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CN102778797A - 一种阵列基板及液晶显示面板 - Google Patents

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陈世烽
韩丙
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Abstract

本发明公开了一种阵列基板，包括：呈行列阵列排列的多个像素单元，每个所述像素单元包括像素电极，所述像素电极包括至少一个对应不透光暗区的主干部分；多条扫描线，所述扫描线设置在所述主干部分的垂直投影范围内，以对像素单元输入扫描信号。本发明还公开了一种液晶显示面板。通过上述方式，本发明能够提高液晶显示面板的穿透率和开口率。

Description

一种阵列基板及液晶显示面板
技术领域
本发明涉及液晶显示技术领域，特别是涉及一种阵列基板及液晶显示面板。
背景技术
HVA广视角技术作为液晶VA广视角技术中的一种，通过在液晶分子间掺入对光线敏感的单体分子（Monomer），然后对液晶分子施加电信号使液晶分子具有预倾角，再对液晶分子进行紫外光照射以固化其预倾角。通过上述光配向加电的方式，实现在配向膜（PI，Polyimide）表面固化出带有一定预倾角的液晶分子，可以省略传统的摩擦取向结构。
参阅图1和图2，在HVA型显示面板中为了实现液晶显示的广视角，通常将像素电极1设计为多区域米字形结构，如图所示为四区域米字形机构。具体地，参阅图2所示的像素结构的具体示意图，像素电极1包括主干电极11和分支电极12，其中主干电极11位于各区域分支电极12的交界处。在HVA型显示面板的RGB子像素排列中，将RGB三个子像素由传统的横向排列改为纵向排列。因此，扫描线2位于像素电极1的长边侧，并且设置在相邻像素电极1之间。但是，由于扫描线2的线宽和阻值等因素的影响，将扫描线2设置在像素电极1的长边侧使得扫描线2占用更多的空间，从而减少液晶显示面板的开口率，降低液晶显示面板的亮度。
发明内容
本发明主要解决的技术问题是提供一种阵列基板及液晶显示面板，能够提高液晶显示面板的穿透率和开口率。
为解决上述技术问题，本发明采用的一个技术方案是：提供一种阵列基板，包括：呈行列阵列排列的多个像素单元，每个像素单元包括像素电极，像素电极包括至少一个对应不透光暗区的主干部分；多条扫描线，扫描线设置在主干部分的垂直投影范围内，以对像素单元输入扫描信号。
其中，像素单元具有长边和短边，长边与行方向平行，短边与列方向平行；扫描线与长边平行。
其中，阵列基板包括多条数据线和多个薄膜晶体管，数据线与像素单元的短边平行以对像素单元输入数据信号；薄膜晶体管包括栅极、源极以及漏极，薄膜晶体管的栅极与扫描线电连接，源极与数据线电连接，漏极与像素电极电连接。
其中，每条数据线通过相应的薄膜晶体管分别对一列像素单元中的所有像素单元输入数据信号。
其中，至少有一条数据线通过相应的薄膜晶体管分别对与该条数据线相邻的两列像素单元中的部分像素单元输入数据信号。
其中，阵列基板包括显示区域，多个像素单元分为第一像素单元和第二像素单元，第一像素单元位于显示区域中，第二像素单元位于显示区域之外并邻近显示区域的边缘；在多条扫描线中，至少有一条扫描线设置于第二像素单元的对应不透光暗区的主干部分的垂直投影范围内。
其中，像素单元还包括色阻层，色阻层位于像素电极的对应不透光暗区的主干部分和扫描线之间。
为解决上述技术问题，本发明采用的另一个技术方案是：提供一种液晶显示面板，包括：阵列基板、彩色滤光基板以及位于阵列基板和彩色滤光基板之间的液晶层；阵列基板包括：呈行列阵列排列的多个像素单元，每个像素单元包括像素电极，像素电极包括至少一个对应不透光暗区的主干部分；多条扫描线，扫描线设置在主干部分的垂直投影范围内，以对像素单元输入扫描信号。
其中，像素单元具有长边和短边，长边与行方向平行，短边与列方向平行；扫描线与长边平行。
其中，阵列基板包括多条数据线和多个薄膜晶体管，数据线与像素单元的短边平行以对像素单元输入数据信号；薄膜晶体管包括栅极、源极以及漏极，薄膜晶体管的栅极与扫描线电连接，源极与数据线电连接，漏极与像素电极电连接。
本发明的有益效果是：区别于现有技术的情况，本发明的阵列基板，每个像素单元的像素电极包括至少一个对应不透光暗区的主干部分，通过将扫描线设置在主干部分的垂直投影范围内，而不是设置在两个像素单元之间的区域，从而使得像素电极可以向两个像素单元之间的空间扩大，将原本作为扫描线的线路布局区域变为穿透区域，以增加液晶显示面板的穿透区域，由此能够提高液晶显示面板的穿透率和开口率。
附图说明
图1是现有技术中一种阵列基板的像素结构平面示意图；
图2是图1中的像素电极的结构示意图；
图3是本发明阵列基板的一实施方式的平面示意图；
图4是图3的像素单元沿AB方向的截面示意图；
图5是本发明阵列基板的另一实施方式的平面示意图；
图6是本发明液晶显示面板的一实施方式的平面示意图，图中未显示彩色滤光基板。
具体实施方式
下面将结合附图和实施方式对本发明进行详细描述。
参阅图3，本发明阵列基板的一实施方式包括：呈行列阵列排列的多个像素单元101和多条扫描线102。其中，每个像素单元101包括像素电极1011，像素电极1011包括至少一个对应不透光暗区（图未示）的主干部分10111。扫描线102设置在主干部分10111的垂直投影范围内，以对像素单元101输入扫描信号。
在HVA型液晶显示面板中，利用ITO（Indium Tin Oxide，氧化铟锡）裂缝分区形成多个液晶倒向区域。通过对不同的液晶倒向区域施加不同的电信号和进行紫外光照射，使得在不同的液晶倒向区域的液晶分子具有不同的倾倒角，而液晶分子的不同倒向使在不同液晶倒向区域的交界处会形成不透光暗区。而像素电极1011的主干部分10111则对应该不透光暗区。扫描线102位于像素电极101的下层，并且布局在像素电极101的主干部分10111的垂直投影范围内。
其中，像素单元101具有长边和短边。长边与像素单元101的行排列方向平行，短边与像素单元101的列排列方向平行。本实施方式中扫描线102与长边平行。
进一步地，阵列基板包括多条数据线103和多个薄膜晶体管104。数据线103与像素单元101的短边平行以对像素单元101输入数据信号。薄膜晶体管104包括栅极1041、源极1042以及漏极1043。其中栅极1041与扫描线102电连接，源极1042与数据线103电连接，漏极1043与像素电极1011电连接。在需要显示画面时，扫描线102输入扫描信号至薄膜晶体管104的栅极1041，以打开薄膜晶体管104，然后数据线103输入数据信号至源极1042，并经过漏极1043输入像素电极1011，以实现画面显示。
本实施方式中，一条数据线103对应着一列像素单元1031，每个像素单元101对应一个薄膜晶体管104。每条数据线103通过相应的薄膜晶体管104分别对一列像素单元1031中的所有像素单元101输入数据信号。
本实施方式的阵列基板，像素电极1011的主干部分10111对应不透光暗区，充分利用不透光暗区对应的空间，将扫描线102布局在主干部分10111的垂直投影范围内，而不是设置在两个像素单元101之间的区域105处，以使得像素电极1011可以向两个像素单元101之间的空间扩大，增加像素单元101的穿透区域，由此能够提高液晶显示面板的穿透率和开口率，增加了液晶显示面板的亮度。
此外，一并参阅图4，本实施方式的像素单元101还可以包括色阻层106。色阻层106位于像素电极1011的对应不透光暗区（图未示）的主干部分10111和扫描线102之间。在像素电极1011和扫描线102之间增加色阻层106，使得像素电极1011和扫描线102之间的距离变大，有效降低扫描线102的电容负载，从而能够在一定程度上降低色偏，提高显示效果。
参阅图5，在本发明阵列基板的另一实施方式中，阵列基板包括显示区域200（图中虚线框部分），并将多个像素单元分为第一像素单元201和第二像素单元202。如图5所示，第一像素单元201位于阵列基板的显示区域200中，用以实现画面的显示；第二像素单元202位于显示区域200之外并邻近显示区域200的边缘，即首行像素单元2011和尾行像素单元2012中的所有像素单元为第二像素单元202。在阵列基板的多条扫描线中，第二扫描线2032布局在第二像素单元202的像素电极2021的主干部分20211的垂直投影范围内，第一扫描线2031布局在第一像素单元201的像素电极2011的主干部分20111的垂直投影范围内。第二像素单元202不用于进行显示，定义为“假”像素单元，作为辅助像素单元，其结构与第一像素单元201的结构相同。第二像素单元202的设置使得第二扫描线2032能够设置在像素电极2021的主干部分20211的垂直投影范围内，从而使得阵列基板的所有扫描线均能布局在相同的结构中，在结构上具有一致性，能够提高液晶显示面板亮度和色度的均匀性。
本实施方式的阵列基板的数据线，可以使一条数据线对应不同列的像素单元以输入数据信号。具体地，在多条数据线中，包括第一至第四数据线2041-2044。其中，第二数据线2042通过相应的薄膜晶体管205分别对与该第二数据线2042相邻的第一列像素单元2061和第二列像素单元2062中的部分第一像素单元201输入数据信号。第三数据线2043通过相应的薄膜晶体管205分别对与该第三数据线2043相邻的第二列像素单元2062和第三列像素单元2063中的部分第一像素单元201输入数据信号。而第一数据线2041和第四数据线2044则对第一列像素单元2061和第三列像素单元2063其余的第一像素单元201输入数据信号。通过上述方式，使第二数据线2042和第三数据线2043分别通过相应的薄膜晶体管205分别对与其相邻的两列像素单元输入数据信号，有助于减少数据线的耗能。
为了解决上述技术问题，本发明还提供一种液晶显示面板的实施方式。具体地，参阅图6，本发明液晶显示面板的一实施方式包括：阵列基板301、彩色滤光基板（图未示）以及位于阵列基板301和彩色滤光基板之间的液晶层302。
其中，液晶显示面板对应于每个像素单元的显示区域包括至少一个不透光暗区。为了实现液晶显示面板的广视角，液晶层302分为多个液晶倒向区域，在不同的液晶倒向区域，液晶分子3021的转向不同，使得在不同液晶倒向区域的交界处形成不透光暗区3022，从而在液晶显示面板对应于每个像素单元的显示区域具有不透光暗区。
其中，阵列基板301为上述各实施方式中的阵列基板。以图3所示的阵列基板为例，阵列基板包括呈行列阵列排列的多个像素单元101和多条扫描线102。每个像素单元101包括像素电极1011，并且像素单元101具有长边和短边，长边与行方向平行，短边与列方向平行。在像素电极1011中，至少有一个对应液晶层302的不透光暗区3022的主干部分10111。扫描线102设置在像素电极1011的主干部分10111的垂直投影范围内，并与像素单元101的长边的方向平行，以对像素单元101输入扫描信号。
进一步地，阵列基板还包括多条数据线103和多个薄膜晶体管104。数据线103与像素单元101的短边平行以对像素单元101输入数据信号。薄膜晶体管104包括栅极1041、源极1042以及漏极1043。一个像素单元101对应与一条扫描线102、一条数据线103以及一个薄膜晶体管104连接。其中，一个像素单元101对应的薄膜晶体管104，其栅极1041与对应的扫描线102电连接，源极1042与对应的数据线103电连接，漏极1043与对应的像素电极1011电连接。在需要进行画面显示时，分别对扫描线102和数据线103输入相应的电信号，以使像素电极1011显示相应画面。
本实施方式的液晶显示面板，通过将扫描线102设置在像素电极1011的主干部分10111的垂直投影范围内，而不是设置在两个像素单元101之间的区域105处，以使得像素电极1011可以向两个像素单元101之间的空间扩大，增加了像素单元101的穿透区域，由此能够提高液晶显示面板的穿透率和开口率，增加了液晶显示面板的亮度。
以上所述仅为本发明的实施方式，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。

Claims (10)

1.一种阵列基板，其特征在于，包括：
呈行列阵列排列的多个像素单元，每个所述像素单元包括像素电极，所述像素电极包括至少一个对应不透光暗区的主干部分；
多条扫描线，所述扫描线设置在所述主干部分的垂直投影范围内，以对像素单元输入扫描信号。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，
所述像素单元具有长边和短边，所述长边与行方向平行，所述短边与列方向平行；
所述扫描线与所述长边平行。
3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，
所述阵列基板包括多条数据线和多个薄膜晶体管，所述数据线与所述像素单元的短边平行以对像素单元输入数据信号；
所述薄膜晶体管包括栅极、源极以及漏极，所述薄膜晶体管的栅极与扫描线电连接，所述源极与数据线电连接，所述漏极与像素电极电连接。
4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，
每条所述数据线通过相应的薄膜晶体管分别对一列像素单元中的所有像素单元输入数据信号。
5.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，
至少有一条数据线通过相应的薄膜晶体管分别对与该条数据线相邻的两列像素单元中的部分像素单元输入数据信号。
6.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，
所述阵列基板包括显示区域，所述多个像素单元分为第一像素单元和第二像素单元，所述第一像素单元位于显示区域中，所述第二像素单元位于显示区域之外并邻近显示区域的边缘；
在所述多条扫描线中，至少有一条扫描线设置于所述第二像素单元的对应不透光暗区的主干部分的垂直投影范围内。
7.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，
所述像素单元还包括色阻层，所述色阻层位于像素电极的对应不透光暗区的主干部分和扫描线之间。
8.一种液晶显示面板，其特征在于，包括：
阵列基板、彩色滤光基板以及位于阵列基板和彩色滤光基板之间的液晶层；
所述阵列基板包括：
呈行列阵列排列的多个像素单元，每个所述像素单元包括像素电极，所述像素电极包括至少一个对应不透光暗区的主干部分；
多条扫描线，所述扫描线设置在所述主干部分的垂直投影范围内，以对像素单元输入扫描信号。
9.根据权利要求8所述的液晶显示面板，其特征在于，
所述像素单元具有长边和短边，所述长边与行方向平行，所述短边与列方向平行；
所述扫描线与所述长边平行。
10.根据权利要求9所述的液晶显示面板，其特征在于，
所述阵列基板包括多条数据线和多个薄膜晶体管，所述数据线与所述像素单元的短边平行以对像素单元输入数据信号；
所述薄膜晶体管包括栅极、源极以及漏极，所述薄膜晶体管的栅极与扫描线电连接，所述源极与数据线电连接，所述漏极与像素电极电连接。
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