[go: up one dir, main page]

CN102769013A - 薄膜晶体管基板及其制造方法 - Google Patents

薄膜晶体管基板及其制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN102769013A
CN102769013A CN201110253489XA CN201110253489A CN102769013A CN 102769013 A CN102769013 A CN 102769013A CN 201110253489X A CN201110253489X A CN 201110253489XA CN 201110253489 A CN201110253489 A CN 201110253489A CN 102769013 A CN102769013 A CN 102769013A
Authority
CN
China
Prior art keywords
electrode
gate
thin film
pixel
data
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201110253489XA
Other languages
English (en)
Other versions
CN102769013B (zh
Inventor
郭喜荣
朴文基
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
LG Display Co Ltd
Original Assignee
LG Display Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by LG Display Co Ltd filed Critical LG Display Co Ltd
Publication of CN102769013A publication Critical patent/CN102769013A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN102769013B publication Critical patent/CN102769013B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1343—Electrodes
    • G02F1/134309—Electrodes characterised by their geometrical arrangement
    • G02F1/134363—Electrodes characterised by their geometrical arrangement for applying an electric field parallel to the substrate, i.e. in-plane switching [IPS]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D86/00—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates
    • H10D86/01—Manufacture or treatment
    • H10D86/021—Manufacture or treatment of multiple TFTs
    • H10D86/0221—Manufacture or treatment of multiple TFTs comprising manufacture, treatment or patterning of TFT semiconductor bodies
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1343—Electrodes
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1345—Conductors connecting electrodes to cell terminals
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136227—Through-hole connection of the pixel electrode to the active element through an insulation layer
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/1368—Active matrix addressed cells in which the switching element is a three-electrode device
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D86/00—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates
    • H10D86/01—Manufacture or treatment
    • H10D86/021—Manufacture or treatment of multiple TFTs
    • H10D86/0231—Manufacture or treatment of multiple TFTs using masks, e.g. half-tone masks
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1343—Electrodes
    • G02F1/134309—Electrodes characterised by their geometrical arrangement
    • G02F1/134372—Electrodes characterised by their geometrical arrangement for fringe field switching [FFS] where the common electrode is not patterned
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136231—Active matrix addressed cells for reducing the number of lithographic steps
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D30/00—Field-effect transistors [FET]
    • H10D30/60—Insulated-gate field-effect transistors [IGFET]
    • H10D30/67—Thin-film transistors [TFT]
    • H10D30/6729—Thin-film transistors [TFT] characterised by the electrodes

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)

Abstract

本发明涉及薄膜晶体管基板及其制造方法。该制造方法包括：第一掩模步骤，在基板上形成包括栅极和选通线的第一导电图案；第二掩模步骤，在上面形成有第一导电图案的基板上沉积栅绝缘膜，并且在栅绝缘膜上形成包括半导体图案、源极、漏极和数据线的第二导电图案；第三掩模步骤，在上面沉积有第二导电图案的基板上沉积第一保护膜，并且形成像素接触孔，以露出穿过第一保护膜的漏极；第四掩模步骤，在第一保护膜上形成具有公共电极和公共线的第三导电图案，并形成第二保护膜，以与公共电极形成底切，并且所述第二保护膜包括露出公共电极上的漏极的像素接触孔；以及第五掩模步骤，形成第四导电图案，该第四导电图案包括与公共电极隔开由底切所设置的间隔的像素电极。

Description

薄膜晶体管基板及其制造方法
技术领域
本发明涉及薄膜晶体管基板及其制造方法，更具体地，涉及一种可以减少很多制造步骤的薄膜晶体管基板及其制造方法。
背景技术
液晶显示装置通过利用电场来控制具有介电各向异性的液晶的透光率而显示图像。液晶显示装置具有：液晶板，其具有彼此面对地接合在一起的薄膜晶体管基板和滤色器基板；背光单元，其用于将光引导至液晶板；以及驱动电路，其用于驱动液晶显示板。
薄膜晶体管基板具有：在下基板上彼此交叉形成且其间布置有栅绝缘膜的选通线和数据线；形成在其每一个交叉部分处的薄膜晶体管(TFT)；通过接触孔与薄膜晶体管的漏极接触的像素电极；以及涂敷在其上的下配向膜。
滤色器基板具有：用于产生颜色的滤色器、用于防止泄光的黑底、用于对像素电极形成垂直电场的公共电极、以及涂敷在其上、用于液晶配向的上配向膜。
因而，液晶板可以被制造为TN(扭曲向列)模式(在这种模式下，电极被提供至各个基板，布置液晶使其指向标(director)扭曲90°，并且将电压施加至电极以驱动指向标)，而利用IPS(面内切换)模式来进行工作(在这种模式下，通过由一个基板中的两个电极形成的水平电场来控制液晶的指向标)，或者利用FFS(边缘场切换)模式来进行工作(在这种模式下，液晶分子通过在其间具有小间隙的透明导电材料的两个电极之间所形成的边缘场来移动)。
使用FFS模式的液晶板的薄膜晶体管基板是通过包括以下步骤的方法来制造的：利用第一掩模来形成栅极；利用第二掩模来形成半导体图案；利用第三掩模来形成源/漏极；利用第四掩模来形成具有像素接触孔和焊盘区域接触孔的第一保护膜；利用第五掩模来形成像素电极；利用第六掩模来形成具有像素接触孔和焊盘区域接触孔的第二保护膜；以及利用第七掩模在第二保护膜上形成公共电极。同样地，用于制造FFS模式薄膜晶体管基板的方法至少需要七个掩模步骤，因此工艺成本和时间消耗是很大的。
发明内容
本发明涉及薄膜晶体管基板及其制造方法。
本发明的一个目的是提供一种可以减少很多制造步骤的薄膜晶体管基板及其制造方法。
本公开附加的优点、目的和特征将部分地在以下的描述中进行阐述，并且部分地在本领域技术人员考察了以下描述之后变得明显、或者可以从本发明的实践中获知。将通过在所撰写的说明书和其权利要求以及附图中具体指明的结构来实现并获得本发明的目的和其它优点。
为了实现这些目的和其它优点，并且根据在此具体实施并广泛描述的本发明的一个方面，一种薄膜晶体管基板可以包括：选通线；与选通线交叉的数据；薄膜晶体管，其包括连接至选通线的栅极、连接至数据线的源极、被形成为面对源极的漏极以及被形成为与栅极交叠的半导体图案，半导体图案和栅极之间布置有栅绝缘膜；第一和第二保护膜，其覆盖薄膜晶体管，其中，各个保护膜都具有露出薄膜晶体管的漏极的像素接触孔；像素电极，其形成在第二保护膜上以连接至漏极；以及公共电极，其被形成为与像素电极形成边缘场，并且与像素电极隔开由针对第二保护膜的底切所设置的间距。
根据某些实施方式的薄膜晶体管基板还可以包括连接至选通线的选通焊盘以及连接至数据线的数据焊盘。
根据某些实施方式的选通焊盘可以包括：选通焊盘下电极，其连接至选通线；选通接触孔，其穿过第一和第二保护膜和栅绝缘膜；以及选通焊盘上电极，其连接至选通下电极，并且以与像素电极相同的材料与像素电极形成在同一层上，并且与公共电极隔开由底切所设置的间隔。
根据某些实施方式的数据焊盘可以包括：数据焊盘下电极，其连接至数据线；数据接触孔，其穿过第一和第二保护膜；以及数据焊盘上电极，其连接至数据焊盘下电极，并且以与像素电极相同的材料、与像素电极形成在同一层上，并且与公共电极隔开由底切所设置的间隔。
根据某些实施方式的像素电极的厚度可以大于公共电极的厚度。
根据某些实施方式的第二保护膜的厚度可以小于第一保护膜的厚度。第一保护膜可以包括两个或更多个保护膜。
在本发明的另一方面，一种用于制造薄膜晶体管基板的方法可以包括以下步骤：第一掩模步骤，其在基板上形成包括栅极和选通线的第一导电图案；第二掩模步骤，其在上面形成有第一导电图案的基板上沉积栅绝缘膜，并且在栅绝缘膜上形成包括半导体图案、源极、漏极和数据线的第二导电图案；第三掩模步骤，其在上面沉积有第二导电图案的基板上沉积第一保护膜，并且形成像素接触孔，以穿过第一保护膜露出漏极；第四掩模步骤，其在第一保护膜上形成具有公共电极和公共线的第三导电图案，并形成第二保护膜，以与公共电极形成底切，并且所述第二保护膜包括露出公共电极上的漏极的像素接触孔；以及第五掩模步骤，其形成第四导电图案，使之包括与公共电极隔开由底切所设置的间隔的像素电极。
根据某些实施方式的栅极和选通线可以包括由电极材料形成的至少两层。
该方法的其它实施方式还可以包括以下步骤：形成连接至选通线的选通焊盘，其中，选通焊盘包括：通过第一掩模步骤以与栅极相同的材料、与栅极同时形成的选通焊盘下电极；通过第三掩模步骤和第四掩模步骤被形成为穿过栅绝缘膜以及第一和第二保护膜的选通接触孔；以及通过第五掩模步骤由与像素电极相同的材料，与像素电极同时形成的选通焊盘上电极。
根据附加实施方式的方法还可以包括以下步骤：形成连接至数据线的数据焊盘，其中，数据焊盘包括：数据焊盘下电极，其连接至数据线；数据接触孔，其穿过第一和第二保护膜；以及数据焊盘上电极，其由与像素电极相同的材料、与像素电极同时形成，连接至数据焊盘下电极并且与公共电极隔开由底切设置的间隔。
根据附加实施方式的第四掩模步骤可以包括以下步骤：在上面形成有第一保护膜的基板上接连地沉积透明层、无机绝缘材料和光刻胶；以小于第一保护膜的宽度的宽度在除了形成有像素接触孔的区域以外的区域上形成光刻胶图案；并且通过利用光刻胶图案进行刻蚀来对第二保护膜进行构图，使之具有与光刻胶图案相同的宽度，利用第二保护膜对透明层进行湿法刻蚀，并且通过湿法刻蚀将透明层形成为具有底切。
根据某些实施方式的像素电极的厚度可以比公共电极的厚度更大。
应理解的是，本发明之前的总体描述和下面的具体描述仅是示例性的，并且旨在对如权利要求所保护的本发明提供进一步的说明。
附图说明
包括附图以提供对本发明的进一步理解，附图被并入本发明并且构成本发明的一部分。附图例示了本公开的实施方式，并且与说明书一起对本公开的原理进行说明。在附图中：
图1例示了根据本发明示例性实施方式的薄膜晶体管基板的平面图。
图2例示了沿着图1中所示的薄膜晶体管基板的线I-I’、II-II’、III-III’和IV-IV’截取的截面图。
图3A和图3B分别例示了示出用于制造在图1或图2中所示的薄膜晶体管基板的第一导电图案的示例性步骤的平面图和截面图。
图4A和图4B分别例示了示出用于制造在图1或图2中所示的薄膜晶体管基板的半导体图案和第二导电图案的示例性步骤的平面图和截面图。
图5A和图5B分别例示了示出用于制造在图4中示出的半导体图案和第二导电图案的示例性掩模步骤。
图6A和图6B分别例示了示出用于制造在图1或图2中所示的薄膜晶体管基板的第一和第二保护膜的示例性步骤的平面图和截面图。
图7A和图7B分别例示了示出用于制造在图1或图2中所示的薄膜晶体管基板的第三导电图案和第三保护膜的示例性步骤的平面图和截面图。
图8A至图8C分别例示了示出用于形成图7B中的第三导电图案和第三保护膜的示例性掩模步骤的截面图。
图9A和图9B分别例示了示出用于制造在图1或图2中所示的薄膜晶体管基板的第四导电图案的示例性步骤的平面图和截面图。
图10例示了示出用于制造图9B中的第四导电图案的示例性掩模步骤的截面图。
具体实施方式
下面将具体参照本发明的特定实施方式，附图中例示了其实施例。贯穿附图将尽可能地使用相同的标号来表示相同的或相似的部件。应注意的是，如果确定已知技术的具体描述会误导本发明，则将省略已知技术的具体描述。
下面将参照图1至图10来描述本发明的示例性实施方式。
图1例示了根据本发明示例性实施方式的薄膜晶体管基板的平面图，图2例示了沿着图1中所示的薄膜晶体管基板的线I-I’、II-H’、III-III’和IV-IV’截取的截面图。
参照图1和图2，根据某些实施方式的薄膜晶体管基板可以包括：薄膜晶体管，其连接至选通线102和数据线104；像素电极122，其形成在位于选通线102和数据线104的交叉结构处的像素区域上；公共电极124，其与像素电极122形成边缘场；选通焊盘150，其连接至选通线102；数据焊盘160，其连接至数据线104；以及公共焊盘128，其连接至公共线126。
根据图1，薄膜晶体管响应于供应至选通线102的扫描信号将像素信号供应至在像素电极122处被充电并保持的数据线104。为此，薄膜晶体管130可以具有栅极106、源极108、漏极110、有源层114和欧姆接触层116。
而且，根据图1和图2，形成在基板101上的栅极106被连接至选通线102，以将扫描信号从选通线102供应至栅极106。源极108被连接至数据线104，以将像素信号从数据线104供应至源极108。漏极110形成在源极108的对面，其间布置有有源层114的通道部分，以将像素信号从数据线104供应至像素电极122。有源层114形成在源极108和漏极110之间的通道部分处，并且与栅极106交叠，其间布置有栅绝缘膜112。欧姆接触层116形成在源极108和有源层114之间、漏极110和有源层114之间(即，除了通道部分以外的有源层114上)。欧姆接触层116用于减小源极108与有源层114之间、和/或漏极110与有源层114之间的电接触电阻。
参照图2，像素电极122通过第一至第三像素接触孔120a、120b和120c连接至薄膜晶体管的漏极110。据此，像素信号通过薄膜晶体管从数据线104供应至像素电极122。
根据图1和图2中所示的示例性实施方式，公共电极124连接至公共线126，以使公共电压通过公共线126供应至公共电极124。公共电极124与像素电极122交叠，其间布置有第三保护膜136，以形成边缘场。边缘场使得薄膜晶体管基板与滤色器基板之间在横向方向上排布的液晶分子由于介电各向异性而旋转。并且，穿过像素区的光的透射率可以随着液晶分子的旋转程度而变化，从而产生图像。在该示例性实施方式中，公共电极124形成在第二保护膜134上，以针对第三保护膜136形成底切(undercut)结构，通过公共电极124和第三保护膜136的底切结构，公共电极124和像素电极122彼此间隔开。因而，底切结构在公共电极124和像素电极122之间提供了间隔W。并且，形成在薄膜晶体管上的公共电极124可以充当遮蔽电极来遮蔽数据电压，并且由例如photo-acryl的有机绝缘材料来形成第二保护膜134，以减少在公共电极124和数据线104之间的寄生电容的形成，从而允许公共电极124和数据线104之间的距离更远。
在某些实施方式中，像素电极122的厚度大于公共电极124。如上所述，这是因为公共电极124和第三保护膜136的底切结构使得第三保护膜136具有比公共电极124更宽的宽度。据此，当将像素电极122布置在底切结构的第三保护膜136上时，所形成的像素电极122的厚度比公共电极124的厚度更大，以防止像素电极122开路(opening)。
在其它实施方式中，为了提高形成在第三保护膜136上的像素电极122的步骤覆盖(step coverage)，所形成的第三保护膜136的宽度A小于第二保护膜134的宽度B。
并且，可以用透明电极材料来形成公共电极124，透明电极材料包括(但不限于)：氧化锡(TO)、氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铟锡锌(ITZO)及其混合物。
选通焊盘150将扫描信号从选通驱动器(未示出)供应至选通线102。为此，在某些实施方式中，选通焊盘150具有连接至选通线102的选通焊盘下电极152以及通过接触孔154连接至选通焊盘下电极152的选通焊盘上电极156，其中，所述接触孔154穿过可选的第一保护膜132、第二保护膜134、第三保护膜136和栅绝缘膜112。选通焊盘上电极156可以用与像素电极122相同的材料与像素电极122形成在同一层上。根据图2所示的示例性实施方式，选通焊盘上电极156与公共电极124相间隔，使得选通焊盘上电极156不与形成在第二保护膜134上的公共电极124相接触。利用底切结构的间隔，公共电极124与选通焊盘上电极156可以间隔开而不彼此接触。如图2所示，选通焊盘下电极152可以有至少两层。
数据焊盘160将像素信号从数据驱动器(未示出)供应至数据线104。为此，在某些实施方式中，数据焊盘160具有连接至数据线104的数据焊盘下电极162以及通过接触孔164连接至数据焊盘下电极162的数据焊盘上电极166，其中，所述接触孔164穿过可选的第一保护膜132、第二保护膜134和第三保护膜136。数据焊盘上电极166可以用与像素电极122相同的材料与像素电极122形成在同一层上。根据图2所示的示例性实施方式，数据焊盘上电极166与公共电极124相间隔，使得数据焊盘上电极166不与形成在第二保护膜134上的公共电极124相接触。利用底切结构的间隔，公共电极124与数据焊盘上电极166可以间隔开而不彼此接触。如图2所示，数据焊盘下电极162可以具有漏极162c、半导体层162a和162b的堆叠结构。
图3A至图10例示了用于描述制造图2中所示的薄膜晶体管基板的示例性步骤的平面图和截面图。
参照图3A和图3B，可以在基板101上形成包括栅极106、选通线102和选通焊盘下电极152的第一导电图案。
具体来讲，可以通过例如溅射将至少两层选通金属层(例如，106a/106b和152a/152b)沉积在基板101上。可以通过包括但不限于以下各项的至少两层的层叠来形成选通金属层：Al/Cr、Al/Mo、Al(Nd)/Al、Al(Nd)/Cr、Mo/Al(Nd)/Mo、Cu/Mo、Cu/Mo/Ti、Ti/Al(Nd)/Ti、Mo/Al、Mo/Ti/Al(Nd)、Cu合金/Mo、Cu合金/Al、Cu合金/Mo合金、Cu合金/Al合金、Al/Mo合金、Mo合金/Al或者以其它顺序、或者Mo、Ti、Cu、AlNd、Al、Cr、Mo合金、Cu合金、Al合金的单独层。接着，可以通过利用第一掩模进行光刻和刻蚀来对选通金属层进行构图，以形成包括栅极106、选通线102和选通焊盘下电极152的第一导电图案。
参照图4A和图4B，在上面形成有第一导电图案的基板101上形成栅绝缘膜112，并且在上面形成有栅绝缘膜112的基板101上形成第二导电图案112，使之包括具有有源层114和欧姆接触层116的半导体图案115、源极108和漏极110、数据线104和数据焊盘下电极162。
具体地讲，可以在上面形成有选通金属图案的下基板101上接连地形成栅绝缘膜112、非晶硅层132、掺杂(n+或p+)的非晶硅层216和数据金属层218。例如，可以通过等离子体增强化学气相沉积(PECVD)来形成栅绝缘膜112、非晶硅层132和掺杂的非晶硅层216，并且可以通过溅射来形成数据金属层218。栅绝缘膜112可以由包括(但不限于)SiOx和SiNx的有机绝缘材料来形成，数据金属层218可以由包括(但不限于)Mo、Ti、Cu、AlNd、Al、Cr、Mo合金、Cu合金、Al合金的单独金属层来形成，或者可以由包括(但不限于)Al/Cr、Al/Mo、Al(Nd)/Al、Al(Nd)/Cr、Mo/Al(Nd)/Mo、Cu/Mo、Cu/Mo/Ti、Ti/Al(Nd)/Ti、Mo/Al、Mo/Ti/Al(Nd)、Cu合金/Mo、Cu合金/Al、Cu合金/Mo合金、Cu合金/Al合金、Al/Mo合金、Mo合金/Al的至少两种材料的层的堆叠来形成，或者由包括(但不限于)Mo、Ti、Cu、AlNd、Al、Cr、Mo合金、Cu合金、Al合金的材料的单独层来形成。然后，在数据金属层218上涂敷了光刻胶之后，可以利用缝隙掩模(slit mask)或者半色调掩模(halftone mask)通过光刻对光刻胶进行曝光和显影，以形成光刻胶图案220a和220b。将参照图5A和图5B对其进行描述。
参照图5A，半色调掩模可以具有：遮蔽区域S1，其在基板上形成了遮蔽层172；透反区域S2，其在基板上形成了透反层174；以及透射区域S3，其仅形成基板。因而，可以使用半色调掩模，或者可以使用缝隙掩模(未示出)。将作为示例描述应用半色调掩模的情况。如图5A所示，将遮蔽区域S1置于要形成半导体图案和第二导电图案的区域，以遮蔽UV光束，在显影之后留下第一光刻胶图案220a。透反区域S2具有堆叠在要形成薄膜晶体管的沟道的区域上以控制透射率的透反层174，以如图5A所示在显影之后留下比第一光刻胶图案220a更薄的第二光刻胶图案220b。并且透射区域S3使UV光束完全透过，以如图5A所示在显影之后去除光刻胶。
参照图5A和图5B，通过利用光刻胶图案220a和220b对数据金属层218、非晶硅层132和掺杂(n+或p+)的非晶硅层216进行刻蚀，使其具有对数据金属层218、非晶硅层132和掺杂的非晶硅层216进行构图的步骤，以形成第二导电图案和下面的半导体图案。
接着，可以通过利用氧气等离子体将光刻胶图案220a灰化，以使第一光刻胶图案220a更薄，并且去除第二光刻胶图案220b。接着，可以通过利用第一光刻胶图案220a的刻蚀步骤将通过刻蚀而露出的数据金属层218和下面的掺杂的非晶硅层216去除。据此，如图4B所示，源极108和漏极110彼此分离，并且可以露出有源层114。
接着，可以从源极108和漏极110、数据线104和数据下电极162的上边去除第一光刻胶图案220a。
参照图6A和图6B，在上面形成有半导体图案115和第二导电图案的基板101上形成第一保护膜132和第二保护膜134，使之具有选通接触孔154a、154b和154c、数据接触孔164a和164b，以及第一像素接触孔120a和第二像素接触孔120b。虽然在图中未示出，但是本发明的其它实施方式可以省略第一保护膜。
具体地，可以通过PECVD或者化学气相沉积(CVD)将可选的第一保护膜132和第二保护膜134形成在上面形成有半导体图案和第二导电图案的栅绝缘膜112上。第一保护膜132可以由与栅绝缘膜相同的有机绝缘材料来形成，并且第二保护膜134可以由包括(但不限于)photo-acryl的有机绝缘材料来形成。可以通过利用第三掩模对第一保护膜132和第二保护膜134进行光刻和刻蚀来对其进行构图，以形成选通接触孔154a、154b和154c、数据接触孔164a和164b，以及第一像素接触孔120a和第二像素接触孔120b。第一像素接触孔120a和第二像素接触孔120b可以露出穿过第一保护膜132和第二保护膜134的漏极；选通接触孔154a、154b和154c可以露出穿过栅绝缘膜112和第一保护膜132及第二保护膜134的选通焊盘下电极152；并且数据接触孔164a和164b可以露出穿过第一保护膜132和第二保护膜134的数据焊盘下电极162。
参照图7A和图7B，在上面形成有可选的第一保护膜132和第二保护膜134的基板101上形成第三导电图案，该第三导电图案包括公共电极124、公共线126、公共焊盘128以及第三保护膜136，其中，第三保护膜136包括第三像素接触孔120c、选通接触孔154d和数据接触孔164c。将参照图8A和图8B对其进行描述。
具体地讲，如在图8A和图8B中的示例性实施方式所示，可以在上面形成有第一保护膜132和第二保护膜134的基板101上接连地堆叠第一透明电极层124a、第三保护膜136a和光刻胶222。可以通过溅射包括(但不限于)氧化锡(TO)、氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铟锡锌(ITZO)或其混合物的材料来沉积第一透明电极层124a；并且可以通过利用PECVD或CVD沉积无机材料来形成第三保护膜136a。并且在第三保护膜136a上涂覆光刻胶，并利用第四掩模对其进行光刻，从而对光刻胶222进行曝光和显影。如图8B所示，第四掩模210可以具有遮蔽区域S1(其具有形成在基板212上的遮蔽层210a)和仅基板212的透射区域S2。在该实施方式中，位于第四掩模210的遮蔽区域S1处的遮蔽层210a的宽度A小于第二保护膜134的宽度B；并且第四掩模210的透射区域S2位于要形成第三像素接触孔120c、选通接触孔154d和数据接触孔164的区域，以透射UV光束。由于透射区域S2透射了UV光束，所以在显影后将光刻胶从该区域去除。入射的UV光束被第四掩模210的遮蔽区域S1所遮蔽的光刻胶图案222a的宽度A小于第二保护膜134的宽度B，这是因为遮蔽区域S1的宽度小于第二保护膜134的宽度。
参照图8C，通过用光刻胶图案进行刻蚀来对第三保护膜136进行构图。在该实施方式中，由于光刻胶图案222a的宽度A小于第二保护膜134的宽度B，所以第三保护膜136的宽度A小于第二保护膜134的宽度B。第三保护膜136的宽度A可以小于第二保护膜134的宽度B，以在沉积像素电极122时提高步骤覆盖。
接着，可以利用充当掩模的第三保护膜136进行湿法刻蚀来去除公共电极124。在该示例中，通过湿法刻蚀在公共电极124处形成底切，使得公共电极124的宽度比第三保护膜的宽度C小，如图8C所示。接着，可以剥离掉剩余的光刻胶图案，以形成包括公共电极124、公共线126、公共焊盘128的第三导电图案，以及包括选通接触孔1545d、数据接触孔164c和第三接触孔120c的第三保护膜136。
参照图9A和图9B，在上面形成有第三保护膜136和第三导电图案的基板101上形成第四导电图案，使之包括像素电极122、选通焊盘上电极156和数据焊盘上电极166。
具体地讲，可以通过例如溅射在上面通过沉积形成了第三保护膜136和第三导电图案的基板101上形成第二透明电极层122a。第三保护膜136和公共电极124之间的底切使得第二透明电极层122a与公共电极124间隔开与该底切形成的间隙W一样大的距离。在该示例中，所沉积的第二透明电极层122a的厚度大于形成在公共电极124上的第一透明电极层的厚度。当将像素电极122沉积在底切结构的第三保护膜135上时，所形成的像素电极122的厚度大于公共电极的厚度，以防止像素电极122开路。
接着，参照图10，可以通过利用第五掩模进行光刻和刻蚀来对第二透明电极层122a进行构图，以形成包括像素电极122、选通图案上电极156和数据焊盘上电极166的第四导电图案。
如上所述，根据本发明的薄膜晶体管基板及其制造方法具有至少以下一种优势。
在同一掩模步骤中形成源/漏极和半导体图案并且在同一掩模步骤中形成第三保护膜和公共电极，从而减少了掩模步骤的重复，减少了制造步骤数并减少了制造成本和制造时间。
仅通过五个掩模步骤而不需另外的步骤就可以形成薄膜晶体管基板。
并且，有机绝缘材料的保护膜允许减少数据线和公共电极之间的寄生电容，能够减少由此引起的功耗。
对于本领域技术人员明显的是，在不脱离本发明的精神和范围的情况下，可以对本发明进行各种修改和变型。因而，本发明旨在覆盖落入所附权利要求及其等同物范围内的对本发明的所有修改和变型。
本申请要求2011年5月3日提交的韩国专利申请第10-2011-0042176号的优先权，在此通过引用将其完全并入。

Claims (15)

1.一种薄膜晶体管基板，该薄膜晶体管基板包括：
选通线；
与所述选通线交叉的数据线；
薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括：
(i)栅极，其连接至所述选通线，
(ii)源极，其连接至所述数据线，
(iii)漏极，其被形成为面对所述源极，以及
(iv)半导体图案，其被形成为与所述栅极交叠，其间布置有栅绝缘膜；
覆盖所述薄膜晶体管的第一及第二保护膜，其中，每个保护膜都具有像素接触孔，所述像素接触孔露出了所述薄膜晶体管的漏极；
像素电极，其位于所述第二保护膜上以连接至所述漏极；以及
公共电极，其与所述像素电极形成边缘场，其中，所述公共电极与所述像素电极隔开由针对所述第二保护膜的底切所设置的间隔。
2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基板，该薄膜晶体管基板还包括连接至所述选通线的选通焊盘以及连接至所述数据线的数据焊盘。
3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管基板，其中，所述选通焊盘包括：
选通焊盘下电极，其连接至所述选通线；
选通接触孔，其穿过所述第一及第二保护膜和所述栅绝缘膜；以及
选通焊盘上电极，其连接至所述选通焊盘下电极，并且以与所述像素电极相同的材料、与所述像素电极形成在同一层上，并且与所述公共电极隔开由所述底切所设置的间隔。
4.根据权利要求2所述的薄膜晶体管基板，其中，所述数据焊盘包括：
数据焊盘下电极，其连接至所述数据线；
数据接触孔，其穿过所述第一及第二保护膜；以及
数据焊盘上电极，其连接至所述数据焊盘下电极，并且以与所述像素电极相同的材料、与所述像素电极形成在同一层上，并且与所述公共电极隔开由所述底切所设置的间隔。
5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基板，其中，所述像素电极的厚度大于所述公共电极的厚度。
6.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基板，其中，所述第二保护膜的宽度小于所述第一保护膜的宽度。
7.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基板，其中，所述第一保护膜包括两个或更多个保护膜。
8.一种制造薄膜晶体管基板的方法，该方法包括以下步骤：
第一掩模步骤，在基板上形成包括栅极和选通线的第一导电图案；
第二掩模步骤，在上面形成有所述第一导电图案的所述基板上沉积栅绝缘膜，并且在所述栅绝缘膜上形成包括半导体图案、源极、漏极和数据线的第二导电图案；
第三掩模步骤，在上面沉积有所述第二导电图案的所述基板上沉积第一保护膜，并且形成像素接触孔，以穿过所述第一保护膜露出所述漏极；
第四掩模步骤，在所述第一保护膜上形成具有公共电极和公共线的第三导电图案，并形成第二保护膜，以与所述公共电极形成底切，并且所述第二保护膜包括露出所述公共电极上的所述漏极的像素接触孔；以及
第五掩模步骤，形成第四导电图案，该第四导电图案包括与所述公共电极隔开由所述底切所设置的间隔的像素电极。
9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述栅极和所述选通线包括至少两层电极材料。
10.根据权利要求8所述的方法，该方法还包括以下步骤：形成连接至所述选通线的选通焊盘，
其中，所述选通焊盘包括：
通过所述第一掩模步骤以与所述栅极相同的材料、与所述栅极同时形成的选通焊盘下电极；
通过所述第三掩模步骤和所述第四掩模步骤被形成为穿过所述栅绝缘膜和所述第一及第二保护膜的选通接触孔；以及
通过第五掩模步骤以与所述像素电极相同的材料、与所述像素电极同时形成的选通焊盘上电极。
11.根据权利要求8所述的方法，该方法还包括以下步骤：形成连接至所述数据线的数据焊盘，
其中，所述数据焊盘包括：
数据焊盘下电极，其连接至所述数据线；
数据接触孔，其穿过所述第一及第二保护膜；以及
数据焊盘上电极，其由与所述像素电极相同的材料、与所述像素电极同时形成，连接至所述数据焊盘下电极，并且与所述公共电极隔开由所述底切所设置的间隔。
12.根据权利要求8所述的方法，其中，所述第四掩模步骤包括以下步骤：
在上面形成有所述第一保护膜的所述基板上接连地沉积透明层、无机绝缘材料和光刻胶；
通过所述第四掩模步骤以小于所述第一保护膜的宽度的宽度在除了形成有所述像素接触孔的区域以外的区域上形成光刻胶图案；并且
通过利用所述光刻胶图案进行刻蚀来对所述第二保护膜进行构图，使之具有与所述光刻胶图案相同的宽度，
利用所述第二保护膜对所述透明层进行湿法刻蚀，并且
通过所述湿法刻蚀将所述透明层形成为具有底切。
13.根据权利要求8所述的方法，其中，所述像素电极被形成为厚度比所述公共电极的厚度更大。
14.根据权利要求8所述的方法，该方法由所述第一掩模步骤至所述第五掩模步骤构成。
15.根据权利要求8所述的方法，其中，所述第一保护膜包括两个或更多个保护膜。
CN201110253489.XA 2011-05-03 2011-08-30 薄膜晶体管基板及其制造方法 Active CN102769013B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2011-0042176 2011-05-03
KR1020110042176A KR101394938B1 (ko) 2011-05-03 2011-05-03 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN102769013A true CN102769013A (zh) 2012-11-07
CN102769013B CN102769013B (zh) 2015-03-18

Family

ID=47089649

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201110253489.XA Active CN102769013B (zh) 2011-05-03 2011-08-30 薄膜晶体管基板及其制造方法

Country Status (4)

Country Link
US (2) US8669557B2 (zh)
KR (1) KR101394938B1 (zh)
CN (1) CN102769013B (zh)
TW (1) TWI426609B (zh)

Cited By (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103033999A (zh) * 2011-10-06 2013-04-10 乐金显示有限公司 薄膜晶体管基板和制造薄膜晶体管基板的方法
CN103926760A (zh) * 2013-01-14 2014-07-16 瀚宇彩晶股份有限公司 像素结构及像素阵列基板
CN103941494A (zh) * 2013-01-17 2014-07-23 瀚宇彩晶股份有限公司 液晶显示装置
CN104102057A (zh) * 2013-04-10 2014-10-15 三星显示有限公司 薄膜晶体管阵列面板及其制造方法
CN104516166A (zh) * 2013-09-30 2015-04-15 乐金显示有限公司 用于制造液晶显示器的方法
CN104698693A (zh) * 2013-12-10 2015-06-10 三星显示有限公司 液晶显示器及其制造方法
CN104698630A (zh) * 2015-03-30 2015-06-10 合肥京东方光电科技有限公司 阵列基板及显示装置
CN104749842A (zh) * 2013-12-31 2015-07-01 乐金显示有限公司 液晶显示设备及其制造方法
CN104766819A (zh) * 2014-01-06 2015-07-08 瀚宇彩晶股份有限公司 画素基板及其制造方法
CN104777640A (zh) * 2014-01-13 2015-07-15 三星显示有限公司 液晶显示器及其制造方法
CN105321958A (zh) * 2014-07-29 2016-02-10 三星显示有限公司 薄膜晶体管阵列面板及其制造方法
CN105467703A (zh) * 2015-12-11 2016-04-06 厦门天马微电子有限公司 阵列基板、显示面板以及阵列基板的制造方法
CN106129063A (zh) * 2016-07-05 2016-11-16 深圳市华星光电技术有限公司 薄膜晶体管阵列基板及其制造方法
CN106918958A (zh) * 2015-12-28 2017-07-04 乐金显示有限公司 边缘场切换型液晶显示器
CN108028202A (zh) * 2015-09-24 2018-05-11 夏普株式会社 半导体装置及其制造方法
CN108257976A (zh) * 2018-01-09 2018-07-06 武汉华星光电技术有限公司 Tft基板及其制作方法
CN109597249A (zh) * 2017-10-03 2019-04-09 夏普株式会社 显示面板
CN109885196A (zh) * 2017-12-04 2019-06-14 乐金显示有限公司 包括触摸传感器的显示装置及制造显示装置的方法
CN111208686A (zh) * 2018-11-22 2020-05-29 株式会社日本显示器 显示装置

Families Citing this family (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101870986B1 (ko) * 2011-09-19 2018-06-26 엘지디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 어레이 기판 제조방법
TWI459477B (zh) * 2011-11-16 2014-11-01 Chunghwa Picture Tubes Ltd 畫素結構及其製作方法
JP5824536B2 (ja) * 2012-01-31 2015-11-25 シャープ株式会社 半導体装置およびその製造方法
JP2014021170A (ja) * 2012-07-12 2014-02-03 Panasonic Liquid Crystal Display Co Ltd 液晶表示装置及びその製造方法
KR101992893B1 (ko) * 2012-10-23 2019-06-25 엘지디스플레이 주식회사 평판 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR102011274B1 (ko) * 2012-12-10 2019-08-19 삼성디스플레이 주식회사 표시 기판의 제조 방법
KR101994974B1 (ko) * 2013-01-10 2019-07-02 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법
KR102090599B1 (ko) * 2013-01-29 2020-04-16 엘지디스플레이 주식회사 금속 산화물 반도체를 포함하는 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법
KR102028981B1 (ko) * 2013-01-31 2019-10-08 엘지디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법
KR102028982B1 (ko) * 2013-01-31 2019-10-08 엘지디스플레이 주식회사 액정 표시 패널 및 그 제조 방법
KR102081827B1 (ko) 2013-07-02 2020-04-16 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치
KR102054671B1 (ko) * 2013-09-27 2019-12-11 엘지디스플레이 주식회사 디스플레이 장치 및 그 제조방법
KR102066592B1 (ko) * 2013-09-27 2020-02-11 엘지디스플레이 주식회사 디스플레이 장치 및 그 제조방법
KR20150039003A (ko) 2013-10-01 2015-04-09 삼성디스플레이 주식회사 노광 마스크 및 이를 이용한 표시패널의 제조방법
KR102162580B1 (ko) * 2013-12-23 2020-10-07 엘지디스플레이 주식회사 터치전극 내장형 표시소자 및 그 제조방법
KR102182428B1 (ko) 2014-02-18 2020-11-25 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 제조 방법
KR20150104676A (ko) * 2014-03-05 2015-09-16 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치의 제조 방법
KR102176926B1 (ko) * 2014-08-27 2020-11-11 엘지디스플레이 주식회사 디스플레이 장치 및 그 제조방법
KR102210607B1 (ko) * 2014-11-25 2021-02-01 엘지디스플레이 주식회사 공통 전극의 바이어스 모니터링 영역을 포함하는 박막 트랜지스터 어레이 기판, 그 제조방법 및 이를 이용한 공통 전극의 바이어스 모니터링 방법
KR102354999B1 (ko) * 2015-03-10 2022-01-24 삼성디스플레이 주식회사 광배향막 및 이를 포함하는 액정 표시 장치
CN105093763A (zh) * 2015-08-19 2015-11-25 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板、其制作方法、液晶显示面板及显示装置
CN105158955B (zh) * 2015-10-26 2019-02-12 天马微电子股份有限公司 一种显示面板及其制作方法
KR102148491B1 (ko) * 2015-12-14 2020-08-26 엘지디스플레이 주식회사 박막트랜지스터 기판
KR102555392B1 (ko) * 2016-03-18 2023-07-14 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
CN107195641B (zh) * 2017-06-30 2020-05-05 上海天马有机发光显示技术有限公司 一种阵列基板及其制备方法、显示面板

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1420554A (zh) * 2001-11-21 2003-05-28 瀚宇彩晶股份有限公司 薄膜晶体管阵列基板的制造方法及其结构
US20050270450A1 (en) * 2004-06-05 2005-12-08 Ahn Byung C Liquid crystal display device and fabricating method thereof
US20060145157A1 (en) * 2004-12-30 2006-07-06 Choi Young S TFT array substrate and fabrication method thereof

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6577368B1 (en) * 1997-11-03 2003-06-10 Samsung Electronics Co., Ltd. IPS-LCD having a third electrode having aperture and formed on counter substrate
KR20060001165A (ko) * 2004-06-30 2006-01-06 엘지.필립스 엘시디 주식회사 수평 전계 인가형 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법
KR101066303B1 (ko) * 2004-09-09 2011-09-20 엘지디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 어레이 기판 및 그 제조 방법
KR101137861B1 (ko) * 2005-06-20 2012-04-20 엘지디스플레이 주식회사 프린지 필드 스위칭 타입의 박막 트랜지스터 기판 및 그제조방법
KR101146444B1 (ko) * 2005-06-24 2012-05-18 엘지디스플레이 주식회사 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치 제조방법
KR100920483B1 (ko) 2007-07-20 2009-10-08 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치용 어레이 기판 및 그 제조방법
US8144295B2 (en) * 2008-11-18 2012-03-27 Apple Inc. Common bus design for a TFT-LCD display
CN101957529B (zh) * 2009-07-16 2013-02-13 北京京东方光电科技有限公司 Ffs型tft-lcd阵列基板及其制造方法
KR101612050B1 (ko) * 2009-09-16 2016-04-12 엘지디스플레이 주식회사 반사투과형 액정표시장치 및 그 제조 방법

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1420554A (zh) * 2001-11-21 2003-05-28 瀚宇彩晶股份有限公司 薄膜晶体管阵列基板的制造方法及其结构
US20050270450A1 (en) * 2004-06-05 2005-12-08 Ahn Byung C Liquid crystal display device and fabricating method thereof
US20060145157A1 (en) * 2004-12-30 2006-07-06 Choi Young S TFT array substrate and fabrication method thereof
CN100421017C (zh) * 2004-12-30 2008-09-24 乐金显示有限公司 薄膜晶体管阵列基板及其制造方法

Cited By (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103033999A (zh) * 2011-10-06 2013-04-10 乐金显示有限公司 薄膜晶体管基板和制造薄膜晶体管基板的方法
CN103033999B (zh) * 2011-10-06 2016-02-03 乐金显示有限公司 薄膜晶体管基板和制造薄膜晶体管基板的方法
CN103926760A (zh) * 2013-01-14 2014-07-16 瀚宇彩晶股份有限公司 像素结构及像素阵列基板
CN103941494B (zh) * 2013-01-17 2017-04-12 瀚宇彩晶股份有限公司 液晶显示装置
CN103941494A (zh) * 2013-01-17 2014-07-23 瀚宇彩晶股份有限公司 液晶显示装置
CN104102057B (zh) * 2013-04-10 2020-03-10 三星显示有限公司 薄膜晶体管阵列面板及其制造方法
CN104102057A (zh) * 2013-04-10 2014-10-15 三星显示有限公司 薄膜晶体管阵列面板及其制造方法
CN104516166A (zh) * 2013-09-30 2015-04-15 乐金显示有限公司 用于制造液晶显示器的方法
US9857648B2 (en) 2013-09-30 2018-01-02 Lg Display Co., Ltd. Liquid crystal display device and method for manufacturing the same
CN104698693A (zh) * 2013-12-10 2015-06-10 三星显示有限公司 液晶显示器及其制造方法
CN104698693B (zh) * 2013-12-10 2020-03-06 三星显示有限公司 液晶显示器及其制造方法
CN104749842A (zh) * 2013-12-31 2015-07-01 乐金显示有限公司 液晶显示设备及其制造方法
CN104749842B (zh) * 2013-12-31 2018-03-09 乐金显示有限公司 液晶显示设备及其制造方法
CN104766819B (zh) * 2014-01-06 2017-12-08 瀚宇彩晶股份有限公司 画素基板及其制造方法
CN104766819A (zh) * 2014-01-06 2015-07-08 瀚宇彩晶股份有限公司 画素基板及其制造方法
CN104777640B (zh) * 2014-01-13 2019-08-23 三星显示有限公司 液晶显示器及其制造方法
CN104777640A (zh) * 2014-01-13 2015-07-15 三星显示有限公司 液晶显示器及其制造方法
CN105321958B (zh) * 2014-07-29 2020-11-13 三星显示有限公司 薄膜晶体管阵列面板及其制造方法
CN105321958A (zh) * 2014-07-29 2016-02-10 三星显示有限公司 薄膜晶体管阵列面板及其制造方法
CN104698630A (zh) * 2015-03-30 2015-06-10 合肥京东方光电科技有限公司 阵列基板及显示装置
CN108028202B (zh) * 2015-09-24 2021-05-25 夏普株式会社 半导体装置及其制造方法
CN108028202A (zh) * 2015-09-24 2018-05-11 夏普株式会社 半导体装置及其制造方法
CN105467703B (zh) * 2015-12-11 2019-08-13 厦门天马微电子有限公司 阵列基板、显示面板以及阵列基板的制造方法
CN105467703A (zh) * 2015-12-11 2016-04-06 厦门天马微电子有限公司 阵列基板、显示面板以及阵列基板的制造方法
CN106918958B (zh) * 2015-12-28 2020-09-08 乐金显示有限公司 边缘场切换型液晶显示器
CN106918958A (zh) * 2015-12-28 2017-07-04 乐金显示有限公司 边缘场切换型液晶显示器
CN106129063B (zh) * 2016-07-05 2019-06-25 深圳市华星光电技术有限公司 薄膜晶体管阵列基板及其制造方法
CN106129063A (zh) * 2016-07-05 2016-11-16 深圳市华星光电技术有限公司 薄膜晶体管阵列基板及其制造方法
CN109597249A (zh) * 2017-10-03 2019-04-09 夏普株式会社 显示面板
CN109885196A (zh) * 2017-12-04 2019-06-14 乐金显示有限公司 包括触摸传感器的显示装置及制造显示装置的方法
CN108257976A (zh) * 2018-01-09 2018-07-06 武汉华星光电技术有限公司 Tft基板及其制作方法
CN108257976B (zh) * 2018-01-09 2020-09-29 武汉华星光电技术有限公司 Tft基板及其制作方法
CN111208686A (zh) * 2018-11-22 2020-05-29 株式会社日本显示器 显示装置
CN111208686B (zh) * 2018-11-22 2022-11-01 株式会社日本显示器 显示装置

Also Published As

Publication number Publication date
US8669557B2 (en) 2014-03-11
US20140134810A1 (en) 2014-05-15
US20120280237A1 (en) 2012-11-08
US8890161B2 (en) 2014-11-18
TWI426609B (zh) 2014-02-11
TW201246550A (en) 2012-11-16
KR101394938B1 (ko) 2014-05-14
KR20120124332A (ko) 2012-11-13
CN102769013B (zh) 2015-03-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102769013B (zh) 薄膜晶体管基板及其制造方法
CN103033999B (zh) 薄膜晶体管基板和制造薄膜晶体管基板的方法
US8790941B2 (en) Array substrate for fringe field switching mode liquid crystal display device and method of manufacturing the same
CN103123429B (zh) 边缘场切换模式液晶显示装置的阵列基板及其制造方法
CN100428037C (zh) 液晶显示器件及其制造方法
CN100447645C (zh) 水平电场型液晶显示器件的薄膜晶体管基板及其制造方法
US7118947B2 (en) Thin film transistor substrate of a horizontal electric field type LCD and fabricating method thereof
US20140176895A1 (en) Liquid crystal display device and method for fabricating the same
CN100538999C (zh) 采用水平电场的薄膜晶体管基板及其制造方法
KR20130131701A (ko) 액정표시장치 어레이 기판 및 그 제조방법
KR20080062123A (ko) 프린지 필드형 액정표시패널 및 그 제조 방법
US20080074572A1 (en) Thin film transistor substrate, method of manufacturing the same, and liquid crystal display panel having the same
US7903188B2 (en) Thin film transistor substrate and method of manufacturing the same
CN100428034C (zh) 液晶显示器件及其制造方法
KR101137861B1 (ko) 프린지 필드 스위칭 타입의 박막 트랜지스터 기판 및 그제조방법
KR20120075207A (ko) 터치 패널 인 셀 방식의 액정표시장치용 어레이기판 및 그 제조방법
KR101423909B1 (ko) 표시 기판 및 이를 구비하는 액정 표시 장치
KR20120043387A (ko) 액정표시장치의 어레이 기판 및 그의 제조방법
KR20080048261A (ko) 수평 전계 인가형 액정표시패널 및 그 제조방법
KR20080057921A (ko) 수평 전계형 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조방법
CN100464235C (zh) 液晶显示器件及其制造方法
KR20120051964A (ko) 박막트랜지스터 기판 및 그 제조 방법
KR101149938B1 (ko) 프린지 필드 스위치 타입의 박막 트랜지스터 기판 제조방법
KR20120056469A (ko) 박막 트랜지스터 기판 및 그의 제조 방법
KR101980775B1 (ko) 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant