薄膜晶体管，栅极与所述第一输出控制模块连接，源极与所述驱动信号输出端连接，漏极与所述时钟信号输入端连接； 
所述第二驱动薄膜晶体管，栅极与所述第二输出控制模块连接，源极与第二低电平输出端连接，漏极与所述驱动信号输出端连接。 
实施时，第二低电平大于第一低电平。 
实施时，所述第二输出控制模块包括下拉控制薄膜晶体管和下拉电容，其中： 
所述下拉控制薄膜晶体管，栅极与所述上拉节点连接，源极与第一低电平输出端连接，漏极分别与所述下拉节点和所述下拉电容的第一端连接； 
所述下拉电容的第二端与所述时钟信号输入端连接。 
实施时，所述第一进位输出薄膜晶体管、所述第二进位输出薄膜晶体管、所述第一驱动薄膜晶体管和所述第二驱动薄膜晶体管都是耗尽型薄膜晶体管。 
本发明还提供了一种移位寄存器，包括多级上述的移位寄存器单元； 
除了第一级移位寄存器单元之外，每一级移位寄存器单元的输入端和上一级移位寄存器单元的进位信号输出端连接； 
除了最后一级移位寄存器单元，每一级移位寄存器单元的复位端和下一级移位寄存器单元的进位信号输出端连接； 
第一级移位寄存器单元的输入端接入起始信号； 
最后一级移位寄存器单元的复位端接入最后一级移位寄存器单元输出的驱动信号。
本发明还提供了一种显示装置，包括上述的移位寄存器。 
与现有技术相比，本发明所述的移位寄存器单元、移位寄存器和显示装置，运用上拉节点电平维持电容在求值阶段维持上拉节点的电平为高电平，从而去稳定所述分级输出模块包括的与上拉节点连接的用于上拉驱动的薄膜晶体管的源极的既有电位，使得该用于上拉驱动信号的薄膜晶体管在栅极电位下拉时，栅极与源极的电压差小于零同时小于阈值电压，因此对于耗尽型晶体管，其处于关闭状态，极大地减小了漏电流，防止了上拉节点电位被下拉，从而解决了耗尽型移位寄存电路的漏电问题，保证了移位寄存器单元的正常工作；并且采用了分级输出模块，通过分级输出进位信号和驱动信号，而使得在所述驱动信号在求值阶段维持高电平而在复位阶段、预充电阶段和非工作阶段维持低电平，从而解决耗尽型TFT的漏电流问题对移位寄存器单元的驱动信号的影响。 
附图说明
图1是传统的基本的移位寄存器单元的电路图； 
图2是该基本的移位寄存器单元在工作时各信号的时序图； 
图3是增强型晶体管的特性曲线图； 
图4是耗尽型晶体管的特性曲线图； 
图5是本发明所述的移位寄存器单元的第一实施例的电路图； 
图6是本发明所述的移位寄存器单元的第二实施例的电路图； 
图7是本发明所述的移位寄存器单元的第三实施例的电路图； 
图8是本发明所述的移位寄存器单元的第三实施例在工作时的各信号的时序图； 
图9是本发明所述的移位寄存器单元的第四实施例的电路图； 
图10是本发明所述的移位寄存器的一实施例的电路图。 
具体实施方式
为使得本发明的目的、技术方案和优点表达得更加清楚明白，下面结合附图及具体实施例对本发明再做进一步详细的说明。 
本发明提供了一种移位寄存器单元、移位寄存器和显示装置，以解决耗尽型TFT的漏电流问题对移位寄存器的影响。 
如图5所示，本发明所述的移位寄存器单元的第一实施例，包括： 
第一输出控制模块51，其与上拉节点PU连接，用于在求值阶段将上拉节点上拉到高电平，在复位阶段将上拉节点下拉到第一低电平； 
第二输出控制模块52，其与下拉节点PD连接，用于在复位阶段和非工作阶段将下拉节点上拉到高电平； 
所述第一输出控制模块51包括第一薄膜晶体管T1、第二薄膜晶体管T2、第三薄膜晶体管T3和第四薄膜晶体管T4； 
所述第一薄膜晶体管T1，栅极和漏极与输入端Input（n）连接，源极所述第二薄膜晶体管T2的漏极连接； 
所述第二薄膜晶体管T2，栅极与所述输入端Input（n）连接，源极与所述上拉节点PU连接； 
所述第三薄膜晶体管T3，栅极与复位端RST（n）连接，源极分别与所述第四薄膜晶体管T4的漏极和第一薄膜晶体管T1的源极连接，漏极与所述上拉节点PU连接； 
所述第四薄膜晶体管T4，栅极与复位端RST（n）连接，源极与第一低电平输出端连接； 
本发明所述的移位寄存器单元的第一实施例还包括： 
分级输出模块53，分别与上拉节点（PU点）、下拉节点（PD点）、进位信号输出端CA（n）和驱动信号输出端OUT（n）连接，用于通过分级输出进位信号和驱动信号，而使得在所述驱动信号在求值阶段维持高电平而在复位阶段和预充电阶段和非工作阶段维持低电平； 
上拉节点电平维持电容C1，连接于所述第一低电平输出端与所述第一薄膜晶体管的源极T1之间，用于在求值阶段通过所述第一输出控制模块51维持所述上拉节点（PU点）的电平为高电平； 
本发明所述的移位寄存器单元的第一实施例的进位信号输出端与下一级移位寄存器单元的输入端Input（n+1）连接，还与上一级移位寄存器单元的复位端RST（n-1）连接（图5中未示）； 
M点是与所述第一薄膜晶体管T1的源极连接的节点，所述第一低电平输出端输出第一低电平VGL1。 
本发明所述的移位寄存器单元的第一实施例，主要是运用上拉节点电平维持电容C1在求值阶段维持所述上拉节点（PU点）的电平为高电平。具体的操作主要是通过电容C1稳定与PU点连接的薄膜晶体管（图5中未示）的源极的既有电位，使得该薄膜晶体管在栅极电位下拉时，栅极与源极的电压差小于零同时小于阈值电压，因此对于耗尽型晶体管，其处于关闭状态，极大地减小了漏电流，防止了PU点电位被下拉，从而解决了耗尽型移位寄存电路的漏电问题，保证了移位寄存器单元的正常工作。 
并且，在本发明所述的移位寄存器单元的第一实施例中，采用了所述分级输出模块53，通过分级输出进位信号和驱动信号，而使得在所述驱动信号在求值阶段维持高电平而在复位阶段和预充电阶段和非工作阶段维持低电平，从而解决耗尽型TFT的漏电流问题对移位寄存器单元的驱动信号的影响。 
如图6所示，本发明所述的移位寄存器单元的第二实施例的电路图。本发明所述的移位寄存器单元的第二实施例基于本发明所述的移位寄存器单元的第一实施例。在该第二实施例中，所述分级输出模块53包括驱动输出单元531 和进位输出单元532，其中， 
所述进位输出单元532采用第一低电平输出端驱动； 
所述驱动输出单元531采用第二低电平输出端驱动； 
所述进位输出单元532，用于在预充电阶段、复位阶段和非工作阶段在所述第一输出控制模块51的控制下使得进位信号输出端CA（n）输出第一低电平VGL1，并在求值阶段在第二输出控制模块的控制下使得进位信号输出端输出高电平； 
所述驱动输出单元531，用于在求值阶段在所述第二输出控制模块52和第一输出控制模块51的控制下使得驱动信号输出端OUT（n）输出高电平，并在复位阶段在第一输出控制模块51和第二输出控制模块52的控制下使得驱动信号输出端OUT（n）输出第二低电平VGL2。 
所述第一低电平输出端输出第一低电平VGL1，所述第二低电平输出端输出第二低电平VGL2； 
所述第一低电平VGL1和第二低电平VGL2不同，从而避免耗尽型TFT的漏电流问题对移位寄存器单元的驱动信号的影响。 
如图7所示，本发明所述的移位寄存器单元的第三实施例的电路图。本发明所述的移位寄存器单元的第三实施例基于本发明所述的移位寄存器单元的第二实施例。在该第三实施例中， 
所述进位输出单元532包括第一进位输出薄膜晶体管T5和第二进位输出薄膜晶体管T6； 
所述驱动输出单元531包括第一驱动薄膜晶体管T7、第二驱动薄膜晶体管T8和自举电容C2； 
所述第一进位输出薄膜晶体管T5，栅极与所述第一输出控制模块51连接，源极与所述进位信号输出端CA（n）连接，漏极与时钟信号输入端连接； 
所述第一驱动薄膜晶体管T7的栅极和源极之间并联有所述自举电容C2； 
所述第一驱动薄膜晶体管T7，栅极与所述第一输出控制模块51连接，源极与所述驱动信号输出端OUT（n）连接，漏极与所述时钟信号输入端连接； 
所述第二进位输出薄膜晶体管T6，栅极与所述第二输出控制模块52连接，源极与第一低电平输出端连接，漏极与所述进位信号输出端CA（n）连接； 
所述第二驱动薄膜晶体管T8，栅极与所述第二输出控制模块52连接，源 极与第二低电平输出端连接，漏极与所述驱动信号输出端OUT（n）连接； 
所述第一输出控制模块51还分别与第一低电平输出端和所述输入端Input（n）连接； 
所述第二输出控制模块52还与第一低电平输出端连接。 
进一步地，T5、T6、T7和T8都是n型TFT（薄膜晶体管）； 
进一步地，所述第一进位输出薄膜晶体管T5、所述第二进位输出薄膜晶体管T6、所述第一驱动薄膜晶体管T7和所述第二驱动薄膜晶体管T8都是耗尽型薄膜晶体管； 
其中，从时钟信号输入端输入时钟信号CK，所述第一低电平输出端输出第一低电平VGL1，所述第二低电平输出端输出第二低电平VGL2，并且VGL1<VGL2。 
在本发明所述的移位寄存器单元的第三实施例中，PU点是与所述第一进位输出控制薄膜晶体管T5的栅极连接的节点，PD点是与所述第二进位输出控制薄膜晶体管T6的栅极连接的节点。PU点电位、PD点电位分别由第一输出控制模块51、第二输出控制模块52所控制的。 
本发明所述的移位寄存器单元的第三实施例使用了两个不同的下拉电位：VGL1和VGL2，一个下拉电位VGL2用于驱动信号输出，一个下拉电位VGL1用于反馈和进位信号输出，且VGL2大于VGL1，同时本级移位寄存器单元的输入部分和复位部分使用了两个TFT串联，两个TFT的中间连在一起，且与电容C1连接于M点。另外本发明所述的移位寄存器单元的第三实施例需要的时钟信号CK，高电平为VGH，低电平为VGL1；第二输出控制模块52输出的信号作用于PD点，高电平为VGH，低电平为VGL1；根据本级移位寄存器单元与上一级移位寄存器单元的复位端RST(n-1)和对下一级移位寄存器单元的输入端Input(n+1)的连接，可知本级移位寄存器单元的输入端Input（n）和复位端RST（n）接收到的信号的高电平、低电平分别为VGH、VGL1。 
如图8所示，本发明所述的移位寄存器单元的第三实施例的工作过程分为三个阶段： 
第一个阶段为预充电阶段S1：时钟信号输入端和复位端RST（n）输出第一低电平VGL1，输入端Input（n）输出高电平VGH，因此T1、T2开启，通 过PU点对自举电容C2充电，同时也通过M点对C1充电；由于T4的源极电压为VGL1，同时RST（n）的电位也为VGL1，因此对于T4而言Vgs（栅源电压）为0，T4处于一定的开启状态（对应其特性曲线，可以看到其处于线性区，有一定电阻），随着输入端Input（n）对C1的充电，M点电位迅速升高，对于T3，其源极电位为M点的电位，而T3的栅极电位为VGL1，因此T3的Vgs小于0，当M点电位上升到一定值后，T3彻底关闭，由于T3关闭，PU点的电位会很快到达VGH；而PD点的电位为VGL1，T6的Vgs为0，T6开启；对于T8，由于VGL2大于VGL1，T8的Vgs小于0，因此T8关闭。由于PU点电位的升高，T5、T7开启，OUT（n）输出低电平VGL1，CA（n）输出低电平VGL1； 
第二个阶段为求值阶段S2：CK跳变为高电平，输入端Input（n）的电位跳变为第一低电平VGL1，RST（n）仍然输出第一低电平VGL1，T1的Vgs和T4的Vgs为0，因此T1和T4处于一定的开启状态（处于线性区，有一定电阻）；T2的栅极电位和T3的栅极电位都为VGL1，T2的源极电位和T3的源极电位为M点电位，M点由于与C1连接，虽然C1会通过T1和T4缓慢放电，但M点电位不会很快跳变成VGL1，而是缓慢下降，只要C1的电容值达到某一预定值，在半个脉宽的时间内C1两端的电位差可以保持大于VGL1一定值，因此T2的栅源电压Vgs和T3的栅源电压Vgs小于0且可以保证其处于关闭状态，T2和T3的关闭可以使得PU点电位继续为高电平保持不变，因此T5和T7继续开启，PD点的电位继续保持低电平VGL1，因此T8继续关闭，T6保持一定的开启状态，此时CK为高电平，通过C2将PU点电位进一步提高，T5和T7进一步开启，因此OUT（n）输出高电平VGH，同时CA（n）输出高电平VGH； 
第三阶段为复位阶段S3：CK跳变为第一低电平VGL1，RST（n）和PD点输出高电平VGH，因此T6和T8充分开启，T3和T4充分开启，因此PU点和M点电位被下拉至VGL1，T6和T8的开启使得OUT（n）输出VGL2，而CA（n）输出VGL1； 
到此移位寄存器单元的操作结束，PU点电位下拉至VGL1后，由于OUT（n）输出VGL2，T7的Vgs小于0，T7关闭，因此当CK再次为高电平的时 候也不会影响到OUT（n）的输出。而T5虽然有可能处于微开启，但由于T6的开启，因此CA（n）输出VGL1。 
图9是本发明所述的移位寄存器单元的第四实施例的电路图。本发明所述的移位寄存器单元的第四实施例基于本发明所述的移位寄存器单元的第三实施例。 
如图9所示，在该第四实施例中，所述第二输出控制模块52包括下拉控制薄膜晶体管T9和上拉电容C3，其中： 
下拉控制薄膜晶体管T9，栅极与所述上拉节点（PU点）连接，源极与第一低电平输出端连接，漏极分别与所述下拉节点（PD点）和所述上拉电容C3的第一端连接； 
所述上拉电容C3的第二端与所述时钟信号输入端连接。 
需注意的是：本发明的第二输出控制模块52有很多种方案，如图9所示的第二输出控制模块就是实施例之一，但第二输出控制模块的差异并不是本专利与其他方案的本质区别，只要使用了本发明的技术方案，第二输出控制模块无论使用何种实施例都在本发明专利的保护范围内。 
本发明还提供了一种移位寄存器，包括多级上述的移位寄存器单元； 
除了第一级移位寄存器单元之外，每一级移位寄存器单元的输入端和上一级移位寄存器单元的进位信号输出端连接； 
除了最后一级移位寄存器单元，每一级移位寄存器单元的复位端和下一级移位寄存器单元的进位信号输出端连接； 
第一级移位寄存器单元的输入端接入起始信号； 
最后一级移位寄存器单元的复位端接入最后一级移位寄存器单元输出的驱动信号。
如图10所示，本发明所述的移位寄存器的一实施例由N级移位寄存器单元连接构成，以作为有源矩阵的行扫描器，N通常为有源矩阵的行数，N为正整数； 
S1、S2…、Sn、…、SN分别标示的是第一级移位寄存器单元、第二级移位寄存器单元…、第n级移位寄存器单元…、第N级移位寄存器单元； 
第一时钟信号输入端输出的时钟信号和第二时钟信号输入端输入的时钟 信号相位相反，占空比为50%； 
其中，第一级移位寄存器的输入端IN接入初始脉冲信号STV，STV为高电平有效； 
最后一级移位寄存器单元的复位端接入最后一级移位寄存器单元输出的驱动信号；
除了第一级移位寄存器单元之外，每一级移位寄存器单元的输入端和上一级移位寄存器单元的进位信号输出端连接；每一级移位寄存器有两个输出端：CA（n）为进位信号输出端，其分别与下一级移位寄存器单元的输入端Input（n+1）和上一级移位寄存器单元的复位端RST（n-1）连接；OUT（n）为驱动信号输出端，其与有源矩阵的行扫描线Gn连接；其中，n为正整数，且n小于或等于N； 
相邻两级移位寄存器单元的时钟控制信号互为反相，比如：如果第一级移位寄存器单元的时钟输入端连接时钟信号CK则与该第一级移位寄存器单元相邻的第二级移位寄存器单元的时钟信号输入端连接时钟信号CKB，时钟信号CK和时钟信号CKB互为反相。 
本发明的实施例还提供一种显示装置，包括如以上实施例所述的移位寄存器，所述显示装置可以包括液晶显示装置，例如液晶面板、液晶电视、手机、液晶显示器。除了液晶显示装置外，所述显示装置还可以包括有机发光显示器或者其他类型的显示装置，比如电子阅读器等。该移位寄存器可以作为显示装置的扫描电路或者栅极驱动电路等，以提供逐行扫描功能，将扫描信号送至显示区域。 
以上说明对本发明而言只是说明性的，而非限制性的，本领域普通技术人员理解，在不脱离所附权利要求所限定的精神和范围的情况下，可做出许多修改、变化或等效，但都将落入本发明的保护范围内。 

Claims (8)

1.一种移位寄存器，其特征在于，包括多级移位寄存器单元；
除了第一级移位寄存器单元之外，每一级移位寄存器单元的输入端和上一级移位寄存器单元的进位信号输出端连接；
除了最后一级移位寄存器单元之外，每一级移位寄存器单元的复位端和下一级移位寄存器单元的进位信号输出端连接；
第一级移位寄存器单元的输入端接入起始信号；
最后一级移位寄存器单元的复位端接入最后一级移位寄存器单元输出的驱动信号；
所述移位寄存器单元包括：
第一输出控制模块，其与上拉节点连接，用于在求值阶段将上拉节点上拉到高电平，而在复位阶段下拉到第一低电平；
第二输出控制模块，其与下拉节点连接，用于在复位阶段和非工作阶段将下拉节点上拉到高电平；
分级输出模块，分别与上拉节点、下拉节点、进位信号输出端和驱动信号输出端连接，用于通过分级输出进位信号和驱动信号，而使得在所述驱动信号在求值阶段维持高电平而在复位阶段、预充电阶段和非工作阶段维持低电平；
上拉节点电平维持电容，连接于第一低电平输出端与所述第一输出控制模块中的第一薄膜晶体管的源极之间，用于在求值阶段通过所述第一输出控制模块维持所述上拉节点的电平为高电平。
2.如权利要求1所述的移位寄存器，其特征在于，所述第一输出控制模块包括第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管和第四薄膜晶体管；所述第一薄膜晶体管，栅极和漏极与所述输入端连接，源极与所述第二薄膜晶体管的漏极连接；所述第二薄膜晶体管，栅极与所述输入端连接，源极与所述上拉节点连接；所述第三薄膜晶体管，栅极与复位端连接，源极分别与所述第四薄膜晶体管的漏极和第一薄膜晶体管的源极连接，漏极与所述上拉节点连接；所述第四薄膜晶体管，栅极与所述复位端连接，源极与第一低电平输出端连接。
3.如权利要求2所述的移位寄存器，其特征在于，所述分级输出模块包括：
进位输出单元，用于在预充电阶段、复位阶段和非工作阶段在所述第一输出控制模块和第二输出控制模块的控制下使得进位信号输出端输出第一低电平，并在求值阶段在所述第一输出控制模块和第二输出控制模块的控制下使得进位信号输出端输出高电平；
驱动输出单元，用于在求值阶段在所述第一输出控制模块和第二输出控制模块的控制下使得驱动信号输出端输出高电平，并在预充电阶段、复位阶段和非工作阶段在所述第一输出控制模块和第二输出控制模块的控制下使得驱动信号输出端输出第二低电平。
4.如权利要求3所述的移位寄存器，其特征在于，
所述进位输出单元包括第一进位输出薄膜晶体管和第二进位输出薄膜晶体管；所述驱动输出单元包括第一驱动薄膜晶体管、第二驱动薄膜晶体管和自举电容；
所述第一进位输出薄膜晶体管，栅极与所述第一输出控制模块连接，源极与所述进位信号输出端连接，漏极与时钟信号输入端连接；
所述第二进位输出薄膜晶体管，栅极与所述第二输出控制模块连接，源极与第一低电平输出端连接，漏极与所述进位信号输出端连接；
所述第一驱动薄膜晶体管的栅极和源极之间并联有所述自举电容；
所述第一驱动薄膜晶体管，栅极与所述第一输出控制模块连接，源极与所述驱动信号输出端连接，漏极与所述时钟信号输入端连接；
所述第二驱动薄膜晶体管，栅极与所述第二输出控制模块连接，源极与第二低电平输出端连接，漏极与所述驱动信号输出端连接。
5.如权利要求4所述的移位寄存器，其特征在于，第二低电平大于第一低电平。
6.如权利要求4或5所述的移位寄存器，其特征在于，所述第二输出控制模块包括下拉控制薄膜晶体管和下拉电容，其中：
所述下拉控制薄膜晶体管，栅极与所述上拉节点连接，源极与第一低电平输出端连接，漏极分别与所述下拉节点和所述下拉电容的第一端连接；
所述下拉电容的第二端与所述时钟信号输入端连接。
7.如权利要求6所述的移位寄存器，其特征在于，
所述第一进位输出薄膜晶体管、所述第二进位输出薄膜晶体管、所述第一驱动薄膜晶体管和所述第二驱动薄膜晶体管都是耗尽型薄膜晶体管。
8.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1至7中任一权利要求所述的移位寄存器。
CN201210266145.7A 2012-07-30 2012-07-30 移位寄存器和显示装置 Active CN102819998B (zh)

Priority Applications (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201510007408.6A CN104464645B (zh) 2012-07-30 2012-07-30 移位寄存器和显示装置
CN201210266145.7A CN102819998B (zh) 2012-07-30 2012-07-30 移位寄存器和显示装置
KR1020137021747A KR101493186B1 (ko) 2012-07-30 2012-12-14 시프트 레지스터 유닛, 시프트 레지스터 및 디스플레이 장치
PCT/CN2012/086704 WO2014019315A1 (zh) 2012-07-30 2012-12-14 移位寄存器单元、移位寄存器和显示装置
EP12866403.4A EP2881934A4 (en) 2012-07-30 2012-12-14 SHIFT REGISTER UNIT, SHIFT REGISTER, AND DISPLAY DEVICE
US13/984,697 US20140064439A1 (en) 2012-07-30 2012-12-14 Shift Register Unit, Shift Register And Display Apparatus
JP2015524597A JP2015528974A (ja) 2012-07-30 2012-12-14 シフトレジスタユニット、シフトレジスタ及び表示装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201210266145.7A CN102819998B (zh) 2012-07-30 2012-07-30 移位寄存器和显示装置

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201510007408.6A Division CN104464645B (zh) 2012-07-30 2012-07-30 移位寄存器和显示装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN102819998A CN102819998A (zh) 2012-12-12
CN102819998B true CN102819998B (zh) 2015-01-14

Family

ID=47304091

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201210266145.7A Active CN102819998B (zh) 2012-07-30 2012-07-30 移位寄存器和显示装置

Country Status (6)

Country Link
US (1) US20140064439A1 (zh)
EP (1) EP2881934A4 (zh)
JP (1) JP2015528974A (zh)
KR (1) KR101493186B1 (zh)
CN (1) CN102819998B (zh)
WO (1) WO2014019315A1 (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104464645B (zh) * 2012-07-30 2017-04-05 京东方科技集团股份有限公司 移位寄存器和显示装置

Families Citing this family (50)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102499678B (zh) * 2011-09-23 2013-11-06 中国人民解放军第四军医大学 一种便携式电阻抗成像系统的电阻抗测量装置及测量方法
CN102779478B (zh) * 2012-04-13 2015-05-27 京东方科技集团股份有限公司 移位寄存器单元及其驱动方法、移位寄存器和显示装置
CN102819998B (zh) * 2012-07-30 2015-01-14 京东方科技集团股份有限公司 移位寄存器和显示装置
CN103578560B (zh) * 2012-08-10 2016-12-21 瀚宇彩晶股份有限公司 移位寄存器及其电压调整电路与电压调整方法
CN202838908U (zh) * 2012-09-20 2013-03-27 北京京东方光电科技有限公司 栅极驱动电路、阵列基板和显示装置
KR102102902B1 (ko) 2013-05-30 2020-04-21 엘지디스플레이 주식회사 쉬프트 레지스터
TWI550622B (zh) * 2013-06-19 2016-09-21 友達光電股份有限公司 顯示裝置的控制方法以及適用該方法之移位暫存器模組
CN103700355B (zh) * 2013-12-20 2016-05-04 京东方科技集团股份有限公司 一种移位寄存器单元、栅极驱动电路及显示器件
CN103956137B (zh) * 2014-04-17 2017-03-29 京东方科技集团股份有限公司 栅极驱动电路及方法、阵列基板行驱动电路和显示装置
CN104064153B (zh) * 2014-05-19 2016-08-31 京东方科技集团股份有限公司 移位寄存器单元、移位寄存器、栅极驱动电路和显示装置
CN104008739B (zh) * 2014-05-20 2017-04-12 深圳市华星光电技术有限公司 一种扫描驱动电路和一种液晶显示装置
US20170193888A1 (en) * 2014-05-28 2017-07-06 Kolonauto Co., Ltd. Shift circuit, shift register, and display device
JP6284636B2 (ja) * 2014-06-10 2018-02-28 シャープ株式会社 表示装置およびその駆動方法
CN104050910B (zh) * 2014-06-16 2016-08-31 京东方科技集团股份有限公司 移位寄存器单元、栅极驱动电路及显示面板
CN104464817B (zh) * 2014-12-05 2018-06-15 深圳市华星光电技术有限公司 液晶显示装置及其移位寄存器
TWI537915B (zh) * 2014-12-09 2016-06-11 友達光電股份有限公司 共同電壓供應電路
KR102386847B1 (ko) 2015-01-15 2022-04-15 삼성디스플레이 주식회사 게이트 구동회로 및 이를 갖는 표시 장치
KR102313978B1 (ko) 2015-01-21 2021-10-19 삼성디스플레이 주식회사 게이트 구동회로
CN104616618B (zh) 2015-03-09 2017-04-26 京东方科技集团股份有限公司 移位寄存器单元、移位寄存器、显示面板及显示装置
CN104637462A (zh) * 2015-03-17 2015-05-20 合肥京东方光电科技有限公司 移位寄存器单元及其驱动方法、栅极驱动电路、显示装置
KR102281753B1 (ko) 2015-04-14 2021-07-27 삼성디스플레이 주식회사 스테이지 회로 및 이를 이용한 주사 구동부
CN104883181B (zh) * 2015-06-10 2018-03-16 京东方科技集团股份有限公司 或非门电路、移位寄存器、阵列基板及显示装置
CN104978943B (zh) * 2015-08-06 2017-03-08 京东方科技集团股份有限公司 一种移位寄存器、显示面板的驱动方法及相关装置
CN104966506B (zh) * 2015-08-06 2017-06-06 京东方科技集团股份有限公司 一种移位寄存器、显示面板的驱动方法及相关装置
KR102465950B1 (ko) 2016-03-21 2022-11-11 삼성디스플레이 주식회사 게이트 구동회로 및 그것을 포함하는 표시 장치
CN105761757B (zh) * 2016-05-13 2018-05-18 京东方科技集团股份有限公司 移位寄存器单元、驱动方法、阵列基板、显示面板和装置
US10490144B2 (en) * 2016-07-01 2019-11-26 Sharp Kabushiki Kaisha TFT circuit and shift register circuit
CN107689213B (zh) * 2016-08-05 2020-07-07 瀚宇彩晶股份有限公司 栅极驱动电路和显示装置
US10403382B2 (en) 2016-08-05 2019-09-03 Hannstar Display Corporation Gate driving circuit and display apparatus
CN106782365B (zh) * 2016-12-15 2019-05-03 武汉华星光电技术有限公司 一种栅极驱动电路及驱动方法、显示装置
CN106504692B (zh) * 2017-01-05 2020-02-11 京东方科技集团股份有限公司 一种移位寄存器、其驱动方法、栅极驱动电路及显示装置
CN106531117B (zh) * 2017-01-05 2019-03-15 京东方科技集团股份有限公司 移位寄存器、其驱动方法、栅极集成驱动电路及显示装置
CN106997755B (zh) 2017-05-10 2019-06-04 京东方科技集团股份有限公司 移位寄存器及其驱动方法、栅极驱动电路、显示装置
CN107154236B (zh) 2017-07-24 2020-01-17 京东方科技集团股份有限公司 移位寄存器单元及其驱动方法、扫描驱动电路和显示装置
CN107657983B (zh) * 2017-11-09 2024-03-26 京东方科技集团股份有限公司 移位寄存器单元、驱动方法、栅极驱动电路及显示装置
CN107909959B (zh) * 2018-01-02 2020-05-12 京东方科技集团股份有限公司 移位寄存器单元、其驱动方法、栅极驱动电路及显示装置
CN108257575A (zh) * 2018-03-26 2018-07-06 信利半导体有限公司 一种栅极驱动电路及显示装置
CN108510938B (zh) * 2018-04-20 2020-12-11 上海天马有机发光显示技术有限公司 一种移位寄存器及其驱动方法、发射驱动电路和显示装置
CN108538244B (zh) 2018-04-20 2020-04-24 上海天马有机发光显示技术有限公司 一种移位寄存器及其驱动方法、发射驱动电路和显示装置
CN108831401B (zh) * 2018-08-21 2020-12-22 信利半导体有限公司 一种栅极驱动单元、栅极驱动电路及显示系统
CN109817144B (zh) * 2019-01-31 2022-09-23 合肥鑫晟光电科技有限公司 栅极驱动电路和显示装置
CN110648638B (zh) * 2019-09-25 2022-03-25 合肥京东方卓印科技有限公司 栅极驱动电路、像素电路、显示面板和显示设备
CN111754951A (zh) * 2020-07-15 2020-10-09 武汉华星光电技术有限公司 一种mog电路及显示面板
CN111883075A (zh) * 2020-07-28 2020-11-03 北海惠科光电技术有限公司 面板驱动电路、方法及显示装置
KR20230097001A (ko) 2020-10-30 2023-06-30 니폰 제온 가부시키가이샤 전기 화학 소자용 전극 및 전기 화학 소자
US11580905B2 (en) * 2021-07-14 2023-02-14 Apple Inc. Display with hybrid oxide gate driver circuitry having multiple low power supplies
KR20230040221A (ko) * 2021-09-15 2023-03-22 에스케이하이닉스 주식회사 쉬프트레지스터 및 쉬프트레지스터를 포함하는 전자장치
CN114242010B (zh) * 2021-12-15 2023-03-10 惠州视维新技术有限公司 电平转换电路和显示装置
CN114187868B (zh) * 2021-12-31 2022-11-25 长沙惠科光电有限公司 行驱动电路、阵列基板及显示面板
CN118038833B (zh) * 2024-03-29 2024-12-24 绵阳惠科光电科技有限公司 扫描驱动电路、扫描驱动方法、显示面板及显示设备

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101093647A (zh) * 2006-06-21 2007-12-26 三星电子株式会社 栅极驱动电路及具有该栅极驱动电路的显示装置
KR20090050358A (ko) * 2007-11-15 2009-05-20 엘지디스플레이 주식회사 쉬프트 레지스터
CN102779478A (zh) * 2012-04-13 2012-11-14 京东方科技集团股份有限公司 移位寄存器单元及其驱动方法、移位寄存器和显示装置
CN202736497U (zh) * 2012-07-30 2013-02-13 京东方科技集团股份有限公司 移位寄存器单元、移位寄存器和显示装置

Family Cites Families (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5254358A (en) * 1975-10-30 1977-05-02 Fujitsu Ltd Delay circuit
US5949398A (en) 1996-04-12 1999-09-07 Thomson Multimedia S.A. Select line driver for a display matrix with toggling backplane
KR100438525B1 (ko) * 1999-02-09 2004-07-03 엘지.필립스 엘시디 주식회사 쉬프트 레지스터 회로
KR100281336B1 (ko) * 1998-10-21 2001-03-02 구본준 쉬프트 레지스터 회로
US7369111B2 (en) * 2003-04-29 2008-05-06 Samsung Electronics Co., Ltd. Gate driving circuit and display apparatus having the same
KR101032945B1 (ko) * 2004-03-12 2011-05-09 삼성전자주식회사 시프트 레지스터 및 이를 포함하는 표시 장치
KR101023726B1 (ko) 2004-03-31 2011-03-25 엘지디스플레이 주식회사 쉬프트 레지스터
JP4895538B2 (ja) * 2004-06-30 2012-03-14 三星電子株式会社 シフトレジスタ、それを有する表示装置、及び、そのシフトレジスタの駆動方法
JP4993544B2 (ja) * 2005-03-30 2012-08-08 三菱電機株式会社 シフトレジスタ回路
KR101039983B1 (ko) * 2005-03-31 2011-06-09 엘지디스플레이 주식회사 게이트 드라이버 및 이를 구비한 표시장치
KR101157240B1 (ko) 2005-04-11 2012-06-15 엘지디스플레이 주식회사 쉬프트 레지스터의 구동방법, 게이트 드라이버 및 이를구비한 표시장치
KR101157241B1 (ko) * 2005-04-11 2012-06-15 엘지디스플레이 주식회사 게이트 드라이버 및 그 구동 방법
US7936332B2 (en) * 2006-06-21 2011-05-03 Samsung Electronics Co., Ltd. Gate driving circuit having reduced ripple effect and display apparatus having the same
KR101277152B1 (ko) * 2006-08-24 2013-06-21 삼성디스플레이 주식회사 게이트 구동회로 및 이를 갖는 표시장치
JP5079301B2 (ja) * 2006-10-26 2012-11-21 三菱電機株式会社 シフトレジスタ回路およびそれを備える画像表示装置
JP5090008B2 (ja) * 2007-02-07 2012-12-05 三菱電機株式会社 半導体装置およびシフトレジスタ回路
EP2234116B1 (en) * 2007-12-27 2013-07-24 Sharp Kabushiki Kaisha Shift register and display device
KR101471553B1 (ko) * 2008-08-14 2014-12-10 삼성디스플레이 주식회사 게이트 구동 회로 및 이를 갖는 표시 장치
US20110274234A1 (en) * 2008-11-20 2011-11-10 Sharp Kabushiki Kaisha Shift register
KR20100083370A (ko) * 2009-01-13 2010-07-22 삼성전자주식회사 게이트 구동회로 및 이를 갖는 표시장치
TWI407443B (zh) * 2009-03-05 2013-09-01 Au Optronics Corp 移位暫存器
KR101587610B1 (ko) * 2009-09-21 2016-01-25 삼성디스플레이 주식회사 구동회로
KR101324410B1 (ko) * 2009-12-30 2013-11-01 엘지디스플레이 주식회사 쉬프트 레지스터와 이를 이용한 표시장치
US8731135B2 (en) * 2010-01-29 2014-05-20 Sharp Kabushiki Kaisha Shift register and display device
JP5435481B2 (ja) * 2010-02-26 2014-03-05 株式会社ジャパンディスプレイ シフトレジスタ、走査線駆動回路、電気光学装置および電子機器
KR101712070B1 (ko) * 2010-05-06 2017-03-06 삼성디스플레이 주식회사 전압 발생회로 및 이를 구비한 표시장치
CN102834871B (zh) * 2010-05-24 2015-06-10 夏普株式会社 移位寄存器
CN102467890B (zh) * 2010-10-29 2014-05-07 京东方科技集团股份有限公司 移位寄存器单元、栅极驱动装置及液晶显示器
KR101756667B1 (ko) * 2011-04-21 2017-07-11 엘지디스플레이 주식회사 쉬프트 레지스터 및 이를 포함하는 표시장치
TWI659523B (zh) * 2011-08-29 2019-05-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
EP2838200B1 (en) * 2012-04-10 2020-08-05 Joled Inc. Buffer circuit and method for driving buffer circuit
CN102819998B (zh) * 2012-07-30 2015-01-14 京东方科技集团股份有限公司 移位寄存器和显示装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101093647A (zh) * 2006-06-21 2007-12-26 三星电子株式会社 栅极驱动电路及具有该栅极驱动电路的显示装置
KR20090050358A (ko) * 2007-11-15 2009-05-20 엘지디스플레이 주식회사 쉬프트 레지스터
CN102779478A (zh) * 2012-04-13 2012-11-14 京东方科技集团股份有限公司 移位寄存器单元及其驱动方法、移位寄存器和显示装置
CN202736497U (zh) * 2012-07-30 2013-02-13 京东方科技集团股份有限公司 移位寄存器单元、移位寄存器和显示装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104464645B (zh) * 2012-07-30 2017-04-05 京东方科技集团股份有限公司 移位寄存器和显示装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP2015528974A (ja) 2015-10-01
KR101493186B1 (ko) 2015-02-12
EP2881934A4 (en) 2016-02-24
US20140064439A1 (en) 2014-03-06
WO2014019315A1 (zh) 2014-02-06
CN102819998A (zh) 2012-12-12
KR20140051136A (ko) 2014-04-30
EP2881934A1 (en) 2015-06-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102819998B (zh) 移位寄存器和显示装置
CN103198783B (zh) 移位寄存器单元、移位寄存器和显示装置
CN103258495B (zh) 移位寄存单元、移位寄存器和显示装置
CN104464645A (zh) 移位寄存器和显示装置
CN103440839B (zh) 移位寄存单元、移位寄存器和显示装置
CN202677790U (zh) 移位寄存器单元、移位寄存器和显示装置
CN202736497U (zh) 移位寄存器单元、移位寄存器和显示装置
CN103700357B (zh) 移位寄存器单元及其驱动方法、移位寄存器和显示装置
CN102629444B (zh) 栅极集成驱动电路、移位寄存器及显示屏
CN101546607B (zh) 移位寄存器及液晶显示器栅极驱动装置
CN103366704B (zh) 一种移位寄存器单元及栅极驱动电路、显示装置
CN104809973B (zh) 一种可适应负阈值电压的移位寄存器及其单元
CN102855938B (zh) 移位寄存器、栅极驱动电路及显示装置
CN102646387A (zh) 移位寄存器及行扫描驱动电路
CN104217763A (zh) 移位寄存器单元及其驱动方法、栅极驱动电路、显示装置
CN104900189A (zh) 移位寄存器单元及其驱动方法、移位寄存器和显示装置
CN103996367A (zh) 移位寄存器、栅极驱动电路和显示装置
CN104091572A (zh) 双下拉控制模块、移位寄存单元、栅极驱动器和显示面板
CN104851403A (zh) 基于氧化物半导体薄膜晶体管的goa电路
CN103646636A (zh) 移位寄存器、栅极驱动电路及显示装置
CN103151013B (zh) 栅极驱动电路
CN104505050A (zh) 用于氧化物半导体薄膜晶体管的扫描驱动电路
CN105427799A (zh) 移位寄存单元、移位寄存器、栅极驱动电路及显示装置
CN106023901B (zh) 移位寄存器单元、驱动方法、栅极驱动电路及显示装置
CN103996390A (zh) 一种栅极驱动电路及使用其的显示装置

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant