CN102208497A - 一种硅衬底上半极性、非极性GaN复合衬底的制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种硅衬底上半极性、非极性GaN复合衬底的制备方法。首先在不以（111）晶面为表面的Si衬底上用掩膜保护与湿法刻蚀的方法形成沟槽，暴露出Si{111}晶面中的一个或数个；然后用金属有机化学气象沉积法在Si衬底上生长一薄层半极性或非极性GaN，形成籽晶层；再用氢化物气相外延法继续生长GaN厚膜，形成表面平整，高晶体质量的半极性、非极性GaN复合衬底。本发明促进了不同沟槽间GaN的愈合，减少了愈合处的位错，克服了现有技术沟槽处愈合困难，愈合处位错密度大的缺点，具有更好的晶体质量与表面平整度。
Description
技术领域
本发明涉及GaN基薄膜材料制备技术领域，特别涉及一种Si衬底半极性、非极性GaN复合衬底的制备方法。
背景技术
GaN由于具有宽禁带(3.4eV)、高热导率、高电子饱和漂移速度和大临界击穿电压等特点，成为目前半导体技术研究的热点。III族氮化物GaN、AlN(禁带宽度6.2eV)、InN(禁带宽度0.7eV)及其组成的合金InxAlyGa1-x-yN禁带宽度覆盖了从红外到可见光、紫外光的能量范围，因此在光电子领域有着广泛的应用，如大功率白光LED，蓝光激光器，紫外波段的日盲探测器，高频高功率器件等。目前GaN基LED、LD及电子器件已经实现了商品化生产，广泛应用于显示器背光源、照明、信息存储等领域。
由于晶格中心对称性的缺失，GaN晶体材料存在较强的自发极化与压电极化效应。极化电场使得电子与空穴在空间上分离，减少了二者的复合，降低了发光器件的效率，并引起波长的漂移，严重制约着器件性能的提高。对于GaN，极化电场总是沿0001方向(c方向)，而垂直(0001)的方向没有极化电场的分量，因而不受极化效应的影响，与之相对应的晶面就称为非极性面，如a面——(1120)面，m面——(1100)面。与(0001)斜交的方向极化电场比c方向小，对应的晶面就称为半极性面，如(1122)面。非极性半极性GaN材料能够减少极化效应的影响，因而可以大大提高LED，LD等发光器件的效率，吸引了大量的研究工作。
目前非极性，半极性GaN还处于研究阶段，器件性能与c面的相比还有较大差距。用于生长非极性GaN的衬底主要有r-LiAlO2，r面及a面蓝宝石，m面4H-SiC，自支撑GaN衬底等。半极性GaN的衬底主要有(100)面及(110)面的尖晶石，m面的蓝宝石等。其中自支撑GaN衬底由于属于同质外延衬底，没有晶格失配，因而在其上生长的GaN材料位错密度较少，晶体质量最好，器件的性能也最高。目前自支撑GaN衬底主要通过HVPE生长较厚的c面GaN，然后用切割的方法获得非极性面的GaN衬底。该方法由于受到GaN生长厚度的限制因而尺寸很小，只有几毫米大小。目前报道的该方法制备的最大尺寸也仅10×10mm大小。而且GaN比较坚硬，该方法需要对GaN进行切割与抛光才能获得表面光滑的非极性GaN衬底，工艺较繁琐。
Si作为目前最成熟的半导体材料，具有尺寸大，晶体质量高，价格便宜等诸多优点。如果能够在Si衬底上制备非极性或半极性GaN的复合衬底将大大扩大非极性，半极性GaN衬底的面积，克服以上方法的不足。近年来日本名古屋大学的Yoshio Honda等人报道了在有掩膜的图形化Si衬底上生长半极性、非极性GaN薄膜的方法。首先在非(111)面的Si衬底上用湿法刻蚀的方法成沟槽，暴露出(111)面；然后在暴露出的(111)面上用MOCVD生长一层GaN薄膜，形成半极性或非极性GaN。该方法虽然实现了Si衬底上半极性，非极性GaN的生长，但还存在沟槽处愈合困难，愈合处位错密度大以及晶体质量不高等问题。
发明内容
本发明的目的在于提供一种Si衬底上半极性、非极性GaN复合衬底的制备方法，该方法Si衬底上半极性，非极性GaN的生长愈合容易，愈合处位错密度小，在Si衬底上实现高晶体质量的半极性、非极性GaN复合衬底的制备。
为了达到上述目的，本发明采用如下技术方案：
一种硅衬底上半极性、非极性GaN复合衬底的制备方法，依次进行下列步骤：
步骤1：用掩膜保护与湿法刻蚀的方法在不以(111)晶面为表面的Si衬底上形成沟槽，暴露出Si{111}晶面中的一个或数个；
步骤2：用金属有机化学气象沉积法在Si衬底上依次生长A1N缓冲层、GaN层、应力调控层，形成半极性或非极性GaN生长的籽晶层；
步骤3：用氢化物气相外延法继续生长GaN厚膜，形成半极性、非极性GaN复合衬底。
上述步骤1中所述不以(111)晶面为表面的Si衬底包括(112)晶面Si衬底、(110)晶面Si衬底、(001)晶面Si衬底、(113)晶面的Si衬底。
上述步骤1中所述的Si{111}晶面包括Si(111)晶面、Si(111)晶面、Si(111)晶面、Si(111)晶面、Si(111)晶面、Si(111)晶面、Si(111)晶面、Si(111)晶面。
当Si衬底不为(113)晶面的Si衬底时，步骤1的具体过程为：
步骤1-1：首先在Si衬底上形成条状掩膜；
步骤1-2：然后用碱溶液腐蚀Si衬底，形成沟槽，沟槽的表面至少含有一个Si{111}晶面；
步骤1-3：用掩膜覆盖沟槽内除其中一个Si{111}晶面以外的表面。
上述步骤1中，所述的掩膜为SiO2或氮化硅。
当Si衬底为(113)晶面的Si衬底时，步骤1的具体过程为：
步骤1-1：首先在Si衬底上形成条状掩膜；
步骤1-2：然后用碱溶液腐蚀Si衬底，形成沟槽，沟槽的表面至少含有一个Si{111}晶面。
当Si衬底为(113)晶面的Si衬底，并且掩膜的宽度小于1微米时，步骤1的具体过程为：
步骤1-1：首先在Si衬底上形成条状掩膜；
步骤1-2：然后用碱溶液腐蚀Si衬底，形成沟槽，沟槽的表面至少含有一个Si{111}晶面；
步骤1-4：腐蚀掉掩膜。
上述步骤2中AlN缓冲层生长在Si衬底及沟槽内未被掩膜覆盖的表面上，开始阶段GaN只会在AlN覆盖的Si(111)晶面或其等效晶面上沿<0001>方向生长。当GaN生长到一定厚度后，GaN就会长出沟槽，往纵向与横向生长，通过调节生长条件，可以使各沟槽中的GaN愈合到一起，形成半极性或非极性GaN。
上述步骤2中所述的应力调控层为AlN插入层、GaN层、AlxGa1-xN层、InxGa1-xN层、氮化硅掩膜层中的任意一种或其组合，其中0＜x＜1。由于GaN与Si衬底间存在晶格失配与热失配，将引起GaN层中存在较大的应力与位错密度。该应力调控层用于缓解GaN厚膜与Si衬底间的应力，并减少位错密度，提高上层GaN的晶体质量。
厚膜GaN利于愈合并能提高晶体质量。步骤3用HVPE(氢化物气相外延法)生长一层GaN厚膜，这样能够促进不同沟槽间GaN的愈合，减少愈合处的位错并能提高整体的晶体质量与表面的平整度。
上述的GaN层、GaN厚膜为半极性GaN或非极性GaN。
本发明在Si衬底上增加了应力调控层与HVPE生长的GaN厚膜，促进了不同沟槽间GaN的愈合，减少了愈合处的位错，克服了现有技术沟槽处愈合困难，愈合处位错密度大的缺点，具有更好的晶体质量与表面平整度。
本发明在Si衬底上制备出高晶体质量的非极性，半极性GaN复合衬底，可用于生长非极性，半极性GaN材料以及制备LED，LD等光电器件，克服极化效应的影响。
附图说明
图1A是本发明实施例1步骤1-1结构示意图；
图1B是本发明实施例1步骤1-2结构示意图；
图1C是本发明实施例1步骤1-3结构示意图；
图2是本发明实施例1经过步骤1-2后Si衬底俯视图的局部示意图；
图3是本发明实施例1步骤2详细过程示意图；
图4是本发明实施例1所述(1100)面非极性GaN复合衬底结构示意图；
图5是本发明实施例2所述(1120)面非极性GaN复合衬底结构示意图；
图6是本发明实施例3所述(1101)面半极性GaN复合衬底结构示意图；
图7是本发明实施例4所述(1122)面半极性GaN复合衬底结构示意图；
图8是本发明实施例5所述(1122)面半极性GaN复合衬底结构示意图。
具体实施方式
以下结合附图对本发明进行详细的说明。
实施例1
本实施例是一种(1100)面GaN非极性复合衬底的制备方法。依次进行下列步骤：
步骤1：用掩膜保护与湿法刻蚀的方法在(112)晶面的Si衬底1a上形成沟槽，暴露出Si(111)晶面；
步骤2：用金属有机化学气象沉积法在Si衬底1a上生长AlN缓冲层4、GaN层5、应力调控层6，形成(1100)面非极性GaN生长的籽晶层；
步骤3：用氢化物气相外延法继续生长GaN厚膜7，形成(1100)面非极性GaN复合衬底。
本实施例的沟槽的截面为直角三角形。
其中步骤1的具体过程为：
1-1、首先在(112)晶Si衬底1a上用溅射或PECVD(等离子体增强化学气相沉积法)以及光刻的方法形成沿Si<110>方向的SiO2条状掩膜2，如图1A所示。
1-2、然后用KOH溶液腐蚀Si衬底暴露出Si(111)晶面和Si(111)晶面，形成如图1B所示的沟槽。
1-3、将衬底放入溅射腔中，溅射一层SiO2掩膜3，衬底与溅射方向斜交，这样使得溅射SiO2掩膜3覆盖住Si(111)晶面，而不溅射到侧壁Si(111)晶面上，形成图1C所示的图形衬底。
步骤2的具体过程为：
在经过步骤1处理的衬底上依次生长AlN缓冲层4、GaN层5。由于掩膜的作用，开始阶段AlN、GaN只会在暴露出的Si(111)面上沿<0001>方向生长，如图3中2-2所示。当GaN生长到一定厚度后，GaN就会长出沟槽，往纵向与横向生长，通过调节生长条件，可以使各沟槽中的GaN愈合到一起，形成(1101)面非极性GaN。然后，生长一层由AlN插入层、GaN层、AlxGa1-xN层、InxGa1-xN层、氮化硅掩膜层中的一种或其组合形成的应力调控层6，其中0＜x＜1。
最后经过步骤3，得到如图4所示的表面平整，高晶体质量的非极性GaN复合衬底。
实施例2
本实施例是(1120)面非极性GaN复合衬底的制备方法，如图5所示。方法与实施例1类似，区别仅在于：
1、本实施例所采用的是(110)面的Si衬底1b。
2、本实施例步骤1中条状掩膜2沿Si<112>方向。
3、本实施例步骤1刻蚀出的沟槽形状不同，沟槽的截面形状为矩形。
4、本实施例经过步骤1后暴露出的是Si(111)晶面或Si(111)晶面。
5、由于晶向的不同，GaN层5与GaN厚膜7是(1120)面的非极性GaN，因此得到的是(1120)面的非极性GaN复合衬底。
实施例3
本实施例是(1101)面半极性GaN复合衬底的制备方法，如图6所示。方法与实施例1类似，其区别仅在于：
1、本实施例所采用的是(001)面的Si衬底1c。
2、本实施例步骤1中刻蚀出的沟槽形状不同，沟槽的截面形状为倒梯形，沟槽较深时，其截面形状为三角形。
3、本实施例经过步骤1后暴露出的是Si(111)晶面或Si(111)晶面。
4、由于晶向的不同，GaN层5与GaN厚膜7是(1101)面的半极性GaN，因此得到的是(1101)面的半极性GaN复合衬底。
实施例4
本实施例是(1122)面半极性GaN复合衬底的制备方法，如图7所示。方法与实施例1类似，其区别仅在于：
1、本实施例所采用的是(113)面的Si衬底1d。
2、本实施例步骤1中条状掩膜2沿Si<112>方向。
3、本实施例刻蚀出的沟槽形状不同，沟槽的截面形状如图7所示。
4、由于GaN在沟槽底部及向下倾斜的侧面很难生长，因此不需要溅射一层SiO2掩膜3，即不需要经过步骤1-3。
5、由于没有掩膜3，AlN将在沟槽中的各个面均有沉积，形成AlN缓冲层4。
6、由于晶向的不同，GaN层5与GaN厚膜7是(1122)面的半极性GaN，因此得到的是(1122)面的半极性GaN复合衬底。
实施例5
本实施例是(1122)面半极性GaN复合衬底的制备方法，方法与实施例4类似，如图8所示，其区别仅在于：
1、本实施例的条状掩膜2的宽度很小，小于1微米。
2、由于条状掩膜2的宽度很小，因此可以不进行步骤1-3，而进行步骤1-4：腐蚀掉掩膜2。本实施例用BOE(HF与NH4F的混合溶液)腐蚀掉掩膜2。
3、由于腐蚀掉了掩膜2，步骤2中AlN将在沟槽内各面及Si衬底1d表面均有沉积，形成AlN缓冲层4。
Claims (9)
1.一种硅衬底上半极性、非极性GaN复合衬底的制备方法，其特征在于：依次进行下列步骤：
步骤1：用掩膜保护与湿法刻蚀的方法在不以(111)晶面为表面的
Si衬底上形成沟槽，暴露出Si{111}晶面中的一个或数个；
步骤2：用金属有机化学气象沉积法在Si衬底上依次生长A1N缓冲层(4)、GaN层(5)、应力调控层(6)，形成半极性或非极性GaN生长的籽晶层；
步骤3：用氢化物气相外延法继续生长GaN厚膜(7)，形成半极性、非极性GaN复合衬底。
2.如权利要求1所述的制备方法，步骤1中，所述的不以(111)晶面为表面的Si衬底包括(112)晶面Si衬底(1a)，(110)晶面Si衬底(1b)，(001)晶面Si衬底(1c)及(113)晶面的Si衬底(1d)。
3.如权利要求1所述的制备方法，步骤1中，所述的Si{111}晶面包括Si(111)晶面、Si(111)晶面、Si(111)晶面、Si(111)晶面、Si(111)晶面、Si(111)晶面、Si(111)晶面、Si(111)晶面。
4.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于：当Si衬底为非(113)晶面的Si衬底时，步骤1的具体过程为：
步骤1-1：首先在Si衬底上形成条状掩膜(2)；
步骤1-2：然后用碱溶液腐蚀Si衬底，形成沟槽，沟槽的表面至少含有一个Si{111}晶面；
步骤1-3：用掩膜(3)覆盖沟槽内除其中一个Si{111}晶面以外的表面。
5.如权利要求4所述的制备方法：步骤1中，所述的掩膜(2)掩膜(3)为SiO2或氮化硅。
6.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于：当Si衬底为(113)晶面的Si衬底(1d)时，步骤1的具体过程为：
步骤1-1：首先在Si衬底上形成条状掩膜(2)；
步骤1-2：然后用碱溶液腐蚀Si衬底，形成沟槽，沟槽的表面至少含有一个Si{111}晶面。
7.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于：当Si衬底为(113)晶面的Si衬底(1d)，并且掩膜(2)的宽度小于1微米时，步骤1的具体过程为：
步骤1-1：首先在Si衬底上形成条状掩膜(2)；
步骤1-2：然后用碱溶液腐蚀Si衬底，形成沟槽，沟槽的表面至少含有一个Si{111}晶面；
步骤1-4：腐蚀掉掩膜(2)。
8.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于：步骤2中，所述的应力调控层(6)为AlN插入层、GaN层、AlxGa1-xN层、InxGa1-xN层、氮化硅掩膜层中的任意一种或其组合，其中0＜x＜1。
9.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述的GaN层(5)、GaN厚膜(7)为半极性GaN或非极性GaN。
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Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102496665A (zh) * | 2011-12-14 | 2012-06-13 | 中微光电子(潍坊)有限公司 | 硅衬底GaN基LED结构及其制作方法 |
| CN104037291A (zh) * | 2014-06-10 | 2014-09-10 | 广州市众拓光电科技有限公司 | 一种生长在图形化硅衬底上的半极性GaN薄膜及其制备方法 |
| CN105140103A (zh) * | 2015-07-29 | 2015-12-09 | 浙江大学 | 一种半导体衬底及选择性生长半导体材料的方法 |
| CN108538972A (zh) * | 2018-04-28 | 2018-09-14 | 华南理工大学 | 一种图形化Si衬底上非极性紫外LED及其制备与应用 |
| CN112018199A (zh) * | 2019-05-30 | 2020-12-01 | 南京信息工程大学 | 一种高质量非极性AlGaN微纳复合结构及其加工方法 |
| CN112133802A (zh) * | 2020-09-23 | 2020-12-25 | 兰州大学 | 一种GaN薄膜及其制备方法 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101350333A (zh) * | 2007-06-14 | 2009-01-21 | 住友电气工业株式会社 | GaN衬底、带外延层的衬底、半导体器件及GaN衬底制造方法 |
| CN101431017A (zh) * | 2008-12-03 | 2009-05-13 | 南京大学 | 一种改善蓝宝石衬底上GaN厚膜完整性的方法 |
| JP2010034314A (ja) * | 2008-07-29 | 2010-02-12 | Sumitomo Electric Ind Ltd | マクロステップを有する基板生産物を作製する方法、エピタキシャルウエハを作製する方法、及び窒化物系半導体発光素子を作製する方法 |
| JP2010177552A (ja) * | 2009-01-30 | 2010-08-12 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | 極性面を有する窒化物半導体成長基板 |
| CN101952982A (zh) * | 2007-12-21 | 2011-01-19 | 三洋电机株式会社 | 氮化物类半导体发光二极管、氮化物类半导体激光元件及其制造方法和氮化物类半导体层的形成方法 |
| JP4913674B2 (ja) * | 2007-06-07 | 2012-04-11 | 国立大学法人名古屋大学 | 窒化物半導体構造及びその製造方法 |
-
2011
- 2011-04-22 CN CN 201110101683 patent/CN102208497B/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4913674B2 (ja) * | 2007-06-07 | 2012-04-11 | 国立大学法人名古屋大学 | 窒化物半導体構造及びその製造方法 |
| CN101350333A (zh) * | 2007-06-14 | 2009-01-21 | 住友电气工业株式会社 | GaN衬底、带外延层的衬底、半导体器件及GaN衬底制造方法 |
| CN101952982A (zh) * | 2007-12-21 | 2011-01-19 | 三洋电机株式会社 | 氮化物类半导体发光二极管、氮化物类半导体激光元件及其制造方法和氮化物类半导体层的形成方法 |
| JP2010034314A (ja) * | 2008-07-29 | 2010-02-12 | Sumitomo Electric Ind Ltd | マクロステップを有する基板生産物を作製する方法、エピタキシャルウエハを作製する方法、及び窒化物系半導体発光素子を作製する方法 |
| CN101431017A (zh) * | 2008-12-03 | 2009-05-13 | 南京大学 | 一种改善蓝宝石衬底上GaN厚膜完整性的方法 |
| JP2010177552A (ja) * | 2009-01-30 | 2010-08-12 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | 極性面を有する窒化物半導体成長基板 |
Non-Patent Citations (2)
| Title |
|---|
| KUNG, P.: "Lateral epitaxial overgrowth of GaN films on sapphire and silicon substrates", 《APPLIED PHYSICS LETTERS》 * |
| SHIGEYASU TANAKA，YOSHIO HONDA: "Structural characterization of GaN laterally overgrown on a (111)Si", 《APPLIED PHYSICS LETTERS》 * |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102496665A (zh) * | 2011-12-14 | 2012-06-13 | 中微光电子(潍坊)有限公司 | 硅衬底GaN基LED结构及其制作方法 |
| CN104037291A (zh) * | 2014-06-10 | 2014-09-10 | 广州市众拓光电科技有限公司 | 一种生长在图形化硅衬底上的半极性GaN薄膜及其制备方法 |
| CN104037291B (zh) * | 2014-06-10 | 2017-06-20 | 广州市众拓光电科技有限公司 | 一种生长在图形化硅衬底上的半极性GaN薄膜及其制备方法 |
| CN105140103A (zh) * | 2015-07-29 | 2015-12-09 | 浙江大学 | 一种半导体衬底及选择性生长半导体材料的方法 |
| CN108538972A (zh) * | 2018-04-28 | 2018-09-14 | 华南理工大学 | 一种图形化Si衬底上非极性紫外LED及其制备与应用 |
| CN112018199A (zh) * | 2019-05-30 | 2020-12-01 | 南京信息工程大学 | 一种高质量非极性AlGaN微纳复合结构及其加工方法 |
| CN112133802A (zh) * | 2020-09-23 | 2020-12-25 | 兰州大学 | 一种GaN薄膜及其制备方法 |
| CN112133802B (zh) * | 2020-09-23 | 2023-09-22 | 兰州大学 | 一种GaN薄膜及其制备方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
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