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CN101855717B - 在线型晶圆输送装置 - Google Patents

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CN101855717B
CN101855717B CN2007801014565A CN200780101456A CN101855717B CN 101855717 B CN101855717 B CN 101855717B CN 2007801014565 A CN2007801014565 A CN 2007801014565A CN 200780101456 A CN200780101456 A CN 200780101456A CN 101855717 B CN101855717 B CN 101855717B
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Abstract

在线型晶圆输送装置具有如下结构：用于从外部输入未处理晶圆以及将处理后晶圆输出到外部的装载锁定室(51)、被连接到装载锁定室的第一端输送室(54a)、至少一个中间输送室(54b)、被设置成彼此相邻并且能够独立处理的多组处理模块对(52a、52b)、以及被布置在与装载锁定室所在侧相反的一侧的端部的第二端输送室(54c)被串联连接。分别在第一端输送室和中间输送室之间、在中间输送室之间、以及在中间输送室和第二端输送室之间一个接一个地配置各组处理模块(52a、52b、52c、52d)。

Description

在线型晶圆输送装置
技术领域
本发明涉及一种半导体制造装置和制造方法，更具体地，涉及一种具有紧凑结构的在线型(inline-type)晶圆输送装置。
背景技术
存在几种类型的传统的半导体晶圆输送装置，这些传统的半导体晶圆输送装置均具有大的缺点。传统的簇型(cluster-type)晶圆输送装置具有如下结构：在位于中央的机器手室的周围放射状地配置多个处理模块。安装该簇型晶圆输送装置要求大的占用空间(footprint)。此外，每个处理模块中每次处理完成时，晶圆就被暂时置于缓冲部等并且等待下一处理，因此，装置整体的处理速度较慢。此外，在大多数情况下，由于设计的原因，簇型晶圆输送装置中的处理模块的最大数量通常被限于5个或6个。
与簇型装置的处理速度相比，在线型晶圆输送装置具有较高的处理速度。然而，由于在线型晶圆输送装置的直线结构，难以将在线型晶圆输送装置应用到最新的半导体制造设备的构造。此外，在传统的在线型晶圆输送装置中，当在半导体制造过程中在真空环境下输送晶圆时，可能存在如下情况：由于晶圆输送装置的部件之间的摩擦导致产生不期望程度的粒子。
图1示出了传统的在线型晶圆输送装置的平面图(例如，参照专利文献1)。在晶圆输送装置10中，各处理模块13a至13g彼此邻近地配置并且以串联的方式连接。各处理模块被闸阀(未图示)分开。晶圆被机器手室11内的机器手12从装载室14输送到第一处理模块13a并且在各处理模块中被顺次处理。处理后晶圆被机器手12从最后的处理模块13g输送到卸载室15。不需要用于输送晶圆的额外机器手或机器手室，因此，晶圆输送装置10所需的占用空间较小。
图2示出了图1所示的在线型晶圆输送装置10的部分剖视图。晶圆21被安装于承载件23并且从某一处理模块被输送到下一处理模块。在各处理模块中，晶圆21被升高基台26从承载件23升高并且被处理，然后被再次安装在承载件23上并且被输送至下一处理模块。借助于诸如辊25等移送机构使承载件23移动。当晶圆21被输送至相邻的下一处理模块时，闸阀24被打开，从而使相邻的两个处理模块处于彼此不气密性地密封的状态。已经在某一处理模块中经受过处理的晶圆21待机直到下一处理模块变空。
图3示出了另一传统的在线型晶圆输送装置30的平面图(例如，参照专利文献2)。在线型晶圆输送装置30包括两个晶圆传送盒(front opening unified pods)(FOUP)31a和31b。例如，FOUP 31a具有两个装载室32a和32b，该两个装载室32a和32b均具有存储未处理晶圆的盒，FOUP 31b具有两个卸载室33a和33b，该两个卸载室33a和33b均具有用于存储处理后晶圆的盒。晶圆输送装置30还包括用于在晶圆的输送过程中暂时放置晶圆的缓冲室36a至36d。处理时，晶圆被机器手室34a内的机器手35a从装载室32a或32b内的盒输送至第一缓冲室36a。如示意性示出地那样，晶圆输送装置30包括位于缓冲室之间的机器手室38a至38c。在各缓冲室及其相邻的机器手室之间以及在各机器手室及其相邻的处理模块之间，如示意性示出地那样设置闸阀39。暂时置于缓冲室36a的晶圆被机器手室38a内的机器手输送至第一处理模块37a并且在第一处理模块37a中被处理。随后，晶圆再次被机器手室38a内的机器手输送至第二处理模块37b并且在第二处理模块37b中被处理。已经在第二处理模块37b中经受过处理的晶圆被机器手室38a内的机器手放置在第二缓冲室36b中。进一步地，晶圆被第二机器手室38b内的机器手从缓冲室36b输送到第三处理模块37c。此后，类似地，晶圆被从处理模块37c顺次移动至处理模块37f并且在处理模块37f中被处理。已经在所有的处理模块中经受过处理的晶圆被暂时放置在缓冲室36d中，然后被机器手室34b内的机器手35b存储在FOUP 31b的卸载室33a或33b内的盒中。晶圆输送装置30具有能够根据需要灵活地增加处理模块的数量的优点。
图4示出了传统的簇型晶圆输送装置的平面图(例如，参照专利文献3)。晶圆输送装置40包括：入口模块45a，晶圆46经由该入口模块45a从外部被输入；出口模块45b，晶圆46经由该出口模块45b被输出到外部；输送室42a和42b，其用于将晶圆输送到处理模块41b、41c、41f和41g；以及输送机器手43a和43b，其分别被设置在输送室42a和42b内。主控制器47经由标准通信总线48与各处理模块控制器P、入口模块45a、出口模块45b以及操作器控制面板通信。入口模块45a内的尚未被处理的晶圆46被输送室42a内的输送机器手43a暂时放置在对准器(aligner)44上并且在对准器44上调整晶圆的定向。然后，对准器44上的晶圆被输送机器手43a或43b输送到例如处理模块41b或41c并且在处理模块41b或41c中被处理，然后被再次返回到对准器44。在重复该任务之后，已经在处理模块41b、41c、41f和41g经受过处理的晶圆被输送机器手43a返回到出口模块45b。
[专利文献1]美国专利申请第2006/0102078号公报说明书
[专利文献2]美国专利申请第7,210,246号说明书
[专利文献3]日本特表平1-500072号公报
发明内容
然而，图1和图2所示的在线型晶圆输送装置10需要包括能够在晶圆输送装置10内保持将被处理的晶圆的移动式承载件23和用于使承载件23移动的诸如辊25等移送机构。在该情况下，产生如下问题：晶圆输送装置10的结构变复杂并且价格变贵。此外，承载件23在诸如辊25等移送机构上移动，因此，由于这些部件之间的摩擦导致很容易产生粒子。粘到晶圆输送装置10内的被输送的晶圆20的粒子使得形成于晶圆的膜的品质劣化。
图3所示的传统的在线型晶圆输送装置30需要用于暂时放置晶圆的缓冲室36a至36d，使装置变得更加复杂。此外，由于这些缓冲室，晶圆输送装置30所需的占用空间变得较大。此外，如果试图实现不使用缓冲室36a至36d的晶圆输送装置30，则需要将例如已经在第二处理模块37b中经受过处理的晶圆从机器手室38a直接传送至下一机器手室38b。也就是，需要在机器手之间传送晶圆。如果采用这样的结构，晶圆输送装置30的操作精度和可靠性降低。
传统的簇型晶圆输送装置40具有以位于中央的输送室42a和42b为中心放射状地配置处理模块的结构，因此，产生占用空间大的问题。此外，对于簇型晶圆输送装置40，在将晶圆输送至各处理模块之前需要将晶圆暂时放置在对准器44上。需要该对准器44使得整个装置的占用空间进一步增大。然后，每次处理完成后，晶圆就需要被放置于对准器44，因此，需要复杂的输送任务。
为了解决上述传统问题，本发明的目的是实现一种能够抑制粒子的产生、避免复杂输送机构并且具有小占用空间的简单构造的在线型晶圆输送装置。
为了实现上述目的，根据本发明的串联晶圆输送装置具有如下结构：用于从外部输入未处理晶圆以及将处理后晶圆输出到外部的装载锁定室、被连接到所述装载锁定室的第一端输送室、至少一个中间输送室、多组处理模块、以及被布置在与所述装载锁定室所在侧相反的一侧的端部的第二端输送室被串联连接，其中，各组处理模块均由被设置成彼此相邻并且能够独立进行处理的一对处理模块构成，分别在所述第一端输送室和所述中间输送室之间、在所述中间输送室之间、以及在所述中间输送室和所述第二端输送室之间各配置一组处理模块来配置各组处理模块。
所述第一端输送室、所述中间输送室和所述第二端输送室均可以具有能够同时输送至少两个晶圆的输送机构。
第一端输送室和第二端输送室也可以被构造成均具有至少一个输送机构并至少具有彼此垂直的第一侧面和第二侧面。各中间输送室也可以被构造成具有至少一个输送机构并且具有大致方形的平面形状和四个表面。各处理模块也可以被构造成至少具有彼此垂直的第一侧面和第二侧面。
在这种情况下，所述第一端输送室的第一侧面和第二侧面分别被连接到构成第一组处理模块的一个处理模块的第一侧面和另一个处理模块的第一侧面。各中间输送室的第一侧面和第二侧面分别被连接到位于该中间输送室的前方且与该中间输送室最接近的处理模块组中的一个处理模块的第二侧面和另一个处理模块的第二侧面。各中间输送室的第三侧面和第四侧面分别被连接到位于该中间输送室的后方且与该中间输送室最接近的处理模块组中的一个处理模块的第一侧面和另一个处理模块的第一侧面。所述第二端输送室的第一侧面和第二侧面分别被连接到位于该第二端输送室的前方且与该第二端输送室最接近的处理模块组中的一个处理模块的第二侧面和另一个处理模块的第二侧面。
输送室和处理模块可以被构造成具有例如方形和圆形等各种平面形状，并且如上所述构造的侧面不是必须的。属于每组处理模块的处理模块对可以被构造成经由方向彼此垂直的两个闸阀中的一个闸阀被连接到与该处理模块相邻的输送室中的一个输送室，并且经由另一个闸阀被连接到与该处理模块相邻的另一个输送室。
所述第一端输送室的第一和第二侧面、所述中间输送室的第一至第四侧面、所述第二端输送室的第一和第二侧面、以及所述处理模块的第一和第二侧面均具有允许晶圆通过的水平缝。此外，所述处理模块具有用于放置晶圆的台。
在中间输送室具有大致方形的平面形状的上述结构中，如果假定第一端输送室、中间输送室和第二端输送室的总数为m，则处理模块的最大数量n被表示为n＝2(m-1)。
经由闸阀连接装载锁定室、第一端输送室、中间输送室、处理模块以及第二端输送室。
装载锁定室可以包括输送机构以及第一缓冲室和第二缓冲室。在这种情况下，第一端输送室被构造成具有大致方形的平面形状和四个侧面。第一端输送室的第三侧面和第四侧面分别被连接到第一缓冲室和第二缓冲室。由第一端输送室的输送机构将未处理晶圆从第一缓冲室输入到被连接于第一端输送室的一个处理模块。由第一端输送室的输送机构将处理后晶圆从被连接于第一端输送室的另一个处理模块输出到第二缓冲室。即使当第一端输送室具有圆形平面形状或者除了方形之外的平面形状，也仅需要将第一端输送室连接到装载锁定室的第一缓冲室和第二缓冲室的每一方。
根据本发明，实现了能够抑制粒子的产生、避免复杂输送机构并且具有小占用空间的在线型晶圆输送装置。
附图说明
图1是传统的在线型晶圆输送装置的平面图。
图2是图1所示的传统的在线型晶圆输送装置的部分剖视图。
图3是另一传统的在线型晶圆输送装置的平面图。
图4是传统的簇型晶圆输送装置的平面图。
图5是本发明的在线型晶圆输送装置的平面图。
图6是根据本发明的在线型晶圆输送装置的实施方式的平面图。
图7是根据本实施方式的在线型晶圆输送装置的另一构成例的平面图。
图8是示出当在与图6的晶圆输送装置的结构类似的结构中进行具体处理时的构成例的图。
图9是示出当在与图7的晶圆输送装置的结构类似的结构中增加处理模块和中间输送室的数量时的构成例的图。
图10是示出与图6中的晶圆输送装置的结构类似的结构的具体示例的图。
图11是示出利用与图7所述的实施方式类似的本实施方式中的在线型晶圆输送装置进行实际处理的情况的图。
图12是示出在为图11所示的在线型晶圆输送装置进一步增加两个处理模块和一个中间输送室之后进行实际处理的情况的图。
图13是示出利用与图12中的在线型晶圆输送装置类似的在线型晶圆输送装置进行实际处理的情况的图。
图14是示出利用与图10所示的在线型晶圆输送装置类似的在线型晶圆输送装置进行实际处理的情况的图。
图15是示出利用与图14中的在线型晶圆输送装置类似的在线型晶圆输送装置进行实际处理的情况的图。
图16是示出利用与图14中的在线型晶圆输送装置类似的在线型晶圆输送装置进行实际处理的情况的图。
图17是示出利用与图14中的在线型晶圆输送装置类似的在线型晶圆输送装置进行实际处理的情况的图。
图18是示出利用与图14中的在线型晶圆输送装置类似的在线型晶圆输送装置进行实际处理的情况的图。
图19是示出利用具有图14所示的结构的在线型晶圆输送装置进行实际处理的情况的图，在该结构中，处理模块的数量是八个，中间输送室的数量是三个。
图20是示出当在根据本发明的晶圆输送装置中使用第二端输送室时以及当不使用第二端输送室时的晶圆输送装置的吞吐量(throughput)和处理时间的关系的比较的图。
附图标记说明
10：晶圆输送装置
11：输送室
12：机器手
13a-13g：处理模块
14：装载室
15：卸载室
21：晶圆
23：承载件
24：闸阀
25：辊
26：升高基台
30：晶圆输送装置
31a、31b：FOUP
32a、32b：装载室
33a、33b：处理模块
34a、34b：输送室
35a、35b：机器手
36a-36d：缓冲室
37a-37f：处理模块
38a-38c：输送室
39：闸阀
40：晶圆输送装置
41b、41c、41f、41g：处理模块
42a、42b：输送室
43a、43b：输送机器手
44：对准器
45a：入口模块
45b：出口模块
46：晶圆
47：主控制器
48：标准通信总线
50：晶圆输送装置
51：装载锁定室
52a-52d：处理模块
54a：第一端输送室
54b：中间输送室
54c：第二端输送室
55a-55c：输送机构
56a-56j：闸阀
60：晶圆输送装置
61：FOUP
61a：装载室
61b：卸载室
62a-62d：处理模块
64a：第一端输送室
64b-64d：中间输送室
64e：第二端输送室
65a-65e：输送机构
66：闸阀
70：晶圆输送装置
71：装载锁定室
71a：装载室
71b：卸载室
71c：输送机构
71d、72e缓冲室
72a-72d：处理模块
74a：第一端输送室
74b：中间输送室
74c：第二端输送室
75a：输送机构
80：晶圆输送装置
81：FOUP
81a：装载室
81b：卸载室
82a-82h：处理模块
84a：第一端输送室
84b-84d：中间输送室
84e：第二端输送室
87：阴极电极
90：晶圆输送装置
91：装载锁定室
91d、92e：缓冲室
91f：输送室
92a：处理模块
98：空间
100、110、120、130、140、150、160、170、180、190：晶圆输送装置
101a、111a、121a、131a、141a、151a、161a、171a、181a、191a：装载室
101b、111b、121b、131b、141b、151b、161b、171b、181b、191b：卸载室
102a-102d、112a-112d、122a-122f、132a-132f、142a-142f、152a-152j、162a-162j、172a-172j、182a-182j、192a-192j：处理模块
105a、105b：臂
107：阴极电极
114a：第一端输送室
115a：第一晶圆保持部件
124d：第二端输送室
125a：输送机构
具体实施方式
图5是本发明的在线型晶圆输送装置的平面图。晶圆输送装置50包括装载锁定室51、第一端输送室54a、一组第一处理模块52a和第二处理模块52b、中间输送室54b、一组第三处理模块52c和第四处理模块52d、以及第二端输送室54c。第二端输送室54c被布置在晶圆输送装置50的位于与装载锁定室51所在侧相反的一侧的端部，并且在第二端输送室54c之后没有布置其它部件。
装载锁定室51被构造成从外部(大气侧)输入未处理晶圆以及将处理后晶圆输出到外部(大气侧)，并且装载锁定室51包括排气机构(未示意性示出)。装载锁定室51可以包括多个装载/卸载室(未示意性示出)，该装载/卸载室被构造成从外部(大气侧)输入未处理晶圆以及将处理后晶圆输出到外部(大气侧)。在这种情况下，当各处理模块中的处理返回到装载锁定室51时，利用输送机构55a从一个装载/卸载室输入到处理模块52a中的晶圆被送到相同的装载/卸载室或者另一个装载/卸载室并被输出到外部。
第一端输送室54a、中间输送室54b和第二端输送室54c分别包括用于输送晶圆的输送机构55a、55b和55c。输送机构55a至55c均被构造成具有用于移动晶圆的臂的机器手。
第一端输送室54a经由闸阀56a和56b被连接到装载锁定室51。在第一端输送室54a和中间输送室54b之间，并列地配置一对第一处理模块52a和第二处理模块52b。第一处理模块52a分别经由闸阀56c和56e被连接到第一端输送室54a和中间输送室54b。第二处理模块52b分别经由闸阀56d和56f被连接到第一端输送室54a和中间输送室54b。第一处理模块52a和第二处理模块52b被构造成能够彼此独立地处理晶圆。
图5所示的晶圆输送装置50包括一个中间输送室和两组处理模块，但是，本实施方式不限于这种结构。根据需要的处理数量，晶圆输送装置50可以包括多个中间输送室和三组以上的处理模块。即，在第一端输送室和第一个中间输送室之间、在中间输送室之间以及在最后一个中间输送室和第二端输送室之间分别配置一对能够独立处理的处理模块。
未处理晶圆被从外部输入到装载锁定室51的装载室(未示意性示出)。打开闸阀56a和56c并且由输送机构55a将晶圆从装载锁定室51输送到第一处理模块52a。关闭已经被打开的闸阀56a和56c并且在第一处理模块52a内处理晶圆。当处理完成时，打开闸阀56e和56g并且由输送机构55b将晶圆从第一处理模块52a输送到第三处理模块52c。关闭已经被打开的闸阀56e和56g并且在第三处理模块52c内处理晶圆。
本实施方式中的晶圆输送装置的特征在于：设置第二端输送室(图5中的54c)，该第二端输送室被连接到最后组处理模块(图5中的第三处理模块52c和第四处理模块52d)的位于与装载锁定室51所在侧相反的一侧。该第二端输送室位于晶圆输送装置的端部。
利用这种结构，可以由第二端输送室54c内的输送机构55c将如上所述在第一处理模块52a和第三处理模块52c中处理过的晶圆输送到与第三处理模块52c平行配置的第四处理模块52d。在操作中，在打开闸阀56i和56j之后，输送机构55c将第三处理模块52c内的晶圆移动到第四处理模块52d。关闭已经被打开的闸阀56i和56j并且在第四处理模块52d内处理晶圆。当处理完成时，打开闸阀56h和闸阀56f并且由输送机构55b将晶圆输送到第二处理模块52b。关闭已经被打开的闸阀56h和56f并且在第二处理模块52b内处理晶圆。当处理完成时，打开闸阀56d和56b并且由输送机构55a将处理后晶圆输送到装载锁定室51，并且将该晶圆从卸载室(未示意性示出)输出到外部。
在本实施方式中，也可以在由中间输送室54b将在处理模块52a中经受过处理的晶圆输送到处理模块52c并且在处理模块52c中处理该晶圆的同时，由第一端输送室54a将未处理晶圆从装载室(未示意性示出)输送到处理模块52a，因此，提高了装置整体的处理速度。
在本实施方式中，也可以将输送机构55a至55c构造成能够同时输送至少两个晶圆。例如，输送机构55a至55c均被构造成具有两个能够独立操作的臂的晶圆保持部件。利用这种结构，例如可以利用输送机构55a的一个臂将未处理晶圆从装载锁定室51输送到第一处理模块52a并且同时利用输送机构55a的另一个臂将处理后晶圆从第二处理模块52b输送到装载锁定室51。因此，提高了装置整体的吞吐量。
本实施方式的在线型晶圆输送装置不需要例如图2所示的承载件23和辊25等移送机构。因此，在晶圆的输送过程中不容易产生粒子。此外，与如图3所示的使用缓冲室的输送装置相比，该晶圆输送装置具有较简单的结构和较小的占用空间。此外，不需要机器手在机器手之间直接传送晶圆，因此，可以实现具有高可靠性的晶圆输送装置。另外，与图4所示的簇型输送装置相比，该晶圆输送装置具有非常简单的结构和小的占用空间。如上所述，根据本发明，可以综合地解决现有技术的上述问题。
第一实施方式
图6是根据本发明的在线型晶圆输送装置的实施方式的平面图。晶圆输送装置60包括代替图5中的装载锁定室51的FOUP(晶圆传送盒)61，该FOUP 61包括装载室61a和卸载室61b。FOUP 61被连接到第一端输送室64a。当然，也可以使用装载锁定室51来代替FOUP 61。
除了上述FOUP 61之外，晶圆输送装置60包括：第一端输送室64a；四组处理模块对(第一处理模块62a和第二处理模块62b、第三处理模块62c和第四处理模块62d、第五处理模块62e和第六处理模块62f、以及第七处理模块62g和第八处理模块62h)；中间输送室64b、64c和64d；以及第二端输送室64e。如在图5中那样，经由闸阀66连接各部件。通过设置闸阀，可以减少在处理模块之间混入的异物的数量。
晶圆输送装置60中的各部件之间的基本的连接关系与晶圆输送装置50中的各部件之间的基本的连接关系相同，并且晶圆输送装置60的特征在于设置第二端输送室64e，该第二端输送室64e被连接到最后一组处理模块(图6中的第七处理模块62g和第八处理模块62g)的位于与FOUP 61所在侧相反的一侧。第二端输送室64e位于晶圆输送装置60的端部。
除了该特征之外，晶圆输送装置60的显著特征在于各部件的形状。如图6所示，各中间输送室64b至64d优选具有当从上方看时为大致方形的平面形状。例如，各中间输送室的平面形状为大致方形并且各中间输送室被布置成使得方形的各边相对于晶圆输送装置60的纵向(图6中的水平方向)形成大约45°的角度。中间输送室64b至64d在垂直于图6中的纸面的方向上均具有四个侧面并且每个侧面均经由闸阀66被连接到与该中间输送室相邻的处理模块。例如，每个侧面可以包括允许晶圆通过的水平缝(slit)。
除了连接到FOUP 61的侧面之外，第一端输送室64a具有用于连接到属于与第一端输送室64a相邻的一组处理模块对的第一处理模块62a和第二处理模块62b中的每一方的两个侧面。这两个侧面可以包括允许晶圆通过的水平缝。此外，这两个侧面被构造成形成一个角度，以不留额外间隙地配置第一端输送室64a、第一处理模块62a和第二处理模块62b、以及第一中间输送室64b。优选地，由于第一中间输送室64b具有大致方形的平面形状，因此，所述角度为大约90°。
各处理模块62a至62h均具有用于连接到与该处理模块相邻的第一端输送室64a、中间输送室64b至64d或第二端输送室64e的两个侧面。这两个侧面可以包括允许晶圆通过的水平缝。此外，这两个侧面被构造成形成一个角度，以不留额外间隙地配置各输送室和各处理模块。例如，所述角度为大约90°。处理模块62a至62h不是必须具有大致方形的平面形状，而是可以具有例如图6所示的附图标记62e等各种平面形状。
第二端输送室64e至少具有用于连接到属于与该第二端输送室相邻的一组处理模块对的两个处理模块62g和62h的两个侧面。这两个侧面可以包括允许晶圆通过的水平缝。此外，这两个侧面被构造成形成一个角度，以不留额外间隙地配置第二端输送室64e和与该第二端输送室相邻的两个处理模块62g和62h。例如，所述角度为大约90°。
可以将输送室和处理模块构造成具有例如方形和圆形等各种平面形状并且具有上述结构的侧面不是必须的。仅需要将该结构设计成使得属于每组处理模块的处理模块对(例如，图6中的62a和62b)分别经由方向彼此垂直的两个闸阀中的一个闸阀被连接到与该处理模块相邻的输送室中的一个输送室(例如，图6中的64a)并且经由两个闸阀中的另一个闸阀被连接到与该处理模块相邻的另一个输送室(例如，图6中的64b)。
处理模块62a至62h被构造成能够进行例如蚀刻处理、物理气相沉积(PVD)处理、化学气相沉积(CVD)处理、热处理、对准(定位)处理等。如图6所示，可以将本实施方式中的晶圆输送装置构造成：在与现有技术相比保持小的占用空间的同时，通过不留间隙地配置具有紧凑结构的输送室和处理模块而包括多个输送室。
在每个处理模块中处理时，晶圆被放置在处理模块内的台(step)上。在本实施方式中，每个输送室仅将晶圆从某一处理模块移动到下一个处理模块，并不需要复杂的晶圆输送。此外，不是必须沿着输送路径的路线布置用于暂时放置晶圆的缓冲室。
在本实施方式中，也可以在由中间输送室65b将在处理模块62a中经受过处理的晶圆输送到处理模块62c并且在处理模块62c中处理该晶圆的同时，由第一端输送室64a将未处理晶圆从装载室61a输送到处理模块62a，因此，提高了装置整体的处理速度。
随后，各输送机构也可以被构造为具有两个能够同时独立操作的臂且同时被构造成能够同时输送至少两个晶圆。利用这种结构，与例如图4所示的传统的晶圆输送装置相比，本实施方式中的晶圆输送装置可以实现更高的吞吐量。
利用如图6所示的结构，可以被配置在晶圆输送装置中的处理模块的最大数量n可以被表示为n＝2(m-1)。这里，m是输送室(第一端输送室、中间输送室以及第二端输送室)的数量。
图7示出了根据本实施方式的晶圆输送装置的另一构成例的平面图。晶圆输送装置70包括装载锁定室71、第一端输送室74a、一个中间输送室74b、第二端输送室74c、以及第一至第四处理模块72a至72d。
装载锁定室71包括装载室71a、卸载室71b、输送机构71c、第一缓冲室71d和第二缓冲室72e。第一端输送室74a具有大致方形的平面形状，并且除了连接到处理模块72a和72b的第一侧面和第二侧面之外，第一端输送室74a还具有分别连接到装载锁定室71的第一缓冲室71d和第二缓冲室71e的第三侧面和第四侧面。由输送机构71c将未处理晶圆从外部输入到装载室71a并且将该晶圆放置在缓冲室71d中。利用第一端输送室74a的输送机构75a将该晶圆从缓冲室71d输送到第一处理模块72a。此后，以与图6类似方式被输送并且经受过处理的处理后晶圆被输送机构75a从第二处理模块72b输入到第二缓冲室71e中，并且被装载锁定室71中的输送机构71c进一步输送到卸载室71b并且被输出到外部。晶圆输送装置70也显示出与图6中的晶圆输送装置60的效果相同的效果。
即使第一端输送室74a具有圆形平面形状或者除了方形之外的平面形状，也可以在图6中应用装载锁定室71。在这种情况下，第一端输送室74a经由具有彼此垂直的方向的两个闸阀被连接到例如第一缓冲室和第二缓冲室的每一方。
图8示出了当在与图6中的晶圆输送装置60的结构类似的结构中进行具体处理时的构成例。在图8中，各晶圆通过多个处理模块82a至82h并且在经过处理之后返回到FOUP 81。作为示例，在图8中，第一处理模块82a是用于清洁晶圆的污染物的热处理模块，第三处理模块82c是用于去除晶圆上的氧化物的蚀刻模块。此外，第五处理模块82e是具有阴极电极87的PVD模块，该阴极电极87保持四个靶材，用于通过同时溅射或至少按顺序的成膜处理在晶圆上形成不同材料的膜。第七处理模块82g和第八处理模块82h均是具有单一靶材的PVD模块。第六处理模块82f和第二处理模块82b均是具有两个靶材的PVD模块。第四处理模块82d是用于对准(定位)晶圆或者进行热处理的缓冲模块。
如示意性示出地那样，各处理模块具有不同的尺寸，然而，各处理模块的被连接到与该处理模块相邻的输送室的两个侧面被构造成能够实现侧面和输送室之间的不留额外的间隙的配置。这些侧面均可以包括在晶圆的输送过程中允许晶圆通过的缝。优选地，各处理模块内的台相对于这些缝被配置在上下方向上的相同位置。因此，更容易由输送机构输送晶圆。对于大尺寸的处理模块，也可以将与该处理模块相邻的至少一个输送室的尺寸构造成比与该处理模块相邻的另一个输送室的尺寸小。
为了获得高的吞吐量，需要使各处理模块中的处理时间基本上相等。当在整个晶圆输送装置80中处理一个晶圆所需的节拍时间(tact time)是36秒时，晶圆输送装置80的吞吐量是100pph，一小时能处理100个晶圆。当节拍时间是12秒时，吞吐量是300pph，一小时能处理300个晶圆。
此外，如果各输送室均被构造成具有能够同时输送两个晶圆的两个独立臂，则可以进一步减少输送时间，因此，提高了吞吐量。在这种情况下，例如，在由第一中间输送室84b内的输送机构的一个臂将晶圆从第一处理模块82a输送到第三处理模块82c的同时，由第一中间输送室84b内的另一个臂将另一个晶圆从第四处理模块82d输送到第二处理模块82b。
与图6所示的例子相比，图8所示的晶圆输送装置80使用了多种处理模块并且无论处理模块的形状如何都能够连续进行八种处理，并且显示出吞吐量高的独特效果。如果处理模块和输送室的数量进一步增加，则可以对晶圆连续地进行更多种类的处理。
图9示出了在与晶圆输送装置70的结构类似的结构中增加处理模块和中间输送室的数量的构成例。如上所述，可以使用例如图9中的92a等多种处理模块。可以配置的处理模块的最大数量n被表示为n＝2(m-1)。这里，m是包括FOUP 91内的输送室91f的输送室的数量。
在图9中的晶圆输送装置90中，在缓冲室91d和91e之间具有空间98，因此可以向该部分增加例如对准器等部件。
图10示出了具体表示与图6中的晶圆输送装置60的结构类似的结构的示例。晶圆输送装置100包括10个处理模块，该处理模块具有保持各种靶材材料的两个或四个阴极电极107。此外，各输送室具有包括两个臂105a和105b的双臂结构。如图中带箭头的虚线所示，晶圆被从装载室101a输送到卸载室101b并且在各处理模块中被处理。双臂结构使得可以在利用一个臂105a将晶圆从第一处理模块102a输送到第三处理模块102c的同时，将另一个晶圆从第四处理模块102d输送到第二处理模块102b。因此，提高了晶圆输送装置100整体的吞吐量。
图11示出了利用与图7所示的在线型晶圆输送装置类似的本实施方式中的在线型晶圆输送装置110进行实际处理的情况。假设在晶圆上形成用于半导体器件的例如LaHfOx和LaAlox等绝缘膜。
首先，在未处理晶圆被从装载室111a的外部(大气侧)输入到装载室111a时，利用排气机构(未示意性示出)对装载室111a进行排气。接着，利用构成第一端输送室114a内的输送机构的第一晶圆保持部件115a将未处理晶圆输入到第一处理模块112a，并且进行晶圆的脱气处理或者晶圆的预清洁。接着，在第三处理模块112c内，通过RF溅射在晶圆上形成LaHfOx膜、LaAlOx膜、或者这些膜的层叠膜。例如，第三处理模块112c的内部包括保持靶材材料LaHfOx或LaAlOx的阴极电极。当例如氩(Ar)气等气体经由气体导入口(未示意性示出)被导入到第三处理模块112c中并且接着向上述阴极电极施加RF电力时，在处理模块112c内产生等离子体。从等离子体引出的氩离子等与靶材碰撞，并且在晶圆上形成作为溅射粒子的期望膜。如果需要，在第四处理模块112d内对晶圆进行UHV退火并且随后在第二处理模块112b内对晶圆进行预定处理之后，从卸载室111b输出最后被处理的晶圆。
图12示出了在为图11所示的在线型晶圆输送装置进一步增加第五处理模块122e和第六处理模块122f以及一个中间输送室之后进行实际处理的情况。假设用于形成配线用Al膜的顺序的流程，该配线用Al膜包括用于存储系统的通孔填充(via holefilling)。膜结构被设计成例如Ti(20nm)/TiN(60nm)/Seed-Al(200nm)/Fill-Al(450nm)。
首先，将未处理晶圆从外部(大气侧)输入到装载室121a并且对装载室121a进行排气。接着，在将未处理晶圆输入到第一处理模块122a之后进行晶圆的脱气处理，并且在第三处理模块122c内进行晶圆表面的预清洁。接着，将晶圆输入到第五处理模块122e，顺次形成钛膜(例如，20nm)和TiN膜(例如，60nm)。接着，利用第二端输送室124d内的输送机构125a将晶圆从第五处理模块122e输入到第六处理模块122f并且形成Seed-Al膜(例如，200nm)。接着，将晶圆从第六处理模块122f输入到第四处理模块122d并且形成Fill-Al膜(例如，450nm)。接着，将晶圆从第四处理模块122d输入到第二处理模块122b并且在冷却之后将上述晶圆从卸载室输出到外部(大气侧)。在图12中，在122e中形成厚度为20nm的Ti膜，在122f中形成厚度为200nm的Seed-Al膜，然而，通过准备两个处理模块122e，也可以在第一个处理模块122e中形成厚度为10nm的Ti膜且在第二个处理模块122e中形成厚度为10nm的Ti膜，于是形成总厚度为20nm的Ti膜。例如，如果122e中的膜形成需要两分钟且122f中的膜形成需要一分钟，通过准备两个处理模块122e，晶圆可以不用等待处理，结果，可以提高吞吐量。
图13示出了利用与图12类似的晶圆输送装置130进行实际处理的情况。假设的处理是在不使磁性层叠膜暴露于大气的情况下蚀刻该磁性层叠膜之后通过CVD形成覆盖膜的处理/膜形成连续处理。例如，待蚀刻的膜结构是PR/Ta/TMR。从外部输入的未处理晶圆被从装载室131a输送到第一处理模块132a。首先，如果需要，在第一处理模块132a中进行第一抗蚀剂(resist)的修整，在第三处理模块132c中使用该抗蚀剂作为掩模利用CF4系气体对Ta膜进行反应离子蚀刻(RIE)。此外，为了剥离抗蚀剂，在同一处理模块132c中去除抗蚀剂。在晶圆被输送到第五处理模块132e中之后，在该处理模块中，在CH3OH处理中对具有TMR结构的磁性层叠膜进行RIE。晶圆被进一步输送到第六处理模块132f，并且在利用CH3OH进行RIE之后进行离子束蚀刻(IBE)以清洁表面。在经受过IBE的晶圆在真空中被连续输送之后，在第四处理模块132d中通过等离子体化学气相沉积(CVD)或远程等离子体CVD而形成氮化膜、氧化膜、碳化膜等。此外，如果需要，在第二处理模块132b中进行预定处理。
图14示出了利用如图10所示的在线型晶圆输送装置140进行实际处理的情况。假设用于在磁性阻抗随机存取存储器(MRAM)中的存储单元部中形成TMR层叠膜的顺序的流程。膜结构被设计为例如Ta(20nm)/Ru(5nm)/IrMn(7nm)/CoFe(2.5nm)/Ru(0.9nm)/CoFeB(3nm)/MgO(1nm)/CoFeb(3nm)/Ta(2nm)/Ru(10nm)/Ta(30nm)。
在第一处理模块142a中进行晶圆的蚀刻之后，通过DC溅射分别在第三处理模块142c中形成Ta膜(例如，20nm)、在第五处理模块142e中形成Ru膜(例如，5nm)、在第七处理模块142g中形成IrMn膜(例如，7nm)和CoFe膜(例如，2.5nm)、在第九处理模块142i中形成Ru膜(例如，0.9nm)和CoFeB膜(例如，3nm)。进一步，在第十处理模块142j中，通过RF溅射形成MgO膜(例如，1nm)。此外，通过DC溅射分别在第八处理模块142h中形成CoFeb膜(例如，3nm)和Ta膜(例如，2nm)、在第六处理模块142f中形成Ru膜(例如，10nm)、在第四处理模块142d中形成Ta膜(例如，30nm)。此外，如果需要，在第二处理模块142b中进行预定处理。在上述处理中，通过RF溅射形成MgO膜。在图14中，在142c中形成厚度为20nm的Ta膜，在142e中形成厚度为5nm的Ru膜，然而，通过准备两个处理模块142c，也可以在第一个处理模块142c中形成厚度为10nm的Ta膜且在第二个处理模块142c中形成厚度为10nm的Ta膜，于是形成总厚度为20nm的Ta膜。例如，如果142c中的膜形成需要两分钟且142e中的膜形成需要一分钟，通过准备两个处理模块142c，晶圆可以不用等待处理，结果，可以提高吞吐量。
在图14中，第一处理模块142a是蚀刻模块。
图15示出了利用与图14类似的在线型晶圆输送装置150进行实际处理的情况。假设用于在MRAM所使用的存储单元部中形成TMR层叠膜的顺序的流程。膜结构被设计为例如Ta(20nm)/Ru(5nm)/IrMn(7nm)/CoFe(2.5nm)/Ru(0.9nm)/CoFeB(3nm)/MgO(1nm)/CoFeB(3nm)/Ta(2nm)/Ru(10nm)/Ta(30nm)。
在第一处理模块152a中进行晶圆的蚀刻之后，分别在第三处理模块152c中形成Ta膜(例如，20nm)、在第五处理模块152e中形成Ru膜(例如，5nm)、在第七处理模块152g中形成IrMn膜(例如，7nm)和CoFe膜(例如，2.5nm)、在第九处理模块152i中形成Ru膜(例如，0.9nm)和CoFeB膜(例如，3nm)。进一步，在第十处理模块152j中形成Mg膜(例如，1nm)并且在第八处理模块152h中氧化该Mg膜。随后，分别在第六处理模块152f中形成CoFeB膜(例如，3mm)和Ta膜(例如，2nm)、在第四处理模块152d中形成Ru膜(例如，10nm)、在第二处理模块152b中形成Ta膜(例如，30nm)。在上述处理中，通过DC溅射形成Mg膜，并且随后在氧化处理中形成MgO膜。在图15中，在152c中形成厚度为20nm的Ta膜，在152e中形成厚度为5nm的Ru膜，然而，通过准备两个处理模块152c，也可以在第一个处理模块152c中形成厚度为10nm的Ta膜且在第二个处理模块152c中形成厚度为10nm的Ta膜，于是形成总厚度为20nm的Ta膜。例如，如果152c中的膜形成需要两分钟且152e中的膜形成需要一分钟，通过准备两个处理模块152c，晶圆可以不用等待处理，结果，可以提高吞吐量。
在图15中，第一处理模块152a是蚀刻模块，第八处理模块152h是氧化模块。
图16示出了利用与图14类似的在线型晶圆输送装置160进行实际处理的情况。假设用于形成CrOx/AlOx层叠膜、CrOx单层膜或AlOx单层膜的顺序的流程，其中，CrOx/AlOx层叠膜、CrOx单层膜或AlOx单层膜是用在半导体器件中的绝缘膜。在第一处理模块162a中经受过脱气处理的晶圆被输送到第三处理模块162c并且在晶圆上形成Cr膜之后，在第五处理模块162e中通过氧化处理形成CrOx膜。AlOx膜的形成是同样的，即，在第十处理模块162j中形成Al膜之后，在第八处理模块162h中通过氧化处理形成AlOx膜。根据需要的膜厚度，通过如图16所示准备多组(未示意性示出)Cr膜形成模块(162c、162g)和氧化模块(162e、162i)，可以无需返回输送就能形成CrOx膜。类似地，根据需要的膜厚度，通过准备多组(未示意性示出)Al膜形成模块(162j、162f)和氧化模块(162h、162d)，可以无需返回输送就能形成AlOx膜。在完成期望的CrOx/AlOx层叠膜、CrOx单层膜或AlOx单层膜的形成之后，在第二处理模块162b中进行退火处理。
在图16中，第一处理模块162a是脱气模块，第五处理模块162e、第九处理模块162i、第八处理模块162h和第四处理模块162d均为氧化模块，第二处理模块162b为退火模块。
图17示出了利用与图14类似的在线型晶圆输送装置170进行实际处理的情况。假设用于形成CrOx/AlOx层叠膜、CrOx单层膜或AlOx单层膜的顺序的流程，其中，CrOx/AlOx层叠膜、CrOx单层膜或AlOx单层膜是用在半导体器件中的绝缘膜。在第一处理模块172a中经受过脱气处理的晶圆被输送到第三处理模块172c并且在晶圆上形成Cr膜之后，在第五处理模块172e中通过氧化处理形成CrOx膜。AlOx膜的形成是同样的，即，在第十处理模块172j中形成Al膜之后，在第八处理模块172h中通过氧化处理形成AlOx膜。根据需要的膜厚度，准备多组(未示意性示出)Cr膜形成模块(172c、172g)和氧化模块(172e、172i)，并且通过返回输送重复膜形成和氧化。当形成厚度为20nm的CrOx膜时，在Cr膜形成模块中形成厚度为1nm的Cr膜之后，在氧化模块中氧化该Cr膜以形成厚度为2nm的CrOx膜，随后重复该组任务十次，从而形成厚度为20nm的CrOx膜。AlOx膜的形成也是同样的。在完成期望的CrOx/AlOx层叠膜、CrOx单层膜或AlOx单层膜的形成之后，在第二处理模块172b中进行退火处理。
在图17中，第一处理模块172a也是脱气模块，第五处理模块172e、第九处理模块172i、第八处理模块172h和第四处理模块172d也均为氧化模块，第二处理模块172b也是退火模块。
图18示出了利用与图14类似的在线型晶圆输送装置180进行实际处理的情况。假设用于形成LaAlOx膜的顺序的流程，其中，LaAlOx膜是用在半导体器件中的绝缘膜。在第三处理模块182c中通过La和Al的共同溅射形成LaAl合金膜之后，在第五处理模块182e中通过氧化处理形成LaAlOx膜。此外，在第七处理模块182g中通过La和Al的共同溅射形成LaAl膜之后，在第九处理模块182i中通过氧化处理形成LaAlOx膜。类似地，重复膜形成(第十处理模块182j)和氧化(第八处理模块182h)、膜形成(第六处理模块182f)和氧化(第四处理模块182d)。为了形成期望的LaAlOx膜，重复上述处理。
在图18中，第一处理模块182a也是脱气模块，第五处理模块182e、第九处理模块182i、第八处理模块182h和第四处理模块182d也均为氧化模块，第二处理模块182b也是退火模块。
图19示出了利用在线型晶圆输送装置190进行实际处理的情况，除了处理模块的数量是八个且中间输送室的数量是三个之外，该在线型晶圆输送装置190具有与图14所示的结构相同的结构。假设用于形成配线用Al膜的顺序的流程，其中该配线用Al膜包括用在存储系统装置中的通孔埋设。膜结构被设计为例如Ti(20nm)/TiN(60nm)/Seed-Al(200nm)/Fill-Al(450nm)/TiN(100nm)。首先，将未处理晶圆从外部(大气侧)输入到装载室191a并且对装载室191a进行排气。接着，在未处理晶圆被输入到第一处理模块192a之后，对晶圆进行脱气处理，并且在第三处理模块192c内进行晶圆表面的预清洁。接着，将晶圆输入到第五处理模块192e，并且顺次形成钛膜(例如，20nm)和TiN膜(例如，60nm)。接着，将晶圆从第五处理模块192e输入到第七处理模块192g并且形成Seed-Al膜(例如，200nm)。接着，利用端部输送室194e内的输送机构195a将晶圆从第七处理模块192g输入到第八处理模块192h并且形成Fill-Al膜(例如，450nm)。接着，将晶圆从第八处理模块192h输入到第六处理模块192f，在上述晶圆被冷却之后，在第四处理模块192d或第二处理模块192b中形成TiN的ARC Cap膜，并且将晶圆从卸载室191b输出到外部(大气侧)。在图19中，在192e中形成厚度为20nm的Ti膜，在192g中形成厚度为200nm的Seed-Al膜，然而，通过准备两个处理模块192e，也可以在第一个处理模块192e中形成厚度为10nm的Ti膜且在第二个处理模块192e中形成厚度为10nm的Ti膜，于是形成总厚度为20nm的Ti膜。例如，如果192e中的膜形成需要两分钟且192g中的膜形成需要一分钟，通过准备两个处理模块192e，晶圆可以不用等待处理，结果，可以提高吞吐量。
在图19中，第一处理模块192a是脱气模块，第三处理模块192c是预清洁模块，第六处理模块192f是冷却模块。
在图10至图19所示的实施方式中，各处理模块被示出为具有双臂结构，然而，各处理模块也可以具有单臂结构。
表1和图20示出了当在本发明的晶圆输送装置中使用第二端输送室时以及当不使用第二端输送室时的晶圆输送装置的吞吐量和处理时间之间的关系。在表1中，np表示晶圆输送装置所包括的处理模块的数量，tp表示一个处理模块所需的处理时间，tR表示一个输送室在位于其前后的处理模块之间输送晶圆所需的输送时间。表1中的最长时间是所有处理模块中的处理的最长处理时间。使用第二端输送室时的最长时间以tp和tR之和计算，不使用第二端输送室时的最长时间以tp和2tR之和计算。“Wph(每小时的晶圆)”表示每小时将要处理的晶圆的数量。
表1示出了假设np＝6且tR＝2时并且处理时间tp被设定为当第二端输送室存在和不存在时的多个值的吞吐量。图20示出了纵轴表示吞吐量且横轴表示处理时间的图。当处理时间短时，第二端输送室存在时和不存在时的差异显著，并且可以看出：通过在本发明中使用第二端输送室增大了晶圆输送装置的每单位时间的晶圆处理能力。
[表1]
np＝处理模块的数量
tp＝处理时间
tR＝输送时间
Figure GPA00001135057200281
Figure GPA00001135057200291

Claims (15)

1.一种在线型晶圆输送装置，其中：
用于从外部输入未处理晶圆以及将处理后晶圆输出到外部的装载锁定室、被连接到所述装载锁定室的第一端输送室、至少一个中间输送室、多组处理模块、以及被布置在与所述装载锁定室所在侧相反的一侧的端部的第二端输送室被串联连接，其中，各组处理模块均由被设置成彼此相邻并且能够独立进行处理的一对处理模块构成，
分别在所述第一端输送室和所述中间输送室之间、当所述中间输送室不只一个时在所述中间输送室之间、以及在所述中间输送室和所述第二端输送室之间各配置一组处理模块来配置各组处理模块；以及
所述第二端输送室位于所述在线型晶圆输送装置的端部。
2.根据权利要求1所述的在线型晶圆输送装置，其特征在于，
所述第一端输送室、所述中间输送室和所述第二端输送室均具有能够同时输送至少两个晶圆的输送机构。
3.根据权利要求1所述的在线型晶圆输送装置，其特征在于：
所述第一端输送室和所述第二端输送室均具有至少一个输送机构并至少具有彼此垂直的第一侧面和第二侧面；
所述中间输送室均具有至少一个输送机构，并且具有大致方形的平面形状和四个侧面；
所述处理模块均至少具有彼此垂直的第一侧面和第二侧面；
所述第一端输送室的第一侧面和第二侧面分别被连接到构成第一组处理模块的一个处理模块的第一侧面和另一个处理模块的第一侧面；
各中间输送室的第一侧面和第二侧面分别被连接到位于该中间输送室的前方且与该中间输送室最接近的处理模块组中的一个处理模块的第二侧面和另一个处理模块的第二侧面；各中间输送室的第三侧面和第四侧面分别被连接到位于该中间输送室的后方且与该中间输送室最接近的处理模块组中的一个处理模块的第一侧面和另一个处理模块的第一侧面；
所述第二端输送室的第一侧面和第二侧面分别被连接到位于该第二端输送室的前方且与该第二端输送室最接近的处理模块组中的一个处理模块的第二侧面和另一个处理模块的第二侧面。
4.根据权利要求3所述的在线型晶圆输送装置，其特征在于：
所述第一端输送室的第一和第二侧面、所述中间输送室的第一至第四侧面、所述第二端输送室的第一和第二侧面、以及所述处理模块的第一和第二侧面均具有允许晶圆通过的水平缝；以及
所述处理模块具有用于放置晶圆的台。
5.根据权利要求1所述的在线型晶圆输送装置，其特征在于：
所述第一端输送室和所述第二端输送室均具有至少一个输送机构，各中间输送室均具有至少一个输送机构；以及
属于各组处理模块的一对处理模块分别经由方向彼此垂直的两个闸阀中的一个闸阀被连接到与该处理模块相邻的输送室中的一个输送室并且经由另一个闸阀被连接到与该处理模块相邻的另一个输送室。
6.根据权利要求1所述的在线型晶圆输送装置，其特征在于，
当所述第一端输送室、所述中间输送室和所述第二端输送室的总数为m时，所述处理模块的最大数量n被表示为n＝2(m-1)。
7.根据权利要求1所述的在线型晶圆输送装置，其特征在于，
经由闸阀连接所述装载锁定室、所述第一端输送室、所述中间输送室、所述处理模块以及所述第二端输送室。
8.根据权利要求3所述的在线型晶圆输送装置，其特征在于：
所述装载锁定室包括输送机构以及第一缓冲室和第二缓冲室；
所述第一端输送室具有大致方形的平面形状和四个侧面，并且所述第一端输送室的第三侧面和第四侧面分别被连接到所述第一缓冲室和所述第二缓冲室。
9.根据权利要求5所述的在线型晶圆输送装置，其特征在于：
所述装载锁定室包括输送机构以及第一缓冲室和第二缓冲室；
所述第一端输送室被连接到所述第一缓冲室和所述第二缓冲室。
10.根据权利要求8所述的在线型晶圆输送装置，其特征在于：
由所述第一端输送室的输送机构将未处理晶圆从所述第一缓冲室输入到被连接于所述第一端输送室的一个处理模块；以及
由所述第一端输送室的输送机构将处理后晶圆从被连接于所述第一端输送室的另一个处理模块输出到所述第二缓冲室。
11.根据权利要求8所述的在线型晶圆输送装置，其特征在于，
在所述第一缓冲室和所述第二缓冲室之间设置有空间。
12.根据权利要求1所述的在线型晶圆输送装置，其特征在于：
所述处理模块的数量是六个；以及
一个输送室在位于该输送室前后的处理模块之间输送晶圆所需的输送时间是两秒，各处理模块中的最长处理时间是十秒。
13.根据权利要求9所述的在线型晶圆输送装置，其特征在于：
由所述第一端输送室的输送机构将未处理晶圆从所述第一缓冲室输入到被连接于所述第一端输送室的一个处理模块；以及
由所述第一端输送室的输送机构将处理后晶圆从被连接于所述第一端输送室的另一个处理模块输出到所述第二缓冲室。
14.根据权利要求9所述的在线型晶圆输送装置，其特征在于，
在所述第一缓冲室和所述第二缓冲室之间设置有空间。
15.根据权利要求10所述的在线型晶圆输送装置，其特征在于，
在所述第一缓冲室和所述第二缓冲室之间设置有空间。
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