CN101958313B - 半导体模块 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及半导体模块。一种半导体模块包括具有开关功能的半导体芯片(41,401,411,421,431,441,451,461,471,481,491),覆盖所述芯片的树脂部分(42,402,412,422,432,442,452,462,472,482,492)、端子(44-46;404-406;414-416;424-426;434-436;444-446;454-456;464-466;474-476;484-486;494-496)和散热部分(43,403,413,423,433,443,453,463,473,483,493)。树脂部分包括第一和第二表面,其彼此相对并大体上与虚平面平行地扩张;并且衬底(20)位于树脂部分的第一表面侧上。端子在虚平面的方向从树脂部分突出并被焊接到衬底上。所述散热部分被设置在所述树脂部分的第二表面侧上以释放在芯片中产生的热量。端子之一(45,405,415,425,435,445,455,465,475,485,495)连接到散热部分,使得热量从端子之一传导至散热部分。
Description
技术领域
本发明涉及具有用于使电动机旋转的开关功能的半导体模块。
背景技术
用于车辆的电动机控制每年都在进一步发展,并且负责电动机和电动机控制的电子控制单元(ECU)正在增加。另一方面,为了为车辆的用户提供舒适空间,进行了扩展车辆乘客室中的空间的尝试。因此,保证用于布置电动机和ECU的空间是个挑战,并且缩小电动机和ECU的尺寸正在变得重要。
例如,将用于电动助力转向系统(在下文中称为EPS)的ECU设置在引擎室或仪表面板后面。然而,由于用于EPS的ECU用高电流(约100A)来驱动电动机,所以其开关元件的热生成量变大。因此,为了缩小此ECU的尺寸,需要用于高散热的其结构。关于此方面,提出了一种在半导体芯片的上表面上具有散热器的半导体模块(参见例如日本专利No.2685039)。
然而,从散热的方面而言,以上专利No.2685039中所描述的半导体模块可能不一定是适当的。
发明内容
本发明解决以上缺点中的至少一个。
根据本发明,提供了一种适合于在衬底上封装的半导体模块。该半导体模块包括半导体芯片、树脂部分、多个端子和散热部分。所述半导体芯片具有开关功能。所述树脂部分被形成为覆盖半导体芯片。所述树脂部分包括第一表面和第二表面,其彼此相对并大体上与虚平面平行地扩张。所述衬底位于树脂部分的第一表面侧上。所述多个端子在虚平面方向从树脂部分突出并被焊接到衬底上。所述散热部分被设置在所述树脂部分的第二表面侧上以释放在半导体芯片中产生的热量。所述多个端子之一被连接到所述散热部分,使得热量从所述多个端子之一传导至所述散热部分。
附图说明
通过以下说明、所附权利要求和附图,将最好地理解本发明以及其附加目的、特征和优点,在附图中:
图1是大致上举例说明依照本发明的第一实施例的电子控制单元(ECU)的横截面视图;
图2是举例说明依照第一实施例的ECU的透视分解图;
图3是举例说明依照第一实施例的对电动机执行的开关操作的图示;
图4A是举例说明依照第一实施例的半导体模块的顶视图;
图4B是沿着图4A中的线IVB-IVB截取的并举例说明依照第一实施例的半导体模块的横截面视图;
图4C是举例说明依照第一实施例的半导体模块的底视图;
图5A是举例说明依照本发明的第二实施例的半导体模块的顶视图;
图5B是沿着图5A中的线VB-VB截取的并举例说明依照第二实施例的半导体模块的横截面视图;
图5C是举例说明依照第二实施例的半导体模块的底视图;
图6A是举例说明依照本发明的第三实施例的半导体模块的顶视图;
图6B是沿着图6A的线VIB-VIB截取的并举例说明依照第三实施例的半导体模块的横截面视图;
图6C是举例说明依照第三实施例的半导体模块的底视图;
图7A是举例说明依照本发明的第四实施例的半导体模块的顶视图;
图7B是沿着图7A的线VIIB-VIIB截取的并举例说明依照第四实施例的半导体模块的横截面视图;
图7C是举例说明依照第四实施例的半导体模块的底视图;
图8A是举例说明依照本发明的第五实施例的半导体模块的顶视图;
图8B是沿着图8A的线VIIIB-VIIIB截取的并举例说明依照第五实施例的半导体模块的横截面视图;
图8C是举例说明依照第五实施例的半导体模块的底视图;
图9A是举例说明依照本发明的第六实施例的半导体模块的顶视图;
图9B是沿着图9A的线IXB-IXB截取的并举例说明依照第六实施例的半导体模块的横截面视图;
图9C是举例说明依照第六实施例的半导体模块的底视图;
图10A是举例说明依照本发明的第七实施例的半导体模块的顶视图;
图10B是沿着图10A中的线XB-XB截取的并举例说明依照第七实施例的半导体模块的横截面视图;
图10C是举例说明依照第七实施例的半导体模块的底视图;
图11A是举例说明依照本发明的第八实施例的半导体模块的顶视图;
图11B是沿着图11A中的线XIB-XIB截取的并举例说明依照第八实施例的半导体模块的横截面视图;
图11C是举例说明依照第八实施例的半导体模块的底视图;
图12A是举例说明依照本发明的第九实施例的半导体模块的顶视图;
图12B是沿着图12中的线XIIB-XIIB截取的并举例说明依照第九实施例的半导体模块的横截面视图;
图12C是举例说明依照第九实施例的半导体模块的底视图;
图13A是举例说明对依照第九实施例的半导体模块的修改的顶视图;
图13B是沿着图13A中的线XIIIB-XIIIB截取的并举例说明对依照第九实施例的半导体模块的修改的横截面视图;
图13C是举例说明对依照第九实施例的半导体模块的修改的底视图;
图14A是举例说明依照本发明的第十实施例的半导体模块的顶视图;
图14B是沿着图14A中的线XIVB-XIVB截取的并举例说明依照第十实施例的半导体模块的横截面视图;
图14C是举例说明依照第十实施例的半导体模块的底视图;
图15A是举例说明依照本发明的第十一实施例的半导体模块的顶视图;
图15B是沿着图15A中的线XVB-XVB截取的并举例说明依照第十一实施例的半导体模块的横截面视图;以及
图15C是举例说明依照第十一实施例的半导体模块的底视图。
具体实施方式
下面将描述本发明的实施例。
(第一实施例)
第一实施例的电子控制单元(ECU)控制用于电动助力转向系统(EPS)的电动机。此ECU的特征在于该ECU包括充当用于在接通和关断提供给电动机的电流之间切换的开关的半导体模块。由于向电动机提供高电流,所以ECU具有半导体模块的发热问题。
如图1所示,ECU 1的外部部分包括充当ECU 1的底部部分的散热器10和从衬底20上方覆盖衬底20的盖子30。
如图2所示,散热器10具有大致为矩形的形状,并在其一个拐角附近包括凹坑11。在凹坑11中容纳并设置有四个半导体模块40。
类似于散热器10,衬底20具有矩形形状,并且四个半导体模块40被封装在对应于散热器10的凹坑11的衬底20的底面的一部分上。在图2中,半导体模块40被封装在衬底20的后拐角的底面上。连接器51被封装在衬底20的一侧上以朝着衬底20的横向侧突出。在图2中,连接器51被封装在远离半导体模块40在衬底20前面的衬底20的一侧上。
如图1所示,在连接器51中的衬底20上还布置有继电器52、线圈53和铝电解电容器54。这些电子部件52至54在图2中未示出。
盖子30包括散热部分31,其具有瓦楞(corrugated)形状的横截面并对应于衬底20的在其上面封装半导体模块40的拐角部分。由于此类瓦楞形状,使得散热部分31的表面面积很大以有助于散热。此外,盖子30的应变也受到限制。盖子30包括用于在其连接器51侧容纳电子部件51至54的容纳部分32。
如图2所示,散热器10和盖子30被与散热器10和盖子30之间的衬底20拧在一起。当散热器10和盖子30被拧在一起时,为散热器10的凹坑11提供散热凝胶61。结果,半导体模块40的周围区域充满散热凝胶61。同样地,还在盖子30的散热部分31下面提供散热凝胶62。因此,散热部分31与衬底20之间的空间也充满散热凝胶62。
接下来,下面将参照图3来描述半导体模块40的电连接,图3是举例说明电连接的图示。
用于电源91的电源线92经由连接器51(图3中未示出)连接到继电器52。电流被经由线圈53提供给半导体模块40,线圈53是用于去除电源91的噪声的扼流线圈。
下面将参照图3来描述四个半导体模块40的连接。为了区别四个半导体模块40,将使用图3中的字母A至D来给出说明。在图3中,半导体模块40(A)和半导体模块40(C)被串联连接,并且半导体模块40(B)和半导体模块40(D)被串联连接。
两个半导体模块40(A),40(C)、和两个半导体模块40(B),40(D)被并联连接。继电器93和电动机94被设置在半导体模块40(A),40(C)的连接点与半导体模块40(B),40(D)的连接点之间。
在接地侧提供有分流电阻55。铝电解电容器54被连接在电源线与地之间,与电源线和地并联。由铝电解电容器54来抑制由于半导体模块40的接通和关断而产生的浪涌电压。
作为图3的上述电路配置的结果,当两个半导体模块40(A),40(D)被接通,并且两个半导体模块40(B),40(C)被关断时,电流按照半导体模块40(A)、继电器93、电动机94和半导体模块40(D)的顺序流过电路。相反,当半导体模块40(B),40(C)被接通,并且半导体模块40(A),40(D)被关断时,电流按照半导体模块40(B)、电动机94、继电器93和半导体模块40(C)的顺序流过电路。由于电动机94是直流(DC)电动机,因此通过如上所述的半导体模块40的交替接通和关断来使电动机94旋转。来自预驱动器56的信号线被连接到每个半导体模块40的栅极。
下面将参照图4A至4C来描述本实施例的半导体模块40。
半导体模块40包括半导体芯片41、覆盖芯片41的树脂部分42、用于释放在芯片41中产生的热量的散热部分43和结合(bonded)到芯片41的三个端子44、45、46。半导体芯片41被设置为使得其上表面与散热部分43相接触。因此,实现热量从半导体芯片41到散热部分43的快速传导。
树脂部分42被形成为使得端子44至46从树脂部分42的横向侧突出。在图4A的顶部开始,三个端子44至46是栅极44、源极45和漏极46。端子44至46向下弯曲,并且树脂部分42的底部在衬底20侧上。
如图4C所示,散热部分43具有大于树脂部分42的宽度。更具体而言,当考虑沿着垂直于上下方向的横截面通过的半导体模块40的横截面积时,散热部分43的横截面积大于树脂部分42的横截面积。散热部分43具有树脂部分42的厚度或更大的厚度。散热部分43在其上表面上包括两个细长凹槽47、48。端子44至46的源极45连接到散热部分43。
如上文详细描述的,在本实施例的半导体模块40中,源极45连接到散热部分43。因此,即使源极45产生热量,也可实现热量从源极45到散热部分43的快速传导。结果,模块40的散热性能得到改善。
在半导体模块40中,散热部分43具有大于树脂部分42的宽度(参见图4C)。由于以这种方式使得散热部分43的表面面积较大,所以模块40的散热性能得到改善。
在半导体模块40中,在散热部分43的上表面上形成两个细长凹槽47、48(参见图4A和4B)。因此,使得散热部分43的表面面积很大,因此模块40的散热性能得到改善。另外,由于凹槽47、48充当电阻,所以散热凝胶61的位移受到限制。
在半导体模块40中,在上下方向的散热部分43的厚度等于或大于树脂部分42的厚度(参见图4B)。因此,使得散热部分43的热容量很大,因此从半导体芯片41释放充分的热量。
在本实施例中,源极45连接到散热部分43。或者,替代源极45或除源极45之外,漏极46可以连接到散热部分43。这是因为有高电流流过的源极45和漏极46非常有可能产生热量。如果源极45和漏极46两者连接到散热部分43,则可以分别对应于两个端子45、46提供相互绝缘的两个散热部分。在这方面,同样适用于以下实施例。
(第二实施例)
在图5A至5C中示出本发明的第二实施例的半导体模块400。由于ECU的配置类似于第一实施例,所以下面将仅描述半导体模块400的配置。
半导体模块400包括半导体芯片401、覆盖芯片401的树脂部分402、用于释放在芯片401中产生的热量的散热部分403和结合到芯片401的三个端子404、405、406。半导体芯片401被设置为使得其上表面与散热部分403相接触。因此,实现热量从半导体芯片401到散热部分403的快速传导。
树脂部分402被形成为使得端子404至406从树脂部分402的横向侧突出。在图5A的顶部开始,三个端子404至406是栅极404、源极405和漏极406。端子404至406向下弯曲,并且树脂部分402的底部在衬底侧上。
类似于第一实施例,端子404至406的源极405连接到散热部分403。
在本实施例的半导体模块400中,源极405连接到散热部分403。因此,即使源极405产生热量,也可实现热量从源极405到散热部分403的快速传导。结果,模块400的散热性能得到改善。
(第三实施例)
在图6A至6C中示出本发明的第三实施例的半导体模块410。由于ECU的配置类似于以上实施例,下面将仅描述半导体模块410的配置。
半导体模块410包括半导体芯片411、覆盖芯片411的树脂部分412、用于释放在芯片411中产生的热量的散热部分413和结合到芯片411的三个端子414、415、416。半导体芯片411被设置为使得其上表面与散热部分413相接触。因此,实现热量从半导体芯片411到散热部分413的快速传导。
树脂部分412被形成为使得端子414至416从树脂部分412的横向侧突出。在图6A的顶部开始,三个端子414至416是栅极414、源极415和漏极416。端子414至416向下弯曲,并且树脂部分412的底部在衬底侧上。
类似于以上实施例,端子414至416的源极415连接到散热部分413。如图6C所示,散热部分413具有大于树脂部分412的宽度。更具体而言,当考虑沿着垂直于上下方向的横截面通过的半导体模块410的横截面积时,散热部分413的横截面积大于树脂部分412的横截面积。
在本实施例的半导体模块410中,源极415连接到散热部分413。因此,即使源极415产生热量,也可实现热量从源极415到散热部分413的快速传导。结果,模块410的散热性能得到改善。
在半导体模块410中,散热部分413具有大于树脂部分412的宽度(参见图6C)。由于以这种方式使得散热部分413的表面面积较大,所以模块410的散热性能得到改善。
(第四实施例)
在图7A至7C中示出本发明的第四实施例的半导体模块420。由于ECU的配置类似于以上实施例,下面将仅描述半导体模块420的配置。
半导体模块420包括半导体芯片421、覆盖芯片421的树脂部分422、用于释放在芯片421中产生的热量的散热部分423和结合到芯片421的三个端子424、425、426。半导体芯片421被设置为使得其上表面与散热部分423相接触。因此,实现热量从半导体芯片421到散热部分423的快速传导。
树脂部分422被形成为使得端子424至426从树脂部分422的横向侧突出。在图7A的顶部开始,三个端子424至426是栅极424、源极425和漏极426。端子424至426向下弯曲,并且树脂部分422的底部在衬底侧上。
类似于以上实施例,端子424至426的源极425连接到散热部分423。散热部分423在上下方向具有树脂部分422的厚度或更大的厚度。
在本实施例的半导体模块420中,源极425连接到散热部分423。因此,即使源极425产生热量,也可实现热量从源极425到散热部分423的快速传导。结果,模块420的散热性能得到改善。
在半导体模块420中,在上下方向的散热部分423的厚度等于或大于树脂部分422的厚度(参见图7B)。因此,使得散热部分423的热容量很大,因此从半导体芯片421释放充分的热量。
(第五实施例)
在图8A至8C中示出本发明的第五实施例的半导体模块430。由于ECU的配置类似于以上实施例,下面将仅描述半导体模块430的配置。
半导体模块430包括半导体芯片431、覆盖芯片431的树脂部分432、用于释放在芯片431中产生的热量的散热部分433和结合到芯片431的三个端子434、435、436。半导体芯片431被设置为使得其上表面与散热部分433相接触。因此,实现热量从半导体芯片431到散热部分433的快速传导。
树脂部分432被形成为使得端子434至436从树脂部分432的横向侧突出。在图8A的顶部开始,三个端子434至436是栅极434、源极435和漏极436。端子434至436向下弯曲,并且树脂部分432的底部在衬底侧上。
类似于以上实施例,端子434至436的源极435连接到散热部分433。如图8C所示,散热部分433具有大于树脂部分432的宽度。更具体而言,当考虑沿着垂直于上下方向的横截面通过的半导体模块430的横截面积时,散热部分433的横截面积大于树脂部分432的横截面积。散热部分433在上下方向具有树脂部分432的厚度或更大的厚度。
在本实施例的半导体模块430中,源极435连接到散热部分433。因此,即使源极435产生热量,也可实现热量从源极435到散热部分433的快速传导。结果,模块430的散热性能得到改善。
在半导体模块430中,散热部分433具有大于树脂部分432的宽度(参见图8C)。由于以这种方式使得散热部分433的表面面积较大,所以模块430的散热性能得到改善。
在半导体模块430中,在上下方向的散热部分433的厚度等于或大于树脂部分432的厚度(参见图8B)。因此,使得散热部分433的热容量很大,因此从半导体芯片431释放充分的热量。
(第六实施例)
在图9A至9C中示出本发明的第六实施例的半导体模块440。由于ECU的配置类似于以上实施例,下面将仅描述半导体模块440的配置。
半导体模块440包括半导体芯片441、覆盖芯片441的树脂部分442、用于释放在芯片441中产生的热量的散热部分443和结合到芯片441的三个端子444、445、446。半导体芯片441被设置为使得其上表面与散热部分443相接触。因此,实现热量从半导体芯片441到散热部分443的快速传导。
树脂部分442被形成为使得端子444至446从树脂部分442的横向侧突出。在图9A的顶部开始,三个端子444至446是栅极444、源极445和漏极446。端子444至446向下弯曲,并且树脂部分442的底部在衬底侧上。
如图9C所示,散热部分443具有大于树脂部分442的宽度。更具体而言,当考虑沿着垂直于上下方向的横截面通过的半导体模块440的横截面积时,散热部分443的横截面积大于树脂部分442的横截面积。散热部分443具有树脂部分442的厚度或更大的厚度。散热部分443在其上表面上包括两个细长凹槽447、448。端子444至446的源极445连接到散热部分443。
特别地,半导体模块440在树脂部分442的底面上包括导热部分449。导热部分449由高导热性树脂形成。例如,通过将具有高导热性的金属或无机陶瓷的填料混合到树脂中来制造高导热性树脂。或者,可以采用具有高导热性的树脂作为向其中混合填料的树脂。作为此类树脂,例如,可以采用使用4-(环氧乙基甲氧基)安息香酸-4,4′-[1,8-辛基双(氧)]双酚酯作为环氧树脂单体的树脂、和使用4,4′-二氨基二苯甲烷作为环氧树脂硫化剂的树脂。
在本实施例的半导体模块440中,源极445连接到散热部分443。因此,即使源极445产生热量,也可实现热量从源极445到散热部分443的快速传导。结果,模块440的散热性能得到改善。
在半导体模块440中,散热部分443具有大于树脂部分442的宽度(参见图9B)。由于以这种方式使得散热部分443的表面面积较大,所以模块440的散热性能得到改善。
在半导体模块440中,在散热部分443的上表面上形成两个细长凹槽447、448(参见图9A和9B)。因此,使得散热部分443的表面面积很大,因此模块440的散热性能得到改善。另外,由于凹槽447、448充当电阻,所以散热凝胶61的位移受到限制。
在半导体模块440中,在上下方向的散热部分443的厚度等于或大于树脂部分442的厚度(参见图9B)。因此,使得散热部分443的热容量很大,因此从半导体芯片441释放充分的热量。
半导体模块440在树脂部分442的底面上包括热传导部分449。因此,也朝着衬底侧释放热量,因此模块440的散热性能进一步得到改善。
另外,无需多言,散热部分443还可以具有与以上实施例的散热部分403、413、423、433相类似的结构。在这方面,同样适用于以下实施例。
(第七实施例)
在图10A至10C中示出本发明的第七实施例的半导体模块450。由于ECU的配置类似于以上实施例,下面将仅描述半导体模块450的配置。
半导体模块450包括半导体芯片451、覆盖芯片451的树脂部分452、用于释放在芯片451中产生的热量的散热部分453和结合到芯片451的三个端子454、455、456。散热部分453包括细长凹槽457、458,并且在树脂部分452的底面上提供有导热部分459。模块450的上述配置类似于第六实施例的半导体模块440。
特别地,如图10A至10C所示,半导体模块450包括从树脂部分452朝着横向侧突出的横向散热部分45A。横向散热部分45A由金属材料制成,并且具有大于端子454至456的宽度。横向散热部分45A连接到散热部分453。散热部分45A向下弯曲以焊接到衬底上。
同样借助于半导体模块450,产生与第六实施例的半导体模块440类似的效果。除此之外,半导体模块450包括横向散热部分45A。因此,模块450的散热性能进一步得到改善。
(第八实施例)
在图11A至11C中示出本发明的第八实施例的半导体模块460。由于ECU的配置类似于以上实施例,下面将仅描述半导体模块460的配置。
半导体模块460包括半导体芯片461、覆盖芯片461的树脂部分462、用于释放在芯片461中产生的热量的散热部分463和结合到芯片461的三个端子464、465、466。散热部分463包括细长凹槽467、468,并且在树脂部分462的底面上提供有导热部分469。模块460的上述配置类似于第六实施例的半导体模块440。
特别地,在半导体模块460中,导热部分469由金属材料制成。
同样借助于半导体模块460,产生与第六实施例的半导体模块440类似的效果。
(第九实施例)
在图12A至12C中示出本发明的第九实施例的半导体模块470。由于ECU的配置类似于以上实施例,下面将仅描述半导体模块470的配置。
半导体模块470包括半导体芯片471、覆盖芯片471的树脂部分472、用于释放在芯片471中产生的热量的散热部分473和结合到芯片471的三个端子474、475、476。
散热部分473包括细长凹槽477、478,并且在树脂部分472的底面上提供有导热部分479。模块470的上述配置类似于第六实施例的半导体模块460。
特别地,如图12A至12C所示,半导体模块470包括从树脂部分472朝着横向侧突出的横向散热部分47A。横向散热部分47A由金属材料制成,并且具有大于端子474至476的宽度。横向散热部分47A连接到散热部分473内部的散热部分473。散热部分47A向下弯曲以焊接到衬底上。
同样借助于半导体模块470,产生与第六实施例的半导体模块460类似的效果。除此之外,半导体模块470包括横向散热部分47A。因此,模块470的散热性能进一步得到改善。
另外,如图13A至13C所示,模块470可以包括具有较大宽度的金属导热部分47B。因此,使得导热部分47B的表面面积大于导热部分479,因此模块470的散热性能进一步得到改善。
(第十实施例)
在图14A至14C中示出本发明的第十实施例的半导体模块480。由于ECU的配置类似于以上实施例,下面将仅描述半导体模块480的配置。
半导体模块480包括半导体芯片481、覆盖芯片481的树脂部分482、用于释放在芯片481中产生的热量的散热部分483和结合到芯片481的三个端子484、485、486。散热部分483包括细长凹槽487、488。模块480的上述配置类似于第六实施例的半导体模块440。
特别地,半导体模块480在树脂部分482的底面上包括绝热部分48C。可以将低导热性树脂用于绝热部分48C。例如,可以将诸如聚苯硫醚(PPS)、聚苯醚(PPE)、三聚氰胺树脂、聚碳酸酯(PC)、聚醚砜(PES)、聚砜(PSF)、聚醚酰亚胺、聚酰亚胺、聚酰胺、聚酰胺酰亚胺(PAI)、丙烯腈-苯乙烯树脂(AS树脂)、聚丙烯(PP)、聚乙烯(PE)、聚甲基戊烯(PMP)、聚芳酯(PAR)、聚醚醚酮(PEEK)、或聚醚酮(PEK)的树脂用于绝热部分48C。
同样借助于半导体模块480,产生与第六实施例的半导体模块440类似的效果。另外,半导体模块480在树脂部分482的底面上包括绝热部分48C。因此,即使例如半导体模块480被布置为相互邻近,也可抑制经由衬底传导的热量对模块480的影响。
(第十一实施例)
在图15A至15C中示出本发明的第十一实施例的半导体模块490。由于ECU的配置类似于以上实施例,下面将仅描述半导体模块490的配置。
半导体模块490包括半导体芯片491、覆盖芯片491的树脂部分492、用于释放在芯片491中产生的热量的散热部分493和结合到芯片491的三个端子494、495、496。
散热部分493包括细长凹槽497、498。半导体模块490在树脂部分492的底面上包括绝热部分49C。模块490的上述配置类似于第六实施例的半导体模块480。
特别地,如图15A至15C所示,半导体模块490包括从树脂部分492朝着横向侧突出的横向散热部分49A。横向散热部分49A由金属材料制成,并且具有大于端子494至496的宽度。横向散热部分49A连接到散热部分493。散热部分49A向下弯曲以焊接到衬底上。
同样借助于半导体模块490,产生与第六实施例的半导体模块480类似的效果。除此之外,半导体模块490包括横向散热部分49A。因此,模块490的散热性能进一步得到改善。当横向散热部分49A被焊接到衬底上时,可以在衬底上形成不影响其它半导体模块490的散热路径。
总而言之,适合于在衬底20上封装根据本发明的以上实施例的半导体模块40,400,410,420,430,440,450,460,470,480或490。半导体模块包括半导体芯片41,401,411,421,431,441,451,461,471,481,或491、树脂部分42,402,412,422,432,442,452,462,472,482,或492、多个端子44-46;404-406;414-416;424-426;434-436;444-446;454-456;464-466;474-476;484-486;或494-496,和散热部分43,403,413,423,433,443,453,463,473,483,或493。半导体芯片41,401,411,421,431,441,451,461,471,481,或491具有开关功能。树脂部分42,402,412,422,432,442,452,462,472,482,或492被形成为覆盖半导体芯片。所述树脂部分包括第一表面和第二表面,其彼此相对并大体上与虚平面平行地扩张。衬底20位于树脂部分的第一表面侧上。多个端子44-46;404-406;414-416;424-426;434-436;444-446;454-456;464-466;474-476;484-486;或494-496在虚平面的方向从树脂部分突出并被焊接到衬底20上。散热部分43,403,413,423,433,443,453,463,473,483,或493被设置在树脂部分的第二表面侧上以释放在半导体芯片中产生的热量。所述多个端子中的一个45,405,415,425,435,445,455,465,475,485,或495被连接到散热部分,使得热量从所述多个端子之一传导至散热部分。
当使用半导体模块40,400,410,420,430,440,450,460,470,480,或490来提供高电流时,高电流流过特定端子45,405,415,425,435,445,455,465,475,485,或495。因此,不仅半导体芯片41,401,411,421,431,441,451,461,471,481,或491,而且上述端子45,405,415,425,435,445,455,465,475,485,或495也产生热量。因此,在本发明的实施例中,特定端子45,405,415,425,435,445,455,465,475,485,或495连接到散热部分43,403,413,423,433,443,453,463,473,483,或493。结果,在特定端子45,405,415,425,435,445,455,465,475,485,或495中产生的热量也被传导至散热部分43,403,413,423,433,443,453,463,473,483,或493。因此,尽可能改善了半导体模块40,400,410,420,430,440,450,460,470,480,或490的散热性能。
如果存在多于一个的特定端子,则可以分别对应于所述多于一个的特定端子来提供相互绝缘的多于一个的散热部分。
平行于虚平面的散热部分43,413,433,443,453,463,473,483,或493的截面面积可以等于或大于平行于虚平面的树脂部分42,412,432,442,452,462,472,482,或492的截面面积。
因此,使得散热部分43,413,433,443,453,463,473,483,或493的表面面积较大,因此显示出半导体模块40,410,430,440,450,460,470,480,或490的甚至更高的散热性能。
散热部分43,423,433,443,453,463,473,483、或493在垂直于虚平面的方向的厚度可以等于或大于树脂部分42,422,432,442,452,462,472,482,或492在垂直于虚平面的方向的厚度。
因此,使得散热部分43,423,433,443,453,463,473,483,或493的热容量较大,因此释放从半导体芯片41,421,431,441,451,461,471,481,或491传输的充分热量。
散热部分43,443,453,463,473,483,或493可以在散热部分的表面上包括细长凹槽47,48;447,448;457,458;467,468;477,478;487,488;或497,498,其在从第二表面侧的散热部分的相对侧。
因此,使得散热部分43,443,453,463,473,483,或493的表面面积较大,因此显示出半导体模块40,440,450,460,470,480,或490的甚至更高的散热性能。当散热部分43,443,453,463,473,483,或493被例如散热凝胶61覆盖时,凝胶61的移动受到细长凹槽47,48;447,448;457,458;467,468;477,478;487,488;或497,498的限制。
到目前为止,已经描述了用于在相反方向从衬底20释放热量的半导体模块的配置。另外,树脂部分442,452,462,或472可以在树脂部分的第一表面侧上包括导热部分449,459,469,479,或47B;并且该导热部分朝着衬底20释放热量。在这种情况下,可以由导热树脂来形成导热部分449,459,469,479,或47B。或者,可以由金属材料来形成导热部分449,459,469,479,或47B。因此,同样在衬底20的方向释放热量,因此半导体模块440,450,460,或470的散热性能进一步得到改善。
如果将半导体模块布置为相互邻近,例如,则当通过朝着衬底20释放热量来向衬底的图案传导热量时,半导体模块可能受到来自其它模块的热量的影响。因此,树脂部分482,或492可以在树脂部分的第一表面侧上包括绝热部分48C或49C;并且绝热部分限制热量朝着衬底20的传导。结果,限制了从衬底20传导的热量对半导体模块的影响。
除树脂部分的上表面侧和下表面侧之外,树脂部分452,472,或492可以包括横向散热部分45A,47A,或49A,其从位于树脂部分的第一表面与第二表面之间的树脂部分的横向侧突出。例如,可以将连接到半导体芯片451,471,或491的板状金属部件形成为从树脂部分452,472,或492的横向侧突出。因此,半导体模块450,470,或490的散热性能进一步得到改善。
本领域的技术人员将很容易想到附加优点和修改。因此,本发明在其广泛方面不限于所示的和所述的特定细节、代表性装置、和说明性示例。
Claims (9)
1.一种适合于封装在衬底(20)上的半导体模块,该半导体模块包括:
半导体芯片(41,401,411,421,431,441,451,461,471,481,491),其具有开关功能;
树脂部分(42,402,412,422,432,442,452,462,472,482,492),其被形成为覆盖半导体芯片,其中:
所述树脂部分包括第一表面和第二表面,其彼此相对并与虚平面平行地延伸;以及
衬底(20)位于树脂部分的第一表面侧上;
多个端子(44-46;404-406;414-416;424-426;434-436;444-446;454-456;464-466;474-476;484-486;494-496),其在虚平面的方向从树脂部分突出并被焊接到衬底(20)上;以及
散热部分(43,403,413,423,433,443,453,463,473,483,493),其被设置在树脂部分的第二表面侧上以释放在半导体芯片中产生的热量,其中所述多个端子之一(45,405,415,425,435,445,455,465,475,485,495)被直接电连接到所述散热部分,使得热量从所述多个端子之一直接传导至所述散热部分。
2.根据权利要求1的半导体模块,其中所述平行于虚平面的散热部分(43,413,433,443,453,463,473,483,493)的截面面积等于或大于平行于虚平面的树脂部分(42,412,432,442,452,462,472,482,492)的截面面积。
3.根据权利要求1的半导体模块,其中散热部分(43,423,433,443,453,463,473,483,493)在垂直于虚平面的方向的厚度等于或大于树脂部分(42,422,432,442,452,462,472,482,492)在垂直于虚平面的方向的厚度。
4.根据权利要求1的半导体模块,其中散热部分(43,443,453,463,473,483,493)在散热部分的表面上包括细长凹槽(47,48;447,448;457,458;467,468;477,478;487,488;497,498),其在从第二表面侧的散热部分的相对侧。
5.根据权利要求1的半导体模块,其中:
树脂部分(442,452,462,472)在树脂部分的第一表面侧上包括导热部分(449,459,469,479,47B);以及
所述导热部分朝着衬底(20)释放热量。
6.根据权利要求5的半导体模块,其中,导热部分(449,459,469,479,47B)由导热树脂形成。
7.根据权利要求5的半导体模块,其中,导热部分(449,459,469,479,47B)由金属材料形成。
8.根据权利要求1的半导体模块,其中:
树脂部分(482,492)在树脂部分的第一表面侧上包括绝热部分(48C,49C);以及
所述绝热部分限制热量朝着衬底(20)的传导。
9.根据权利要求1的半导体模块,其中,树脂部分(452,472,492)包括横向散热部分(45A,47A,49A),其从位于树脂部分的第一表面与第二表面之间的树脂部分的横向侧突出。
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JP6278695B2 (ja) * | 2013-12-26 | 2018-02-14 | 株式会社デンソー | 電子制御ユニット、および、これを用いた電動パワーステアリング装置 |
JP6115465B2 (ja) * | 2013-12-26 | 2017-04-19 | 株式会社デンソー | 電子制御ユニット、および、これを用いた電動パワーステアリング装置 |
CN106716815B (zh) * | 2014-09-25 | 2019-03-15 | 日立汽车系统株式会社 | 电力变换装置 |
JP6418041B2 (ja) * | 2015-04-06 | 2018-11-07 | 株式会社デンソー | 電子制御装置 |
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JP6838501B2 (ja) * | 2017-06-14 | 2021-03-03 | 株式会社デンソー | 電子制御装置、および、これを用いた電動パワーステアリング装置 |
CN113889417B (zh) * | 2021-09-30 | 2024-09-27 | 深圳市电通材料技术有限公司 | 一种基板的制作工艺 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1433071A (zh) * | 2001-12-27 | 2003-07-30 | 三星电机株式会社 | 芯片封装及其制造方法 |
CN101053078A (zh) * | 2004-10-06 | 2007-10-10 | 关西电力株式会社 | 用树脂覆盖的耐高压半导体器件及其制造方法 |
Family Cites Families (39)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01101655A (ja) * | 1987-10-15 | 1989-04-19 | Nec Corp | 半導体装置のパッケージ |
JPH03101542U (zh) * | 1990-02-01 | 1991-10-23 | ||
US6019457A (en) * | 1991-01-30 | 2000-02-01 | Canon Information Systems Research Australia Pty Ltd. | Ink jet print device and print head or print apparatus using the same |
JP2684893B2 (ja) | 1991-08-28 | 1997-12-03 | 日本電気株式会社 | 混成集積回路装置 |
JP2828358B2 (ja) | 1991-09-20 | 1998-11-25 | 沖電気工業株式会社 | 半導体放熱構造 |
US5387314A (en) * | 1993-01-25 | 1995-02-07 | Hewlett-Packard Company | Fabrication of ink fill slots in thermal ink-jet printheads utilizing chemical micromachining |
JP3198796B2 (ja) * | 1993-06-25 | 2001-08-13 | 富士電機株式会社 | モールドモジュール |
US5467251A (en) * | 1993-10-08 | 1995-11-14 | Northern Telecom Limited | Printed circuit boards and heat sink structures |
JPH0846104A (ja) * | 1994-05-31 | 1996-02-16 | Motorola Inc | 表面実装電子素子およびその製造方法 |
JP3515830B2 (ja) * | 1994-07-14 | 2004-04-05 | 富士写真フイルム株式会社 | インク噴射記録ヘッドチップの製造方法、インク噴射記録ヘッドの製造方法および記録装置 |
JP2611671B2 (ja) | 1994-07-26 | 1997-05-21 | 日本電気株式会社 | 半導体装置 |
JPH0890769A (ja) * | 1994-09-27 | 1996-04-09 | Sharp Corp | ひだ付きダイアフラム型インクジェットヘッド |
TW414760B (en) * | 1995-04-26 | 2000-12-11 | Canon Kk | Liquid ejecting head, liquid ejecting device and liquid ejecting method |
JPH0922970A (ja) * | 1995-07-06 | 1997-01-21 | Fujitsu Ten Ltd | 電子部品 |
US5828394A (en) * | 1995-09-20 | 1998-10-27 | The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University | Fluid drop ejector and method |
JP2685039B2 (ja) | 1995-12-08 | 1997-12-03 | 日本電気株式会社 | 半導体装置 |
US20040130599A1 (en) * | 1997-07-15 | 2004-07-08 | Silverbrook Research Pty Ltd | Ink jet printhead with amorphous ceramic chamber |
US7337532B2 (en) * | 1997-07-15 | 2008-03-04 | Silverbrook Research Pty Ltd | Method of manufacturing micro-electromechanical device having motion-transmitting structure |
US7556356B1 (en) * | 1997-07-15 | 2009-07-07 | Silverbrook Research Pty Ltd | Inkjet printhead integrated circuit with ink spread prevention |
US6648453B2 (en) * | 1997-07-15 | 2003-11-18 | Silverbrook Research Pty Ltd | Ink jet printhead chip with predetermined micro-electromechanical systems height |
US7195339B2 (en) * | 1997-07-15 | 2007-03-27 | Silverbrook Research Pty Ltd | Ink jet nozzle assembly with a thermal bend actuator |
AUPP398798A0 (en) * | 1998-06-09 | 1998-07-02 | Silverbrook Research Pty Ltd | Image creation method and apparatus (ij43) |
US6682174B2 (en) * | 1998-03-25 | 2004-01-27 | Silverbrook Research Pty Ltd | Ink jet nozzle arrangement configuration |
US6213589B1 (en) * | 1997-07-15 | 2001-04-10 | Silverbrook Research Pty Ltd. | Planar thermoelastic bend actuator ink jet printing mechanism |
US6188415B1 (en) * | 1997-07-15 | 2001-02-13 | Silverbrook Research Pty Ltd | Ink jet printer having a thermal actuator comprising an external coil spring |
US6540332B2 (en) * | 1997-07-15 | 2003-04-01 | Silverbrook Research Pty Ltd | Motion transmitting structure for a nozzle arrangement of a printhead chip for an inkjet printhead |
US6471336B2 (en) * | 1997-07-15 | 2002-10-29 | Silverbrook Research Pty Ltd. | Nozzle arrangement that incorporates a reversible actuating mechanism |
US6886917B2 (en) * | 1998-06-09 | 2005-05-03 | Silverbrook Research Pty Ltd | Inkjet printhead nozzle with ribbed wall actuator |
US6902255B1 (en) * | 1998-10-16 | 2005-06-07 | Silverbrook Research Pty Ltd | Inkjet printers |
US20010050843A1 (en) * | 1998-12-07 | 2001-12-13 | Pioneer Corporation | Radiation structure for heating element |
JP2001351929A (ja) * | 2000-06-09 | 2001-12-21 | Hitachi Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2003023126A (ja) * | 2001-07-10 | 2003-01-24 | Mitsumi Electric Co Ltd | 半導体装置 |
US20040080028A1 (en) * | 2002-09-05 | 2004-04-29 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device with semiconductor chip mounted in package |
JP4173751B2 (ja) * | 2003-02-28 | 2008-10-29 | 株式会社ルネサステクノロジ | 半導体装置 |
JP2004349347A (ja) * | 2003-05-20 | 2004-12-09 | Rohm Co Ltd | 半導体装置 |
JP2005159238A (ja) * | 2003-11-28 | 2005-06-16 | Renesas Technology Corp | 半導体装置 |
JP2007251076A (ja) * | 2006-03-20 | 2007-09-27 | Hitachi Ltd | パワー半導体モジュール |
US7541681B2 (en) * | 2006-05-04 | 2009-06-02 | Infineon Technologies Ag | Interconnection structure, electronic component and method of manufacturing the same |
JP2011023463A (ja) | 2009-07-14 | 2011-02-03 | Denso Corp | 半導体モジュール |
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Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1433071A (zh) * | 2001-12-27 | 2003-07-30 | 三星电机株式会社 | 芯片封装及其制造方法 |
CN101053078A (zh) * | 2004-10-06 | 2007-10-10 | 关西电力株式会社 | 用树脂覆盖的耐高压半导体器件及其制造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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