CN102779839A - 一种具有深能级杂质注入的绝缘栅双极性晶体管 - Google Patents
一种具有深能级杂质注入的绝缘栅双极性晶体管 Download PDFInfo
- Publication number
- CN102779839A CN102779839A CN2012102487770A CN201210248777A CN102779839A CN 102779839 A CN102779839 A CN 102779839A CN 2012102487770 A CN2012102487770 A CN 2012102487770A CN 201210248777 A CN201210248777 A CN 201210248777A CN 102779839 A CN102779839 A CN 102779839A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- igbt
- region
- drift region
- deep
- energy level
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000012535 impurity Substances 0.000 title claims abstract description 45
- 238000002513 implantation Methods 0.000 title claims abstract 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 12
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 12
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims description 9
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 9
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 9
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 6
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 claims description 5
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 4
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000011669 selenium Substances 0.000 claims description 4
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 210000004027 cell Anatomy 0.000 claims 3
- 210000000746 body region Anatomy 0.000 claims 2
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 claims 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 abstract description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 3
- 238000005215 recombination Methods 0.000 abstract description 2
- 230000006798 recombination Effects 0.000 abstract 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 8
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 6
- 239000005864 Sulphur Substances 0.000 description 5
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 5
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 5
- 230000001413 cellular effect Effects 0.000 description 4
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 3
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 3
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 210000003850 cellular structure Anatomy 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 2
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101100400452 Caenorhabditis elegans map-2 gene Proteins 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 206010019133 Hangover Diseases 0.000 description 1
- GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N Indium phosphide Chemical compound [In]#P GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N [Si].[Ge] Chemical compound [Si].[Ge] LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 230000024241 parasitism Effects 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004857 zone melting Methods 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Thin Film Transistor (AREA)
Abstract
一种具有深能级杂质注入的绝缘栅双极性晶体管，属于半导体功率器件技术领域。本发明在传统Planar FS-IGBT基础上，在其N-漂移区（8）中注入深能级N型杂质。通过深能级杂质随着温度升高，电离度升高，杂质浓度上升这一特性，能有效减小IGBT寄生PNP晶体管αPNP，从而减小IGBT的高温漏电流，进一步减少IGBT的整体功耗；N-漂移区（8）增加的电子浓度和空穴在漂移区加速复合，而且深能级杂质本身就是复合中心，进一步加速电子空穴的复合，减少IGBT的关断过程，有效改善关断特性，提高IGBT的可靠性。
Description
技术领域
本发明属于半导体功率技术领域，涉及绝缘栅双极型晶体管（Insulate Gate BipolarTransistor，简称IGBT）。
背景技术
绝缘栅双极型晶体管（IGBT）作为电力电子器件的代表是整机提高性能指标和节能指标的首选产品。IGBT既有MOSFET的输入阻抗高、控制功率小、驱动电路简单、开关速度高的优点，又具有双极型功率晶体管的电流密度大、饱和压降低、电流处理能力强的优点。所以IGBT功率器件的三大特点就是高压、大电流、高速，这是其它功率器件不能比拟的。所以它是电力电子领域非常理想的开关器件，IGBT产品集合了高频、高压、大电流三大技术优势，同时IGBT能够实现节能减排，具有很好的环境保护效益，IGBT广泛应用于电力领域、消费电子、汽车电子、新能源等传统和新兴领域，市场前景非常广阔。
当IGBT正向导通时，正的栅极电压使得沟道开启，发射极电子经过沟道流向漂移区，由于集电极正向偏置，集电区空穴大量涌入漂移区，和漂移区的大量电子发生电导调制效应，从而能使得IGBT相比于VDMOS的导通压降小很多；当IGBT关断时，栅极电压为负电压或者是零电压，发射极电子突然消失，集电极为高电压，大量空穴继续涌向漂移区，形成大的空穴电流，此时IGBT处于反向阻断状态，由于寄生PNP管αPNP随着温度升高而急剧上升，使得IGBT的漏电流随着温度的升高而大幅升高，高温、高电压、高电流很容易引起器件的雪崩击穿乃至烧毁。而涌向漂移区的大量空穴除了和电子一部分分别被阳极和阴极快速抽取，另一部分在没有耗尽的底部漂移区内复合从而产生拖尾电流，相比于VDMOS，IGBT关断时间大得多；虽然IGBT有诸多性能优势，但是减少高温漏电流，改善IGBT的关断特性，提高IGBT的可靠性一直是IGBT研究的重点。本发明以此为契机，目的在于减少高温漏电流，进一步降低IGBT器件的整体功耗，改善IGBT的关断特性，提高IGBT的可靠性。
发明内容
本发明提供一种具有深能级杂质注入的绝缘栅双极性晶体管（IGBT），该IGBT是在传统平面栅电场终止型绝缘栅双极型晶体管（PlanarFS-IGBT）基础上，在其漂移区中注入深能级杂质，形成深能级杂质注入的漂移区，所述深能级杂质注入的漂移区随着IGBT工作温度的升高，杂质电离度升高导致杂质浓度增加，从而有效减少寄生PNP管αPNP的大小，减少高温漏电流，整体上减少IGBT的功率损耗；此外，深能级杂质是复合中心，可加速漂移区内电子空穴对的复合，有效改善关断特性，提高IGBT的可靠性。
本发明的技术方案如下：
一种具有深能级杂质注入的绝缘栅双极性晶体管，其元胞结构如图2所示，包括有源发射极1，多晶硅栅电极2，金属集电极3，二氧化硅栅氧化层4，N+有源区5，P型基区6，P+体区7，N-漂移区8，N+电场终止层9，P+集电区10；器件从底层往上依次是金属化集电极3、P+集电区10、N+电场终止层9、N-漂移区8，P型基区6位于N-漂移区8顶部两侧，P型基区6内具有N+有源区5，P+体区7位于P型基区6下方的N-漂移区8两侧、且与P型基区6和N-漂移区8分别接触；元胞表面两侧分别与N+有源区5和P型基区6接触的是有源发射极1，元胞表面中间分别与N+有源区5、P型基区6和N-漂移区8接触的是二氧化硅栅氧化层4，二氧化硅栅氧化层4表面是多晶硅栅电极2，多晶硅栅电极2与有源发射极1之间填充绝缘介质。所述N-漂移区8内部掺杂了深能级N型杂质。其深能级N型杂质掺杂元素包括硫、硒、金、碲或铂。
本发明的工作原理如下：
本发明所提出的具有深能级杂质注入的绝缘栅双极性晶体管，主要是利用深能级杂质随着温度升高，电离度升高这一特性来改善IGBT的性能，可有效减小高温漏电流，进一步减少IGBT的整体功耗，改善IGBT的关断特性，提高IGBT可靠性，现以示意图2，掺深能级杂质硫元素为例，说明其工作原理。
本发明提出的具有深能级杂质注入的绝缘栅双极性晶体管是在传统Planar FS-IGBT基础上，在其N-漂移区8中注入深能级杂质，利用深能级杂质随着温度升高而电离度增加这一有益特性来改善IGBT的性能。IGBT无论是工作时的正向导通状态还是关断时的反向阻断状态，IGBT的分析都可等效为IGBT器件中寄生的MOSFET+BJT组合模型的分析。当N+有源区5，P型基区6，N-漂移区8组成的MOSFET栅电极电压大于阈值电压时，沟道开启，N+有源区5的电子通过沟道注入到N-漂移区8中，从而为P型基区6，N-漂移区8，N+电场终止层9和P+集电区10组成的PNP晶体管提供了基极电流，从而寄生PNP管也随之开启，从而IGBT器件正向导通。在传统Planar FS-IGBT中，N+有源区5大量电子注入到漂移区内，形成的基极电流，经PNP管的放大作用形成一个很大的阳极电流。当IGBT关断时处于反向阻断状态时，随着温度升高，寄生PNP管的αPNP急剧上升，伴随而来的是阳极漏电流的急剧升高，升高的漏电流反过来又使器件温度升高，从而形成了正反馈使得阳极漏电流持续急剧升高。高温形成的极大阳极漏电流，不仅会产生很大的功耗，而且高温、高压、大电流会引起IGBT动态雪崩击穿乃至于器件烧毁，不利于IGBT的正常工作和应用。本发明提出的具有深能级杂质注入的绝缘栅双极性晶体管，由于N-漂移区8中掺杂了深能级杂质，掺入的深能级杂质随着温度升高，电离度增加，硫电离的电子浓度也随之大幅升高，其体现的有益效果表现为，随着温度升高漂移区8增加的基区载流子浓度有效减少了寄生PNP晶体管的发射效率γE，而寄生PNP管的共基极电流放大倍数αPNP为发射效率γE和基区输运系数αT的积，所以αPNP有效减小。当器件温度升高，αPNP大幅减小，阳极漏电流也随之大幅减小，如图3所示。减小的高温漏电流能降低IGBT的整体功耗，有效防止高温、高压、大电流引起的雪崩击穿乃至烧毁，能极大提高IGBT的工作能力和可靠性。N-漂移区8增加的载流子浓度能加速与空穴复合，而且深能级杂质本身就是复合中心，也能进一步加速电子空穴的复合，有效改善关断特性，提高IGBT的可靠性。
综上所述，本发明所提出的具有深能级杂质注入的绝缘栅双极性晶体管，当器件工作温度升高时，能大幅减少寄生PNP管的αPNP，有效减小高温漏电流，进一步降低IGBT的整体功耗，减少因高温、高压、大电流引起的雪崩击穿，而且深能级杂质本身就是复合中心，能加速电子空穴的复合，有效改善关断特性，提高IGBT的可靠性。
附图说明
图1是传统Planar FS-IGBT结构示意图。
图2是本发明提出的新型IGBT结构示意图
图3是本发明提出的新型IGBT反向阻断状态高温漏电流示意图。
图4是传统Planar FS-IGBT关断时空穴的复合与抽取过程示意图。
图5是本发明提出的新型IGBT关断时空穴的复合与抽取过程示意图。
图1至图5中：1是有源发射极，2是多晶硅栅电极，3是金属集电极，4是二氧化硅栅氧化层，5是N+有源区，6是P型基区，7是P+体区，8是N-漂移区，9是N+电场终止层，10是P+集电区。图2至图5中N-漂移区8中掺入了深能级N型杂质。图3中虚线表示反向阻断状态耗尽区位置，带箭头实线表示漏电流的电流方向。
图4和图5中+符号表示空穴，-符号表示电子，箭头表示载流子运动方向。
具体实施方式
一种具有深能级杂质注入的绝缘栅双极性晶体管，其元胞结构如图2所示，包括有源发射极1，多晶硅栅电极2，金属集电极3，二氧化硅栅氧化层4，N+有源区5，P型基区6，P+体区7，N-漂移区8，N+电场终止层9，P+集电区10；器件从底层往上依次是金属化集电极3、P+集电区10、N+电场终止层9、N-漂移区8，P型基区6位于N-漂移区8顶部两侧，P型基区6内具有N+有源区5，P+体区7位于P型基区6下方的N-漂移区8两侧、且与P型基区6和N-漂移区8分别接触；元胞表面两侧分别与N+有源区5和P型基区6接触的是有源发射极1，元胞表面中间分别与N+有源区5、P型基区6和N-漂移区8接触的是二氧化硅栅氧化层4，二氧化硅栅氧化层4表面是多晶硅栅电极2，多晶硅栅电极2与有源发射极1之间填充绝缘介质。所述N-漂移区8内部掺杂了深能级N型杂质。其深能级N型杂质掺杂元素包括硫、硒、金、碲或铂。
本发明提供的具有深能级杂质注入的绝缘栅双极性晶体管一种新型IGBT，其实现方法如下，选取N型<100>晶向区熔单晶衬垫，注入深能级杂质形成深能级杂质注入的N-漂移区，背面注入FS层，场氧化，刻蚀有源区，栅氧化，淀积多晶硅，光刻多晶硅，P型基区注入，N+源区光刻及注入，P体区注入，P体区推阱，沉积氧化层，刻引线孔，沉积金属，金属曝光刻蚀，背面透明P区注入，背面金属化，钝化等等。与传统Planar FS-IGBT结构相比，没有增加掩膜板，没有增加额外工艺，容易实现。
在具体实施过程中，所述的深能级杂质漂移区中的杂质元素包括：硫、硒、碲、金、铂等。所述的深能级N型杂质在N-漂移区8内可以部分区域或全部区域注入，其注入位置和厚度可调。另外，制作器件时还可用碳化硅、砷化镓、磷化铟或锗硅等半导体材料代替体硅。
Claims (3)
1.一种具有深能级杂质注入的绝缘栅双极性晶体管，其元胞结构如图2所示，包括有源发射极（1），多晶硅栅电极（2），金属集电极（3），二氧化硅栅氧化层（4），N+有源区（5），P型基区（6），P+体区（7），N-漂移区（8），N+电场终止层（9），P+集电区（10）；器件从底层往上依次是金属化集电极（3）、P型集电区（10）、N+电场终止层（9）、N-漂移区（8），P型基区（6）位于N-漂移区（8）顶部两侧，P型基区（6）内具有N+有源区（5），P+体区（7）位于P型基区（6）下方的N-漂移区（8）两侧、且与P型基区（6）和N-漂移区（8）分别接触；元胞表面两侧分别与N+有源区（5）和P型基区（6）接触的是有源发射极（1），元胞表面中间分别与N+有源区（5）、P型基区（6）和N-漂移区（8）接触的是二氧化硅栅氧化层（4），二氧化硅栅氧化层（4）表面是多晶硅栅电极（2），多晶硅栅电极（2）与有源发射极（1）之间填充绝缘介质；所述N-漂移区（8）内部掺杂了深能级N型杂质。
2.根据权利要求1所述的具有深能级杂质注入的绝缘栅双极性晶体管，其特征在于，所述深能级N型杂质的掺杂元素包括硫、硒、金、碲或铂。
3.根据权利要求1所述的具有深能级杂质注入的绝缘栅双极性晶体管，其特征在于，所述的深能级N型杂质在N-漂移区（8）内部分区域或全部区域注入，其注入位置和厚度可调。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN2012102487770A CN102779839A (zh) | 2012-07-18 | 2012-07-18 | 一种具有深能级杂质注入的绝缘栅双极性晶体管 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN2012102487770A CN102779839A (zh) | 2012-07-18 | 2012-07-18 | 一种具有深能级杂质注入的绝缘栅双极性晶体管 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN102779839A true CN102779839A (zh) | 2012-11-14 |
Family
ID=47124698
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN2012102487770A Pending CN102779839A (zh) | 2012-07-18 | 2012-07-18 | 一种具有深能级杂质注入的绝缘栅双极性晶体管 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN102779839A (zh) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103489776A (zh) * | 2013-09-18 | 2014-01-01 | 中国东方电气集团有限公司 | 一种实现场截止型绝缘栅双极型晶体管的工艺方法 |
| WO2014086013A1 (zh) * | 2012-12-06 | 2014-06-12 | 中国科学院微电子研究所 | Igbt及其元胞结构、以及igbt的形成方法 |
| CN106129113A (zh) * | 2016-07-11 | 2016-11-16 | 中国科学院微电子研究所 | 一种垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管 |
| CN106847835A (zh) * | 2017-04-01 | 2017-06-13 | 厦门天马微电子有限公司 | 一种显示面板、显示面板的制备方法、以及显示装置 |
| CN106847888A (zh) * | 2017-03-19 | 2017-06-13 | 北京工业大学 | 一种具有垂直场板结构的集电极igbt |
| CN107464754A (zh) * | 2017-09-21 | 2017-12-12 | 江苏东晨电子科技有限公司 | 一种场截止绝缘栅双极型晶体管器件的制作方法 |
| CN114551588A (zh) * | 2022-04-25 | 2022-05-27 | 安建科技(深圳)有限公司 | 一种具有饱和电流自钳位功能的半导体器件及其制备方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1388588A (zh) * | 2001-05-09 | 2003-01-01 | 因芬尼昂技术股份公司 | 补偿器件,电路,方法和应用 |
| CN101393928A (zh) * | 2008-10-31 | 2009-03-25 | 电子科技大学 | 一种阳极短路的隧道泵igbt |
| CN102169892A (zh) * | 2011-03-09 | 2011-08-31 | 电子科技大学 | 一种增强型平面绝缘栅双极型晶体管 |
-
2012
- 2012-07-18 CN CN2012102487770A patent/CN102779839A/zh active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1388588A (zh) * | 2001-05-09 | 2003-01-01 | 因芬尼昂技术股份公司 | 补偿器件,电路,方法和应用 |
| CN101393928A (zh) * | 2008-10-31 | 2009-03-25 | 电子科技大学 | 一种阳极短路的隧道泵igbt |
| CN102169892A (zh) * | 2011-03-09 | 2011-08-31 | 电子科技大学 | 一种增强型平面绝缘栅双极型晶体管 |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2014086013A1 (zh) * | 2012-12-06 | 2014-06-12 | 中国科学院微电子研究所 | Igbt及其元胞结构、以及igbt的形成方法 |
| CN103489776A (zh) * | 2013-09-18 | 2014-01-01 | 中国东方电气集团有限公司 | 一种实现场截止型绝缘栅双极型晶体管的工艺方法 |
| CN103489776B (zh) * | 2013-09-18 | 2016-06-01 | 中国东方电气集团有限公司 | 一种实现场截止型绝缘栅双极型晶体管的工艺方法 |
| CN106129113A (zh) * | 2016-07-11 | 2016-11-16 | 中国科学院微电子研究所 | 一种垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管 |
| CN106129113B (zh) * | 2016-07-11 | 2019-06-14 | 中国科学院微电子研究所 | 一种垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管 |
| CN106847888A (zh) * | 2017-03-19 | 2017-06-13 | 北京工业大学 | 一种具有垂直场板结构的集电极igbt |
| CN106847835A (zh) * | 2017-04-01 | 2017-06-13 | 厦门天马微电子有限公司 | 一种显示面板、显示面板的制备方法、以及显示装置 |
| CN106847835B (zh) * | 2017-04-01 | 2019-12-27 | 厦门天马微电子有限公司 | 一种显示面板、显示面板的制备方法、以及显示装置 |
| CN107464754A (zh) * | 2017-09-21 | 2017-12-12 | 江苏东晨电子科技有限公司 | 一种场截止绝缘栅双极型晶体管器件的制作方法 |
| CN114551588A (zh) * | 2022-04-25 | 2022-05-27 | 安建科技(深圳)有限公司 | 一种具有饱和电流自钳位功能的半导体器件及其制备方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN102779840B (zh) | 一种具有终端深能级杂质层的igbt | |
| CN107275407B (zh) | 一种碳化硅vdmos器件及其制作方法 | |
| CN111403486A (zh) | 一种沟槽型mosfet结构及其制作方法 | |
| CN103094332B (zh) | 一种绝缘栅双极晶体管 | |
| CN102779839A (zh) | 一种具有深能级杂质注入的绝缘栅双极性晶体管 | |
| CN101694850A (zh) | 一种具有p型浮空层的载流子存储槽栅igbt | |
| CN107248533A (zh) | 一种碳化硅vdmos器件及其制作方法 | |
| CN112331720B (zh) | 一种具有高阈值稳定性型氮化镓功率半导体器件 | |
| CN103383957B (zh) | 一种逆导型igbt器件 | |
| CN113471290B (zh) | 隧穿辅助导通的硅/碳化硅异质结mosfet功率器件 | |
| CN101478001B (zh) | 一种具有空穴注入结构的集电极短路igbt | |
| CN102709317B (zh) | 一种低开启电压二极管 | |
| CN101694851A (zh) | 一种具有p型浮空层的槽栅igbt | |
| CN102184949B (zh) | 一种深槽侧氧调制的平面型绝缘栅双极型晶体管 | |
| CN102446966B (zh) | 一种集成反并联二极管的igbt结构及其制造方法 | |
| CN109065608B (zh) | 一种横向双极型功率半导体器件及其制备方法 | |
| CN117080269A (zh) | 一种碳化硅mosfet器件及其制备方法 | |
| CN210805778U (zh) | 一种SiC-MOS器件结构 | |
| CN105047704B (zh) | 一种具有连通型存储层的高压igbt及其制造方法 | |
| CN103956381A (zh) | 一种mos栅控晶闸管 | |
| CN104795438B (zh) | 一种能抑制负阻效应的sa‑ligbt | |
| CN110416295A (zh) | 一种沟槽型绝缘栅双极晶体管及其制备方法 | |
| CN110190127A (zh) | 一种具有l型掩蔽层结构的碳化硅mosfet器件 | |
| WO2019242101A1 (zh) | 氧化镓垂直结构半导体电子器件及其制作方法 | |
| CN109148566A (zh) | 碳化硅mosfet器件及其制造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| ASS | Succession or assignment of patent right |
Owner name: INSTITUTE OF ELECTRONIC AND INFORMATION ENGINEERIN Effective date: 20130320 |
|
| C41 | Transfer of patent application or patent right or utility model | ||
| TA01 | Transfer of patent application right |
Effective date of registration: 20130320 Address after: 611731 Chengdu province high tech Zone (West) West source Avenue, No. 2006 Applicant after: University of Electronic Science and Technology of China Applicant after: Institute of Electronic and Information Engineering In Dongguan, UESTC Address before: 611731 Chengdu province high tech Zone (West) West source Avenue, No. 2006 Applicant before: University of Electronic Science and Technology of China |
|
| C02 | Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001) | ||
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20121114 |