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CN102540600A - 液晶显示装置及其制造方法 - Google Patents

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CN102540600A CN2011103751189A CN201110375118A CN102540600A CN 102540600 A CN102540600 A CN 102540600A CN 2011103751189 A CN2011103751189 A CN 2011103751189A CN 201110375118 A CN201110375118 A CN 201110375118A CN 102540600 A CN102540600 A CN 102540600A
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Abstract

本发明提供一种液晶显示装置及其制造方法，其能够在削减制造成本的同时提高成品率且容易进行工艺设计。在液晶显示装置(1)中，形成有包括作为半导体层(ASI)与形成在半导体层(ASI)的面上的金属层(M)的层叠部分且作为与像素电极(MIT)的面相重叠的部分的重叠部(50)的源电极(SD2)、由金属层(M)与半导体层(ASI)的层叠部分构成的视频信号线(DL)、以及由金属层(M)与半导体层(ASI)的层叠部分构成的漏电极(SD1)，第二绝缘层(PAS2)形成有使从源电极(SD2)的面通过重叠部(50)的端部与像素电极(MIT)的面相连接的部分、即连接部(60)露出的开口部(TH)，在通过开口部(TH)露出的连接部(60)上形成有被形成为公共电极(CT)的导体膜(70)。

Description

液晶显示装置及其制造方法
技术领域
本发明涉及一种液晶显示装置及其制造方法。
背景技术
以往，在电视机等使用的液晶显示装置中存在按每个像素设置薄膜晶体管等开关元件、通过该开关元件的开关动作来控制期望像素的驱动的装置。这样的液晶显示装置具有在形成有薄膜晶体管的TFT基板与形成有滤色片的对置基板之间保持液晶材料的液晶显示面板。
该TFT基板和对置基板中的TFT基板通常使用6～8张光掩模来进行制造。使用该光掩模的曝光处理、以及与其相关联的显影、脱膜、蚀刻处理形成使制造成本增加的主要原因。即，如果使用大量的光掩模，则导致液晶显示装置的制造成本增加。因此，为了削减制造成本，期望一种将用于制造液晶显示装置的光掩模削减到5张或者4张的液晶显示装置及其制造方法。
另外，液晶显示装置中存在如下结构的装置：源电极、像素电极以及半导体层存在于同一层，源电极和像素电极不经由接触孔而直接导通连接。
这种结构的液晶显示装置在其制造过程产生的不良中视频信号线的断线不良较多。即，存在视频信号线的断线不良使制造液晶显示装置的成品率下降这样的问题。
作为这种视频信号线的断线不良的主要原因，列举有在视频信号线形成之后形成了像素电极的情况下，由于在形成像素电极时使用的蚀刻液渗入，而导致视频信号线被溶解。因此，为了克服上述问题，提出了一种削减光掩模数且使视频信号线的断线不良减少的液晶显示装置及其制造方法(例如参照专利文献1)。
该专利文献1所记载的液晶显示装置及其制造方法通过进行利用了半曝光技术的一并蚀刻处理来削减光掩模数且通过在形成像素电极之后形成视频信号线来减少视频信号线的断线不良。
专利文献1：日本特开2005-157016号公报
发明内容
然而，专利文献1所记载的液晶显示装置及其制造方法存在如下问题：由于在半导体层形成之后形成扫描信号线，因此半导体层由与栅电极相同或者比栅电极稍细的宽度形成，形成在该半导体层上的源极/漏极布线形成时的掩模对合精确度较为严格，结果导致工艺设计变难。
通过强化各向异性的氧等离子体处理来减小抗蚀图案的膜厚、或者进行估计抗蚀图案的尺寸变化量的设计，能够应对这样的问题。然而，在这种情况下，工艺设计依然较难。
本发明是鉴于上述情形的而完成的，其目的在于提供一种削减制造成本同时提高成品率且容易进行工艺设计的液晶显示装置及其制造方法。
为了解决上述问题并达到目的，本发明所涉及的液晶显示装置，其在第一绝缘基板与第二绝缘基板之间保持液晶材料，具有形成在该第一绝缘基板的上述液晶材料侧的面上的扫描信号线、形成在该扫描信号线和上述第一绝缘基板的上述液晶材料侧的面上的第一绝缘层、形成在该第一绝缘层的上述液晶材料侧的面上的半导体层和像素电极、以及形成在该像素电极与公共电极之间的第二绝缘层，该液晶显示装置的特征在于，形成有包括重叠部的源电极、视频信号线以及漏电极，其中，上述重叠部是上述半导体层与形成在该半导体层的上述液晶材料侧的面上的金属层的层叠部分、且是与上述像素电极的上述液晶材料侧的面相重叠的部分，上述视频信号线由上述金属层与上述半导体层的层叠部分构成，上述漏电极由上述金属层与上述半导体层的层叠部分构成，上述第二绝缘层形成有使从上述源电极的上述液晶材料侧的面通过该重叠部的端部与上述像素电极的上述液晶材料侧的面相连接的部分、即连接部露出的开口部，在通过上述开口部露出的上述连接部上形成有被形成为上述公共电极的导体膜。
另外，在上述发明中，本发明所涉及的液晶显示装置的特征在于，上述导体膜覆盖上述开口部的整个表面。
为了解决上述问题并达到目的，在本发明所涉及的液晶显示装置的制造方法中，该液晶显示装置在第一绝缘基板与第二绝缘基板之间保持液晶材料，具有形成在该第一绝缘基板的上述液晶材料侧的面上的扫描信号线、形成在该扫描信号线和上述第一绝缘基板的上述液晶材料侧的面上的第一绝缘层、形成在该第一绝缘层的上述液晶材料侧的面上的半导体层和像素电极、以及形成在该像素电极与公共电极之间的第二绝缘层，该液晶显示装置的制造方法的特征在于，包括以下步骤：一并形成步骤，在将上述像素电极形成在上述第一绝缘层的上述液晶材料侧的面上之后，通过上述半导体层和金属层的一并蚀刻处理，形成包括重叠部的源电极、视频信号线以及漏电极，其中，该重叠部是上述半导体层与形成在该半导体层的上述液晶材料侧的面上的金属层的层叠部分、且是与上述像素电极的上述液晶材料侧的面相重叠的部分的重叠部，上述视频信号线由上述金属层与上述半导体层的层叠部分构成，上述漏电极由上述金属层与上述半导体层的层叠部分构成；开口部形成步骤，在上述第二绝缘层上形成开口部，该开口部使从上述源电极的上述液晶材料侧的面通过该重叠部的端部与上述像素电极的上述液晶材料侧的面相连接的部分、即连接部露出；以及导体膜形成步骤，在通过上述开口部露出的上述连接部上形成被形成为上述公共电极的导体膜。
另外，在上述发明中，本发明所涉及的液晶显示装置的制造方法的特征在于，在上述导体膜形成步骤中形成的上述导体膜覆盖上述开口部的整个表面。
另外，在上述发明中，本发明所涉及的液晶显示装置的制造方法的特征在于，上述开口部形成步骤与在上述第二绝缘层上形成上述开口部以外的开口一起进行。
本发明所涉及的液晶显示装置形成有包括重叠部的源电极、视频信号线以及漏电极，该重叠部是半导体层与形成在该半导体层的液晶材料侧的面上的金属层的层叠部分、且是与像素电极的上述液晶材料例的面相重叠的部分，上述视频信号线由上述金属层与上述半导体层的层叠部分构成，上述漏电极由上述金属层与上述半导体层的层叠部分构成，第二绝缘层形成有使从上述源电极的上述液晶材料侧的面通过该重叠部的端部与上述像素电极的上述液晶材料侧的面相连接的部分、即连接部露出的开口部，在通过上述开口部露出的上述连接部上形成有被形成为上述公共电极的导体膜，因此在形成上述像素电极之后，通过一并蚀刻处理形成上述视频信号线、上述半导体层、上述漏电极以及上述源电极。
并且，由于能够在形成上述扫描信号线之后形成上述半导体层，因此与在形成上述半导体层之后形成上述扫描信号线的情况相比，容易提高掩模对合精确度。
因而，本发明所涉及的液晶显示装置能够在削减制造成本的同时提高成品率，并且使工艺设计变得容易。
本发明所涉及的液晶显示装置的制造方法包括以下步骤：批形成步骤，在将像素电极形成在上述第一绝缘层的上述液晶材料侧的面上之后，通过半导体层和金属层的一并蚀刻处理，形成包括重叠部的源电极、视频信号线以及漏电极，其中上述重叠部是上述半导体层与形成在该半导体层的上述液晶材料侧的面上的金属层的层叠部分、且是与上述像素电极的上述液晶材料侧的面相重叠的部分，上述视频信号线由上述金属层与上述半导体层的层叠部分构成，上述漏电极由上述金属层与上述半导体层的层叠部分构成；开口部形成步骤，在上述第二绝缘层形成开口部，该开口部使从上述源电极的上述液晶材料侧的面通过该重叠部的端部与上述像素电极的上述液晶材料侧的面相连接的部分、即连接部露出；以及导体膜形成步骤，在通过上述开口部露出的上述连接部上形成被形成为上述公共电极的导体膜，因此能够在形成上述像素电极之后，通过一并蚀刻处理形成上述视频信号线、上述半导体层、上述漏电极以及上述源电极。
并且，由于能够在形成上述扫描信号线之后形成上述半导体层，因此与在形成上述半导体层之后形成上述扫描信号线的情况相比，容易提高掩模对合精确度。
因而，利用本发明所涉及的液晶显示装置的制造方法，能够在削减制造成本的同时提高成品率，并且使工艺设计变得容易。
附图说明
图1是表示本发明实施方式所涉及的液晶显示装置的结构的示意图。
图2是用于说明图1所示的液晶显示面板的像素结构的等效电路图。
图3是图1所示的液晶显示面板的主要部分截面图。
图4A是表示图3所示的TFT基板的制造工序的图，图4B是图4A所示的构造的4B-4B线截面图。
图5A是表示图3所示的TFT基板的制造工序的图，图5B是图5A所示的构造的5B-5B线截面图。
图6A是表示图3所示的TFT基板的制造工序的图，图6B是图6A所示的构造的6B-6B线截面图。
图7A是表示图3所示的TFT基板的制造工序的图，图7B是图7A所示的构造的7B-7B线截面图。
图8A是表示图3所示的TFT基板的制造工序的图，图8B是图8A所示的构造的8B-8B线截面图。
图9是表示本发明的实施方式所涉及的液晶显示装置的变形例的图。
附图标记的说明
1液晶显示装置
10液晶显示面板
11数据驱动电路
12扫描驱动电路
20TFT基板
30对置基板
40液晶材料
50、51重叠部
60、61连接部
70导体膜
GL扫描信号线
DL视频信号线
MIT像素电极
CT公共电极
Cst、Clt电容元件
SUB1、SUB2绝缘基板
PAS1、PAS2绝缘层
ASI半导体层
M金属层
TH接触孔
BM遮光膜
CT滤色片
OC外敷层
具体实施方式
以下、参照附图详细说明本发明所涉及的液晶显示装置及其制造方法的优选实施方式。
(实施方式)
图1是表示本发明实施方式所涉及的液晶显示装置1的结构的示意图。
液晶显示装置1具有液晶显示面板10、视频信号线DL、扫描信号线GL、数据驱动电路11、扫描驱动电路12、未图示的背光灯、以及未图示的控制部。
液晶显示面板10具有沿图中Y方向延伸的多条视频信号线DL(DL1、…、DLi、…、DLn：其中，i、n为自然数)以及沿图中X方向延伸的多条扫描信号线GL(GL1、…、GLj、…、GLm：其中，j、m为自然数)。液晶显示面板10在包含中央部的区域设置有显示区域AR。
数据驱动电路11用于生成输入到多条视频信号线DL中的各条视频信号线DL的视频信号(灰阶电压)。
扫描驱动电路12用于向多条扫描信号线GL依次输入扫描信号。数据驱动电路11和扫描驱动电路12通过与液晶显示面板10的外周部相连接的未图示的柔性基板等来与液晶显示面板10电连接。
未图示的背光灯由发光二极管等实现，用于从液晶显示面板10的背面侧照射光。
未图示的控制部由CPU等实现，与包括数据驱动电路11、扫描驱动电路12以及未图示的背光灯的液晶显示装置10的各部分电连接，控制液晶显示装置10整体的动作。
接着，说明液晶显示面板10的像素的结构。图2是用于说明图1所示的液晶显示面板10的像素PIX的结构的等效电路图。
在液晶显示面板10中，如图2所示那样，由相邻的一对扫描信号线GL和相邻的一对视频信号线DL包围的区域成为像素PIX。在各像素PIX中设置有薄膜晶体管TFT。另外，各像素PIX具有像素电极MIT、公共电极CT(CT1、…、CTj、…、CTm：其中，j、m为自然数)、由被这些电极夹持的绝缘层形成的蓄积电容即电容元件Cst、以及由液晶层形成的电容元件Clc。
在此，使用图3详细说明液晶显示面板10。图3是图1所示的液晶显示面板10的主要部分截面图。
如图3所示，液晶显示面板10在TFT基板20与对置基板30之间封入了液晶材料40。TFT基板20在玻璃基板等绝缘基板SUB1的封入液晶材料40侧的面上形成有扫描信号线GL。扫描信号线GL例如通过对铝等导体膜利用光刻法进行蚀刻处理而形成。
在扫描信号线GL上形成有作为栅极绝缘层的第一绝缘层PAS1。该第一绝缘层PAS1是由氮化硅(SiN)膜形成的层。
在第一绝缘层PAS1上形成有像素电极MIT和由非晶硅(a-Si)膜形成的层即半导体层ASI。
在半导体层ASI上形成有由金属层M与半导体层ASI的层叠部分构成的视频信号线DL(漏电极SD1)、以及与视频信号线DL(漏电极SD1)同样地由金属层M与半导体层ASI的层叠部分构成的源电极SD2。
像素电极MIT通过对ITO(Indium Tin Oxide：铟锡氧化物)等透光率高的导体膜进行蚀刻来形成。另外，在像素电极MIT的上方隔着第二绝缘层PAS2设置有公共电极CT。像素电极MIT在俯视观察时与公共电极CT重叠的区域形成为整体平面状。
公共电极CT由ITO等透光率高的导体膜形成，是形成在俯视观察时与像素电极MIT重叠的区域上的电极。公共电极CT形成有以视频信号线DL的延伸方向为长度方向的多个狭缝SL。该公共电极CT通过采用光刻法对ITO等导体膜进行蚀刻处理而形成。在公共电极CT上形成有未图示的取向膜。该未图示的取向膜是聚酰亚胺系的树脂等，用于使液晶分子取向为预定方向。
在此，说明像素电极MIT与源电极SD2的导通连接结构。
TFT基板20具有重叠部50、连接部60、以及接触孔TH。
重叠部50是半导体层ASI与形成在半导体层ASI的封入液晶材料40侧的面上的金属层M的层叠部分，并且是与像素电极MIT的封入液晶材料40侧的面相重叠的部分。此外，源电极SD2如图3所示那样形成为包括该重叠部50。
连接部60是从重叠部50的源电极SD2的封入液晶材料40侧的面通过重叠部50的端部与像素电极MIT的封入液晶材料40侧的面相连接的部分。
接触孔TH是形成在第二绝缘层PAS2处的四棱柱状的开口部，用于使连接部60露出。
在该接触孔TH的整个面上形成有用于形成公共电极CT的ITO即导体膜70。
因此，在通过接触孔TH露出的连接部60上形成有导体膜70，将像素电极MIT与源电极SD2导通连接。
对置基板30在玻璃基板等绝缘基板SUB2的表面设置有被称为黑色矩阵的遮光膜BM和滤色片CF。遮光膜BM例如用于对具有遮光性的导体膜或者绝缘膜进行蚀刻来形成如将各像素PIX分离开那样的格栅状的图案。
滤色片CF例如通过采用光刻法对绝缘膜进行蚀刻处理来形成，在遮光膜BM的开口区域形成为将负责进行R(红色)显示的滤色片、负责进行G(绿色)显示的滤色片、负责进行B(蓝色)显示的滤色片周期性地进行排列。另外，在遮光膜BM和滤色片CF上例如通过外敷层OC形成有未图示的配光膜。
接着，利用图4A～图8B说明图3所示的TFT基板20的制造工序。图4A、图5A、图6A、图7A以及图8A是表示图3所示的TFT基板20的制造工序的图，图4B、图5B、图6B、图7B以及图8B分别是图4A、图5A、图6A、图7A以及图8A所示的构造的4B-4B线、5B-5B线、6B-6B线、7B-7B线以及8B-8B线截面图。此外，在该TFT基板20的制造中使用5张光掩模。
首先，在绝缘基板SUB1的封入液晶材料40侧的面上形成扫描信号线GL和栅电极GD(参照图4A和图4B)。更具体地说，在绝缘基板SUB1的封入液晶材料40侧的面上形成由铝材料等形成的金属层之后，利用光刻法进行蚀刻处理来形成扫描信号线GL和栅电极GD。
接着，形成第一绝缘层PAS1，在该第一绝缘层PAS1上形成像素电极MIT(参照图5A和图5B)。该像素电极MIT是在第一绝缘层PAS1上形成ITO膜之后，利用光刻法进行蚀刻处理而形成的。
接着，形成视频信号线DL、漏电极SD1以及源电极SD2(参照图6A和图6B)。在第一绝缘层PAS1和像素电极MIT上形成半导体层ASI，在该半导体层ASI上再形成由铝材料等形成的金属层M，通过利用半曝光技术对半导体层ASI和金属层M的一并蚀刻处理来形成该漏电极SD1和源电极SD2。在此，形成重叠部50，该重叠部50是半导体层ASI与源电极SD2的层叠部分，并且是与像素电极MIT的上表面相重叠的部分。
在此，由于进行了半导体层ASI和金属层M的一并蚀刻处理，因此视频信号线DL、源电极SD2、以及漏电极SD1由金属层M与半导体层ASI的层叠部分构成。因此，在该视频信号线DL、漏电极SD1、以及源电极SD2的形成工序中，由于在源电极SD2与像素电极MIT之间存在半导体层ASI，因此像素电极MIT与源电极SD2未被导通连接。
接着，形成第二绝缘层PAS2和接触孔TH(参照图7A和图7B)。更具体地说，在像素电极MIT与公共电极CT之间、即在视频信号线DL、漏电极SD1、源电极SD2以及像素电极MIT上形成第二绝缘层PAS2，通过利用光刻法进行蚀刻处理来形成接触孔TH。连接部60通过该接触孔TH而露出。
此外，该接触孔TH形成在TFT基板20的靠近液晶材料40侧表面的绝缘层、即第二绝缘层上，因此能够与用于连接数据驱动电路11、扫描驱动电路12的端子的接触孔(未图示)一起形成。即，不需要设置仅用于形成该接触孔TH的工序。
接着，在第二绝缘层PAS2上形成公共电极CT(参照图8A和图8B)。在该公共电极CT的形成中，在第二绝缘层PAS2上形成由ITO形成的导体膜70，通过利用光刻法进行蚀刻处理，来形成具有狭缝SL的公共电极CT。另外，由于接触孔TH的整个表面被导体膜70覆盖，因此通过接触孔TH露出的连接部60被导体膜70覆盖。由此，将像素电极MIT与源电极SD2导通连接。
在本发明实施方式的液晶显示装置1及其制造方法中，形成有包括重叠部50的源电极SD2、由金属层M与半导体层ASI的层叠部分形成的视频信号线DL、以及由金属层M与半导体层ASI的层叠部分构成的漏电极SD1，其中该重叠部50是半导体层ASI与形成在该半导体层ASI的封入液晶材料40侧的面上的金属层M的层叠部分，且是与像素电极MIT的封入液晶材料40侧的面相重叠的部分，此外，第二绝缘层PAS2形成有使从源电极SD2的封入液晶材料40侧的面通过重叠部50的端部与像素电极MIT的封入液晶材料40侧的面相连接的部分、即连接部60露出的接触孔TH，在通过该接触孔TH露出的连接部60上形成有被形成为公共电极CT的导体膜70，因此在形成像素电极MIT之后，能够通过一并蚀刻处理来形成视频信号线DL、半导体层ASI、漏电极SD1以及源电极SD2。因此，能够减少视频信号线DL的断线不良，并且能够将光掩模的使用张数抑制为5张。
并且，由于在形成扫描信号线GL之后形成半导体层ASI，因此与在形成半导体层ASI之后形成扫描信号线GL的情况相比，掩模对合精确度变得容易。
因而，能够在削减制造成本的同时提高成品率，并且使工艺设计变得容易。
另外，在本发明实施方式的液晶显示装置1及其制造方法中，在TFT基板20的靠近液晶材料40侧表面的绝缘层、即第二绝缘层中形成有接触孔TH，因此接触孔TH能够在形成于TFT基板20的端子等其它的接触孔形成时一起形成。即，不需要设置用于形成接触孔TH的工序，其结果能够使工艺设计变得容易。
另外，在本发明实施方式的液晶显示装置1及其制造方法中，在通过接触孔TH而露出的连接部60上形成有被形成为公共电极CT的导体膜70，因此在形成公共电极CT时，能够使源电极SD2与像素电极MIT导通连接。即，不需要设置用于使源电极SD2与像素电极MIT导通连接的工序，其结果能够使工艺设计变得容易。
(变形例)
接着，使用图9说明本发明实施方式所涉及的液晶显示装置1的变形例。图9是表示本发明实施方式所涉及的液晶显示装置1的变形例的图。在本发明实施方式的液晶显示装置1中，例示了重叠部50在视频信号线DL的延伸方向上与像素电极MIT重叠、在使通过该重叠部50形成的连接部60露出的位置上形成接触孔TH的情况，但是在本变形例的液晶显示装置中，如图所示那样重叠部50在与视频信号线DL的延伸方向正交的方向上与像素电极MIT重叠，在使通过该重叠部50形成的连接部60的上部形成开口的位置上形成接触孔TH。该情况也能够起到与实施方式相同的效果。
此外，在本发明的实施方式中，例示了公共电极CT是形成有以视频信号线DL的延伸方向为长度方向的狭缝SL的电极，但是狭缝SL的形状不限于此。例如公共电极CT也可以形成有与视频信号线DL的延伸方向斜交的方向的狭缝SL。
另外，在本发明的实施方式中，例示了作为开口部的接触孔TH的整个面被导体膜70覆盖的情况，但是不限于此。即，至少连接部60被导体膜70覆盖即可。
另外，在本发明的实施方式中，作为开口部例示了四棱柱状的接触孔TH，但是不限于此。例如也可以使用圆柱状的接触孔作为开口部。
此外，本发明并不限定于该实施方式。

Claims (5)

1.一种液晶显示装置，其在第一绝缘基板与第二绝缘基板之间保持液晶材料，具有形成在该第一绝缘基板的上述液晶材料侧的面上的扫描信号线、形成在该扫描信号线和上述第一绝缘基板的上述液晶材料侧的面上的第一绝缘层、形成在该第一绝缘层的上述液晶材料侧的面上的半导体层和像素电极、以及形成在该像素电极与公共电极之间的第二绝缘层，该液晶显示装置的特征在于，
形成有包括重叠部的源电极、视频信号线以及漏电极，其中，上述重叠部是上述半导体层与形成在该半导体层的上述液晶材料侧的面上的金属层的层叠部分、且是与上述像素电极的上述液晶材料侧的面相重叠的部分，上述视频信号线由上述金属层与上述半导体层的层叠部分构成，上述漏电极由上述金属层与上述半导体层的层叠部分构成，
上述第二绝缘层形成有开口部，该开口部使从上述源电极的上述液晶材料侧的面通过该重叠部的端部与上述像素电极的上述液晶材料侧的面相连接的部分、即连接部露出，
在通过上述开口部露出的上述连接部上形成有被形成为上述公共电极的导体膜。
2.根据权利要求1所述的液晶显示装置，其特征在于，
上述导体膜覆盖上述开口部的整个表面。
3.一种液晶显示装置的制造方法，该液晶显示装置在第一绝缘基板与第二绝缘基板之间保持液晶材料，具有形成在该第一绝缘基板的上述液晶材料侧的面上的扫描信号线、形成在该扫描信号线和上述第一绝缘基板的上述液晶材料侧的面上的第一绝缘层、形成在该第一绝缘层的上述液晶材料侧的面上的半导体层和像素电极、以及形成在该像素电极与公共电极之间的第二绝缘层，该液晶显示装置的制造方法的特征在于，包括以下工序：
在将上述像素电极形成在上述第一绝缘层的上述液晶材料侧的面上之后，通过上述半导体层和金属层的一并蚀刻处理，形成包括重叠部的源电极、视频信号线及漏电极，其中，上述重叠部是上述半导体层与形成在该半导体层的上述液晶材料侧的面上的金属层的层叠部分、且是与上述像素电极的上述液晶材料侧的面相重叠的部分，上述视频信号线由上述金属层与上述半导体层的层叠部分构成，上述漏电极由上述金属层与上述半导体层的层叠部分构成；
在上述第二绝缘层形成开口部，该开口部使从上述源电极的上述液晶材料侧的面通过该重叠部的端部与上述像素电极的上述液晶材料侧的面相连接的部分、即连接部露出；以及
在通过上述开口部露出的上述连接部上形成被形成为上述公共电极的导体膜。
4.根据权利要求3所述的液晶显示装置的制造方法，其特征在于，
在形成上述导体膜的工序中形成的上述导体膜覆盖上述开口部的整个表面。
5.根据权利要求3或4所述的液晶显示装置的制造方法，其特征在于，
形成上述开口部的工序与在上述第二绝缘层上形成上述开口部以外的开口一起进行。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103217840A (zh) * 2013-04-18 2013-07-24 合肥京东方光电科技有限公司 一种阵列基板、制备方法以及液晶显示装置
CN103560112A (zh) * 2013-11-12 2014-02-05 深圳市华星光电技术有限公司 薄膜晶体管基板的制造方法及用该方法制造的薄膜晶体管基板
US10019955B2 (en) 2014-08-28 2018-07-10 Boe Technology Group Co., Ltd. Array substrate, display panel and display device
CN109599439A (zh) * 2017-12-28 2019-04-09 新唐科技股份有限公司 横向扩散金属氧化物半导体场效应晶体管

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102881688B (zh) * 2012-09-19 2015-04-15 北京京东方光电科技有限公司 一种阵列基板、显示面板及阵列基板的制造方法
KR102084061B1 (ko) 2014-01-15 2020-03-04 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000206571A (ja) * 1998-12-31 2000-07-28 Samsung Electronics Co Ltd 液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板及びその製造方法
US20030197187A1 (en) * 2002-04-17 2003-10-23 Kim Woong Kwon Thin film transistor array substrate and manufacturing method thereof
KR20070036511A (ko) * 2005-09-29 2007-04-03 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시소자 및 그 제조방법
CN101097925A (zh) * 2006-06-30 2008-01-02 Lg.菲利浦Lcd株式会社 水平电场施加型薄膜晶体管基板及其制造方法
CN101097320A (zh) * 2006-06-29 2008-01-02 Lg.菲利浦Lcd株式会社 液晶显示装置及其制造方法
CN101241278A (zh) * 2007-02-05 2008-08-13 京东方显示器科技公司 边缘场开关模式lcd
CN101393897A (zh) * 2007-09-20 2009-03-25 乐金显示有限公司 制造液晶显示装置的方法

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4538218B2 (ja) 2003-11-27 2010-09-08 エーユー オプトロニクス コーポレイション 液晶表示装置とその製造方法
KR101085132B1 (ko) * 2004-12-24 2011-11-18 엘지디스플레이 주식회사 수평 전계 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법
TWI414864B (zh) * 2007-02-05 2013-11-11 Hydis Tech Co Ltd 邊緣電場切換模式之液晶顯示器

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000206571A (ja) * 1998-12-31 2000-07-28 Samsung Electronics Co Ltd 液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板及びその製造方法
US20030197187A1 (en) * 2002-04-17 2003-10-23 Kim Woong Kwon Thin film transistor array substrate and manufacturing method thereof
KR20070036511A (ko) * 2005-09-29 2007-04-03 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시소자 및 그 제조방법
CN101097320A (zh) * 2006-06-29 2008-01-02 Lg.菲利浦Lcd株式会社 液晶显示装置及其制造方法
CN101097925A (zh) * 2006-06-30 2008-01-02 Lg.菲利浦Lcd株式会社 水平电场施加型薄膜晶体管基板及其制造方法
CN101241278A (zh) * 2007-02-05 2008-08-13 京东方显示器科技公司 边缘场开关模式lcd
CN101393897A (zh) * 2007-09-20 2009-03-25 乐金显示有限公司 制造液晶显示装置的方法

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103217840A (zh) * 2013-04-18 2013-07-24 合肥京东方光电科技有限公司 一种阵列基板、制备方法以及液晶显示装置
WO2014169543A1 (zh) * 2013-04-18 2014-10-23 合肥京东方光电科技有限公司 阵列基板、制备方法以及液晶显示装置
CN103217840B (zh) * 2013-04-18 2015-09-16 合肥京东方光电科技有限公司 一种阵列基板、制备方法以及液晶显示装置
US9671655B2 (en) 2013-04-18 2017-06-06 Boe Technology Group Co., Ltd. Array substrate, manufacture method thereof, and liquid crystal display device
CN103560112A (zh) * 2013-11-12 2014-02-05 深圳市华星光电技术有限公司 薄膜晶体管基板的制造方法及用该方法制造的薄膜晶体管基板
CN103560112B (zh) * 2013-11-12 2015-11-18 深圳市华星光电技术有限公司 薄膜晶体管基板的制造方法及用该方法制造的薄膜晶体管基板
US10019955B2 (en) 2014-08-28 2018-07-10 Boe Technology Group Co., Ltd. Array substrate, display panel and display device
CN109599439A (zh) * 2017-12-28 2019-04-09 新唐科技股份有限公司 横向扩散金属氧化物半导体场效应晶体管
CN109599439B (zh) * 2017-12-28 2021-11-16 新唐科技股份有限公司 横向扩散金属氧化物半导体场效应晶体管

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US8547514B2 (en) 2013-10-01

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