CN102420162A - 一种静电卡盘温度控制区的设计 - Google Patents
一种静电卡盘温度控制区的设计 Download PDFInfo
- Publication number
- CN102420162A CN102420162A CN2011101103656A CN201110110365A CN102420162A CN 102420162 A CN102420162 A CN 102420162A CN 2011101103656 A CN2011101103656 A CN 2011101103656A CN 201110110365 A CN201110110365 A CN 201110110365A CN 102420162 A CN102420162 A CN 102420162A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- circle
- electrostatic chuck
- design
- temperature
- controlled area
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
本发明公开了一种静电卡盘温度控制区的设计，其中，将静电卡盘的温度控制区划分为若干个独立温度控制区域，包括若干个同心圆结构，位于最内圈的为内圆，位于最外圈的为外圆，位于所述内圆和所述外圆之间的为中圆，所述内圆和所述中圆之间的区域被划分为不含有与所述内圆为同心圆结构的若干块区域。本发明可以兼顾对称性和非对称性均匀性问题，对于非对称性均匀性问题改善效果明显，在更大范围内保证了刻蚀工艺的均匀性。
Description
技术领域
本发明一般涉及半导体等离子刻蚀设备温度区域控制技术领域，更确切地说，本发明涉及一种静电卡盘温度控制区的设计。
背景技术
在微电子IC制造工艺过程中，特别是刻蚀、物理气相沉积（PVD）及化学气相沉积（CVD）过程中，一般使用静电卡盘ESC（Electrostatic Chuck）来固定、支撑及传送晶片，以避免晶片在工艺过程中出现移动或错位现象。同时，静电卡盘会对晶片实现温度控制，以促进晶片刻蚀的均匀性，在半导体工艺过程中，特别是刻蚀和PVD中，对工艺均匀性的要求是非常严格的。刻蚀的均匀性是通过一个硅片或多个硅片或多批硅片上刻蚀速率的变化来衡量的，无论是温度分布还是吸引力分布上，对其均匀性的要求都非常严格。温度均匀性可通过划分不同区域加以控制，如部分采用内外圆独立控制，如图1所示，这属于传统的ESC温度控制区的划分方式，一般由两个同心圆组成，还有采用内、内中、中外、外四区域控制的，这些划分方式均有一个共同点，即：均为同心圆方式。上述同心圆的划分方式对常见的芯片中心和边缘刻蚀差异等问题改善效果明显，可解决对称性边缘-中间非均匀性问题，但对于非对称性均匀性问题则改善有限，效果不明显。
发明内容
针对上述存在的问题，本发明的目的在于提供一种静电卡盘温度控制区的设计，可以兼顾对称性和非对称性均匀性问题，对于非对称性均匀性问题改善效果明显，在更大范围内保证了刻蚀工艺的均匀性，具体是通过下述技术方案实现的：
一种静电卡盘温度控制区的设计，其中，将静电卡盘的温度控制区划分为若干个独立温度控制区域，包括若干个同心圆结构，位于最内圈的为内圆，位于最外圈的为外圆，位于所述内圆和所述外圆之间的为中圆，所述内圆和所述中圆之间的区域被划分为不含有与所述内圆为同心圆结构的若干块区域。
上述静电卡盘温度控制区的设计，其中，所述中圆为一个。
上述静电卡盘温度控制区的设计，其中，所述内圆和所述中圆之间的区域被划分为四个区域。
上述静电卡盘温度控制区的设计，其中，所述内圆和所述中圆之间的区域被均等划分为四个扇环区域。
上述静电卡盘温度控制区的设计，其中，所述内圆和所述中圆之间的区域被划分为相对两块区域面积相同、相邻两块区域面积不同的四个扇环区域。
上述静电卡盘温度控制区的设计，其中，所述内圆半径为3-4cm。
上述静电卡盘温度控制区的设计，其中，所述外圆的半径比最外圈的所述中圆的半径长3-4cm。
上述静电卡盘温度控制区的设计，其中，所述每个温度区域分别对应于独立的冷却和加热系统进行分别控制。
上述静电卡盘温度控制区的设计，其中，通过将所述内圆和所述中圆之间的若干块区域设定成同一个温度，并调节所述内圆内区域、所述内圆与所述中圆之间区域以及所述中圆与所述外圆之间区域三者的温度，来应对在晶片刻蚀过程中产生的对称性边缘-中间非均匀性问题。
上述静电卡盘温度控制区的设计，其中，通过保持所述内圆内区域、所述中圆与所述外圆之间区域两者的温度不变，并调节所述内圆和所述中圆之间的若干块区域各自的温度，来应对在晶片刻蚀过程中产生的非对称性均匀性问题。
本领域的技术人员阅读以下较佳实施例的详细说明，并参照附图之后，本发明的这些和其他方面的优势无疑将显而易见。
附图说明
参考所附附图，以更加充分的描述本发明的实施例，然而，所附附图仅用于说明和阐述，并不构成对本发明范围的限制。
图1是传统静电卡盘温度控制分区划分的结构示意图；
图2是本发明静电卡盘温度控制区的划分的最佳实施例的结构示意图。
具体实施方式
本发明静电卡盘温度控制区的设计，主要是将静电卡盘的温度控制区划分为若干个独立温度控制区域，包括若干个同心圆结构，位于最内圈的为内圆，位于最外圈的为外圆，位于内圆和外圆之间的为中圆，内圆和中圆之间的区域被划分为不含有与内圆为同心圆结构的若干块区域。
图2是本发明的最佳实施例，如图2所示，中圆的数量为一个，内圆半径为3-4cm，外圆的半径比最外圈的中圆的半径长3-4cm。内圆和中圆之间的区域被划分为四个区域，用A来表示内圆内区域，内圆和中圆之间的区域被均等划分为四个扇环区域，分别用B、C、D、E分别表示，B、C、D、E四块区域面积相等，每个温度区域分别对应于独立的冷却和加热系统进行分别控制。
针对在晶片刻蚀过程中产生的对称性边缘-中间非均匀性问题，具体是通过将B、C、D、E四个区域看成一个整体BCDE区域并设定成同一个温度，调节A、BCDE和F三者的温度来实现；
针对在晶片刻蚀过程中产生的非对称性均匀性问题，具体是通过保持A和F两者的温度不变，调节B、C、D、E四块区域的温度来实现。
进一步地，B、C、D、E四块区域面积中，B、D两块区域面积相同，C、E两块区域面积相同，但B、D与C、E的面积不同，具体可以根据实际需要来安排BC、D、E四块区域的面积大小。
本发明能有效调节对称性非均匀性问题，可以显著提升刻蚀均匀性，同时也能保证针对非对称均匀性问题来加以改善。
通过说明和附图，给出了具体实施方式的特定结构的典型实施例，因此，尽管上述发明提出了现有的较佳实施例，然而，这些内容并不作为局限。对于本领域的技术人员而言，阅读上述说明后，各种变化和修正无疑将显而易见。因此，所附的权利要求书应看作是涵盖本发明的真实意图和范围的全部变化和修正，在权利要求书范围内任何和所有等价的范围与内容，都应认为仍属本发明的意图和范围内。
Claims (10)
1.一种静电卡盘温度控制区的设计，其特征在于，将静电卡盘的温度控制区划分为若干个独立温度控制区域，包括若干个同心圆结构，位于最内圈的为内圆，位于最外圈的为外圆，位于所述内圆和所述外圆之间的为中圆，所述内圆和所述中圆之间的区域被划分为不含有与所述内圆为同心圆结构的若干块区域。
2.根据权利要求1所述的静电卡盘温度控制区的设计，其特征在于，所述中圆为一个。
3.根据权利要求2所述的静电卡盘温度控制区的设计，其特征在于，所述内圆和所述中圆之间的区域被划分为四个区域。
4.根据权利要求3所述的静电卡盘温度控制区的设计，其特征在于，所述内圆和所述中圆之间的区域被均等划分为四个扇环区域。
5.根据权利要求3所述的静电卡盘温度控制区的设计，其特征在于，所述内圆和所述中圆之间的区域被划分为相对两块区域面积相同、相邻两块区域面积不同的四个扇环区域。
6.根据权利要求1至5中任意一项所述的静电卡盘温度控制区的设计，其特征在于，所述内圆半径为3-4cm。
7.根据权利要求1至5中任意一项所述的静电卡盘温度控制区的设计，其特征在于，所述外圆的半径比最外圈的所述中圆的半径长3-4cm。
8.根据权利要求1至5中任意一项所述的静电卡盘温度控制区的设计，其特征在于，所述每个温度区域分别对应于独立的冷却和加热系统进行分别控制。
9.根据权利要求2至5所述的静电卡盘温度控制区的设计，其特征在于，通过将所述内圆和所述中圆之间的若干块区域设定成同一个温度，并调节所述内圆内区域、所述内圆与所述中圆之间区域以及所述中圆与所述外圆之间区域三者的温度，来应对在晶片刻蚀过程中产生的对称性边缘-中间非均匀性问题。
10.根据权利要求2至5所述的静电卡盘温度控制区的设计，其特征在于，通过保持所述内圆内区域、所述中圆与所述外圆之间区域两者的温度不变，并调节所述内圆和所述中圆之间的若干块区域各自的温度，来应对在晶片刻蚀过程中产生的非对称性均匀性问题。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN2011101103656A CN102420162A (zh) | 2011-04-29 | 2011-04-29 | 一种静电卡盘温度控制区的设计 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN2011101103656A CN102420162A (zh) | 2011-04-29 | 2011-04-29 | 一种静电卡盘温度控制区的设计 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN102420162A true CN102420162A (zh) | 2012-04-18 |
Family
ID=45944501
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN2011101103656A Pending CN102420162A (zh) | 2011-04-29 | 2011-04-29 | 一种静电卡盘温度控制区的设计 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN102420162A (zh) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104253060A (zh) * | 2013-06-27 | 2014-12-31 | 甘志银 | 半导体工艺的温度测量和调节方法 |
| CN108018536A (zh) * | 2017-11-10 | 2018-05-11 | 上海华力微电子有限公司 | 物理气相沉积设备以及方法 |
| CN108511313A (zh) * | 2013-02-01 | 2018-09-07 | 株式会社日立高新技术 | 等离子处理装置以及试料台 |
| CN109473381A (zh) * | 2018-10-31 | 2019-03-15 | 上海华力微电子有限公司 | 湿法刻蚀清洗设备和方法 |
| CN118763032A (zh) * | 2024-09-09 | 2024-10-11 | 无锡尚积半导体科技有限公司 | 一种用于刻蚀中载台的温度补偿方法及装置 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20080289767A1 (en) * | 2007-05-23 | 2008-11-27 | Takumi Tandou | Plasma processing apparatus |
| CN101465312A (zh) * | 2007-12-18 | 2009-06-24 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 一种用于固定晶片并可区域控温的卡盘装置 |
| CN101501834A (zh) * | 2006-08-10 | 2009-08-05 | 住友大阪水泥股份有限公司 | 静电吸盘装置 |
| CN101681870A (zh) * | 2007-03-12 | 2010-03-24 | 东京毅力科创株式会社 | 用于提高衬底内处理均匀性的动态温度背部气体控制 |
-
2011
- 2011-04-29 CN CN2011101103656A patent/CN102420162A/zh active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101501834A (zh) * | 2006-08-10 | 2009-08-05 | 住友大阪水泥股份有限公司 | 静电吸盘装置 |
| CN101681870A (zh) * | 2007-03-12 | 2010-03-24 | 东京毅力科创株式会社 | 用于提高衬底内处理均匀性的动态温度背部气体控制 |
| US20080289767A1 (en) * | 2007-05-23 | 2008-11-27 | Takumi Tandou | Plasma processing apparatus |
| CN101465312A (zh) * | 2007-12-18 | 2009-06-24 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 一种用于固定晶片并可区域控温的卡盘装置 |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108511313A (zh) * | 2013-02-01 | 2018-09-07 | 株式会社日立高新技术 | 等离子处理装置以及试料台 |
| CN108511313B (zh) * | 2013-02-01 | 2021-03-05 | 株式会社日立高新技术 | 等离子处理装置以及试料台 |
| CN104253060A (zh) * | 2013-06-27 | 2014-12-31 | 甘志银 | 半导体工艺的温度测量和调节方法 |
| CN104253060B (zh) * | 2013-06-27 | 2017-04-12 | 甘志银 | 半导体工艺的温度测量和调节方法 |
| CN108018536A (zh) * | 2017-11-10 | 2018-05-11 | 上海华力微电子有限公司 | 物理气相沉积设备以及方法 |
| CN109473381A (zh) * | 2018-10-31 | 2019-03-15 | 上海华力微电子有限公司 | 湿法刻蚀清洗设备和方法 |
| CN118763032A (zh) * | 2024-09-09 | 2024-10-11 | 无锡尚积半导体科技有限公司 | 一种用于刻蚀中载台的温度补偿方法及装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN102420162A (zh) | 一种静电卡盘温度控制区的设计 | |
| US10240235B2 (en) | Method and apparatus for depositing a material layer originating from process gas on a substrate wafer | |
| US7992877B2 (en) | Non contact substrate chuck | |
| CN105742154B (zh) | 外延硅晶片的制造方法 | |
| KR102451499B1 (ko) | 샤워헤드 설계 | |
| CN110603344B (zh) | 用于cvd反应器的基座及其应用以及基板支架装置 | |
| KR101992564B1 (ko) | 열 특성이 개선된 웨이퍼 서셉터 | |
| CN112053991A (zh) | 热处理基座 | |
| TW201718928A (zh) | 承載器及基板處理裝置 | |
| CN101978481A (zh) | 热处理腔室中的晶片支撑件的温度测量及控制 | |
| KR101470396B1 (ko) | 에피택셜 실리콘 웨이퍼의 제조 방법 및, 이 제조 방법으로 제조된 에피택셜 실리콘 웨이퍼 | |
| TWI741295B (zh) | 用於使預熱構件自定中心之裝置 | |
| US20160348240A1 (en) | High speed epi system and chamber concepts | |
| KR20230125281A (ko) | 반도체 웨이퍼 반응기에서의 예열 링을 위한 시스템들및 방법들 | |
| CN106605288A (zh) | 用于外延腔室的衬垫 | |
| CN102446738A (zh) | 一种等离子体刻蚀装置 | |
| CN105609443B (zh) | 一种耦合窗加热组件 | |
| EP3863043A1 (en) | Susceptor | |
| CN104576484A (zh) | 半导体设备中的托盘结构 | |
| CN214099612U (zh) | 静电卡盘及采用所述静电卡盘的半导体设备 | |
| CN205635851U (zh) | 一种分段加热式外延炉 | |
| JP2010034337A (ja) | 気相成長装置用のサセプタ | |
| CN222734946U (zh) | 半导体工艺设备及其承载装置 | |
| KR20150098432A (ko) | 웨이퍼 캐리어 | |
| CN103369744B (zh) | 用于集成电路制造的蜂巢状锥形加热器 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C02 | Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001) | ||
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20120418 |