CN101997513B - 多耦合型滤波器 - Google Patents
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Abstract
本发明实施例公开了一种多耦合型滤波器，包括：至少两个相邻堆叠的耦合型滤波器，以及位于相邻两个耦合型滤波器之间的滤波器隔离层；滤波器隔离层包括相邻堆叠的两个布拉格层，且该两个布拉格层的反射方向背向，以实现相邻堆叠的耦合型滤波器之间信号的隔离从而使得多个耦合型滤波器堆叠在一起而不相互影响。
Description
技术领域
本发明涉及通信技术领域，具体涉及一种多耦合型滤波器。
背景技术
随着无线通信技术的发展，产品的电路复杂性越来越高，促使滤波器趋于小型化、集成化设计。目前射频滤波器主要包括介质滤波器、声表面滤波器和基于薄膜体声波谐振器（FBAR，Thin Film Bulk Acoustic Resonator）的滤波器。介质滤波器有着体积大的缺点，而声表面滤波器由于制作受光刻工艺的限制，且插损较大，因此这两种滤波器在应用上受到一定的限制。而基于FBAR的滤波器，由于具有低插入损耗、高工作频率、体积小和易于集成的优点，被广泛应用于无线通信技术领域。
目前基于FBAR的滤波器主要有以下两种：
（1）堆叠型滤波器，包括两个相邻堆叠的FBAR，以及两个FBAR之间的接地的电极。
（2）耦合型滤波器（CRF，Coupled Resonator Filters），CRF包括两个相邻堆叠的FBAR、以及位于两个FBAR之间的声学耦合层，通过调节声学耦合层的声学层的层数和各声学层的厚度可以调节CRF的带宽。
在对现有技术的研究和实践过程中，本发明的发明人发现，虽然基于FBAR的滤波器具有体积小和易于集成的优点，但是，若将多个基于FBAR的滤波器直接堆叠在一起，各个滤波器的声场和电场会相互耦合，影响FBAR的性能，并造成阻抗失配。因此，当通信终端需要同时使用多个滤波器时，各个滤波器不能堆叠在一起，需放置在芯片的不同位置，导致整个芯片面积较大，难以实现通信终端的滤波器模块的小型化、集成化设计。
发明内容
本发明实施例提供一种多耦合型滤波器，能够使多个滤波器堆叠在一起而不相互影响，以实现滤波器模块的小型化、集成化设计。
本发明实施例提供的一种多耦合型滤波器，包括：至少两个相邻堆叠的耦合型滤波器，以及位于两个相邻堆叠的耦合型滤波器之间的滤波器隔离层；滤波器隔离层包括相邻堆叠的两个布拉格层，且该两个布拉格层的反射方向背向，以实现相邻堆叠的耦合型滤波器之间信号的隔离；
其中，所述耦合型滤波器包括两个相邻堆叠的薄膜体声波谐振器，以及位于所述两个相邻堆叠的薄膜体声波谐振器之间的声学耦合层。
本发明实施例提供的一种串并联结合的多耦合型滤波器，包括：至少两个上述的多耦合型滤波器，且多耦合型滤波器并联。
本发明实施例中的多耦合型滤波器包括至少两个相邻堆叠的耦合型滤波器，以及位于相邻两个耦合型滤波器之间的滤波器隔离层；滤波器隔离层包括相邻堆叠的两个布拉格层，且该两个布拉格层的反射方向背向，以实现相邻堆叠的耦合型滤波器之间信号的隔离，从而使得多个滤波器堆叠在一起而不相互影响，实现了通信终端的滤波器模块的小型化、集成化设计。
附图说明
图1是本发明实施例中的多耦合型滤波器的一个实施例的示意图；
图2是图1中圆a位置的放大示意图；
图3是本发明实施例中多耦合型滤波器的另一实施例的示意图；
图4是本发明实施例中多耦合型滤波器的另一实施例的示意图；
图5是图4所示实施例中多耦合型滤波器仿真得到的频率响应图；
图6是图5中蜂窝式无线通讯系统（Cellular）频段接收带的频率响应图；
图7是图5中个人通讯服务（PCS，Personal Communications Service）频段接收带的频率响应图。
具体实施方式
本发明实施例提供一种多耦合型滤波器，能够使多个滤波器堆叠在一起而不相互影响，从而实现通信终端的滤波器模块的小型化、集成化设计。以下进行详细说明。
本发明实施例中的一种多耦合型滤波器包括至少两个相邻堆叠的耦合型滤波器，以及位于两个相邻堆叠的耦合型滤波器之间的滤波器隔离层；滤波器隔离层包括相邻堆叠的两个布拉格层，且该两个布拉格层的反射方向背向，以实现相邻堆叠的耦合型滤波器之间信号的隔离。
请参阅图1，图1为本发明实施例中的多耦合型滤波器的一个实施例的示意图。本实施例中的多耦合型滤波器1包括相邻堆叠的CRF200和CRF300，以及位于CRF200与CRF300之间的滤波器隔离层400。CRF200设置于CRF300的下方，CRF200设置于衬底102上。
CRF200包括相邻堆叠的FBAR210和FBAR220，以及位于FBAR210和FBAR220之间的声学耦合层230。
FBAR210包括电极214、电极212、以及电极214与电极212之间的压电薄膜216，FBAR220包括电极224、电极222、以及电极224与电极222之间的压电薄膜226。电极214和电极212作为CRF200的信号输入端，电极224与电极222作为CRF200的信号输出端。
声学耦合层230位于FBAR210的电极214与FBAR220的电极222之间，包括至少两层特征声阻抗不同的声学材料制成的声学层（图未示），通过调节声学耦合层230的声学层的层数和各声学层的厚度，可以调节FBAR210和FBAR220之间的耦合强度，可以调节CRF200的带宽。
CRF300包括相邻堆叠的FBAR310和FBAR320，以及位于FBAR310和FBAR320之间的声学耦合层330。
FBAR310包括电极314、电极312、以及电极314与电极312之间的压电薄膜316，FBAR320包括电极324、电极322、以及电极324与电极322之间的压电薄膜326。电极314和电极312作为CRF300的信号输入端，电极324与电极322作为CRF300的信号输出端。
声学耦合层330位于FBAR310的电极314与FBAR320的电极322之间，包括至少两层特征声阻抗不同的声学材料制成的声学层（图未示），通过调节声学耦合层330的声学层的层数和各声学层的厚度，可以调节FBAR310和FBAR320之间的耦合强度，可以调节CRF300的带宽。
请结合图2，图2为图1中圆a位置的放大示意图。从图2可见，滤波器隔离层400包括相邻堆叠的布拉格层410和布拉格层420。布拉格层410和布拉格层420的反射方向背向，从而使得布拉格层410构成CRF200的声波限制上边界，布拉格层420构成CRF300的声波限制下边界，以实现相邻堆叠的CRF200与CRF300之间信号的隔离。
布拉格层包括至少两层特征声阻抗不同的声学材料制成的反射层。例如，布拉格层可以包括第一声波阻抗层和第二声波阻抗层，第二声波阻抗层与第一声波阻抗层的特征声阻抗的差值大于等于3。布拉格层的各反射层可以采用Al、Au、Ti、Mo、W、Fe、Cr、Ni、Co、Cu、SiO2、Si3N4、ZnO、TiO2、TiN、Al2O3、AlN或PZT制成。
本实施例中，布拉格层410包括如下4层反射层：与FBAR220的电极224邻接的第一声波阻抗层412、与第一声波阻抗层412邻接的第二声波阻抗层414、与第二声波阻抗层414邻接的第一声波阻抗层416、以及与第一声波阻抗层416邻接的第二声波阻抗层418；布拉格层420可以包括如下4层反射层：与FBAR310的电极312邻接的第一声波阻抗层428、与第一声波阻抗层428邻接的第二声波阻抗层426、与第二声波阻抗层426邻接的第一声波阻抗层424、以及与第一声波阻抗层424邻接的第二声波阻抗层422。
本实施例中，第二声波阻抗层的特征声阻抗比第一声波阻抗层的高，且第二声波阻抗层与第一声波阻抗层的特征声阻抗的差值等于15。
可以理解的是，布拉格层410也可以包括从下往上设置的第一声波阻抗层和第二声波阻抗层这两层反射层，或者，从下往上设置的第一声波阻抗层、第一声波阻抗层和第二声波阻抗层这三层反射层，或者，从下往上设置的两组第一声波阻抗层和第一声波阻抗层这四层反射层。本文中，定义从CRF200往CRF300为从下往上的方向。
同理，布拉格层420也可以包括从上往下设置的第一声波阻抗层和第二声波阻抗层这两层反射层，或者，从上往下设置的第一声波阻抗层、第一声波阻抗层和第二声波阻抗层这三层反射层，或者，从上往下设置的两组第一声波阻抗层和第一声波阻抗层这四层反射层。
布拉格层410和布拉格层420的各反射层的厚度的取值范围可以为[n*85%，n*115%]，n为频率等于第一频率的声信号在反射层对应的声学材料中波长的四分之一的奇数倍，第一频率为与布拉格层邻接的耦合型滤波器的中心频率，即对应于布拉格层410，第一频率为与布拉格层410邻接的CRF200的中心频率，对应于布拉格层420，第一频率为与布拉格层420邻接的CRF300的中心频率。
本实施例中，布拉格层410的各反射层的厚度为频率等于CRF200的中心频率的声信号在反射层对应的声学材料中波长的四分之一，布拉格层420的各反射层的厚度为频率等于CRF300的中心频率的声信号在反射层对应的声学材料中波长的四分之一。
例如，布拉格层410的第一声波阻抗层412的厚度的取值范围可以为[m*85%，m*115%]，其中，m=（2a+1）λ1/4，λ1是频率等于CRF200的中心频率的声信号在第一声波阻抗层412对应的声学材料中的波长，a是大于或等于零的整数。本实施例中，第一声波阻抗层412的厚度等于λ1/4。
例如，布拉格层420的第一声波阻抗层428的厚度的取值范围可以为[q*85%，q*115%]，其中，q=（2a+1）λ2/4，λ2是频率等于CRF300的中心频率的声信号在第一声波阻抗层428对应的声学材料中的波长，a是大于或等于零的整数。本实施例中，第一声波阻抗层428的厚度等于λ1/4。
本实施例中的多耦合型滤波器包括相邻堆叠的CRF200和CRF300，以及位于CRF200和CRF300之间的滤波器隔离层400。滤波器隔离层400包括反射方向背向的相邻堆叠的布拉格层410和布拉格层420，布拉格层的各反射层的厚度的取值范围为[n*85%，n*115%]，即大于等于n*85%且小于等于n*115%，n为频率等于第一频率的声信号在反射层对应的声学材料中波长的四分之一的奇数倍，对应于布拉格层410和布拉格层420，第一频率分别为与布拉格层410邻接的CRF200的中心频率，和与布拉格层420邻接的CRF300的中心频率，使得布拉格层410构成与滤波器隔离层400的下表面邻接的CRF200的声波限制上边界，布拉格层420构成与滤波器隔离层400的上表面邻接的CRF300的声波限制下边界，从而使得CRF200和CRF300堆叠在一起而不相互影响，实现了通信终端的滤波器模块的小型化、集成化设计。
可以理解的是，在本发明另一实施例中，该多耦合型滤波器可以包括至少两个相邻堆叠的CRF，以及位于相邻两个CRF之间的滤波器隔离层。为便于理解，下面则以多耦合型滤波器包括三个相邻堆叠的CRF，以及位于相邻两个CRF之间的滤波器隔离层，且每个布拉格层包括两层声阻抗不同的声学材料制成的反射层为例，对本发明实施例中的多耦合型滤波器进行说明。
请参阅图3，图3为本发明实施例中多耦合型滤波器的另一实施例的示意图。本实施例中的多耦合型滤波器3包括相邻堆叠的CRF500、CRF700和CRF900，以及位于CRF500和CRF600之间的滤波器隔离层600，位于CRF700和CRF900之间的滤波器隔离层800，CRF500设置于衬底1202上。
滤波器隔离层600由相邻堆叠的布拉格层610和布拉格层620构成，且布拉格层610与布拉格层620的反射方向背向，以实现相邻堆叠的CRF500与CRF700之间信号的隔离。滤波器隔离层800由布拉格层810和布拉格层820构成，且布拉格层810与布拉格层820的反射方向背向，以实现相邻堆叠的CRF900与CRF700之间信号的隔离。因此，滤波器隔离层600与滤波器隔离层800实现了CRF500、CRF700与CRF900之间信号的隔离。
具体地，布拉格层610包括如下2层反射层：与CRF500的上表面邻接的第一声波阻抗层612，与第一声波阻抗层612邻接的第二声波阻抗层614；布拉格层620包括如下2层反射层：与CRF700的下表面邻接的第一声波阻抗层624，与第一声波阻抗层624邻接的第二声波阻抗层622。
布拉格层810包括如下2层反射层：与CRF700的上表面邻接的第一声波阻抗层812，与第一声波阻抗层812邻接的第二声波阻抗层814。布拉格层820包括如下2层反射层：与CRF900的下表面邻接的第一声波阻抗层824，与第一声波阻抗层824邻接的第二声波阻抗层822。
本实施例中，第二声波阻抗层的特征声阻抗比第一声波阻抗层的高，且第二声波阻抗层与第一声波阻抗层的特征声阻抗的差值大于等于3。
并且，布拉格层610的各反射层的厚度的取值为频率等于CRF500的中心频率的声信号在反射层对应的声学材料中波长的四分之一，使得布拉格层610构成CRF500的声波限制上边界。布拉格层620的各反射层的厚度的取值为频率等于CRF700的中心频率的声信号在反射层对应的声学材料中波长的四分之一，使得布拉格层620构成CRF700的声波限制下边界。
并且，布拉格层810的各反射层的厚度的取值为频率等于CRF700的中心频率的声信号在反射层对应的声学材料中波长的四分之一，布拉格层820的各反射层的厚度的取值为频率等于CRF900的中心频率的声信号在反射层对应的声学材料中波长的四分之一，使得布拉格层810和布拉格层820分别构成CRF700的声波限制上边界和CRF900的声波限制下边界。
本实施例中的多耦合型滤波器包括相邻堆叠的CRF500、CRF700和CRF900，以及位于CRF500和CRF700之间的滤波器隔离层600。滤波器隔离层600包括反射方向背向的布拉格层610和布拉格层620，布拉格层的各反射层的厚度的取值为：频率等于与布拉格层邻接的CRF的中心频率的声信号在反射层对应的声学材料中波长的四分之一，使得布拉格层610和布拉格层620分别构成CRF500的声波限制上边界和CRF700的声波限制下边界，布拉格层810和布拉格层820分别构成CRF700的声波限制上边界和CRF900的声波限制下边界，从而使得CRF500、CRF700和CRF900的声波不相互干扰，CRF500、CRF700和CRF900堆叠在一起而不相互影响，实现了通信终端的滤波器模块的小型化、集成化设计。
上述实施例中提供的多耦合型滤波器包括至少两个相邻堆叠的耦合型滤波器，以及位于两个相邻堆叠的耦合型滤波器之间的滤波器隔离层；滤波器隔离层包括相邻堆叠的两个布拉格层，且该两个布拉格层的反射方向背向，以实现相邻堆叠的耦合型滤波器之间信号的隔离。
上述实施例中的CRF相串联，在实际应用中，需要串并联结合的多耦合型滤波器，因此，本发明另一个实施例还提供串并联结合的多耦合型滤波器，包括至少两个上述实施例中提供的多耦合型滤波器，且该至少两个上述实施例中提供的多耦合型滤波器之间并联。
为便于理解，下面以一具体实施例说明上述串并联结合的多耦合型滤波器，请参阅图4，图4为本发明实施例中多耦合型滤波器的另一实施例的示意图。本实施例中的多耦合型滤波器4包括：
相同的两组两个相邻堆叠的耦合型滤波器，以及位于相邻两个耦合型滤波器之间的滤波器隔离层，具体地，这两组分别为：
一组为：相邻堆叠的CRF204和CRF304，以及位于CRF204与CRF304之间的滤波器隔离层404。CRF204设置于CRF304的下方，CRF204设置于衬底1102上；
另一组为：相邻堆叠的CRF202和CRF302，以及位于CRF202与CRF302之间的滤波器隔离层402。CRF202设置于CRF302的下方，CRF202设置于衬底1102上。
其中，CRF204与CRF202用于美国Cellular频段的接收端，工作频率是869MHz-894MHz，中心频率为881.5MHz；CRF304与302用于美国PCS频段的接收端，工作频率是1930.5MHz-1989.5MHz，中心频率为1990MHz。
CRF204包括相邻堆叠的FBAR270和FBAR290，以及位于FBAR270和FBAR290之间的声学耦合层280。
FBAR270包括电极274、电极272、以及电极274与电极272之间的压电薄膜276，FBAR290包括电极294、电极292、以及电极294与电极292之间的压电薄膜296。电极274和电极272作为CRF204的信号输入端，电极294与电极292作为CRF204的信号输出端。
声学耦合层280位于FBAR270的电极274与FBAR290的电极292之间，包括至少两层特征声阻抗不同的声学材料制成的声学层（图未示），通过调节声学耦合层280的声学层的层数和各声学层的厚度，可以调节FBAR270和FBAR290之间的耦合强度。
CRF304包括相邻堆叠的FBAR370和FBAR390，以及位于FBAR370和FBAR390之间的声学耦合层380。
FBAR370包括电极374、电极372、以及电极374与电极372之间的压电薄膜376，FBAR390包括电极394、电极392、以及电极394与电极392之间的压电薄膜396。电极374和电极372作为CRF304的信号输入端，电极394与电极392作为CRF304的信号输出端。
声学耦合层380位于FBAR370的电极374与FBAR390的电极392之间，包括至少两层特征声阻抗不同的声学材料制成的声学层（图未示），通过调节声学耦合层380的声学层的层数和各声学层的厚度，可以调节FBAR370和FBAR390之间的耦合强度。
CRF202包括相邻堆叠的FBAR240和FBAR250，以及位于FBAR240和FBAR250之间的声学耦合层260。
FBAR240包括电极244、电极242、以及电极244与电极242之间的压电薄膜246，FBAR250包括电极254、电极252、以及电极254与电极252之间的压电薄膜256。电极244和电极242作为CRF202的信号输入端，电极254与电极252作为CRF202的信号输出端。
声学耦合层260位于FBAR240的电极244与FBAR250的电极252之间，包括至少两层特征声阻抗不同的声学材料制成的声学层（图未示），通过调节声学耦合层260的声学层的层数和各声学层的厚度，可以调节FBAR240和FBAR250之间的耦合强度。
CRF302包括相邻堆叠的FBAR340和FBAR350，以及位于FBAR340和FBAR350之间的声学耦合层360。
FBAR340包括电极344、电极342、以及电极344与电极342之间的压电薄膜346，FBAR350包括电极354、电极352、以及电极354与电极352之间的压电薄膜356。电极344和电极342作为CRF302的信号输入端，电极354与电极352作为CRF302的信号输出端。
声学耦合层360位于FBAR340的电极344与FBAR350的电极352之间，包括至少两层特征声阻抗不同的声学材料制成的声学层（图未示），通过调节声学耦合层360的声学层的层数和各声学层的厚度，可以调节FBAR340和FBAR350之间的耦合强度。
并且，FBAR370的电极372与FBAR340的电极342通过导电金属107连接，FBAR370的电极374与FBAR340的电极344通过导电金属108连接，使所处位置相对应的CRF304与CRF302相并联。FBAR270的电极272与FBAR240的电极242通过导电金属105连接，FBAR270的电极274与FBAR240的电极244通过导电金属106连接，使所处位置相对应的CRF204与CRF202相并联。可以理解的是，也可以采用其他现有公知技术使CRF304与CRF302相并联，CRF204与CRF202相并联，以便于提高多耦合型滤波器4的带外抑制能力。
CRF204、202的各FBAR中，各电极采用金制成，各电极厚度为0.25微米，面积为385*385平方微米；各压电薄膜采用氮化铝制成，各压电薄膜的厚度为3.94微米。CRF304、302的各FBAR中，各电极采用铝制成，各电极厚度为0.1微米，面积为213*213平方微米；各压电薄膜采用氮化铝制成，各压电薄膜的厚度为2.691微米。
通过调节声学耦合层280与声学耦合层260的声学层的层数和各声学层的厚度，可以使得下CRF204、202的带宽满足Cellular频段的要求；通过调节声学耦合层380与声学耦合层360的声学层的层数和各声学层的厚度，可以使得下CRF304、302的带宽满足PCS频段的要求。
滤波器隔离层404包括相邻堆叠的布拉格层450和布拉格层460。布拉格层450和布拉格层460的反射方向背向，具体地，布拉格层450包括如下4层反射层：与FBAR290的电极294邻接的第一声波阻抗层452、与第一声波阻抗层452邻接的第二声波阻抗层454、与第二声波阻抗层454邻接的第一声波阻抗层456、以及与第一声波阻抗层456邻接的第二声波阻抗层458；布拉格层460包括如下4层反射层：与FBAR370的电极372邻接的第一声波阻抗层468、与第一声波阻抗层468邻接的第二声波阻抗层466、与第二声波阻抗层466邻接的第一声波阻抗层464、以及与第一声波阻抗层464邻接的第二声波阻抗层462。
滤波器隔离层402包括相邻堆叠的布拉格层430和布拉格层440。布拉格层430和布拉格层440的反射方向背向，具体地，布拉格层430包括如下4层反射层：与FBAR250的电极254邻接的第一声波阻抗层432、与第一声波阻抗层432邻接的第二声波阻抗层434、与第二声波阻抗层434邻接的第一声波阻抗层436、以及与第一声波阻抗层436邻接的第二声波阻抗层438；布拉格层440包括如下4层反射层：与FBAR340的电极342邻接的第一声波阻抗层448、与第一声波阻抗层448邻接的第二声波阻抗层446、与第二声波阻抗层446邻接的第一声波阻抗层444、以及与第一声波阻抗层444邻接的第二声波阻抗层442。
本实施例中，滤波器隔离层404和滤波器隔离层402的布拉格层中的第一声波阻抗层采用二氧化硅制成，特征声阻抗为12.5Mray1，纵波声速为6253m/s；第二声波阻抗层采用钨制成，特征声阻抗为105.6Mray1，纵波声速为5501m/s。
滤波器隔离层404的布拉格层450和滤波器隔离层402的布拉格层430的，各反射层的厚度为频率等于CRF204、CRF202的中心频率881.5MHz的声信号在反射层对应的声学材料中波长的四分之一。具体地，布拉格层450与布拉格层430的第一声波阻抗层的厚度为频率等于881.5MHz的声信号在二氧化硅中波长的四分之一，为1.774微米；布拉格层450与布拉格层430的第二声波阻抗层的厚度为频率等于881.5MHz的声信号在钨中波长的四分之一，为1.561微米。
滤波器隔离层404的布拉格层460和滤波器隔离层402的布拉格层440的，各反射层的厚度为频率等于CRF304、CRF302的中心频率1990MHz的声信号在反射层对应的声学材料中波长的四分之一。具体地，布拉格层460与布拉格层440的第一声波阻抗层的厚度为频率等于1990MHz的声信号在二氧化硅中波长的四分之一，为0.797微米；布拉格层460与布拉格层440的第二声波阻抗层的厚度为频率等于1990MHz的声信号在钨中波长的四分之一，为0.701微米。
请结合图5至图7，图5、图6和图7分别示出了图4所示实施例中多耦合型滤波器仿真得到的频率响应图、图5中Cellular频段接收带的频率响应图110和图5中PCS频段接收带的频率响应图112。
请参阅图5，图5中的横坐标为频率，单位为吉赫兹，纵坐标为插入损耗，单位为分贝。从图5中可以知道，并联的CRF204与CRF202和并联的CRF304与CRF302的滤波性能相互之间不受影响。
请参阅图6，图6中的横坐标为频率，单位为吉赫兹，纵坐标为插入损耗，单位为分贝。从图6中可以得到，并联的CRF204与CRF202的最大的插入损耗为1.505dB，3dB带宽为34MHz，并且，并联的CRF204与CRF202对Cellular发射频段824MHz-849MHz的最小的抑制为30.451dB。
请参阅图7，图7中的横坐标为频率，单位为吉赫兹，纵坐标为插入损耗，单位为分贝。从图7中可以得到，并联的CRF304与CRF302的最大的插入损耗为1.073dB，3dB带宽为66MHz，并且，并联的CRF304与CRF302对PCS发射频段1850MHz-1910MHz的最小的抑制为21.892dB。
本实施例的多耦合型滤波器4相同的两组两个相邻堆叠的CRF，以及位于相邻两个CRF之间的滤波器隔离层；并且，该两组中所处位置相对应的两个CRF相并联。可以理解的是，多耦合型滤波器也可以包括相同的至少两组两个相邻堆叠的CRF，以及位于相邻两个CRF之间的滤波器隔离层，并且，各组中所处位置相对应的CRF相并联。
本实施例中，由于滤波器隔离层402中上下两个布拉格层分别构成与滤波器隔离层402上表面邻接的CRF302的声波限制下边界，和与滤波器隔离层402下表面邻接的CRF202的声波限制上边界，从而使得CRF202与CRF302堆叠在一起而不相互影响；又由于滤波器隔离层404中上下两个布拉格层分别构成与滤波器隔离层404上表面邻接的CRF304的声波限制下边界，和与滤波器隔离层404下表面邻接的CRF204的声波限制上边界，使得CRF202与CRF302堆叠在一起而不相互影响，从而使得并联的CRF204与CRF202和并联的CRF304与CRF302的滤波性能相互之间不受影响，实现了通信终端的滤波器模块的小型化、集成化设计。
以上对本发明实施例所提供的多耦合型滤波器进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本发明的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本发明的限制。
Claims (6)
1.一种多耦合型滤波器，其特征在于，包括：至少两个相邻堆叠的耦合型滤波器，以及位于所述两个相邻堆叠的耦合型滤波器之间的滤波器隔离层；滤波器隔离层包括相邻堆叠的两个布拉格层，且所述两个布拉格层的反射方向背向，以实现所述相邻堆叠的耦合型滤波器之间信号的隔离；
其中，所述耦合型滤波器包括两个相邻堆叠的薄膜体声波谐振器，以及位于所述两个相邻堆叠的薄膜体声波谐振器之间的声学耦合层。
2.根据权利要求1所述的多耦合型滤波器，其特征在于：所述布拉格层包括至少两层由声阻抗不同的声学材料制成的反射层。
3.根据权利要求2所述的多耦合型滤波器，其特征在于：
所述反射层的厚度的取值范围为[n*85%，n*115%]，n为频率等于第一频率的声信号在所述反射层对应的声学材料中波长的四分之一的奇数倍，所述第一频率为与布拉格层邻接的耦合型滤波器的中心频率。
4.根据权利要求2所述的多耦合型滤波器，其特征在于：所述布拉格层的各反射层的厚度的取值为频率等于第一频率的声信号在所述反射层对应的声学材料中波长的四分之一。
5.根据权利要求2所述的多耦合型滤波器，其特征在于：
所述布拉格层包括第一声波阻抗层和第二声波阻抗层，且第二声波阻抗层与第一声波阻抗层的特征声阻抗的差值大于等于3。
6.一种串并联结合的多耦合型滤波器，其特征在于，包括至少两个如权利要求1至5任一项所述的多耦合型滤波器，所述多耦合型滤波器并联。
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