[go: up one dir, main page]

CN101355061B - 包括用于基片载体的密封装置的功率半导体模块及其制造方法 - Google Patents

包括用于基片载体的密封装置的功率半导体模块及其制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN101355061B
CN101355061B CN2008101300648A CN200810130064A CN101355061B CN 101355061 B CN101355061 B CN 101355061B CN 2008101300648 A CN2008101300648 A CN 2008101300648A CN 200810130064 A CN200810130064 A CN 200810130064A CN 101355061 B CN101355061 B CN 101355061B
Authority
CN
China
Prior art keywords
substrate carrier
housing
power semiconductor
semiconductor modular
sealing device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN2008101300648A
Other languages
English (en)
Other versions
CN101355061A (zh
Inventor
C·克罗内德尔
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Semikron GmbH and Co KG
Semikron Elektronik GmbH and Co KG
Original Assignee
Semikron Elektronik GmbH and Co KG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Semikron Elektronik GmbH and Co KG filed Critical Semikron Elektronik GmbH and Co KG
Publication of CN101355061A publication Critical patent/CN101355061A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN101355061B publication Critical patent/CN101355061B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/16—Fillings or auxiliary members in containers or encapsulations, e.g. centering rings
    • H01L23/18—Fillings characterised by the material, its physical or chemical properties, or its arrangement within the complete device
    • H01L23/24—Fillings characterised by the material, its physical or chemical properties, or its arrangement within the complete device solid or gel at the normal operating temperature of the device
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the groups H01L21/18 - H01L21/326 or H10D48/04 - H10D48/07
    • H01L21/4814—Conductive parts
    • H01L21/4871—Bases, plates or heatsinks
    • H01L21/4878—Mechanical treatment, e.g. deforming
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the groups H01L21/18 - H01L21/326 or H10D48/04 - H10D48/07 e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/02—Containers; Seals
    • H01L23/10—Containers; Seals characterised by the material or arrangement of seals between parts, e.g. between cap and base of the container or between leads and walls of the container
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of semiconductor or other solid state devices
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of semiconductor or other solid state devices all the devices being of a type provided for in a single subclass of subclasses H10B, H10F, H10H, H10K or H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of semiconductor or other solid state devices all the devices being of a type provided for in a single subclass of subclasses H10B, H10F, H10H, H10K or H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/07—Assemblies consisting of a plurality of semiconductor or other solid state devices all the devices being of a type provided for in a single subclass of subclasses H10B, H10F, H10H, H10K or H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group subclass H10D
    • H01L25/072—Assemblies consisting of a plurality of semiconductor or other solid state devices all the devices being of a type provided for in a single subclass of subclasses H10B, H10F, H10H, H10K or H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group subclass H10D the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/291—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/838—Bonding techniques
    • H01L2224/8384—Sintering
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/40—Mountings or securing means for detachable cooling or heating arrangements ; fixed by friction, plugs or springs
    • H01L23/4006—Mountings or securing means for detachable cooling or heating arrangements ; fixed by friction, plugs or springs with bolts or screws
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1301—Thyristor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/20—Parameters
    • H01L2924/203—Ultrasonic frequency ranges, i.e. KHz

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Dispersion Chemistry (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
  • Casings For Electric Apparatus (AREA)

Abstract

本发明描述一种功率半导体模块，包括一由一第一塑料构成的壳体、至少一个具有一在其上构成的电路装置(50)的基片载体和从电路装置引出的电接线元件(60)；其中壳体(10)具有用于与基片载体(40)持久连接的固定装置(20)，并且壳体(10)具有一与其构成一件的、环绕的、指向基片载体(40)的一第一内主表面(44)那边的、持久弹性的密封装置(30)，该密封装置由一第二塑料制成。所属的方法具有基本的步骤：由一第一机械稳定的塑料制成一壳体并且由一第二持久弹性的塑料制成一密封装置；在壳体上设置至少一个基片载体；借助于固定装置使壳体与基片载体持久连接。

Description

包括用于基片载体的密封装置的功率半导体模块及其制造方法
技术领域
本发明描述一种功率半导体模块，包括：一壳体；至少一个优选在壳体的一凹槽中设置的并由壳体在侧面包围的基片载体，该基片载体具有一在其上构成的功率电子电路装置；以及由电路装置引出的电接线元件。
背景技术
例如在DE 101 00 460 A1中公开一种所述型式的功率半导体模导体，如其在其基本特点上长久以来是已知的。这样的按现有技术的功率半导体模块具有一基片载体，其构成功率半导体模块的下面的终端。绝缘材料壳体在这里在其纵向侧面稍微高出该基片载体以便包围基片载体。这样的基片载体经常构成为一扁平的金属成型体、优选由铜构成。由此在有效的热扩展时对于从功率电子电路装置向一冷却构件的传热产生一微小的热阻。
按照现有技术还已知，基片载体与壳体粘合，以便在用一在该时刻液态的绝缘材料、例如一硅酮橡胶填满壳体时防止流出该硅酮橡胶。此外壳体借助于金属的铆接与基片载体相连接。该铆接构成为具有一贯通的孔的空心体，以便同样借助于一螺钉连接能够将功率半导体模块固定在一冷却构件上。按照现有技术这些铆接构成为黄铜铆接，因为其由于黄铜的铅成分能够产生一定的变形并从而使一铆接才是可能的。
在基片载体本身上与其绝缘地设置功率半导体模块的电路装置。在这方面不同的具有大功率晶体管、功率二极管和/或功率晶闸管的电路装置是已知的。电路装置借助于绝缘的基片，例如DCB(直接铜键合)基片与基片载体绝缘。
此外为现有技术配设不同的配置的接线元件用于负荷接线和辅助接线，例如用于受控的功率半导体构件的控制连接。在这方面这些接线元件与基片或电路装置的功率半导体构件的不同的连接技术是已知的，在此特别优选钎焊连接、压力接触连接和/或加压烧结连接。
对按照现有技术的功率半导体模块不利的是，基片载体借助于一粘接与壳体相连接，以便在制造过程中确保壳体的紧密性，防止流出硅酮橡胶。还通过上述的铆接达到可保持持久的连接。
发明内容
因此本发明的目的在于，介绍一种包括一基片载体的功率半导体模块，其中其利用连接装置与功率半导体模块的壳体相组合并且所属的制造方法可实现一低成本的和可自动化的实施形式。
按照本发明通过一种如下文所述的功率半导体模块和通过一种如下文所述的用于制造该功率半导体模块的方法达到该目的。优选的实施形式描述于诸从属权利要求中。
本发明的出发点是构成一种功率半导体模块，其包括一壳体，至少一个优选在壳体的凹槽中设置的且由壳体在侧面优选在各侧面包围的基片载体。在该基片载体上构成一功率电子电路装置，由该电路装置引出用于负载接线和辅助接线的接线元件。在这方面优选的是，至少一个接线元件构成为弹簧接触装置。此外壳体具有用于与基片载体持久连接的固定装置。基片载体因此构成一功率半导体模块的面向冷却构件的外侧或外侧的部分。
按照本发明壳体、优选壳体的凹槽具有一与其成一体构成的密封装置。该密封装置优选设置于壳体的凹槽中并且环绕地且朝基片载体的一第一内主表面那边构成。按照本发明密封装置在这里由一第二持久弹性的塑料构成。
本发明用于制造一这样的功率半导体模块的方法具有以下基本的方法步骤：
-以一双组分注塑方法由一第一机械稳定的塑料制成一壳体，该壳体优选包括一用于配属的基片载体的凹槽并且由一第二持久弹性的塑料制成一密封装置；
-将至少一个基片载体设置在壳体上、优选在壳体的配置的凹槽中；
-借助于固定装置使壳体与基片载体持久连接。
优选这样构成该连接，即固定装置包括壳体的突出部，其延伸通过基片载体的孔并且通过借助于这些突出部的末端的温度和/或超声波的作用的变形制造一铆接。在这方面优选的是，密封装置至少部分地包围基片载体的固定装置并且向凹槽那边将固定装置排除在外。因此该铆接的紧密的构造为了其在用一硅酮橡胶填满功率半导体模块时防止流出是不必要的。
此外可以特别优选的是，基片载体在其功能上由基片本身取代。在这种情况下基片构成功率半导体模块的边界并且其本身具有用于铆接所需的孔。
附图说明
该半导体构件的特别优选的进一步构成列举于各实施例的相应的的描述中。并且借助各实施例和图1至4进一步说明本发明的方案。
图1示出一本发明的功率半导体模块的一无基片载体的壳体的三维视图；
图2示出一按图1的壳体的二维视图；
图3示出一本发明按图1的功率半导体模块的一壳体的横剖面图；
图4示出本发明按图1的功率半导体模块包括设置的基片载体的一部分的横剖面图。
具体实施方式
图1示出一本发明的功率半导体模块1的一无基片载体的壳体的三维视图，其优选由一直到大约150℃温度稳定的塑料制成。壳体10在这里在其面向一未示出的冷却装置的那一侧面上具有一用以容纳一基片载体的凹槽12，以及两个用于与冷却构件螺钉连接的套管16。该凹槽12在这里有利地在功率半导体模块1的两纵向侧面分别具有一板条120，以便在各侧面上包围可设置的基片载体。
在功率半导体模块1的内部具有其他的套管14，用于设置接线元件，在这里由构成为接触弹簧62的辅助接线元件构成。这些辅助接线元件用于一电路装置的外部接线，该电路装置设置在一基片载体上，该基片载体设置于壳体10的凹槽12中。
在该凹槽12的区域内，有利地在其窄边的边缘区域122内，壳体10优选具有与其构成一体的各突出部20。这些突出部20在这里构成销状的并且沿待设置的基片载体的方向高出壳体10。
此外示出一由弹性的塑料制成的密封装置30，其优选以一两组分注塑方法与壳体10一起制造。该密封装置30构成为一在壳体10的凹槽12的边缘区域内环绕的密封唇，该密封唇以优选的方式适当地围绕各突出部20，而使这些突出部20处在密封唇的密封区域之外。
图2示出一按图1的功率半导体模块1的壳体的二维视图，其中在用于设置基片载体的凹槽12的俯视图中无凹槽内部的细节。在这里再次示出壳体10，其包括两个用于与可设置的冷却构件螺钉连接的套管16。此外在凹槽12的区域内示出壳体10的各个突出部20，其用于与可设置的基片载体的铆接。
在凹槽12的内部设置按本发明的密封装置30。该密封装置有利地构成使其空出连接装置如各突出部20。因此各突出部20处于凹槽12的一区域内，该凹槽不被密封装置30向基片载体那边密封。这是有利的，因为由此在突出部20与基片载体之间的铆接对密封性不必具有特别的要求。
当然也可以优选将连接装置仅仅或附加地设置在基片载体的待密封的表面的区域内，由此这样提高对铆接的要求，使得它必须构成紧密的。一电绝缘的浇注材料按照现有技术在这一时刻仍是液态的并且因此可能在铆接的区域内流出，所述浇注材料在制造过程中装入功率半导体模块的内部中并至少部分填满功率半导体模块的内部。
图3示出一本发明按图1的功率半导体模块的一壳体10的横剖面图。图中示出包括凹槽12的壳体10，并且在该凹槽的区域内设置一用于与一基片载体铆接且以壳体10的一突出部的形式的连接装置20和用以设置一构成为接触弹簧的辅助接线元件的套管14。凹槽12本身在侧面朝向功率半导体模块1的纵向侧面的侧面由两板条120限定，所述板条构成一待设置的基片载体的止挡装置。直接邻接于这些板条120在凹槽12的内部设置密封装置30。该密封装置30按照描述的方法由一持久弹性的第二塑料制成并且以一两组分注塑方法与由一第一塑料构成的壳体10一起制造。
图4示出本发明按图1的功率半导体模块包括设置的基片载体的一部分的横剖面图。在这里基片载体40构成为一表面精制的铜板。该基片载体40具有对准于壳体10的各突出部20贯通的孔42。为了基片载体与壳体铆接，借助于温度作用和/或超声波作用使这些突出部变形，而使其不再高出基片载体40的外主表面46。
在基片载体的面向功率半导体模块1的内部的内主表面44上且与其电绝缘地设置功率电子电路装置50。

Claims (8)

1.功率半导体模块(1)，包括由一第一塑料制成的壳体(10)、至少一个具有一在其上构成的电路装置(50)的基片载体(40)和从该电路装置引出的电接线元件(60)；其中，壳体(10)具有用于与基片载体(40)持久连接的固定装置(20)，并且壳体(10)具有一与其构成一体的、环绕的、指向基片载体(40)的一第一内主表面(44)那边的、持久弹性的密封装置(30)，该密封装置由一第二塑料制成。
2.按照权利要求1所述的功率半导体模块，其特征在于，基片载体(40)构成为一表面精制的铜板，在铜板的内主表面(44)上设置一与铜板电绝缘构成的功率电子电路装置(50)。
3.按照权利要求1所述的功率半导体模块，其特征在于，基片载体(40)设置于壳体(10)的一凹槽(12)中并且在侧面被壳体(10)包围，并且所述持久弹性的密封装置(30)设置在该凹槽(12)中。
4.按照权利要求1所述的功率半导体模块，其特征在于，至少一个接线元件(60)构成为弹簧接触装置。
5.按照权利要求1所述的功率半导体模块，其特征在于，密封装置(30)至少部分地包围基片载体(40)的固定装置(20)，而使所述固定装置(20)处在密封唇的密封区域之外。
6.用于制造一按照权利要求1所述的功率半导体模块(1)的方法，具有以下方法步骤：
由一机械稳定的第一塑料制成一壳体(10)，并且由一持久弹性的第二塑料制成一密封装置(30)；
将至少一个基片载体(40)设置在壳体(10)上；
借助于固定装置(20)使壳体(10)与基片载体(40)持久连接。
7.按照权利要求6所述的方法，其特征在于，固定装置(20)包括壳体(10)的各突出部，所述突出部延伸通过基片载体(40)的孔(42)，并且通过借助于对这些突出部(20)的末端的温度和/或超声波作用的变形制造一铆接。
8.按照权利要求6所述的方法，其特征在于，紧接着至少部分地用一电绝缘的浇注材料填满功率半导体模块(1)的内腔。
CN2008101300648A 2007-07-26 2008-07-24 包括用于基片载体的密封装置的功率半导体模块及其制造方法 Active CN101355061B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102007034848.9 2007-07-26
DE102007034848 2007-07-26

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101355061A CN101355061A (zh) 2009-01-28
CN101355061B true CN101355061B (zh) 2012-02-29

Family

ID=39967373

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2008101300648A Active CN101355061B (zh) 2007-07-26 2008-07-24 包括用于基片载体的密封装置的功率半导体模块及其制造方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US8053884B2 (zh)
EP (1) EP2019424B1 (zh)
JP (1) JP5135101B2 (zh)
CN (1) CN101355061B (zh)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102009037257B4 (de) * 2009-08-12 2014-07-31 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Leistungshalbleitermodul mit Schaltungsträger und Lastanschlusselement sowie Herstellungsverfahren hierzu
DE102011056848A1 (de) * 2011-12-22 2013-06-27 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Leistungshalbleitermodul oder Ansteuermodul hierfür
DE102012222015B4 (de) * 2012-11-30 2019-07-18 Infineon Technologies Ag Feuchtigkeitsdichtes Halbleitermodul und ein Verfahren zu dessen Herstellung
WO2017163638A1 (ja) * 2016-03-22 2017-09-28 富士電機株式会社 ケース、半導体装置、および、ケースの製造方法
DE102016110052B4 (de) * 2016-05-31 2018-10-04 Endress+Hauser SE+Co. KG Feldgerät mit einer gekapselten Leiterplatte sowie Verfahren zur Kapselung einer Leiterplatte eines solchen Feldgerätes

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6233153B1 (en) * 1994-11-08 2001-05-15 Temic Telefunken Microelectronic Gmbh Subassembly having a housing with an integral electrical plug unit
CN1921109A (zh) * 2005-08-24 2007-02-28 塞米克朗电子有限及两合公司 具有固定装置的功率半导体模块

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3521572A1 (de) 1985-06-15 1986-12-18 Brown, Boveri & Cie Ag, 6800 Mannheim Leistungshalbleitermodul mit keramiksubstrat
DE3915707A1 (de) 1989-05-13 1990-11-22 Asea Brown Boveri Kunststoffgehaeuse und leistungshalbleitermodul mit diesem gehaeuse
US5117279A (en) * 1990-03-23 1992-05-26 Motorola, Inc. Semiconductor device having a low temperature uv-cured epoxy seal
US5268758A (en) 1990-09-26 1993-12-07 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Horizontal line interpolation circuit and image pickup apparatus including it
US5461774A (en) * 1994-03-25 1995-10-31 Motorola, Inc. Apparatus and method of elastically bowing a base plate
FR2773942B1 (fr) * 1998-01-19 2000-04-21 Ferraz Composant electronique de puissance et son procede de fabrication
AU1074101A (en) * 1999-10-12 2001-04-23 Shielding For Electronics, Inc. Emi containment apparatus
DE10100460B4 (de) 2001-01-08 2006-06-01 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Leistungshalbleitermodul mit Gehäuse und Anschlußelementen
DE10139287A1 (de) 2001-08-09 2003-03-13 Bombardier Transp Gmbh Halbleitermodul
DE10340974A1 (de) 2003-09-05 2005-03-24 Robert Bosch Gmbh Steuergeräteeinheit und Verfahren zur Hestellung derselben
DE102005034689B4 (de) * 2005-07-25 2007-07-05 Siemens Ag Abdichtungsanordnung eines Piezoaktors in einem Kraftstoffinjektor

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6233153B1 (en) * 1994-11-08 2001-05-15 Temic Telefunken Microelectronic Gmbh Subassembly having a housing with an integral electrical plug unit
CN1921109A (zh) * 2005-08-24 2007-02-28 塞米克朗电子有限及两合公司 具有固定装置的功率半导体模块

Also Published As

Publication number Publication date
US8053884B2 (en) 2011-11-08
US20090039494A1 (en) 2009-02-12
EP2019424B1 (de) 2016-11-23
EP2019424A2 (de) 2009-01-28
JP5135101B2 (ja) 2013-01-30
CN101355061A (zh) 2009-01-28
JP2009033170A (ja) 2009-02-12
EP2019424A3 (de) 2009-12-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6466451B2 (en) Electric connection box
CN106463420B (zh) 电力用半导体装置及其制造方法
CN108242401B (zh) 用于制造电子模块组件的方法和电子模块组件
CN104425471B (zh) 半导体装置及半导体装置的制造方法
CN100517696C (zh) 具有半导体元件、绝缘基板和金属电极的半导体器件
CN102090156B (zh) 电子组件以及其制造方法
CN205452265U (zh) 电子功率模块
CN1988137B (zh) 半导体装置
CN100555627C (zh) 功率半导体模块
CN105190874B (zh) 半导体模块及半导体装置
CN101355061B (zh) 包括用于基片载体的密封装置的功率半导体模块及其制造方法
CN101996968B (zh) 带电路载体和负载连接件的功率半导体模块及其制造方法
CN104637832A (zh) 半导体装置及其制造方法
CN104517913A (zh) 半导体装置及其制造方法
CN109390297B (zh) 功率模块和包含该功率模块的功率转换系统
JP4848252B2 (ja) 端子要素を備えたパワー半導体モジュール
CN104637910A (zh) 半导体模块和其制造方法
CN207381382U (zh) 电力电子模块和电力电子元器件封装基板
CN103718389B (zh) 壳体插拔连接器以及带有壳体插拔连接器的壳体
CN101355060B (zh) 带有连接装置的功率半导体模块
CN101752333B (zh) 电力半导体模块
JP2015026791A (ja) 半導体装置及びリードフレーム
CN101388366B (zh) 包括连接的基片载体的功率半导体模块及其制造方法
CN107564882A (zh) 电路板构件和用于制造电路板构件的方法
US7672140B2 (en) Circuit board configuration

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant