CN101387806B - 液晶显示面板及其制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种液晶显示面板及其制造方法。液晶显示面板包括具有一彩色滤光片的一第一基板、一涂布层及一共同电极。第二基板包括面向第一基板的一绝缘层表面、一像素电极、位于共同电极或像素电极的多个共同及像素显示域导向、位于共同或像素电极的一的多个电子屏障、及位于第一及第二基板之间的一垂直配向型的液晶层。面板还包括一驱动电路，用以提供一电压来产生一电场以控制液晶分子的配向，此配向对应至多个显示域导向与电子屏障，以形成一多显示域垂直配向型的液晶显示面板装置。显示域导向为突起或狭缝，并形成于共同电极及像素电极，以形成多显示域垂直配向型的液晶装置。

Description

液晶显示面板及其制造方法

技术领域

本发明涉及一透射式多显示域垂直配向型的液晶显示器，且特别涉及于一种设备、装置、系统及方法，能用以产生具有广视角的多显示域垂直配向型的液晶显示器，及产生于斜视角上的改良的伽玛曲线，以应用于具有高效能的液晶显示电视。

背景技术

对于大荧幕的液晶显示器(Liquid Crystal Display，LCD)而言，通常得同时具有以下的特性：高对比、快速响应时间、广视角、以及卓越的色彩表现，如低色偏及良好的角度相依色彩均匀度。垂直配向(Vertical Alignment，VA)技术为LCD电视的主流技术之一，且广泛地为人们所研究与发展。正常黑架构的垂直配向型的LCD，在垂直入射角度下，展现出极佳的对比值。而有关于反应时间的议题，则可通过过驱动技术(overdrive and undershoot)而得以改善，此技术由S.T.Wu所提出，并记载于后述的文献中：“Nematic liquidcrystal modulator with response time less than 100μs at room temperature”，Appl.Phys.Lett.，Vol.57，p.986，(1990)。

为了达到广视角的目的，特别需要利用外部电场来形成多显示域的垂直配向(Multi-domain Vertical Alignment，MVA)。在目前的实作中，使用位于装置基板上的突起(protrusion)及狭缝(slit)，来架构具有四个显示域及八个显示域的垂直配向型液晶。在最佳化补偿薄膜的协助下，典型的MVA-LCD能在±80度的视线光锥(cone)处，达到100∶1的对比值，如Q.Hog等人于后述文献中所描叙：“Extraordinarily-high-contrast and wide-view liquid crystaldisplays”，Appl.Phys.Lett.，vol.86，p.121107(2005)。此时，相较于共面转换(In-Plane Switching，IPS)的模式，垂直配向型模式于色偏及角度色彩均匀度上，所呈现的色彩表现略为逊色，其原因为垂直配向型模式经常于大斜度的视角上呈现明显的全色阶(gamut)曲线失真，如H.C.Jin等人于后述文献中所描叙：“Development of 100-in.TFT-LCDs for HDTV andpublic-information-display applications”，Journal of the SID，vol.15，p.277(2007)。

为了改善垂直配向型的LCD的伽玛曲线，许多方法被提出。从面板驱动的角度来看，LCD伽玛曲线动态校正的方案记载于后述的美国专利中：Y.C.Chen等人于2001年所取得的美国专利案号No.6,256,010 B1、以及H.Pan等人于2007年所取得的美国专利案号No.7,164,284 B2。然而，上述的方案对于斜视角上改善伽玛曲线的有效性，无法使人确信。从面板设计的角度来看，电容耦合(Capacitive Coupled，CC)的方法披露于H.S.Kim等人于2007年所获准的美国专利案号No.7,158,201 B2；再者，有关通过两个薄膜晶体管来产生八显示域的方案，则发表于后述的文献中：S.S.Kim in SID’05Symposium Digest，p.1842-1847、以及C.C.Liu et al in Int’l Display Workshops，p.625-626(2006)。虽然前述方法能够改善相对的角度相依的伽玛曲线，但却增加了电路的复杂度。而且，当使用了两个薄膜晶体管于一个单元的像素时，却会增加制造成本、提高装置的消耗功率。

发明内容

根据本发明的其一方面，提出一种设备、装置、系统及方法，用于具有不同像素区的垂直配向型液晶显示器，而能于穿透模式中呈现不同的临界电压。

根据本发明的另一方面，提出一种创新的设备、装置、系统，用于具有不同像素区的垂直配向型液晶显示器，以于穿透模式中形成多显示域的液晶分布。

根据本发明的另一方面，提出一种创新的设备、装置、系统，用于垂直配向型透射式液晶显示器的结构，且呈现轻微的角度相依的伽玛曲线失真。

根据本发明的另一方面，提出一种创新的设备、装置、系统，用于具有简易装置结构与无摩擦(rubbing-free)工艺的透射式液晶显示器，以于大量生产下提高良率。

在第一实施例中，提出一种液晶显示面板，包括下列的元件。第一基板具有一形成于其上的一彩色滤光片。涂布层具有一厚度，且形成于彩色滤光片与设置于涂布层上的一共同电极。第二基板具有一绝缘层，绝缘层位于面向第一基板的一内表面上。像素电极形成于绝缘层上。多个共同及像素显示域导向形成于共同电极与像素电极上。多个电子屏障位于共同电极或像素电极的其一，以分割对应的共同电极及像素电极之一为至少二不同区域。液晶层以垂直配向，并夹置于第一及第二基板。显示面板还包括一驱动电路，驱动电路与共同电极与像素电极连接，用以提供一电压至共同电极与像素电极，来产生一电场于第一基板及第二基板之间，并控制液晶分子的一配向(orientation)，此配向对应至共同及显示域导向与电子屏障的一定位，以形成一多显示域垂直配向型的液晶显示面板。这些显示域导向为形成于共同电极及像素电极的突起或狭缝，以划分共同电极为至少二共同电极，并划分像素电极为至少二像素电极，以形成多显示域垂直配向型液晶的架构。

在一实施例中，此多个显示域导向包括位于共同电极的共同电极显示域导向、以及位于像素电极的像素电极显示域导向，并位于液晶显示面板的各像素区中。共同显示域导向位于像素显示域导向的一侧及上方。在另一实施例中，共同显示域导向位于像素显示域导向的一侧及上方，且电子屏障位于像素显示域导向的相反的一侧及上方，并划分共同电极为第一、第二、及第三共同电极，以形成具有八个显示域的多显示域液晶显示面板。在再一实施例中，共同显示域导向位于像素显示域导向的一侧及上方，且电子屏障位于像素显示域导向的相反的一侧及上方，并划分共同电极为第一及第二共同电极，以形成于各像素区上具有六个显示域的多显示域液晶显示面板。在代替的实施例中，共同显示域导向包括第一及第二共同显示域导向，位于像素显示域导向的相反侧，并划分共同电极为三个共同电极。像素电子屏障位于共同显示域导向的其一的下方，并覆盖像素显示域导向并邻近于像素电极，来形成单一像素电极于共同导向的其一的下方，以形成于各像素区上具有八个显示域的多显示域液晶显示面板。

为让本发明的上述内容能更明显易懂，下文特举一些优选实施例，并配合所附图示，作详细说明如下。

附图说明

图1A绘示为依照本发明的一实施例的具有显示域导向突起的MVALCD的平面图。

图1B绘示乃图1A中沿着A-A’线段的剖面图。

图2绘示为当施加电压的有效值约为6伏特时，图1A及1B的MVA LCD的液晶指向(director)的模拟分布图。

图3绘示为图1A及1B中的MVA LCD的电压与亮度的相依曲线。

图4绘示为当图1A及1B中的MVA LCD于伽玛校正系数γ＝2.2时，于不同入射角下的典型的伽玛曲线。

图5绘示为当传统的具有四显示域的MVA LCD于伽玛校正系数γ＝2.2时，于不同入射角下的伽玛曲线。

图6A绘示依照本发明的另一实施例的具有显示域导向狭缝的MVALCD的平面图。

图6B绘示乃图6A中沿着A-A’线段的剖面图。

图7绘示为当施加电压的有效值约为6伏特时，图6A及6B的MVA LCD的液晶指向的模拟分布图。

图8绘示为图6A及6B中的MVA LCD的电压与亮度的相依曲线。

图9绘示为图第6A及6B中的MVA LCD于伽玛校正系数γ＝2.2时，于不同入射角下的典型的伽玛曲线。

图10A绘示为依照本发明的另一实施例的MVA LCD面板的平面图。

图10B绘示乃图10A中沿着A-A’线段的剖面图。

图11绘示为当施加电压的有效值约为6伏特时，图10A及10B的MVALCD的液晶指向的模拟分布图。

图12绘示为图10A及10B中的MVA LCD的电压与亮度的相依曲线。

图13绘示为当图10A及10B中的MVA LCD于伽玛校正系数γ＝2.2时，于不同入射角下的典型的伽玛曲线。

图14A绘示为依照本发明的另一实施例的MVA LCD面板的平面图。

图14B绘示乃图14A中沿着A-A’线段的剖面图。

图15绘示为当施加电压的有效值约为6伏特时，图14A及14B的MVALCD的液晶指向的模拟分布图。

图16绘示为图14A及14B中的MVA LCD的电压与亮度的相依曲线。

图17绘示为当图14A及14B中的MVA LCD于伽玛校正系数γ＝2.2时，于不同入射角下的典型的伽玛曲线。

图18A绘示为依照本发明的另一实施例的MVA LCD面板的平面图。

图18B绘示乃图18A中沿着A-A’线段的剖面图。

附图标记说明

100、600、1000、1400、1800：MVA LCD面板

110、610、1010、1410、1810：下基板

112、612、1012、1412、1812：薄膜晶体管

114、614、1014、1414、1814：扫描线

116、616、1016、1416、1816：数据线

122、622、1022、1422、1822：透明基板

124、624、1024、1424、1824：栅极绝缘层

126、626、1026、1426、1826：保护层

128、628、1028、1428、1828：像素电极

129、629、1029、1429、1829：显示域导向层

130、630、1030、1430、1830：上基板

132、632、1032、1432、1832：透明基板

134、634、1034、1434、1834：彩色滤光板

135、635、1035、1435、1835：涂布层

136、636、1036、1436、1836：共同电极

138、638、1037、1038、1437、1438、1837、1838：显示域导向层

139：屏障层

150、1050、1850：液晶层

161、661、1061、1461、1861：主要区

162、662、663、1062、1462、1862：次要区

639：电子屏障

650：液晶材料

1039、1439、1839：电子屏障层

具体实施方式

在详细说明本发明所披露的实施例之前，需知本发明非限定于为说明所显示特定的安排而为的应用，本发明适用于其它的实施方式。再者，此处所使用的字词以说明目的所用，并非用以限制本发明。

请参照主要元件符号说明的段落，以识别本发明的各元件于说明书及图示中的符号及其编号。

本发明提出一透射式垂直配向型液晶显示器(Vertically Aligned LiquidCrystal Display，VA LCD)的装置结构，用以产生多个显示域以提高可视角，且特别能够改良角度相依的伽玛曲线，而能增加色彩表现性能。本发明所提出的液晶显示器可应用于与无磨擦(rubbing-free)及简易的工艺，优选地，使用具有负介电性(Δε＜0)的液晶材料。

请参照图1A及1B，图1A绘示为依照本发明的一实施例的具有显示域导向突起的MVA LCD的平面图，图1B绘示乃图1A中沿着A-A’线段的剖面图。如图1A及1B所示，MVA LCD面板的各单元像素100包括一下基板110、一上基板130及夹置于其间的一液晶层150。下基板110包括具有多个薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)112的一透明基板122、多条扫描线114、多条数据线116、一栅极绝缘层124、一保护层126、以及制成于透明基板122的一内表面上的多个像素电极128。各TFT 112设置于单元像素区100之一之内，且连接至对应的扫描线114与数据线116，如图1A所示。图1B的栅极绝缘层124形成以覆盖扫描线114，保护层126形成以覆盖数据线116，并位于透明基板122之上，透明基板122可为一透明玻璃。

栅极绝缘层124及保护层126皆可为一有机材料，例如为非晶硅碳氧(a-Si:C:O)及非晶硅氧氟(a-Si:O:F)；或者，栅极绝缘层124及保护层126亦皆可为一无机材料，例如为氮化硅(Silicon Nitride，SiN_x)及氧化硅(SiliconOxide，SiO₂)，且可通过等离子体辅助式化学气相沉积(Plasma EnhancedChemical Vapor Deposition，PECVD)、或通过相似的溅镀方法来制成。各像素电极128电性连接至一对应的TFT 121。透明像素电极128通常由一电性传导的材料所制成，且具有高光学穿透性，例如为氧化铟锡(Indium Tin Oxide，ITO)、氧化铟锌(Indium Zinc Oxide，IZO)、或氧化锌(Zin Oxide，ZnO)。各像素电极128具有多个显示域导向层129。显示域导向层129可为液晶配向的突起，并通过沉积一有机材料(例如为a-Si:C:O及a-Si:O:F)所形成、或通过沉积一无机材料(例如为氮化硅(SiN_x)及氧化硅(SiO₂))所形成。显示域导向层129亦可为液晶配向的狭缝，狭缝通过开口图案层蚀刻透明像素电极128来形成。

上基板130包括一透明基板132、一彩色滤光片134、一涂布层135、多个共同电极136、多个显示域导向层138、及多个电子屏障层139。涂布层135设置于透明基板132的下方，以覆盖彩色滤光片134。涂布层135的材料可以是丙烯酸(acrylic)树脂、聚酰胺(polyamide)、聚酰亚胺(polyimide)、或酚醛环氧(novolac epoxy)树脂。涂布层135通过使用光刻(photolithography)及蚀刻工艺而予以图案化，以形成多个部分蚀刻的区域。未蚀刻的区域(未绘示)之处，可具有足够的厚度，以使其兼备间隙物(cell spacer)的功能，来简化工艺、降低成本。

各共同电极136设置于涂布层135上。透明共同电极136通常由一电性传导的材料所制成，且具有高光学穿透性，例如为ITO、IZO、或ZnO。电子屏障层139设置以填补位于涂布层135及共同电极136上的被部分蚀刻的区域。电子屏障层139可以是一有机材料，例如为a-Si:C:O及a-Si:O:F；或者，电子屏障层139亦可以是一无机材料，例如为SiN_x及SiO₂，且可通过PECVD来制成、或通过其它普通技术人员可知的相似的溅镀方法来制成。各共同电极136具有多个显示域导向层138。显示域导向层138可为液晶配向的突起，并通过沉积一有机材料(例如为a-Si:C:O及a-Si:O:F)所形成、或通过沉积一无机材料(例如为SiN_x及SiO₂)所形成。显示域导向层138亦可为液晶配向的狭缝，狭缝通过开口图案层蚀刻透明共同电极136来形成

液晶层150垂直配向于下基板110与上基板130之间。当TFT 112切换为开启状态(ON-state)时，电场会产生于下基板110与上基板130之间。如此，通过显示域导向层129、138及电子屏障层139，可使液晶层150的液晶分子倾斜于多个方向上，以达到一多显示域液晶的架构。

由于电子屏障层139的屏蔽效应(screen effect)，靠近电子屏障层139的处的电场强度会小于其它区域的电场强度。因此，电子屏障层139可划分一单元像素100为至少二不同的区域，例如一主要区161及一次要区162，而产生两种不同的临界电压。在不同的灰阶下，具有电子屏障层139的次要区162通常会产生较高的临界电压，而导致较低的亮度。因此，于各种灰阶下，通过两不同区域161及162所组成的亮度，可改善MVA LCD面板的角度相依伽玛曲线。主要区161与次要区162的面积比介于10∶1至1∶10的范围内，而电子屏障层139与对应的液晶显示面板100的面积比典型地大于1∶1000。

在使用Z字型的电极的典型MVA LCD中，当受到TFT阵列的驱动时，一个单元像素通常会形成四个液晶显示域。在使用本发明的架构下，即使仅使用一个TFT，亦可形成超过四个液晶显示域，其原因在于次要区162所具有的临界电压不同于主要区161所具有的临界电压。如此，可扩大MVA LCD面板的视角。

在模拟的过程中，各参数设定如下。MVA LCD的结构重复以尺寸为100微米×450微米的一单元像素所架构。突起型式的像素显示域导向层129及共同显示域导向层138具有Z字型的宽度w＝12微米、及突出的高度hp＝1.2微米。各相邻的显示域导向层于投影面上的间距g＝35微米。电子屏障层139由氮化硅所制成，且为平坦(flat)，并具有宽度we＝12微米、高度h＝1.2微米、且介电常数为7.0。主要区161与次要区162的面积比选择为约2∶1，介于上基板与下基板之间的液晶胞间距约莫为4微米。所使用的液晶材料150为默克(Merck)负型Δε的液晶混合物MLC-6608(于波长λ＝550纳米(nm)时的双折射率Δn＝0.083、介电异向性Δε＝-4.2、粘滞系数(rotationalviscosity)γ₁＝0.186帕斯卡秒(Pa·s))，此液晶材料150于初始状态上与基板呈现垂直配向。在此例中，液晶材料的方位角约为0度，预倾角约为90度。

请参照图2，其绘示为施加6伏特的有效值电压于共同电极136与像素电极128之间时，于图1A及1B的架构下液晶指向(director)的模拟分布图。分布图为一平面图，且从像素单元的中点沿着Z轴的方向分割开来。如图所示，由于边场效应(fringing field)与介于下基板110与上基板130之间的纵向(longitudinal)电场，液晶指向将会被重新导向，并垂直于电场方向。分别通过像素及共同显示域导向突起层129及138，可于主要区161中形成一典型的四个显示域的结构。于次要区162中，倾斜的电子屏障层139有助于形成额外的两个显示域。因此，在TFT 112所提供的一外部电场的应用下，总共可形成六个液晶显示域于整个像素单元100。若配合使用合适的补偿膜，则可扩大此具有六个显示域的MVA LCD的可视角。前述的补偿膜例如记录于S.T.Wu及D.K.Yang所提出的文献中：Reflective Liquid Crystal Displays(Wiley，New York，2001)，第12章。

请参照图3，其绘示为分别整个像素100、主要区161及次要区162的电压与亮度的相依曲线。在此例中，入射白光源来自于传统的冷阴极荧光灯管(Cold Cathode Fluorescent Lamp，CCFL)所提供的背光，此背光于进入夹置于两交错的线性偏光片的MVA LCD面板之前，会先通过具有红绿蓝三种颜色的彩色滤光片。主要区161的临界电压约为2.25伏特的有效值，次要区的临界电压约为2.40伏特的有效值。电子屏障层139会使得临界电压略微提高，导致于定义整个像素100为具有一相同的灰阶时，次要区162会具有低于主要区161的亮度。

在量化的分析上，于离轴方向上的图像失真系数

定义如下：

此处，ΔBi，j为于灰阶值i及灰阶值j时的亮度差异。而符号“＜＞”表示为于任意的灰阶值时的平均值。

位于约0至1之间。较小的

意味着图像失真的情形较轻微，如角度相依伽玛曲线上所显示，亦即，此时于离轴方向上具有优选的图像品质。

请参照图4，其绘示了整个像素单元100的传统伽玛曲线于伽玛校正系数γ＝2.2时，且于不同入射角下的标绘图。于此，方位角设定约为0度，并以具有256个灰阶值的8位灰度(gray scale)来计算。于下，D的值为0.2994。

请参照图5，其更绘示了主要区161的传统伽玛曲线于伽玛校正系数γ＝2.2时，且以一传统具有四显示域的MVA LCD为例。于

的视角下，对应的D的值约为0.3510。概要地，相较于传统的MVA LCD，本例的架构可具有14.7％的改善成效，而能于离轴方向上产生优选的图像品质。

请参照图6A及6B，其绘示本发明的另一实施例MVA LCD面板的平面图。图6A绘示为MVA LCD面板的架构，图6B绘示乃图6A中沿着A-A’线段的剖面图。于此实施例中，主要元件沿用图1A及1B的架构，并使用新的标号。此两架构的主要差异在于：本实施例采用不同的像素与共同导向狭缝。

相仿于图1A及1B所绘示的架构，在本实施例中，MVA LCD包括一下基板610、一上基板630及一夹置于其间的液晶层650。如图6B所示，下基板610包括一透明基板622、多个TFT 612、多条扫描线614、多条数据线616、一栅极绝缘层624、一保护层626、以及多个像素电极628。

各TFT 612设置于单元像素区600之一内，且连接至对应的扫描线614与数据线616，如图6A所示。如同前述的例，栅极绝缘层624形成以覆盖扫描线614，保护层626形成以覆盖数据线616，并位于透明基板622之上。栅极绝缘层624及保护层626皆可为一有机材料，例如a-Si:C:O及a-Si:O:F、或为一无机材料，例如SiN_x及SiO₂，且可通过PECVD来制成、或通过相似的溅镀方法来制成。各像素电极628电性连接至一对应的TFT 612。透明像素电极628通常由一电性传导的材料所制成，且具有高光学穿透性，例如为ITO、IZO或ZnO。与图1B所绘示的架构不同的是，各像素电极628具有多个显示域导向层629。显示域导向层629为液晶配向的狭缝，并通过蚀刻透明像素电极628，来产生显示域导向层的狭缝629于像素电极628中。

上基板630包括一透明基板632、一彩色滤光片634、一涂布层635、多个共同电极636、多个显示域导向层638、及多个电子屏障层639。涂布层635设置于透明基板632的下方，以覆盖彩色滤光片634。涂布层635的材料可以是丙烯酸树脂、聚酰胺、聚酰亚胺、或酚醛环氧树脂。涂布层635通过使用光刻及蚀刻工艺而予以图案化，以形成多个部分蚀刻的区域，且具有的厚度典型地大于0.1微米。而未蚀刻的区域(未绘示)之处，则具有足够的厚度，以使其兼备间隙物(cell spacer)的功能，来简化工艺、降低成本。

如先前所述，各共同电极636设置于涂布层635上。透明共同电极636通常由一电性传导的材料所制成，且具有高光学穿透性，例如为ITO、IZO、或ZnO。电子屏障层639设置以填补位于涂布层635及共同电极636上的被部分蚀刻的区域。电子屏障层639可以是一有机材料，例如为a-Si:C:O及a-Si:O:F；或者，电子屏障层639亦可以是一无机材料，例如为SiNx及SiO2，且可通过PECVD来制成、或通过其它普通技术人员可知的相似的溅镀方法来制成。与图1B的架构不同的是，各共同电极636具有多个显示域导向层638。显示域导向层638可为液晶配向的狭缝，狭缝通过开口图案层来蚀刻透明共同电极636所形成。

在模拟的过程中，各参数设定如下。MVA LCD的结构重复以尺寸为100微米×600微米的一单元像素所架构。狭缝型式的显示域导向层629及638具有Z字型的宽度w＝12微米。各相邻的显示域导向层于投影面上的间距g＝35微米。在此例中，电子屏障层639由氮化硅所制成，且为平坦，并具有宽度we＝12微米、高度h＝1.2微米、且介电常数为7.0。此两个倾斜的电子屏障层639位于图6A所示的次要区662及次要区663上。主要区661与次要区662及663的面积比选择为约1∶1，介于上基板与下基板之间的液晶胞间距约为4微米。在此例中，所使用的液晶材料为默克负型Δε的液晶混合物MLC-6608(于波长λ＝550纳米(nm)时的双折射率Δn＝0.083、介电异向性Δε＝-4.2、粘滞系数(rotational viscosity)γ₁＝＝0.186帕斯卡秒(Pa·s))，此液晶材料于初始状态上与基板呈现垂直配向。液晶材料的方位角约为0度，预倾角约为90度。

请参照图7，其绘示为施加6伏特的有效值电压于共同电极636与像素电极628之间时，本实施例的液晶指向(director)的模拟分布图。分布图为一平面图，且从像素单元的中点沿着Z轴的方向分割开来。如图所示，由于边缘效应与介于下基板610与上基板630之间的纵向电场，液晶指向将会被重新导向，并垂直于电场方向。分别通过像素及共同显示域导向狭缝629及638，可于主要区661中形成一典型的四个显示域的结构。于次要区662及663中，电子屏障层639有助于形成额外的四个显示域。因此，在TFT 612所提供的一外部电场的应用下，总共可形成八个液晶显示域于整个像素单元600。若配合使用合适的补偿膜，则可扩大此具有八个显示域的MVA LCD的可视角。

请参照图8，其绘示为分别整个像素600、主要区661及次要区662及663的电压与亮度的相依曲线。在此例中，入射白光源来自于传统CCFL所提供的背光，此背光于进入夹置于两交错的线性偏光片(未绘示)的MVA LCD面板之前，会先通过具有红绿蓝三种颜色的彩色滤光片。主要区661的临界电压约为2.25伏特的有效值，次要区的临界电压约为2.32伏特的有效值。次要区会具有较高的临界电压的原因在于，因为电子屏障层639会使得会遮敝一部分的电场。因此，在定义整个像素600为具有一相同的灰阶时，次要区662及663会具有低于主要区661的亮度。

请参照图9，其绘示了整个像素单元600的典型的伽玛曲线于伽玛校正系数γ＝2.2时，且于不同入射角下的标绘图。如图所示，方位角设定约为0度，并以具有256个灰阶值的8位灰度(gray scale)来计算。于

下，D的值为0.2771。

相较于典型的传统具有四显示域的MVA LCD具有的D值为0.3510，本例的架构可具有21％的改善成效，故能于离轴方向上产生优选的图像品质。

请参照图10A及10B，其绘示本发明的另一实施例MVA LCD面板的架构。图10A绘示为MVA LCD面板的平面图，图10B绘示乃图10A中沿着A-A’线段的剖面图。在此实施例中，主要元件沿用图1A、1B、6A及6B的架构，并使用新的标号。相仿于图6A及6B所绘示的例，图10A及10B所绘示的架构分别包括像素电极显示域导向狭缝1029及共同电极显示域导向狭缝1038。主要差异在于：本实施例采用不同的像素与共同导向狭缝。

相仿于图1A及1B所绘示的架构，本实施例于图10A及10B所绘示的架构中，MVA LCD面板1000包括一下基板1010、一上基板1030及一夹置于其间的液晶层1050。如图6B所示，下基板1010包括一透明基板1022、多个TFT 1012、多条扫描线1014、多条数据线1016、一栅极绝缘层1024、一保护层1026、以及多个像素电极1028，如图10B所示。各TFT 1012设置于单元像素区1000之一内，且连接至对应的扫描线1014与数据线1016，如图10A所示。栅极绝缘层1024形成以覆盖扫描线1014，保护层1026形成以覆盖数据线1016，并位于透明基板1022之上，透明基板1022可为一透明玻璃。栅极绝缘层1024及保护层1026皆可为一有机材料，例如a-Si:C:O及a-Si:O:F、或为一无机材料，例如SiN_x及SiO₂，且可通过PECVD来制成、或通过普通技术人员所知的相似的溅镀方法来制成。

如先前所述，各像素电极1028电性连接至一对应的TFT 1012。透明像素电极1028通常由一电性传导的材料所制成，且具有高光学穿透性，例如为ITO、IZO或ZnO。各像素电极1028具有多个显示域导向层1029。显示域导向层1029为液晶配向的狭缝，狭缝通过开口图案层蚀刻透明像素电极1028来形成。

上基板1030包括一透明基板1032、一彩色滤光片1034、一涂布层1035、多个共同电极1036、多个显示域导向层1037、多个显示域导向层1038、及多个电子屏障层1039。涂布层1035设置于透明基板1032的下方，以覆盖彩色滤光片1034。涂布层1035的材料可以是丙烯酸树脂、聚酰胺、聚酰亚胺、或酚醛环氧树脂。涂布层1035通过使用光刻及蚀刻工艺而予以图案化，以形成多个部分蚀刻的区域，且具有的厚度典型地大于0.1微米。未蚀刻的区域为主要区1061，被蚀刻的区域为次要区1062。

各共同电极1036设置于涂布层1035及被蚀刻的次要区1062上。透明共同电极1036通常由一电性传导的材料所制成，且具有高光学穿透性，例如为ITO、IZO、或ZnO。电子屏障层1039设置以填补位于共同电极1036上的被蚀刻的次要区1062。电子屏障层1039可包括一有机材料，例如为a-Si:C:O及a-Si:O:F；或者，电子屏障层1039亦可以是一无机材料，例如为SiN_x及SiO₂，且可通过PECVD来制成、或通过其它普通技术人员可知的相似的溅镀方法来制成。如图10B所示，各共同电极1036具有位于主要区1061内的多个显示域导向层1038、以及具有位于次要区1062内的多个显示域导向层1037。其等可为液晶配向的狭缝，狭缝通过开口图案蚀刻透明共同电极1036的过程中来形成。

在模拟的过程中，各参数设定如下。MVALCD的结构重复以尺寸为100微米×450微米的一单元像素所架构。狭缝型式的显示域导向层1029及1038具有Z字型的宽度w＝12微米。各相邻的显示域导向层于投影面上的间距g＝35微米。在此例中，电子屏障层1039由氮化硅所制成，且为平坦，并具有高度h＝1.2微米、且介电常数为3.5。电子屏障层1039覆盖于次要区1062及显示域导向层1037上，且于次要区1062中具有宽度约we＝12微米。主要区1061与次要区1062的面积比选择为约2∶1，介于上基板与下基板之间的液晶胞间距约为4微米。在此例中，所使用的液晶材料为默克负型Δε的液晶混合物MLC-6608(于波长λ＝550纳米(nm)时的双折射率Δn＝0.083、介电异向性Δε＝-4.2、粘滞系数(rotational viscosity)γ₁＝0.186帕斯卡秒(Pa·s))，此液晶材料于初始状态上与基板呈现垂直配向。液晶材料的方位角约为0度，预倾角约为90度。

请参照图11，其绘示为施加6伏特的有效值电压于共同电极1036与像素电极1028之间时，本实施例的液晶指向的模拟分布图。分布图为一平面图，且从像素单元的中点沿着Z轴的方向分割开来。如图所示，由于边缘效应与介于下基板1010与上基板1030之间的纵向电场，液晶指向将会被重新导向，并垂直于电场方向。分别通过像素及共同显示域导向狭缝1029及1038，可于主要区1061中形成一典型的四个显示域的结构。于次要区1062中，倾斜的显示域导向狭缝层1037与电子屏障层1039有助于形成额外的二个显示域。因此，在TFT 1012所提供的一外部电场的应用下，总共可形成六个液晶显示域于整个像素单元1000。此具有六个显示域的MVA LCD可扩大显示面板的可视角。

请参照图12，其绘示为分别整个像素1000、主要区1061及次要区1062的电压与亮度的相依曲线。在此例中，入射白光源来自于传统CCFL所提供的背光，此背光于进入夹置于两交错的线性偏光片(未绘示)的MVA LCD面板之前，会先通过具有红绿蓝三种颜色的彩色滤光片。主要区1061的临界电压约为2.25伏特的有效值，次要区的临界电压约为3.00伏特的有效值。由于电子屏障层1039能有效地遮敝一部分的电场，因此，于定义整个像素1000为具有一相同的灰阶时，次要区1062会具有低于主要区1061的亮度。

请参照图13，其绘示了整个像素单元1000的典型的伽玛曲线于伽玛校正系数γ＝2.2时，且于不同入射角下的标绘图。于此，方位角设定约为0度，并以具有256个灰阶值的8位灰度(gray scale)来计算。于

的视野方向下，D的值为0.2866。相较于典型的传统具有四显示域的MVALCD具有的D值为0.3510，本例的架构可具有18.4％的改善成效，故能于离轴方向上产生优选的图像品质。

请参照图14A及14B，其绘示本发明的另一实施例MVA LCD面板的架构。图14A绘示为MVA LCD面板的平面图，图14B绘示乃图14A中沿着A-A’线段的剖面图。于此实施例中，主要元件沿用图1A、1B、6A、6B、10A及10B的架构，并使用新的标号。相仿于图10A及10B所绘示的例，本实施例的架构分别包括像素电极显示域导向狭缝建议改为1429a及1429b及共同电极显示域导向狭缝1438。

如图14A及14B所示，MVA LCD面板包括一下基板1410、一上基板1430及一夹置于其间的液晶层1450。下基板1410包括一透明基板1422、多个TFT 1412、多条扫描线1414、多条数据线1416、一栅极绝缘层1424、一保护层1426、多个像素电极1428、多个显示域导向层1429a及1429b、以及多个电子屏障层1421。电子屏障层1421形成于透明基板1422的一内表面，且邻近于液晶层1450。

各TFT 1412设置于单元像素区1400之一内，且连接至对应的扫描线1414与数据线1416，如图14A所示。栅极绝缘层1424形成以覆盖扫描线1414，保护层1426形成以覆盖数据线1416，并位于透明基板1422之上，如图14B所示。栅极绝缘层1424及保护层1426皆可为一有机材料，例如a-Si:C:O及a-Si:O:F、或为一无机材料，例如SiN_x及SiO₂，且可通过PECVD来制成、或通过普通技术人员所知的相似的溅镀方法来制成。

如前述的例子不同的是，涂布层1427设置于位于下基板的保护层1426的上方。涂布层1427的材料可以是丙烯酸树脂、聚酰胺、聚酰亚胺、或酚醛环氧树脂。涂布层1427通过使用光刻及蚀刻工艺而予以图案化，以形成多个部分蚀刻的区域，且具有的厚度典型地大于0.1微米。未蚀刻的区域即是主要区1461，被蚀刻的区域即是次要区1462。各像素电极1428设置于涂布层1427及被蚀刻的次要区1462上。透明像素电极1428通常由一电性传导的材料所制成，且具有高光学穿透性，例如为ITO、IZO、或ZnO。

各像素电极1428具有位于主要区1461内的多个显示域导向层1429a、以及位于次要区1462内的多个显示域导向层1429b。其等可为液晶配向的狭缝，狭缝通过开口图案蚀刻透明共同电极1436来形成。电子屏障层1421设置以填补位于像素电极1428上的被蚀刻的次要区1462。电子屏障层1421可包括一有机材料，例如为a-Si:C:O及a-Si:O:F；或者，电子屏障层1421亦可以是一无机材料，例如为SiN_x及SiO₂，且可通过PECVD来制成、或通过其它相似的溅镀方法来制成。

上基板1430包括一透明基板1432、一彩色滤光片1434、多个共同电极1436、多个显示域导向层1438。各共同电极1436具有多个显示域导向层1438，显示域导向层1438为液晶配向的狭缝，狭缝通过开口图案层蚀刻共同像素电极1436来形成。

在此例中，各参数设定如下。MVA LCD的结构重复以尺寸为100微米×600微米的一单元像素所架构。狭缝型式的显示域导向层1429a、1429b及1438选择为具有Z字型的宽度w＝12微米。各相邻的显示域导向层于投影面上的间距g＝35微米。在此例中，平坦的电子屏障层1421具有高度h＝1.2微米、且介电常数为3.5。主要区1461与次要区1462的面积比选择为约1∶1。介于上基板与下基板之间的液晶胞间距约为4微米。在此例中，所使用的液晶材料为默克负型Δε的液晶混合物MLC-6608(于波长λ＝550纳米(nm)时的双折射率Δn＝0.083、介电异向性Δε＝-4.2、粘滞系数(rotationalviscosity)γ₁＝0.186帕斯卡秒(Pa·s))，此液晶材料于初始状态上与基板呈现垂直配向。液晶材料的方位角约为0度，预倾角约为90度。

请参照图15，其绘示为施加6伏特的有效值电压于共同电极1436与像素电极1428之间时，本实施例的液晶指向的模拟分布图。分布图为一平面图，且从像素单元的中点沿着Z轴的方向分割开来。如图所示，由于边缘效应与介于下基板1410与上基板1430之间的纵向电场，液晶指向将会被重新导向，并垂直于电场方向。分别通过显示域导向狭缝1429a、1429b及1438，可分别于主要区1461及次要区1462中形成一典型的四个显示域的结构。此两种位于主要区1461及次要区1462中的四个显示域结构不相同。因此，于TFT 1412所提供的一外部电场的应用下，总共可形成八个液晶显示域于整个像素单元1400。此具有八个显示域的MVA LCD可进一步扩大显示面板的可视角。

请参照图16，其绘示为分别整个像素1400、主要区1461及次要区1462的电压与亮度的相依曲线。在此例中，入射白光源来自于传统CCFL所提供的背光，此背光于进入夹置于两交错的线性偏光片(未绘示)的MVA LCD面板之前，会先通过具有红绿蓝三种颜色的彩色滤光片。主要区1461的临界电压约为2.25伏特的有效值，次要区1462的临界电压约为2.80伏特的有效值。在电子屏障层1421的效应下，次要区的临界电压显著地增加。因此，于定义整个像素1400为具有一相同的灰阶时，次要区1462会具有低于主要区1461的亮度。

请参照图17，其绘示第四实施例中的整个像素单元1400的典型的伽玛曲线于伽玛校正系数γ＝2.2时，且于不同入射角下的标绘图。于此，方位角设定约为0度，并以具有256个灰阶值的8位灰度来计算。于

的视野方向下，D的值为0.2369。相较于典型的传统具有四显示域的MVA LCD具有的D值为0.3510，第四实施例的架构可具有32.5％的改善成效，故能于离轴方向上产生优选的图像品质。

请参照图18A及18B，其绘示本发明的另一实施例MVA LCD面板的平面图。图18A绘示为MVA LCD面板的架构，图18B绘示乃图6A中沿着A-A’线段的剖面图。在此实施例中，主要元件沿用图1A、1B、6A及6B的架构，并使用新的标号。相仿于图6A及6B所绘示的例，图18A及18B所绘示的架构分别包括像素电极显示域导向狭缝1829及共同电极显示域导向狭缝1838。主要差异在于：本实施例采用不同的像素与共同导向狭缝。

相仿于图1A及1B所绘示的架构，在图18A及18B所绘示的另一架构中，MVALCD面板1800包括一下基板1810、一上基板1830及夹置于其间的一液晶层1850。下基板1810包括一透明基板1822、多个TFT 1812、多条扫描线1814、多条数据线1816、一栅极绝缘层1824、一保护层1826、以及多个像素电极1828。如图18A所示，各TFT 1812设置于单元像素区1800之一内，且连接至对应的扫描线1814与数据线1816。栅极绝缘层1824形成以覆盖扫描线1814，保护层1826形成以覆盖数据线1816，并位于透明基板1822之上，透明基板1822可为一透明玻璃。栅极绝缘层1824及保护层1826皆可为一有机材料，例如a-Si:C:O及a-Si:O:F、或为一无机材料，例如SiN_x及SiO₂，且可通过PECVD来制成、或通过具有通常知识知所知的相似的溅镀方法来制成。

如先前所述，各像素电极1828电性连接至一对应的TFT 1812。透明像素电极1828通常由一电性传导的材料所制成，且具有高光学穿透性，例如为ITO、IZO或ZnO。各像素电极1828具有多个显示域导向层1829。显示域导向层1829为液晶配向的狭缝，狭缝通过开口图案蚀刻透明像素电极1828来形成。

上基板1830包括一透明基板1832、多个涂布层1835、多个共同电极1836、多个显示域导向层1837、多个显示域导向层1838、及多个电子屏障层1839。涂布层1835设置于透明基板1832的下方，以覆盖彩色滤光片1834。涂布层1835的材料可以是丙烯酸树脂、聚酰胺、聚酰亚胺、或酚醛环氧树脂。涂布层1835通过使用光刻及蚀刻工艺而予以图案化，以形成多个部分蚀刻的区域，且具有的厚度典型地大于0.1微米。而未蚀刻的区域为主要区1861，而被蚀刻的区域为次要区1862。

各共同电极1836设置于涂布层1835及被蚀刻的次要区1862上。透明共同电极1836通常由一电性传导的材料所制成，且具有高光学穿透性，例如为ITO、IZO、或ZnO。电子屏障层1839设置以填补位于共同电极1836上的被蚀刻的次要区1862。电子屏障层1839包括一有机材料，例如为a-Si:C:O及a-Si:O:F；或者，电子屏障层1839还包括一无机材料，例如为SiN_x及SiO₂，且可通过PECVD来制成、或通过其它普通技术人员可知的相似的溅镀方法来制成。如图18B所示，各共同电极1836具有多个显示域导向层1838于主要区1861中、及具有多个显示域导向层1837于次要区1862中。其等可为液晶配向的狭缝，狭缝通过开口图案层蚀刻透明共同电极1836来形成。MVA LCD的结构重复以尺寸为100微米×450微米的一单元像素所架构。显示域导向层1829及1838可例如为具有Z字型的宽度w＝12微米。各相邻的显示域导向层于投影面上的间距例如g＝35微米。在此例中，电子屏障层1839例如由氮化硅所制成，且为平坦，并具有例如为高度h＝1.2微米。电子屏障层1839覆盖次要区1862，而位于次要区1862的显示域导向层1837具有宽度we＝12微米。主要区1861与次要区1862的面积比选择例如为约2∶1，介于上基板与下基板之间的液晶胞间距例如约为4微米。在此例中，所使用的液晶材料可以为默克负型Δε的液晶混合物MLC-6608(于波长λ＝550纳米(nm)时的双折射率Δn＝0.083、介电异向性Δε＝-4.2、粘滞系数(rotational viscosity)γ₁＝0.186帕斯卡秒(Pa·s))，此液晶材料于初始状态上与基板呈现垂直配向。液晶材料的方位角可以约为0度，预倾角约为90度。此实施例的架构应能于离轴方向上产生优选的图像品质。

本发明所披露的实施例中，共同及像素显示域导向为狭缝，然亦可以代替以其它型式的架构，例如显示域导向突起、或突起与狭缝的组合。

综上所述，虽然本发明已以一些优选实施例披露如上，然其并非用以限定本发明。本发明所属技术领域中普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作各种的更动与润饰。因此，本发明的保护范围当视所附的权利要求所界定者为准。

Claims (34)

1.一种多显示域垂直配向型的液晶显示面板，包括：

一第一基板；

一第二基板，具有一绝缘层及一保护层，该绝缘层位于面向该第一基板的一内表面，该保护层位于该绝缘层之上；

一涂布层，形成于该第一基板及该保护层的其中之一的至少一部分；

一共同电极，当该涂布层形成于第一基板时，该共同电极形成于该涂布层上，当该涂布层形成于该保护层时，该共同电极形成于该第一基板上；

一像素电极，当该涂布层形成于该第一基板时，该像素电极形成于该保护层之上，而当该涂布层形成于该保护层的该至少一部分之上时，该像素电极形成于该保护层的邻近于该涂布层的其它部分之上，且覆盖该涂布层；

多个共同及像素显示域导向，分别形成于该共同电极及该像素电极，该些共同显示域导向与该些像素显示域导向为非对位；

一电子屏障，形成于邻近于该涂布层的对应的该共同电极与该像素电极之一；

一垂直配向液晶层，夹置于该第一及该第二基板之间；以及

一驱动电路，与该共同电极及该像素电极连接，用以提供一电压以产生一电场于该第一基板及该第二基板之间，从而通过该多个共同及像素显示域导向及该电子屏障，可使该液晶层中的液晶分子倾斜于多个方向上，从而形成一多显示域垂直配向型的液晶显示面板。

2.如权利要求1所述的液晶显示面板，其中该涂布层的厚度介于0.1微米至50微米之间。

3.如权利要求1所述的液晶显示面板，其中该电子屏障层对应至该液晶显示面板的面积比大于1∶1000。

4.如权利要求1所述的液晶显示面板，其中各该多个共同及像素显示域导向为一突起，且位于该共同电极及该像素电极上，并延伸至该液晶层，以形成该多显示域液晶显示面板的架构。

5.如权利要求1所述的液晶显示面板，其中各该显示域导向为一显示域导向的狭缝，且形成于该共同电极及该像素电极，并划分该共同电极为至少二共同电极，及划分该像素电极为至少二像素电极，以形成该多显示域液晶显示面板的架构。

6.如权利要求1所述的液晶显示面板，其中该多个共同及像素显示域导向包括：

一共同显示域导向，位于该液晶显示面板的各该像素区的该共同电极；以及

一像素显示域导向，位于该液晶显示面板的各该像素区的该像素电极，该共同显示域导向位于该像素显示域导向的侧上方。

7.如权利要求6所述的液晶显示面板，其中该共同显示域导向位于该像素显示域导向的侧上方，且该电子屏障位于该像素显示域导向的相反的侧上方，并划分该共同电极为第一、第二、及第三共同电极，以形成具有八个显示域的该多显示域液晶显示面板。

8.如权利要求6所述的液晶显示面板，其中该共同显示域导向位于该像素显示域导向的侧上方，且该电子屏障位于该像素显示域导向的相反的侧上方，并划分该共同电极为第一及第二共同电极，以形成于各像素区上具有六个显示域的该多显示域液晶显示面板。

9.如权利要求6所述的液晶显示面板，其中该共同显示域导向包括：

第一及第二共同显示域导向，位于该像素显示域导向的相反侧，并划分该共同电极为至少二共同电极。

10.如权利要求1所述的液晶显示面板，其中该驱动电路包括：

多条扫描线；

多条数据线；以及

多个薄膜晶体管，该些薄膜晶体管之一设置于各液晶显示面板的像素区，该多个薄膜晶体管连接至该多条扫描线及该多条数据线。

11.如权利要求1所述的液晶显示面板，还包括：

交错的一第一及一第二偏光片，所述液晶显示面板夹置于该第一及第二偏光片之间。

12.如权利要求1所述的液晶显示面板，还包括：

一彩色滤光片，形成于该第一基板上，且介于该第一基板及该涂布层之间。

13.一种用以制造具有多个像素区的液晶显示面板的方法，包括下列步骤：

提供一第一基板；

提供一第二基板；

形成一绝缘层于该第二基板的一内表面；

形成一保护层于该绝缘层上；

形成一涂布层于该第一基板及该保护层的其中之一的一部分上；

形成一共同电极，当该涂布层形成于第一基板时，该共同电极形成于该涂布层上，当该涂布层形成于该保护层时，该共同电极形成于该第一基板上；

形成一像素电极，当该涂布层形成于该第一基板时，该像素电极形成于该保护层之上，而当该涂布层形成于该保护层的该一部分之上时，该像素电极形成于该保护层的邻近于该涂布层的其它部分之上，且覆盖该涂布层；

分别形成多个非对位的共同显示域导向及像素显示域导向于该共同电极及该像素电极；

形成一电子屏障于邻近于该涂布层的该对应的该共同电极与该像素电极的其中之一；

夹置一垂直配向型液晶层于该第一及该第二基板之间；以及

连接一驱动电路与该共同电极及该像素电极，以提供一电压至该共同电极及该像素电极，以产生一电场于该第一基板及该第二基板之间，从而通过共同及像素显示域导向及电子屏障，可使该液晶层中的液晶分子倾斜于多个方向上，从而形成一多显示域垂直配向型的液晶显示面板。

14.如权利要求13所述的方法，其中连接一驱动电路的该步骤包括下列的子步骤：

制造多个薄膜晶体管、多条扫描线及多条数据线于该第二基板的该内表面，各该些薄膜晶体管位于该多个像素区之一，且该绝缘层覆盖该多个薄膜晶体管、该多条扫描线及该多条数据线。

15.如权利要求13所述的方法，其中该涂布层的厚度介于0.1微米至50微米之间。

16.如权利要求13所述的方法，其中该电子屏障层对应至该液晶显示面板的面积比大于1∶1000。

17.如权利要求13所述的方法，其中该像素电极为电性传导性的材料，且具有光学穿透性，并选自由氧化铟锡、氧化铟锌、以及氧化锌所组成的组。

18.如权利要求13所述的方法，其中形成该多个显示域导向包括下列步骤：

形成一共同显示域导向突起及一像素显示域导向突起于各个对应的该共同电极与该像素电极上。

19.如权利要求18所述的方法，其中该共同显示域导向突起与该像素显示域导向突起通过沉积一材料所形成，该材料选自于由一有机材料及一无机材料所组成的组。

20.如权利要求19所述的方法，其中该有机材料选自于由非晶硅碳氧及非晶硅氧氟所组成的组。

21.如权利要求19所述的方法，其中该无机材料选自于由氮化硅及氧化硅所组成的组。

22.如权利要求13所述的方法，其中形成该多个显示域导向的该步骤包括下列子步骤：

形成一共同显示域导向狭缝与一像素显示域导向狭缝于各个对应的该共同电极与该像素电极上。

23.如权利要求13所述的方法，还包括：

形成多条扫描线及数据线于该第二基板上，以定义一像素电极区域；以及

形成连接至各像素区的该些扫描线及该些数据线的多个薄膜晶体管。

24.如权利要求13所述的方法，其中形成该多个显示域导向的该步骤包括：

形成一共同显示域导向于该液晶显示面板的各该像素区的该共同电极；以及

形成一像素显示域导向于该液晶显示面板的各该像素区的该像素电极，该共同显示域导向位于该像素显示域导向的侧上方。

25.如权利要求13所述的方法，其中该共同显示域导向形成以位于该像素显示域导向的侧上方，且该电子屏障位于该像素显示域导向的相反的侧上方，并划分该共同电极为第一、第二、及第三共同电极，以形成于各像素区中具有八个显示域的该多显示域液晶显示面板。

26.如权利要求13所述的方法，其中该共同显示域导向位于该像素显示域导向的侧上方，且该电子屏障位于该像素显示域导向的相反的侧上方，并划分该共同电极为第一及第二共同电极，以形成于各像素区上具有六个显示域的该多显示域液晶显示面板。

27.如权利要求13所述的方法，其中形成该共同显示域导向的该步骤还包括下列子步骤：

形成第一及第二共同显示域导向于该像素显示域导向的相反侧，并划分该共同电极为至少三共同电极。

28.如权利要求13所述的方法，还包括下列步骤：

层叠一彩色滤光片于第一基板的一内表面上，且介于该第一基板及该涂布层之间。

29.一种多显示域垂直配向型的液晶显示面板，包括：

一第一基板；

一共同电极，设置于该第一基板之上；

一第一及一第二共同显示域导向，位于该共同电极，并划分该共同电极为一第一、一第二及一第三共同电极；

一第二基板，具有一绝缘层，该绝缘层位于面向该第一基板的一内表面；

一保护层，位于该绝缘层的上方；

一涂布层，形成于一部分的该保护层之上；

一像素电极，形成其它部分的该保护层之上，且位于邻近于该涂布层的侧，并位于该涂布层的外表面；

一像素显示域导向，形成于该像素电极，且不覆盖该涂布层，该像素显示域导向介于该第一及该第二共同显示域导向之间及其下方；

一电子屏障，形成于该像素电极的上方，且邻近于该涂布层与该像素显示域导向，并位于该些共同显示域导向之一的下方，以划分该像素电极为三个区域；

一垂直配向液晶层，夹置于该第一及该第二基板之间；以及

一驱动电路，与该共同电极及该像素电极连接，用以提供一电压以产生一电场于该第一基板及该第二基板之间，从而通过该共同及像素显示域导向及该电子屏障，可使该液晶层中的液晶分子倾斜于多个方向上，从而形成一多显示域垂直配向型的液晶显示面板。

30.如权利要求29所述的液晶显示面板，还包括：

一彩色滤光片，形成于该第一基板上，且介于该第一基板及该共同电极之间。

31.如权利要求29所述的液晶显示面板，其中该驱动电路包括：

多条扫描线；

多条数据线；以及

多个薄膜晶体管，该些薄膜晶体管之一设置于各液晶显示面板的像素区，该多个薄膜晶体管连接至该些扫描线及该些数据线。

32.如权利要求29所述的液晶显示面板，其中各该多个共同及像素显示域导向为一突起，且位于该共同电极及该像素电极上，并延伸至该液晶层，以形成该多显示域液晶显示面板的架构。

33.如权利要求31所述的液晶显示面板，其中各该共同显示域导向及像素显示域导向为一狭缝，且形成于该共同电极及该像素电极，以形成该多显示域液晶显示面板的架构。

34.如权利要求31所述的液晶显示面板，还包括：

交错的一第一及一第二偏光片，所述液晶显示面板夹置于该第一及第二偏光片之间。

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