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CN101431123A - 单晶硅太阳电池的制绒方法 - Google Patents

单晶硅太阳电池的制绒方法 Download PDF

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CN101431123A
CN101431123A CNA2008101630972A CN200810163097A CN101431123A CN 101431123 A CN101431123 A CN 101431123A CN A2008101630972 A CNA2008101630972 A CN A2008101630972A CN 200810163097 A CN200810163097 A CN 200810163097A CN 101431123 A CN101431123 A CN 101431123A
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CN
China
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wool
making herbs
monocrystalline silicon
aqueous solution
percent
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Pending
Application number
CNA2008101630972A
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English (en)
Inventor
孙励斌
徐晓群
李华维
殷海亭
陈斌
甘旭
黄岳文
唐则祁
胡宏勋
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NINGBO ULICA SOLAR TECHNOLOGY DEVELOPMENT Co Ltd
Original Assignee
NINGBO ULICA SOLAR TECHNOLOGY DEVELOPMENT Co Ltd
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    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

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Abstract

本发明公开了一种单晶硅太阳电池的制绒方法，它包括，首先对单晶硅片进行预清洗，然后对单晶硅片进行化学制绒，其特征在于：所述化学制绒包括，首先在制绒槽内配制制绒水溶液，其中氢氧化钠的质量百分比为1％～2％，偏铝酸盐的质量百分比为0.3％～0.5％，硅酸钠的质量百分比为0.3％～0.5％，化学纯异丙醇的质量百分比为5％～6％；将所述制绒水溶液的温度控制在70～95℃之间，然后将单晶硅片放入制绒水溶液中，单晶硅片在制绒水溶液中的反应时间为10～30分钟。本发明的优点是能够稳定绒面质量、降低生产成本。

Description

单晶硅太阳电池的制绒方法
技术领域
本发明涉及太阳电池制造技术领域，具体讲是一种单晶硅太阳电池的制绒方法。
背景技术
良好的绒面是制造高质量的单晶硅太阳电池的重要前提，但是，在现有技术中，单晶硅在制绒过程中与碱性制绒水溶液发生反应，需要消耗一定量的碱性制绒水溶液的氢氧根，而氢氧根的消耗导致碱性制绒水溶液的碱性急剧下降，这样就会导致绒面质量的下降，进而降低了单晶硅太阳电池的质量。为了保证碱性制绒水溶液的碱性，现有技术采用频繁更换或增加制绒水溶液的方法，从而增加了生产成本。
发明内容
本发明要解决的技术问题是，克服以上现有技术的缺点，提供一种能够稳定绒面质量、降低生产成本的单晶硅太阳电池的制绒方法。
本发明的技术方案是，提供一种单晶硅太阳电池的制绒方法，其实现方式为：首先对单晶硅片进行预清洗，然后对单晶硅片进行化学制绒，所述化学制绒包括，首先在制绒槽内配制制绒水溶液，其中氢氧化钠的质量百分比为1％～2％，偏铝酸盐的质量百分比为0.3％～0.5％，硅酸钠的质量百分比为0.3％～0.5％，化学纯异丙醇的质量百分比为5％～6％；将所述制绒水溶液的温度控制在70～95℃之间，然后将单晶硅片放入制绒水溶液中，单晶硅片在制绒水溶液中的反应时间为10～30分钟。
采用上述方法后，本发明与现有技术相比，具有以下显著优点及有益效果：因为偏铝酸盐本身为强碱，将少量的偏铝酸盐溶于水中，当制绒过程中氢氧根被消耗的同时偏铝酸盐可以用来补充制绒水溶液的氢氧根，从而有效控制制绒水溶液的氢氧根的浓度，进而提高了绒面的均匀性，稳定了绒面质量，并且与现有技术相比，不需要频繁更换或增加制绒水溶液，从而降低了生产成本。
作为改进，所述偏铝酸盐优选为偏铝酸钠或偏铝酸钾，因为偏铝酸钠或偏铝酸钾可以直接大量采购，所以更有利于使用本发明进行大规模生产。
作为进一步改进，所述制绒水溶液的温度控制在80～85℃之间，在这个温度区间内，使用本发明制绒效果更好。
作为进一步改进，所述单晶硅片在制绒水溶液中的反应时间为25～30分钟，在这个时间区间内，使用本发明制绒效果更好。
具体实施方式
下面结合具体实施例对本发明作进一步说明，但本发明不局限于以下实施例。
实施例一，
首先对单晶硅片进行预清洗，该预清洗为太阳电池制造技术领域的通用技术，不加赘述；然后对单晶硅片进行化学制绒，所述化学制绒包括，首先在制绒槽内配制制绒水溶液，其中氢氧化钠的质量百分比为1％，偏铝酸钠的质量百分比为0.3％，硅酸钠的质量百分比为0.3％，化学纯异丙醇的质量百分比为5％；将所述制绒水溶液的温度控制在80～85℃之间，然后将单晶硅片放入制绒水溶液中，单晶硅片在制绒水溶液中的反应时间为25～30分钟。
实施例二，
首先对单晶硅片进行预清洗，该预清洗为太阳电池制造技术领域的通用技术，不加赘述；然后对单晶硅片进行化学制绒，所述化学制绒包括，首先在制绒槽内配制制绒水溶液，其中氢氧化钠的质量百分比为2％，偏铝酸钾的质量百分比为0.5％，硅酸钠的质量百分比为0.5％，化学纯异丙醇的质量百分比为6％；将所述制绒水溶液的温度控制在80～85℃之间，然后将单晶硅片放入制绒水溶液中，单晶硅片在制绒水溶液中的反应时间为25～30分钟。
实施例三，
首先对单晶硅片进行预清洗，该预清洗为太阳电池制造技术领域的通用技术，不加赘述；然后对单晶硅片进行化学制绒，所述化学制绒包括，首先在制绒槽内配制制绒水溶液，其中氢氧化钠的质量百分比为1.5％，偏铝酸钠的质量百分比为0.4％，硅酸钠的质量百分比为0.4％，化学纯异丙醇的质量百分比为5.5％；将所述制绒水溶液的温度控制在80～85℃之间，然后将单晶硅片放入制绒水溶液中，单晶硅片在制绒水溶液中的反应时间为25～30分钟。
实施例三，
首先对单晶硅片进行预清洗，该预清洗为太阳电池制造技术领域的通用技术，不加赘述；然后对单晶硅片进行化学制绒，所述化学制绒包括，首先在制绒槽内配制制绒水溶液，其中氢氧化钠的质量百分比为1.8％，偏铝酸钠的质量百分比为0.45％，硅酸钠的质量百分比为0.45％，化学纯异丙醇的质量百分比为5.8％；将所述制绒水溶液的温度控制在80～85℃之间，然后将单晶硅片放入制绒水溶液中，单晶硅片在制绒水溶液中的反应时间为25～30分钟。

Claims (4)

1、一种单晶硅太阳电池的制绒方法，首先对单晶硅片进行预清洗，然后对单晶硅片进行化学制绒，其特征在于：所述化学制绒包括，首先在制绒槽内配制制绒水溶液，其中氢氧化钠的质量百分比为1％～2％，偏铝酸盐的质量百分比为0.3％～0.5％，硅酸钠的质量百分比为0.3％～0.5％，化学纯异丙醇的质量百分比为5％～6％；将所述制绒水溶液的温度控制在70～95℃之间，然后将单晶硅片放入制绒水溶液中，单晶硅片在制绒水溶液中的反应时间为10～30分钟。
2、根据权利要求1所述的单晶硅太阳电池的制绒方法，其特征在于：所述偏铝酸盐为偏铝酸钠或偏铝酸钾。
3、根据权利要求1所述的单晶硅太阳电池的制绒方法，其特征在于：所述制绒水溶液的温度控制在80～85℃之间。
4、根据权利要求1所述的单晶硅太阳电池的制绒方法，其特征在于：所述单晶硅片在制绒水溶液中的反应时间为25～30分钟。
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PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C02 Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001)
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Open date: 20090513