CN101768229B - 制造高度氢化的嵌段共聚物的方法 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种制造高度氢化的乙烯基芳香族/共轭二烯嵌段共聚物的方法，所述乙烯基芳香族/共轭二烯嵌段共聚物的氢化率大于90％。所得到的高度氢化的乙烯基芳香族/共轭二烯嵌段共聚物具有适合应用于光盘、光学薄膜、导光板等领域的有利的物理性质。

Description

制造高度氢化的嵌段共聚物的方法

技术领域

本发明涉及一种制造氢化的嵌段共聚物的方法，且特别涉及一种用于量产制造高度氢化(substantially hydrogenated)的乙烯基芳香族/共轭二烯嵌段共聚物的方法。

背景技术

乙烯基芳香族/共轭二烯嵌段共聚物一般包含乙烯基芳香族聚合物嵌段以及共轭二烯聚合物嵌段。部分氢化的乙烯基芳香族/共轭二烯嵌段共聚物，例如部分氢化的苯乙烯-丁二烯-苯乙烯，习称SEBS(Styrene-Ethylene-Butylene-Styrene)，部分氢化的苯乙烯-异戊二烯-苯乙烯，习称SEPS(Styrene-Ethylene-Propylene-Styrene)在本领域中是公知的，而这里所使用的名称“部分氢化”表示嵌段聚合物的二烯部分的氢化已达95％以上，但乙烯基芳香族部分的芳香族氢化小于90％。尽管上述部分氢化的乙烯基芳香族/共轭二烯嵌段共聚物已于各种不同的领域中应用，然而其遭受了一些缺点，包括抗热性低、物理性质差、加工性差、以及光稳定性差等问题，而本领域技术人员则已试图通过增加嵌段聚合物的芳香环部分的氢化率以解决上述缺点。

高度氢化的乙烯基芳香族/共轭二烯嵌段共聚物表示具有氢化率大于90％，而该高度氢化的乙烯基芳香族/共轭二烯嵌段共聚物具有高透明度、高玻璃化转变温度、低吸水性、好的强度、好的韧性、好的耐候性、良好的熔融加工性、以及较低的双折射特性等优点，因而使得这些材料成为适于包含光盘物件、组装物件、热塑型(thermoformed)物件、挤出成型物件、注射成型物件、薄膜及类似物等众多应用中的理想选择。

由于高度氢化的乙烯基芳香族/共轭二烯嵌段共聚物可广泛应用于众多领域中，因此需要一种可适用于量产上述高度氢化的乙烯基芳香族/共轭二烯嵌段共聚物的方法。

发明内容

本发明的一个目的为提供一种制造高度氢化的乙烯基芳香族/共轭二烯嵌段共聚物的方法，该高度氢化的乙烯基芳香族/共轭二烯嵌段共聚物是指具有氢化率大于90％，其优选大于95％，而更优选大于99％。所述名称“氢化率”是指原有芳香环部份的未饱和键经由氢化而变成饱和的比例。

本发明的另一个目的为提供一种适于移除高度氢化的乙烯基芳香族/共轭二烯嵌段共聚物的聚合物溶液中的制程溶剂的溶剂脱除工艺。

在本发明的一个实施例中，一种制造高度氢化的嵌段共聚物的方法包括：氢化由乙烯基芳香族聚合物嵌段与共轭二烯聚合物嵌段所组成的嵌段共聚物，通过将此嵌段共聚物在氢化催化剂的存在下与氢化剂接触而得到包含具有氢化率大于90％的氢化嵌段共聚物与溶剂的聚合物溶液；利用闪沸脱挥发法(flash devolatilization)在处理温度介于200～300℃与处理压力介于1～10Bar的条件下而移除聚合物溶液中的溶剂以得到浓缩的聚合物溶液，该浓缩的聚合物溶液具有残余溶剂的含量占其总重的1～50重量％；利用脱挥发机在压力小于100托的条件下，优选为小于20托，而进一步移除浓缩的聚合物溶液中的残余溶剂，以分离出该氢化嵌段共聚物。在该实施例中，聚合物溶液优选在进入闪沸槽(flash tank)以进行利用闪沸脱挥发法移除聚合物溶液中的溶剂的步骤前维持介于9～30Bar的压力，并且先行预热以维持在介于200～300℃的温度。而当聚合物溶液进入至具有相对较低压力的闪沸槽中，则聚合物溶液中的溶剂可得以闪蒸脱除。

在本发明的实施例中，进行闪沸脱挥发法的期间所使用的压力高于一般所使用的压力，以致于其有益于提供包含氢化的嵌段聚合物的浓缩的聚合物溶液具有残余溶剂，而该残余溶剂可使得浓缩的聚合物溶液不至于太过粘稠并且易于进行后续的工艺处理。此外，由于压力的增加，使得适于闪沸脱挥发法的处理温度可降低至氢化的嵌段聚合物的熔融温度以下，进而能避免该氢化的嵌段聚合物发生降解的情形。

在移除聚合物溶液中的溶剂的工艺步骤中，大多数的溶剂可先行利用闪沸脱挥发法而移除，以得到浓缩的聚合物溶液。此浓缩的聚合物溶液具有残余溶剂的含量占浓缩的聚合物溶液的总重的1～50重量％，而优选为1～15重量％。接着，可将此浓缩的聚合物溶液移至双螺杆挤出机、薄膜蒸发机、双脱挥发机(double flash tank)或其组合，以在例如真空(如小于20托)的条件下，而进一步移除剩余溶剂。根据本发明，上述用于移除聚合物溶液中的溶剂的两步骤的溶剂脱除工艺不仅可利用一种高效率且有效的方式而进行氢化的乙烯基芳香族/共轭二烯嵌段共聚物的溶剂脱除，并可用于生产具有例如极佳的加工性与高透明度等理想性质的氢化嵌段共聚物。

所得到的高度氢化的乙烯基芳香族/共轭二烯嵌段共聚物具有适于光盘、光学薄膜、导光板等使用的有益的物理特性。

附图说明

图1为根据本发明的一实施例所提供的制造高度氢化的乙烯基芳香族/共轭二烯嵌段共聚物的方法的流程图式；及

图2为根据本发明一实施例所提供的脱挥发系统的简要图式。

主要元件符号说明

10单体/溶剂纯化

12聚合反应

14氢化反应

16过滤

17催化剂回收

18添加抗氧化剂

20溶剂移除第一步骤

21溶剂回收

22溶剂移除第二步骤

23溶剂回收

24聚合物造粒

30缓冲槽

35输送管线

40热交换器

45输送管线

50闪沸槽

55传送管线

60管线

70齿轮帮浦

80双螺杆挤出机

具体实施方式

对乙烯基芳香族/共轭二烯嵌段共聚物进行氢化的方法、以及氢化的乙烯基芳香族/共轭二烯嵌段共聚物的应用在本领域中是公知的，例如在美国专利号6,376,622、6,399,538、5,612,422、6,395,841、6,455,656、6,350,820、6,376,621、6,451,924、6,583,230及6,632,890等文件中所公开的内容，其可并入本文作为参考。然而，一种用于纯化具有氢化率大于90％的高度氢化的乙烯基芳香族/共轭二烯嵌段共聚物的溶剂脱除工艺则未受到讨论。

本发明实施例涉及一种用于量产制造高度氢化的乙烯基芳香族/共轭二烯嵌段共聚物的方法，其包括提供包含具有氢化率大于90％的氢化乙烯基芳香族/共轭二烯嵌段共聚物与溶剂的聚合物溶液，并且移除聚合物溶液中的溶剂以将氢化的乙烯基芳香族/共轭二烯嵌段共聚物分离出。此氢化的乙烯基芳香族/共轭二烯嵌段共聚物系通过将由乙烯基芳香族聚合物嵌段与共轭二烯聚合物嵌段所组成的嵌段共聚物，在氢化催化剂的存在下与氢化剂接触而得。

在此实施例中，乙烯基芳香族聚合物嵌段可由包含苯乙烯、α-甲基苯乙烯、乙烯基甲苯的所有异构物(尤其是对乙烯基甲苯)、乙基苯乙烯的所有异构物、丙基苯乙烯、乙烯联苯(vinyl biphenyl)、乙烯基萘、乙烯基蒽及类似物，以及其混合物等乙烯基芳香族单体聚合而成。而共轭二烯聚合物嵌段则可由例如包含1，3-丁二烯、2-甲基-1，3-戊二烯、异戊二烯与相似的化合物，以及其混合物等共轭二烯单体聚合而成。

此处所述的“嵌段(block)”是指共聚物的聚合片段，其显示了由来自共聚物的结构上或组成上不同的聚合片段所造成的微相分离，而微相分离的产生是由于在嵌段聚合物中的聚合片段的不相容或部分不相容所造成。有关微相分离及嵌段共聚物广泛地讨论于″Block Copolymers-Designer Soft Materials″，PHYSICS TODAY，1999二月，第32-38页。

在本发明的此实施例中，嵌段聚合物是至少一乙烯基芳香族单体及至少一个共轭二烯单体的共聚物。而乙烯基芳香族/共轭二烯嵌段共聚物可通过阴离子聚合法而形成，其范例可参考Anionic Polymerization：Principles andPractical Applications(H.L.Hsieh and R.P.Quirk，Marcel Dekker，纽约，1996)一书。而使用有机锂例如乙基、丙基、异丙基、正丁基、仲丁基、叔丁基、苯基、己基-二苯基、丁二烯基(butadienyl-)、聚苯乙烯基(polystyryl-)等锂化物，或是多官能化合物例如六亚甲基二锂、1，4-二锂丁烷、1，6-二锂己烷、1，4-二锂-2-丁烯、1，4-二锂苯等化合物作为聚合反应的引发剂是有利的，而优选使用正丁基及/或仲丁基的锂化合物作为引发剂。引发剂的含量在本领域中是公知的，并可由本领域技术人员不需经过度的实验即能轻易确知。

在本发明的此实施例中，乙烯基芳香族聚合物嵌段优选由苯乙烯所聚合而成，而共轭二烯聚合物嵌段则优选由丁二烯或异戊二烯所聚合而成。嵌段共聚物优选具有数均分子量为大约40000至150000，且更优选为大约40000至80000。而嵌段共聚物中的乙烯基芳香族聚合物嵌段与共轭二烯聚合物嵌段优选具有重量比约40∶60至约90∶10。

乙烯基芳香族/共轭二烯嵌段共聚物的聚合反应一般是在饱和烃的溶剂，或醚、苯、甲苯、二甲苯或乙苯等溶剂中进行，且优选为非极性的饱和烃溶剂，例如环己烷或甲基环己烷。

嵌段共聚物可通过使用氢化催化剂而进行氢化反应，其中氢化催化剂可包含VIII族的金属成分以及至少一种选自铼、钼、钨、钽、铌及铂的成分。此氢化催化剂可单独包含这些成分，然而优选额外包含载体(例如氧化硅(silica)、氧化铝或碳)以供上述成分沉积。而此载体例如氧化硅可优选具有孔洞尺寸，其经由汞压法(mercury porosimetry)测定至少98％的孔洞体积定义为具有直径大于600埃的孔洞。

氢化反应优选在非极性的饱和烃溶剂下实施，在这样的溶剂中，聚合物为可溶，且此种溶剂不会阻碍氢化反应的进行。此溶剂优选与进行聚合反应的溶剂相同。

氢化反应的温度可在进行氢化反应而聚合物不会受到显著降解的任何温度下实施。而在进行氢化反应后，通过侦测到数均分子量的降低、多分散性的增加或玻璃化转变温度的降低等情形可得知聚合物的降解。一般的氢化反应温度可自约40℃，优选自约100℃，更优选自约110℃，而最优选自约120℃，至约250℃，优选至约200℃，更优选至180℃，而最优选至170℃。

氢化剂可为任何能产生氢并可有效率地氢化未饱和的聚合物的化合物。氢化剂可包含但不限于氢气、联胺(hydrazine)和硼氢化钠，然而氢化剂优选为氢气。

在进行完氢化反应后，氢化催化剂可经由过滤和回收而再使用。

在本领域中，一种溶剂脱除工艺通常施以移除聚合物溶液中的残余单体、制程溶剂以及其他可挥发成分，亦即用以将聚合物自溶液中纯化出。在本领域中合适的溶剂脱除工艺包含但不限于闪沸脱挥发法、沉降法、蒸馏法、喷雾干燥法和薄膜蒸发法等，以用于移除聚合物溶液中的溶剂。此处所述的这些用以纯化或分离出聚合物的方法可单独或组合使用，其得以根据不同的聚合物类型及/或特定需求而有各式各样的设计。

在此实施例中，一种两步骤的溶剂脱除工艺系特别提供以利用一种高效率及有效的方式而移除溶剂，并纯化出高度氢化的嵌段共聚物，且不会影响到其有利的性质例如透明度等。而在移除聚合物溶液中的溶剂的工艺步骤中，大多数的溶剂可先行利用闪沸脱挥发法而移除以得到浓缩的聚合物溶液，此浓缩的聚合物溶液具有一残余溶剂的含量占浓缩的聚合物溶液的总重的1～50重量％，而优选为1～15重量％。在此步骤中，根据所使用的溶剂种类，聚合物溶液可维持介于9～30Bar的压力，并可经由热交换器预热而维持在介于200～300℃的温度，接着再将此聚合物溶液移至闪沸槽中以移除聚合物溶液中的溶剂。闪沸槽的温度可在200～300℃的温度以及1～10Bar的压力的条件下实施。当聚合物溶液进入至具有相对较低的压力的闪沸槽中，则聚合物溶液中的溶剂可得以闪蒸脱除。如此所移除的溶剂可凝结而加以回收。

接着，浓缩的聚合物溶液可移至脱挥发机，以在压力小于100托，优选在小于20托的条件下，而进一步移除残余溶剂并且分离出氢化嵌段共聚物。脱挥发机可包含双螺杆挤出机、薄膜蒸发机、双脱挥发机或其组合，而其中以螺杆挤出机为优选。所移除的残余溶剂可回收再利用。

抗氧化剂可在过滤聚合物溶液中的氢化催化剂的步骤后、以及在移除聚合物溶液中的溶剂的步骤前而添加至聚合物溶液中，如此所得到的氢化的嵌段聚合物可避免因聚合物溶液所受的高温而氧化或变色。在一实施例中，抗氧化剂可包含受阻酚类抗氧化剂或/及磷酸酯类抗氧化剂，其裂解温度优选在150℃以上。

根据本发明，上述用于移除聚合物溶液中的溶剂的两步骤工艺可用以高效率并有效地纯化氢化的乙烯基芳香族供轭二烯嵌段共聚物，且所得到的高度氢化的乙烯基芳香族/共轭二烯嵌段共聚物具有高透明度、高玻璃化转变温度、低吸水性、好的强度、好的韧性、好的耐候性、良好的熔融加工性、以及较低的双折射特性等优点，因而使得这些材料特别适用于光盘、光学薄膜、以及导光板等应用。

以下的实施例仅提供以阐述本发明，而并非意图限制本发明的范围。而其所述含量则指重量份或重量百分比，除非另有述明。

实施例

为使本发明更容易明了，以下的详细叙述均参考图1及图2，其中图1为根据本发明的一实施例所提供的制造高度氢化的乙烯基芳香族/共轭二烯嵌段共聚物的方法的流程图式，而图2则为根据本发明一实施例所提供的脱挥发系统的简要图式。

存在溶剂与单体中的不纯物和水假使在未除去前即进入聚合反应系统中，则将影响聚合反应催化剂的活性。而大量的不纯物将会使得催化剂失效或是造成聚合物溶液的理想分子量不易得到。

充填以干燥除水后的活性氧化铝的干燥塔一般可用于吸附溶剂及单体中的水分和不纯物。尽管目前工业级的溶剂例如环己烷、丁二烯及苯乙烯通常已先经过干燥塔，然而其所残存的不纯物及水分仍足以影响聚合反应的结果。因此例如丁二烯和苯乙烯等单体、以及环己烷溶剂优选更进一步经由纯化及去水步骤，如图1所示的步骤10。而在实务上，经此额外的纯化及去水步骤10后，残存在溶剂与单体中的不纯物及水分将可降至10ppm以下。

在聚合反应步骤12中，先将800公斤的环己烷溶剂注入2000升的耐压反应器中，此耐压反应器可承受10Bar的压力及150℃的温度。将特定量的乙烯基芳香族单体分成三等份，并将特定量的共轭二烯单体分成二等份，接着将一份的乙烯基芳香族单体与一份的共轭二烯单体按顺序且交替的方式而分五次添加，以制备五嵌段共聚物。在实施例1中，将149公斤的苯乙烯单体分成三等份，并将25公斤的丁二烯单体分成二等份，接着将一份的苯乙烯单体与一份的丁二烯单体按顺序且交替的方式而分五次添加，以在有机锂引发剂的存在下制备苯乙烯-丁二烯-苯乙烯-丁二烯-苯乙烯的五嵌段共聚物。

聚合反应在起始温度50℃，至100℃的反应温度下进行聚合反应。当反应物逐渐添加至耐压反应器中，由于反应热的产生，则反应压力随着温度升高而升高。

在得到苯乙烯-丁二烯-苯乙烯-丁二烯-苯乙烯的五嵌段共聚物之后，聚合反应可通过添加聚合反应终止剂甲醇而终止。由于所添加的单体几乎完全反应，因此在实施例1中所得到的苯乙烯-丁二烯-苯乙烯-丁二烯-苯乙烯的五嵌段共聚物中的苯乙烯与丁二烯具有重量比约为85∶15。

将聚合物溶液(约974公斤)与30公斤由陶氏化学公司(DOW ChemicalCompany)所提供的铂/铼-氧化硅载体氢化催化剂共同添加至500gal的循环式反应器(Loop Reactor)中，而氢化反应步骤14则在温度设定170℃和压力设定40kg/cm²的条件下进行反应至少4小时。当氢化反应结束(亦即氢气不再消耗)，则降低压力与温度，且排除多余的氢气。而此氢化后的聚合物溶液经由紫外线/可见光光谱仪在波长260.5纳米(nm)的条件下所测得的氢化率大于99％。

多数的氢化催化剂可通过过滤步骤16而自聚合物溶液中移除，并可将催化剂回收(步骤17)。此氢化后的聚合物溶液可先经由Fundabac过滤器而过滤，并且再进一步经由袋式过滤器而后续将更为细小的氢化催化剂除去。最后，过滤后的聚合物溶液将移至缓冲槽30中，并可添加抗氧化剂Irganox1010(购自制造商Ciba)至此过滤后的聚合物溶液中(步骤18)。

在本发明的此实施例中，用于移除溶剂的制程包含两步骤20和22。上述已氢化和过滤后的聚合物溶液经由输送管线35而移至热交换器40中，并且经由此热交换器40而加热至维持在约230℃的设定温度，以及约为23Bar的设定压力的条件。此加热的聚合物溶液经由温度与压力均维持在与热交换器40的温度压力条件相仿的条件下的输送管线45而连续进料至闪沸槽50中，以通过闪沸脱挥发法在约为230℃的温度以及约1～2Bar的压力条件下移除聚合物溶液中的大多数溶剂，并且得到浓缩的聚合物溶液。所移除的溶剂之后将凝结并且经由管线60而输送以进行溶剂的回收(步骤21)。而在溶剂移除第一步骤20之后，浓缩的聚合物溶液经估计所得到的残余溶剂的含量约占浓缩的聚合物溶液的总重的10重量％。溶剂移除第二步骤22是通过齿轮帮浦70而经由传送管线55，将浓缩的聚合物溶液输送至双螺杆挤出机80(JSW TEX alpha-54)，而此双螺杆挤出机80是在设定压力小于约10托以及温度约230℃的条件下进行一段适当的时间，例如2至10分钟。而在溶剂移除步骤22之后，所得到的苯乙烯-丁二烯-苯乙烯-丁二烯-苯乙烯的五嵌段共聚物可进入切粒系统形成聚合物粒子。

本发明的其他实施例的参数条件列于下列各表中。

表1：

表2：

在所得到的苯乙烯-丁二烯-苯乙烯-丁二烯-苯乙烯的嵌段共聚物、以及苯乙烯-异戊二烯-苯乙烯-异戊二烯-苯乙烯的嵌段共聚物中，嵌段共聚物的环己烷溶剂的残余量小于500ppm，而聚合物粒子通过光谱仪SE2000(NipponDenshoku Kogyo Industries Co.，Ltd.)所得到的黄色度(Yellowness Index；YI)值为1以下，其表示所得到的嵌段共聚物具有极佳的透明度和光稳定性。

尽管本发明已特别配合特定优选的实施例而描述，然而很明显地，本领域技术人员可在参考本说明书的情形下而进行多种替代、修改及变更。因此，权利要求书的范围意欲在不悖离本发明实际范围及精神下涵盖任何这些替代、修改及变更。

Claims (21)

1.一种制造高度氢化的嵌段共聚物的方法，包括：

氢化由乙烯基芳香族聚合物嵌段与共轭二烯聚合物嵌段所组成的嵌段共聚物，通过将该嵌段共聚物在氢化催化剂的存在下与氢化剂接触而得到包含具有氢化率大于90％的氢化嵌段共聚物与溶剂的聚合物溶液；

利用闪沸脱挥发法在处理温度介于200～300℃与处理压力介于1～10Bar的条件下移除该聚合物溶液中的该溶剂以得到浓缩的聚合物溶液，该浓缩的聚合物溶液具有的残余溶剂的含量占该浓缩的聚合物溶液的总重的1～50重量％；

利用脱挥发机在压力小于100托的条件下而移除该浓缩的聚合物溶液中的该残余溶剂，以分离出该氢化嵌段共聚物。

2.权利要求1的制造高度氢化的嵌段共聚物的方法，其中该乙烯基芳香族聚合物嵌段由苯乙烯聚合而成。

3.权利要求1的制造高度氢化的嵌段共聚物的方法，其中该共轭二烯聚合物嵌段由丁二烯或异戊二烯聚合而成。

4.权利要求1的制造高度氢化的嵌段共聚物的方法，其中该嵌段共聚物为至少一个乙烯基芳香族单体及至少一个共轭二烯单体的共聚物。

5.权利要求1的制造高度氢化的嵌段共聚物的方法，其中该嵌段共聚物具有数均分子量40000至150000。

6.权利要求1的制造高度氢化的嵌段共聚物的方法，其中该嵌段共聚物中的该乙烯基芳香族聚合物嵌段与该共轭二烯聚合物嵌段具有重量比40∶60至90∶10。

7.权利要求1的制造高度氢化的嵌段共聚物的方法，其中该溶剂包含非极性溶剂。

8.权利要求7的制造高度氢化的嵌段共聚物的方法，其中该溶剂包含环己烷。

9.权利要求1的制造高度氢化的嵌段共聚物的方法，其中该氢化催化剂包含VIII族的金属成分以及至少一种选自铼、钼、钨、钽、铌及铂的成分。

10.权利要求9的制造高度氢化的嵌段共聚物的方法，其中该氢化催化剂包含氧化硅。

11.权利要求1的制造高度氢化的嵌段共聚物的方法，其中该脱挥发机包含双螺杆挤出机、薄膜蒸发机、双脱挥发机或其组合。

12.权利要求1的制造高度氢化的嵌段共聚物的方法，还包括在移除该聚合物溶液中的该溶剂的步骤前，先过滤该聚合物溶液。

13.权利要求12的制造高度氢化的嵌段共聚物的方法，还包括在过滤该聚合物溶液的步骤之后、以及在移除该聚合物溶液中的该溶剂的步骤前，将抗氧化剂添加至该聚合物溶液中。

14.权利要求13的制造高度氢化的嵌段共聚物的方法，其中该抗氧化剂包含受阻酚类抗氧化剂或/及磷酸酯类抗氧化剂，该抗氧化剂的裂解温度在150℃以上。

15.权利要求1的制造高度氢化的嵌段共聚物的方法，其中该氢化剂包含氢气、联胺或硼氢化钠。

16.权利要求1的制造高度氢化的嵌段共聚物的方法，其中该嵌段共聚物通过使用聚合反应引发剂而形成，而该聚合反应引发剂包含有机锂化合物。

17.权利要求1的制造高度氢化的嵌段共聚物的方法，其中该聚合物溶液在进入闪沸槽以进行利用该闪沸脱挥发法移除该聚合物溶液中的该溶剂的步骤前是维持介于9～30Bar的压力。

18.权利要求17的制造高度氢化的嵌段共聚物的方法，其中该聚合物溶液在进入该闪沸槽以进行利用该闪沸脱挥发法移除该聚合物溶液中的该溶剂的步骤前是先行预热以维持在介于200～300℃的温度。

19.权利要求1的制造高度氢化的嵌段共聚物的方法，其中该移除该浓缩的聚合物溶液中的该残余溶剂的步骤是通过双螺杆挤出机在200～300℃的温度下进行。

20.权利要求1的制造高度氢化的嵌段共聚物的方法，其中该氢化率大于95％。

21.权利要求1的制造高度氢化的嵌段共聚物的方法，其中利用该脱挥发机而移除该浓缩的聚合物溶液中的该残余溶剂的步骤是在该压力小于20托的条件下进行，以分离出该氢化嵌段共聚物。

Images