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CN101201516B - 增大开口率的lcd - Google Patents

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CN101201516B CN2007101936733A CN200710193673A CN101201516B CN 101201516 B CN101201516 B CN 101201516B CN 2007101936733 A CN2007101936733 A CN 2007101936733A CN 200710193673 A CN200710193673 A CN 200710193673A CN 101201516 B CN101201516 B CN 101201516B
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Abstract

本发明公开了一种具有增大的开口率的液晶显示器(LCD)，该液晶显示器包括绝缘衬底、半导体、栅绝缘层、栅极线、层间绝缘层、数据线、漏电极、钝化层和像素电极。半导体形成在绝缘衬底上并且包括源区、漏区和沟道区。栅极线形成在半导体上的栅绝缘层上，并且与沟道区重叠。数据线形成在层间绝缘层上，并且具有电连接到源区的源电极和电连接到漏区的漏电极。钝化层形成在数据线和漏电极上。像素电极形成在钝化层上，并且电连接到漏电极。数据线与漏区重叠。

Description

增大开口率的LCD
技术领域
概而言之，本发明涉及一种显示面板，特别涉及一种具有增大的开口率(aperture ratios)的液晶显示器(LCD)的显示面板。
背景技术
LCD构成广泛应用的多种类型的平板显示器(FPDs)中的一种，并且典型地包括两个显示面板，所述显示面板上分别形成场产生电极(fieldgenerating electrode)(例如像素电极和公共电极)，在两个显示面板之间设置液晶材料层。电压施加到场产生电极以在液晶层中产生电场，该电场确定其间的液晶层的分子的方向，由此控制通过面板的光的偏振(polarization)，以便显示图像。
在多种可以见到的LCD之中，一种有利的类型被称为垂直取向(vertical alignment，VA)模式LCD，因为当没有对电极施加电场时，液晶分子的纵向轴的取向与上、下显示面板垂直。因为该显示器的对比度(contrast ratio)较大，并且能够使得具有较大基准视角(reference viewingangle)的LCD的制造变得简单，因此近来这种VA模式LCD受到更多的关注。
VA模式的LCD与其它类型的LCD都具有共同的缺点，即，相对窄的视角。已经提出了各种方法来克服该缺陷。例如，一种方法包括相对于上、下衬底垂直地布置液晶分子，然后在像素电极和面向像素电极的电极内形成切除图案(cutout pattern)。在另一种方法中，像素电极被分成多个子电极。
然而，如果在像素电极内形成切除图案，像素的开口率与切除图案的面积成比例地减小。另外，如果在像素内形成子电极，由于用于将子电极相互电连接的连接件的存在，像素的开口率同样会减小。
发明内容
根据这里公开的示例性实施例，提供了具有更高亮度的LCD，其中亮度的改进是通过将LCD的开口率的减小量最小化来实现的，另外采取上述方案来增大视角。
在一示例性实施例中，LCD包括第一绝缘衬底、半导体、栅绝缘层、栅极线、层间绝缘层、数据线、漏电极、钝化层、和像素电极。
半导体形成绝缘衬底上，并包括源区、漏区和沟道区。栅绝缘层形成在半导体上。栅极线形成在栅绝缘层上，并且与沟道区重叠。层间绝缘层形成在栅极线上。数据线形成在层间绝缘层上并且具有电连接到源区的源电极。漏电极电连接到漏区。钝化层形成在数据线和漏电极上。像素电极形成在钝化层上，并且电连接到漏电极。数据线与漏区重叠。
源电极可以与源区重叠。栅极线可以包括从栅极线突出的栅电极，并且沟道区可以包括与栅极线重叠的第一沟道区和与栅电极重叠的第二沟道区。半导体可以包括一个或多个弯曲，并且可以由多晶硅制成。
像素电极可以包括多个子电极，每个子电极为具有圆角的四边形形状，所述像素电极可以与其它多个像素电极一起以矩阵形式排列，并且可以跨过相邻像素行的像素电极，从而三个相邻的像素电极形成三元像素区，并且可以形成半导体，延伸通过两个相邻的三元像素区。每个三元像素区可以由两个横向相邻的像素电极的两个角和垂直相邻的像素电极的一个边界定。
液晶显示器可以进一步包括面对第一绝缘衬底设置的第二衬底、形成在第二衬底上的光阻件、形成在由光阻件所限定区域内的滤色器、以及形成在滤色器上的具有多个切除区的公共电极。
光阻件可以具有对应于各个三元像素区的光阻区，并且公共电极的每个切除区可以对应于子电极中的对应一个的中心。对应于每个三元像素区的三像素电极中的各个的滤色器可以分别显示红、绿或者蓝。
根据这里公开的示例性实施例，显示器开口率的减小被最小化，这是由于在显示器内实施视角增大特征而产生，由此提高了显示器的开口率。对于本发明的新型高亮度的LCD上面的和很多其它的特征和优点的更好的理解，可以通过考虑下面的它的一些示例性实施例的详细说明来获得，特别是该考虑是结合附图进行的，其中在一个或多个图中所示的相同的附图标记用于代表相同的部件。
附图说明
图1是根据本发明的LCD的示例性的实施例的局部平面视图，显示了其中的一组示例像素；
图2是图1的LCD的薄膜晶体管(thin film transistor，TFT)阵列面板的示例性的实施例的局部平面视图；
图3是图1的LCD的公共电极面板的示例性的实施例的局部平面视图；
图4是当沿截取的区域IV-IV的线观看时、图1的LCD的局部横截面视图；
图5是根据本发明的TFT阵列面板的另一个示例性的实施例的局部平面视图；以及
图6是当沿截取的区域VI-VI的线观看时、图5的TFT阵列面板的局部横截面视图。
具体实施方式
下面参考附图，对本发明进行更全面的说明，其中显示了本发明的示例性实施例。本领域的普通技术人员应该理解的是，在不背离本发明的精神或范围的前提下，可以以各种方式对说明的实施例进行改变。
为了清楚起见，图中的层、薄膜、面板、区等的厚度可以被夸大。整个说明书中相同的附图标记表示相同的部件。另外，应该理解的是，当元件(例如层、薄膜、区域或衬底等)被描述为在另一个元件“上”时，这意味着第一元件可以直接设置在另一个元件上，或者可选地，也可以存在插入元件。相反地，当元件被描述为“直接设置在另一个元件上”，这意味着不存在插入元件。
参考图1-4，对根据本发明的LCD的示例性实施例进行说明，其中图1是示例性LCD的局部平面视图，显示了其中的一组示例像素，图2是图1的LCD的薄膜晶体管(TFT)阵列面板的示例性实施例的局部平面视图，图3是图1的LCD的公共电极面板的示例性实施例的局部平面视图，以及图4是当沿截取的区域IV-IV的线观看时、图1的LCD的局部横截面视图。
首先参考图4，示例性LCD包括：TFT阵列面板100；面对TFT阵列面板100设置的公共电极面板200；和设置在薄膜晶体管显示面板100和公共电极面板200之间的液晶材料层3。
参考图1、2和4，示例性TFT阵列面板100包括：阻膜111，其由氧化硅(SiOx)或者氮化硅(SiNx)制成，并形成在由透明玻璃或者塑料制成的绝缘衬底110上。阻膜111可以具有多层结构。
由多晶硅制的多个半导体岛(semiconductor island)151形成在阻膜111上。每个半导体岛151包括：在水平方向上延伸的第一水平单元151a；在垂直方向上从第一水平单元151a延伸的垂直单元151b；和连接到垂直单元151b并且在水平方向上延伸的第二水平单元151c。第一水平单元151a和第二水平单元151c每一个可以具有与另一层建立连接的较宽的端部。
半导体岛151的每一个包括非本征区(extrinsic region)和本征区(intrinsic region)，该非本征区具有导电性杂质，该本征区具有少量的导电性杂质(如果有的话)。非本征区包括具有高杂质浓度的重掺杂区和具有低杂质浓度的轻掺杂区。
该本征区包括两个沟道区154a和154b，它们物理上互相分离。沟道区154a和154b中的每个分别位于半导体岛151的垂直单元151b和第二水平单元151c处。高浓度非本征区包括源区153、源/漏区159和漏区155，它们被沟道区154a和154b分成几个部分。
轻掺杂非本征区152a和152b形成在重掺杂区153、155和159之间，沟道区154a和154b包括轻掺杂漏极(lightly doped drain，LDD)区并且具有相比其它区域窄的宽度。
导电性杂质可以是P型杂质，包括硼(B)或镓(Ga)，或者N型杂质，包括磷(P)或者砷(As)。轻掺杂区152a和152b防止泄漏电流和薄膜晶体管穿通的出现，在可选的实施例中，对于轻掺杂区152a和152b可以使用不具有杂质的偏置区代替。
由氧化硅或氮化硅制的栅绝缘层140形成在半导体岛151和阻膜111上，大体在水平方向上延伸的多个栅极线121和多个存储电极线(storageelectrode lines)131形成在栅绝缘层140上。栅极线121分别传输栅极信号并且包括向上突起的多个相应的栅极124，例如在图2中。
每个栅极线121的预设部分与半导体岛151的垂直单元151b内的沟道区154a重叠，栅极电极124与形成在半导体岛151的第二水平单元151c内的沟道区154b重叠。与形成在垂直单元151b中的沟道区154a重叠的每个栅极线121的预设部分作为相关的薄膜晶体管的栅极电极。
每个栅极线121可以具有较宽的端部，用于与另一层或者外部驱动电路连接。在用于产生栅极信号的栅极驱动电路(未显示)集成到衬底110的情况下，栅极线121可以直接连接到栅极驱动电路。
每个存储电极线131接受预定的电压，并且包括加宽的存储电极133，该存储电极具有向上和向下突起的部分，如图1和2中所示。每个存储电极线131以相同的相应距离从相邻的栅极线分离。
栅极线121和存储电极线131可以由铝组金属(包括铝AL和铝合金)、银组金属(包括银Ag和银合金)、铜组金属(包括铜Cu和铜合金)、钼组金属(包括钼Mo和钼合金)、铬(Cr)、钽(Ta)、或钛(Ti)制成。栅极线121和存储电极线131可以具有多层结构，该多层结构具有两个导电层(未显示)，每个导电层与另一个相比具有不同的物理特性。例如，一个导电层可以由具有低阻抗的金属制作(例如，铝组金属，银组金属或铜组金属)，从而减少信号延迟或者压降。另一层可以是由不同的材料制作，特别的，可以是与氧化锡铟(ITO)和氧化锌铟(IZO)结合具有优异物理化学和电接触特性的材料，例如，钼组金属、铬、钽、或钛。在其中的一些示例性实施例中，栅极线121和存储电极线131可以由铬下层和铝(合金)上层，或者铝(合金)下层和钼(合金)上层形成。另外或者对于上述多层结构可选择的，栅极线121和存储电极线131可以由各种不同的金属或导电材料形成。
栅极线121和存储电极线131的侧部可以相对于衬底110倾斜，优选地，倾斜大约30°到大约80°的角度。
层间绝缘层160形成在栅极线121、存储电极线131和栅绝缘层140上。层间绝缘层160可以包括具有优越的平面化特性和感光特性的有机材料，通过等离子化学蒸汽沉积形成的低介电绝缘材料(例如a-Si:C:O和a-Si:O:F)，或者无机材料(例如氮化硅)。多个接触孔63和65在层间绝缘层160和栅绝缘层140内形成，用于分别暴露源区153和漏区155。
多个数据线171和多个漏电极175沿这样的方向形成在层间绝缘层160上，以便穿过栅极线121和存储电极线131。每个数据线171包括：多个第一和第二垂直单元171a和171b，该垂直单元在图1和图2的垂直方向延伸；和连接第一垂直单元171a和第二垂直单元171b的连接器171c。
第一垂直单元171a和第二垂直单元171b中的每一个在垂直方向以有规则的间隔设置。第一垂直单元171a和第二垂直单元171b形成为交替地重复。因此每个数据线1 71包括多个分别交替的弯曲，如图1和图2所示。也就是，第一垂直单元171a，第二垂直单元171b和连接器171c以重复的图案形式设置，该重复的图案包括：第一垂直单元171a；从第一垂直单元171a在水平方向延伸的连接器171c；在垂直方向连接到连接器171c的第二垂直单元171b；在水平方向从第二水平单元171b延伸的连接器171b；以及在垂直方向连接到连接器171c的第一垂直单元171a。
数据线171的每个通过接触孔63中相关的那些连接到源区152中相关的那些，并且数据线171的连接部具有比它的其它部分宽的宽度，从而限定薄膜晶体管中相关的那些的源电极173。每个数据线171具有增大区域的一端，该增大区域能够使它连接到另一层或者外部驱动电路。在用于产生数据信号的数据驱动电路(未显示)集成到衬底110的情况下，数据线171可以直接连接到数据驱动电路。
每个漏电极175与相关联的数据线171分开，漏电极的一端通过相关的接触孔65连接到相关的漏区155。漏电极175沿着数据线171的第一和第二垂直单元171a和171b延伸到其相对的一端，该相对的一端没有连接到漏区155，因此与存储电极133重叠。
数据线171和漏电极175优选是由难熔金属(例如，钼，铬，钽或者钛，或者其中各自的合金)制造。另外，如前所述，数据线171和漏电极175可以具有多层结构，包括难熔金属层(未显示)和低阻抗电导层(未显示)。例如，数据线171和漏电极175可以具有铬或钼(或者它们的合金)下层和铝(或者铝合金)上层的双层结构，或者也可以是钼或者钼合金下层、铝或者铝合金中间层和钼或者钼合金上层的三层结构。除了上面所述的多层结构，数据线171和漏电极175可以由其他各种其它金属或导体形成。如上所述，数据线171和漏电极175的侧部优选从衬底110倾斜大约30°到大约80°的角度。
由具有优异平面特性的有机材料制作的钝化层180形成在数据线171、漏电极175和层间绝缘层16上。钝化层180可以利用具有感光性的材料的光学处理形成。钝化层180可以例如由具有小于大约4.0的介电常数的低介电绝缘材料(例如a-Si:C:O和a-Si:O:F)制作或者由无机材料(例如氮化硅)制作，前述低介电绝缘材料可以通过等离子增强化学气相沉积(PECVD)形成。另外，钝化层180可以包括由无机材料制作的下层和由有机材料制作的上层。
钝化层180包括多个接触孔185，通过该多个接触孔，漏电极175中的相应电极被暴露。
多个像素电极191形成在钝化层180上，该多个像素电极由透明的导电材料制作，例如IZO或ITO，或者可选地，由不透明的反射性导电材料制造，例如铝或者银。每个像素电极191包括第一子电极9a和第二子电极9b。优选地，第一子电极9a和第二子电极9b都为具有圆角的四边形形状，如图1和2所示，第一子电极9a和第二子电极9b都连接到相关的连接件85。
每个像素电极191的左、右边界定位在相邻数据线171的第一和第二垂直单元171a和171b的上方。因此，位于任意一个给定像素行内的像素电极191的左、右边界围绕下一个或前一个像素行内的相邻的像素电极191的虚拟垂直中心线定位。两个相邻的像素电极191的垂直中心线并不定位在相同的直线上。也就是，两个相邻的像素电极191的垂直中心线之间的距离为该像素电极的左或右边界线到连接件85的中心的距离。
如图1中的虚线区T所指示，三个相邻的像素电极形成了三元像素区T和位于每个三元像素区T内的相关的薄膜晶体管，其中三元像素区T的两个横向相邻的像素电极的两个角和垂直相邻的像素电极的一个边设置为大体三角形的形状，且薄膜晶体管包括相关的栅电极124、源电极173、漏电极175和半导体岛151。在该特定的实施例中，每个半导体岛151延伸通过两个相邻的三元像素区T。本领域的普通技术人员应该理解的是，通过使用半导体岛151，由此，通过接触孔63连接源区153和源电极173以及通过接触孔65连接漏区155和漏电极175所需的空间可以在不影响显示器的开口率的前提下获得。由于半导体岛151垂直地形成，栅极线121和栅极电极124相互重叠，由此形成了具有增大的沟道长度的“双栅极”薄膜晶体管。
每个连接件85包括用于连接相关的第一和第二子电极9a和9b的垂直元件和用于与其它层连接的突起。该突起通过接触孔185电连接并物理连接到漏电极175。由此，突起从漏电极175接收数据电压并且将数据电压传送到像素电极191。
接收数据电压的像素电极191与公共电极面板200的公共电极270产生电场，该公共电极接收共同电压，由此确定两个电极191和270之间设置的液晶层3的分子的方向。液晶分子被定向的方向确定了偏振，并且因此确定了通过液晶层3的光量。另外每个像素电极191和公共电极270形成电容器(液晶电容器)，该电容器的作用是在薄膜晶体管截止之后维持施加在像素电极的电压。
像素电极191电连接到漏电极175。通过漏电极175与存储电极133的重叠而形成的电容器形成了另一个存储电容器，该另一个存储电容器提高了液晶电容器的电压维持能力。
下面结合图1、3和4说明示例LCD的公共电极面板200。
由透明玻璃或者塑料制作的光阻件(light blocking member)220在绝缘衬底210上形成。光阻件220是黑矩阵，防止像素电极191的光泄漏。光阻件220面向像素电极191并且包括多个开口225，每个开口的形状与对应的一个像素电极191的形状大体相同。光阻件220的宽度在与三元像素区T的区域对应的区域中被增大，以便完全覆盖它们。
多个滤色器230形成在衬底210上。滤色器230形成在由光阻件220围绕的区域内。滤色器230中的每一个可以显示相应的原色，例如红(R)、绿(G)和蓝(B)。
如图1所示，红(R)、绿(G)和蓝(B)滤色器230在水平方向上交替变化，从而使得形成每个三元像素区的三个像素电极191中的每个显示红(R)、绿(G)和蓝(B)中的相应一个。
外涂层250可以选择性地形成在滤色器230上。外涂层250可以由有机绝缘材料制作，且提供平面侧，用于防止滤色器230暴露。在一些实施例中，外涂层250可以省略。
公共电极270形成在外涂层250上。公共电极270可以由透明的导体制作，例如ITO和IZO。多个切除区(cutout)27形成在公共电极270上。每个切除区27可以为圆形或者具有圆角的四边形，并且成形为与子电极9a和9b的相应的一个的中心部相对应。
取向层11和21涂覆在显示面板100和200的内表面上。在这里说明的该特定的示例实施例中，取向层11和21是垂直取向层。偏振器12和22形成在显示面板100和200的外表面，两个偏振器12和22的偏振轴互相垂直交叉。在反射型液晶显示器的情况下，两个偏振器12和22中的一个可以省略。
示例LCD可以进一步包括用于补偿液晶层3的延迟的相位延迟膜(未显示)，还包括背光单元(未显示)，用于将光供给到偏振器12和22、相位延迟膜、显示面板100和200、以及液晶层3。
液晶层3具有负介电各向异性，如图4所示，当在各个电极之间没有产生电场时，液晶层3的分子31的纵向轴与两显示面板100和200的各个表面几乎垂直地取向。因此，光不能通过互相交叉的偏振器21和22。也就是偏振器21和22阻断了通过显示面板的光通路。
然而，当将共同电压施加到公共电极270且将数据电压施加到像素电极191时，在与显示面板100和200的表面垂直的电极之间引起电场，并且由于电场的作用，液晶分子的朝向改变，从而使得它们的纵向轴更加垂直于电场的方向。
场产生电极191和270的切除区27和像素电极191的侧部起到局部扭曲电场的作用，从而形成水平分量，用于确定液晶分子31局部的倾斜方向。电场的水平分量与切除区27的侧部和像素电极191几乎垂直地设置。因为液晶分子通过第一和第二子电极9a和9b和切除区的四个侧部引入的电场的作用而局部倾斜，因此分子在像素内无定向地倾斜。如前所述，液晶分子31在各个方向上排列，并且液晶显示器的基准视角由此变得更大。
在这里说明的示例性的LCD的实施例中，半导体包括多晶硅或非晶硅。
参考图5和图6，对本发明的另一个薄膜晶体管阵列面板的示例性实施例进行说明，其中图5是示例性的TFT阵列面板的局部平面视图，图6是当沿截取的区域VI-VI的线观看时、TFT阵列面板的局部横截面视图。
在第二示例性阵列面板中，多个栅极线121和存储电极线131形成在透明玻璃或塑料绝缘衬底上。栅极线121传送栅极信号并且在图5的水平方向上延伸。栅极线121的每一个具有较宽的端部，该较宽的端部适于与另一层连接或者与外部驱动电路连接。产生栅极信号的栅极驱动电路(未显示)可以形成在挠性印刷电路膜(未显示)上，该挠性印刷电路膜可以安装在衬底110上，或者可以直接安装在衬底上或者与衬底110形成为一体。在栅极驱动电路集成到衬底110的情况下，栅极线121可以延伸并且直接连接到栅极驱动电路。
存储电极线131接收预定的电压，并且大体平行于栅极线121延伸。存储电极线131包括加宽的向上和向下延伸的存储电极133。
如图5和图6所示，栅极线121和存储电极线131可以由与如图1和2的示例性实施例中的材料相同的材料形成。另外栅极线121和存储电极线131的侧部可以相对于衬底110的表面倾斜，优选地，倾斜角度为大约30°到大约80°。
由氮化硅(SiNx)或者氧化硅(SiOx)制成的栅绝缘层140形成在栅极线121和存储电极线131上。
多个由氢化非晶硅(a-Si)制成的半导体岛154形成在栅绝缘层140上。半导体岛154中的每一个具有与栅极线121重叠的预定部分，半导体岛154与栅极线121的重叠形成了相关的薄膜晶体管的栅极124。欧姆接触岛163和165形成在半导体154上。欧姆接触岛163和165是由n+氢化非晶硅材料制成，其中n型杂质(例如磷)是重浓度掺杂的，或者，可选择的是由硅化物制造。欧姆接触岛163和165形成关联对，并且设置在各自的半导体154上。
半导体154和欧姆接触岛163和165的侧部也可以从衬底110倾斜大约30°到大约80°的角度。
多个数据线171和多个漏电极175形成在各个欧姆接触岛163和163以及栅绝缘层140上。每个数据线171传输各个数据信号并且在图5中的大体垂直方向上延伸，由此将栅极线121和存储电极线131交叉。
如在上面的图1的示例性实施例所示，每个数据线171包括多个重复的弯曲、第一垂直单元171a、第二垂直单元171b和连接器171c。第一垂直单元171a和第二垂直单元171b的预定部分与相关的半导体154重叠，且该重叠部分起到各个薄膜晶体管的源电极173的作用。
每个数据线171的末端具有加宽区，用于与另一层或者外部驱动电路连接。用于生成数据信号的数据驱动电路(未显示)可以形成在挠性印刷电路膜(未显示)上，该挠性印刷电路膜可以安装在衬底110上，或者可以直接安装在衬底上或者与衬底110形成为一体。在数据驱动电路集成到衬底110的情况下，数据线171可以延伸并且直接连接到数据驱动电路。
每个漏电极175从相关的数据线171分离，并且漏电极175的一端面向相关的源电极173，且相关的栅电极124位于源电极173和漏电极175之间的中心。漏电极175的长轴沿着数据线171的第一和第二垂直单元171a和171b延伸，且漏电极175的不面对源电极173的另一端延伸以便与存储电极133重叠。
一个栅电极124、一个源电极173和一个漏电极175，连同位于其间的半导体154形成了单个薄膜晶体管(TFT)，并且薄膜晶体管的沟道形成在源电极173和漏电极175之间的半导体154内。
数据线171和漏电极175可以由与图1和图2中所示的数据线171和漏电极175的材料相同的材料构成。优选地，数据线171和漏电极175的侧部从衬底110倾斜大约30°到大约80°的角度。
欧姆接触岛163和165仅在半导体与数据线171和漏电极175中的各个之间的半导体154上存在，并且起到减小它们之间的相应接触阻抗的作用。
半导体154包括裸露部，即不被数据线171和漏电极175覆盖的区域，例如位于源电极173和漏电极175之间的那些部分。
钝化层180形成在数据线171，漏电极175和半导体154的裸露部上。
钝化层180可以包括无机绝缘体或者有机绝缘体，并且具有平的上表面。无机绝缘体可以是氮化硅或氧化硅。有机绝缘体可以是光敏的，并且优选地介电常数小于大约4.0。另外，钝化层180可以是由下部无机材料层和上部有机材料层构成的双层结构，从而保持有机层的良好绝缘特性并且同时防止有机层损害半导体154的裸露部。
钝化层180包括多个接触孔185，以便分别地暴露漏电极175。
由IZO或ITO制作的多个像素电极191形成在钝化层180上。
如上所述，像素电极191的每一个包括第一子电极9a和第二子电极9b，并且第一和第二子电极9a和9b中的每个为具有圆角的四边形。第一子电极9a和第二子电极9b通过连接件85互相连接。
像素电极191的左、右边界定位在数据线171的上方。由此，位于给定像素内的像素电极191的左、右边界围绕下一个或前一个像素行中的相邻的像素电极191的虚拟垂直中心线定位。两个相邻像素电极191的垂直中心线不在同一直线。也就是，相邻两个像素电极191的垂直中心线之间的距离为该像素电极的左或右边界线到连接件85的中心的距离。
如图5所示，三个相邻的像素电极形成三元像素区(T)，该三元像素区具有大体三角形的形状，该三角形的形状由两个横向相邻的像素电极的两角和垂直相邻的像素电极的一边限定。由相邻的栅电极124、源电极173、漏电极175和半导体154构成的相关薄膜晶体管定位在每个三元像素区(T)内。
连接件85包括连接到第一子电极9a和第二子电极9b的垂直单元，和用于与另一层连接的突起。该突起通过接触孔185物理连接并电连接到延伸单元177。突起从漏电极175接收数据电压，并将接收到的数据电压传送给相关的像素电极191。
如前所述，薄膜晶体管设置在每个三元像素区内，因此使薄膜晶体管和像素电极的重叠区最小化。因此，每个像素电极的开口率被增大，由此，使得LCD具有相对较宽的视角，并且提供了相对较高的亮度。
到目前为止，本领域的普通技术人员应该理解的是，在不背离本发明的精神和范畴下，可以对本发明的高亮度的LCD的材料、方法和结构进行各种修改、替换和变形。因此，本发明的范围不局限在如这里所说明的特定实施例，这些例子仅是用于示例，相反而是应该完全由随附的权利要求以及其功能等同物替换来表示。
本发明要求2006年11月24日递交的韩国专利申请No.10-2006-0116853的优先权，通过引用其全部内容合并在此。

Claims (12)

1.一种液晶显示器，包括：
绝缘衬底；
形成在绝缘衬底上的半导体，该半导体包括源区、漏区和沟道区；
形成在半导体上的栅绝缘层；
形成在栅绝缘层上并且与沟道区重叠的栅极线；
形成在栅极线上的层间绝缘层；
形成在层间绝缘层上的数据线，该数据线具有电连接到源区的源电极；
电连接到漏区的漏电极；
形成在数据线和漏电极上的钝化层；和
形成在钝化层上并且电连接到漏电极的像素电极，并且
其中，所述数据线与所述漏区重叠，
在所述衬底上形成多个像素电极，
所述像素电极以矩阵的形式排列，
每个像素电极设置在相邻像素行的两个像素电极之间，以使得三个相邻的像素电极形成三元像素区，以及
所述半导体延伸通过两个相邻的三元像素区。
2.如权利要求1所述的液晶显示器，其中，所述源电极与所述源区重叠。
3.如权利要求1所述的液晶显示器，其中，
所述栅极线包括从该栅极线凸出的栅电极，和
所述沟道区包括与所述栅极线重叠的第一沟道区和与所述栅电极重叠的第二沟道区。
4.如权利要求3所述的液晶显示器，其中，所述半导体包括一个或多个弯曲。
5.如权利要求1所述的液晶显示器，其中，所述半导体包括多晶硅。
6.如权利要求1所述的液晶显示器，其中，所述像素电极包括多个子电极，每个子电极为具有圆角的四边形形状。
7.如权利要1所述的液晶显示器，其中：
所述源电极和漏电极通过形成在所述层间绝缘层中的第一和第二接触孔分别连接到所述源区和所述漏区，和
所述第一和第二接触孔设置在多个三元像素区中相关联的一个中。
8.如权利要求1所述的液晶显示器，其中，每个三元像素区由两个横向相邻的像素电极的角和垂直相邻的像素电极的一个边限定。
9.如权利要求1所述的液晶显示器，进一步包括：
面对所述绝缘衬底设置的第二衬底；
在所述第二衬底上形成的光阻件；
在光阻件所限定的区域内形成的滤色器；和
形成在所述滤色器上的具有多个切除区的公共电极。
10.如权利要求9所述的液晶显示器，其中，所述光阻件包括与每个三元像素区分别对应的部分。
11.如权利要求9所述的液晶显示器，其中，每个切除区设置在多个子电极中对应的一个的中心之上。
12.如权利要求9所述的液晶显示器，其中，与每个三元像素区的三个像素电极中的每一个相对应的滤色器显示红色、绿色和蓝色中的相应一个。
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