[go: up one dir, main page]

CN101420006B - 用于制造一种辐射的、可表面安装的构件的方法 - Google Patents

用于制造一种辐射的、可表面安装的构件的方法 Download PDF

Info

Publication number
CN101420006B
CN101420006B CN2008101744530A CN200810174453A CN101420006B CN 101420006 B CN101420006 B CN 101420006B CN 2008101744530 A CN2008101744530 A CN 2008101744530A CN 200810174453 A CN200810174453 A CN 200810174453A CN 101420006 B CN101420006 B CN 101420006B
Authority
CN
China
Prior art keywords
conversion substance
resin
mixed
lead frame
molding material
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CN2008101744530A
Other languages
English (en)
Other versions
CN101420006A (zh
Inventor
H·布伦纳
K·赫恩
H·杰格
J·施米德
R·布伦纳
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ams Osram International GmbH
Original Assignee
Osram Opto Semiconductors GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Osram Opto Semiconductors GmbH filed Critical Osram Opto Semiconductors GmbH
Publication of CN101420006A publication Critical patent/CN101420006A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN101420006B publication Critical patent/CN101420006B/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/85—Packages
    • H10H20/8506—Containers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L24/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
    • H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
    • H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
    • H05K3/341—Surface mounted components
    • H05K3/3421—Leaded components
    • H05K3/3426—Leaded components characterised by the leads
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/85—Packages
    • H10H20/852—Encapsulations
    • H10H20/853—Encapsulations characterised by their shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484—Connecting portions
    • H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
    • H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484—Connecting portions
    • H01L2224/48475—Connecting portions connected to auxiliary connecting means on the bonding areas, e.g. pre-ball, wedge-on-ball, ball-on-ball
    • H01L2224/48476—Connecting portions connected to auxiliary connecting means on the bonding areas, e.g. pre-ball, wedge-on-ball, ball-on-ball between the wire connector and the bonding area
    • H01L2224/48477—Connecting portions connected to auxiliary connecting means on the bonding areas, e.g. pre-ball, wedge-on-ball, ball-on-ball between the wire connector and the bonding area being a pre-ball (i.e. a ball formed by capillary bonding)
    • H01L2224/48478—Connecting portions connected to auxiliary connecting means on the bonding areas, e.g. pre-ball, wedge-on-ball, ball-on-ball between the wire connector and the bonding area being a pre-ball (i.e. a ball formed by capillary bonding) the connecting portion being a wedge bond, i.e. wedge on pre-ball
    • H01L2224/4848—Connecting portions connected to auxiliary connecting means on the bonding areas, e.g. pre-ball, wedge-on-ball, ball-on-ball between the wire connector and the bonding area being a pre-ball (i.e. a ball formed by capillary bonding) the connecting portion being a wedge bond, i.e. wedge on pre-ball outside the semiconductor or solid-state body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L24/10, H01L24/18, H01L24/26, H01L24/34, H01L24/42, H01L24/50, H01L24/63, H01L24/71
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/0102—Calcium [Ca]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01021—Scandium [Sc]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01057—Lanthanum [La]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01077—Iridium [Ir]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01078—Platinum [Pt]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01079—Gold [Au]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12041—LED
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12042—LASER
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/85—Packages
    • H10H20/857—Interconnections, e.g. lead-frames, bond wires or solder balls
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

本发明涉及一种用于制造一种辐射的、可表面安装的构件的方法，所述构件具有一个安装在一个引线框(10)上的辐射芯片(1)，所述方法具有以下步骤：将辐射芯片(1)安装到引线框(10)上，由一种与硬化剂预先反应的树脂粉末或者一种与硬化剂预先反应的树脂粉末和其它填充材料制造一种造型材料，用所述造型材料包封引线框(10)和辐射芯片(1)。

Description

用于制造一种辐射的、可表面安装的构件的方法
本申请是于2002年4月25日申请的申请号为“02817084.9”，发明名称为“可表面安装的辐射构件及其制造方法”的原始申请的分案申请。
技术领域
本发明涉及一种用于制造一种辐射的、可表面安装的构件的方法。
背景技术
在公开文献DE3804293中已知一种以一个半导体发光二极管(Halbleiter-LED)为基础的白光源。其中描述了具有一个电致发光或者激光器二极管的装置，其中由所述二极管辐射的发射频谱借助于一个用一种发出磷光的、光换能的、有机颜料掺入的由塑料制成的元件被置换到较大的波长。由所述装置辐射出的光线因此与从所述发光二极管发出的光线相比具有另一种颜色。根据在塑料中附加的颜料的种类，使用同一种类型的发光二极管可以制造出发出不同颜色的光的发光二极管装置。
在WO98/12757中描述了一种转换波长的灌注材料，它用于一个电致发光的构件，该构件具有一个发射紫外光、蓝光或者绿光的以透明的环氧树脂为基的物体，所述环氧树脂使用一种荧光材料、尤其是使用一种无机的、具有选自磷族的荧光材料色素涂料的荧光材料色素涂料粉末掺入。作为一种优选的实施例描述一个白光源，其中使用一个辐射的半导体二极管，所述二极管以具有一个在420nm和460nm之间的最大量的GaAlN和一种荧光材料为基，所述荧光材料如此选择：一个由所述半导体发出的蓝光辐射转换成可补偿的波长范围、尤其是蓝光和黄光、或者转换成附加的三原色，例如蓝、绿、红。在这里黄色的或者绿色的和红色的光线由荧光材料所产生。这种所产生的白光的色调(在CIE比色图表中的颜色位置)在这种情况下可以通过对于所述荧光材料的合适的选择关于混合和集中而发生改变。
WO98/54929公开了一种发射可见光的、具有一个紫外的/蓝光的发光二极管的半导体构件，所述发光二极管布置在一个支撑体的一个凹穴中，该凹穴的表面具有一个光反射层，并用透明的材料进行填充，所述材料在该发光二极管的光线溢出侧处包封所述发光二极管。为了改善光线的输出耦合，所述透明的材料的折射率低于发光二极管的光激活的区域的折射率。
在这种在先公知的结构中，首先如此制造一个预先包覆的构件：一个预制的引线框(引线框)用一种合适的塑料进行外部注入，所述材料形成该构件的壳体。这种构件在表面上具有一个凹穴，从对置的两个侧面将引线框接头导入其中，一个半导体发光二极管粘贴到所述接头中的一个上并与其进行电接触。然后将一种掺入荧光材料的灌注材料、通常为一种透明的环氧树脂填充到所述凹穴中。
所述结构的优点是，一种特殊定向的辐射可以如此获得：可以将通过所述塑料壳体所构成的侧壁设计为倾斜放置的反射器。然而在使用的情况下，一种如此定向的辐射不一定是必须的，或者可以以另一种方式获得，在这种情况下所述制造方法比较费事并且是多阶段的，因为壳体塑料和灌注材料必须由两种不同的材料构成，并在分开的方法步骤中成型。此外在灌注材料和壳体塑料之间的足够的、温度稳定的粘合问题必须得到解决。在实践中尤其是在使用较高的光功率时这一点一直引起问题。
在许多对于发光二极管、例如在汽车仪表部位的显示元件中的、在汽车和轿车的照明机构中的、在全色适用的发光二极管显示器中的潜在的应用领域中，强烈地出现对于可以产生混合颜色的光线、尤其是白光的发光二极管的需求。在这种情况下关于所产生的光线的颜色应该覆盖颜色空间(Farbraum)的尽可能大的范围。经常需要发射具有一个精确预定的色点和一个精确预定的颜色饱和的光线的照明和显示元件。
发明内容
本发明的任务是提供一种用于制造一种辐射的、可表面安装的构件的方法。
解决该任务的技术方案是一种用于制造一种辐射的、可表面安装的构件的方法，所述构件具有一个安装在一个引线框上的辐射芯片，所述方法具有以下步骤：将辐射芯片安装到引线框上，由一种与硬化剂预先反应的树脂粉末或者一种与硬化剂预先反应的树脂粉末和其它填充材料制造一种造型材料，用所述造型材料包封引线框和辐射芯片。
相应于此本发明描述一种可表面安装的辐射构件，该构件具有一个安装在一个引线框上的辐射芯片，其中该引线框和辐射芯片用一种造型材料包封，该造型材料如此成型：所述构件具有一个安装面，该安装面对于所述构件的一个主辐射方向以一个第一预定角度进行布置。所述引线框具有从造型材料中引出的、带有连接面的引线框接头，所述连接面以一个第二预定角度相对安装面进行布置。
所述辐射芯片可以是一个光辐射二极管芯片，例如一个半导体发光二极管或者一个半导体激光器。所述芯片最好发射紫外光谱或者蓝光谱范围中的电磁辐射。
在本发明的一种优选的方案中，主辐射方向和安装面平行布置，这样第一角度为0°。所述构件设计为所谓的侧面辐射器，它主要平行于安装面、或者在安装状态下平行于一个支承板、例如一个印制电路板地进行辐射，所述构件固定在该支承板上。尤其是对于在一个待照明的显示器中、例如一个液晶显示器中的一个侧面光线输入耦合机构，这样一种辐射特征最好尽量是一个非常平的构件。所述引线框在这种情况下最好如此布置：使得引线框接头的连接面垂直于安装面，或者以一个大约垂直于安装面的角度进行布置，这样第二预定角度为90°或者例如在70°和90°之间。很大程度上第一预定角度也位于0°和20°之间，这样所述构件侧面地进行辐射，而不是主辐射方向平行于安装面地对齐。
可替换的是，主辐射方向也可以垂直于安装面，这样第一预定角度为90°。一种以一个在70°和90°之间的第一预定角度的相似布置也是可能的。在这种情况下，引线框的连接面相对于安装面最好以一个在0°和20°之间的第二预定角度平行地或者大致平行地进行布置。当然所述角度范围不是对本发明的限制。
一个具有一个在一个引线框上安装的辐射芯片和一个用一种造型材料的包封部分的构件的优点是结构很小，以及构件具有很小的占地面积，同时具有良好的导热性。因此使用这种结构件可以实现具有多个这种构件的紧密包装的模件。
所述造型材料最好以树脂为基，尤其是由一种预先反应的树脂所构成。特别优选的是通过将一种可透过辐射的塑料模压材料与一种转换物质相掺杂混合而制成所述造型材料。
在一种优选的实施例中侧面伸出的引线框接头延伸到通过安装面所确定的安装平面处，或者延伸到其附近。因此具有相应线路结构的支承板同时用于所述构件的供电。在这种情况下，引线框接头也可以与安装平面相隔一定距离地结束。在支承板、例如焊接接触面上的接触通常略呈圆锥形地构成，并且如此调节引线框接头和一个支承板之间的距离。
最好将引线框整个设计成平的。以此简化制造，因为不必附加地进行弯曲成型。另外避免了通过所述弯曲可能产生的机械应力。此外一个平面的引线框是一个平的、精确限定的、用于安装辐射芯片的安装平台。这使自动装配以及与所述芯片的接触变得容易。尤其是用于此的光学识别和控制系统不会由于不是平面平行的安装面而搞错，正如它们在预先弯曲的引线框中由于弯曲偏差而出现的那样。这导致在平面的引线框的情况下会减少的功能失效。
另外最好在引线框中设置穿孔或者侧面的凹穴。这种穿孔或者凹穴由塑料模压材料所填充，这样引线框可以在所述塑料模压材料中得到机械稳定的锚固。
在一种特别有利的实施例中，所述构件具有一个平行于安装面的覆盖面。这使得在所述抓取和放置的方法中、最好与自动装备装置相联系时可以使用所述构件。在这种情况下所述构件在一个面上由一个抽吸臂进行抽吸，运输到其设置的装备位置并在那里进行安装。这通常需要平行的和平的抽吸面和安装面。
本发明的一个优选的改进方案是如此将所述包封部分进行造型：使所述构件沿辐射方向由一个拱形的表面限制。该包封部分以此同时执行一个光学元件、例如一个透镜的功能。根据拱形和拱形的方向可以实现聚焦和辐射特性的扩展。
根据转换物质与由辐射芯片所产生的辐射相匹配，本发明适于用作白光源或者色光源，其中在使用合适的转换物质时色点(Farbort)和颜色饱和在其它界限中可以自由确定。通过白色光的某种成分可以在一种色光源的情况下引起一个非饱和地发射颜色的光学印痕(optische Eindruck)。
然而本发明不限制在可见光的光谱范围内。所述辐射芯片和/或转换元件也可以用于在紫外区和红外区中的辐射而设置。以此可以产生例如混合“色”的红外或者紫外辐射，也就是具有两种或者多种光谱成分的红外或者紫外辐射。
所述构件在其造型方面最好放弃一个凹穴的成型和使用两种不同的材料，取而代之的是使用唯一的透明的造型材料，所述造型材料必要时首先与转换物质相混合然后围绕引线框成型，最好进行注塑。完全硬化了的造型材料因此同时用作构件壳体并用作透明的转换物质基体。以此一方面简化了制造方法，因为在一个唯一的造型过程中、尤其是一个注塑过程中形成所述壳体；同时造型材料可以用作转换物质的基体。
此外制造一种具有改进的稳定特性的构件，因为在两种具有不同的热膨胀系数的包封的材料、例如一个壳体基体和一种浇铸物之间不再出现粘附的问题。
在狭窄的界限中如此可重复地并且有目的地调节色点：在堆放和加工时尤其是通过迅速的硬化步骤最大程度地消除转换物质的沉积。转换物质的质量通过简单的方法步骤使用简化的配料方案在树脂的备料、混合和供给时得到提高。
通过使用用于壳体模型和转换物质基体的唯一的材料得到用于另一种微型化的缝隙空间。这种附加的微型化能力可以对于在移动电子产品系统中的所述构件的使用中得以利用，例如用作白光源。通过在具有其它构造自由度的特殊安装情况下对于侧面辐射增强的利用而提高的光效率或者单纯的侧面光线输出扩展了所述功能。
作为原材料，所述塑料模压材料可以是一种商业上可得到的模压材料，例如基本上由一种具有一种酐或一种通用的酚硬化剂系统的环氧甲酚酚醛树脂或者常见的环氧树脂系统。
在塑料模压材料中分散开的转换物质可以是一种包含具有普遍化学式A3B5X12：M的荧光材料的无机的荧光材料颜料粉末。尤其是可以将由选自铈配料的石榴石制成的颗粒作为荧光材料颜料，其中尤其是称作铈配料的钇铝石榴石(Y3Al5O12：Ce)。其它可能的荧光材料是具有相应地在短波范围中可激励的金属中心的以硫化物和氧硫化物为基的主晶格、铝酸盐、硼酸盐等等。也可以使用有机金属的荧光材料系统。所述荧光材料颜料在这种情况下也可以包含大量不同的荧光材料，所述转换物质可以包括大量不同的荧光材料颜料。
所述荧光材料也可以通过可溶解的和难溶解的有机颜料和荧光材料混合物所构成。
另外，一种最好以流体形式的粘附剂与最好预先干燥的转换物质相混合，以便改善转换物质与塑料模压材料的粘合能力。尤其是在使用无机的荧光材料颜料时可以将3-环氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷(Glycidoxypropyltrimethoxysilan)或者其它三甲氧基硅烷(Trialkoxysilan)的衍生物作为粘附剂。
为了改变荧光材料表面可以使用具有碳酸族，碳酸酯族，醚族和/或醇族，例如二甘醇单甲基醚的简单并且多重功能的极性制剂。以此改善对于高能的荧光材料表面的可润湿性，并因此在用造型材料进行加工时改善相容性和分散性。
另外可以在用转换物质进行混合之前向塑料模压材料加入脱模剂或者分离剂。这种脱模剂使得完全硬化了的模压材料易于从铸模中脱离出来。可以将一种固体的以蜡为基的脱模剂或者一种具有长链的碳酸、尤其是硬脂酸盐的金属皂用作所述类型的脱模剂。
可将例如无机的填充材料作为其它填充材料来进行掺杂，通过该填充材料可提高造型材料的折射率，因此可提高构件的光效率。可将例如TiO2、ZrO2、α-Al2O3或其它金属氧化物用作该类型的填充材料。
在本发明的一种优选的实施方式中，将玻璃颗粒、即玻璃装填物作为填充材料添加给所述造型材料。这样提高了造型材料的玻璃转变温度TG。所述造型材料的玻璃转变温度限制对于构件所允许的温度范围，因为超过玻璃转变温度会导致造型材料流动，其结果是在辐射芯片上引起应力和故障以及在其上安装的导线发生连接。向造型材料附加玻璃颗粒有利地提高对于构件所允许的温度范围。所述构件在很大程度上可以用较高的工作电流进行驱动并且产生更多的辐射。另一个优点是减少了造型材料的热膨胀系数，它因此更好地匹配于引线框的热膨胀系数，这样进一步提高了构件的热稳定性。
通过添加玻璃颗粒也使造型材料的折射率进一步提高，这样在辐射芯片和造型材料之间的折射率变小，并且较好地使辐射输出加大。
最后通过附加玻璃颗粒来降低造型材料的吸水量。这有利地导致构件的一种改进的热承载能力。尤其是有利地减少了在焊接时由于过高的水份含量所存在的构件损伤或者开裂的危险(所谓爆米花效果)。
玻璃颗粒的平均粒度最好在100μm之下，优选地在50μm之下。因此另外减少了注塑模型的经常为狭窄的导入通道的堵塞的危险。
在造型材料处的玻璃颗粒的成分可以占重量百分比的90％，重量百分比最好位于10％和50％之间。在最后所述的范围中造型材料的特征是较高的透明度和较高的玻璃转变温度。
转换物质和必要时的其它填充材料这样来进行混合：它们首先粗糙地进行混合，然后该混合物在一个磨碎机中进行粉碎，以此获得特别精细的、均匀的粉末。
所述混合的造型材料因此可以包含下列成分(以质量百分比表示)：
a)塑料模压材料≥60％
b)转换物质>0并≤40％
c)粘附剂≥0并≤3％
d)脱模剂≥0并≤2％
e)表面调节剂≥0并≤5％
f)氧化稳定剂≥0并≤5％
(例如以亚磷酸盐为基或者以防菌的苯酚为基)
g)紫外光稳定剂≥0并≤2％
h)玻璃颗粒≥0并≤80％
本发明的其它特征、优点和实用性在下面借助于四个实施例结合图1至4进行说明。
附图说明：
图1一种根据本发明的构件的第一种实施例的示意性截面图，
图2一种根据本发明的构件的第二种实施例的示意性截面图，
图3一种根据本发明的构件的第三种实施例的示意性透视图，
图4一种根据本发明的构件的第四种实施例的示意性透视图，
相同或者作用相同的元件在附图中采用同一个附图标记。
具体实施方式
在图1中示出了在沿着一个引线框10的纵向轴线的一个横截面中的一个根据本发明的构件的一个实施例。
在一个起初为整体的并相连的引线框10中设计两个引线框接头11和12，所述接头以已知的方式起初还通过狭窄的连接板条束紧在一起，然而在本制造方法的过程中通过分开所述连接板条的分离而互相隔离开。
在一个引线框接头12上，在其内侧的端部部分上用一种导电连接剂如导体银(Leitsilber)等粘贴上或者焊接上一个制造过程化的半导体发光二极管，这样半导体发光二极管1的n侧或者p侧与引线框接头12相连接。对置的p或n导电触头侧通过一个连接线2(Bonddraht)与另一个引线框接头11的端部部分相连。
所述构件由一种塑料模压材料3包封，在该模压材料中可以最好装入一种以荧光材料颗粒形式的转换物质4。这在下面进行详细说明。
在所示出的构件的情况下，安装面平行于所述剖面。引线框10是连续平整的，并且接近垂直于安装面，这样第二预先规定的角度在制造公差的范围内大约为90°。
这种方案可以例如通过由一个薄板或者一个箔片无附加弯曲地进行冲压、也通过构件的很小的占地面积使引线框进行价格便宜的制造。所述辐射主要垂直于引线框10，这样主辐射方向7接近平行于安装面，第一预定角度在制造公差的范围内为0°。
在图2中示出一个根据本发明的构件的另一种实施例的示意截面图。该截面又沿着引线框10的一条纵轴线延伸，并且垂直于在图1中所选择的截面。
在这里引线框10具有侧面的凹穴5。这些凹穴5用包封的塑料模压材料填充，这样因此在引线框10和包封部分之间形成一种衔接，这保证在包封部分中引线框的一种机械式的稳定的锚固。为了这个目的，也可在引线框10中形成穿孔(未示出)。
引线框接头11、12沿着通过安装面6所确定的安装平面13的主延伸方向从构件的包封部分中伸出，并且与包封部分具有间隔地沿着安装平面13的方向延伸。在安装平面13和引线框接头11、12之间构成一个较小的间隙，该间隙在接触时、例如通过焊接接触而进行搭接。因此该构件的支座最好单独通过安装面6进行固定，这样可以避免在引线框10和包封部分之间的机械应力。另外通过引线框接头11、12与安装面13的微小间距减少这种危险：引线框接头11、12在用造型材料包封时例如由于制造误差而伸出到安装面13上，导致在安装时对于所述引线框接头11、12的弯曲或者对于构件的倾翻。
在图3中透视地示出了在一个支承物8、例如一个印制电路板上的根据本发明的构件的另一种实施例。所述辐射基本上平行于支承物主平面，所述构件以安装面6位于该支承物主平面上。在引线框接头的侧面处通过互相倾斜的斜面9a、9b限制所述构件，所述斜面作为所谓的脱模斜面使得在制造时易于将模具与构件体分开。
沿着辐射方向7，该构件由一个拱形的、在示出的情况下为部分圆柱形的表面15所限制，其中圆柱轴线接近平行于引线框的纵轴线布置。所述拱形的表面也可以球形地构成一个球表面的一部分，或者是非球面。另外也可以是一个凸出的、还可以是一个凹陷的拱形表面。
通过所述构造实现透镜作用，并因此使所发射的射线实现聚焦。
半导体发光二极管1在所述实施例中具有一个在紫外光或者蓝光谱范围中的发射频谱。为了产生混合色光或者白光，特别优选的是半导体发光二极管在紫外光谱或者蓝光谱范围中进行发射，因为转换到较长波长通常基本上比转换到较短波长有效。因为紫外光谱或者蓝光谱范围位于可见光范围的短波端处，所以从那里开始借助于合适的转换物质可以有效地转换到可见波长的大部分。
最好以GaN、InGaN、AlGaN、AlInGaN为基构造所述半导体发光二极管1。然而它可替换地也可以以材料系统ZnS/ZnSe或者以另外一种匹配于这种光谱范围的材料系统为基。
根据本发明的构件的在图4中示出的实施例与到此为止所述的实施例相反，以一个垂直于安装平面6布置的主辐射方向7进行设计。第一预定的角度在这里大约为90°。引线框10具有两个S形的弯曲，其中引线框接头侧面地从造型材料3中伸出，引线框接头的连接面位于通过安装面6所确定的安装平面13中。第二预定的角度在这里也为0°。
在分为两部分的引线框10的一个部分中，例如焊接地或者导电连接地粘接固定一个以半导体发光二极管形式的辐射芯片1。一个线连接2导给引线框的另一部分。引线框10和半导体发光二极管例如在其它实施例中由一个用转换物质制成的、可穿透辐射的造型材料所包封。
在一种根据本发明的制造方法的一个实施例中，在一种合适的注塑装置中进行涂覆和接触半导体发光二极管1之后，将一种透明的塑料-模压材料3喷射到引线框接头11和12上。
带有半导体发光二极管的引线框最好借助于一种注塑或者压铸方法使用所述塑料-模压材料进行成型。对此，带有预先安装的半导体发光二极管1的引线框的一部分装入到一个压铸模中，塑料-模压材料3熔融并注入到该压模中。在这种情况下有利的是，在外部注入之前对引线框(10)进行预热。
在所述方法的一种变型中，多个引线框连同分别安装在其上的辐射芯片装入到一个相连接的包封部分中，随后例如通过折断、锯开、一种激光分隔方法或者借助于一个水射流将其分为几个单独的构件。
由一种荧光材料制成的荧光材料颗粒作为转换物质4嵌入所述塑料-压模材料3中，使用该荧光材料使得由半导体发光二极管1所发射的光线发生至少一部分的波长转换。通过所述波长转换产生一种发射频谱，这样从混合光或者从白光引起光学印痕。
引线框10的预制和通过由塑料-模压材料3、荧光材料颗粒4和必要时其它填充材料所形成的造型材料的包封如此进行：引线框部分11和12水平地从造型材料中引出。
制成的构件可以用引线框接头11和12的垂直于安装平面的连接面焊接到一个印制电路板上。这样制造出一个适合于表面安装技术(Surface Mounting Technology)安装的构件。
下面详细描述通过塑料-模压材料3、荧光材料颗粒4和必要时其它填充材料所构成的造型材料的制造。
可以使用预反应的、存储和辐射稳定的、透明的模压材料作为用于塑料-模压材料的起始材料，所述模压材料由商业上常用的用苯酚硬化的环氧甲酚酚醛树脂制成，其总体氯含量低于1500ppm。所述压模材料最好包括一种内部的脱模剂或者分离剂，完全硬化的压模材料通过所述脱模剂或分离剂易于从注塑模中脱离出来。然而不必要一定存在这样一种内部的脱模剂。因此例如可使用下列商业上可得到的Nitto和Sumitomo公司的模压材料：
Nitto NT-600(没有内部的脱模剂)
Nitto NT-300H-10,000(具有内部的脱模剂)
Nitto NT.300S-10,000(具有内部的脱模剂)
Nitto NT 360H-10,000(具有内部的脱模剂)
Sumitomo EME 700L(没有内部的脱模剂)
所述模压材料标准地以杆状或者片状进行供应。
与一种以粉末状存在的模压材料相比，使用杆状或者片状的模压材料使得供货变得容易，并提高供货的精度。在本发明的情况下，当然也可以使用一种作为粉末或者以一种其它改变的形式存在的模压材料。为了较精确地供货，当然也可以将一种作为粉末存在的压模材料首先做成杆状的或者片状的，然后继续进行加工。
作为转换物质可以包括全部的荧光材料，所述荧光材料在已经提到的文献WO97/50132和WO98/12757中已作说明。尤其可以使用一种无机的具有一般化学式为A3B5X12：M的荧光材料的荧光材料颜料粉末。这例如具有稀土、例如铈、配料的石榴石。
满足化学式为A’3B’5O12：M’的化合物已经证明是有效的荧光材料(只要该化合物在通常的制造和操作条件下是稳定的)。其中将至少一种选自Y、Lu、Sc、La、Gd、Tb和Sm的元素称为A’，将至少一种选自Al、Ga和In的元素称为B’，将至少一种选自Ce和Pr、最好为Ce的元素称为M’。化合物YAG：Ce(Y3Al5O12：Ce)、TAG：Ce(Tb3Al5O12：Ce)、TbYAG：Ce((TbxY1-x)3Al5O12：Ce，0≤x≤1)、GdYAG：Ce((GdxY1-x)3Al5O12：Ce3+，0≤x≤1)和GdTbYAG：Ce((GdxTbyY1-x-y)3Al5O12：Ce3+，0≤x≤1)以及以此为基的混合物证明作为特别有效的发光材料。在这种情况下Al至少部分地用Ga或者In来代替。所述荧光材料应理解为实施例而不应理解为对于普遍地化学式A3B5X12：M的限制。
另外化合物SrS：Ce3+，Na、SrS：Ce3+，Cl、SrS：CeCl3、CaS：Ce3+，Na和SrSe：Ce3+适于作为荧光物质。此外也可以使用具有相应的在短波范围中可激励的金属中心或者有机金属的荧光材料系统的以硫化物和氧硫化物为基的主点阵以及铝酸盐、硼酸盐、碱土硫化物、含硫稼酸盐或者原硅酸盐等等。另外可以使用溶解的和难于溶解的有机颜料和荧光物质混合物。
关于荧光材料颗粒的粒度，平均颗粒直径在2μm和20μm之间，最好大约在4μm和10μm之间，特别优选地是在5μm和6μm之间。转换物质特性可以通过去除灰尘成分来改善，也就是例如从荧光材料粉末中去除其颗粒直径在2μm之下、最好在1μm之下的颗粒。使用较小变化的颗粒直径增加辐射在颗粒处的散射，并使转换效果降低。这样具有较小颗粒直径的荧光材料的分离是优选的。
例如试验显示，产生一种粒度d50基本上小于5μm的、对于荧光材料的粉碎使得具有小于1μm的粒度的颗粒的体积成分直至30％。具有小于1μm的粒度的颗粒导致与对于包封的基体、例如一种塑料基体的折射率差异无关，导致强烈的光线散射，并因此使得基体的传播和透明变坏。
根据模拟计算，纯传输在一种波长为500nm时、在一种厚度为400μm、荧光材料颗粒浓度的质量百分比为3.5％的典型的塑料基体中、在一种平均荧光材料粒度为2μm时比对于粒度为1μm的要大数量级为1000的一个倍数，并且随着粒度的增大继续增强。对于较小的波长，1μm的和在此之下的粒度起到更强的作用。
尤其是材质为荧光材料颜料YAG：Ce的颗粒的特征在于特殊的转换效率。已知一种以此为基的转换物质是Osram公司的名称为L175的产品。使用这种转换物质进行一个用于与一种模压材料相混合的试验，其中使用一种具有内部脱模剂的、Nitto NT-300 H10,000类型的模压材料。作为试验准备，转换物质L175在200℃时预先干燥持续大约8小时。然后将一种水状的、称为二甘醇单甲基醚的表面改变剂掺入到所述预先干燥的转换物质中(模压材料重量的重量百分比为0.1％)。这种混合物气密地封闭在一个玻璃容器中并放在那里过夜。刚好在加工之前掺入上述类型的模压材料的转换物质。模压材料事先在一个磨碎机(例如球磨机)中研磨成粉末状。混合比例是重量百分比为20％的转换物质/DEGME混合物和重量百分比为80％的Nitto NT300H-10000。在通过搅拌而将混合物粗略地混合之后所述混合物重新在一个磨碎机(例如球磨机)中充分混合和磨碎，并因此产生非常精细的粉末。
然后使用这种造型材料在类型为FICO Brilliant 100的装置上进行一个注塑试验。已经相应预制的引线框10在外部注塑之前在150℃时进行预热，并在注塑时调节到下列机械参数：
工件温度：150℃
注塑时间：22.4秒
注塑压力：73～82巴(其中与所调节的材料量无关)
完全硬化时间(处理时间：120秒)
作为结果可以得到一种特别均匀的、完全硬化的造型材料，其特征在于极好的无气泡和无缩孔性。通常发现，在混合之前将模压材料研磨成非常精细的粉末要比使用一种粒度较为粗糙的剩余材料粉末来说可产生无气泡或无缩孔的较好的结果。
另外也可以使用一种例如Huels股份公司的具有产品名称为A-187的3-环氧丙氧基三甲氧基硅烷的粘附剂。这种粘附剂可以直接在干燥过程之后以浓度至3％的质量百分比添加给荧光材料，并且在室温下与所述荧光材料相混合而过夜。
根据本发明的方法，根据实施例借助于一种表面安装设计(surface mounted design)的结构进行说明，其中然而也可以在一种所谓的径向二极管(Radialdiode)的情况下实现。
对于根据所述实施例的本发明的说明可以这样理解，当然本发明不限于这些实施例。尤其是所述实施例的单独的特征也结合在不同于所描述的实施方式中。所述制造方法也不限于可表面安装的构件、侧面发射的构件或者包括一种转换物质的构件。

Claims (38)

1.用于制造一种辐射的、可表面安装的构件的方法，所述构件具有一个安装在一个引线框(10)上的辐射芯片(1)，所述方法具有以下步骤：
将辐射芯片(1)安装到引线框(10)上，
由一种与硬化剂预先反应的树脂粉末或者一种与硬化剂预先反应的树脂粉末和其它填充材料制造一种造型材料，其中使用以下步骤制造造型材料：将一种与硬化剂预先反应的树脂粉末与一种转换物质或者一种与硬化剂预先反应的树脂粉末与一种转换物质以及其它填充材料相混合，将所述混合物掺入到一种均匀的粉末混合物中，其中环氧树脂与一种苯酚硬化剂和/或一种酐硬化剂预先反应，
用所述造型材料包封引线框(10)和辐射芯片(1)。
2.根据权利要求1的方法，其中所述造型材料是一种塑料模压材料。
3.根据权利要求1的方法，其中辐射芯片(1)如此包封：使其光线发射侧面由造型材料包围。
4.根据权利要求1的方法，其中预先反应的树脂粉末由环氧酚醛或者甲酚酚醛环氧树脂制成。
5.根据权利要求1的方法，其中转换物质(4)是一种荧光材料色素粉末，该粉末包含至少一种无机的荧光材料，该荧光材料具有一个在一种主晶格中以化学通式为A3B5X12或者一种硫化物、氧硫化物、硼酸盐、铝酸盐或一种金属螯合物为基的荧光材料金属中心M。
6.根据权利要求5的方法，其中荧光材料是YAG:Ce、TAG:Ce、TbYAG:Ce、GdYAG:Ce、GdTbYAG:Ce或者一种由它们任意构成的混合物。
7.根据权利要求5或6的方法，其中荧光材料颜料粉末在混合之前用树脂进行预先干燥。
8.根据权利要求1的方法，其中首先使一种树脂呈杆状或者片状，该树脂磨成树脂粉末。
9.根据权利要求1的方法，其中首先使一种树脂呈杆状或者片状，该树脂在与转换物质混合之前磨成树脂粉末。
10.根据权利要求1的方法，其中将树脂粉末和转换物质(4)或者树脂粉末和转换物质(4)和其它填充材料相混合，通过首先将它们粗糙地混合并随后将混合物在一个磨碎机中研磨，这样获得一种很细的均匀的粉末。
11.根据权利要求1的方法，其中树脂粉末在与转换物质(4)或与转换物质(4)和其它填充材料混合之前在一个磨碎机中进行研磨。
12.根据权利要求9的方法，其中将树脂和转换物质(4)或者将树脂和转换物质(4)和其它填充材料相混合，通过首先将它们粗糙地混合并随后将混合物在一个磨碎机中研磨，这样获得一种很细的均匀的粉末。
13.根据权利要求9的方法，其中树脂在与转换物质(4)或与转换物质(4)和其它填充材料混合之前在一个磨碎机中进行研磨。
14.根据权利要求1的方法，其中将转换物质(4)和一种粘附剂相混合。
15.根据权利要求1的方法，其中树脂粉末与一种粘附剂相混合。
16.根据权利要求14的方法，其中转换物质(4)与一种流体状的粘附剂相混合。
17.根据权利要求14至16中任一项的方法，其中粘附剂是三甲氧基硅烷或者以三甲氧基硅烷为基的其它衍生物。
18.根据权利要求1的方法，其中转换物质(4)与一种润湿剂相混合，该润湿剂改善对转换物质表面的可润湿性。
19.根据权利要求1的方法，其中为了改变转换物质表面而添加具有碳酸族、碳酸酯族、醚族或醇族的简单和多重功能的极性制剂，该极性制剂改善对转换物质表面的可润湿性。
20.根据权利要求1的方法，其中在与转换物质(4)混合之前将树脂粉末与一种脱模剂或者分离剂相混合。
21.根据权利要求20的方法，其中脱模剂是一种以蜡为基的固体的脱模剂或者一种具有长链的碳酸的金属皂。
22.根据权利要求21的方法，其中脱模剂是一种具有硬脂酸盐的金属皂。
23.根据权利要求1的方法，其中混合无机的填充材料，通过该填充材料提高造型材料的折射率。
24.根据权利要求23的方法，其中混合由TiO2、ZrO2或α-Al2O3或者其它金属氧化物制成的填充材料。
25.根据权利要求1的方法，其中造型材料与作为填充材料的玻璃颗粒进行混合。
26.根据权利要求25的方法，其中玻璃颗粒的平均粒度小于100μm。
27.根据权利要求26的方法，其中玻璃颗粒的平均粒度小于50μm。
28.根据权利要求25的方法，其中玻璃颗粒在造型材料中的重量百分比份额在0％和90％之间。
29.根据权利要求25的方法，其中玻璃颗粒在造型材料中的重量百分比份额在10％和50％之间。
30.根据权利要求1的方法，其中添加一种氧化稳定剂。
31.根据权利要求30的方法，其中该氧化稳定剂以亚磷酸盐为基或者以防菌的苯酚为基。
32.根据权利要求1的方法，其中混合一种紫外光稳定剂。
33.根据权利要求1的方法，其中造型材料包括以下组分：
a)树脂粉末≥60％
b)转换物质＞10％并≤25％
c)粘附剂≥0％并≤3％
d)脱模剂≥0％并≤2％
e)表面调节剂≥0％并≤5％
f)氧化稳定剂≥0％并≤5％
g)UN光稳定剂≥0％并≤2％
h)玻璃颗粒≥0并≤80％。
34.根据权利要求1的方法，其中引线框(10)在注塑或者在压铸中用造型材料成型。
35.根据权利要求34的方法，其中将辐射芯片(1)安装在一个引线框(10)上；辐射芯片(1)和引线框(10)的一部分装进一个铸模中，使造型材料成为流体，并将其注入该铸模中。
36.根据权利要求34的方法，其中引线框(10)在外部注塑之前进行预先加热。
37.根据权利要求1的方法，其中多个引线框分别与安装在其上的辐射芯片由一种相连的包封部分成型，并且接下来分成单个的构件。
38.根据权利要求37的方法，其中相连的包封部分通过折断、锯开、一种激光分离方法或者借助于一种水射流分开。
CN2008101744530A 2001-06-29 2002-04-25 用于制造一种辐射的、可表面安装的构件的方法 Expired - Fee Related CN101420006B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE10131698A DE10131698A1 (de) 2001-06-29 2001-06-29 Oberflächenmontierbares strahlungsemittierendes Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
DE10131698.4 2001-06-29

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB028170849A Division CN100524849C (zh) 2001-06-29 2002-04-25 可表面安装的辐射构件与其制造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101420006A CN101420006A (zh) 2009-04-29
CN101420006B true CN101420006B (zh) 2012-08-29

Family

ID=7690112

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2008101744530A Expired - Fee Related CN101420006B (zh) 2001-06-29 2002-04-25 用于制造一种辐射的、可表面安装的构件的方法
CNB028170849A Expired - Fee Related CN100524849C (zh) 2001-06-29 2002-04-25 可表面安装的辐射构件与其制造方法

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB028170849A Expired - Fee Related CN100524849C (zh) 2001-06-29 2002-04-25 可表面安装的辐射构件与其制造方法

Country Status (7)

Country Link
US (2) US7436002B2 (zh)
EP (1) EP1399978B1 (zh)
JP (1) JP2004534405A (zh)
CN (2) CN101420006B (zh)
DE (1) DE10131698A1 (zh)
TW (1) TWI338378B (zh)
WO (1) WO2003005458A1 (zh)

Families Citing this family (84)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
USD509195S1 (en) * 2003-04-08 2005-09-06 Harvatek Corporation Light emitting diode package
EP2270887B1 (en) 2003-04-30 2020-01-22 Cree, Inc. High powered light emitter packages with compact optics
DE10326755A1 (de) 2003-06-13 2006-01-26 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH Entladungslampe mit Zweibanden-Leuchtstoff
US7462983B2 (en) * 2003-06-27 2008-12-09 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. White light emitting device
JP2005026302A (ja) * 2003-06-30 2005-01-27 Shin Etsu Handotai Co Ltd 発光モジュール
DE102004001312B4 (de) * 2003-07-25 2010-09-30 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Chip-Leuchtdiode und Verfahren zu ihrer Herstellung
US7915085B2 (en) 2003-09-18 2011-03-29 Cree, Inc. Molded chip fabrication method
JP4370158B2 (ja) 2003-12-24 2009-11-25 シャープ株式会社 光結合器およびそれを用いた電子機器
DE10361801A1 (de) * 2003-12-30 2005-08-04 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierendes und/oder strahlungsempfangendes Halbleiterbauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
JP4181515B2 (ja) * 2004-02-25 2008-11-19 シャープ株式会社 光半導体装置およびそれを用いた電子機器
US7488990B2 (en) * 2004-04-02 2009-02-10 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Using multiple types of phosphor in combination with a light emitting device
KR100708600B1 (ko) * 2004-04-30 2007-04-18 스미토모 베이클라이트 가부시키가이샤 수지봉지형 반도체 패키지 및 이의 제조 방법 및 장치
US7534633B2 (en) 2004-07-02 2009-05-19 Cree, Inc. LED with substrate modifications for enhanced light extraction and method of making same
JP2006024645A (ja) * 2004-07-06 2006-01-26 Rohm Co Ltd 半導体発光装置
US20060061261A1 (en) * 2004-09-22 2006-03-23 Kun-Chui Lee White light emitting device
JP4348267B2 (ja) * 2004-09-22 2009-10-21 シャープ株式会社 光半導体装置、光通信装置および電子機器
US8816369B2 (en) 2004-10-29 2014-08-26 Led Engin, Inc. LED packages with mushroom shaped lenses and methods of manufacturing LED light-emitting devices
US8324641B2 (en) * 2007-06-29 2012-12-04 Ledengin, Inc. Matrix material including an embedded dispersion of beads for a light-emitting device
US9929326B2 (en) 2004-10-29 2018-03-27 Ledengin, Inc. LED package having mushroom-shaped lens with volume diffuser
US8134292B2 (en) * 2004-10-29 2012-03-13 Ledengin, Inc. Light emitting device with a thermal insulating and refractive index matching material
CN100382342C (zh) * 2004-11-09 2008-04-16 金利精密工业股份有限公司 一种发光二极体支架及其制造方法
DE102005009066A1 (de) * 2005-02-28 2006-09-07 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung eines optischen und eines strahlungsemittierenden Bauelementes und optisches sowie strahlungsemittierendes Bauelement
US7501659B2 (en) * 2005-04-12 2009-03-10 Japan Cash Machine Co., Ltd. LED device and optical detector therewith for bill validator
CN100403563C (zh) * 2005-04-18 2008-07-16 光宝科技股份有限公司 白光发光二极管元件及相关荧光粉与制备方法
CN100485893C (zh) * 2005-09-09 2009-05-06 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 影像感测芯片封装的制程和结构
JP2007165811A (ja) 2005-12-16 2007-06-28 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置
WO2007081719A2 (en) 2006-01-05 2007-07-19 Illumitex, Inc. Separate optical device for directing light from an led
US7675145B2 (en) * 2006-03-28 2010-03-09 Cree Hong Kong Limited Apparatus, system and method for use in mounting electronic elements
EP2033235B1 (en) 2006-05-26 2017-06-21 Cree, Inc. Solid state light emitting device
KR100904152B1 (ko) 2006-06-30 2009-06-25 서울반도체 주식회사 히트싱크 지지부를 갖는 리드프레임, 그것을 사용한 발광다이오드 패키지 제조방법 및 그것에 의해 제조된 발광다이오드 패키지
JP2010502014A (ja) * 2006-08-23 2010-01-21 クリー エル イー ディー ライティング ソリューションズ インコーポレイテッド 照明装置、および照明方法
KR20090064474A (ko) 2006-10-02 2009-06-18 일루미텍스, 인크. Ｌｅｄ 시스템 및 방법
WO2008070607A1 (en) 2006-12-04 2008-06-12 Cree Led Lighting Solutions, Inc. Lighting assembly and lighting method
CN101622493A (zh) 2006-12-04 2010-01-06 科锐Led照明科技公司 照明装置和照明方法
US8232564B2 (en) 2007-01-22 2012-07-31 Cree, Inc. Wafer level phosphor coating technique for warm light emitting diodes
US9024349B2 (en) * 2007-01-22 2015-05-05 Cree, Inc. Wafer level phosphor coating method and devices fabricated utilizing method
US9196799B2 (en) * 2007-01-22 2015-11-24 Cree, Inc. LED chips having fluorescent substrates with microholes and methods for fabricating
US9159888B2 (en) * 2007-01-22 2015-10-13 Cree, Inc. Wafer level phosphor coating method and devices fabricated utilizing method
JP5122172B2 (ja) 2007-03-30 2013-01-16 ローム株式会社 半導体発光装置
WO2009012287A1 (en) 2007-07-17 2009-01-22 Cree Led Lighting Solutions, Inc. Optical elements with internal optical features and methods of fabricating same
US11114594B2 (en) 2007-08-24 2021-09-07 Creeled, Inc. Light emitting device packages using light scattering particles of different size
WO2009031618A1 (ja) * 2007-09-06 2009-03-12 Nikon Corporation 発光ダイオード素子およびその製造方法
TWI492412B (zh) * 2007-09-07 2015-07-11 Cree Inc 晶圓級磷光體塗佈方法及使用該方法製造之裝置
US10256385B2 (en) 2007-10-31 2019-04-09 Cree, Inc. Light emitting die (LED) packages and related methods
US9041285B2 (en) 2007-12-14 2015-05-26 Cree, Inc. Phosphor distribution in LED lamps using centrifugal force
US8167674B2 (en) 2007-12-14 2012-05-01 Cree, Inc. Phosphor distribution in LED lamps using centrifugal force
US9431589B2 (en) 2007-12-14 2016-08-30 Cree, Inc. Textured encapsulant surface in LED packages
US8878219B2 (en) * 2008-01-11 2014-11-04 Cree, Inc. Flip-chip phosphor coating method and devices fabricated utilizing method
WO2009100358A1 (en) 2008-02-08 2009-08-13 Illumitex, Inc. System and method for emitter layer shaping
US8637883B2 (en) 2008-03-19 2014-01-28 Cree, Inc. Low index spacer layer in LED devices
US8075165B2 (en) 2008-10-14 2011-12-13 Ledengin, Inc. Total internal reflection lens and mechanical retention and locating device
TW201034256A (en) 2008-12-11 2010-09-16 Illumitex Inc Systems and methods for packaging light-emitting diode devices
US8507300B2 (en) * 2008-12-24 2013-08-13 Ledengin, Inc. Light-emitting diode with light-conversion layer
US8368112B2 (en) * 2009-01-14 2013-02-05 Cree Huizhou Opto Limited Aligned multiple emitter package
TWI483418B (zh) * 2009-04-09 2015-05-01 Lextar Electronics Corp 發光二極體封裝方法
TWI370216B (en) * 2009-06-29 2012-08-11 Lextar Electronics Corp Led lighting device
JP5496570B2 (ja) * 2009-08-05 2014-05-21 シャープ株式会社 発光装置
US8449128B2 (en) 2009-08-20 2013-05-28 Illumitex, Inc. System and method for a lens and phosphor layer
US8585253B2 (en) 2009-08-20 2013-11-19 Illumitex, Inc. System and method for color mixing lens array
JP5347953B2 (ja) * 2009-12-28 2013-11-20 日亜化学工業株式会社 発光装置およびその製造方法
JP5383611B2 (ja) * 2010-01-29 2014-01-08 株式会社東芝 Ｌｅｄパッケージ
JP5052630B2 (ja) * 2010-01-29 2012-10-17 株式会社東芝 表面実装型ダイオードとその製造方法
US8329482B2 (en) 2010-04-30 2012-12-11 Cree, Inc. White-emitting LED chips and method for making same
US10546846B2 (en) 2010-07-23 2020-01-28 Cree, Inc. Light transmission control for masking appearance of solid state light sources
US9166126B2 (en) 2011-01-31 2015-10-20 Cree, Inc. Conformally coated light emitting devices and methods for providing the same
EP2683789B1 (en) 2011-03-08 2017-08-23 Philips Lighting Holding B.V. A luminescent product, a light source and a luminaire
US20130001597A1 (en) * 2011-06-28 2013-01-03 Osram Sylvania Inc. Lighting Device Having a Color Tunable Wavelength Converter
JP5545601B2 (ja) * 2011-11-07 2014-07-09 信越化学工業株式会社 蛍光体高充填波長変換シート、それを用いた発光半導体装置の製造方法、及び該発光半導体装置
US8564004B2 (en) 2011-11-29 2013-10-22 Cree, Inc. Complex primary optics with intermediate elements
WO2013115379A1 (ja) * 2012-02-02 2013-08-08 シチズンホールディングス株式会社 半導体発光装置及びその製造方法
DE102012201616A1 (de) * 2012-02-03 2013-08-08 Tridonic Jennersdorf Gmbh Kunststoffträger für LED-Chips zur Verwendung in LED-Modulen und LED-Ketten
US9897284B2 (en) 2012-03-28 2018-02-20 Ledengin, Inc. LED-based MR16 replacement lamp
DE102012207566A1 (de) * 2012-05-07 2013-11-07 Osram Gmbh Leuchtvorrichtung mit seitenstrahler-halbleiterlichtquelle
DE102012207563A1 (de) * 2012-05-07 2013-11-07 Osram Gmbh Leuchtvorrichtung mit leuchtmodul und halbleiterlichtquelle
JP5431536B2 (ja) * 2012-06-21 2014-03-05 ローム株式会社 半導体発光装置
KR101886157B1 (ko) 2012-08-23 2018-08-08 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 및 조명시스템
US8890196B2 (en) * 2013-03-14 2014-11-18 Goldeneye, Inc. Lightweight self-cooling light sources
KR102135352B1 (ko) * 2013-08-20 2020-07-17 엘지전자 주식회사 표시장치
JP5646708B2 (ja) * 2013-08-22 2014-12-24 ローム株式会社 半導体装置
JP5646784B2 (ja) * 2014-06-13 2014-12-24 ローム株式会社 半導体発光装置
JP5689558B2 (ja) * 2014-08-28 2015-03-25 ローム株式会社 半導体発光装置
JP5878226B2 (ja) * 2014-11-19 2016-03-08 ローム株式会社 半導体発光装置
US10340426B2 (en) * 2017-07-06 2019-07-02 Epistar Corporation Phosphor and illumination device utilizing the same
CN108540086A (zh) * 2018-01-18 2018-09-14 浙江人和光伏科技有限公司 一种太阳能电池接线盒的导电模块

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0646971A2 (de) * 1993-09-30 1995-04-05 Siemens Aktiengesellschaft Zweipoliges SMT-Miniatur-Gehäuse für Halbleiterbauelemente und Verfahren zu dessen Herstellung
CN1207206A (zh) * 1996-09-20 1999-02-03 西门子公司 波长变换浇注材料、它的应用及其制造方法

Family Cites Families (71)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3935501A (en) * 1975-02-13 1976-01-27 Digital Components Corporation Micro-miniature light source assemblage and mounting means therefor
GB1557685A (en) * 1976-02-02 1979-12-12 Fairchild Camera Instr Co Optically coupled isolator device
US4412135A (en) * 1979-03-23 1983-10-25 Sharp Kabushiki Kaisha Photo coupler device molding including filler particles
US4287105A (en) * 1980-01-14 1981-09-01 Plaskon Products, Inc. Flash resistant epoxy encapsulating composition and process for preparing same
US4334035A (en) * 1981-03-19 1982-06-08 Mitsubishi Petrochemical Co., Ltd. Unsaturated polyester resin composition
JPS57169281A (en) * 1981-04-10 1982-10-18 Mitsubishi Electric Corp Semiconductor device
US4872765A (en) 1983-04-20 1989-10-10 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Dual mode quartz thermometric sensing device
JPS6195581A (ja) * 1984-10-16 1986-05-14 Toshiba Corp 光結合素子
JPH0429580Y2 (zh) * 1986-02-28 1992-07-17
US4672765A (en) * 1986-05-23 1987-06-16 Lutz Erno B Illuminated fish attraction device
DE3804293A1 (de) 1988-02-12 1989-08-24 Philips Patentverwaltung Anordnung mit einer elektrolumineszenz- oder laserdiode
JPH02169619A (ja) * 1988-12-23 1990-06-29 Toshiba Corp 封止用エポキシ樹脂組成物及びこれを用いてなる光半導体素子
DE4003842C2 (de) * 1989-02-09 1997-06-05 Shinetsu Chemical Co Epoxidharzmassen zum Einkapseln von Halbleitern, enthaltend kugelförmiges Siliciumdioxid
DE58908841D1 (de) * 1989-05-31 1995-02-09 Siemens Ag Oberflächenmontierbares Opto-Bauelement.
JPH03270083A (ja) * 1990-03-19 1991-12-02 Hitachi Ltd 発光ダイオード・パッケージ
DE69032695T2 (de) * 1990-07-16 1999-02-25 Nitto Denko Corp., Ibaraki, Osaka Herstellung von Epoxyharzen für Photohalbleiter
US5436492A (en) * 1992-06-23 1995-07-25 Sony Corporation Charge-coupled device image sensor
JPH0665473A (ja) * 1992-08-19 1994-03-08 Denki Kagaku Kogyo Kk 光機能素子封止樹脂用充填材及びそれを用いた樹脂組成物
US5321533A (en) * 1992-09-24 1994-06-14 Kent State Universtiy Polymer dispersed ferroelectric smectic liquid crystal
JPH06202361A (ja) * 1992-12-28 1994-07-22 Fuji Xerox Co Ltd 電子写真感光体およびその製造方法
JPH06204569A (ja) * 1992-12-28 1994-07-22 Casio Comput Co Ltd 発光ダイオードの構造
JP3308078B2 (ja) * 1993-12-14 2002-07-29 ローム株式会社 樹脂封止型半導体装置
EP0716102B1 (en) * 1994-06-24 2002-02-06 Seiko Epson Corporation Transparent plastic material, optical article made therefrom, and production process
JPH08176407A (ja) 1994-12-22 1996-07-09 Sumitomo Bakelite Co Ltd エポキシ樹脂組成物
JPH08222757A (ja) * 1995-02-14 1996-08-30 Sharp Corp 光結合素子
US6025067A (en) * 1995-03-08 2000-02-15 Fay; John Nicholas Soft elastomeric composite composition
JP2913577B2 (ja) * 1995-04-13 1999-06-28 サンケン電気株式会社 樹脂封止形半導体発光装置
FR2750067B1 (fr) 1996-06-20 1998-07-31 Snecma Procede de fraisage assiste par laser
KR100662955B1 (ko) * 1996-06-26 2006-12-28 오스람 게젤샤프트 미트 베쉬랭크터 하프퉁 발광 변환 소자를 포함하는 발광 반도체 소자
US5777433A (en) * 1996-07-11 1998-07-07 Hewlett-Packard Company High refractive index package material and a light emitting device encapsulated with such material
US5682066A (en) * 1996-08-12 1997-10-28 Motorola, Inc. Microelectronic assembly including a transparent encapsulant
DE19649650B4 (de) 1996-11-29 2005-02-24 Siemens Ag Oberflächenmontierbares strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement
US6054716A (en) * 1997-01-10 2000-04-25 Rohm Co., Ltd. Semiconductor light emitting device having a protecting device
US6274890B1 (en) * 1997-01-15 2001-08-14 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor light emitting device and its manufacturing method
JP3741512B2 (ja) 1997-04-14 2006-02-01 ローム株式会社 Ｌｅｄチップ部品
US5813753A (en) 1997-05-27 1998-09-29 Philips Electronics North America Corporation UV/blue led-phosphor device with efficient conversion of UV/blues light to visible light
FR2765517B1 (fr) * 1997-07-04 1999-08-27 Oreal Article en matiere plastique, procede de fabrication et composition de moulage
EP2267797A1 (de) * 1997-07-29 2010-12-29 OSRAM Opto Semiconductors GmbH Optoelektronisches Bauelement
JPH11163419A (ja) * 1997-11-26 1999-06-18 Rohm Co Ltd 発光装置
DE19803936A1 (de) 1998-01-30 1999-08-05 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Ausdehnungskompensiertes optoelektronisches Halbleiter-Bauelement, insbesondere UV-emittierende Leuchtdiode und Verfahren zu seiner Herstellung
US6051848A (en) * 1998-03-02 2000-04-18 Motorola, Inc. Optical device packages containing an optical transmitter die
JPH11346005A (ja) * 1998-05-29 1999-12-14 Rohm Co Ltd 光学半導体装置
JP3908383B2 (ja) * 1998-05-29 2007-04-25 ローム株式会社 半導体装置
JP2907286B1 (ja) * 1998-06-26 1999-06-21 サンケン電気株式会社 蛍光カバーを有する樹脂封止型半導体発光装置
DE19829197C2 (de) * 1998-06-30 2002-06-20 Siemens Ag Strahlungsaussendendes und/oder -empfangendes Bauelement
JP2000077720A (ja) * 1998-08-31 2000-03-14 Sanyo Electric Co Ltd 光半導体装置
US6670207B1 (en) * 1999-03-15 2003-12-30 Gentex Corporation Radiation emitter device having an integral micro-groove lens
US6197416B1 (en) * 1998-09-17 2001-03-06 Eastman Kodak Company Transmission imaging display material with biaxially oriented polyolefin sheet
US6476930B1 (en) 1998-12-04 2002-11-05 Ricoh Corporation Output processing and merging of hybrid electronic documents
JP2000208822A (ja) * 1999-01-11 2000-07-28 Matsushita Electronics Industry Corp 半導体発光装置
US6521916B2 (en) * 1999-03-15 2003-02-18 Gentex Corporation Radiation emitter device having an encapsulant with different zones of thermal conductivity
JP4902044B2 (ja) * 1999-09-24 2012-03-21 シャープ株式会社 半導体レーザ装置、光伝送装置、光伝送システム、電子機器、制御装置、接続コネクタ、通信装置、ならびに光伝送方法、データ送受信方法
EP1113506A3 (en) * 1999-12-28 2005-03-16 Toyoda Gosei Co., Ltd. Light emitting diode
DE19963806C2 (de) * 1999-12-30 2002-02-07 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum Herstellen einer Leuchtdioden-Weißlichtquelle, Verwendung einer Kunststoff-Preßmasse zum Herstellen einer Leuchtioden-Weißlichtquelle und oberflächenmontierbare Leuchtdioden-Weißlichtquelle
CN1252837C (zh) * 2000-04-26 2006-04-19 奥斯兰姆奥普托半导体股份有限两合公司 在GaN基板上的发光二极管芯片和用GaN基板上的发光二极管芯片制造发光二极管元件的方法
US6555958B1 (en) * 2000-05-15 2003-04-29 General Electric Company Phosphor for down converting ultraviolet light of LEDs to blue-green light
WO2002011173A1 (en) * 2000-07-28 2002-02-07 Osram Opto Semiconductors Gmbh Luminescence conversion based light emitting diode and phosphors for wavelength conversion
KR20020045694A (ko) * 2000-12-09 2002-06-20 이택렬 광 반도체 소자 및 그 제조방법
AT410266B (de) * 2000-12-28 2003-03-25 Tridonic Optoelectronics Gmbh Lichtquelle mit einem lichtemittierenden element
US6940704B2 (en) * 2001-01-24 2005-09-06 Gelcore, Llc Semiconductor light emitting device
DE10117889A1 (de) * 2001-04-10 2002-10-24 Osram Opto Semiconductors Gmbh Leiterrahmen und Gehäuse für ein strahlungsemittierendes Bauelement, strahlungsemittierendes Bauelement sowie Verfahren zu dessen Herstellung
US6685852B2 (en) * 2001-04-27 2004-02-03 General Electric Company Phosphor blends for generating white light from near-UV/blue light-emitting devices
US6685347B2 (en) * 2001-09-26 2004-02-03 Glen A. Grutze Gobo projector for a vehicle
DE10153259A1 (de) * 2001-10-31 2003-05-22 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement
JP4211359B2 (ja) * 2002-03-06 2009-01-21 日亜化学工業株式会社 半導体装置の製造方法
TWI226357B (en) * 2002-05-06 2005-01-11 Osram Opto Semiconductors Gmbh Wavelength-converting reaction-resin, its production method, light-radiating optical component and light-radiating semiconductor-body
DE10229067B4 (de) * 2002-06-28 2007-08-16 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
US6809471B2 (en) * 2002-06-28 2004-10-26 General Electric Company Phosphors containing oxides of alkaline-earth and Group-IIIB metals and light sources incorporating the same
TWI292961B (en) * 2002-09-05 2008-01-21 Nichia Corp Semiconductor device and an optical device using the semiconductor device
US6800373B2 (en) * 2002-10-07 2004-10-05 General Electric Company Epoxy resin compositions, solid state devices encapsulated therewith and method
CN100511732C (zh) * 2003-06-18 2009-07-08 丰田合成株式会社 发光器件

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0646971A2 (de) * 1993-09-30 1995-04-05 Siemens Aktiengesellschaft Zweipoliges SMT-Miniatur-Gehäuse für Halbleiterbauelemente und Verfahren zu dessen Herstellung
CN1207206A (zh) * 1996-09-20 1999-02-03 西门子公司 波长变换浇注材料、它的应用及其制造方法

Non-Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
JP平6-204569A 1994.07.22
JP平7-169893A 1995.07.04
JP平8-176407A 1996.07.09

Also Published As

Publication number Publication date
US7436002B2 (en) 2008-10-14
TWI338378B (en) 2011-03-01
CN101420006A (zh) 2009-04-29
CN100524849C (zh) 2009-08-05
EP1399978A1 (de) 2004-03-24
US20040188697A1 (en) 2004-09-30
US20090011527A1 (en) 2009-01-08
EP1399978B1 (de) 2015-06-24
CN1550047A (zh) 2004-11-24
JP2004534405A (ja) 2004-11-11
WO2003005458A1 (de) 2003-01-16
DE10131698A1 (de) 2003-01-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101420006B (zh) 用于制造一种辐射的、可表面安装的构件的方法
CN100375299C (zh) 可表面装配的发光二极管光源和制造发光二极管光源的方法
US7045956B2 (en) Light emitting diode with wavelength conversion
US6066861A (en) Wavelength-converting casting composition and its use
JP4269709B2 (ja) 発光装置およびその製造方法
US6613247B1 (en) Wavelength-converting casting composition and white light-emitting semiconductor component
CN101675535B (zh) 发射电磁辐射的光电子器件以及用于制造光电子器件的方法
CN100352885C (zh) 波长变化的反应性树脂材料和发光二极管元件
JP2004363537A (ja) 半導体装置およびその製造方法、並びにその半導体装置を用いた光学装置
KR100821684B1 (ko) 백색 발광 다이오드 소자
US10297726B2 (en) Filling material, resin composition, package, light-emitting device, and methods of manufacturing same
JP2025099548A (ja) 発光装置

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C53 Correction of patent of invention or patent application
CB03 Change of inventor or designer information

Inventor after: Herbert Brunner

Inventor after: K. Hoehn

Inventor after: Jaeger Hans

Inventor after: J. Schmid

Inventor after: Brunner Robert

Inventor before: Herbert Brunner

Inventor before: K. Hoehn

Inventor before: Jaeger Hans

Inventor before: J. Schmid

COR Change of bibliographic data

Free format text: CORRECT: INVENTOR; FROM: BRUNNER HERBERT HOEHN KLAUS JAEGER HARALD SCHMID JOSEF TO: BRUNNER HERBERT HOEHN KLAUS JAEGER HARALD SCHMID JOSEF BRUNNER HERBERT

C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20120829

Termination date: 20190425

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee