CN102061457B - 气相反应装置 - Google Patents
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Abstract
一种气相反应装置，包括：反应室；排气通路，与所述反应室相连，对所述反应室进行排气；反冲气体通路，与所述排气通路相连，反冲气体通过所述反冲气体通路流入所述排气通路，对所述反应室的压强进行调节；压力开关，所述压力开关连接在所述反冲气体通路上。本发明消除了由于压力开关失效而造成的潜在安全隐患，利于延长压力开关的使用寿命，降低运营成本。
Description
技术领域
本发明涉及太阳能电池制造设备领域，特别涉及一种气相反应装置。
背景技术
在半导体和太阳能电池的生产过程中，如化学气相沉积(CVD)设备、低压化学气相沉积(LPCVD)设备等气相反应装置受到广泛使用。气相反应装置的主要原理是将反应气体通入反应室中，并控制反应室的压强、温度等反应条件，使得反应气体发生反应，完成沉积等工艺步骤。
图1示出了现有技术的一种气相反应装置的结构示意图，包括：反应室10；真空泵12，所述真空泵12通过排气真空管11与所述反应室10的排气口相连；开关阀14和流量控制器(MFC，Mass Flow Controller)15，依次串接在反冲真空管13上，并通过所述反冲真空管13与所述排气真空管上的反冲气体进气口相连；压力开关(PS，Pressure Switch)16，连接在所述排气真空管11上。
所述排气真空管11和真空泵12组成了排气通路，主要用于排放反应室10中的气体；所述开关阀14、流量控制器15和反冲真空管13组成了反冲气体通路，反冲气体通过反冲气体通路进入排气通路，对排气通路和反应室10中的压强进行调节和补偿，以满足反应条件。
在使用和工作过程中，反应气体通过反应室10上的进气口(图中未示出，位于所述反应室10上与排气口相对的另一侧)进入反应室10中，所述真空泵12通过所述排气真空管11从排气口中将反应后的气体抽出，同时为了保证反应室10内的压强在反应需要的范围内，需要使用反冲气体对反应室10内的压强进行补偿和平衡，所述反应气体通过所述反冲真空管13并流经所述流量控制器15和开关阀14进入排气真空管11以及反应室10中。其中，开关阀14用于控制反冲真空管13的导通和关断，流量控制器15用于控制流入反冲真空管13的反冲气体的流量。
所述压力开关16用于监测排气真空管11以及反应室10中的压强，在压强超出预设的阈值范围后产生警报信号或控制信号，防止设备压力异常导致的危险。但是，气相反应装置在使用过程中会产生较多的副产品，所述副产品会通过排气真空管11附着或沉积在压力开关16上。随着附着或沉积在压力开关16上的副产品的增多，会逐渐导致压力开关16失效。失效的压力开关16丧失了压强监控的功能，导致无法及时发现异常情况，容易造成安全隐患。因此，在实际生产应用中，为了降低安全风险，用户不得不频繁地更换压力开关。而且副产品在压力开关内的沉积或附着具有一定的随机性，即使定期更换压力开关也并不能完全解决压力开关的失效问题。
关于气相沉积设备的更多详细内容，请参考2009年7月1日公开的公开号为CN101469411A的中国专利申请文件。
发明内容
本发明的目的是提供一种气相反应装置，以解决现有技术中存在的由于压力开关失效而造成的潜在安全隐患以及影响压力开关的使用寿命的问题。
为解决上述问题，本发明提供了一种气相反应装置，包括：
反应室；
排气通路，与所述反应室相连，对所述反应室进行排气；
反冲气体通路，与所述排气通路相连，反冲气体通过所述反冲气体通路流入所述排气通路；
压力开关，所述压力开关连接在所述反冲气体通路上。
可选的，所述反冲气体通路包括反冲真空管以及串接在所述反冲真空管上的喉管，所述喉管的内径小于所述反冲真空管的内径，所述压力开关连接在所述喉管靠近所述反冲气体的气体源一侧的反冲气体通路上。
可选的，所述反冲气体通路还包括储气罐，所述储气罐串接在所述喉管靠近所述反冲气体的气体源一侧的反冲真空管上，所述压力开关连接在所述储气罐上。
可选的，所述反冲气体通路还包括串接在所述反冲真空管上的开关阀和流量控制器，所述反冲气体依次经由所述流量控制器、开关阀、储气罐和喉管进入所述排气通路。
可选的，所述反冲气体通路具体进气端，所述进气端的反冲气体的流量为2至4slm，所述反冲真空管的内径为30mm至200mm，所述排气真空管的内径为100mm至200mm，所述喉管的内径为15至17mm，长度为70至90mm。
可选的，所述进气端的反冲气体的流量为3slm，所述反冲真空管的内径为100mm，所述排气真空管的内径200mm，所述喉管的内径为16mm，长度为80mm。
可选的，所述反冲气体通路还包括转接管，所述转接管的内径大于所述喉管的内径，所述喉管或反冲真空管通过所述转接管与所述排气通路相连。
可选的，所述排气通路包括真空泵和排气真空管，所述真空泵通过所述排气真空管与所述反应室相连。
可选的，所述气相反应装置为化学气相沉积设备、低压化学气相沉积设备、等离子体增强化学气相沉积设备或高密度等离子体化学气相沉积设备。
可选的，所述反应室内通有反应气体，所述反应气体包括含氧气体和含锌气体，所述反冲气体为氮气、惰性气体或其他非活泼的气体。
与现有技术相比，本发明的技术方案有如下优点：
本技术方案将压力开关连接在反冲气体通路上，由于反冲气体通过反冲气体通路流入排气通路，反冲气体通路中的压强比排气通路和反应室中的压强略大，因此，反应室中反应产生的副产物在压强作用下较难进入反冲气体通路，利于减少副产物在压力开关上的沉积和附着，从而利于延长压力开关的使用寿命，消除了由于压力开关失效而造成的潜在安全隐患，并且有利于降低压力开关的更换频率，节约运营成本。
进一步的，本技术方案在反冲气体通路上加装了喉管，所述喉管的内径小于反冲气体通路中的反冲真空管的内径，使得喉管靠近反冲气体的气体源一侧的压强比靠近排气通路一侧的压强大，并将压力开关连接在喉管靠近反冲气体的气体源一侧的反冲气体通路上，增大了喉管靠近反冲气体的气体源一侧的反冲气体通路与排气通路和反应室之间的压强的差值，利于进一步减少反应副产品在压力开关上的沉积和附着。
更进一步的，本技术方案在反冲气体通路上加装喉管的基础上，在所述喉管靠近反冲气体的气体源一侧串接有储气罐，所述压力开关连接在所述储气罐上，从而进一步增大和稳定了所述储气罐与排气通路和反应室之间的压强差值，利于进一步减少反应副产品在压力开关上的沉积和附着。
附图说明
图1是现有技术的一种气相反应装置的结构示意图；
图2是本发明第一实施例的气相反应装置的结构示意图；
图3是本发明第二实施例的气相反应装置的结构示意图；
图4是本发明第三实施例的气相反应装置的结构示意图。
具体实施方式
现有技术的气相反应装置中，压力开关安装在与反应室相连的排气通路上，反应室中反应产生的副产物很容易沉积和附着在压力开关上，导致压力开关失效，使得无法及时发现压强异常问题，造成潜在的危险。而且频繁的更换压力开关一方面增加了运营成本，另一方面也并不能解决副产品在压力开关内沉积或附着的随机性问题。
本技术方案将压力开关连接在反冲气体通路上，由于反冲气体通过反冲气体通路流入排气通路，反冲气体通路中的压强比排气通路和反应室中的压强略大，因此，反应室中反应产生的副产物在压强作用下较难进入反冲气体通路，利于减少副产物在压力开关上的沉积和附着，从而利于延长压力开关的使用寿命，消除了由于压力开关失效而造成的潜在安全隐患，并且有利于降低压力开关的更换频率，节约运营成本。
进一步的，本技术方案在反冲气体通路上加装了喉管，所述喉管的内径小于反冲气体通路中的反冲真空管的内径，使得喉管靠近反冲气体的气体源一侧的压强比靠近排气通路一侧的压强大，并将压力开关连接在喉管靠近反冲气体的气体源一侧的反冲气体通路上，增大了喉管靠近反冲气体的气体源一侧的反冲气体通路与排气通路和反应室之间的压强的差值，利于进一步减少反应副产品在压力开关上的沉积和附着。
更进一步的，本技术方案在反冲气体通路上加装喉管的基础上，在所述喉管靠近反冲气体的气体源一侧串接有储气罐，所述压力开关连接在所述储气罐上，从而进一步增大和稳定了所述储气罐与排气通路和反应室之间的压强差值，利于进一步减少反应副产品在压力开关上的沉积和附着。
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。
在以下描述中阐述了具体细节以便于充分理解本发明。但是本发明能够以多种不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似推广。因此本发明不受下面公开的具体实施方式的限制。
图2示出了本发明第一实施例的气相反应装置的结构示意图，包括：反应室20；排气通路21，与所述反应室20相连，对所述反应室20进行排气；反冲气体通路22，与所述排气通路21相连，反冲气体通过所述反冲气体通路22流入所述排气通路21，以对所述反应室20的压强进行调节；压力开关23，连接在所述反冲气体通路22上。
本实施例中，所述排气通路21包括排气真空管211和真空泵212，所述真空泵212通过排气真空管211与所述反应室20的排气口相连，对所述反应室20进行排气。
所述反冲气体通路22包括反冲真空管221以及串接在所述反冲真空管221上的开关阀222和流量控制器223，所述反冲真空管221与所述排气真空管211上的反冲气体进气口213相连，反冲气体依次流经所述流量控制器223、开关阀222进入所述排气真空管211中，对所述排气通路21和反应室20内的压强进行补偿和调节。当然，所述反冲气体通路22也可以仅包括所述反冲真空管221，反冲气体通过外置的流量控制器223和开关阀222流入所述反冲真空管221中。
所述压力开关23连接在所述反冲气体通路22上，具体的，连接在所述开关阀222气体流出一端的反冲真空管221上，对所述反冲真空管221中的压强进行监测。
本实施例的气相反应装置还可以包括进气通路，反应气体通过所述进气通路进入反应室20进行反应，为了简化的说明本技术方案的要点，图中并未示出所述进气通路。
所述气相反应装置可以为化学气相沉积设备、低压化学气相沉积设备、等离子体增强化学气相沉积(PECVD)设备或高密度等离子体化学气相沉积(HDPCVD)设备。在一具体实施例中，如氧化锌薄膜的沉积反应过程中，反应气体通过进气通路进入所述反应室20，所述开关阀222打开，反冲气体依次通过流量控制器223、开关阀222进入排气真空管211中，以对所述排气通路21和反应室20内的压强进行调节，满足反应所需的压强条件。所述反应气体包括含氧气体和含锌气体，所述含氧气体为气态水或者臭氧，所述含锌气体为二乙基锌(DEZ)。所述氧化锌薄膜作为太阳能电池的电极层。所述反冲气体为氮气、惰性气体或其他非活泼的气体。
由于反冲气体通过所述反冲气体通路22流入排气通路21和反应室20中，因而反冲气体通路22中的压强P1较所述排气通路21和反应室20中的压强P2略高，反应室20中反应产生的副产物难以进入反冲气体通路22中。而本实施例中的压力开关23连接在反冲气体通路22上，具体连接在反冲通路22中的反冲真空管221上，因而可以有效的减少副产物在压力开关23上的沉积和附着，消除了压力开关23失效导致的潜在危险，并且延长了压力开关23的使用寿命，降低了运营成本。
需要说明的是，所述反冲气体通路22中的压强P1比排气通路21和反应室20中的压强P2略大，而压力开关23是连接在反冲气体通路22上的，因此使得压力开关23的读数比排气通路21和反应室20中的压强P2略大，但也能确保压力开关23的监控作用，并不会导致压强异常现象的漏报问题。
图3示出了本发明第二实施例的气相反应装置的结构示意图，包括：反应室30；排气通路31，与所述反应室30相连，对所述反应室30进行排气；反冲气体通路32，与所述排气通路31相连，反冲气体通过所述反冲气体通路32流入所述排气通路31，对所述反应室30的压强进行调节；压力开关33，连接在所述反冲气体通路32上。
具体的，所述排气通路31包括排气真空管311和真空泵312，所述真空泵312通过排气真空管311与所述反应室30的排气口相连，对所述反应室30进行排气。
所述反冲气体通路32包括反冲真空管321以及串接在所述反冲真空管321上的喉管324、开关阀322和流量控制器323，所述喉管324的内径小于所述反冲真空管321的内径，所述喉管324通过所述反冲真空管321和/或转接管325与所述排气真空管311上的反冲气体进气口313相连，反冲气体依次流经所述流量控制器323、开关阀322和喉管324进入所述排气真空管311中，对所述排气通路31和反应室30内的压强进行补偿和调节。当然，所述反冲气体通路32也可以仅包括所述反冲真空管321和喉管324，反冲气体通过外置的流量控制器323和开关阀322流入所述反冲真空管321中。
所述压力开关33连接在所述反冲气体通路32上，具体连接在所述喉管324靠近所述反冲气体的气体源一侧的反冲气体通路31上，本实施例中具体连接在所述喉管324靠近所述反冲气体的气体源一侧的反冲真空管321上，位于所述喉管324和开关阀322之间，对所述反冲真空管321中的压强进行监测。
本实施例的气相反应装置还可以包括进气通路，反应气体通过所述进气通路进入反应室30进行反应，为了简化的说明本技术方案的要点，图中并未示出所述进气通路。
所述气相反应装置可以为化学气相沉积设备、低压化学气相沉积设备、等离子体增强化学气相沉积设备或高密度等离子体化学气相沉积设备。在一具体应用中，如氧化锌薄膜的沉积反应过程中，反应气体通过进气通路进入所述反应室30，所述开关阀322打开，反冲气体依次通过流量控制器323、开关阀322和喉管324进入排气真空管311中，以对所述排气通路31和反应室30内的压强进行调节，满足反应所需的压强条件。所述反应气体包括含氧气体和含锌气体，所述含氧气体为气态水或者臭氧，所述含锌气体为二乙基锌(DEZ)。所述氧化锌薄膜作为太阳能电池的电极层。所述反冲气体为氮气、惰性气体或其他非活泼的气体。
本实施例中，所述反冲气体通路32还包括转接管325，所述转接管325的内径大于所述喉管324的内径，所述喉管324或反冲真空管321通过所述转接管325与所述排气通路31相连，具体的，与所述排气通路31中的排气真空管311的反冲气体进气口313相连。由于所述反冲气体进气口313的口径和反冲真空管321以及喉管324的口径不同，转接管325可以改善它们之间的连接性，实现口径之间的转接。
在第一实施例的基础上，本实施例进一步在反冲气体通路32上加装了喉管324，由于所述喉管324的内径小于反冲真空管321的内径，因此，在反冲气体由气体源进入反冲真空管321并流入喉管324时，喉管324形成瓶颈作用，使得喉管324靠近反冲气体的气体源一侧的压强P3大于靠近排气通路31一侧的压强P4，因而反应室30中反应产生的副产物难以进入反冲气体通路32中，尤其难以进入喉管324靠近反冲气体的气体源一侧的反冲气体通路32中，而本实施例的压力开关33连接在所述喉管324靠近反冲气体的气体源一侧，因而可以有效的减少副产物的沉积和附着，消除了压力开关33失效导致的潜在危险，并且延长了压力开关33的使用寿命，降低了运营成本。
需要说明的是，所述喉管33的内径大小主要根据反冲气体的流量来确定，在保证所述喉管33具有合适的流导的前提下，即保证反应室30内的压强为反应所需的压强条件的前提下，通过调节喉管33的内径来实现其两侧的压强的差异。此外，发明人经过研究测量发现，喉管33的长度也会影响喉管33两侧的压强差值，其长度越长，两侧的压强的差值越大。
本实施例的气相反应装置为低压化学气相沉积设备，发明人经过研究和实验测量，实验条件具体包括：环境温度为20℃，反应室30中的衬底的反应温度为200℃，反应室30的体积为700L，所述进气通路的气体流量为4.6slm，所述排气通路的气体流量为8slm，在此条件下，对于内径为200mm，长度为5m的排气真空管311，以及内径为100mm，长度为100mm的反冲真空管321，反冲气体通路32的进气端的反冲气体的流量为2至4slm时，也即在喉管324的反冲气体流入一侧的反冲气体的流量为2至4slm时，选用内径为15至17mm、长度为70至90mm的喉管324，使得所述喉管324靠近反冲气体的气体源一侧的压强P3为1.36mbar，所述喉管324的压强P4为1mbar，在该压强差值下，反应室30中产生的副产物较难进入喉管324靠近反冲气体的气体源一侧的反冲真空管321中，使得压力开关33受到副产物的影响较小，从而消除了压力开关33失效导致的潜在危险，并且延长了压力开关33的使用寿命，有利于降低运营成本。
与第一实施例类似的是，所述喉管324靠近反冲气体的气体源一侧的压强P3比靠近排气通路31一侧的压强P4略大，而压力开关33是连接在喉管324靠近反冲气体的气体源一侧的，因此使得压力开关33的读数比反应室30中的压强略大，但也能确保压力开关33的监控作用，并不会导致压强异常现象的漏报问题。
图4示出了本发明第三实施例的气相反应装置的结构示意图，包括：反应室40；排气通路41，与所述反应室40相连，对所述反应室40进行排气；反冲气体通路42，与所述排气通路41相连，反冲气体通过所述反冲气体通路42流入所述排气通路41，对所述反应室40中的压强进行调节；压力开关43，连接在所述反冲气体通路42上。
具体的，所述排气通路41包括排气真空管411和真空泵412，所述真空泵412通过排气真空管411与所述反应室40的排气口相连，对所述反应室40进行排气。
所述反冲气体通路42包括反冲真空管421以及串接在所述反冲真空管421上的喉管424、储气罐425、开关阀422和流量控制器423，所述喉管424的内径小于所述反冲真空管421的内径，所述喉管424与所述排气真空管411上的反冲气体进气口413相连，所述储气罐425串接在所述喉管424靠近反冲气体的气体源一侧的反冲真空管421上，反冲气体依次流经所述流量控制器423、开关阀422、储气罐425和喉管424进入所述排气真空管411中，对所述排气通路41和反应室40内的压强进行补偿和调节。当然，所述反冲气体通路42也可以仅包括所述反冲真空管421、储气罐425和喉管424，反冲气体通过外置的流量控制器423和开关阀422流入所述反冲真空管421中。
所述压力开关43在本实施例中具体连接在所述储气罐425上，对所述储气罐425中的压强进行监测。
本实施例的气相反应装置还可以包括进气通路，反应气体通过所述进气通路进入反应室40进行反应，为了简化的说明本技术方案的要点，图中并未示出所述进气通路。
所述气相反应装置可以为化学气相沉积设备、低压化学气相沉积设备、等离子体增强化学气相沉积设备或高密度等离子体化学气相沉积设备。在一具体实施例中，如氧化锌薄膜的沉积反应过程中，反应气体通过进气通路进入所述反应室40，所述开关阀422打开，反冲气体依次通过流量控制器423、开关阀422、储气罐425和喉管424进入排气真空管411中，以对所述排气通路41和反应室40内的压强进行调节，满足反应所需的压强条件。所述反应气体包括含氧气体和含锌气体，所述含氧气体为气态水或者臭氧，所述含锌气体为二乙基锌(DEZ)。所述氧化锌薄膜作为太阳能电池的电极层。所述反冲气体为氮气、惰性气体或其他非活泼的气体。
本实施例中所述反冲气体通路42中的喉管424直接连接在排气通路41的反冲气体进气口413上，而没有经过转接管，防止了反应的副产物进入转接管并进一步进入喉管424对压力开关造成影响的问题。
在第二实施例的基础上，本实施例进一步在反冲气体通路42上加装了储气罐425，所述储气罐425串接在喉管424靠近反冲气体的气体源一侧，其体积较大，其中的压强较为稳定，而且由于喉管424的瓶颈作用，进一步增大了储气罐425中的压强P5与喉管424靠近排气通路41一侧的压强P6，而所述压力开关连接在所述储气罐425上的，因而反应室40中反应产生的副产物难以进入反冲气体通路42中，尤其难以进入储气罐425中，因而可以有效的减少副产物在压力开关43上的沉积和附着，消除了压力开关43失效导致的潜在危险，并且延长了压力开关43使用寿命，降低了运营成本。
本实施例的气相反应装置为低压化学气相沉积设备，发明人经过研究和实验测量，实验条件具体包括：环境温度为20℃，反应室40中的衬底的反应温度为200℃，反应室40的体积为700L，所述进气通路的气体流量为4.6slm，所述排气通路的气体流量为8slm，在此条件下，对于内径为200mm，长度为5m的排气真空管411，以及内径为100mm，长度为100mm的反冲真空管421，反冲气体通路42的进气端的反冲气体的流量为2至4slm时，也即在喉管424的反冲气体流入一侧的反冲气体的流量为2至4slm时，选用内径为15至17mm、长度为70至90mm的喉管424，选用容积为1L的储气罐425，使得所述储气罐425中的压强P5为1.36mbar，所述喉管424靠近排气通路41一侧的压强P6为1mbar，在该压强差值下，反应室40中产生的副产物较难进入储气罐425中，使得连接在所述储气罐425上的压力开关43受到副产物的影响较小，从而消除了压力开关43失效导致的潜在危险，并且延长了压力开关43的使用寿命，有利于降低运营成本。
综上，本技术方案的第一实施例中将压力开关连接在反冲气体通路上，由于反冲气体通过反冲气体通路流入排气通路，反冲气体通路中的压强比排气通路和反应室中的压强略大，因此，反应室中反应产生的副产物在压强作用下较难进入反冲气体通路，利于减少副产物在压力开关上的沉积和附着，从而利于延长压力开关的使用寿命，消除了由于压力开关失效而造成的潜在安全隐患，并且有利于降低压力开关的更换频率，节约运营成本。
进一步的，本技术方案的第二实施例中在反冲气体通路上加装了喉管，所述喉管的内径小于反冲气体通路中的反冲真空管的内径，使得喉管靠近反冲气体的气体源一侧的压强比靠近排气通路一侧的压强大，并将压力开关连接在喉管靠近反冲气体的气体源一侧，进一步增大了压力开关连接的反冲气体通路与排气通路和反应室之间的压强差值，从而利于进一步减少反应副产品在压力开关上的沉积和附着。
更进一步的，本技术方案在反冲气体通路上加装喉管的基础上，在所述喉管靠近反冲气体的气体源一侧串接有储气罐，所述压力开关连接在所述储气罐上，从而进一步增大和稳定了所述储气罐与排气通路和反应室之间的压强差值，利于进一步减少反应副产品在压力开关上的沉积和附着。
本发明虽然已以较佳实施例公开如上，但其并不是用来限定本发明，任何本领域技术人员在不脱离本发明的精神和范围内，都可以利用上述揭示的方法和技术内容对本发明技术方案做出可能的变动和修改，因此，凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化及修饰，均属于本发明技术方案的保护范围。
Claims (9)
1.一种气相反应装置，其特征在于，包括：
反应室；
排气通路，与所述反应室相连，对所述反应室进行排气，所述排气通路包括真空泵和排气真空管，所述真空泵通过所述排气真空管与所述反应室相连；
反冲气体通路，与所述排气通路的排气真空管相连，反冲气体通过所述反冲气体通路流入所述排气通路和所述反应室，对所述反应室的压强进行调节；
压力开关，连接在所述反冲气体通路上。
2.根据权利要求1所述的气相反应装置，其特征在于，所述反冲气体通路包括反冲真空管以及串接在所述反冲真空管上的喉管，所述喉管的内径小于所述反冲真空管的内径，所述压力开关连接在所述喉管靠近所述反冲气体的气体源一侧的反冲气体通路上。
3.根据权利要求2所述的气相反应装置，其特征在于，所述反冲气体通路还包括储气罐，所述储气罐串接在所述喉管靠近所述反冲气体的气体源一侧的反冲真空管上，所述压力开关连接在所述储气罐上。
4.根据权利要求3所述的气相反应装置，其特征在于，所述反冲气体通路还包括串接在所述反冲真空管上的开关阀和流量控制器，所述反冲气体依次经由所述流量控制器、开关阀、储气罐和喉管进入所述排气通路。
5.根据权利要求2至4中任一项所述的气相反应装置，其特征在于，所述反冲气体通路具有进气端，所述进气端的反冲气体的流量为2至4slm，所述反冲真空管的内径30mm至200mm，所述排气真空管的内径为100mm至200mm，所述喉管的内径为15至17mm，长度为70至90mm。
6.根据权利要求5所述的气相反应装置，其特征在于，所述进气端的反冲气体的流量为3slm，所述反冲真空管的内径为100mm，所述排气真空管的内径为200mm，所述喉管的内径为16mm，长度为80mm。
7.根据权利要求2至4中任一项所述的气相反应装置，其特征在于，所述反冲气体通路还包括转接管，所述转接管的内径大于所述喉管的内径，所述喉管或反冲真空管通过所述转接管与所述排气通路相连。
8.根据权利要求1至4中任一项所述的气相反应装置，其特征在于，所述气相反应装置为化学气相沉积设备。
9.根据权利要求8所述的气相反应装置，其特征在于，所述反应室内通有反应气体，所述反应气体包括含氧气体和含锌气体，所述反冲气体为氮气、惰性气体或其他非活泼的气体。
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