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CN101499412A - 基板处理装置及基板处理方法 - Google Patents

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CN101499412A CNA2009100096037A CN200910009603A CN101499412A CN 101499412 A CN101499412 A CN 101499412A CN A2009100096037 A CNA2009100096037 A CN A2009100096037A CN 200910009603 A CN200910009603 A CN 200910009603A CN 101499412 A CN101499412 A CN 101499412A
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Abstract

本发明提供能够对基板的整个主面实施高速率且均匀的蚀刻处理的基板处理装置及基板处理方法。本发明的基板处理装置包括：基板保持机构，用于保持基板；喷嘴体，具有用于向所述基板保持机构所保持的基板的主面喷出蚀刻液的喷出口；喷嘴体移动机构，使所述喷嘴体向规定的前进方向移动，使得蚀刻液在所述主面上的着落位置移动；第一片材，是安装在所述喷嘴体上的挠性片材，与比蚀刻液在所述主面上的着落位置更靠近所述前进方向一侧的区域接触；第二片材，是安装在所述喷嘴体上的挠性片材，与前进方向另一侧的区域接触，其中，所述前进方向另一侧是指，当从蚀刻液在所述主面上的着落位置观察时，与所述前进方向一侧相反的所述前进方向的另一侧。

Description

基板处理装置及基板处理方法
技术领域
本发明涉及用于对基板的主面实施使用蚀刻液的蚀刻处理的基板处理装置和基板处理方法。成为蚀刻处理对象的基板包括：如半导体晶片、液晶显示装置用玻璃基板、等离子显示器用玻璃基板、FED(Field Emission Display：场发射显示器)用基板、光盘用基板、磁盘用基板、光磁盘用基板和光掩模用基板等。
背景技术
在半导体器件的制造工序中，要对半导体晶片(以下，简称为“晶片”)进行使用处理液的液处理。这种液处理的一种是向晶片的主面供给蚀刻液而进行的蚀刻处理。这里所说的蚀刻处理除了包括用于在晶片的主面(晶片本身或者在晶片上形成的薄膜)上形成图形的蚀刻处理外，还包括利用蚀刻作用除去晶片主面的异物的清洗处理。
作为用于利用处理液对晶片的主面实施处理的基板处理装置，有对多个晶片统一实施处理的批量式的基板处理装置和对晶片一个一个地处理的单张式的基板处理装置。单张式的基板处理装置例如具有：旋转卡盘，一边将晶片保持为近似水平姿势一边使其旋转；处理液喷嘴，向该旋转卡盘所保持的晶片的主面供给处理液；喷嘴移动机构，使该处理液喷嘴在晶片上移动。
例如，在要对晶片上形成有器件的器件形成面实施蚀刻处理时，使器件形成面朝上将晶片保持在旋转卡盘上。然后，从处理液喷嘴向通过旋转卡盘旋转的晶片的上表面喷出蚀刻液，并且通过喷嘴移动机构移动处理液喷嘴。随着处理液喷嘴的移动，蚀刻液在晶片的上表面上的着落位置移动。通过使该着落位置在晶片的上表面的旋转中心和周边区域之间扫描，从而能够使蚀刻液遍布在晶片上表面的整个区域(例如，参照日本特开2007-88381号公报)。
但是，供给到晶片的上表面的中央部的蚀刻液受到晶片旋转的离心力的作用，在晶片的上表面沿着旋转半径方向向外方移动。因此，向该晶片的上表面的周边区域除了提供有来自处理液喷嘴的蚀刻液，还提供有从上表面的中央部移动至该周边区域的蚀刻液，所以向晶片的上表面的周边区域供给有过量的蚀刻液。因此，晶片的上表面的周边区域的蚀刻速率比中央部高，在晶片的上表面内产生处理不匀。
另外，从处理液喷嘴所喷出的蚀刻液在刚刚供给到晶片的上表面后保持着活性的状态，但随着时间变化而失活。并且，若在晶片的上表面不能良好置换蚀刻液，则晶片的上表面上的失活的蚀刻液和新的蚀刻液混合，蚀刻液的蚀刻能力下降。其结果是，有可能导致晶片的整个上表面的蚀刻速率降低。
特别是，在对硅晶片的主面本身实施蚀刻处理时，晶片的上表面上的对蚀刻液的疏液性高，从而易于在晶片的上表面滞留蚀刻液，形成厚的液膜。因此，存在难以置换为新的蚀刻液的问题。
对硅晶片的主面本身进行蚀刻的蚀刻反应是放热反应，在该蚀刻处理中，晶片的上表面温度变得非常高，因此更加促进蚀刻处理。但是，若在晶片的上表面形成厚的液膜，则该液膜从晶片吸热，晶片的上表面温度降低。由此，导致蚀刻速率进一步地降低。
发明内容
本发明的目的是提供能够对基板的整个主面实施高速率且均匀的蚀刻处理的基板处理装置及基板处理方法。
本发明的基板处理装置包括：基板保持机构，用于保持基板；喷嘴体，具有用于向所述基板保持机构所保持的基板的主面喷出蚀刻液的喷出口；喷嘴体移动机构，使所述喷嘴体向规定的前进方向移动，使得蚀刻液在所述主面上的着落位置移动；第一片材，是安装在所述喷嘴体上的挠性片材，与比蚀刻液在所述主面上的着落位置更靠近所述前进方向一侧(前进方向前方侧)的区域接触；第二片材，是安装在所述喷嘴体上的挠性片材，与前进方向另一侧(前进方向后方侧)的区域接触，其中，所述前进方向另一侧是指，当从蚀刻液在所述主面上的着落位置观察时，与所述前进方向一侧相反的所述前进方向的另一侧。
根据该结构，通过喷嘴体移动机构移动喷嘴体，从而蚀刻液在基板的主面上的着落位置移动。随着喷嘴体的移动，第一片材一边与基板主面上的着落位置的前进方向一侧区域接触一边移动。另外，随着喷嘴体的移动，第二片材一边与主面上的着落位置的前进方向另一侧区域接触一边移动。
在将第一片材作为前头使喷嘴体移动时，基板主面上的失活的蚀刻液由该第一片材排除。然后，向第一片材通过后的基板的主面上供给来自喷出口的新的蚀刻液。因在第一片材之后通过的第二片材的移动使着落在基板的主面上的新的蚀刻液均匀。其结果是，能够在基板主面的整个区域形成薄且厚度均匀的蚀刻液的液膜。
因为在基板主面的整个区域形成新的蚀刻液的液膜，所以能够向主面的整个区域均匀地供给蚀刻液。由此，能够提高蚀刻处理的面内均匀性。
另外，因为向失活的蚀刻液排除后的基板的主面供给新的蚀刻液，所以能够防止或者抑制新的蚀刻液和失活的蚀刻液混合。因而，能够防止在基板的主面上形成蚀刻能力较低的蚀刻液的液膜，由此，能够提高蚀刻处理的速率。由上所述，能够对基板主面的整个区域实施高速率且均匀的蚀刻处理。
优选所述第一片材和所述第二片材设置成，随着所述喷嘴体借助所述喷嘴体移动机构的移动，能够与所述主面的整个区域接触。
根据该结构，能够使第一片材和第一片材接触基板主面的整个区域。因此，能够在基板的主面的整个区域排除失活的蚀刻液，并且能够在基板的主面的整个区域形成薄并且厚度均匀的新的蚀刻液的液膜。
具体的说，在所述基板保持机构所保持的基板是圆形基板时，所述第一片材和第一片材也可以是具有比所述圆形基板的直径大的片材长度(与基板主面平行方向的长度)的片材。
所述第一片材和所述第二片材沿着与所述前进方向垂直的方向安装在所述喷嘴体上。
优选所述喷出口包括沿着规定的开口方向呈直线状开口的狭缝喷出口，所述第二片材沿着所述规定的开口方向安装在所述喷嘴体上。
根据该结构，向基板的主面喷出规定方向上有宽度的带状的蚀刻液。该带状蚀刻液被沿相同方向的第二片材均匀化，因此即使来自喷嘴体的喷出口的蚀刻液的喷出流量比较少，也能够在基板的主面的整个区域遍布蚀刻液。由此，能够一边减少蚀刻液的使用流量，一边对基板的主面实施良好的蚀刻处理。
优选所述喷嘴体移动机构使所述喷嘴体向所述前进方向移动，直到所述第二片材与基板的所述主面不接触为止。
根据该结构，随着喷嘴体向前进方向移动，能够使第一片材和第二片材接触基板主面的整个区域。由此，能够对基板主面的整个区域实施高速率并且均匀的蚀刻处理。
优选在所述第一片材和所述第二片材上形成有多个通过孔，所述多个通过孔能够使供给到所述主面上的蚀刻液通过。
根据该结构，与第一片材接触的蚀刻液的一部分通过多个通过孔残留在基板的主面上。另外，与第一片材接触的蚀刻液的一部分通过小孔残留在基板的主面上。因此，能够防止第一片材或者第一片材刚通过后的基板主面的干燥。通过防止基板主面的干燥，能够防止蚀刻处理中面内均匀性的降低和蚀刻速率的降低。
优选所述基板保持机构包括：支撑部，将基板保持为水平姿势；限制面，设置在该支撑部所支撑的基板的主面的侧方，用于阻挡随着所述第一片材一起移动的蚀刻液。
根据该结构，限制面阻挡与第二片材的移动一起移动的蚀刻液。并且，该限制面所阻挡的蚀刻液给予基板的主面。因此，能够抑制或者防止基板的主面干燥。由此，能够防止蚀刻处理中面内均匀性的降低和蚀刻速率的降低。
优选所述基板保持机构包括：对置面，与所述支撑部所支撑的基板的端面相对；阶梯部，连接该对置面和所述限制面，用于使所述限制面所阻挡的蚀刻液滞留。
根据该结构，能够使蚀刻液滞留在阶梯部。滞留在阶梯部的蚀刻液给予基板的主面。因此，能够给予基板的主面比较多量的蚀刻液。由此，能够更进一步有效地防止基板主面的干燥。
所述基板保持机构也可以包括基板支撑构件和用于支撑所述基板支撑构件的基座构件，所述支撑部和所述限制面设置在所述支撑构件上。
所述基板保持机构也可以包括具有所述支撑部和所述限制面的基座构件。
所述喷嘴体移动机构也可以使所述喷嘴体沿所述前进方向往返移动。在该情况下，在喷嘴体向前进方向移动的回路和喷嘴体向与前进方向反向移动的去路中，第一片材的功能和第一片材的功能发生交替。
该基板处理装置还可以包括使所述基板保持机构所保持的基板旋转的基板旋转机构。在该情况下，能够通过基板旋转机构改变喷嘴体相对前进方向的姿势。由此，能够在基板的主面上均匀地实施蚀刻处理。
本发明的基板处理方法包括：从喷嘴体的喷出口向基板保持机构所保持的基板的主面喷出蚀刻液的工序；使所述喷嘴体向规定的前进方向移动，使得蚀刻液在所述主面上的的着落位置移动的工序；使安装在所述喷嘴体上的具有挠性的第一片材与比蚀刻液在所述主面上的着落位置更靠近所述前进方向一侧(前进方向前方侧)的区域接触，从该区域排除液体的工序；使安装在所述喷嘴体上的具有挠性的第二片材与前进方向另一侧(行进方向后方侧)的区域接触，使供给到所述主面上的蚀刻液变得均匀的工序，其中，所述前进方向另一侧是指，当从蚀刻液在所述主面上的着落位置观察时，与所述前进方向一侧相反的所述前进方向的另一侧。
根据该方法，在将第一片材作为前头使喷嘴体移动时，该第一片材排除基板的主面上的失活的蚀刻液。然后，向通过第一片材刚通过后的基板的主面上供给来自喷出口的新的蚀刻液。因在第一片材之后通过的第二片材的移动使着落在基板的主面上的新的蚀刻液均匀。其结果是，在基板的主面的整个区域形成薄并且厚度均匀的蚀刻液的液膜。
由于在基板的主面的整个区域形成新的蚀刻液的液膜，因此能够向主面的整个区域均匀地供给蚀刻液。由此，能够提高蚀刻处理的面内均匀性。
另外，因为向排除了失活的蚀刻液后的基板的主面供给新的蚀刻液，所以能够防止或者抑制新的蚀刻液和失活的蚀刻液的混合。因而，能够防止在基板的主面上形成蚀刻能力比较低的蚀刻液的液膜，由此，能够提高蚀刻处理的速率。由上所述，能够对基板主面的整个区域实施高速率并且均匀的蚀刻处理。
参照附图，通过下面叙述的实施方式的说明来明确本发明前述的或者进一步的其他的目的、特征及效果。
附图说明
图1A是示意性地表示本发明的第一实施方式的基板处理装置的结构的剖视图。
图1B是示意性地表示图1A中所示的基板处理装置的结构的俯视图。
图2是表示狭缝喷嘴的结构的立体图。
图3A是表示基板支撑构件的结构的俯视图。
图3B是从图3A的剖面线C-C所观察到的剖视图。
图4是表示图1A所示的基板处理装置的电气结构的框图。
图5是表示在图1A所示的基板处理装置中晶片处理的一个例子的流程图。
图6A～图6C是用于说明在图1A所示的基板处理装置中晶片的蚀刻处理的剖视图。
图7是示意性地表示本发明的第二实施方式的基板处理装置的结构的俯视图。
图8是示意性地表示本发明的第三实施方式的基板处理装置的结构的剖视图。
图9是表示图8所示的基板处理装置的电气结构的框图。
图10是表示在图8所示的基板处理装置中晶片处理的一个例子的流程图。
图11A～图11C是用于说明在图8所示的在基板处理装置中晶片的蚀刻处理的剖视图。
具体实施方式
图1A是示意性地表示本发明的一个实施方式(第一实施方式)的基板处理装置1的结构的剖视图。图1B是示意性地表示图1A中所示的基板处理装置1的结构的俯视图。
该基板处理装置1是单张式的装置，用于对例如由硅晶片形成的圆形的晶片W中的与器件形成区域侧的表面相反侧的背面(上表面)，实施用于晶片W的减薄(薄型化)的蚀刻处理。在该实施方式中，使用例如硝氟酸(氢氟酸和硝酸的混合液)作为蚀刻液。
该基板处理装置1在由隔壁(未图示)划分的处理室2内具有：基板支撑构件(基座(susceptor))3，将晶片W保持在大致水平姿势；旋转卡盘4，保持基板支撑构件3，使晶片W和基板支撑构件3围绕通过晶片W中心的铅垂轴线旋转；狭缝喷嘴5，用于向保持在基板支撑构件3上的晶片W的上表面供给硝氟酸；DIW喷嘴6，用于向保持在基板支撑构件3上的晶片W的上表面供给DIW(deionized water：去离子水)。
旋转卡盘4具有：圆盘状的旋转基座9，固定于旋转轴8的上端，该旋转轴8借助作为基板旋转机构的卡盘旋转驱动机构7的旋转驱动力围绕铅垂轴线旋转；多个夹持构件10，大致等间隔地设置在旋转基座9的周边部的多个位置，用于夹持基板支撑构件3，使得晶片W呈水平姿势。由此，旋转卡盘4在由多个夹持构件10夹持基板支撑构件3的状态下，借助卡盘旋转驱动机构7的旋转驱动力使旋转轴8旋转，从而能够使晶片W在保持大致水平姿势的状态下围绕铅垂轴线旋转。
基板支撑构件3形成为直径比旋转基座9小的圆盘形状，具有在保持在旋转卡盘4上的状态下呈水平姿势的平坦的上表面12。在该上表面12的中央部形成有用于容置保持晶片W的近似圆筒状的容置凹部13。
狭缝喷嘴5上形成有狭缝喷出口15，该狭缝喷出口15与基板支撑构件3所保持的晶片W的上表面相对，并开口为沿规定的Y方向的直线形状。狭缝喷嘴5通过保持轨道(未图示)保持，并能够沿与Y方向垂直的X方向往复移动。X方向和Y方向都是沿晶片W的上表面的方向(水平方向)。狭缝喷嘴5上结合有狭缝喷嘴驱动机构(喷嘴体移动机构)16。能够借助该狭缝喷嘴驱动机构16的驱动力，使狭缝喷嘴5沿X方向往复移动。
在狭缝喷嘴5上连接有连通到狭缝喷出口15的硝氟酸供给管17。向硝氟酸供给管17供给来自硝氟酸供给源的硝氟酸。在硝氟酸供给管17的中途部安装有用于切换硝氟酸向狭缝喷嘴5的供给和停止供给的硝氟酸阀18。
DIW喷嘴6是例如以连续流的状态喷出DIW的直线喷嘴(straightnozzle)。DIW喷嘴6处在旋转卡盘4的上方且将其喷出口朝向晶片W的中央部配置。在该DIW喷嘴6上连接有DIW供给管19，通过DIW供给管19供给来自DIW供给源的DIW。在DIW供给管19的中途部安装有DIW阀20，该DIW阀20用于切换DIW向DIW喷嘴6的供给和停止供给。此外，在图1B中，省略了硝氟酸供给管17、硝氟酸阀18、DIW喷嘴16、DIW供给管19及DIW阀20的图示。
图2是表示狭缝喷嘴5的结构的立体图。
狭缝喷嘴5具有喷嘴体22，该喷嘴体22具有在Y方向上长的长方体外形。关于喷嘴体22沿X方向的剖面形状，其下方部形成为前尖状。狭缝喷出口15形成在喷嘴体22的下端面。狭缝喷出口15的长度方向(Y方向)的长度设置为大于晶片W的直径。狭缝喷出口15的开口宽度例如为0.5mm。狭缝喷出口15呈沿Y方向的带状喷出硝氟酸。
在喷嘴体22的一侧的侧面(图2所示的左面里侧)23，以铅垂姿势安装有Y方向长的长方形的挠性的第一片材24。第一片材24是形成有多个例如300μm四方形开口的网眼状片材，其材质是PFA(Tetrafluoroethyleneperfluoroalkoxy vinyl ether copolymer：四氟乙烯-全氟烷氧基乙烯共聚物树脂)。第一片材24的片材长度(长度方向(Y方向)的长度)也设定为大于晶片W的直径。第一片材24的片材宽度(晶片W的法线方向的长度)设定为如下的程度：其前端边与基板支撑构件3所支撑的晶片W的上表面抵接，且第一片材24弯曲。
在喷嘴体22的相反侧侧面(图2所示的右面前侧)25，以铅垂姿势安装有Y方向长的长方形的挠性的第二片材26。第二片材26是形成有多个例如300μm四方形开口的网眼状片材，其材质是PFA(四氟乙烯·全氟烷氧基乙烯共聚物树脂)。第二片材26的片材长度(长度方向(Y方向)的长度)也设定为大于晶片W的直径。第二片材26的片材宽度(晶片W的法线方向的长度)设定为如下程度：其前端边与基板支撑构件3所支撑的晶片W的上表面抵接，且第二片材26弯曲。
图3A是表示基板支撑构件3的结构的俯视图。图3B是从图3A的剖面线C-C所观察到的剖视图。
基板支撑构件3由聚氯乙烯(polyvinyl chloride)形成。
在容置凹部13的底部28的上表面，沿底部28的周边配置有作为支撑晶片W的支撑部的圆环状的密封构件29。该密封构件29支撑晶片W的下表面。密封构件29可以是图3B所示那样的唇形密封圈，也可以是平面密封圈。在使用唇形密封圈作为密封构件29时，使密封构件29的内周面具有刚性，从而能够高精度地规定晶片W的上表面高度。
容置凹部13的内周面包括第一圆筒面(对置面)41，具有和晶片W大致相等的直径；第二圆筒面(限制面)42，形成在第一圆筒面41的上方，且直径大于第一圆筒面41。在第一圆筒面41的上端形成有连接第一圆筒面41和第二圆筒面42的环状阶梯部43。环状阶梯部43形成在与容置凹部13内所保持的晶片W(蚀刻处理前的晶片W)的上表面同一平面的水平面上。上表面12和环状阶梯部43间的阶梯差S设置在如0.5～1.0mm的范围。另外，环状阶梯部43的宽度设置成如0～3mm。
基板支撑构件3的上表面12的周边部大致等间隔地形成有多个卡合用凹部32。各卡合用凹部32以对应于夹持构件10的方式形成，通过各夹持构件10与卡合用凹部32相卡合，实现基板支撑构件3相对于旋转卡盘4的固定。
在容置凹部13的底部28的中央形成有吸引用的吸引孔33。吸引孔33连接有第一吸引管34的一端。第一吸引管34上安装有止回阀31。止回阀31允许从吸引孔33被吸引到下面叙述的真空发生装置35侧的空气的通过，并且阻止空气向相反方向的流动。该第一吸引管34的另一端能够与第二吸引管48的一端相连接。第二吸引管48的另一端连接到作为吸引机构的真空发生装置35。在第二吸引管48的中途部安装有用于切换第二吸引管48的开关的吸引阀36。
另外，在容置凹部13的底部28形成有用于解除吸引的溢流孔37。在溢流孔37连接着第一空气供给管38的一端。在第一空气供给管38的中途部安装有用于开关第一空气供给管38的溢流阀47。该第一空气供给管38的另一端能够与第二空气供给管49的一端相连接。在第二空气供给管49的另一端连接着空气供给源，来自该空气供给源的高压空气通过第二空气供给管49供给到第一空气供给管38。在这些配管和阀中，第一吸引管34、止回阀31、第一空气供给管38及溢流阀47安装在基板支撑构件3上。
在真空发生装置35的运转状态下，在容置凹部13容置有晶片W，并且在第一吸引管34的另一端连接有第二吸引管48的一端的状态下，若关闭溢流阀47的同时打开吸引阀36，则底部28和晶片W间的空间40内的空气被吸引，从而晶片W的下表面(器件形成面)被吸附保持。然后，关闭吸引阀36，另外，即使将第一吸引管34从第二吸引管48脱离，也能够通过止回阀31及处于关闭状态的溢流阀47防止空气向空间40内的流入，因此继续保持对晶片W的下表面的吸附保持。在该晶片W的吸附保持状态下，晶片W的下表面的周边部和密封构件29贴紧，能够防止硝氟酸进入到晶片W的下表面(器件形成面)。
另外，从晶片W吸附保持在基板支撑构件3上的状态，若在第一空气供给管38的另一端连接第二空气供给管49的一端且打开溢流阀47，则向底部28和晶片W之间的空间40内供给高压空气，从而解除空间40内的减压状态。由此，解除晶片W的吸附保持，能够使晶片W从基板支撑构件3脱离。
图4是表示基板处理装置1的电气结构的框图。
该基板处理装置1具有包含微型计算机结构的控制装置50。
该控制装置50上连接有作为控制对象的卡盘旋转驱动机构7、狭缝喷嘴驱动机构16、硝氟酸阀18及DIW阀20等。
图5是表示基板处理装置1中晶片处理的一个例子的流程图。图6A～图6C是用于说明基板处理装置1中晶片的蚀刻处理的剖视图。
在处理晶片W之前，将未处理的晶片W支撑在基板支撑构件3上。具体地说，使基板支撑构件3的上表面12朝上，并将晶片W容置在容置凹部13后，保持溢流阀47关闭状态，打开吸引阀36。由此，晶片W的下表面(器件形成面)被吸附保持。
然后，在处理晶片W时，搬运机械手将支撑有未处理的晶片W的基板支撑构件3搬入到处理室2内，交接到旋转卡盘4上(步骤S1)。此时，狭缝喷嘴5退避到旋转卡盘4侧方的退避位置。另外，硝氟酸阀18和DIW阀20都被控制在关闭状态。
基板支撑构件3交接到旋转卡盘4上后，控制装置50驱动卡盘旋转驱动机构7，使旋转卡盘4以低转速(例如50rpm)匀速旋转。另外，控制装置50驱动狭缝喷嘴驱动机构16，将狭缝喷嘴5引导到晶片W的上方。
狭缝喷嘴5到达晶片W的上方时，控制装置50打开硝氟酸阀18，从狭缝喷出口15以在Y方向上具有宽度的带状的轮廓(profile)喷出硝氟酸。另外，控制装置50驱动狭缝喷嘴驱动机构16，使狭缝喷嘴5在扫描开始位置P1(图6A中以双点划线表示)和返回位置P2(图6A中以双点划线表示)间沿X方向往复移动(往复扫描)，其中，该扫描开始位置P1处在基板支撑构件3的上方区域外，该返回位置P2位于与上述扫描开始位置P1相反一侧，并与上述扫描位置P1隔着晶片W的旋转中心，并且处在基板支撑构件3的上方区域外(步骤S2：蚀刻处理)。
因为第一片材24和第二片材26的片材长度大于晶片W的直径，所以能够使第一片材24和第二片材26接触晶片W的上表面的整个区域。
具体地说，如图6A所示，在狭缝喷嘴5向X方向的一个方向X1移动时，第一片材24与比硝氟酸在晶片W上表面的着落位置更靠近前进方向X1的前方侧的区域接触。此时，第一片材24向前进方向X1的前方侧弯曲以变为凸形，第一片材24的前端边贴紧在晶片W的上表面。并且，随着狭缝喷嘴5的移动，第一片材24一边与晶片W的上表面接触一边移动。由此，能够从晶片W的上表面刮掉失活的硝氟酸并排除。
另外，第二片材26与比硝氟酸在晶片W上表面上的着落位置更靠近前进方向X1的后方侧的区域接触。此时，第二片材26向前进方向X1前方侧的区域弯曲以变为凸形，第二片材26的前端边贴紧在晶片W的上表面。并且，随着狭缝喷嘴5的移动，第二片材26一边与晶片W的上表面接触一边移动。由此，能够在第一片材24和第二片材26之间使供给到晶片W的上表面的硝氟酸均匀。
通过沿Y方向的第二片材26，使从狭缝喷出口15所喷出的硝氟酸均匀，因此，即使从狭缝喷出口15喷出的硝氟酸的喷出流量比较少量，也能够使硝氟酸高效率地遍布在晶片W的上表面的整个区域。
然后，狭缝喷嘴5到达晶片W的周边部时，如图6B所示，第一片材24和第二片材26的前端边到达基板支撑构件3的上表面12。此时，与第二片材26一起移动的硝氟酸受到第二圆筒面42的阻挡，滞留在环状阶梯部43。滞留在与晶片W大致同一平面上的环状阶梯部43的硝氟酸在狭缝喷嘴5通过后向晶片W的上表面移动。由此，能够抑制或者防止第一片材24及第二片材26刚通过后的晶片W的上表面，特别是晶片W上表面的周边部的干燥。
然后，如图6C所示，狭缝喷嘴5到达返回位置P2时，控制装置50一边继续保持硝氟酸阀15开启的状态一边驱动狭缝喷嘴驱动机构16，使狭缝喷嘴5返回，使狭缝喷嘴5向X方向的另一前进方向X2(与前进方向X1反向的方向)移动。
当狭缝喷嘴5在X方向上向前进方向X2移动时，第二片材26与比硝氟酸在晶片W上表面上的着落位置更靠近前进方向X2的前方侧的区域接触。并且，随着狭缝喷嘴5的移动，第二片材26一边与晶片W的上表面接触一边移动。由此，能够从晶片W的上表面刮去失活的硝氟酸并排除。
另外，第一片材24与比硝氟酸在晶片W上表面上的着落位置更靠近前进方向X2的后方侧的区域接触。并且，随着狭缝喷嘴5的移动，第一片材24一边与晶片W的上表面接触一边移动。由此，能够在第一片材24和第二片材26之间使供给到晶片W的上表面的硝氟酸均匀。此外，在该狭缝喷嘴5的移动中，从狭缝喷嘴5喷出的硝氟酸的喷出流量保持为恒定(例如1.2L/min)。
只进行规定时间(例如300秒)的蚀刻处理后，控制装置50关闭硝氟酸阀18，停止来自狭缝喷嘴5的硝氟酸的喷出。另外，控制装置50驱动狭缝喷嘴驱动机构16，使狭缝喷嘴5退避到旋转卡盘4的侧方的退避位置。
接下来，控制装置50控制卡盘旋转驱动机构7，使旋转卡盘4的转速加速到规定的冲洗处理转速(100rpm左右)，并且打开DIW阀20，从DIW喷嘴6向旋转状态的晶片W的上表面的旋转中心供给DIW(步骤S3)。由此，冲洗掉晶片W上的硝氟酸，对晶片W实施冲洗处理。在该冲洗处理中，来自DIW喷嘴6的DIW的喷出流量例如为2.0L/min。
进行规定时间(例如60秒)的上述冲洗处理后，控制装置50关闭DIW阀20完成冲洗处理。控制装置50再控制卡盘旋转驱动机构7使旋转卡盘4的转速加速到规定的干燥转速(1000～2000rpm左右)。由此，借助离心力，晶片W的上表面的DIW被甩出，对晶片W进行旋转干燥处理(步骤S4)。
进行规定时间(例如30秒)的干燥处理后，控制装置50控制卡盘旋转驱动机构7，使旋转卡盘4的旋转停止。然后，搬运机械手将处理结束的晶片W连同基板支撑构件3一起从处理室2搬出(步骤S5)。
接下来，对实施例及比较例进行说明。
进行如下试验：对处于旋转状态的外径为200mm的晶片(硅晶片)W的上表面(背面)供给硝氟酸，实施用于减薄的蚀刻处理。
在该蚀刻试验中，使狭缝喷嘴5在晶片W的X方向的两端边缘间往复移动。使硝氟酸以1.2L/min的流量从狭缝喷嘴5喷出到晶片W，该硝氟酸是硝酸和氢氟酸以容积比5：1的比例混合而制成的。蚀刻处理时间为600秒，在蚀刻处理中的扫描速度为如150mm/sec。在蚀刻处理时，晶片W的转速为5rpm，根据晶片W的蚀刻量算出蚀刻速率。
在实施例中，使用图1的基板处理装置1进行蚀刻处理。
在比较例中，使用从图1的基板处理装置1中省去第一片材24和第二片材26的装置进行蚀刻处理。
蚀刻试验的结果是，即使距旋转中心的距离变化，实施例和比较例中蚀刻速率的轮廓都大致均匀。由此，能够得知在实施例和比较例的两个例子中蚀刻的面内均匀性良好。
另一方面，比较例的蚀刻速率在11(μm/min)左右变化，相对于此，实施例的蚀刻速率在20(μm/min)左右变化。由此能够了解在实施例中蚀刻的处理率高。
如上所述，根据该实施方式，通过狭缝喷嘴16移动狭缝喷嘴5，从而使硝氟酸在晶片W的上表面上的着落位置移动。随着狭缝喷嘴5的移动，第一片材24一边与在前进方向X1上位于晶片W上表面上的着落位置的前方侧的区域接触一边移动。另外，随着狭缝喷嘴5的移动，第二片材26一边与在前进方向X1上位于晶片W上表面上的着落位置的后方侧的区域接触一边移动。
在将第一片材24作为前头来移动狭缝喷嘴5时，利用该第一片材24将晶片W的上表面上的失活的硝氟酸排除。然后，向第一片材24通过后的晶片W的上表面上供给新的硝氟酸。另外，通过第二片材26的移动使着落在晶片W的上表面上的新的硝氟酸均匀。其结果，在晶片W的上表面的整个区域形成薄且厚度均匀的硝氟酸的液膜。因为向排除失活的硝氟酸后的晶片W的上表面供给新的硝氟酸，所以能够防止或者抑制新的硝氟酸和失活的硝氟酸混合。由此，能够防止在晶片W的上表面上形成蚀刻能力比较低的硝氟酸的液膜，能够使蚀刻处理的处理率提高。
如上所述，能够对晶片W的上表面的整个区域实施高速率且均匀的蚀刻处理。
图7是示意性地表示本发明的另一个实施方式(第二实施方式)的基板处理装置60的结构的俯视图。在该第二实施方式中，对与第一实施方式所示的各部分对应的部分，标注与第一实施方式相同的附图标记，省略其说明。
在该第二实施方式中，狭缝喷嘴5安装在臂61上，该臂61在旋转卡盘4的上方大致水平地延伸。该臂61被在旋转卡盘4的侧方近似铅垂地延伸的臂支撑轴62支撑。在臂支撑轴62上结合有臂摆动驱动机构63，能够借助该臂摆动驱动机构63的驱动力使臂支撑轴62旋转，从而使臂61摆动。
通过臂摆动驱动机构63的驱动力摆动臂61，狭缝喷嘴5在扫描开始位置P3(图7中用实线表示)和返回位置P4之间沿水平方向往复移动，其中，该扫描开始位置P3处在基板支撑构件3的上方区域外，该返回位置P4与该扫描开始位置P3以晶片W的旋转中心为中心离开90°，并处在基板支撑构件3的上方区域外。第一片材24和第二片材26的片材长度大于基板W的直径，因此，能够通过臂61的摆动使第一片材24和第二片材26接触晶片W的上表面的整个区域。
例如，在狭缝喷嘴5从扫描开始位置P3向返回位置P4移动时，第一片材24一边与比硝氟酸在晶片W上表面上的着落位置更靠近前进方向上的前方侧的区域接触一边移动。由此，能够从晶片W的上表面刮去失活的硝氟酸并排除。另外，第二片材26一边与比硝氟酸在晶片W上表面上的着落位置更靠近前进方向上的后方侧的区域接触一边移动。由此，能够使供给到晶片W的上表面的硝氟酸均匀。
另外，在狭缝喷嘴5从返回位置P4向扫描开始位置P3返回时，第二片材26一边与比硝氟酸在晶片W上表面上的着落位置更靠近前进方向的前方侧的区域接触一边移动。由此，能够从晶片W的上表面刮去失活的硝氟酸并排除。另外，第一片材24一边与比硝氟酸在晶片W上表面上的着落位置更靠近前进方向上的后方侧的区域接触一边移动。由此，能够使供给到晶片W的上表面的硝氟酸均匀。
图8是示意性地表示本发明又一实施方式(第三实施方式)的基板处理装置80的结构的俯视图。在该第三实施方式中，对与第一实施方式所示的各部分对应的部分，标注与第一实施方式相同的附图标记，省略其说明。
在该第三实施方式中，采用基板保持机构81作为基板保持机构，以代替基板支撑构件3和旋转卡盘4。通过该基板保持机构81，一边保持晶片W一边使其旋转。
基板保持机构81具有固定在旋转轴83的上端的圆盘状的旋转基座84，该旋转轴83借助作为基板旋转机构的旋转驱动机构82的旋转驱动力围绕铅垂轴线旋转。旋转基座84采用聚氯乙烯(polyvinyl chloride)形成，具有平坦的上表面91。
在旋转基座84的上表面中央部形成有用于容置保持晶片W的圆筒状的容置凹部85。在容置凹部85的底部86的上表面沿底部86的周边配置有作为支撑晶片W的支撑部的圆环形状的密封构件87。利用该密封构件84支撑晶片W的下表面。密封构件87既可以是唇形密封圈(参照图11A～图11C)，也可以是平面密封圈。在使用唇形密封圈作为密封构件87时，使密封构件87的内周面具有刚性，从而能够高精度地规定晶片W的上表面高度。
容置凹部85的内周面包括：第三圆筒面(对置面)88，具有与晶片W大致相等的直径；第四圆筒面(限制面)89，形成在第三圆筒面88的上方，且直径大于第三圆筒面88。在第三圆筒面88的上端形成有连接第三圆筒面88和第四圆筒面89的环状阶梯部90。环状阶梯部90形成在与容置凹部85内所保持的晶片W(蚀刻处理前的晶片W)的上表面同一平面的水平面上。上表面91和环状阶梯部90间的阶梯差S0设定在如0.5～1.0mm的范围。另外，环状阶梯部90的宽度设定为如0～3mm。
容置凹部85的底部86的中央形成有吸引用的吸引孔92。在吸引管92连接有吸引管93的一端。吸引管93的另一端连接到真空发生装置94。吸引管93的中途部安装有用于切换吸引管93的开闭的吸引阀95。
另外，容置凹部85的底部86的中央形成有吸引解除用的溢流孔96。在溢流孔96连接有第三空气供给管97的一端。第三空气供给管97连接到空气供给源，来自该空气供给源的空气通过第三空气供给管97供给到溢流孔96。第三空气供给管97的中途部安装有用于开关第三空气供给管97的溢流阀98。
在该第三实施方式中，基板处理装置80设置有多个(例如4个)升降销99，该升降销99用于使晶片W在容置在容置凹部的状态和从容置凹部85脱离到上方的状态之间升降(在图8中仅图示了两个升降销99)。各升降销99设置为插通到上下贯通旋转基座84而形成的贯通孔100中，并能够相对旋转基座84升降。各升降销99的下端固定在圆板状的支撑板101上。在各支撑板101上连接有从旋转基座84的下表面垂下的圆筒状的波纹管102的下端。
各波纹管102使用对硝氟酸具有耐药性的树脂(例如聚氯乙烯(polyvinylchloride))伸缩自由地形成，包围对应的升降销99的周围。各波纹管102的上端以包围各贯通孔100的开口的周围的方式，贴紧连接在旋转基座84的下表面上。各波纹管102的下端贴紧连接在支撑板101的周边的整个区域。由波纹管102和支撑板101包围的空间103仅通过贯通孔100与外部空间相连通。因此，在容置凹部容置有晶片W的状态下，空间103与底部86和晶片W之间的空间104作为整体被封闭。
在旋转基座84的下方配置有包围旋转轴83的周围的圆环板状的支撑环105。支撑环105不被旋转轴83支撑，而被其他的构件例如保持处理室2的框架(未图示)支撑。因此，支撑环105不随旋转轴83的旋转而旋转。支撑环105上结合有升降销升降驱动机构106。通过该升降销升降驱动机构106，能够使多个升降销99在突出位置(图8中以双点划线表示的位置)和退避位置(在图8中以实线表示的位置)间统一升降，其中，该突出位置为升降销99的前端突出到旋转基座84的上表面的上方的位置，该退避位置为升降销99的前端退避到旋转基座84的底部86的上表面的下方的位置。
在升降销99在退避位置的状态下，各升降销99和各支撑板101通过对应的波纹管(bellows)102悬挂。支撑板101的下表面未抵接到支撑环105的上表面，因此，各升降销99仅由旋转基座84支撑。波纹管102受到升降销99及支撑板101的重量的影响，与无拘束状态相比伸长。
从图8中实线所示的状态，驱动升降销升降驱动机构106，支撑环105上升时，支撑环105的上表面与支撑板101的下表面抵接并卡合。该支撑环105和支撑板101卡合后，各升降销99支撑在支撑环105上。并且，若支撑环105继续上升，则升降销99和支撑板101上升，随着升降销99和支撑板101的上升，波纹管102收缩。
另一方面，在升降销99处在突出位置的状态下，在该状态，晶片W从容置凹部85脱离到上方，因此，搬运机械手(未图示)的手部(未图示)能够以从下方捞起的方式访问晶片W。
另外，从图8中以双点划线表示的状态，驱动升降销升降驱动机构106，支撑环105下降时，升降销99和支撑板101下降，随着升降销99和支撑板101的下降，波纹管102伸展。并且，通过支撑环105的继续下降，支撑板101和支撑环105解除卡合。由此，各升降销99从支撑环105脱离，支撑在波纹管102上。
在真空发生装置94的运转状态中，在容置凹部85容置有晶片W的状态下，若关闭溢流阀98并打开吸引阀95，则空间103和空间104内的空气被吸引。此时，空间103及空间104被封闭，因此空间103及空间104变为负压。由此，吸附保持晶片W的下表面(器件形成面)。在该晶片W的吸附保持状态，晶片W的下表面的周边区域和密封构件87的上部贴紧。由此，能够防止硝氟酸进入晶片W的下表面(器件形成区域)。在使晶片W吸附保持在旋转基座84上的状态下，旋转驱动机构82被旋转驱动，旋转轴83旋转，从而能够使晶片W以保持大致水平姿势的状态围绕铅垂轴线旋转。
对于各波纹管102，进行材料的选择和形状的设计，使得每单位应力的收缩量变得比较小。因此，因用于吸附保持晶片W的空气的吸引，收缩管102几乎不收缩，升降销99也几乎不上升。
图9是表示图8所示的基板处理装置的电气结构的框图。
该基板处理装置80具有包括微型计算机结构的控制装置107。控制装置107连接有作为控制对象的旋转驱动机构82、升降销升降驱动机构106、狭缝喷嘴驱动机构16、硝氟酸阀18及DIW阀20等。
图10是表示基板处理装置80中晶片处理的一个例子的流程图。图11A～图11C是用于说明基板处理装置80中晶片的蚀刻处理的剖视图。
在处理晶片W之前，狭缝喷嘴5退避到基板保持机构81的侧方的退避位置。另外，升降销99上升到突出位置(在图8中用双点划线表示的位置)。进一步，硝氟酸阀18、DIW阀20、吸引阀95和溢流阀98都控制为关闭状态。
在处理晶片W时，未图示的搬运机械手将未处理的晶片W搬入到处理室2内。具体地说，将晶片W装载在基板保持机构81的多个升降销99上。然后，控制装置107驱动升降销升降驱动机构106，升降销99下降到退避位置，使晶片W容置到容置凹部85内。由此，晶片W交接到旋转基座84(步骤S11)。晶片W交接到旋转基座84后，控制装置107打开吸引阀95。由此，能够使晶片W吸附保持在旋转基座84(步骤S12)。
晶片W交接到旋转基座84后，控制装置107驱动旋转驱动机构82，使旋转基座84以低转速(例如5rpm)匀速旋转。另外，控制装置107驱动狭缝喷嘴驱动机构16，将狭缝喷嘴5引导到晶片W的上方。
狭缝喷嘴5到达晶片W的上方时，控制装置107打开硝氟酸阀18，从狭缝喷出口15以在Y方向上具有宽度的带状的轮廓喷出硝氟酸。另外，控制装置107驱动狭缝喷嘴驱动机构16，使狭缝喷嘴5在扫描开始位置P5(图11A中以双点划线表示)和返回位置P6(图11A中以双点划线表示)之间沿X方向往复移动(往复扫描)，其中，该扫描开始位置P5处在旋转基座84的上方区域外，该返回位置P6位于与上述扫描开始位置P5相反一侧，并与上述扫描开始位置隔着晶片W的旋转中心，并且处在旋转基座84的上方区域外(步骤S13)。
因为第一片材24和第二片材26的片材长度比晶片W的直径大，所以能够使第一片材24和第二片材26接触晶片W的上表面的整个区域。
若具体地说明，则如图11A所示，在狭缝喷嘴5向X方向的一个方向X1移动时，第一片材24与比硝氟酸在晶片W上表面上的着落位置更靠近前进方向X1的前方侧的区域接触。此时，第一片材24向前进方向X1的前方侧弯曲以形成凸形，第一片材24的前端边贴紧在晶片W的上表面。并且，随着狭缝喷嘴5的移动，第一片材24一边与晶片W的上表面接触一边移动。由此，能够从晶片W的上表面刮去失活的硝氟酸并排除。
另外，第二片材26与比硝氟酸在晶片W上表面上的着落位置更靠近前进方向X1的后方侧的区域接触。此时，第二片材26向前进方向X1的前方侧区域弯曲以形成凸形，第二片材26的前端边贴紧在晶片W的上表面。并且，随着狭缝喷嘴5的移动，第二片材26一边与晶片W的上表面接触一边移动。由此，能够在第一片材24和第二片材26之间使供给到晶片W的上表面的硝氟酸均匀。
因为通过沿Y方向的第二片材26使从狭缝喷出口15喷出的硝氟酸均匀，所以即使从狭缝喷出口15喷出的硝氟酸的喷出流量比较少量，也能够使硝氟酸高效地遍布在晶片W的上表面的整个区域。
并且，如图11B所示，若狭缝喷嘴5到达晶片W的周边部，则第一片材24和第二片材26的前端边到达旋转基座84的上表面91。此时，与第二片材26一起移动的硝氟酸被第四圆筒面89阻挡，滞留在环状阶梯部90。滞留在与晶片W几乎在同一平面的环状阶梯部90的硝氟酸在狭缝喷嘴5通过后向晶片W的上表面移动。由此，能够抑制或者防止在第一片材24及第二片材26刚通过后的晶片W的上表面，特别是晶片W上表面的周边部干燥。
然后，狭缝喷嘴5到达返回位置P6时，如图11C所示，控制装置107继续保持硝氟酸阀18开启的状态，同时驱动狭缝喷嘴驱动机构16使狭缝喷嘴5返回，而使狭缝喷嘴5向X方向的另一前进方向X2(和前进方向X1反向的方向)移动。
当狭缝喷嘴5在X方向上向另外方向X2移动时，第二片材26与比硝氟酸在晶片W上表面上的着落位置更靠近前进方向X2的前方侧的区域接触。并且，随着狭缝喷嘴5的移动，第二片材26一边与晶片W的上表面接触一边移动。由此，能够从晶片W的上表面刮去失活的硝氟酸并排除。
另外，第一片材24与比硝氟酸在晶片W上表面上的着落位置更靠近前进方向X2的后方侧的区域接触。并且，随着狭缝喷嘴5的移动，第一片材24一边与晶片W的上表面接触一边移动。由此，能够使在第一片材24和第二片材26之间供给到晶片W的上表面的硝氟酸均匀。此外，在该狭缝喷嘴5的移动中，从狭缝喷嘴5喷出的硝氟酸的喷出流量保持在恒定(例如1.2L/min)。
只进行规定时间(例如300秒)的蚀刻处理后，控制装置107关闭硝氟酸阀18，停止来自狭缝喷嘴5的硝氟酸的喷出。另外，控制装置107驱动狭缝喷嘴驱动机构16，使狭缝喷嘴5退避到基板保持机构81的侧方的退避位置。
接下来，控制装置107控制旋转驱动机构82，将旋转基座84的转速加速到规定的冲洗处理转速(100rpm左右)，并且打开DIW阀20，从DIW喷嘴6向旋转状态的晶片W的上表面的旋转中心供给DIW(步骤S14)。由此，冲洗掉晶片W上的硝氟酸，对晶片W实施冲洗处理。在该冲洗处理中，来自DIW喷嘴6的DIW的喷出流量是如2.0L/min。
进行规定时间(例如60秒)的该冲洗处理后，控制装置107关闭DIW阀20完成冲洗处理。控制装置107再控制旋转驱动机构82，使旋转基座84的转速加速到规定的干燥转速(1000～2000rpm左右)。由此，借助离心力，晶片W的上表面的DIW被甩出，对晶片W进行旋转干燥处理(步骤S15)。
进行规定时间(例如30秒)的旋转干燥处理后，控制装置107控制旋转驱动机构82，使旋转基座84的旋转停止。然后，控制装置107打开溢流阀98，从而解除空间103及空间104的减压状态。由此，解除对晶片W的吸附保持(步骤S16)。
接下来，控制装置107对升降销升降驱动机构106进行驱动，使升降销99上升到突出位置。由此，处理完的晶片W从容置凹部85脱离到上方。
然后，基板搬运机械手将处理完的晶片W从处理室2搬出(步骤S17)。
以上对该发明的三个实施方式进行了说明，但是该发明也能够以其他的方式实施。
在上述的各实施方式中，以使狭缝喷嘴5往复扫描的情况为例进行了说明，但也可以向一个方向扫描。特别是，在第二实施方式中进行向一个方向扫描的情况下，也可以使臂61持续向一个方向旋转，仅在狭缝喷嘴5在晶片W上通过时喷出硝氟酸。
另外，也能够使用多孔喷嘴代替该狭缝喷嘴5，所述多孔喷嘴是在喷嘴体22的下端面沿Y方向排列有多个喷出口。
另外，在前述的各实施方式中，说明了狭缝喷出口15的长度方向的长度大于成为处理对象的晶片W的直径的情况。但是，狭缝喷出口15的长度方向的长度也可以比晶片W的直径小。在该情况下，作为狭缝喷出口15的长度方向的长度，能够为如20mm左右。即使在这种情况下，也能够通过第二片材26使供给到晶片W的上表面的硝氟酸均匀，从而在晶片W的上表面的整个区域形成硝氟酸的薄的液膜。
另外，也可以使用以连续流的状态喷出硝氟酸的一个或者多个直线喷嘴来代替狭缝喷嘴5。
另外，也可以对不旋转而处于停止状态的晶片W，一边供给硝氟酸一边移动喷嘴(优选狭缝喷嘴5)，从而实施蚀刻处理。在这样的情况下，能够在图1A的旋转卡盘4及图8的基板保持机构81上不结合卡盘旋转驱动机构7、旋转驱动机构82。
另外，作为第一片材24和第二片材26，不限于网眼状的片材，也能够使用如多孔质片材等。另外，作为第一片材24和第二片材26，能够使用具有可挠性的材质(具有柔软性且具有回复力的材质)，除PFA之外，也能够使用例如PP(聚丙烯)、聚氯乙烯(polyvinyl chloride)。
另外，在前述的三个实施方式中，以对晶片W实施用于减薄晶片W的蚀刻处理的基板处理装置1、60、80为例进行了说明，但也可以是例如对在由氧化膜硅晶片形成的圆板状的晶片W的器件形成面(上表面或者下表面)实施用于去除氧化膜的蚀刻处理的结构。在这样的情况下，最好使用如氢氟酸作为蚀刻液。另外，在实施用于除去晶片W的氮化膜的蚀刻处理的情况下，能够使用磷酸作为蚀刻液。
关于本发明的实施方法进行了详细地说明，但这些只不过是为了明确本发明的技术性内容所使用的具体例子，本发明不应该仅限定这些具体例子进行解释，而只根据附加的权利要求的范围限定本发明的思想和范围。
该申请对应2008年1月31日向日本专利局提出的专利申请2008-2179号及2008年12月2日向日本专利局提出的专利申请2008-307996号，该申请的完全公开通过引用被编入这里。

Claims (13)

1.一种基板处理装置，其特征在于，包括：
基板保持机构，用于保持基板；
喷嘴体，具有用于向所述基板保持机构所保持的基板的主面喷出蚀刻液的喷出口；
喷嘴体移动机构，使所述喷嘴体向规定的前进方向移动，使得蚀刻液在所述主面上的着落位置移动；
第一片材，是安装在所述喷嘴体上的挠性片材，与比蚀刻液在所述主面上的着落位置更靠近所述前进方向一侧的区域接触；
第二片材，是安装在所述喷嘴体上的挠性片材，与前进方向另一侧的区域接触，其中，所述前进方向另一侧是指，当从蚀刻液在所述主面上的着落位置观察时，与所述前进方向一侧相反的所述前进方向的另一侧。
2.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，所述第一片材和所述第二片材设置成，随着所述喷嘴体借助所述喷嘴体移动机构的移动，能够与所述主面的整个区域接触。
3.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，所述第一片材和所述第二片材沿着与所述前进方向垂直的方向安装在所述喷嘴体上。
4.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
所述喷出口包括沿着规定的开口方向呈直线状开口的狭缝喷出口，
所述第二片材沿着所述规定的开口方向安装在所述喷嘴体上。
5.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，所述喷嘴体移动机构使所述喷嘴体向所述前进方向移动，直到所述第二片材与基板的所述主面不接触为止。
6.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，在所述第一片材和所述第二片材上形成有多个通过孔，所述多个通过孔能够使供给到所述主面上的蚀刻液通过。
7.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，所述基板保持机构包括：
支撑部，将基板保持为水平姿势；
限制面，设置在该支撑部所支撑的基板的主面的侧方，用于阻挡随着所述第一片材一起移动的蚀刻液。
8.如权利要求7所述的基板处理装置，其特征在于，所述基板保持机构包括：
对置面，与所述支撑部所支撑的基板的端面相对；
阶梯部，连接该对置面和所述限制面，用于使所述限制面所阻挡的蚀刻液滞留。
9.如权利要求7所述的基板处理装置，其特征在于，所述基板保持机构包括基板支撑构件和用于支撑所述基板支撑构件的基座构件，所述支撑部和所述限制面设置在所述支撑构件上。
10.如权利要求7所述的基板处理装置，其特征在于，所述基板保持机构包括具有所述保持部和所述限制面的基座构件。
11.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，所述喷嘴体移动机构使所述喷嘴体沿着所述前进方向往复移动。
12.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，还包括用于使所述基板保持机构所保持的基板旋转的基板旋转机构。
13.一种基板处理方法，其特征在于，包括：
从喷嘴体的喷出口向基板保持机构所保持的基板的主面喷出蚀刻液的工序；
使所述喷嘴体向规定的前进方向移动，使得蚀刻液在所述主面上的的着落位置移动的工序；
使安装在所述喷嘴体上的具有挠性的第一片材与比蚀刻液在所述主面上的着落位置更靠近所述前进方向一侧的区域接触，从该区域排除液体的工序；
使安装在所述喷嘴体上的具有挠性的第二片材与前进方向另一侧的区域接触，使供给到所述主面上的蚀刻液变得均匀的工序，其中，所述前进方向另一侧是指，当从蚀刻液在所述主面上的着落位置观察时，与所述前进方向一侧相反的所述前进方向的另一侧。
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