[go: up one dir, main page]

CN101389461B - 制备半导体器件的方法和由其生产的半导体器件 - Google Patents

制备半导体器件的方法和由其生产的半导体器件 Download PDF

Info

Publication number
CN101389461B
CN101389461B CN2007800063653A CN200780006365A CN101389461B CN 101389461 B CN101389461 B CN 101389461B CN 2007800063653 A CN2007800063653 A CN 2007800063653A CN 200780006365 A CN200780006365 A CN 200780006365A CN 101389461 B CN101389461 B CN 101389461B
Authority
CN
China
Prior art keywords
mass parts
component
sio
silicone composition
group
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CN2007800063653A
Other languages
English (en)
Other versions
CN101389461A (zh
Inventor
森田好次
一色实
植木浩
加藤智子
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
DuPont Toray Specialty Materials KK
Original Assignee
Dow Corning Toray Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Dow Corning Toray Co Ltd filed Critical Dow Corning Toray Co Ltd
Publication of CN101389461A publication Critical patent/CN101389461A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN101389461B publication Critical patent/CN101389461B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C43/00—Compression moulding, i.e. applying external pressure to flow the moulding material; Apparatus therefor
    • B29C43/02—Compression moulding, i.e. applying external pressure to flow the moulding material; Apparatus therefor of articles of definite length, i.e. discrete articles
    • B29C43/18—Compression moulding, i.e. applying external pressure to flow the moulding material; Apparatus therefor of articles of definite length, i.e. discrete articles incorporating preformed parts or layers, e.g. compression moulding around inserts or for coating articles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the groups H01L21/18 - H01L21/326 or H10D48/04 - H10D48/07 e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C43/00—Compression moulding, i.e. applying external pressure to flow the moulding material; Apparatus therefor
    • B29C43/32—Component parts, details or accessories; Auxiliary operations
    • B29C43/50—Removing moulded articles
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L83/00—Compositions of macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon only; Compositions of derivatives of such polymers
    • C08L83/04—Polysiloxanes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L83/00—Compositions of macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon only; Compositions of derivatives of such polymers
    • C08L83/04—Polysiloxanes
    • C08L83/06—Polysiloxanes containing silicon bound to oxygen-containing groups
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L83/00—Compositions of macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon only; Compositions of derivatives of such polymers
    • C08L83/14—Compositions of macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon only; Compositions of derivatives of such polymers in which at least two but not all the silicon atoms are connected by linkages other than oxygen atoms
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the groups H01L21/18 - H01L21/326 or H10D48/04 - H10D48/07 e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H01L21/565—Moulds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
    • H01L23/293—Organic, e.g. plastic
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/93—Batch processes
    • H01L24/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L24/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45117—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
    • H01L2224/45124—Aluminium (Al) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/93—Batch processes
    • H01L2224/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L2224/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L24/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01004—Beryllium [Be]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01005—Boron [B]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01006—Carbon [C]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01012—Magnesium [Mg]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01013—Aluminum [Al]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01014—Silicon [Si]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01015—Phosphorus [P]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01019—Potassium [K]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/0102—Calcium [Ca]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01027—Cobalt [Co]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01028—Nickel [Ni]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01029—Copper [Cu]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/0103—Zinc [Zn]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01033—Arsenic [As]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/0104—Zirconium [Zr]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01046—Palladium [Pd]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01047—Silver [Ag]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01051—Antimony [Sb]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01056—Barium [Ba]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01058—Cerium [Ce]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01067—Holmium [Ho]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01073—Tantalum [Ta]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01078—Platinum [Pt]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01079—Gold [Au]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01082—Lead [Pb]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01093—Neptunium [Np]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/095—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00 with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials provided in the groups H01L2924/013 - H01L2924/0715
    • H01L2924/097—Glass-ceramics, e.g. devitrified glass
    • H01L2924/09701—Low temperature co-fired ceramic [LTCC]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/102—Material of the semiconductor or solid state bodies
    • H01L2924/1025—Semiconducting materials
    • H01L2924/10251—Elemental semiconductors, i.e. Group IV
    • H01L2924/10253—Silicon [Si]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12041—LED
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12042—LASER
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/153—Connection portion
    • H01L2924/1531—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface
    • H01L2924/15311—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface being a ball array, e.g. BGA
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Casting Or Compression Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Epoxy Resins (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)

Abstract

通过将未密封的半导体器件放入模具内并对喂入到在模具与未密封的半导体器件之间的空间内的可固化的硅氧烷组合物进行压塑，制备以硅氧烷固化体密封的半导体器件的方法，该方法的特征在于：前述可固化的硅氧烷组合物包含至少下述组分：(A)含环氧基的硅氧烷和(B)用于环氧树脂的固化剂；该方法可降低半导体芯片和电路板的翘曲，并改进表面抗划伤性。

Description

制备半导体器件的方法和由其生产的半导体器件
技术领域
本发明涉及制备半导体器件的方法和由该方法生产的半导体器件。
背景技术
通过各种方法，例如在模具内传递模塑、用液体密封树脂封装或筛网印刷等，进行以树脂密封半导体器件。根据最近最小化半导体部件和减小并降低电子器件厚度的趋势，在一些情况下可要求以树脂密封薄至小于或等于500微米的包装。
尽管通过传递模塑方法以树脂密封薄的包装允许精确地控制密封树脂的厚度，但这一方法遇到与诸如下述现象有关的问题：半导体芯片在密封树脂的流动中的移动和与半导体芯片相连的在液体树脂流动的压力作用下的变形以及接合线的断裂或其彼此的接触。
另一方面，通过封装或筛网印刷方法以液体树脂密封半导体器件将保护接合线避免断裂或相互接触，然而，这些方法更加难以控制密封树脂层的厚度和增加在树脂材料内形成孔隙的可能性。
为了解决上述问题，提出了通过将每一未密封的半导体器件置于模具内并对填充模具和未密封的半导体器件之间的空间的密封树脂进行压塑，制备树脂密封的半导体器件(参见日本未审专利申请公布，(下文称为“Kokai”)H08-244064、Kokai H11-77733和Kokai2000-277551)。
然而，当常规的环氧树脂组合物在以上提及的压塑方法中用作密封材料时，和当半导体芯片被小型化且印刷电路板太薄时，前述芯片和印刷电路板遭受增加的弯曲且可容易地形成内应力，这可导致密封的半导体器件断裂或故障。
为了克服上述问题，提出了通过将未密封的半导体器件置于模具内，用各种可固化的硅氧烷组合物填充模具与未密封的半导体器件之间的空间，然后对前述组合物进行压塑，以固化的软质硅氧烷体密封半导体器件的方法(参见Kokai 2004-296555、Kokai2005-183788和Kokai 2005-268565)。
然而，硅氧烷固化体的表面发脆且抗划伤性低，因此通过上述方法处理的半导体器件的表面在制备工艺中可容易损坏，并且器件的处理成为问题。
本发明的目的是提供有效地制备半导体器件的方法，所述半导体器件的特征在于半导体芯片和电路板的降低的弯曲，和具有抗划伤性得到改进的表面。本发明的另一目的是提供通过上述方法制备的半导体器件。
发明公开
本发明提供通过将未密封的半导体器件置于模具内，和对喂入在模具与未密封的半导体器件之间的空间内的可固化的硅氧烷组合物进行压塑，制备以硅氧烷固化体密封半导体器件的方法，该方法的特征在于下述事实：前述可固化的硅氧烷组合物包含至少下述组分：(A)含环氧基的硅氧烷和(B)用于环氧树脂的固化剂；其中前述组分(A)是：(A1)在一个分子内具有至少两个含环氧基的单价有机基团且用下述平均单元式(R1 3SiO1/2)a(R2 2SiO2/2)b(R3SiO3/2)c表示的有机基硅氧烷，其中在该式中，R1、R2和R3可以相同或不同，且表示任选取代的单价烃基或含环氧基的单价基团，条件是20mol％或更多的R3是芳基；和a、b和c是满足下述条件的数值：0≤a≤0.8，0≤b≤0.8，0.2≤c≤0.9和(a+b+c)＝1；和/或(A2)用下述通式表示的二有机基硅氧烷：A-R5-(R4 2SiO)mR4 2Si-R5-A，其中R4表示不含脂族不饱和键的任选取代的单价烃基；R5表示二价有机基团；和A表示用下述平均单元式表示的硅氧烷残基：(XR4 2SiO1/2)d(SiO4/2)e，其中R4如上所定义；X表示用于键合到前述R5上的单键、氢原子、用前述基团R4表示的基团、含环氧基的单价有机基团、三甲氧基甲硅烷基乙基、三甲氧基甲硅烷基丙基、二甲氧基甲基甲硅烷基丙基、甲氧基二甲基甲硅烷基丙基、三乙氧基甲硅烷基乙基或三丙氧基甲硅烷基丙基，条件是上式中的至少一个X是单键，和至少两个X是含环氧基的单价有机基团；d是正数；e是正数；且d/e是0.2-4的正数；和m是大于或等于1的整数。在一个实施方案中，组分(B)是含酚羟基的化合物。在一个实施方案中，组分(B)是在一个分子内含有至少两个酚羟基的有机基硅氧烷。在一个实施方案中，组分(B)是用下述通式表示的有机基硅氧烷：R6 3SiO(R6 2SiO)nSiR6 3，其中R6是任选取代的单价烃基或含有酚羟基的单价有机基团，条件是至少两个R6是前述含有酚羟基的单价有机基团；和n是0-1000的整数。在一个实施方案中，以每100质量份组分(A)计，组分(B)的含量为0.1-500质量份。在一个实施方案中，可固化的硅氧烷组合物进一步含有(C)固化促进剂。在一个实施方案中，组分(C)是包胶的胺类固化促进剂。在一个实施方案中，以每100质量份组分(A)计，组分(C)的含量为不大于50质量份。在一个实施方案中，可固化的硅氧烷组合物进一步包含(D)填料。在一个实施方案中，以每100质量份组分(A)计，组分(D)的含量为不大于2000质量份。在一个实施方案中，可固化的硅氧烷组合物进一步包含(E)有机环氧化合物。在一个实施方案中，以每100质量份组分(A)计，组分(E)的含量为不大于500质量份。在一个实施方案中，可固化的硅氧烷组合物进一步包含(F)偶联剂。在一个实施方案中，以每100质量份组分(A)计，组分(F)的的含量为不大于10质量份。在一个实施方案中，硅氧烷固化体的复合弹性模量不超过2GPa。
本发明还提供通过前述方法制备的半导体器件。
发明效果
制备半导体器件的方法的特征在于制备半导体器件的效率以及半导体芯片和电路板的降低的弯曲、所述器件表面上的改进的抗划伤性。
附图简述
图1是阐述通过本发明的方法制备半导体器件所使用的压塑机的结构的视图。
图2是阐述在树脂密封通过本发明的方法生产的半导体器件的过程中所述压塑机部件位置的视图。
图3是根据本发明的应用实施例制备的半导体器件的截面视图。参考标记10：半导体芯片12：印刷电路板14：硅氧烷固化体16：半导体器件20：固定台22：下部基底23：下部半模24：加热器26：下部夹持挡块30：移动台32：上部基底33：上部保持器34：上部半模34a：空腔凹陷部分36：夹持器(clamper)36a，36b：空气抽吸孔37：弹簧38：加热器39：上部夹持挡块40a，40b：可剥离的膜42a，42b：供料辊44a，44b：膜接收辊46：导辊48：静电荷除去器50：可固化的硅氧烷组合物
发明详述
以下是本发明制备半导体器件的方法的详细说明。
根据所提出的方法，通过将半导体器件置于模具内，和对填充模具与半导体器件之间空间的可固化的硅氧烷组合物进行压塑，以硅氧烷的固化体密封未密封的半导体器件。
含有前述模具的压塑机可以是含上部半模和下部半模的常规压塑机，当闭合在一起时，所述上部半模和下部半模挤压未密封的半导体器件并形成模腔，其中向所述模腔内供应可固化的硅氧烷组合物，以填充模具和未密封的半导体器件之间的空间。该机器配有用于使上部和下部半模彼此压制的夹持器件、用于固化并加热可固化的硅氧烷组合物的加热器、和其他器件。例如在Kokai H08-244064、KokaiH11-77733和Kokai 2000-277551中公开了这种压塑机。优选考虑在Kokai 2000-277551中公开的机器，因为它具有最简单的结构。
更具体地，在Kokai 2000-277551中公开的压塑机使得可将未密封的半导体器件置于下部半模内，供应可固化的硅氧烷组合物到上部半模和未密封的半导体器件之间的空间，将半导体器件夹持在上部半模和下部半模之间，并对可固化的硅氧烷组合物进行压塑。前述机器具有以框架形式制备的夹持器，其包围上部半模的密封区域的侧面。支持夹持器，以便它可在模具的闭合和打开方向上沿着前述侧面自由地垂直运动，和以便当模具打开时，夹持器的下部端面从上部半模的模塑面伸出且被偏压至下部半模。当下部半模或上部半模与可固化的硅氧烷组合物直接接触时，它的模塑表面可容易地用氟树脂涂布。特别地，前述压塑机配有下述装置，该装置用于将从模具和硅氧烷固化体上可剥离的膜供至其可覆盖上部半模的密封区域的位置处。在这一机器中，借助可剥离膜密封未密封的半导体器件将保护硅氧烷固化体避免粘附到模具的模塑表面上，可靠地密封所述密封区域并防止形成毛刺。
前述压塑机也可配有供料机构以将从模具和硅氧烷固化体上可剥离的膜供至其可覆盖，可以支撑在下部半模中的半导体器件的模塑表面的位置处。此外，该机器配有空气抽吸机构，其中通过从由夹持器的内面和上部半模的模塑表面形成的密封区域的内底部表面抽吸空气，所述抽吸机构将施加抽吸作用到在夹持器的下部端面上的可剥离膜和在密封区域的内表面上的可剥离膜。提供前述抽吸机构可靠地将所述可剥离膜保持和密封在所述模塑表面上。或者，保持可剥离膜的抽吸机构可由朝夹持器的下部端面开放的空气抽吸孔和与在夹持器的内部侧表面和上部模具的侧表面之间的空间内形成的空气流连通的空气抽吸孔组成。通过连接前述开口到空气抽吸单元上，产生抽吸作用。上部半模可在其模塑表面上具有空腔，所述空腔将形成与半导体器件上的半导体元件的放置位置相应的单独模塑部分。此外，下部半模也可具有空腔，所述空腔将形成与半导体器件上的半导体芯片的放置位置相应的单独模塑部分。上部半模在模具的打开或闭合方向上可移动且被推向下部半模。在下部半模的模塑表面上形成溢流空腔用以在密封半导体器件的过程中提供可固化的硅氧烷组合物从密封区域中的溢出。与溢流空腔和密封区域连通的一个或多个浇口(gate)可以被形成在施加压力至半导体器件的夹持器的夹持表面上。
当在半导体密封操作中将未密封的半导体器件置于下部半模内时，可固化的硅氧烷组合物被喂入到上部半模和半导体器件之间的空间内，从模具和硅氧烷固化体上可剥离的膜覆盖密封区域的表面，在上部和下部半模之间该半导体器件与可固化的硅氧烷组合物一起被挤压并被密封。在这些条件下，形成包围上部半模的密封区域的侧表面的框架的夹持器在垂直方向上沿着前述侧面自由移动，其下部端面伸出低于上部半模的模塑表面，被推向下部半模，并密封密封区域的周围；和在下部与上部半模逐渐彼此接近时，可固化的液体硅氧烷组合物填充密封区域，所述半模在模具的闭合位置内停止，和通过密封区域内的可固化的硅氧烷组合物密封半导体器件。
图1示出了适合于进行本发明方法的压塑机的主要结构部件。在这一附图中，参考标记20表示固定台，和参考标记30表示移动台。这两个台被安装在压力机内。该压力机可包括通过在垂直方向上驱动移动台而能够进行合适的密封操作的液压机或电驱动的压力机。
参考标记22表示固定到固定台20上的下部半模基底，和参考标记23表示固定到下部半模基底22上的下部半模。下部半模23的上表面具有放置半导体器件16的安置部分。在本发明的方法中所使用的半导体器件16可含有在印刷电路板12上彼此等距离地安装的多个半导体芯片10。半导体器件16从下部半模23处面向上。参考标记24表示与下部半模基底22相连的加热器。加热器24用于加热下部半模23，并因此增加被下部半模23支持的半导体器件16的温度。该机器配有下部夹持挡块26，所述挡块将确定上部和下部半模的夹紧位置。夹持挡块26安装在下部基底22上。
参考标记32表示固定到移动台30上的上部半模基底。参考标记33是固定到上部半模基底32上的上部半模保持器，和参考标记34表示固定到上部半模保持器33上的上部半模。在本发明实施方案的方法中，在平坦的印刷电路板12的一侧上排列并密封半导体芯片10。因此，在密封区域内，上部半模34的模塑面也是平的。参考标记36表示框架形式制备的夹持器，其包围上部半模34和上部半模保持器33的侧面。夹持器36被上部半模基底32支持而自由垂直运动并通过弹簧37被偏向下部半模23。上部半模34的模塑面从夹持器36的端面起位移，并在模具闭合状态下于夹持器36的内面和上部半模34的模塑面之间形成密封区域。可通过弹簧以外的设备例如通过气压缸形成夹持器36的偏向力。
参考标记38表示在上部半模基底32内排列的加热器且用于加热上部半模保持器33和上部半模34，以便当模具闭合时可加热半导体器件16；参考标记39表示被安装在上部半模基底32上的上部夹持挡块。分别在上部半模的侧面上和在下部半模的侧面上排列上部夹持挡块39和下部夹持挡块26，以便在模具的闭合状态下，它们的端面彼此相互接触。当移动台30通过压力机单元向下移动时，上部夹持挡块39在夹紧位置接触下部夹持挡块26。前述的闭合位置限定在密封区域内形成的密封的可固化的硅氧烷组合物层的厚度。
参考标记40a和40b表示纵向排列的可剥离膜，其宽度尺寸足以分别覆盖上部半模34和下部半模23的模塑面。可剥离膜40a和40b的目的是覆盖密封区域的表面，以便防止可固化的硅氧烷组合物与模塑面直接接触。可剥离膜40a和40b由类似膜的材料制成，其可容易地从硅氧烷固化体和模具上剥离，且具有关于模塑温度的耐热性和持久的机械强度，和用于改变其形状的充足的柔软度，以便与密封区域的模塑面上的凹陷和突起贴合。可剥离膜可例举聚四氟乙烯(PTFE)膜、乙烯-四氟乙烯共聚物(ETFE)膜、四氟乙烯-全氟丙烯共聚物(FEP)膜、聚偏二氟乙烯(PBDE)膜或类似的氟树脂膜；聚对苯二甲酸乙二酯(PET)，和聚丙烯(PP)。
当仅仅在印刷电路板12的上部侧上进行本发明的密封方法时，将可剥离膜40a供应到上部半模34上用以覆盖将与可固化的液体硅氧烷组合物接触的表面。通过供应可剥离膜40b覆盖下部半模23，可利用膜的可压缩性和弹性有效地吸收印刷电路板厚度的均匀度偏差并因此减小密封中的不均匀度。然而，应当注意，仅仅使用位于上部半模34的侧面上的可剥离膜40a可能是足够的。
参考标记42a和42b表示可剥离膜40a和40b的供料辊，和参考标记44a、44b分别表示膜40a和40b的膜接收辊。正如附图所示，膜供料辊42a和42b以及膜接收辊44a和44b位于模塑机的相对侧上。用于上部半模的膜供料辊42a和膜接收辊44a与移动台30相连；用于下部半模23的膜供料辊42b和膜接收辊44b与固定台20相连。利用这一结构，可剥离膜40a和40b通过模具从模具的一侧移动到其相对侧。用于上部半模的膜供料辊42a和膜接收辊44a与移动台30一起垂直移动。参考标记46表示导辊，和参考标记48表示静电荷除去器(电离器)，所述静电荷除去器除去可剥离膜40a和40b上的静电荷。
供料到上部半模34上的可剥离膜40a被抽吸到模塑表面上并因空气抽吸而被支持在这一表面上。夹持器36具有空气抽吸孔36a和空气抽吸孔36b，所述空气抽吸孔36a在夹持器36的下部端面内开放，所述空气抽吸孔36b在夹持器36的内部侧面内开放。空气抽吸孔36a和36b与位于模具外面的空气抽吸机构连通。在上部半模保持器33的表面上提供密封环(O形环)，所述密封环与夹持器36的内表面滑动接触。当抽吸被开启时，该密封环防止空气从空气抽吸孔36b泄漏。形成空气路径用于流经在上部半模34的侧面、上部半模保持器33的侧面和夹持器36的内表面之间确定的空间的空气，使得来自空气抽吸孔36b的空气抽吸作用保持可剥离膜40a在由上部半模34和夹持器36形成的模塑区域的内面上并固定该膜至这些面。应当注意与空气抽吸孔36a和36b相连的抽吸单元能够不仅产生抽吸作用，而且供应压缩空气。当压缩空气借助前述孔喂入时，膜40a容易从模塑面上剥离。
现说明用可固化的硅氧烷组合物密封半导体器件的本发明方法。在图1中，在中心线CL的左侧示出了模具的开放状态，其中移动台30在上部位置内。在这一状态下，可剥离膜40a和40b被新喂入到模具表面上，然后半导体器件16放置在下部半模23内。半导体器件16置于覆盖下部半模23的模塑表面的可剥离膜40b上。
在图1中，中心线CL的右侧示出了其中通过驱动空气抽吸单元，可剥离膜40a被抽吸并固定到上部半模34和夹持器36的下部端面上的状态。可剥离膜40a被供料到靠近模塑表面，然后通过空气抽吸孔36a和36b抽吸空气。这一作用将可剥离膜40a吸引到夹持器36的端面并将其固定至该端面。与此同时，可剥离膜40a沿着夹持器36的内面和上部半模34的模塑表面被抽吸。当可剥离膜40a拥有足够的柔软度和挠性时，由于抽吸作用，因此它顺从在上部半模34和夹持器36上形成的凹陷的形状。夹持器36的端面具有空气抽吸孔36a，所述空气抽吸孔36a在前述面上沿着上部半模34的圆周方向以彼此间的预定间隔排列。
一方面，可剥离膜40a通过空气抽吸作用被压向上部半模34，且与此同时，可固化的硅氧烷组合物50供应到印刷电路板12上，所述印刷电路板12支持在下部半模23内放置的半导体器件16。由于必须供应的可固化的硅氧烷组合物50的用量相当于密封区域的容量，因此推荐例如使用分配器，以计量的用量供应该组合物。
图2示出了处在闭合状态下当半导体器件16被夹在下部半模23和上部半模34之间时的模具。位于中心线CL左侧的模具部分示出了其中上部半模34向下移动的状态，且夹持器36的端面被压向支持半导体器件16的印刷电路板12。上部半模34没有到达其完全最低位置。当通过夹持器36闭合密封空间时，可固化的硅氧烷组合物50开始填充密封空间且被上部半模34压缩。在图2中，位于中心线CL右侧的模具部分示出了其中上部半模34向下位移至夹紧位置的状态。在夹紧位置处，下部夹持挡块26的端面与上部夹持挡块39的端面接触。夹紧力克服了弹簧37的抗力并使夹持器36向上移动，结果在密封空间内的可固化的硅氧烷组合物50可具有预定的厚度。
当上部半模34向下到达夹紧位置并调节密封区域到预定厚度时，可固化的硅氧烷组合物50完全填充密封区域。如图2所示，在该机器的位于中心线CL的左侧内，在上部半模34的角落部分和可剥离膜40a之间形成小的间隙。然而，当上部半模34下降至夹紧位置时，上部半模34和可剥离膜之间的间隙消失，且可固化的硅氧烷组合物50完全填充密封区域。
由于借助可剥离膜40a来夹持必须被密封的半导体器件16的表面，且密封区域的周围通过夹持器36可靠地密封，因此可在可固化的硅氧烷组合物没有从密封区域中泄漏的情况下进行密封操作。在当以微小的步长于印刷电路板12的上表面上形成布线图案的情况下，可通过可剥离膜40a吸收因这种步长引起的不均匀度，结果当在模具内夹紧半导体器件16时，可固化的硅氧烷组合物不会从密封区域中泄漏。施加在印刷电路板12的下表面上的下部可剥离膜40b也吸收因其在厚度方向上的回弹性导致的半导体器件厚度的不均匀度，结果可合适地密封半导体器件。
在模具的闭合状态下加热和固化可固化的硅氧烷组合物50之后打开模具，并从模具中取出用硅氧烷固化体密封的半导体器件。由于在可剥离膜40a和40b之间进行密封，因此硅氧烷固化体没有粘附到模塑表面上，和可剥离膜40a和40b容易从模具表面上剥离，结果可从模具中容易地取出密封的半导体器件。如上所述，可通过经空气抽吸孔36a和36b吹入压缩空气来促进可剥离膜40a的分离。在打开模具之后，开启膜供料辊42a、42b和膜接收辊44a和44b，并从模具中一起取出可剥离膜40a和40b与密封的半导体器件。
图3示出了通过本发明的方法密封的半导体器件。由于模塑部分的上侧平坦，因此上部半模34的模塑表面也是平坦的。正如附图所示，在相邻半导体芯片10之间的中间位置旨在产生通过硅氧烷固化体14和印刷电路板12的切口用于将密封的半导体器件分离成单独的片。可借助钻石轮划片机、激光切割装置等进行切割。此外，上部半模34的模塑面可具有对应于单独的半导体芯片10的安装位置的空腔，以便每一芯片10单独地密封在其各自的空腔内。通过经相邻半导体芯片之间的中心线切割由这一方法获得的半导体组件，可将该组件切割成单独的半导体器件。
适合于本发明的可固化的硅氧烷组合物包含至少下述组分：(A)含环氧基的硅氧烷和(B)用于环氧树脂的固化剂。前述组分(A)的特征在于含有环氧基且可用下述表示：(A1)下述平均单元式(R1 3SiO1/2)a(R2 2SiO2/2)b(R3SiO3/2)c的有机基聚硅氧烷在该式中，R1、R2和R3相同或不同，且表示任选取代的单价烃基或含环氧基的单价烃基。单价烃基可例举甲基、乙基、丙基、丁基、戊基或类似烷基；乙烯基、烯丙基、丁烯基、戊烯基、己烯基或类似链烯基；苯基、甲苯基、二甲苯基或类似芳基；苄基、苯乙基或类似芳烷基；氯代甲基、3，3，3-三氟丙基或类似卤素取代的烷基。最优选是烷基和芳基，特别是甲基和苯基。含环氧基的单价有机基团可例举2-环氧丙氧基乙基、3-环氧丙氧基丙基、4-环氧丙氧基丁基或类似的环氧丙氧基烷基；2-(3，4-环氧基环己基)乙基、3-(3，4-环氧基环己基)丙基、2-(3，4-环氧基-3-甲基环己基)-2-甲基乙基或类似的环氧基环烷基烷基；4-环氧乙烷基(oxyranyl)丁基、8-环氧乙烷基辛基或类似环氧乙烷基烷基。最优选的是环氧丙氧基烷基和环氧基环烷基烷基，特别是3-环氧丙氧基丙基和2-(3，4-环氧基环己基)乙基。
此外，在上式中，大于或等于20mol％，优选大于或等于50mol％，和最优选大于或等于80mol％的R3应当是芳基。若在R3内的芳基含量低于推荐下限，则这将损害粘合特性或者降低硅氧烷固化体的机械强度。苯基是最优选的用R3表示的芳基。
在上式中，a、b和c是满足下述条件的数值：0≤a≤0.8，0≤b≤0.8，0.2≤c≤0.9和(a+b+c)＝1。在成分(A1)的上述单元式中，a是显示出用式R1 3SiO1/2表示的硅氧烷单元的比例的数值，但当前述成分仅仅由用式R2SiO3/2表示的硅氧烷单元组成时，则为了改进粘度和为了改善组合物的可处理性和可操作性，则推荐a的范围为0≤a≤0.8，和优选0.3≤a≤0.8。在成分(A1)的上述单元式中，b是显示出用式R2 2SiO2/2表示的硅氧烷单元的比例的数值，但为了防止本发明的组分浸至硅氧烷固化体的表面上和为了在合适的分子量下提供具有优良的机械强度的硅氧烷固化体，推荐维持b的范围为0≤b≤0.6。在式(A1)的上述单元中，c是显示出用式R3SiO3/2表示的硅氧烷单元的比例的数值，但为了改进组合物的可处理性和可操作性，和为了改进固化体的粘合性能、机械性能、以及固化体的柔性，推荐提供c的范围为0.4≤c≤0.9。
要求成分(A1)在一个分子内含有至少两个含环氧基的单价有机基团。尽管对在成分(A1)内包含的含环氧基的单价有机基团的用量没有特别限制，但推荐前述组分的环氧当量数值(即通过前述组分的质均分子量除以在一个分子内包含的环氧基的数量获得的数值)范围为100-2000，优选100-1000，和更优选100-700。若前述环氧当量数值低于推荐下限，则这将导致所得硅氧烷固化体的柔性下降。另一方面，若环氧当量数值超过推荐上限，则这或者会降低组合物的可固化性，或者降低硅氧烷固化体的机械强度和粘合特性。成分(A1)可由一类有机基聚硅氧烷组成，或者可由两类或更多类有机基聚硅氧烷组合而成。对在25℃下成分(A1)的状态没有特别限制。例如，当成分(A1)为固态时，它可通过使用溶剂或者通过加热来液化以与其他组分均匀地混合。从与其他组分更好的混溶性以及改进的可处理性的角度考虑，优选在25℃下成分(A1)为液体形式。此外，对成分(A1)的质均分子量没有特别限制。然而，推荐提供范围为500-10,000、优选750-3000的质均分子量。
前述成分(A1)可例举用下式表示的化合物，其中a、b和c具有与以上定义相同的含义，但a和b不可能为0。此外，c′和c″是满足下述条件的数值：0.1≤c′≤0.8，0≤c″≤0.2，0.2≤(c′+c″)≤0.9，和0.2≤c′/(c′+c″)；G表示3-环氧丙氧基丙基，和E表示2-(3，4-环氧基环己基)乙基。[G(CH3)2SiO1/2]a[C6H5SiO3/2]c[E(CH3)2SiO1/2]a[C6H5SiO3/2]c[G(CH3)2SiO1/2]a[(CH3)2SiO2/2]b[C6H5SiO3/2]c[E(CH3)2SiO1/2]a[(CH3)2SiO2/2]b[C6H5SiO3/2]c[GCH3SiO2/2]b[C6H5SiO3/2]c[ECH3SiO2/2]b[C6H5SiO3/2]c[G(CH3)2SiO1/2]a[C6H5SiO3/2]c′[CH3SiO3/2]c″[E(CH3)2SiO1/2]a[C6H5SiO3/2]c′[CH3SiO3/2]c″[C6H5SiO3/2]c′[GSiO3/2]c″[C6H5SiO3/2]c′[ESiO3/2]c″
对适合于制备成分(A1)的方法没有特别限制。例如，这一方法可由共水解和缩合苯基三烷氧基硅烷和具有含环氧基的单价有机基团的烷氧基硅烷例如3-环氧丙氧基丙基-三甲氧基硅烷或2-(3，4-环氧基环己基)乙基三甲氧基硅烷组成。或者，该方法可由脱醇并缩合前述具有含环氧基的单价有机基团的烷氧基硅烷和具有硅烷醇基的有机基聚硅氧烷(所述具有硅烷醇基的有机基聚硅氧烷通过水解和缩合苯基三氯硅烷或苯基三烷氧基硅烷而获得)组成。另一方法可由氢化硅烷化具有含环氧基的单价有机基团的烯烃和具有与硅键合的氢原子的有机基聚硅氧烷(所述具有与硅键合的氢原子的有机基聚硅氧烷通过在二甲基氯代硅烷或具有与硅键合的氢原子的类似硅烷存在下，共水解和缩合苯基三氯硅烷或苯基三烷氧基硅烷而获得)组成。下述方法也是可能的：在碱性催化剂存在下，在有机基聚硅氧烷(它通过共水解和缩合苯基三氯硅烷或苯基三烷氧基硅烷制备)和分子两端均用三甲基甲硅氧基封端的甲基(3-环氧丙氧基丙基)硅氧烷和二甲基硅氧烷的共聚物或者分子两端均用三甲氧基甲硅烷基封端的甲基{2-(3，4-环氧基环己基)乙基}硅氧烷和二甲基硅氧烷的共聚物之间进行平衡反应；在碱性催化剂存在下，在由用式C6H5SiO3/2表示的硅氧烷单元组成的有机基聚硅氧烷和环状甲基(3-环氧丙氧基丙基)硅氧烷或环状甲基{2-(3，4-环氧基环己基)乙基}硅氧烷之间进行平衡反应；和在碱性或酸性催化剂存在下，在由用式C6H5SiO3/2表示的硅氧烷单元组成的有机基聚硅氧烷、环状甲基(3-环氧丙氧基丙基)硅氧烷或环状甲基{2-(3，4-环氧基环己基)乙基}硅氧烷、和环状二甲基硅氧烷之间进行平衡反应。
组分(A)也可以用具有下述通式的二有机基聚硅氧烷(A2)表示：A-R5-(R4 2SiO)mR4 2Si-R5-A在该式中，R4表示不含脂族不饱和键的任选取代的单价烃基。这一基团的具体实例是下述：甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基或类似烷基；环戊基、环己基、环庚基、或类似环烷基；苯基、甲苯基、二甲苯基或类似芳基；苄基、苯乙基、苯丙基或类似芳烷基；3-氯丙基、3，3，3-三氟丙基或类似的卤代烷基。最优选是烷基，特别是甲基。在上式中，R5表示二价有机基团。这一基团可例举亚乙基、甲基亚乙基、亚丙基、亚戊基、亚己基或类似的亚烷基；乙烯氧基亚乙基、乙烯氧基亚丙基、乙烯氧基亚丁基、丙烯氧基亚丙基或类似的链烯氧基亚烷基。最优选是亚烷基，特别是亚乙基类。在上式中，m是等于或大于1的整数。这一数值表示构成分子主链的二有机基聚硅氧烷的聚合度。从所得硅氧烷固化体的改进的挠性来说，推荐m等于或大于10。尽管对m的上限没有特别限制，但推荐不超过500。
在上式中，A是用下述平均单元式表示的硅氧烷残基：(XR4 2SiO1/2)d(SiO4/2)e在该式中，R4表示不含不饱和脂族键的任选取代的单价烃基。这些基团可例举与以上相同的基团，优选烷基，特别是甲基类。此外，在上式中，X表示键合到前述R5上的单键、氢原子，用前述R1表示的基团，含环氧基的单价有机基团，或烷氧基甲硅烷基烷基。用R4表示的基团可例举与以上给出的相同的基团。例如，含环氧基的有机基团可由下述代表：2-环氧丙氧基乙基、3-环氧丙氧基丙基、4-环氧丙氧基丁基或类似的环氧丙氧基烷基；2-(3，4-环氧基环己基)乙基、3-(3，4-环氧基环己基)丙基或类似的3，4-环氧基环己基烷基；4-环氧乙烷基丁基、8-环氧乙烷基辛基或类似的环氧乙烷基烷基。烷氧基甲硅烷基烷基可由下述代表：三甲氧基甲硅烷基乙基、三甲氧基甲硅烷基丙基、二甲氧基甲基甲硅烷基丙基、甲氧基二甲基甲硅烷基丙基、三乙氧基甲硅烷基乙基或三丙氧基甲硅烷基丙基。在一个分子中，至少一个X必须是键合到前述二有机基聚硅氧烷内的R5上的单键。在一个分子内至少两个X必须是含环氧基的单价有机基团。优选环氧丙氧基烷基，特别是3-环氧丙氧基丙基。在上式中，d是正数，e是正数，和d/e是范围为0.2-4的正数。
对成分(A2)的分子量没有特别限制，但推荐质均分子量范围为500-1,000,000。此外，对成分(A2)在25℃下的状态没有特别限制。例如，这一组分可以是粘度范围为50-1,000,000mPa·s的液体。可通过例如Kokai H06-56999中所述的方法来制备成分(A2)的二有机基聚硅氧烷。
本发明的组合物可含有成分(A1)或成分(A2)，或成分(A1)和(A2)的混合物，但使用至少成分(A2)也是可能的。特别地，组分(A)可包括单独的成分(A2)或其与成分(A1)的混合物。当组分(A)是成分(A1)和(A2)的混合物时，对成分(A2)没有特别限制，但推荐使用的成分(A2)用量为0.1-800、优选1-500、和最优选10-200质量份/100质量份成分(A1)。若成分(A2)的含量低于上述范围的推荐下限，则这将导致所得硅氧烷固化体的挠性下降。另一方面，若成分(A2)的含量超过该范围的推荐上限，则这将增加所得组合物的粘度。
用于环氧树脂的固化剂(B)是参加与组分(A)中的环氧基反应且用于固化该组合物的组分。这一组分由优选在一个分子内含有对环氧基具有反应性的两个或更多个官能团的化合物代表。前述官能团的具体实例是下述：伯氨基、仲氨基、羟基、酚羟基、羧酸基、酸酐基、巯基和硅烷醇基，从较好的反应性和寿命的角度考虑，最优选酚羟基。换句话说，优选的组分(B)是含有酚羟基的化合物。这种化合物的具体实例是下述：苯酚清漆树脂、甲酚醛清漆树脂、双酚A型化合物或类似的酚树脂；和含有酚羟基的有机基硅氧烷。优选酚羟基数(它是通过用本发明的该组分的质均分子量除以在一分子内包含的酚羟基数目获得的数值)不超过1000的化合物。从改进的反应性的角度考虑，这一数值不应当超过500。
为了改进所得硅氧烷固化体的挠性，在组分(B)中使用的具有酚羟基的有机基硅氧烷应当是用下面通式表示的一种：R6 3SiO(R6 2SiO)nSiR6 3在该式中，R6可以是相同或不同的任选取代的单价烃基或含有酚羟基的单价有机基团。单价烃基可以与以上定义的相同，其中优选烷基和芳基，和最优选甲基和苯基。含有酚羟基的有机基团例举以下给出的基团。在这些基团的式中，R7表示二价有机基团。前述有机基团的具体实例是下述：亚乙基、甲基亚乙基、亚丙基、亚丁基、亚戊基、亚己基或类似的亚烷基；乙烯氧基亚乙基、乙烯氧基亚丙基、乙烯氧基亚丁基、丙烯氧基亚丙基或类似的链烯氧基亚烷基。优选是亚烷基，最优选亚丙基类。
Figure GSB00000250852200171
在有机基硅氧烷的式中，n是整数0-1000，优选0-100、和最优选0-20的整数。若这一数值低于推荐下限，则这将损害这一组分的可处理性和它与组分(A)的混容性。
以下给出了可用作组分(B)的有机基硅氧烷的实例。在下式中，x是1至20的整数，和y是2至10的整数。
Figure GSB00000250852200172
Figure GSB00000250852200181
对制备组分(B)的方法没有特别限制。例如，可通过氢化硅烷化含链烯基的酚化合物和含有与硅键合的氢原子的有机基聚硅氧烷，来制备这一组分。
对在25℃下组分(B)的状态没有特别限制，和这一组分可以是液体或固体。优选液态，因为它有助于处理。当在25℃下组分(B)为液体时，它的粘度范围应当是1-1000000mPa·s，优选范围为10-5000mPa·s。若在25℃下组分(B)的粘度低于推荐下限，则这将损害硅氧烷固化体的机械强度。一方面，若粘度超过推荐上限，则这将损害所得可固化的硅氧烷组合物的处理状况。
对组分(B)可在其中使用的用量没有特别限制。然而，组分(B)在组合物内的优选用量范围可以是0.1-500质量份，优选0.1-200质量份/100质量份组分(A)。当组分(B)含有酚羟基时，优选组分(B)内酚羟基与组合物中的所有环氧基的优选摩尔比范围可以是0.2-5，优选0.3-2.5，和最优选0.8-1.5。若组分(B)内酚羟基与组合物中的所有环氧基的前述摩尔比低于推荐下限，则这将损害用于固化所得可固化的硅烷氧组合物的条件。另一方面，若该摩尔比超过推荐上限，则这将损害所得硅氧烷固化体的机械性能。
上述组合物可含有(C)固化促进剂作为任意组分。这一组分可例举叔胺化合物、有机铝化合物、有机锆化合物或类似的有机金属化合物；膦；或类似的有机磷化合物；以及杂环胺化合物；硼络合物化合物；有机铵盐；有机锍盐；有机过氧化物；或上述化合物的反应产物。例如，这一化合物可以是三苯基膦、三丁基膦、三(对甲基苯基)膦、三(壬基苯基)膦、三苯基膦-硼酸三苯酯、四苯基膦-硼酸四苯酯，或类似的磷类化合物；三乙胺、苄基二甲基胺、α-甲基苄基二甲基胺、1，8-二氮杂双环[5.4.0]十一碳烯-7，或类似的叔胺化合物；2-甲基咪唑、2-苯基咪唑、2-苯基-4-甲基咪唑或类似的咪唑化合物。为了延长该化合物的使用寿命，推荐使用包胶形式的前述固化促进剂。包胶的固化促进剂在商业上以由含有胺类固化促进剂的双酚A型环氧树脂制备的包胶的胺类固化促进剂形式制得(由Asahi Kasei Co.，Ltd.生产的HX-3088)。
对组分(C)可在本发明的组合物内使用的用量没有特别限制。然而，推荐组分(C)的使用量不超过50质量份、优选0.01-50质量份、和最优选0.1-5质量份/100质量份组分(A)。
为了改进硅氧烷组合物的固化体的机械强度，可结合该组合物与(D)填料。这一填料可由下述代表：玻璃纤维、氧化铝纤维、由氧化铝和二氧化硅制成的陶瓷纤维、硼纤维氧化锆纤维、碳化硅纤维、金属纤维、或类似的纤维填料；熔融石英、结晶二氧化硅、沉淀二氧化硅、热解法二氧化硅、烘烤二氧化硅、氧化锌、烧成粘土、炭黑、玻璃珠、氧化铝、滑石、碳酸钙、粘土、氢氧化铝、氢氧化镁、硫酸钡、氮化铝、氮化硼、碳化硅、氧化镁、氧化钛、氧化铍、高岭土、云母、氧化锆或类似的无机填料；金、银、铜、铝、镍、钯的金属微粉，以及前述金属的焊剂、合金、黄铜、或形状记忆合金；气相沉积或借助金属化沉积于最终粉化的陶瓷、玻璃、石英、有机树脂等的表面上的金、银、镍、铜或其他金属；可单独或结合两种或更多种使用上述填料。优选氧化铝、结晶二氧化硅、氮化铝、氮化硼或具有导热性能的其他粉末、熔融石英、沉淀二氧化硅、热解法二氧化硅、胶态二氧化硅、或具有增强性能的类似填料粉末。为了赋予所得硅氧烷固化体导热和导电性能，推荐使用银粉。此外，为了主要赋予硅氧烷固化体导热性能，推荐使用氧化铝粉末。粉末颗粒可具有粉碎的粉末颗粒形式以及各种形状，例如球形、纤维、柱形、薄片状、鳞状、板状或线圈状。对颗粒的尺寸没有特别限制；然而，通常最大尺寸不应当超过200微米，和平均尺寸范围应当为0.001-50微米。
此外，对组分(D)可在本发明的组合物内使用的用量没有限制，然而，推荐这一组分的用量不超过5000质量份，优选范围为10-4000质量份，和最优选范围为50-4000质量份/100质量份组分(A)。若除了前述金属微粉和导热粉末以外还使用其他填料，则以100质量份组分(A)计组分(D)的含量不应当超过2000质量份，优选范围应当为10-2000质量份，和最优选范围为50-1000质量份。当前述填料的颗粒为板状或鳞状时，可获得在特定方向上固化收缩率下降的硅氧烷固化体。
若需要改进所得可固化的硅氧烷组合物的固化性能和可操作性或者改进通过固化该组合物获得的固化体的粘合性能和弹性模量，该组合物可另外含有(E)有机环氧化合物。对组分(E)在25℃下的状态没有特别限制，和这一组分可以是液态或固态，优选液态。前述组分(E)可例举双酚A环氧树脂、双酚F环氧树脂和脂环族环氧树脂。对组分(E)可在其内使用的用量没有特别限制，但推荐这一组分的添加量不应当超过500质量份、优选为0.1-500质量份/100质量份组分(A)。
此外，为了改进组分(D)在组分(A)内的分散性或者改进硅氧烷固化体对半导体芯片或电路板的粘合性，所述组合物可含有(F)偶联剂。这一偶联剂可包括钛酸酯偶联剂、硅烷偶联剂等。钛酸酯偶联剂可例举异丙氧基钛酸酯-三(异硬脂酸酯)。硅烷偶联剂可例举3-环氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷、3-环氧丙氧基丙基甲基二乙氧基硅烷、2-(3，4-环氧基环己基)乙基三甲氧基硅烷或类似的含环氧基的烷氧基硅烷；N-(2-氨基乙基)-3-氨基丙基三甲氧基硅烷、3-氨基丙基三乙氧基硅烷、N-苯基-3-氨基丙基三甲氧基硅烷或类似的含氨基的烷氧基硅烷；和3-巯基丙基三甲氧基硅烷或类似的含巯基的烷氧基硅烷。对组分(F)可在其内使用的用量没有特别限制，然而，推荐这一组分的添加量不超过10质量份、优选为0.01-10质量份/100质量份组分(A)。
视需要，可结合本发明的组合物与其他任意的组分，例如四甲氧基硅烷、四乙氧基硅烷、二甲基二甲氧基硅烷、甲基苯基二甲氧基硅烷、甲基苯基二乙氧基硅烷、苯基三甲氧基硅烷、甲基三甲氧基硅烷、甲基三乙氧基硅烷、乙烯基三甲氧基硅烷、烯丙基三甲氧基硅烷、烯丙基三乙氧基硅烷或类似的烷氧基硅烷。
通过混合组分(A)和(B)，并视需要添加其他组分，制备本发明的组合物。对混合前述组分所使用的方法没有特别限制，和下述方法是可能的：(1)同时并一起混合组分(A)和(B)，以及视需要的其他组分；(2)预混组分(A)和(B)，然后与所述任意组分混合。对混合各组分可使用的设备没有特别限制。例如，设备可包括单轴或双轴连续混合器、双辊研磨机、Ross混合器
Figure GSB00000250852200221
Hobart混合器、齿式混合器、行星式混合物、捏合机混合器等。
除了在本发明的方法中所使用的可固化的硅氧烷组合物保护半导体芯片及其线材避免损坏这一事实以外，该组合物的固化体还充当半导体芯片和电路板的电绝缘层或者充当前述部件的缓冲层。对硅氧烷固化体的形式没有特别限制，和后者可以是橡胶、硬橡胶，或树脂形式，优选复合弹性模量不超过2GPa。
适合于通过本发明的方法以硅氧烷固化体密封的半导体器件可包括置于电路板上的半导体芯片，具有与电路板预先电连接的半导体芯片，或者预先切割成单独的半导体元件的半导体硅片。图3示出了半导体器件，其中半导体芯片和电路板，以及具有多根引线的半导体芯片和电路板被线接合。在图3所示的半导体器件的制备中，半导体芯片10最初置于由聚酰胺树脂、环氧树脂、BT树脂或陶瓷制成的印刷电路板12上，然后通过由金或铝制成的接合线，将其线接合到印刷电路板12上。在其他类型的半导体器件中，可通过焊球或导电凸起，电连接半导体芯片与电路板。为了增强焊球或导电凸起，它们可借助底填料(underfll)试剂密封。这一试剂可包括可固化的环氧树脂组合物或可固化的硅氧烷组合物。图3所示的半导体器件含有外电极，例如焊球，在完成密封操作之后，在支持半导体芯片10的印刷电路板12的下表面上形成所述外电极。这种做法使得连接半导体器件与其他电路板。当置于电路板上的所有半导体芯片被同时密封时，可通过割据或冲压，将该封装件切割成单独的半导体器件。
当在本发明的方法中，通过使用以上所述的压塑机，以硅氧烷的固化体密封半导体器件时，和当可固化的硅氧烷组合物与可具有可转移到制品表面上的不均匀度的模塑表面直接接触时，推荐通过以上所述的可剥离膜进行压塑。当使用可剥离膜并按照连续模式进行密封时，这可延长模具清洁操作之间的时间间隔并因此改进生产效率。
对在本发明的方法中使用的压塑条件没有特别限制，但为了降低可能在电路板的材料内和在半导体芯片内可能引起的应力，推荐在范围为60℃-130℃的温度下进行热处理。此外，可通过预热模具，缩短压塑循环时间。可使用不同类型的可固化的硅氧烷组合物，但当组合物被预先逐滴施加到被下部半模的残留热量加热的电路板上时，可实现用于控制可固化的硅氧烷组合物的铺展性能的更好条件。
下述说明涉及本发明的半导体器件。本发明的半导体器件的特征在于根据以上所述的本发明方法制备。由于这一半导体器件在密封树脂的材料内不含孔隙，因此该制品不具有外部缺陷且具有良好的耐湿性能。此外，由于在精确地控制密封树脂厚度的情况下制备本发明的半导体器件，因此这种半导体器件适合于在小型和薄的电子器件中使用。
实施例
参考应用例和对比例，更详细地描述本发明制备半导体器件和半导体本身的方法。在这些实施例中，通过凝胶渗透色谱法，使用甲苯作为溶剂测量质均分子量，并以参照聚苯乙烯作为标准物的数值形式给出。[参考例1]
通过混合下述组分制备可固化的硅氧烷组合物：31.0质量份用下式：X-CH2CH2-[(CH3)2SiO]33(CH3)2Si-CH2CH2-X表示的二甲基聚硅氧烷{其中X是用下述平均单元式表示的硅氧烷残基：[G(CH3)2SiO1/2]9[-(CH3)2SiO1/2]1[SiO4/2]6(其中G是3-环氧丙氧基丙基)}(其中前述二甲基聚硅氧烷的质均分子量为36,000；粘度为4720mPa·s；和环氧当量为360)；14.0质量份下式的有机基三硅氧烷：
Figure GSB00000250852200231
(其中粘度为3800mPa·s，和酚羟基当量基团数为317)；10.0质量份含双酚A环氧树脂与40质量％胺类固化促进剂的混合物的包胶的胺类固化促进剂(由Asahi Kasei Co.，Ltd.生产的HX-3721)；60.0质量份球形无定形二氧化硅微粉(由Admatechs Co.，Ltd.生产的Admafine；颗粒的平均直径为1.5微米)；和1质量份3-环氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷。检测所得可固化的硅氧烷组合物的粘度，通过固化前述可固化的硅氧烷组合物获得的硅氧烷固化体的复合弹性模量、粘合性能和翘曲。表1中示出了结果。[粘度]
借助E型粘度计(由Tokimec Inc.生产的Digital Viscometer Model DV-U-E，II型)，在2.5rpm的旋转速度下，在25℃下测量可固化的硅氧烷组合物的粘度。[复合弹性模量]
在70mmHg下使可固化的树脂组合物消泡之后，将它装入具有10mm宽、50mm长和2mm深的空腔的模具内，和在150℃与2.5MPa的条件下完成压力固化60分钟之后，在烘箱内，在180℃下对所得固化的样品进行二次热处理2小时。使用ARES粘弹性测试仪(通过Rheometric Scientific Co.，生产的Model RDA 700)，测量所得样品在25℃下的复合弹性模量。在下述条件下进行测量：扭矩：0.05％；频率1Hz。[粘合性能]
将用量为约1cm3的可固化的硅氧烷组合物施加到被粘物{玻璃板(由Paltec Co.，Ltd.生产的浮法玻璃)}；镍板(由Paltec Co.，Ltd.生产的SPCC-SB)；铜板(由Paltec Co.，Lt d.生产的C1100P)；铝板(由Paltec Co.Ltd生产的A1050P)；和镀金板(由Nippon Test Panel Co.生产的C2801P)}上。在烘箱内，在125℃下加热该单元2小时，然后在烘箱内在180℃下加热另外2小时。结果，生产用于评价粘合性能的样品。通过钽刮刀，分离固化的涂层与样品，并分离条件如下所述：CF：在涂层材料断裂的情况下分离TCF：在界面上留下的薄残留层的情况下分离；和AF：通过界面完全分离。[翘曲]
将模具(10mm宽×50mm长×1mm深)的模具置于聚酰胺膜(由Ube Industries Co.，Ltd.生产的Upilex125s；厚度＝125微米)上，用可固化的硅氧烷组合物填充模具，然后施加Teflon
Figure GSB00000250852200251
片材，并在110℃下对该单元进行压力模塑10分钟。之后，从模具中取出与聚酰胺膜相连的半固化状态下的硅氧烷固化体，并在烘箱内在180℃的热空气循环下进行后固化2小时。冷却该单元到室温，并通过下述方法测量聚酰胺膜的翘曲。将聚酰胺膜置于平台上，该矩形板的一条短边固定到该平台上，和通过卡尺测量该平台距相对边的两个端点的距离。两次测量的平均值用作评价翘曲的判据。[参考例2]
通过混合下述组分制备可固化的硅氧烷组合物：20.0质量份用下式：X-CH2CH2-[(CH3)2SiO]85(CH3)2Si-CH2CH2-X表示的二甲基聚硅氧烷{其中X是用下述平均单元式表示的硅氧烷残基：[G(CH3)2SiO1/2]9[-(CH3)2SiO1/2]1[SiO4/2]6(其中G是3-环氧丙氧基丙基)}(其中前述二甲基聚硅氧烷的质均分子量为78,000；粘度为22,000mPa·s；和环氧当量为450)；8.0质量份双酚A型液体环氧树脂(由日本Epoxy Resin Company生产的Epikote 828；环氧当量＝190)；23.0质量份下式的有机基三硅氧烷：
Figure GSB00000250852200252
(其中粘度为2600mPa·s，和酚羟基当量基团数为330)；5.0质量份含双酚A环氧树脂与35质量％胺类固化促进剂的混合物的包胶的胺类固化促进剂(由Asahi Kasei Co.，Ltd.生产的HXA-4921HP)；4质量份干燥二氧化硅微粉(初级颗粒的平均直径为7-16纳米)；和40.0质量份无定形二氧化硅微粉(由Admateches Co.，Ltd.生产的Admafine；颗粒的平均直径为1.5微米)。通过与参考例1相同的方法评价所得可固化的硅氧烷组合物的性能和由该组合物获得的固化体的特征。表1中示出了结果。[参考例3]
通过混合下述组分制备可固化的硅氧烷组合物：8.9质量份用下式表示的有机基聚硅氧烷：
Figure GSB00000250852200261
(质均分子量＝1000；粘度＝1290mPa·s；环氧当量＝267)；10.0质量份用下式X-CH2CH2-[(CH3)2SiO]85(CH3)2Si-CH2CH2-X表示的二甲基聚硅氧烷{其中X是用下述平均单元式表示的硅氧烷残基：[G(CH3)2SiO1/2]9[-(CH3)2SiO1/2]1[SiO4/2]6(其中G是3-环氧丙氧基丙基)}(其中前述二甲基聚硅氧烷的质均分子量为78,000；粘度为22,000mPa·s；和环氧当量为450)；19.0质量份下式的有机基三硅氧烷：
Figure GSB00000250852200262
(其中粘度为2600mPa·s，和酚羟基当量基团数为330，和其中该组分中的酚羟基与组合物中的环氧基的摩尔比等于1.0)；0.1份炭黑(由Denki Kagaku Kogyo Co.生产的Denka Black)；1.0质量份含双酚A环氧树脂与35质量％胺类固化促进剂的混合物的包胶的胺类固化促进剂(由Asahi Kasei Co.，Ltd.生产的HXA-4921HP)；54.0质量份球形无定形二氧化硅微粉(Denki Kagaku Kogyo Co.的产品；颗粒的平均直径为3.3微米)；6.0质量份球形的无定形二氧化硅微粉(Denki Kagaku Kogyo Co.的产品；颗粒的平均直径为0.3微米)；和1质量份3-环氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷。通过与参考例1相同的方法评价所得可固化的硅氧烷组合物的性能和由该组合物获得的固化体的特征。表1中示出了结果。[参考例4]
通过混合下述组分制备可固化的硅氧烷组合物：13.0质量份用以下平均单元式表示的有机基聚硅氧烷：
Figure GSB00000250852200271
(质均分子量＝1000；粘度＝1290mPa·s；环氧当量＝267)；6.0质量份用下式X-CH2CH2-[(CH3)2SiO]85(CH3)2Si-CH2CH2-X表示的二甲基聚硅氧烷{其中X是用下述平均单元式表示的硅氧烷残基：[G(CH3)2SiO1/2]9[-(CH3)2SiO1/2]1[SiO4/2]6(其中G是3-环氧丙氧基丙基)}(其中前述二甲基聚硅氧烷的质均分子量为78,000；粘度为22,000mPa·s；和环氧当量为450)；16.0质量份下式的有机基三硅氧烷：
Figure GSB00000250852200272
(其中粘度为2600mPa·s，和酚羟基当量基团数为330)；49.0质量份球形无定形二氧化硅微粉(Denki Kagaku Kogyo Co.，的产品；颗粒的平均直径为3.3微米)；5.0质量份球形无定形二氧化硅微粉末(Denki Kagaku Kogyo Co.，的产品；颗粒的平均直径为0.3微米)；1.0质量份含双酚A环氧树脂与40质量％胺类固化促进剂的混合物的包胶的胺类固化促进剂(由Asahi Kasei Co.，Ltd.生产的HX-3721)；和10.0质量份柱形结晶硫酸钡粉末(由Sakai Chemical Industries Co.，Ltd.生产的B-30)。通过与参考例1相同的方法评价所得可固化的硅氧烷组合物的性能和由该组合物获得的固化体的特征。表1中示出了结果。[参考例5]
通过混合下述组分制备可固化的硅氧烷组合物：12.0质量份用下式X-CH2CH2-[(CH3)2SiO]85(CH3)2Si-CH2CH2-X表示的二甲基聚硅氧烷{其中X是用下述平均单元式表示的硅氧烷残基：[G(CH3)2SiO1/2]9[-(CH3)2SiO1/2]1[SiO4/2]6(其中G是3-环氧丙氧基丙基)}(其中前述二甲基聚硅氧烷的质均分子量为78,000；粘度为22,000mPa·s；和环氧当量为450)；1.0质量份3-环氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷；38.0质量份球形无定形二氧化硅微粉(Admatechs Co.，Ltd.的产品Admafine；颗粒的平均直径为1.5微米)；15.0质量份柱形结晶硫酸钡粉末(由Sakai Chemical Industries Co.，Ltd.生产的产品)；1.0质量份含双酚A环氧树脂与40质量％胺类固化促进剂的混合物的包胶的胺类固化促进剂(由Asahi Kasei Co.，Ltd.生产的HX-3721)；8.0质量份鳞状玻璃粉末(Nippon Sheet Glass Co.，Ltd.的产品，平均粒度＝15微米)；和15.0质量份下式表示的聚二甲基硅氧烷：
Figure GSB00000250852200281
(其中粘度为80mPa·s，和酚羟基当量基团数为700)。通过与参考例1相同的方法评价所得可固化的硅氧烷组合物的性能和由该组合物获得的固化体的特征。表1中示出了结果。[参考例6]
通过混合下述组分制备可固化的硅氧烷组合物：4.0质量份用以下平均单元式表示的有机基聚硅氧烷：
Figure GSB00000250852200282
(质均分子量＝1000；粘度＝1290mPa·s；环氧当量＝267)；5.0质量份用下式X-CH2CH2-[(CH3)2SiO]85(CH3)2Si-CH2CH2-X表示的二甲基聚硅氧烷{其中X是用下述平均单元式表示的硅氧烷残基：[G(CH3)2SiO1/2]9[-(CH3)2SiO1/2]1[SiO4/2]6(其中G是3-环氧丙氧基丙基)}(其中前述二甲基聚硅氧烷的质均分子量为78,000；粘度为22,000mPa·s；和环氧当量为450)；9.0质量份下式的有机基三硅氧烷：
Figure GSB00000250852200291
(其中粘度为2600mPa·s，和酚羟基当量基团数为330)；80.0质量份球形氧化铝粉末(Micron Co.的产品，颗粒的平均直径＝8.0微米)；1.5质量份含双酚A环氧树脂与40质量％胺类固化促进剂的混合物的包胶的胺类固化促进剂(由Asahi Kasei Co.，Ltd.生产的HX-3721)。通过与参考例1相同的方法评价所得可固化的硅氧烷组合物的性能和由该组合物获得的固化体的特征。表1中示出了结果。[参考例7]
通过混合下述组分制备可固化的硅氧烷组合物：27.0质量份双酚A液体环氧树脂(通过日本Epoxy Resin Co.，Ltd.生产的Epikote 828；环氧当量＝190)；11.0质量份液体甲基六氢邻苯二甲酸酐(Hitachi Kasei Kogyo Co.，Lt d.生产的HN-5500)；1.0质量份含双酚A环氧树脂与40质量％胺类固化促进剂的混合物的包胶的胺类固化促进剂(由Asahi Kasei Co.，Ltd.生产的HX-3088)；60.0质量份球形的无定形二氧化硅微粉(Admatechs Co.，Ltd.生产的Admafine；颗粒的平均直径为1.5微米)；和1.0质量份3-环氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷。通过与参考例1相同的方法评价所得可固化的硅氧烷组合物的性能和由该组合物获得的固化体的特征。表1中示出了结果。[参考例8]
通过混合下述组分制备可固化的硅氧烷组合物：85.3质量份分子两端均用二甲基乙烯基甲硅烷基封端的二甲基聚硅氧烷(粘度＝2000mPa·s)；1.3质量份分子两端均用三甲基甲硅烷基封端的甲基氢聚硅氧烷(粘度＝50mPa·s)；铂与1，3-二乙烯基-1，1，3，3-四甲基二硅氧烷的络合物(其中以质量单位计，金属铂的含量等于5ppm)；和12.3质量份干燥的二氧化硅微粉(初级颗粒的平均直径＝7-16纳米)。除了在20rpm的旋转速度下测量可固化的硅氧烷组合物的粘度以外，通过与参考例1相同的方法评价所得可固化的硅氧烷组合物的其他性能和由该组合物获得的固化体的特征。表1中示出了结果。
[表1]
Figure GSB00000250852200301
(*)在20rpm下测量。[应用例1]
根据这一实施例，生产图3所示的半导体器件。更具体地，通过厚度为35微米的环氧树脂试剂(DIEBOND)，将尺寸为10mm×10mm的半导体芯片附装到尺寸为70mm×160mm的BT树脂电路板上(18微米厚的铜箔借助17微米厚的粘合剂环氧树脂层，层压在200微米厚的BT树脂膜的一侧上；然后由该铜箔形成电路图案，除去线接合该图案所需的部分；和用光敏焊剂掩膜(mask)涂布电路板的表面)。之后，通过接合线，电连接半导体芯片和电路图案的凸起。在一个电路板上形成在三个区段内构造的27个半导体芯片(每一个区段具有9个半导体芯片)，然后将其线接合到电路图案的各区域上。
在室温下，用参考例1制备的可固化的硅氧烷组合物涂布具有半导体芯片的BT树脂电路板的合适区域，并将处理过的电路板置于压塑机(Apic Yamada Corporat ion；压塑机，型号MZ-635-01)的下部半模内。然后闭合压塑机的上部和下部半模(上部半模空腔的尺寸为40mm×170mm×1mm；为了防止模塑表面污染并有助于分离硅氧烷固化体与模具，用通过空气抽吸偏向上部半模表面的可剥离的四氟乙烯树脂膜涂布这一上部半模的内表面)。在半模之间保持电路板被按压，并因此在35kgf/cm2的压力下，在150℃下压塑3分钟。一旦完成模塑操作，从模具中取出以硅氧烷的固化体密封的半导体器件，并在烘箱内，在180℃下热处理1小时。用400微米厚的固化的硅氧烷层密封在所得半导体器件表面上的半导体芯片。通过以下所述的方法评价所得半导体器件的外观、翘曲和抗划伤性能。表2中示出了结果。[外观]
在评价用硅氧烷固化体密封的半导体器件的外观中，在中心部分和周围部分之间厚度偏差小于5％的这些涂层用符号0表示；前述偏差范围为5％-10％的涂层用符号Δ表示；和厚度偏差大于10％的那些涂层用符号X表示。[翘曲]
在切割产品成单独的片体并测量相对的长边的提升高度之前，通过固定密封的电路板的长边，测量翘曲。[抗划伤性]
通过由聚丙烯树脂制成的刮刀划过硅氧烷固化体的表面，然后在评价抗划伤性中使用下述表示符号：X：在表面上显著的白色划痕；Δ：在表面上薄的白色划痕；和O：在表面上没有划痕。[应用例2]
通过与应用例1相同的方法制备半导体器件，所不同的是使用参考例2的可固化的硅氧烷组合物替代在应用例1中使用的参考例1的可固化的硅氧烷组合物。以与应用例1相同的方式评价所得半导体的特征。表2中示出了结果。[应用例3]
通过与应用例1相同的方法制备半导体器件，所不同的是使用参考例3的可固化的硅氧烷组合物替代在应用例1中使用的参考例1的可固化的硅氧烷组合物。以与应用例1相同的方式评价所得半导体的特征。表2中示出了结果。[应用例4]
通过与应用例1相同的方法制备半导体器件，所不同的是使用参考例4的可固化的硅氧烷组合物替代在应用例1中使用的参考例1的可固化的硅氧烷组合物。以与应用例1相同的方式评价所得半导体的特征。表2中示出了结果。[应用例5]
通过与应用例1相同的方法制备半导体器件，所不同的是使用参考例5的可固化的硅氧烷组合物替代在应用例1中使用的参考例1的可固化的硅氧烷组合物。以与应用例1相同的方式评价所得半导体的特征。表2中示出了结果。[应用例6]
通过与应用例1相同的方法制备半导体器件，所不同的是使用参考例6的可固化的硅氧烷组合物替代在应用例1中使用的参考例1的可固化的硅氧烷组合物。以与应用例1相同的方式评价所得半导体的特征。表2中示出了结果。[对比例1]
通过与应用例1相同的方法制备半导体器件，所不同的是使用参考例7的可固化的硅氧烷组合物替代在应用例1中使用的参考例1的可固化的硅氧烷组合物。以与应用例1相同的方式评价所得半导体的特征。表2中示出了结果。[对比例2]
通过与应用例1相同的方法制备半导体器件，所不同的是使用参考例8的可固化的硅氧烷组合物替代在应用例1中使用的参考例1的可固化的硅氧烷组合物。以与应用例1相同的方式评价所得半导体的特征。表2中示出了结果。
[表2]
Figure GSB00000250852200331
本发明制备半导体器件的方法提供以不含孔隙的硅氧烷固化体密封半导体器件，且该产品不具有外部缺陷且具有良好的耐湿性能。此外，由于在精确地控制密封树脂厚度的情况下制备本发明的半导体器件，因此基于上述内容，可认为本发明的方法适合于制备小型和薄的电子器件。

Claims (15)

1.通过将未密封的半导体器件放入模具内并对喂入到在模具与未密封的半导体器件之间的空间内的可固化的硅氧烷组合物进行压塑，制备以硅氧烷固化体密封的半导体器件的方法，该方法的特征在于：前述可固化的硅氧烷组合物包含至少下述组分：
(A)含环氧基的硅氧烷，和
(B)用于环氧树脂的固化剂；
其中前述组分(A)是：
(A1)在一个分子内具有至少两个含环氧基的单价有机基团且用下述平均单元式(R1 3SiO1/2)a(R2 2SiO2/2)b(R3SiO3/2)c表示的有机基硅氧烷，其中在该式中，R1、R2和R3可以相同或不同，且表示任选取代的单价烃基或含环氧基的单价基团，条件是20mol％或更多的R3是芳基；和a、b和c是满足下述条件的数值：0≤a≤0.8，0≤b≤0.8，0.2≤c≤0.9和(a+b+c)＝1；和/或
(A2)用下述通式表示的二有机基硅氧烷：A-R5-(R4 2SiO)mR4 2Si-R5-A，其中R4表示不含脂族不饱和键的任选取代的单价烃基；R5表示二价有机基团；和A表示用下述平均单元式表示的硅氧烷残基：(XR4 2SiO1/2)d(SiO4/2)e，其中R4如上所定义；X表示用于键合到前述R5上的单键、氢原子、用前述基团R4表示的基团、含环氧基的单价有机基团、三甲氧基甲硅烷基乙基、三甲氧基甲硅烷基丙基、二甲氧基甲基甲硅烷基丙基、甲氧基二甲基甲硅烷基丙基、三乙氧基甲硅烷基乙基或三丙氧基甲硅烷基丙基，条件是上式中的至少一个X是单键，和至少两个X是含环氧基的单价有机基团；d是正数；e是正数；且d/e是0.2-4的正数；和m是大于或等于1的整数。
2.权利要求1的方法，其中组分(B)是含酚羟基的化合物。
3.权利要求2的方法，其中组分(B)是在一个分子内含有至少两个酚羟基的有机基硅氧烷。
4.权利要求3的方法，其中组分(B)是用下述通式表示的有机基硅氧烷：
R6 3SiO(R6 2SiO)nSiR6 3
其中R6是任选取代的单价烃基或含有酚羟基的单价有机基团，条件是至少两个R6是前述含有酚羟基的单价有机基团；和n是0-1000的整数。
5.权利要求1的方法，其中以每100质量份组分(A)计，组分(B)的含量为0.1-500质量份。
6.权利要求1的方法，其中可固化的硅氧烷组合物进一步含有(C)固化促进剂。
7.权利要求6的方法，其中组分(C)是包胶的胺类固化促进剂。
8.权利要求6的方法，其中以每100质量份组分(A)计，组分(C)的含量为不大于50质量份。
9.权利要求1的方法，其中可固化的硅氧烷组合物进一步包含(D)填料。
10.权利要求9的方法，其中以每100质量份组分(A)计，组分(D)的含量为不大于2000质量份。
11.权利要求1的方法，其中可固化的硅氧烷组合物进一步包含(E)有机环氧化合物。
12.权利要求11的方法，其中以每100质量份组分(A)计，组分(E)的含量为不大于500质量份。
13.权利要求1的方法，其中可固化的硅氧烷组合物进一步包含(F)偶联剂。
14.权利要求13的方法，其中以每100质量份组分(A)计，组分(F)的的含量为不大于10质量份。
15.权利要求1的方法，其中硅氧烷固化体的复合弹性模量不超过2GPa。
CN2007800063653A 2006-02-23 2007-02-14 制备半导体器件的方法和由其生产的半导体器件 Expired - Fee Related CN101389461B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP046872/2006 2006-02-23
JP2006046872A JP5207591B2 (ja) 2006-02-23 2006-02-23 半導体装置の製造方法および半導体装置
PCT/JP2007/053131 WO2007099823A1 (en) 2006-02-23 2007-02-14 Method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device produced thereby

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101389461A CN101389461A (zh) 2009-03-18
CN101389461B true CN101389461B (zh) 2011-02-09

Family

ID=38016612

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2007800063653A Expired - Fee Related CN101389461B (zh) 2006-02-23 2007-02-14 制备半导体器件的方法和由其生产的半导体器件

Country Status (10)

Country Link
US (1) US8802506B2 (zh)
EP (1) EP1986832B1 (zh)
JP (1) JP5207591B2 (zh)
KR (1) KR101349619B1 (zh)
CN (1) CN101389461B (zh)
AT (1) ATE462545T1 (zh)
DE (1) DE602007005610D1 (zh)
MY (1) MY149696A (zh)
TW (1) TW200741906A (zh)
WO (1) WO2007099823A1 (zh)

Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4931366B2 (ja) * 2005-04-27 2012-05-16 東レ・ダウコーニング株式会社 硬化性シリコーン組成物および電子部品
JP5285846B2 (ja) * 2006-09-11 2013-09-11 東レ・ダウコーニング株式会社 硬化性シリコーン組成物および電子部品
JP5306592B2 (ja) * 2006-12-04 2013-10-02 東レ・ダウコーニング株式会社 硬化性エポキシ樹脂組成物、硬化物、およびその用途
JP5547369B2 (ja) * 2007-09-28 2014-07-09 東レ・ダウコーニング株式会社 硬化性液状エポキシ樹脂組成物およびその硬化物
JP5422109B2 (ja) 2007-10-16 2014-02-19 東レ・ダウコーニング株式会社 硬化性シリコーン組成物およびその硬化物
US8427269B1 (en) * 2009-06-29 2013-04-23 VI Chip, Inc. Encapsulation method and apparatus for electronic modules
WO2012053526A1 (ja) * 2010-10-20 2012-04-26 旭化成イーマテリアルズ株式会社 酸化物ナノ粒子反応生成物及びシリコーン組成物
US9679783B2 (en) 2011-08-11 2017-06-13 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Molding wafer chamber
DE102011082157A1 (de) * 2011-09-06 2013-03-07 Osram Opto Semiconductors Gmbh Presswerkzeug und Verfahrenzum Herstellen eines Silikonelements
TWI473839B (zh) * 2011-11-25 2015-02-21 Lg Chemical Ltd 可固化組成物
TWI505551B (zh) * 2012-05-28 2015-10-21 Wistron Neweb Corp 天線的形成方法及壓合頭
US20150221578A1 (en) * 2014-02-05 2015-08-06 Infineon Technologies Ag Semiconductor package and method for producing a semiconductor
US10020262B2 (en) * 2016-06-30 2018-07-10 Intel Corporation High resolution solder resist material for silicon bridge application
HRP20240504T1 (hr) 2017-02-08 2024-07-05 Elkem Silicones USA Corp. Sekundarni paket baterija s poboljšanim toplinskim upravljanjem
US11028269B2 (en) 2017-05-19 2021-06-08 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd Silicone-modified epoxy resin composition and semiconductor device
CN108770212B (zh) * 2018-07-12 2023-07-25 深圳智慧者机器人科技有限公司 Pcb板自动包胶装置
EP3734065B1 (en) * 2019-04-30 2023-06-07 memetis GmbH Actuator assembly
WO2021061263A1 (en) * 2019-09-23 2021-04-01 Ppg Industries Ohio, Inc. Curable compositions
CN112873810A (zh) * 2019-11-29 2021-06-01 复盛应用科技股份有限公司 高尔夫球杆头盖片制造方法及模具
US11729915B1 (en) 2022-03-22 2023-08-15 Tactotek Oy Method for manufacturing a number of electrical nodes, electrical node module, electrical node, and multilayer structure

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN2160156Y (zh) * 1993-04-08 1994-03-30 深圳市沙头角展业公司 柔性半导体彩色发光带
US20030071366A1 (en) * 2001-08-21 2003-04-17 General Electric Company Epoxy resin compositions, solid state devices encapsulated therewith and method

Family Cites Families (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR930001988B1 (ko) * 1988-04-05 1993-03-20 미쓰비시뎅끼 가부시끼가이샤 반도체 봉지용 에폭시 수지조성물
JPH0611795B2 (ja) * 1990-05-28 1994-02-16 信越化学工業株式会社 エポキシ基含有シリコーンエラストマー微粉末
JP3251655B2 (ja) 1992-08-05 2002-01-28 東レ・ダウコーニング・シリコーン株式会社 ジオルガノポリシロキサンおよびその製造方法
JP2812139B2 (ja) * 1993-04-27 1998-10-22 信越化学工業株式会社 エポキシ樹脂組成物
JPH07133351A (ja) * 1993-11-08 1995-05-23 Shin Etsu Chem Co Ltd エポキシ変性シリコーンの製造方法
JP3288185B2 (ja) * 1994-10-07 2002-06-04 日立化成工業株式会社 電子部品封止用エポキシ樹脂成形材料及びそれを用いた半導体装置
JP3516764B2 (ja) 1995-03-08 2004-04-05 アピックヤマダ株式会社 リリースフィルムを用いる樹脂モールド装置及び樹脂モールド方法
JPH1177733A (ja) 1997-09-01 1999-03-23 Apic Yamada Kk 樹脂モールド方法及び樹脂モールド装置
JP3388537B2 (ja) 1998-05-15 2003-03-24 信越化学工業株式会社 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP4577536B2 (ja) * 1998-12-28 2010-11-10 ナガセケムテックス株式会社 エポキシ樹脂組成物およびそれを用いてｌｓｉを封止する方法
KR100591698B1 (ko) * 1999-01-29 2006-06-20 아라까와 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 에폭시 수지용 경화제, 에폭시 수지 조성물 및 실란변성페놀 수지의 제조법
JP3494586B2 (ja) * 1999-03-26 2004-02-09 アピックヤマダ株式会社 樹脂封止装置及び樹脂封止方法
JP3796648B2 (ja) * 1999-04-15 2006-07-12 信越化学工業株式会社 エポキシ樹脂組成物並びにこのエポキシ樹脂組成物を用いた積層フィルム及び半導体装置
JP4948716B2 (ja) * 2001-06-29 2012-06-06 東レ・ダウコーニング株式会社 硬化性エポキシ樹脂組成物
JP4607429B2 (ja) 2003-03-25 2011-01-05 東レ・ダウコーニング株式会社 半導体装置の製造方法および半導体装置
KR100517075B1 (ko) * 2003-08-11 2005-09-26 삼성전자주식회사 반도체 소자 제조 방법
JP4803339B2 (ja) * 2003-11-20 2011-10-26 信越化学工業株式会社 エポキシ・シリコーン混成樹脂組成物及び発光半導体装置
JP5101788B2 (ja) * 2003-12-22 2012-12-19 東レ・ダウコーニング株式会社 半導体装置の製造方法および半導体装置
JP4903987B2 (ja) 2004-03-19 2012-03-28 東レ・ダウコーニング株式会社 半導体装置の製造方法
JP2006063092A (ja) * 2004-07-29 2006-03-09 Dow Corning Toray Co Ltd 硬化性オルガノポリシロキサン組成物、その硬化方法、光半導体装置および接着促進剤
JP4676735B2 (ja) * 2004-09-22 2011-04-27 東レ・ダウコーニング株式会社 光半導体装置の製造方法および光半導体装置
JP5166677B2 (ja) * 2005-03-15 2013-03-21 東レ・ダウコーニング株式会社 硬化性シリコーン組成物および電子部品
JP4931366B2 (ja) * 2005-04-27 2012-05-16 東レ・ダウコーニング株式会社 硬化性シリコーン組成物および電子部品
JP5004433B2 (ja) * 2005-04-27 2012-08-22 東レ・ダウコーニング株式会社 硬化性シリコーン組成物およびその硬化物
JP5238157B2 (ja) * 2006-12-25 2013-07-17 東レ・ダウコーニング株式会社 硬化性シリコーン組成物および電子部品
JP5248012B2 (ja) * 2006-12-25 2013-07-31 東レ・ダウコーニング株式会社 硬化性シリコーン組成物

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN2160156Y (zh) * 1993-04-08 1994-03-30 深圳市沙头角展业公司 柔性半导体彩色发光带
US20030071366A1 (en) * 2001-08-21 2003-04-17 General Electric Company Epoxy resin compositions, solid state devices encapsulated therewith and method

Also Published As

Publication number Publication date
DE602007005610D1 (de) 2010-05-12
EP1986832B1 (en) 2010-03-31
ATE462545T1 (de) 2010-04-15
MY149696A (en) 2013-09-30
TW200741906A (en) 2007-11-01
EP1986832A1 (en) 2008-11-05
US8802506B2 (en) 2014-08-12
JP5207591B2 (ja) 2013-06-12
WO2007099823A1 (en) 2007-09-07
JP2007224146A (ja) 2007-09-06
US20100213623A1 (en) 2010-08-26
CN101389461A (zh) 2009-03-18
KR101349619B1 (ko) 2014-02-14
KR20080108089A (ko) 2008-12-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101389461B (zh) 制备半导体器件的方法和由其生产的半导体器件
CN101166791B (zh) 可固化的有机硅组合物和由其得到的固化产物
CN101166792B (zh) 可固化的有机硅组合物和电子部件
CN100409420C (zh) 半导体器件及其制造方法
CN101563425B (zh) 可固化的硅氧烷组合物和电子组件
KR20090099059A (ko) 경화성 실리콘 조성물
JP2005154766A (ja) 硬化性シリコーン組成物およびその硬化物
EP2197954B1 (en) Curable liquid epoxy resin composition and cured product thereof
EP1702938B1 (en) Curable silicone composition and its use as adhesive
TW201602174A (zh) 分枝鏈狀聚有機矽烷氧基矽烷基烯、其製造方法、硬化性樹脂組成物及半導體裝置
TW202319483A (zh) 硬化性聚矽氧組成物、其硬化物及其製造方法
JP2016062908A (ja) 封止層被覆光半導体素子の製造方法および光半導体装置の製造方法
JPH09324152A (ja) 同種もしくは異種の基材からなる接着構造体の製造方法
TW202313792A (zh) 硬化性聚矽氧組成物、其硬化物及其製造方法
TW202043371A (zh) 固化性聚矽氧組成物、其固化物及其製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20110209

Termination date: 20160214