CN101219427A - 基板处理装置 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 197
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 claims abstract description 18
- 239000003599 detergent Substances 0.000 claims description 48
- 239000007921 spray Substances 0.000 claims description 12
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 abstract description 44
- 239000007788 liquid Substances 0.000 abstract description 22
- 238000007664 blowing Methods 0.000 abstract description 11
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 5
- 238000005201 scrubbing Methods 0.000 description 26
- 235000014347 soups Nutrition 0.000 description 25
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 22
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 17
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 16
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 14
- 238000005755 formation reaction Methods 0.000 description 14
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 14
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 description 13
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 11
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 11
- 238000011010 flushing procedure Methods 0.000 description 11
- 230000008569 process Effects 0.000 description 11
- 230000007723 transport mechanism Effects 0.000 description 7
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 5
- 230000009471 action Effects 0.000 description 4
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 4
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000001427 coherent effect Effects 0.000 description 3
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 3
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 3
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000006978 adaptation Effects 0.000 description 2
- 239000003814 drug Substances 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000003550 marker Substances 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 239000002585 base Substances 0.000 description 1
- 230000001680 brushing effect Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 230000006837 decompression Effects 0.000 description 1
- 230000018044 dehydration Effects 0.000 description 1
- 238000006297 dehydration reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 239000003344 environmental pollutant Substances 0.000 description 1
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 1
- 239000012634 fragment Substances 0.000 description 1
- FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisilazane Chemical compound C[Si](C)(C)N[Si](C)(C)C FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010422 painting Methods 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 231100000719 pollutant Toxicity 0.000 description 1
- 239000002516 radical scavenger Substances 0.000 description 1
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 230000008719 thickening Effects 0.000 description 1
- 238000012800 visualization Methods 0.000 description 1
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67046—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly scrubbing means, e.g. brushes
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67703—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
- H01L21/67706—Mechanical details, e.g. roller, belt
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
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Abstract
本发明提供一种基板处理装置,在被处理基板的洗净处理中,防止异物向洗净处理后的基板再附着,有效地进行洗净处理,同时实现提高生产量和低成本化。在使用洗净液进行被处理基板的洗净处理的基板处理装置中,具有:形成有以仰面朝上的姿势搬送被处理基板的搬送路径,通过搬送路径搬送基板的搬送单元;和向搬送的基板的上面供给洗净液的洗净喷嘴,其中搬送路径具有以水平状态搬送基板的水平部、和从所述水平部形成规定角度的向上倾斜的倾斜部,洗净喷嘴配置在倾斜部的上方,洗净液的喷出方向为相对于水平方向向下方倾斜规定角度的方向、并且为搬送路径的上游方向,向在倾斜部上搬送的基板的倾斜面喷出洗净液。
Description
技术领域
本发明涉及在光刻工序中对被处理基板实施洗净处理的基板处理装置。
背景技术
例如在FPD(平面面板显示器)的制造中,在作为被处理基板的LCD基板上形成规定的膜之后,涂布作为处理液的光致抗蚀剂(以下称抗蚀剂)形成抗蚀剂膜,与电路图案相对应曝光抗蚀剂膜,这叫做显影处理,所谓的通过光刻工序形成电路图案。
但是,在实施该光刻工序的抗蚀剂涂布显影处理系统中,作为能够有利地与LCD基板的大型化对应的显影方式,所谓的平流方式受到重视。该平流方式为在由搬送辊和搬送带沿水平方向敷设而成的搬送路径上搬送LCD基板,同时在搬送中进行显影、冲洗等、干燥等的一系列的显影处理工序。
现有的平流方式为,在搬送路径上以水平状态将LCD基板从上游端的搬入部搬送至下游端的搬出部,配置在搬送路径的上方或下方或者旁边的多个工具对在搬送路径上移动中或暂时停止中的基板实施各阶段的工序处理(参照专利文献1)。
例如,在刷洗洗净单元中,通过沿着搬送路径配置的刷洗洗净部、吹风洗净部、冲洗处理部、干燥处理部,对在搬送路径上以水平姿势搬送的LCD基板进行去除基板上的异物等的洗净处理。
此时,在刷洗洗净部中从基板表面擦掉的异物,紧接着通过吹风洗净部的空气吹风处理、冲洗处理部的冲洗液喷淋处理将其从基板上洗掉。
专利文献1:日本特开2003-83675号公报
但是,在上述的刷洗洗净单元中,在刷洗洗净部中,如图5所示,沿着由搬送滚子201敷设而成的搬送路径202,以例如吹拂器203、第一洗净喷嘴204、辊刷205、第二洗净喷嘴206的顺序配置。即,搬送到该刷洗洗净部200的LCD基板G,首先,通过从吹拂器203喷吹的送风将其吹风洗净,在从第一洗净喷嘴204喷吹洗净水之后,通过辊刷205擦掉基板G上的异物。然后,将从基板G上擦掉的异物通过从第二洗净喷嘴206喷出的洗净液洗掉。
但是,在现有的平流方式中,对水平姿势的LCD基板G从洗净喷嘴喷出洗净液,如图6所示,在基板上的喷嘴正下方洗净液L不流动停留下来,存在基板上的洗净液L的厚度过厚的可能性。
即,存在当基板上的洗净液L的厚度变厚时,从洗净喷嘴204、206喷出的洗净液L对基板表面的洗净压降低,同时新的洗净液无法到达基板表面,洗净能力降低的课题。
另外,存在向基板上供给的洗净液在包含异物的状态下残留在基板上,在基板干燥处理后异物再附着在基板G上的课题。
另外,存在为了防止这样的异物的再附着,即使使洗净喷嘴的洗净时间、次数增加,不仅搬送路径和处理时间增长、生产量降低,而且成本变高的课题。
发明内容
本发明就是为了解决上述课题而提出的,其目的在于提供一种在被处理基板的洗净处理中,不但能够防止向洗净处理后的基板再附着异物,而且能够有效地进行洗净处理,同时实现提高生产量和低成本化的基板处理装置。
为了解决上述课题,本发明涉及的基板处理装置,使用洗净液进行被处理基板的洗净处理,其特征在于,具有:形成以仰面朝上的姿势搬送被处理基板的搬送路径,通过上述搬送路径沿规定方向搬送上述被处理基板的搬送单元;和向在上述搬送路径上搬送的上述被处理基板的上面供给洗净液的洗净喷嘴,其中,上述搬送路径具有以水平状态搬送上述被处理基板的水平部、和从上述水平部形成规定角度的向上倾斜的倾斜部,上述洗净喷嘴配置在上述倾斜部的上方,洗净液的喷出方向为相对于水平方向向下方倾斜规定角度的方向、并且为上述搬送路径的上游方向,向在上述倾斜部上搬送的上述基板的倾斜面喷出洗净液。
另外,优选上述搬送路径通过敷设多个搬送滚子而形成,上述倾斜部通过使并列设置的上述多个搬送滚子的高度位置沿搬送方向分阶段地增高而形成。
通过这样的构成,在喷嘴正下方滴下的洗净液能够立即向基板后方流动,因此能够使喷嘴正下方的液体厚度变薄,其结果,能够防止从喷嘴喷出滴下的洗净液的压力(洗净压力)降低,同时能够使新的液体可靠地接触到基板表面。
另外,能够使向基板上供给的洗净液与异物一起流向基板后方,因为没有液体的残留,所以能够解决异物的再附着的课题。
另外,通过设置倾斜部,能够提高如上所述的洗净效率,同时能够实现搬送路径的缩短,因此能够得到提高生产量、低成本化的效果。
另外,上述搬送路径具有从该搬送路径的上游侧向下游侧依次连续形成的第一倾斜部和第二倾斜部,在上述第一倾斜部和第二倾斜部的上方设置有分别向搬送的上述基板的倾斜面喷出洗净液的第一洗净喷嘴和第二洗净喷嘴,优选上述第二倾斜部的顶点相对于上述水平部的高度尺寸形成为比上述第一倾斜部的顶点的高度尺寸高。
根据这样的构成,与上游侧的第一倾斜部相比,下游侧的第二倾斜部更长,因此从第二洗净喷嘴向基板上供给的洗净液能够猛力有效地向基板后端流动,能够使洗净液不残留在基板上,进行洗净处理。
另外,优选进行控制,使得上述第二洗净喷嘴喷出的洗净液的喷出量比上述第一洗净喷嘴喷出的洗净液的喷出量多。
另外,根据这样的构成,假设从第一洗净喷嘴供给的洗净液残留在基板上,其后通过从第二洗净喷嘴供给更多量的洗净液,能够将其全部从基板上洗掉。
发明效果
根据本发明,在被处理基板的洗净处理中,可以得到能够防止向洗净处理后的基板再附着异物,能够有效地进行洗净处理,同时能够实现提高生产量和低成本化的基板处理装置。
附图说明
图1为能够适用于本发明涉及的基板处理装置的涂布显影处理系统的平面图。
图2为表示图1的涂布显影处理系统的基板处理的流程的流程图。
图3为表示图1的涂布显影处理系统所具有的刷洗洗净单元的主要部分的构成的概略截面图。
图4为模式地表示图3的刷洗洗净单元的刷洗洗净部的构成的图。
图5为表示现有的刷洗洗净部的构成的概略截面图。
图6为图5的刷洗洗净部的主要部分放大图。
符号说明
10涂布显影处理系统(基板处理装置)
32搬送路径
36刷洗洗净单元
80隆起部(第一隆起部)
80a向上倾斜部(第一倾斜部)
81隆起部(第二隆起部)
81a向上倾斜部(第二倾斜部)
102刷洗洗净部
111搬送滚子(搬送单元)
114药液供给喷嘴(第一洗净喷嘴)
115辊刷
116洗净喷嘴(第二洗净喷嘴)
130药液供给单元
131洗净液供给单元
132控制器
G LCD基板(被处理基板)
具体实施方式
以下,根据附图对本发明的实施方式进行说明。图1为能够适用于本发明的基板处理装置的涂布显影处理系统的平面图。
该涂布显影处理系统10设置在净化室内,例如将LCD用的玻璃基板设为被处理基板,在LCD制造工艺中进行光刻工序中的洗净、抗蚀剂涂布、预烘焙、显影和后烘焙等一系列的处理。在与该系统邻接设置的外部曝光装置12中进行曝光处理。
涂布显影处理系统10在中心部配置有横长的工艺站(processstation)(P/S)16,在其长度方向(X方向)两端部配置有盒站(cassettestation)(C/S)14和接口站(interface station)(I/F)18。
盒站(C/S)14具有:为将以多层层叠的方式收容有多个基板G的盒C进行搬入搬出的通道,能够在水平方向(Y方向)上并列载置4个盒C的盒台20;和将基板G相对于该台20上的盒C搬入搬出的搬送机构22。搬送机构22具有能够保持基板G的单元例如搬送臂22a,并且能够在X、Y、Z、θ的4个轴上进行动作,能够与邻接的工艺站(P/S)16侧之间进行基板G的交接。
按照工艺流程或工序的顺序,将工艺站(P/S)16的各处理部配置在沿着水平系统的长度方向(X方向)延伸的平行并且反向的一对线路A、B上。
更详细地说,以洗净工艺部24、第一热处理部26、涂布工艺部28和第二热处理部30的顺序并且以单列的方式将这些部件配置在从盒站(C/S)14侧到接口站(I/F)18侧的上游部的工艺线路A上。在此,洗净工艺部24沿着第一平流搬送路径32从上游侧开始依次设置有准分子UV照射单元(e-UV)34和能够适用于本发明的刷洗洗净单元(SCR)36。第一热处理部26沿第一平流搬送路径32从上游侧开始依次地设置有粘附单元(AD)40和冷却单元(COL)42。
涂布工艺部28包括抗蚀剂涂布单元(CT)44和减压干燥单元(VD)46,具有用于在第一平流搬送路径32和抗蚀剂涂布单元(CT)44之间,两单元44、46之间,以及减压干燥单元(VD)46和第二平流搬送路径48之间沿工艺线路A的方向传送基板G的搬送机构(图中未示)。第二热处理部30沿着第二平流搬送路径48从上游侧开始依次地设置有预烘焙单元(PREBAKE)50和冷却单元(COL)52。
另一方面,以显影单元(DEV)54、i射线UV照射单元(i-UV)56、后烘焙单元(POBAKE)58、冷却单元(COL)60和检查单元(AP)62的顺序并且以单列的方式将这些部件配置在从接口站(I/F)18侧至盒站(C/S)14侧的下游部的工艺线路B上。这些单元54、56、58、60、62沿着第三平流搬送路径64从上游侧开始以此顺序设置。另外,后烘焙单元(POBAKE)58和冷却单元(COL)60构成第三热处理部59。
在两工艺线路A、B之间设置有辅助搬送空间66,能够以一个为单位水平地载置基板G的往复移动装置(shuttle)68能够通过图中未示的驱动机构沿工艺线路方向(X方向)双方向移动。
接口站(I/F)18具有用于与上述第二和第三平流搬送路径48、64进行基板G的交接的搬送装置70,和用于与邻接的曝光装置12进行基板G的交接的搬送装置72,在那些的周围配置有缓冲台(BUF)74、延伸冷却台(EXT·COL)76和周边装置78。
在缓冲台(BUF)74上安置有定置型的缓冲盒(图中未示)。延伸冷却台(EXT·COL)76为具有冷却功能的基板交接用的台,在两搬送装置70、72之间进行基板G交接时使用。周边装置78例如为上下层叠标记器(TITLER)和周边曝光装置(EE)的构成即可。各搬送装置70、72具有能够保持基板G的搬送臂70a、72a,为了基板G的交接能够接近邻接的各部。
图2表示该涂布显影处理系统10中的一个基板G的处理过程。首先,在盒站(C/S)14中,搬送机构22从台20上的任一个盒C中取出一个基板G,并将该取出的基板G以仰面朝上的姿势(基板的被处理面朝上)搬入到工艺站(P/S)16的工艺线路A侧的搬入部即第一平流搬送路径32的起点(图2的步骤S1)。
这样,将基板G以仰面朝上的姿势从第一平流搬送路径32上搬送到工艺线路A的下游侧。在最初阶段的洗净工艺部24中,通过准分子UV照射单元(e-UV)34和刷洗洗净单元(SCR)36,对基板G依次实施紫外线洗净处理和刷洗洗净处理(步骤S2、S3)。
在刷洗洗净单元(SCR)36中,通过对在平流搬送路径32上移动的基板G实施刷洗(brushing)洗净和吹风(blow)洗净,从基板表面除去颗粒状污垢(异物),其后,实施冲洗(rinse)处理,最后,利用吹拂器等使基板G干燥。
另外,能够在本发明中适当地使用该刷洗洗净单元(SCR)36,因此,在后面对其构成和作用效果进行详细地阐述。
当刷洗洗净单元(SCR)36的一系列洗净处理完成时,则顺着第一平流搬送路径32使基板G原封不动地通过第一热处理部26。
在第一热处理部26中,将基板G搬入到粘附单元(AD)40中时,首先,接受加热的脱水烘焙处理,除去水分。接着,使用蒸气状的HMDS对基板G实施粘附处理,使被处理面疏水化(步骤S4)。在该粘附处理完成之后,在冷却单元(COL)42中将基板G冷却至规定的基板温度(步骤S5)。此后,从第一平流搬送路径32的终点(搬出部),将基板G搬入到涂布工艺部28内的搬送机构。
在涂布工艺部28中,最初基板G在抗蚀剂涂布单元(CT)44中使用狭缝喷嘴利用旋涂法对基板上面(被处理面)涂布抗蚀剂液,之后在下游侧相接的减压干燥单元(VD)46中接受通过减压进行的干燥处理(步骤S6)。
之后,通过涂布工艺部28内的搬送机构将基板G传送到第二平流搬送路径48的起点(搬入部)。将基板G在第二平流搬送路径48上以仰面朝上的姿势搬送到工艺线路A的下游侧,通过第二热处理部30。
在第二热处理部30中,最初基板G在预烘焙单元(PREBAKE)50中接受作为抗蚀剂涂布后的热处理或曝光前的热处理的预烘焙(步骤S7)。通过该预烘焙,蒸发除去残留在基板G上的抗蚀剂膜中的溶剂,增强抗蚀剂膜相对于基板的密合性。然后,在冷却单元(COL)52中将基板G冷却至规定的基板温度(步骤S8)。然后,将基板G从第二平流搬送路径48的终点(搬出部)引领至接口站(I/F)18的搬送装置70。
在接口站(I/F)18中,将基板G从延伸冷却台(EXT·COL)76搬入到周边装置78的周边曝光装置(EE),在此处接受用于在显影时除去附着在基板G的周边部上的抗蚀剂的曝光之后,被传送到相邻的曝光装置12(步骤S9)。
在曝光装置12中,在基板G上的抗蚀剂上曝光出规定的电路图案。然后,对于完成图案曝光的基板G,若从曝光装置12返回到接口站(I/F)18,则首先将其搬入到周边装置78的标记器(TITLER),在此处将规定的信息记录在基板上的规定部位上(步骤S10)。
然后,将基板G返回到延伸冷却台(EXT·COL)76。通过搬送装置70、72进行接口站(I/F)18的基板G的搬送和与曝光装置12的基板G的交接。最后,将基板G通过搬送装置70搬入到敷设在工艺站(P/S)16的工艺线路B侧的第三平流搬送路径64的起点(搬入部)。
这样,此次以仰面朝上的姿势从第三平流搬送路径64上向工艺线路B的下游侧搬送基板G。在最初的显影单元(DEV)54中,基板G在平流搬送的期间被实施显影、冲洗、干燥一系列的显影处理(步骤S11)。
在显影单元(DEV)54中完成一系列显影处理的基板G原封不动地通过放置在第三平流搬送路径64上的下游侧附近的i射线照射单元(i-UV)56,在此接收i射线照射的脱色处理(步骤S12)。然后,基板G依次通过放置在第三平流搬送路径64上的第三热处理部59和检查单元(AP)62。在第三热处理部59中,基板G最初在后烘焙单元(POBAKE)58中作为显影处理后的热处理,接受后烘焙处理(步骤S13)。通过该后烘焙来蒸发除去在基板G上的抗蚀剂膜上残留的显影液和洗净液,增强抗蚀剂图案相对于基板的密合性。
接着,在冷却单元(COL)60中将基板G冷却至规定的基板温度(步骤S14)。在检查单元(AP)62中,对基板G上的抗蚀剂图案进行非接触的线宽度检查和膜质·膜厚检查等(步骤S15)。
然后,在盒站(C/S)14侧,搬送机构22从第三平流搬送路径64的终点(搬出部)接收完成涂布显影处理的全部工序的基板G,并将接收的基板G收容在任意一个(通常为原来的盒)盒C中(返回到步骤S1)。
在该涂布显影处理系统10中,如上所述,设置在第一平流搬送路径32上的刷洗洗净单元(SCR)36能够适用于本发明。
以下,根据图3和图4,对本发明的一实施方式的刷洗洗净单元(SCR)36的构成和作用进行详细地说明。
图3为表示该实施方式的刷洗洗净单元(SCR)36的主要部分的构成的概略截面图。图4为模式地表示该刷洗洗净单元(SCR)36的刷洗洗净部的构成的图。
沿着如图所示的水平方向(X方向)延伸的平流搬送路径32,从上游侧依次设置有搬入部101、刷洗洗净部102、吹风洗净部103、冲洗部104、干燥部105和搬出部106。另外,搬送路径32由敷设多个搬送滚子111(搬送单元)而成,通过图中未示的驱动单元(搬送单元)使搬送滚子111沿搬送方向旋转,并平流搬送基板G。
首先,对该刷洗洗净单元(SCR)36的各处理部的概略构成进行说明。
在搬入部101的顶部上安装有以直流方式供给清洁空气的送风过滤单元(FFU)112。
另外,在刷洗洗净部102内沿搬送路径32从上游侧依次配置有气帘喷嘴113、药液供给喷嘴114(第一洗净喷嘴)、辊刷115和洗净喷嘴116(第二洗净喷嘴)。
另外,配置气帘喷嘴113,使得向着搬送方向的下游侧对通过正下方的基板G的上面喷出细缝状的空气流。另外,其它的刷洗洗净部102内的药液供给喷嘴114、洗净喷嘴116、搬送滚子111等的配置、动作控制等为本发明的特征涉及的部分,在后面进行阐述。
另外,在吹风洗净部103内设置有在搬送路径32的上方作为吹风洗净用喷嘴例如2流体喷射喷嘴119。
在冲洗部104内,在搬送路径32的上方设置有冲洗喷嘴123。
在干燥部105内,在搬送路径32的上方设置有吹拂器126。
另外,也可以使冲洗喷嘴123和吹拂器126夹着搬送路径32设置在其左右两侧。另外,也可以在吹风洗净部103上也设置从搬送路径32的下方向基板G的下面(背面)吹出洗净用的冲洗液的下部冲洗喷嘴(图中未示)。
另外,在搬出部106的顶部上安装有以直流方式供给清洁空气的送风过滤单元(FFU)129。
另外,在相邻接的处理部之间,除了平流搬送路径32以外,分别设置有隔壁140、141、142、143、144。
另外,在处理液体的处理部102、103、104、105内分别设置有用于收集从搬送路径32的下方落下的液体的盘(pan)117、120、124、127。在各盘的底面上分别设置有排水口,各排水口分别与落下的液体的回收系统或排液系统的配管118、122、125、128连接。
另外,在位于刷洗洗净单元(SCR)36的中心部的吹风洗净部103内的底部设置有与例如具有排气泵或排气风扇的排气机构(图中未示)相通的排气口121。
接着,对刷洗洗净部102内的药液供给喷嘴114、洗净喷嘴116、搬送滚子111等的配置、动作控制等进行说明。
如图3、图4所示,在刷洗洗净部102内,在搬送路径32上例如形成有两个隆起部80、81。在这些隆起部80、81上分别形成沿搬送方向向上倾斜的向上倾斜部80a(第一倾斜部)、81a(第二倾斜部),但在该向上倾斜部80a、81a上,以阶段地增高的方式配置并列敷设的搬送滚子111的高度位置。
即,如图4所示,隆起部80的向上倾斜部80a,以相对于水平轴H(水平部)倾斜规定角度θ1(优选2°~5°)的方式配置搬送滚子111a、111b、111c,向下倾斜是以搬送滚子111c为顶点,配置搬送滚子111d、111e。
另外,隆起部81的向上倾斜部81a,以水平轴H上的搬送滚子111e为起点,以相对于水平轴H倾斜角度θ1的方式配置搬送滚子111f、111g,向下倾斜是以搬送滚子111g为顶点,配置搬送滚子111h、111i。
另外,药液供给喷嘴114,配置在隆起部80的向上倾斜部80a的上方,其喷出方向为相对于水平方向向下方倾斜规定角度θ2(优选35°~45°)的方向、并且为搬送路径32的上游方向。另外,在隆起部80的向上倾斜部80a上搬送的基板G与喷嘴喷出口之间的距离尺寸h1优选为20~30mm。
另外,洗净喷嘴116,配置在隆起部81的向上倾斜部81a的上方,其喷出方向为相对于水平方向向下方倾斜规定角度θ2(优选35°~45°)的方向、并且为搬送路径32的上游侧方向。另外,在隆起部81的向上倾斜部81a上搬送的基板G与喷嘴喷出口之间的距离尺寸h1,与药液供给喷嘴114相同,为20~30mm。
作为通过辊刷115进行处理之前所涂布的药液(洗净液),例如将酸或碱系药液从第一液体供给单元130供给到药液供给喷嘴114,将药液以规定的喷出压力喷出到基板G的表面。
另外,作为冲洗通过刷子擦掉的异物的洗净液,例如将纯水从第二液体供给单元131供给到洗净喷嘴116,将药液以规定的喷出压力喷出到基板G的表面。
另外,通过作为控制单元的控制器132对第一液体供给单元130和第二液体供给单元131进行动作控制,对在各自对应的喷嘴的喷出时刻、液体供给量等进行控制。
另外,更优选位于下游侧的隆起部81(向上倾斜部81a的顶点)相对于水平轴H的高度尺寸h3构成为比上游侧的隆起部80(向上倾斜部80a的顶点)相对于水平轴H的高度尺寸h2高。
如此,与上游侧的向上倾斜部80a相比,下游侧的向上倾斜部81a更长,因此从洗净喷嘴116供给到基板G上的洗净液能够猛力有效地向基板后端流动,能够使洗净液不残留在基板上,进行洗净处理。
另外,优选通过控制器132进行控制,使通过第二液体供给单元131从洗净喷嘴116喷出的洗净液的量比通过第一液体供给单元130从药液供给喷嘴114喷出的药液的量多。
如此,即使从药液供给喷嘴114供给的药液残留在基板上,其后通过从洗净喷嘴116供给的大量的洗净液,也能够将药液从基板G上全部洗掉。
在这样构成的刷洗洗净单元36(SCR)中,将已实施准分子UV照射处理的基板G,首先如图3所示通过搬入部101搬入到刷洗洗净部102内。
在刷洗洗净部102中,被搬送的基板G的前端即将到达隆起部80的向上倾斜部80a之前,开始由药液供给喷嘴114喷出药液,在基板上,从其前端遍及后端供给药液。
在此,如图4所示,将从药液供给喷嘴114喷出的药液滴下到隆起部80的向上倾斜部80a(朝向搬送路径的上游侧),因此基板上的药液由自重向后方流动。即,通过药液在基板上溶出的异物与药液一起向基板G的后方流下去。
另外,因为在基板上滴下的药液立即向基板后方流动,所以喷嘴正下方的液体的厚度变薄,其结果,从喷嘴喷出的药液滴下时的压力(洗净压力)增高,同时能够使新的液体可靠地接触到基板表面,因此能够有效地进行基板洗净。
通过药液供给喷嘴114进行洗净之后,将基板G在辊刷115的下方一边刷洗一边通过。辊刷115以图中未示的刷驱动部的旋转驱动力沿与搬送方向相对的方向旋转,擦掉基板表面的异物(灰尘、碎片、污染物等)。
将通过辊刷115擦掉的异物通过紧接其后从洗净喷嘴116向基板上喷出供给的洗净水从基板G上流下。
即,被搬送的基板G的前端即将到达隆起部81的向上倾斜部81a之前,开始由洗净喷嘴116喷出洗净液,在基板上,从其前端遍及后端供给药液。
在此,如图4所示,从洗净喷嘴116喷出的洗净液滴下到隆起部81的向上倾斜部81a(朝向上游侧),基板上的洗净液由自重向后方流动。即,通过辊刷115擦掉的异物与洗净液一起有效地向基板后方流下去,从基板G除去。
另外,因为在基板上滴下的洗净液立即向基板后方流动,所以喷嘴正下方的液体的厚度变薄,其结果,从喷嘴喷出的洗净液滴下时的压力(洗净压力)增高,所以能够使新的液体可靠地接触到基板表面,能够有效地进行基板洗净。
另外,在刷洗洗净部102内从基板G或搬送路径32的下方落下的液体被收集到盘117。
之后,基板G进入吹风洗净部103,通过2流体喷射喷嘴119进行吹风洗净。该2流体喷射喷嘴119将加压的洗净液(例如水)和加压的气体(例如氮气)的混合流体喷射到基板上,以加压2流体的非常强的冲击力将附着或残存在基板G的表面的异物除去。
在冲洗部104中,冲洗喷嘴123将最终洗净用的冲洗液供给到在搬送路径32上搬送的基板G。供给到基板G上的冲洗液在基板上向基板后端侧流动,其大部分落入冲洗部104内的盘124内。
将在冲洗部104中进行过冲洗洗净的基板G搬入干燥部105,在此通过吹拂器126进行干燥处理。即,吹拂器126沿与搬送方向相反的方向向基板G吹出高压气体流,由此将残留在基板G上的冲洗液向基板后方汇集,从基板后端流出(清除完液体)。
然后,将在干燥部105中清除完液体的基板G从搬出部106搬出,其后搬入到粘附单元(AD)40。
如上所述,根据本发明的基板处理装置的实施方式,在进行基板洗净的刷洗洗净部102内,隆起部80、81连接设置在搬送路径32,以使洗净液滴下在各自的向上倾斜部80a、81a上(朝向上游侧)的方式配置喷嘴。由此,能够使供给到基板上的洗净液与异物一起向基板后方流动,不残留液体,因此能够解决异物的再附着的课题。
另外,因为在喷嘴正下方滴下的洗净液立即向基板后方流动,所以能够使喷嘴正下方的液体厚度变薄,其结果,能够防止从喷嘴喷出并滴下的洗净液的压力(洗净压力)的降低,能够有效地进行基板洗净。
另外,通过设置向上倾斜部80a、81a,如上所述能够提高洗净效率,同时能够实现搬送路径32的缩短,因此能够得到提高生产量、低成本化的效果。
另外,本发明的被处理基板并不限定于LCD基板,也可以为平面面板显示器用的各种基板、半导体晶片、CD基板、玻璃基板、光掩模、印制基板等。
产业上的可利用性
本发明能够适用于对LCD基板等实施洗净处理的基板处理装置,能够在半导体制造业界、电子装置制造业界等中适当地使用。
Claims (4)
1.一种基板处理装置,使用洗净液进行被处理基板的洗净处理,其特征在于,具有:
形成有以仰面朝上的姿势搬送被处理基板的搬送路径,由所述搬送路径沿规定方向搬送所述被处理基板的搬送单元;和
向在所述搬送路径上搬送的所述被处理基板的上面供给洗净液的洗净喷嘴,其中,
所述搬送路径具有以水平状态搬送所述被处理基板的水平部、和从所述水平部形成规定角度的向上倾斜的倾斜部,
所述洗净喷嘴配置在所述倾斜部的上方,洗净液的喷出方向为相对于水平方向向下方倾斜规定角度的方向、并且为所述搬送路径的上游方向,
向在所述倾斜部上搬送的所述基板的倾斜面喷出洗净液。
2.如权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于:
所述搬送路径通过敷设多个搬送滚子而形成,
所述倾斜部通过使并列设置的所述多个搬送滚子的高度位置沿搬送方向分阶段地增高而形成。
3.如权利要求1或2所述的基板处理装置,其特征在于:
所述搬送路径具有从该搬送路径的上游侧向下游侧依次连续形成的第一倾斜部和第二倾斜部,
在所述第一倾斜部和第二倾斜部的上方分别设置有向搬送的所述基板的倾斜面喷出洗净液的第一洗净喷嘴和第二洗净喷嘴,
所述第二倾斜部的顶点相对于所述水平部的高度尺寸形成为比所述第一倾斜部的顶点的高度尺寸高。
4.如权利要求3所述的基板处理装置,其特征在于:
进行控制,使得所述第二洗净喷嘴喷出的洗净液的喷出量比所述第一洗净喷嘴喷出的洗净液的喷出量多。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006344034A JP2008159663A (ja) | 2006-12-21 | 2006-12-21 | 基板処理装置 |
JP2006344034 | 2006-12-21 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN101219427A true CN101219427A (zh) | 2008-07-16 |
Family
ID=39629651
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CNA2007101597452A Pending CN101219427A (zh) | 2006-12-21 | 2007-12-21 | 基板处理装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2008159663A (zh) |
KR (1) | KR20080058227A (zh) |
CN (1) | CN101219427A (zh) |
TW (1) | TWI360836B (zh) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013026490A (ja) * | 2011-07-22 | 2013-02-04 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置 |
JP2013045877A (ja) * | 2011-08-24 | 2013-03-04 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置 |
KR20160026302A (ko) | 2014-08-29 | 2016-03-09 | 삼성전자주식회사 | 기판 처리 장치 및 집적회로 소자 제조 장치와 기판 처리 방법 및 집적회로 소자 제조 방법 |
JP6157694B1 (ja) * | 2016-06-28 | 2017-07-05 | 株式会社荏原製作所 | 洗浄装置、これを備えためっき装置、及び洗浄方法 |
TWI629116B (zh) * | 2016-06-28 | 2018-07-11 | 荏原製作所股份有限公司 | 清洗裝置、具備該清洗裝置之鍍覆裝置、以及清洗方法 |
-
2006
- 2006-12-21 JP JP2006344034A patent/JP2008159663A/ja active Pending
-
2007
- 2007-12-19 TW TW096148785A patent/TWI360836B/zh not_active IP Right Cessation
- 2007-12-20 KR KR1020070134201A patent/KR20080058227A/ko not_active Withdrawn
- 2007-12-21 CN CNA2007101597452A patent/CN101219427A/zh active Pending
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CN110190015A (zh) * | 2019-06-27 | 2019-08-30 | 西安奕斯伟硅片技术有限公司 | 一种晶圆清洗装置及晶圆清洗方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20080058227A (ko) | 2008-06-25 |
TWI360836B (en) | 2012-03-21 |
JP2008159663A (ja) | 2008-07-10 |
TW200842940A (en) | 2008-11-01 |
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C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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