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CN101679655A - 涂布物体 - Google Patents

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CN101679655A CN200880016789A CN200880016789A CN101679655A CN 101679655 A CN101679655 A CN 101679655A CN 200880016789 A CN200880016789 A CN 200880016789A CN 200880016789 A CN200880016789 A CN 200880016789A CN 101679655 A CN101679655 A CN 101679655A
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托马斯·E·菲斯克
约翰·M·瓦拉科姆斯基
克里斯蒂娜·A·罗顿
马克·G·C·弗雷兹
卢多·M·艾尔茨
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Dow Global Technologies LLC
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Abstract

一种涂布物体，其中所述物体的表面的至少一部分是含酰胺基的聚合物，其中所述含酰胺基的聚合物的表面的至少一部分在其上具有等离子体增强的化学气相沉积的暴露涂层。一种制备涂布物体的方法，其中所述物体的表面的至少一部分包含含酰胺的聚合物，所述方法通过如下步骤进行：通过等离子体增强的化学气相沉积涂布工艺，在含酰胺基的聚合物的表面的至少一部分上涂布，以在其上形成等离子体增强的化学气相沉积的暴露涂层。

Description

涂布物体
发明背景
本发明属于其上涂敷有涂层的物体的领域，并且更具体地，本发明属于在其上涂敷有等离子体所产生的涂层的聚合物物体的领域。
熟知的是比如在WO 2004/044039A2中所述，使用等离子体增强的化学气相沉积(PECVD)技术，用例如二氧化硅层和/或聚有机硅氧烷层涂布物体。公布号为2005-088422的日本专利申请2003-326157公开了在聚酰胺树脂膜上等离子体涂布0.02至0.03微米厚的阻隔层，但是没有报导关于涂层的粘合力的程度。聚碳酸酯片材被广泛用于上釉应用。聚碳酸酯片材的耐磨性通过在其上涂敷耐磨性PECVD涂层而明显增加。然而，耐磨性PECVD涂层在暴露于不利的气候条件之后，表现出差的对聚碳酸酯片材的粘合力。因此，对于甚至在暴露于不利的气候条件之后，还粘附于聚合物基底的PECVD耐磨性涂层(以及具有其它益处的涂层，比如水润湿性涂层)仍然存在需要。
发明内容
本发明提供了一种解决上述问题的技术方案。令人惊奇地，即使在暴露于不利的气候条件之后，本发明的涂布物体的涂层仍被粘粘附。在一个实施方案中，本发明是一种涂布物体，其中该物体的表面的至少一部分包含含有含酰胺基的聚合物单元的聚合物，并且其中包含含有含酰胺基的聚合物单元的聚合物的表面的至少一部分在其上具有等离子体增强的化学气相沉积的暴露涂层，所述等离子体增强的化学气相沉积的暴露涂层具有大于0.1微米的厚度。
在一个相关的实施方案中，本发明是制备涂布物体的方法，其中物体的表面的至少一部分包含含有含酰胺基的聚合物单元的聚合物，所述方法包括如下步骤：通过等离子体增强的化学气相沉积涂布工艺，涂布含有含酰胺基的聚合物单元的聚合物的表面的至少一部分，以在其上形成厚度大于0.1微米的等离子体增强的化学气相沉积涂层。
附图简述
图1是含有含酰胺基的聚合物单元的聚合物片材的横截面图，所述聚合物，所述含有含酰胺基的聚合物单元在其上具有等离子体增强的化学气相沉积的暴露涂层；
图2是含有含酰胺基的聚合物单元的聚合物片材的横截面图，所述聚合物片材在其上具有夹层和暴露的等离子体增强的化学气相沉积涂层；
图3是含有含酰胺基的聚合物单元的聚合物片材的横截面图，所述含有含酰胺基的聚合物单元的聚合物片材在其一侧上层压到不含有含酰胺基的聚合物单元的聚合物片材，并且所述含有含酰胺基的聚合物单元的聚合物片材的另一侧在其上具有等离子体增强的化学气相沉积的暴露涂层；
图4显示了与图3中所示结构体类似的结构体的横截面图，但其在含有含酰胺基的聚合物单元的聚合物片材和暴露的等离子体增强的化学气相沉积层之间设置有第二等离子体增强的化学气相沉积层；
图5显示了多层结构体的横截面图，所述的多层结构体具有在三层聚合物结构体的两侧上的夹层和暴露的等离子体增强的化学气相沉积涂层，其中所述第一和第三层由含有含酰胺基的聚合物单元的聚合物制成；
图6显示了多层聚碳酸酯芯结构体的横截面图，该多层聚碳酸酯芯结构体在其两侧上具有粘合聚合物层、由含有含酰胺基的聚合物单元的聚合物形成的层、等离子体增强的化学气相沉积夹层和暴露的等离子体增强的化学气相沉积涂层；以及
图7显示了多层聚碳酸酯芯结构体的横截面图，所述多层聚碳酸酯芯结构体在其两侧上具有粘合聚合物层、由含有含酰胺基的聚合物单元的聚合物形成的层以及暴露的等离子体增强的化学气相沉积涂层。
详细描述
在一个实施方案中，本发明是涂布物体，其中物体表面的至少一部分包含含有含酰胺基的聚合物单元的聚合物，并且其中含有含酰胺基的聚合物单元的聚合物的表面的至少一部分在其上具有等离子体增强的化学气相沉积涂层。令人惊奇地，本发明的涂布物体的涂层即使在暴露于不利的气候条件之后，仍然被粘附。
在本发明中使用的具体的等离子体增强的化学气相沉积技术并不是至关重要的。可以使用的等离子体增强的化学气相沉积技术的实例包括利用大气以及亚大气压的技术。等离子体可以例如是但不是限制于：电晕等离子体、火花等离子体、DC等离子体、AC等离子体(包括RF等离子体)和微波等离子体。优选地，在本发明中使用的等离子体增强的化学气相沉积技术是大气压等离子体增强的化学气相沉积。大气压等离子体增强的化学气相沉积是在本领域中熟知的，比如但不限于在美国专利6,118,218；6441,553和7,064,405以及PCT国际公布WO2000/45623；WO2002/23960；WO2004/019381；WO2006/049794和WO2006/049865中所描述的。在美国临时专利申请60/849,157序列号中详细描述的大气压、方波DC、气隙电极系统在本发明中是高度优选的。
术语“含酰胺基的聚合物单元”是指含有[-N-(C＝O)-]基团的聚合物单元。具有含酰胺基的聚合物单元的聚合物的实例包括但不限于下面的缩合聚合物和(乙烯基)加成聚合物：
          缩合聚合物                             (乙烯基)加成聚合物
Figure G2008800167892D00041
Figure G2008800167892D00042
含有含酰胺基的聚合物单元的聚合物可以选自由聚合物构成的组中，所述聚合物包括：聚酰胺、聚氨酯、聚脲、聚异氰尿酸酯、聚脲基甲酸酯、聚缩二脲、聚氨基酸、N-乙酰基-聚乙烯亚胺、N-苯甲酰基-聚乙烯亚胺、聚乙烯吡咯烷酮、聚丙烯酰胺和聚酰亚胺，以及它们的混合物，和包含它们的共聚物。聚合物可以是热塑性聚合物或热固性聚合物，但是优选热塑性类型。聚氨酯是本发明中的优选的含有含酰胺基的聚合物单元的聚合物，并且这样的聚氨酯可以是弹性体的、脂族的、透明的或热塑性的聚氨酯聚合物。可以在本发明中用于合成刚性工程热塑性聚氨酯树脂的脂族单体的实例包括但不限于下列单体：
        二醇类                            二异氰酸酯类
上述的二醇和二异氰酸酯是可以用于制备本发明的聚氨酯的环己烷二甲醇和双(异氰酸甲酯基)-环己烷的位置和几何同分异构体的具体实例。本文中的术语“位置”和“几何”同分异构体被定义在Solomons，“OrganicChemistry，”John Wiley & Sons，1976，231-232页。
当二异氰酸酯基本上由1，3-顺式、1，3-反式、1，4-顺式和1，4-反式双(异氰酸甲酯基)-环己烷的混合物构成，并且其中二醇基本上由1，3-顺式、1，3-反式、1，4-顺式和1，4-反式环己烷二甲醇的混合物构成时，则优选地，二异氰酸酯和二醇中的1，3-顺式含量在20至50重量％的范围内，二异氰酸酯和二醇中的1，3-反式含量在5至35重量％的范围内，二异氰酸酯和二醇中的1，4-顺式含量在5至30重量％的范围内，并且二异氰酸酯和二醇中的1，4-反式含量在15至50重量％的范围内。最优选地，二异氰酸酯和二醇中的1，3-顺式含量为约36重量％，二异氰酸酯和二醇中的1，3反式含量为约18重量％，二异氰酸酯和二醇中的1，4-顺式含量为约13重量％，并且二异氰酸酯和二醇中的1，4-反式含量为约33重量％。环己烷二甲醇和双(异氰酸甲酯基)-环己烷的几种位置和几何同分异构体可商购自陶氏化学公司(美国密歇根米德兰)，并且可以根据美国专利6,252,121和美国专利申请公布2004/0087754的教导进行制备，所述美国专利6,252,121和美国专利申请公布2004/0087754通过引用结合在此。
热塑性聚氨酯(TPU)是优选在本发明中使用的含有含酰胺基的聚合物单元的聚合物。TPU可以分为四类：(a)芳族弹性体的TPU(比如PELLETHANETMTPU弹性体)；(b)芳族刚性TPU(比如ISOPLASTTMTPU工程树脂)；(c)脂族弹性体的TPU(比如KRYSTALFLEX或DESMOPAN TPU弹性体)；和(d)脂族刚性TPU。(a)和(b)类的TPU通常需要对UV降解的稳定作用。例如，即使本发明的等离子体涂层在65℃水中浸渍10天之后，仍然对ISOPLASTTM 302TPU工程树脂具有优异的粘合力，但是在UV-B暴露小于100小时的情况下，观察到不稳定TPU的明显黄化。(c)和(d)类的脂族TPU具有更好的天然UV稳定性。
聚酰胺聚合物，比如尼龙-类聚合物是本发明中使用的另一种优选的含有含酰胺基的聚合物单元的聚合物。尼龙聚合物可以是无定形或半结晶的；它们还可以是脂族或芳族的。脂族尼龙由于在紫外(UV)辐照下改善，的稳定性因而被优选；然而，如果芳族尼龙对于UV降解是适当稳定的，则可以被使用。当需要透明性时，优选无定形尼龙聚合物。在一些情况下，半-结晶尼龙聚合物可以通过各种方法，包括处理条件、几何结构、添加剂和聚合物化学结构，而制备成透明的。为了概括聚酰胺聚合物的这种论述，最优选的是脂族无定形聚酰胺类比如GRILAMID TR90(EMS-Grivory)。还高度优选的是脂族半结晶聚酰胺聚合物比如TROGAMID CX(Evonik)。这种聚合物尽管是半结晶的，但是具有的晶体的尺寸非常小以致于可见光不散射，因而保持了透明性。其它可用的实例是RISLAN Clear G350(Arkema)和CRISTAMID MS1700(Arkema)。很多其它可用的聚酰胺类，普通的和不普通的，都可以在例如M.I.Kohan著的“Nylon PlasticsHandbook”(Hanser Publishers，c.1995)中找到。
优选地，在本发明中使用的等离子体增强的化学气相沉积系统是大气压等离子体增强的化学气相沉积，其中包含平衡气体和工作气体的气体混合物流入到等离子体中，进行等离子体聚合，以将涂层形成到可移动基底上。如所使用的，术语“工作气体”是指反应性物质，其在标准温度和压力下可以是或可以不是气态，即，能够在等离子体中聚合以形成到基底上的涂层。如本文使用的，术语“平衡气体”是反应性或非反应性气体，它携带工作气体通过电极，并且最终到达基底。
合适的工作气体(也称为前体)的实例包括有机硅化合物，比如硅烷、硅氧烷和硅氮烷，由从含有这些材料的挥发性液体的顶端产生，并且由载气携带以及与平衡气体合并。硅烷的实例包括二甲氧基二甲基硅烷、甲基三甲氧基硅烷、四甲氧基硅烷、甲基三乙氧基硅烷、二乙氧基二甲基硅烷、甲基三乙氧基硅烷、三乙氧基乙烯基硅烷、四乙氧基硅烷、二甲氧基甲基苯基硅烷、苯基三甲氧基硅烷、3-环氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷、3-甲基丙烯酰基丙基三甲氧基硅烷、二乙氧基甲基苯基硅烷、三(2-甲氧基乙氧基)乙烯基硅烷、苯基三乙氧基硅烷和二甲氧基二苯基硅烷。硅氧烷的实例包括四甲基二硅氧烷、六甲基二硅氧烷、八甲基三硅氧烷和原硅酸四乙酯。硅氮烷的实例包括六甲基硅氮烷和四甲基硅氮烷。硅氧烷是优选的工作气体，并且特别优选四甲基二硅氧烷。
工作气体在与平衡气体合并之前，优选被载气比如空气或氮气稀释。在载气中的工作气体的v/v浓度涉及工作气体的蒸气压，并且优选不低于1％，更优选不低于5％并且最优选不低于10％；而且优选不高于50％，更优选不高于30％，并且最优选不高于20％。通常还将氧化气体流入到等离子体增强的化学气相沉积系统中。氧化气体的一些实例是空气、氧气和一氧化二氮。
合适的平衡气体的实例包括空气、氧气、氮气、氦气和氩气，以及它们的组合。平衡气体的流量足够高，以驱动等离子体聚合工作气体到基底上。优选地，平衡气体的流量使得平衡气体经过狭缝的速率为至少1000英尺/分钟，更优选至少2000英尺/分钟并且最优选至少4000英尺/分钟；并且优选地，不大于10000英尺/分钟，更优选不大于8000英尺/分钟，最优选不大于6000英尺/分钟。控制平衡气体和工作气体的相对流量的控制还有助于在基底上形成的涂层的质量。优选地，调节流量使得平衡气体与工作气体的v/v比为至少0.002％，更优选为0.02％并且最优选为至少0.2％；并且优选不大于10％，更优选不大于6％，并且最优选为不大于1％。气体注入速度、浓度和组成的实际数值当然取决于被放置在基底上的涂层的类型，这在本领域中是很好理解的。应当理解，本发明的使用并不限于上述的值。尽管能够通过在例如但不限于电晕放电区域(即，形成电晕放电的区域)中施加真空或部分真空来实施本发明的方法，但是优选实施所述方法使得等离子体不经历任何真空或部分真空，即，在大气压或接近大气压实施。
优选地，本发明的暴露的等离子体增强的化学气相沉积涂层包含Si、O、C和H。最优选地，本发明的暴露的等离子体增强的化学气相沉积涂层具有式Si1.0O1.8-2.4C0.3-1.0H0.7-4.0。使用具有式Si1.0O1.0-5.0C1.0-5.0H0.1-10.0的“夹层”，对基底进行第一等离子体涂布可能是理想的。如例如在WO2006/049865中所述的，这种夹层通常使得暴露的等离子体增强的化学气相沉积涂层对于基底的粘合力得到改善。
本发明的暴露的等离子体增强的化学气相沉积涂层优选具有根据ASTM测试D3359-02的大于或等于4.0的粘合力，并且在根据ASTM测试D4329，在65℃水中浸渍2天、4天、8天、16天或甚至28天或更多天之后，并且甚至UV暴露200小时、400小时、1000小时或更多小时之后，粘合力还大于或等于4.0。
本发明的暴露的等离子体增强的化学气相沉积涂层的厚度大于0.1微米。优选地，本发明的暴露的等离子体增强的化学气相沉积涂层的厚度大于0.5微米。最优选地，本发明的暴露的等离子体增强的化学气相沉积涂层的厚度为约1微米以上。优选地，本发明的暴露的等离子体增强的化学气相沉积涂层的厚度为8微米以下。在一些实施方案中，该厚度为4微米以下，更优选2微米以下。
本发明的含有含酰胺基的聚合物单元的聚合物可以覆盖在芯材料上。在本发明中高度优选的芯材料包括聚碳酸酯片材或膜、聚甲基丙烯酸甲酯片材或膜以及聚烯烃片材或膜。
现在参考图1，其中显示的是涂布物体10的侧面横截面图，所述涂布物体10包含其上具有等离子体增强的化学气相沉积的暴露涂层11的聚合物12的片材。如上面详细论述的，聚合物12是含有含酰胺基的聚合物单元的聚合物，比如TPU或聚酰胺聚合物。等离子体增强的化学气相沉积涂层11可以是任何类型。然而，优选的等离子体增强的化学气相沉积涂层11是包含Si、C、O和H的涂层。最优选的等离子体增强的化学气相沉积涂层11是具有式Si1.0O1.8-2.4C0.3-1.0H0.7-4.0的涂层。涂层11的厚度大于0.1微米。涂层11的厚度优选大于0.5微米。更优选地，涂层11的厚度在1-20微米的范围内。
现在参考图2，其中显示的是涂布物体13的横截面侧视图，所述涂布物体13包含：含有含酰胺基的聚合物单元的聚合物16的片材，所述聚合物16的片材上具有第一等离子体增强的化学气相沉积涂层15和第二等离子体增强的化学气相沉积涂层14。第一等离子体增强的化学气相沉积涂层15任选在本发明中用作“夹层”，并且优选具有式Si1.0O1.0-5.0C1.0-5.0H0.1-10.0和在0.01至0.1微米的范围内的厚度。第二等离子体增强的化学气相沉积涂层14是“磨损层”，其优选具有上述参考图1所论述的厚度并且包含Si、C、O和H，以及最优选具有式Si1.0O1.8-2.4C0.3-1.0H0.7-4.0。当等离子体沉积层14没有充分粘附到被涂布的聚合物16上时，优选采用第一层15作为夹层。当被涂布的基底聚合物16是TPU或聚酰胺聚合物时，通常不一定需要使用第一层15作为夹层。当基底聚合物16是TPU或聚酰胺时，通常不需要使用等离子体夹层15来提供粘合力。如果图1所示的结构体没有良好的粘合力，则应当使用图2所示的具有等离子体夹层的结构。此外，可以使用图2所示的结构，以确保保持等离子体硬质涂层的良好粘合性。
现在参考图3，其中显示的是涂布物体17的横截面侧视图，所述涂布物体17包含：TPU聚合物19的片材，所述TPU聚合物19的片材的一侧上层压有聚碳酸酯聚合物20的片材，而TPU聚合物19的片材的另一侧上具有等离子体增强的化学气相沉积的暴露涂层18。当20是聚碳酸酯时，19是TPU，并且18是等离子体耐磨性涂层：某些TPU聚合物在没有聚合物夹层的情况下良好粘附到聚碳酸酯上，而等离子体硬质涂层在没有等离子体夹层的情况下良好地粘附到TPU上。然而，实际上，由于粘度的不同，TPU通常不与聚碳酸酯共挤出。共挤出由于低成本和容易性是优选的实施。为了将TPU涂敷到聚碳酸酯上，通常优选不同的方法比如挤出涂布或层压。
现在参考图4，其中显示的是涂布物体21的横截面侧视图，所述涂布物体21包含：含有酰胺基的聚合物24的片材构成，所述片材的一侧上层压到聚碳酸酯聚合物25的片材并且在其另一侧上涂布有第一等离子体增强的化学气相沉积涂层23和第二等离子体增强的化学气相沉积涂层22。第一等离子体增强的化学气相沉积涂层23任选在本发明中用作“夹层”并且优选具有式Si1.0O1.0-5.0C1.0-5.0H0.1-10.0和在0.01至0.1微米的范围内的厚度。第二等离子体增强的化学气相沉积涂层22是“磨损层”，其优选具有上述参考图1所论述的厚度并且优选包含Si、C、O和H以及最优选具有式Si1.0O1.8-2.4C0.3-1.0H0.7-4.0。当等离子体沉积层没有充分粘附到聚合物24上时，优选采用第一层23作为夹层。当被涂布的基底聚合物24是TPU或聚酰胺聚合物时，通常不一定需要使用第一层23作为夹层。
现在参考图5，其中显示的是涂布物体26的横截面侧视图，所述涂布物体26包含层压至聚碳酸酯聚合物30的片材上的两个含酰胺基的聚合物的片材29和31。含有酰胺基的聚合物的片材29和31各自的另一个侧上涂布有第一等离子体增强的化学气相沉积涂层28和32以及第二等离子体增强的化学气相沉积涂层27和33。第一等离子体增强的化学气相沉积涂层28和32任选在本发明中被用作“夹层”，并且优选具有式Si1.0O1.0-5.0C1.0-5.0H0.1-10.0以及在0.01至0.1微米的范围内的厚度。第二等离子体增强的化学气相沉积涂层27和33是“磨损层”，其优选具有上面参考图1所论述的厚度，并且优选包含Si、C、O和H以及最优选具有式Si1.0O1.8-2.4C0.3-1.0H0.7-4.0。当磨损层27和33没有充分粘附到被涂布的聚合物29和31上时，优选采用第一层28和32作为夹层。当被涂布的基底聚合物29和31是TPU或聚酰胺聚合物时，通常不一定需要使用第一层28和32作为夹层。通过仅对芯片材30的一个面涂敷层，即，通过消除层31、32和33，可以制备这个结构体的简化版。
现在参考图6，其中显示的是涂布物体34的横截面侧视图，所述涂布物体34包含：共挤出到聚碳酸酯聚合物(例如，CALIBRETM 302-7聚碳酸酯(陶氏))片材37上的粘合聚合物(例如，PLEXIMID 8813聚甲基甲基丙烯酰亚胺(Evonik))的两个片材35和36。聚甲基甲基丙烯酰亚胺粘合聚合物的片材35和36各自的另一个侧上都涂布有聚酰胺聚合物，例如GRILAMID TR90UV聚酰胺(EMS-Grivory)38和39。聚甲基甲基丙烯酰亚胺粘合聚合物层35和36的目的是将聚酰胺层38和39粘合到聚碳酸酯层37上。聚酰胺聚合物片材38和39的每一个的另一侧上都涂布有第一等离子体增强的化学气相沉积涂层40和41以及第二等离子体增强的化学气相沉积涂层42和43。第一等离子体增强的化学气相沉积涂层40和41任选在本发明中被用作“夹层”，并且优选具有式Si1.0O1.0-5.0C1.0-5.0H0.1-10.0以及在0.01至0.1微米的范围内的厚度。第二等离子体增强的化学气相沉积涂层42和43是“磨损层”，其优选具有上面参考图1所述论述的厚度，并且优选包含Si、C、O和H以及最优选具有式Si1.0O1.8-2.4C0.3-1.0H0.7-4.0。如果磨损层42和43没有充分粘附到聚合物基底38和39上，则使用等离子体沉积的夹层40和41。图6描述了非常优选的结构体。通过仅对芯片材37的一个面涂敷层，即，通过消除层35、39、41和43，可以制备这种结构体的简化版。
现在参考图7，其中显示的是涂布物体44的横截面侧视图，所述涂布物体44包含：被层压到聚碳酸酯聚合物(例如，CALIBRETM 302-7聚碳酸酯(陶氏))片材47上的两个聚甲基甲基丙烯酰亚胺粘合层聚合物(例如，PLEXIMID 8813聚甲基甲基丙烯酰亚胺(Evonik))片材45和46。聚甲基甲基丙烯酰亚胺聚合物片材45和46各自的另一侧上都涂布有聚酰胺聚合物，例如GRILAMID TR90UV聚酰胺(EMS-Grivory)48和49。聚甲基甲基丙烯酰亚胺粘合聚合物层45和46的目的是将聚酰胺层48和49粘附到聚碳酸酯层47上。每一个聚酰胺聚合物片材48和49的另一侧都涂布有等离子体增强的化学气相沉积涂层50和51，这是“磨损层”，其优选具有上面参考图1论述的厚度并且优选包含Si、C、O和H以及最优选具有式Si1.0O1.8-2.4C0.3-1.0H0.7-4.0。在这个图中，不需要等离子体粘合层。图7描述了一种最优选的结构体。如果聚酰胺被用于在聚碳酸酯层47上面的层48和49，则通常获得差的粘合力。因此，优选在聚酰胺和聚碳酸酯之间使用聚合物夹层45和46。在大部分的情况下，等离子体耐磨性层50和51粘附到聚酰胺上，并且不需要等离子体夹层。通过仅对芯片材47的一个面涂敷层，即，通过消除层45、49和51，可以制备这种结构体的简化版。
图1描述了本发明的不可缺少的要素。图2至图7描述了变体，但是本发明并不限于这些变体。例如，图1中描述的结构可以通过将等离子体增强的化学气相沉积涂层涂敷到含有含酰胺基的聚合物单元的聚合物12的底部暴露面，而扩展图1所述的结构体。同样地，在图2中，涂层15和14可以被涂敷到聚合物16的底部暴露面上。类似地在图3中，涂层19和18可以被涂敷到聚合物20的底部暴露面上。并且最终在图4中，涂层24、23和22可以被涂敷到聚合物25的底部的暴露面上。此外，如上面的图5、6和7中的描述所提及，所述结构体可以通过仅对芯片材的一个面涂敷层而得到简化。
等离子体涂布条件和设备
表1列出了用于使用在美国临时专利申请60/849,157序列号中详述的设备的实施例和比较例的等离子体涂布条件，所述美国临时专利申请60/849,157序列号通过引用整体结合在此，其中同时涂敷了夹层(在表1中也成为粘合层)和暴露涂层(在表1中也称为耐磨性层)。对于没有将涂层涂敷到热塑性氨基甲酸酯(TPU)上的那些实施例，不涂敷夹层。
表1.大气等离子体涂布条件
 层   粘合   耐磨性
 在电极下通过的次数   8   24(12次之后90°旋转)
 厚度(微米)   0.050   1.0
 电极到基底的间隙   2.0mm   2.0mm
 在电极中的气隙   0.036英寸   0.036英寸
 前体   六甲基二硅氧烷(HMDSO)   四甲基二硅氧烷(TMDSO)
 前体流量   750sccm   100sccm
 氦载气(ballast)流量   15slpm   10slpm
 氧流量   6slpm   N/A
 空气流量   N/A   84slpm
 功率   0.1kW   1.0kW
 电极冷却水   60℃   60℃
 传输带速度   2米/分钟   2米/分钟
mm＝毫米
sccm＝标准立方厘米/分钟
slpm＝标准升/分钟
kW＝千瓦特
上述过程产生夹层，所述的夹层的式在下式：Si1.0O1.0-5.0C1.0-5.0H0.1-10.0内。上述过程产生暴露层，所述暴露层的式在下式：Si1.0O1.8-2.4C0.3-1.0H0.7-4.0内。
比较例1
通用LEXAN聚碳酸酯片材(0.25英寸厚)被切割成4”x 4”正方形，并且反复在等离子体涂布电极下通过。起初，六甲基二硅氧烷(HMDSO)被用作前体，以产生50纳米厚夹层。然后，将该前体改变为四甲基二硅氧烷(TMDSO)，以产生1个微米厚的暴露层。根据ASTM测试D3359-02，等离子体产生层对聚碳酸酯片材的粘合力在开始时为4-5，但是在65℃水中浸渍1天之后为0。等离子体产生层对聚碳酸酯片材的粘合力在开始时根据ASTM测试D3359-02为4-5，但是根据ASTM测试D4329，在湿UV暴露(QUV-B)100小时之后，为0。
比较例2
通用LEXAN聚碳酸酯片材(0.25英寸厚)被切割为4”x 4”正方形，并且在等离子体涂布电极下反复通过。起初，采用六甲基二硅氧烷(HMDSO)作为前体，并且使用低功率，以产生50纳米厚夹层。然后，该前体被改变为四甲基二硅氧烷(TMDSO)，并且功率提高，以产生4微米厚的暴露层。等离子体产生层对聚碳酸酯片材的粘合力在开始时根据ASTM测试D3359-02为0。等离子体产生层对聚碳酸酯片材的粘合力根据ASTM测试D3359-02为0，根据ASTM测试D4329在湿UV暴露(QUV-B)24小时之后为0。
比较例3
通用LEXAN聚碳酸酯片材(0.25英寸厚)被切割为4”x 4”正方形，并且在等离子体涂布电极下反复通过。前体是四甲基二硅氧烷(TMDSO)，用于产生1微米厚的暴露层。等离子体产生层对聚碳酸酯片材的粘合力在开始时根据ASTM测试D3359-02为3，但是在65℃水中浸渍1天之后为0。等离子体产生层对聚碳酸酯片材的粘合力根据ASTM测试D3359-02为4-5，但是根据ASTM测试D4329，在湿UV暴露(QUV-B)100小时之后，为0。
实施例1
将25密耳厚的KRYSTALFLEX 193热塑性氨基甲酸酯片材层压到通用LEXAN聚碳酸酯片材片材(0.25英寸厚)的0.25英寸厚片材上，然后切割成4”x 4”正方形，将所述正方形在等离子体涂布电极下反复通过。前体是四甲基二硅氧烷(TMDSO)，以在KRYSTALFLEX 193热塑性氨基甲酸酯上产生1微米厚暴露层。等离子体产生层对KRYSTALFLEX 193热塑性氨基甲酸酯的粘合力在开始时根据ASTM测试D3359-02为5，并且在65℃水中浸渍10天之后仍然大于4。等离子体产生层对KRYSTALFLEX193热塑性氨基甲酸酯的粘合力在开始时根据ASTM测试D3359-02是5，并且根据ASTM测试D4329，在湿UV暴露(QUV-B)800小时之后仍然大于4。
实施例2
将25密耳厚的KRYSTALFLEX 399热塑性氨基甲酸酯片材层压到通用LEXAN聚碳酸酯片材(0.25英寸厚)的0.25英寸厚片材上，然后切割成4”x 4”正方形，所述正方形在等离子体涂布电极下反复通过。前体是四甲基二硅氧烷(TMDSO)以在KRYSTALFLEX 399热塑性氨基甲酸酯上产生1微米厚暴露层。等离子体产生层对KRYSTALFLEX 399热塑性氨基甲酸酯的粘合力在开始时根据ASTM测试D3359-02是5，并且在65℃水中浸渍2天之后是4。等离子体产生层对KRYSTALFLEX 399热塑性氨基甲酸酯的粘合力在开始时根据ASTM测试D3359-02是5，并且根据ASTM测试D4329，在湿UV暴露(QUV-B)800小时之后仍然大于4。
实施例3
将25密耳厚的KRYSTALFLEX 419热塑性氨基甲酸酯片材层压至通用LEXAN聚碳酸酯片材(0.25英寸厚)的0.25英寸厚片材上，然后切割成4”x 4”正方形，该正方形在等离子体涂布电极下反复通过。前体是四甲基二硅氧烷(TMDSO)，以在KRYSTALFLEX 419热塑性氨基甲酸酯上产生1微米厚暴露层。等离子体产生层对KRYSTALFLEX 419热塑性氨基甲酸酯的粘合力在开始时根据ASTM测试D3359-02是5，并且在65℃水中浸渍10天之后仍然大于4。等离子体产生层对KRYSTALFLEX 419热塑性氨基甲酸酯的粘合力在开始时根据ASTM测试D3359-02为5，并且根据ASTM测试D4329，在1000小时的湿UV暴露(QUV-B)之后，仍然大于4。
实施例4
将25密耳厚的KRYSTALFLEX 419热塑性氨基甲酸酯片材层压到通用LEXAN聚碳酸酯片材(0.25英寸厚)的0.25英寸厚片材上，然后切割成4”x 4”正方形，将该正方形在等离子体涂布电极中反复通过。前体是四甲基二硅氧烷(TMDSO)，从而在KRYSTALFLEX 419热塑性氨基甲酸酯上产生5微米厚暴露层。等离子体产生层对KRYSTALFLEX 419热塑性氨基甲酸酯的粘合力在开始时根据ASTM测试D3359-02是5，并且在65℃水中浸渍10天之后，仍然大于4。等离子体产生层对KRYSTALFLEX 419热塑性氨基甲酸酯的粘合力在开始时根据ASTM测试D3359-02是5，并且根据ASTM测试D4329，在1000小时的湿UV暴露(QUV-B)之后，仍然大于4。
实施例5
将25密耳厚的KRYSTALFLEX 499热塑性氨基甲酸酯片材层压到通用LEXAN聚碳酸酯片材(0.25英寸厚)的0.25英寸厚片材上，然后切割成4”x 4”正方形，将该正方形在等离子体涂布电极下反复通过。前体是四甲基二硅氧烷(TMDSO)，以在KRYSTALFLEX 499热塑性氨基甲酸酯上产生1微米厚暴露层。等离子体产生层对KRYSTALFLEX 499热塑性氨基甲酸酯的粘合力在开始时根据ASTM测试D3359-02为5，并且在65℃水中浸渍10天之后仍然大于4。等离子体产生层对KRYSTALFLEX499热塑性氨基甲酸酯的粘合力在开始时根据ASTM测试D3359-02为5，并且根据ASTM测试D4329，在1000小时的湿UV暴露(QUV-B)之后，仍然大于4。
实施例6
将25密耳厚的KRYSTALFLEX 499热塑性氨基甲酸酯片材层压到通用LEXAN聚碳酸酯片材(0.25英寸厚)的0.25英寸厚片材上，然后切割成4”x 4”正方形，将该正方形在等离子体涂布电极下反复通过。前体是四甲基二硅氧烷(TMDSO)，以在KRYSTALFLEX 499热塑性氨基甲酸酯上产生5微米厚暴露层。等离子体产生层对KRYSTALFLEX 499热塑性氨基甲酸酯的粘合力在开始时根据ASTM测试D3359-02为5，并且在65℃水中浸渍10天之后仍然大于4。等离子体产生层对KRYSTALFLEX499热塑性氨基甲酸酯的粘合力在开始时根据ASTM测试D3359-02为5，并且根据ASTM测试D4329，在1000小时的湿UV暴露(QUV-B)之后，仍然大于4。
实施例7
将25密耳厚的KRYSTALFLEX 500热塑性氨基甲酸酯片材层压到通用LEXAN聚碳酸酯片材(0.25英寸厚)的0.25英寸厚片材上，然后切割成4”x 4”正方形，将该正方形在等离子体涂布电极下反复通过。前体是四甲基二硅氧烷(TMDSO)，以在KRYSTALFLEX 500热塑性氨基甲酸酯上产生1微米厚暴露层。等离子体产生层对KRYSTALFLEX 500热塑性氨基甲酸酯的粘合力在开始时根据ASTM测试D3359-02为3，并且在65℃水中浸渍3天之后为3。等离子体产生层对KRYSTALFLEX 500热塑性氨基甲酸酯的粘合力在开始时根据ASTM测试D3359-02为3，并且根据ASTM测试D4329，在1000小时的湿UV暴露(QUV-B)之后，仍然为3。
实施例8
将8微米的KRYSTALFLEX 193热塑性氨基甲酸酯厚膜25层压到通用LEXAN聚碳酸酯片材(0.25英寸厚)的0.25英寸厚片材上，然后切割成4”x 4”正方形，将正方形在等离子体涂布电极下反复通过。前体是四甲基二硅氧烷(TMDSO)，以在KRYSTALFLEX 193热塑性氨基甲酸酯上产生1微米厚暴露层。等离子体产生层对KRYSTALFLEX 193热塑性氨基甲酸酯的粘合力在开始时根据ASTM测试D3359-02为5，并且在65℃水中浸渍10天之后仍然大于4。等离子体产生层对KRYSTALFLEX 193热塑性氨基甲酸酯的粘合力在开始时根据ASTM测试D3359-02为5，并且根据ASTM测试D4329，在300小时的湿UV暴露(QUV-B)之后，仍然大于4。
实施例9
将8微米厚的KRYSTALFLEX 499热塑性氨基甲酸酯片材层压到通用LEXAN聚碳酸酯片材(0.25英寸厚)的0.25英寸厚片材上，然后切割成4”x 4”正方形，将正方形在等离子体涂布电极下反复通过。前体是四甲基二硅氧烷(TMDSO)，以在KRYSTALFLEX 499热塑性氨基甲酸酯上产生1微米厚暴露层。等离子体产生层对KRYSTALFLEX 499热塑性氨基甲酸酯的粘合力在开始时根据ASTM测试D3359-02为5，并且在65℃水中浸渍5天之后仍然大于4。等离子体产生层对KRYSTALFLEX 499热塑性氨基甲酸酯的粘合力在开始时根据ASTM测试D3359-02为5，并且根据ASTM测试D4329，在300小时的湿UV暴露(QUV-B)之后，仍然大于4。
实施例10
将8微米厚的TEXIN DP7-3006热塑性氨基甲酸酯片材层压到通用LEXAN聚碳酸酯片材(0.25英寸厚)的0.25英寸厚片材上，然后切割成4”x 4”正方形，将正方形在等离子体涂布电极下反复通过。前体是四甲基二硅氧烷(TMDSO)，以在TEXIN DP7-3006热塑性氨基甲酸酯上形成1微米厚暴露层。等离子体产生层对TEXIN DP7-3006热塑性氨基甲酸酯的粘合力在开始时根据ASTM测试D3359-02为5，并且在65℃水中浸渍10天之后仍然大于4。等离子体产生层对TEXIN DP7-3006热塑性氨基甲酸酯的粘合力在开始时根据ASTM测试D3359-02为5，并且根据ASTM测试D4329，在1000小时的湿UV暴露(QUV-B)之后，仍然大于4。
实施例11
将8微米厚的TEXIN DP7-3006热塑性氨基甲酸酯片材压模到通用LEXAN聚碳酸酯片材(0.25英寸厚)的0.25英寸厚片材上，然后切割成4”x 4”正方形，将正方形在等离子体涂布电极下反复通过。前体是四甲基二硅氧烷(TMDSO)，以在TEXIN DP7-3006热塑性氨基甲酸酯上产生5微米厚暴露层。等离子体产生层对TEXIN DP7-3006热塑性氨基甲酸酯的粘合力在开始时根据ASTM测试D3359-02为5，并且在65℃水中浸渍10天之后仍然大于4。等离子体产生层对TEXIN DP7-3006热塑性氨基甲酸酯的粘合力在开始时根据ASTM测试D3359-02为5，并且根据ASTM测试D4329，在500小时的湿UV暴露(QUV-B)之后，仍然大于4。
实施例12
将0.125英寸厚的TEXIN 4215热塑性氨基甲酸酯/聚碳酸酯共混物的片材压模到通用LEXAN聚碳酸酯片材(0.25英寸厚)的0.25英寸厚片材上，然后切割成4”x 4”正方形，将正方形在等离子体涂布电极下反复通过。前体是四甲基二硅氧烷(TMDSO)，以在TEXIN 4215热塑性氨基甲酸酯/聚碳酸酯共混物产生1微米厚暴露层。等离子体产生层对TEXIN4215热塑性氨基甲酸酯的粘合力在开始时根据ASTM测试D3359-02为5，并且在65℃水中浸渍3天之后，仍然大于4。
实施例13
将8微米厚的DESMOPAN DP-W-85085A热塑性氨基甲酸酯片材压模到通用LEXAN聚碳酸酯片材(0.25英寸厚)的0.25英寸厚片材上，然后切割成4”x 4”正方形，将正方形在等离子体涂布电极下反复通过。前体是四甲基二硅氧烷(TMDSO)，以在DESMOPAN DP-W-85085A热塑性氨基甲酸酯上产生1微米厚暴露层。等离子体产生层对DESMOPANDP-W-85085A热塑性氨基甲酸酯的粘合力在开始时根据ASTM测试D3359-02为5，并且在65℃水中浸渍10天之后，仍然大于4。等离子体产生层对DESMOPAN DP-W-85085A热塑性氨基甲酸酯的粘合力在开始时根据ASTM测试D3359-02为5，并且根据ASTM测试D4329，在1000小时的湿UV暴露(QUV-B)之后，仍然大于4。
实施例14
将8微米厚的DESMOPAN DP-W-85085A热塑性氨基甲酸酯片材压模到通用LEXAN聚碳酸酯片材(0.25英寸厚)的0.25英寸厚片材上，然后切割成4”x 4”正方形，该正方形在等离子体涂布电极下反复通过。前体是四甲基二硅氧烷(TMDSO)，以在DESMOPAN DP-W-85085A热塑性氨基甲酸酯上形成5微米厚暴露层。等离子体产生层对DESMOPANDP-W-85085A热塑性氨基甲酸酯的粘合力在开始时根据ASTM测试D3359-02为5，并且在65℃水中浸渍10天之后，仍然大于4。等离子体产生层对DESMOPAN DP-W-85085A热塑性氨基甲酸酯的粘合力在开始时根据ASTM测试D3359-02为5，并且根据ASTM测试D4329，在1000小时的湿UV暴露(QUV-B)之后，仍然大于4。
实施例15
将0.25英寸厚的ISOPLAST 302热塑性氨基甲酸酯的挤出片材切割成4”x 4”正方形，该正方形在等离子体涂布电极下反复通过。前体是四甲基二硅氧烷(TMDSO)，以在ISOPLAST 302热塑性氨基甲酸酯上产生1微米厚暴露层。等离子体产生层对I SOPLAST 302热塑性氨基甲酸酯的粘合力在开始时根据ASTM测试D3359-02为5，并且在65℃水中浸渍10天之后，仍然大于4。等离子体产生层对ISOPLAST 302热塑性氨基甲酸酯的粘合力在开始时根据ASTM测试D3359-02为5，并且根据ASTM测试D4329，在100小时的湿UV暴露(QUV-B)之后，仍然大于4。
实施例16
将0.25英寸厚的ISOPLAST 302热塑性氨基甲酸酯的挤出片材切割成4”x 4”正方形，该正方形在等离子体涂布电极下反复通过。前体是四甲基二硅氧烷(TMDSO)，以在ISOPLAST 302上产生5微米厚暴露层。等离子体产生层对ISOPLAST 302热塑性氨基甲酸酯的粘合力在开始时根据ASTM测试D3359-02为3.5，并且在65℃水中浸渍5天之后，仍然为3.5。等离子体产生层对ISOPLAST 302热塑性氨基甲酸酯的粘合力在开始时根据ASTM测试D3359-02为3.5，并且根据ASTM测试D4329，在100小时的湿UV暴露(QUV-B)之后，仍为3.5。
实施例17
将注塑的ISOPLAST 2530刚性热塑性氨基甲酸酯的0.25英寸厚4”x 4”正方形在等离子体涂布电极下反复通过。前体是四甲基二硅氧烷(TMDSO)，以在ISOPLAST 2530刚性热塑性氨基甲酸酯上产生1微米厚暴露层。等离子体产生层对ISOPLAST 2530刚性热塑性氨基甲酸酯的粘合力根据ASTM测试D3359-02为0。
实施例18
将压塑的PELLETHANE 2102-75A热塑性氨基甲酸酯的0.25英寸厚4”x 4”正方形在等离子体涂布电极下反复通过。前体是四甲基二硅氧烷(TMDSO)，以在PELLETHANE 2102-75A热塑性氨基甲酸酯上产生1微米厚暴露层。等离子体产生层对PELLETHANE 2102-75A热塑性氨基甲酸酯的粘合力根据ASTM测试D3359-02为2。
实施例19
在装备有310cm3室和辊式转子的Haake Rheomix 3000p混合机中，合成刚性工程热塑性聚氨酯树脂。该反应器被加热至170℃，并且转子被设定为50rpm。使用塑料注射器，将前述的UNOXOL二醇添加到室中，之后是添加前述的H12MDI。二异氰酸酯与二醇的摩尔比为1.04∶1.00。转子速度增加至200rpm，并且30秒之后，添加2滴T-9辛酸亚锡催化剂，然后活塞下降以覆盖进料口。转矩快速增加，然后逐渐降低并且稳定。10分钟之后，关闭转子，并且使用黄铜刮刀将熔融的热塑性氨基甲酸酯(TPU)产物移出，在Teflon片上压扁，然后在干燥的干燥器中干燥过夜。TPU被压塑成4×4×0.25英寸的正方形，该正方形在等离子体涂布电极下反复通过。前体是四甲基二硅氧烷(TMDSO)，以在热塑性氨基甲酸酯上产生1微米厚暴露层。
实施例20
将0.125英寸厚的GRILAMID TR 90UV脂族聚酰胺的4”x 4”正方形在等离子体涂布电极下反复通过。起初，采用六甲基二硅氧烷(HMDSO)作为前体，以在GRILAMID TR 90UV脂族聚酰胺上产生50纳米厚的粘合层。然后，将前体改变为四甲基二硅氧烷(TMDSO)，以在粘合层上产生1微米厚暴露层。等离子体产生层对GRILAMID TR90UV聚酰胺的粘合力在开始时根据ASTM测试D3359-02为4.5，并且在65℃水中浸渍7天之后仍为4.5，在65℃水中浸渍14天之后仍为4.5，在65℃水中浸渍28天之后仍为4.5。根据ASTM测试D4329，等离子体产生层对GRILAMIDTR90UV聚酰胺的粘合力在100小时的湿UV暴露(QUV-B)之后仍为4.5。
实施例21
将GRILAMID TR90UV聚酰胺(EMS GRIVORY)注塑(0.25英寸厚)，然后切割成4”x 4”正方形，将该正方形在等离子体涂布电极下反复通过。前体是四甲基二硅氧烷(TMDSO)，以在GRILAMID TR90UV聚酰胺上产生1微米厚暴露层。等离子体产生层对GRILAMID TR90UV聚酰胺的粘合力在开始时根据ASTM测试D3359-02为4.5，并且在65℃水中浸渍7天之后仍为4.5，在65℃水中浸渍14天之后仍为4.5，在65℃水中浸渍28天之后仍为4.5。根据ASTM测试D4329，等离子体产生层对GRILAMID TR90UV聚酰胺的粘合力在100小时的湿UV暴露(QUV-B)之后仍为4.5。
实施例22
将GRILAMID TR90UV聚酰胺(EMS GRIVORY)注塑(0.25英寸厚)，然后切割成4”x 4”正方形，将该正方形在等离子体涂布电极下反复通过。前体是四甲基二硅氧烷(TMDSO)，以在GRILAMID TR90UV聚酰胺上产生5微米厚暴露层。等离子体产生层对GRILAMID TR90UV聚酰胺的粘合力在初始时根据ASTM测试D3359-02为4.5，并且在65℃水中浸渍7天之后仍为4.5，在65℃水中浸渍14天之后仍为4.5。
实施例23
将TROGAMID CX7323聚酰胺(Evonik)注塑(0.25英寸厚)，然后切割成4”x 4”正方形，将该正方形在等离子体涂布电极下反复通过。前体是四甲基二硅氧烷(TMDSO)，以在TROGAMID CX7323聚酰胺产生5微米厚暴露层。等离子体产生层对TROGAMID CX7323聚酰胺的粘合力在初始时根据ASTM测试D3359-02为4.5，并且在65℃水中浸渍7天之后仍为4.5，在65℃水中浸渍14天之后仍为4.5。
实施例24
将CRISTAMID 1700聚酰胺(Arkema)注塑(0.25英寸厚)，然后切割成4”x 4”正方形，将该正方形在等离子体涂布电极下反复通过。前体是四甲基二硅氧烷(TMDSO)，以在CRISTAMID 1700聚酰胺上产生5微米厚暴露层。等离子体产生层对CRISTAMID 1700聚酰胺的粘合力在初始时根据ASTM测试D3359-02为4.5，并且在65℃水中浸渍7天之后仍为4.5，在65℃水中浸渍14天之后降低至0。
实施例25
将RISLAN CLEAR G350(Arkema)注塑(0.25英寸厚)，然后切割成4”x 4”正方形，将该正方形在等离子体涂布电极下反复通过。前体是四甲基二硅氧烷(TMDSO)，以在RISLAN CLEAR G350聚酰胺上产生5微米厚暴露层。等离子体产生层对RISLAN CLEAR G350聚酰胺的粘合力在初始时根据ASTM测试D3359-02为4.5，并且在65℃水中浸渍7天之后仍为4.5，在65℃水中浸渍14天之后仍为4.5。
实施例26
将尼龙66聚酰胺(Sigma Aldrich)压塑(0.125英寸厚)，然后切割成4”x 4”正方形，将该正方形在等离子体涂布电极下反复通过。前体是四甲基二硅氧烷(TMDSO)，以在尼龙66聚酰胺上产生1微米厚暴露层。等离子体产生层对尼龙66聚酰胺的粘合力在初始时根据ASTM测试D3359-02为4.5，并且在65℃水中浸渍7天之后仍为4.5，在65℃水中浸渍14天之后仍为4.5。
实施例27
从Reifenhauser 70mm挤出机挤出CALIBRETM 302-7聚碳酸酯(陶氏)片材(0.8mm)。在其上面是从Scamia 35mm挤出机共挤出的PLEXIMID8813聚甲基甲基丙烯酰亚胺(Evonik)膜(约100微米+/-50微米)。在其上面是从Scamia 45mm挤出机共挤出的GRILAMID TR90UV聚酰胺(EMS GRIVORY)膜(约100微米+/-50微米)。将这种三层片材切割成4”x4”正方形，将该正方形在等离子体涂布电极下反复通过。前体是四甲基二硅氧烷(TMDSO)，以在GRILAMID TR90UV聚酰胺上产生1微米厚暴露层。等离子体产生层对GRILAMID TR90UV聚酰胺的粘合力在开始时根据ASTM测试D3359-02为至少4.0，并且在65℃水中浸渍7天之后仍为至少4.0，在65℃水中浸渍28天之后为4.0。
实施例28
从Reifenhauser 70mm挤出机挤出CALIBRETM 302-7聚碳酸酯(陶氏)片材(0.8mm)。在其上面是从Scamia 35mm挤出机共挤出的PLEXIMID8813聚甲基甲基丙烯酰亚胺(Evonik)膜(约100微米+/-50微米)。在这个上面是从Scamia 45mm挤出机共挤出的TROGAMID CX7323聚酰胺(Evonik)膜(约100微米+/-50微米)。将这种三层片材切割成4”x 4”正方形，将该正方形在等离子体涂布电极下反复通过。前体是四甲基二硅氧烷(TMDSO)，以在TROGAMID CX7323聚酰胺上产生1微米厚暴露层。等离子体产生层对TROGAMID CX7323聚酰胺的粘合力在开始时根据ASTM测试D3359-02为至少4.0，并且在65℃水中浸渍7天之后仍为至少4.0，在65℃水中浸渍28天之后为4.0。
实施例29
从Reifenhauser 70mm挤出机挤出CALIBRETM 302-7聚碳酸酯(陶氏)片材(0.8mm)。在其上面是从Scamia 35mm挤出机共挤出的PLEXIMID8813聚甲基甲基丙烯酰亚胺(Evonik)膜(约100微米+/-50微米)。将这种两层片材切割成4”x 4”正方形，将该正方形在等离子体涂布电极下反复通过。前体是四甲基二硅氧烷(TMDSO)，以在PLEXIMID 8813聚甲基甲基丙烯酰亚胺上产生1微米厚暴露层。等离子体产生层对PLEXIMID8813聚甲基甲基丙烯酰亚胺的粘合力在开始时根据ASTM测试D3359-02为至少4.0，但是在65℃水中浸渍7天之后降低至2.0。
实施例30
从Reifenhauser 70mm挤出机中挤出CALIBRETM 302-7聚碳酸酯(陶氏)片材(0.8mm)。在其上面的是从Scamia 35mm挤出机中共挤出的PLEXIMID 8813聚甲基甲基丙烯酰亚胺(Evonik)膜(约100微米+/-50微米)。在这个的上面是从Scamia 45mm挤出机中共挤出的GRILAMID TR90UV聚酰胺(EMS GRIVORY)膜(约100微米+/-50微米)。将这种三层片材切割成4”x 4”正方形，将该正方形在等离子体涂布电极下反复通过。开始时，采用六甲基二硅氧烷(HMDSO)作为前体，以产生50纳米厚夹层。然后，将前体改变为四甲基二硅氧烷(TMDSO)，以在GRILAMID TR90UV聚酰胺上产生1微米厚暴露层。等离子体产生层对GRILAMID TR90UV聚酰胺的粘合力在开始时根据ASTM测试D3359-02为至少4.0，并且在65℃水中浸渍7天之后仍为至少4.0，在65℃水中浸渍28天之后为4.0。
实施例31
从Reifenhauser 70mm挤出机中挤出CALIBRETM 302-7聚碳酸酯(陶氏)片材(0.8mm)。在其上面是从Scamia 35mm挤出机共挤出的PLEXIMID8813聚甲基甲基丙烯酰亚胺(Evonik)膜(约100微米+/-50微米)。在这个上面是从Scamia 45mm挤出机共挤出的TROGAMID CX7323聚酰胺(Evonik)膜(约100微米+/-50微米)。将这种三层片材切割成4”x 4”正方形，将该正方形在等离子体涂布电极下反复通过。开始时，采用六甲基二硅氧烷(HMDSO)作为前体，以产生50纳米厚夹层。然后，将前体改变为四甲基二硅氧烷(TMDSO)，以在TROGAMID CX7323聚酰胺上产生1微米厚暴露层。等离子体产生层对TROGAMID CX7323聚酰胺的粘合力在开始时根据ASTM测试D3359-02为至少4.0，并且在65℃水中浸渍7天之后仍为至少4.0，在65℃水中浸渍28天之后为4.0。
实施例32
从Reifenhauser 70mm挤出机中挤出CALIBRETM 302-7聚碳酸酯(陶氏)片材(0.8mm)。在其上面的是从Scamia 35mm挤出机中共挤出的PLEXIMID 8813聚甲基甲基丙烯酰亚胺(Evonik)膜(约100微米+/-50微米)。将这种两层片材切割成4”x 4”正方形，将该正方形在等离子体涂布电极下反复通过。开始时，采用六甲基二硅氧烷(HMDSO)作为前体，以50纳米厚夹层。然后，将前体改变为四甲基二硅氧烷(TMDSO)，以在PLEXIMID 8813聚甲基甲基丙烯酰亚胺上产生1微米厚暴露层。等离子体产生层对PLEXIMID 8813聚甲基甲基丙烯酰亚胺的粘合力在开始时根据ASTM测试D3359-02为至少4.0，但是在65℃水中浸渍7天之后降低至1.0。
结论
尽管本发明已经根据其优选实施方案进行了描述，但是它可以在本公开的精神和范围之内进行改变。因此，本申请意在覆盖使用本文所公开的一般性原则的本发明的任何变体、用途或应用。此外，本发明意在覆盖这种在本发明所属领域的已知实践或惯例的范围内的并且落入在后附权利要求的范围之内的对本公开内容的偏离。

Claims (11)

1.一种涂布物体，其中所述物体的表面的至少一部分包含聚合物，所述聚合物含有含酰胺基的聚合物单元，并且其中在所述含有含酰胺基的聚合物单元的聚合物的表面的至少一部分上具有等离子体增强的化学气相沉积的暴露涂层，所述等离子体增强的化学气相沉积的暴露涂层具有大于0.1微米的厚度。
2.权利要求1所述的涂布物体，其中所述含有含酰胺基的聚合物单元的聚合物选自由下面各项构成的组中：聚酰胺、聚氨酯、聚脲、聚异氰尿酸酯、聚脲基甲酸酯、聚缩二脲、聚氨基酸、N-乙酰基-聚乙烯亚胺、N-苯甲酰基-聚乙烯亚胺、聚乙烯吡咯烷酮、聚丙烯酰胺和聚酰亚胺，它们的混合物，以及包含它们的共聚物。
3.权利要求2所述的涂布物体，其中所述暴露涂层是含有Si、O、C和H的聚有机硅氧烷涂层，并且所述暴露涂层对所述含有含酰胺基的聚合物单元的聚合物的粘合力根据ASTM测试D3359-02为大于或等于4.0，并且根据ASTM测试D4329，在65℃水中浸渍2天以及200小时的UV暴露之后，所述粘合力为大于或等于4.0。
4.权利要求2所述的涂布物体，还包含在所述物体和所述暴露涂层之间的等离子体增强的化学气相沉积夹层涂层，所述暴露涂层和夹层涂层各自都含有Si、O、C和H。
5.权利要求4所述的涂布物体，其中所述涂层对所述含有含酰胺基的聚合物单元的聚合物的粘合力根据ASTM测试D3359-02为大于或等于4.0，并且根据ASTM测试D4329，在65℃水中浸渍2天以及200小时的UV暴露之后，所述粘合力为大于或等于4.0。
6.权利要求4所述的涂布物体，其中所述涂层都对所述含有含酰胺基的聚合物单元的聚合物的粘合力根据ASTM测试D3359-02为大于或等于4.0，并且根据ASTM测试D4329，在65℃水中浸渍2天以及200小时的UV暴露之后，所述粘合力为大于或等于4.0。
7.权利要求1所述的涂布物体，其中所述涂布物体包含聚合物片材，所述聚合物片材上具有至少一个聚合物层，所述至少一个聚合物层包含含酰胺基的聚合物单元。
8.权利要求7所述的涂布物体，其中所述暴露涂层对所述含有含酰胺基的聚合物单元的聚合物的粘合力根据ASTM测试D3359-02为大于或等于4.0，并且根据ASTM测试D4329，在65℃水中浸渍2天以及200小时的UV暴露之后，所述粘合力为大于或等于4.0。
9.一种用于制备涂布物体的方法，其中所述物体的表面的至少一部分包含聚合物，所述聚合物含有含酰胺基的聚合物单元，所述方法包括如下步骤：通过等离子体增强的化学气相沉积涂布工艺，涂布所述含有含酰胺基的聚合物单元的聚合物的表面的至少一部分，以在其上形成厚度大于0.1微米的等离子体增强的化学气相沉积的暴露涂层。
10.权利要求9所述的方法，其中所述等离子体增强的化学气相沉积涂布工艺是大气压等离子体增强的化学气相沉积涂布工艺。
11.权利要求10所述的方法，其中所述含有含酰胺基的聚合物单元的聚合物选自如下各项构成的组中：聚酰胺、聚氨酯、聚脲、聚异氰尿酸酯、聚脲基甲酸酯、聚缩二脲、聚氨基酸、N-乙酰基-聚乙烯亚胺、N-苯甲酰基-聚乙烯亚胺、聚乙烯吡咯烷酮、聚丙烯酰胺和聚酰亚胺，它们的混合物，以及包含它们的共聚物。
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