[go: up one dir, main page]

CN101107324B - 发光元件封装用有机硅组合物及发光装置 - Google Patents

发光元件封装用有机硅组合物及发光装置 Download PDF

Info

Publication number
CN101107324B
CN101107324B CN2005800471634A CN200580047163A CN101107324B CN 101107324 B CN101107324 B CN 101107324B CN 2005800471634 A CN2005800471634 A CN 2005800471634A CN 200580047163 A CN200580047163 A CN 200580047163A CN 101107324 B CN101107324 B CN 101107324B
Authority
CN
China
Prior art keywords
light
groups
sio
component
composition
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN2005800471634A
Other languages
English (en)
Other versions
CN101107324A (zh
Inventor
望月纪久夫
平井信男
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Momentive Performance Materials Japan LLC
Original Assignee
Momentive Performance Materials Japan LLC
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=36692063&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=CN101107324(B) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by Momentive Performance Materials Japan LLC filed Critical Momentive Performance Materials Japan LLC
Publication of CN101107324A publication Critical patent/CN101107324A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN101107324B publication Critical patent/CN101107324B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
    • H01L23/293—Organic, e.g. plastic
    • H01L23/296—Organo-silicon compounds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L83/00—Compositions of macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon only; Compositions of derivatives of such polymers
    • C08L83/04—Polysiloxanes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/85—Packages
    • H10H20/852—Encapsulations
    • H10H20/854—Encapsulations characterised by their material, e.g. epoxy or silicone resins
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
    • C08G77/04—Polysiloxanes
    • C08G77/12—Polysiloxanes containing silicon bound to hydrogen
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
    • C08G77/04—Polysiloxanes
    • C08G77/20—Polysiloxanes containing silicon bound to unsaturated aliphatic groups
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1301—Thyristor
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
    • Y10T428/31652—Of asbestos
    • Y10T428/31663—As siloxane, silicone or silane

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Sealing Material Composition (AREA)
  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)

Abstract

本发明提供发光元件封装用有机硅组合物，其含有(A)、(B)和(C)，固化后的线膨胀系数为10～290×10-6/℃；(A)平均单元式：(SiO4/2)a(ViR2SiO1/2)b(R3SiO1/2)c所示的三维网眼状结构的含乙烯基的有机聚硅氧烷，上述式中，Vi表示乙烯基，R是相同或不同的除链烯基以外的取代或未取代的1价烃基，a、b和c各自为正数，且a/(a+b+c)为0.2～0.6，b/(a+b+c)为0.001～0.2；(B)1分子中至少具有2个结合硅原子的氢原子的有机氢聚硅氧烷，且相对于结合于(A)成分的硅原子的乙烯基1摩尔，结合硅原子的氢原子的量为0.3～3.0摩尔；(C)硅氢化反应用催化剂(催化量)。可以得到减小固化物与支撑基材的残留应力，长期具有良好且稳定的粘接性的固化物。

Description

发光元件封装用有机硅组合物及发光装置
技术领域
本发明涉及用于封装例如二极管、晶体管等发光元件的发光元件封装用有机硅组合物及使用该组合物得到的发光装置。
背景技术
发光二极管(LED)、光电耦合器等发光装置中，发光元件的封装用组合物除了要求从外部保护发光元件的功能之外，还要求与发光元件或支撑发光元件的聚邻苯二甲酰胺、陶瓷等支撑基材良好且稳定地粘接。此外，为了防止发光元件的亮度降低，还要求高度的透明性。
以往，作为这样的封装用组合物，使用例如环氧树脂等。然而，使用环氧树脂等时，由于伴随近年LED等高亮度化的发热量增大或光的短波长化，成为产生裂纹或黄变、亮度降低的原因。
因此，作为耐热性和耐紫外线特性优异的封装用组合物，使用有机聚硅氧烷组合物(有机硅组合物)。特别是利用硅氢化的加成反应型有机硅组合物，由于通过加热在短时间内固化而生产效率优异，且固化时不产生副产物而被广泛应用。
作为加成反应型有机硅组合物，例如，在专利文献1中记载有如下的有机硅组合物，其含有：至少含有2个结合于硅原子的链烯基的二有机聚硅氧烷，含有SiO4/2单元、Vi(R3)2SiO1/2单元和R3SiO1/2单元(式中，Vi表示乙烯基，R3表示不含脂肪族不饱和键的、未取代或取代的一价烃基)的有机聚硅氧烷，1分子中至少含有2个结合于硅原子的氢原子的有机氢聚硅氧烷，和铂族金属类催化剂。
然而，专利文献1中记载的有机硅组合物与支撑基材相比固化后的线膨胀系数大，所以加热固化后的残留应力大，存在在固化物与支撑基材的界面产生剥离或支撑基材变形的问题。(例如，参照专利文献1)
专利文献1：特开2000-198930号公报
发明内容
本发明是为了解决这些技术问题而完成的，其目的在于提供发光元件封装用有机硅组合物的固化物与支撑基材的粘接性优异的发光元件封装用有机硅组合物和用该固化物封装发光元件的发光装置。
本发明的第1方式的发光元件封装用有机硅组合物的特征在于：含有(A)、(B)和(C)，固化后的线膨胀系数为10～290×10-6/℃；(A)平均单元式：(SiO4/2)a(ViR2SiO1/2)b(R3SiO1/2)c(式中，Vi表示乙烯基，R是相同或不同的除链烯基以外的取代或未取代的1价烃基，a、b和c各自为正数，且a/(a+b+c)为0.2～0.6，b/(a+b+c)为0.001～0.2)所示的三维网眼状结构的含乙烯基的有机聚硅氧烷；(B)1分子中至少具有2个结合硅原子的氢原子的有机氢聚硅氧烷，且相对于结合于(A)成分的硅原子的乙烯基1摩尔，结合硅原子的氢原子的量为0.3～3.0摩尔；(C)硅氢化反应用催化剂(催化量)。
本发明的第2方式的发光元件封装用有机硅组合物的特征在于：含有(A1)、(A2)、(B)和(C)，固化后的线膨胀系数为10～290×10-6/℃；(A1)在25℃为固体，平均单元式：(SiO4/2)a(ViR2SiO1/2)b(R3SiO1/2)c(式中，Vi表示乙烯基，R是相同或不同的除链烯基以外的取代或未取代的1价烃基，a、b和c各自为正数，且a/(a+b+c)为0.2～0.6，b/(a+b+c)为0.001～0.2)所示的三维网眼状结构的含乙烯基的有机聚硅氧烷；(A2)25℃下的粘度为1～100,000mPa·s的直链状的含有链烯基的有机聚硅氧烷，且相对于(A1)成分与(A2)成分的合计量为10～80重量％；(B)1分子中至少具有2个结合硅原子的氢原子的有机氢聚硅氧烷，且相对于结合于(A1)成分中的硅原子的乙烯基和结合于(A2)中的硅原子的链烯基的合计1摩尔，Si-H键的量为0.3～3摩尔；(C)硅氢化反应用催化剂(催化量)。
此外，本发明的第1方式的发光装置的特征在于：用上述第1方式的发光元件封装用有机硅组合物的固化物封装发光元件。
本发明的第2方式的发光装置的特征在于：用上述第2方式的发光元件封装用有机硅组合物的固化物封装发光元件。
根据本发明的发光元件封装用有机硅组合物，由于使固化后的线膨胀系数达到10～290×10-6/℃，所以可以得到减小固化物与支撑基材的残留应力、长期具有良好且稳定的粘接性的固化物。
进而，根据本发明的发光装置，由于在该固化物与支撑基材之间具有优异的粘接性而能够具有高可靠性。
附图说明
图1：是表示一例本发明的发光装置的剖面图。
具体实施方式
接着，对本发明优选的实施方式进行说明。应说明的是，本发明并不限于以下的实施方式。
本发明的实施方式的发光元件封装用有机硅组合物含有(A)、(B)和(C)：(A)平均单元式：(SiO4/2)a(ViR2SiO1/2)b(R3SiO1/2)c(式中，Vi表示乙烯基，R是相同或不同的除链烯基以外的取代或未取代的1价烃基，a、b和c各自为正数，且a/(a+b+c)为0.2～0.6，b/(a+b+c)为0.001～0.2)所示的三维网眼状结构的含乙烯基的有机聚硅氧烷；(B)1分子中至少具有2个结合硅原子的氢原子的有机氢聚硅氧烷；(C)硅氢化反应用催化剂。
(A)成分是所得组合物的主成分，是平均单元式：(SiO4/2)a(ViR2SiO1/2)b(R3SiO1/2)c所示的三维网眼状结构的含乙烯基的有机聚硅氧烷。必须1分子中具有1个以上与硅原子结合的乙烯基，特别优选具有2个以上的乙烯基。
上式中，Vi表示乙烯基，R表示相同或不同的除链烯基以外的取代或未取代的1价烃基，a、b和c各自表示正数。
R表示除链烯基以外的碳原子数1～12、优选1～8的取代或未取代的1价烃基。作为R，可以列举例如甲基、乙基、丙基、丙基、异丙基、丁基、异丁基、叔丁基、己基、环己基、辛基等烷基；苯基、甲苯基等芳基；苄基、苯乙基等芳烷基；和这些基团的部分或全部氢原子被氟、氯、溴等卤素原子或氰基取代的基团，例如氯甲基、溴乙基、三氟丙基、氰基乙基等。特别优选甲基、苯基。
上式中，a、b和c各自为正数，且a/(a+b+c)为0.2～0.6，b/(a+b+c)为0.001～0.2。
即，SiO4/2单元优选在(A)成分中具有0.2～0.6、特别是0.2～0.4的比例。在这样的范围下，能够赋予本组合物优异的流动性。
ViR2SiO1/2单元是所得组合物的交联点，优选在(A)成分中具有0.001～0.2、特别是0.001～0.1的比例。小于0.001时，不能给固化物带来适度的硬度，而且难以高效地合成具有乙烯基的聚合物。另一方面，如果超过0.2，则将本组合物固化而得到的固化物的硬度过高，难以得到足够的橡胶弹性。
这样的三维网眼状结构的含有乙烯基的有机聚硅氧烷可以通过如下方式来制造：采用公知的方法，以上述比例组合成为各单元源的化合物，在例如盐酸等酸的存在下共水解其来制造。
(A)成分可以单独使用或将2种以上混合使用。(A)成分是固体或液体，特别优选是25℃下的粘度为1～100,000mPa·s的液状。
此外，(A)成分在25℃下为固体时，例如用25℃下的粘度为1～100,000mPa·s的直链状的含有链烯基的有机聚硅氧烷稀释，优选25℃下的粘度为100～100,000mPa·s。此时，本组合物固化后的线膨胀系数不超过290×10-6/℃。
该直链状的含有链烯基的有机聚硅氧烷的该链烯基可以只存在于分子链的两末端，或者可以存在于分子链的两末端和分子链的中间。作为这样的直链状的含有链烯基的有机聚硅氧烷的代表例，可以列举例如下述通式。
[化1]
Figure G05847163420070726D000041
(式中，R1是相同或者不同的除链烯基以外的碳原子数1～10、优选1～6的取代或未取代的1价烃基，X是链烯基，Y独立地表示链烯基或R1，n为0或1以上的整数，m为0或1以上的整数。)
作为R1，可以列举例如甲基、乙基、丙基、氯甲基、溴乙基、3，3，3-三氟丙基、氰基乙基等未取代或取代的碳原子数1～3的烷基；和苯基、氯苯基、氟苯基等未取代或取代的苯基。
X是链烯基，可以列举例如乙烯基、烯丙基、丙烯基、异丙烯基、丁烯基、己烯基、环己烯基等碳原子数2～8左右的链烯基，更优选乙烯基、烯丙基等碳原子数2～4的低级链烯基。
Y是链烯基或R1，作为该链烯基，可以列举与上述X中例示的链烯基相同的基团。R1与上述意味相同，作为结合于分子链两末端的硅原子的取代基的两个Y可以相同也可以不同，优选均为链烯基。
n是0或1以上、优选0～1000的整数，更优选为0～800的整数。m是0或1以上、优选0～1000的整数。而且，n和m优选满足1≤m+n≤1000，且0≤m/(m+n)≤1；特别优选满足100≤m+n≤800，且0≤m/(m+n)≤0.5。
该直链状的含有链烯基的有机聚硅氧烷的配合量相对于与(A)成分的合计量(100重量％)，为10～80重量％，优选为10～60重量％。小于10重量％时，难以赋予组合物足够的流动性，如果超过80重量％则难以将固化物的线膨胀系数调整到290×10-6/℃以下。
(B)成分作为通过与(A)成分的硅氢化反应使组合物固化的交联剂发挥作用。必须在1分子内平均具有2个以上结合于硅原子的氢原子(SiH基)。优选有2～200个该SiH基，更优选有3～100个。结合于硅原子的氢原子可以结合于分子链末端的硅原子，还可以结合于分子链中间的任意一个硅原子，进而还可以结合于两者。
作为(B)成分，可以使用平均组成式：R2 dHeSiO[4-(d+e)]/2所示的物质。上式中，R2是除脂肪族不饱和烃基以外的碳原子数1～12、优选1～8的取代或未取代的1价烃基。
作为R2，可以列举例如甲基、乙基、丙基、异丙基、丁基、异丁基、叔丁基、己基、环己基、辛基等烷基；苯基、甲苯基等芳基；苄基、苯乙基等芳烷基；和这些基团的一部分或全部氢原子被氟、氯、溴等卤素原子或氰基取代的基团，例如氯甲基、溴乙基、三氟丙基、氰基乙基等。其中，优选碳原子数为1～4的基团，从容易合成、成本方面出发优选烷基。优选为甲基、乙基、丙基、异丙基、丁基、异丁基、叔丁基。特别优选为甲基。
上式中，d、e各自为正数，是满足0.8≤d≤2.2、0.002≤e≤1、0.8＜d+e＜3的数；优选为满足1≤d≤2.2、0.01≤e≤1、1.8≤d+e≤2.5的数。
作为分子结构，可以是直链状、支链状或环状的任意一种，优选为含有二有机氢硅氧烷单元和SiO4/2单元、适当含有三有机硅氧烷单元或二有机硅氧烷单元的三维网眼状结构。
作为(B)成分，可以列举例如1，1，3，3-四甲基二硅氧烷、甲基氢环聚硅氧烷、甲基氢硅氧烷-二甲基硅氧烷环状共聚物、两末端经三甲基甲硅烷氧基封端的甲基氢聚硅氧烷、两末端经三甲基甲硅烷氧基封端的二甲基硅氧烷-甲基氢硅氧烷共聚物、两末端经二甲基氢甲硅烷氧基封端的二甲基聚硅氧烷等。
25℃下的粘度优选为1～500mPa·s，特别优选为1～100mPa·s。
相对于结合于(A)成分中的硅原子的乙烯基和结合于直链状含有链烯基的有机聚硅氧烷中的硅原子的链烯基(特别是乙烯基)的合计1摩尔，(B)成分的配合量如下：Si-H键的量优选为0.3～3摩尔，更优选为0.4～2摩尔。这是因为小于0.3摩尔时得不到充分的交联，如果超过3摩尔则未反应的Si-H键残留很多，物性变得不稳定。
(C)成分是用于促进上述(A)成分乙烯基和(B)成分的SiH基的硅氢化反应的催化剂。
作为(C)成分，可以列举例如铂黑、氯铂、氯铂酸、氯铂酸与一元醇的反应物、氯铂酸与烯烃类或乙烯基硅氧烷的配合物、双乙酰乙酸酯合铂(platinum bisacetoacetate)等铂类催化剂、钯类催化剂、铑类催化剂等铂族金属催化剂。
(C)成分的配合量只要是固化所必需的量则没有特别限定，可以根据(A)成分和(B)成分的种类、所希望的固化速度等进行适当调整。通常换算为铂金成分，相对于所得组合物的合计重量，可以为0.01～100ppm的范围，从固化物的光透过率(透明性)、成本方面出发，优选为1～50ppm的范围。
本发明的实施方式的发光元件封装用有机硅组合物以上述(A)～(C)的各成分作为基本成分，为了赋予各种支撑基材粘接性，还可以含有硅烷偶联剂。作为硅烷偶联剂，可以列举例如含有环氧基的烷氧基硅烷、含有Si-H的烷氧基硅烷、含有乙烯基的烷氧基硅烷等。相对于(A)～(C)成分的合计量100重量份，硅烷偶联剂的配合量优选为0.1～5重量份。
此外，为了提高强度，还可以配合各种填充剂。如果考虑固化物的透明性，则优选平均粒径为100nm以下，特别优选平均粒径为50nm以下。作为填充剂，可以列举例如采用BET法测得的比表面积为150m2/g以上的热解二氧化硅、湿式二氧化硅等。填充剂可以直接使用，也可以使用用六甲基二硅氮烷等处理剂预先进行表面处理而得到的填充剂，还可以是在生产中使其与上述处理剂反应而得到的填充剂。填充剂的配合量优选相对于(A)成分100重量份为0.5～100重量份。如果超过100重量份，则未固化时的组合物的粘度显著上升，成型时的作业性变差。另一方面，如果小于0.5重量份，则赋予固化物的特性不够。
进而，还可以配合磷、氮、硫等化合物或炔类化合物等的反应抑制剂，不影响固化物的透明性的范围下的染料、颜料、阻燃性赋予剂、耐热剂等。
本发明的实施方式的发光元件封装用有机硅组合物可以通过采用搅拌机将(A)～(C)的基本成分和上述任意成分混合均匀来得到。所得组合物优选为液状，25℃下的粘度优选为10,000mPa·s以下，特别优选为500～5,000mPa·s左右。
通过采用搅拌机将(A)～(C)的基本成分和上述任意成分混合均匀，采用室温或加热使固化进行，为了使其迅速固化，优选进行加热。作为加热温度，优选为50～200℃的范围内。如此得到的固化物为橡胶状、特别是硬质的橡胶状，或者是具有挠性的树脂状。
固化后的线膨胀系数为10～290×10-6/℃，特别优选为10～250×10-6/℃。通过使固化后的线膨胀系数达到接近陶瓷、塑料等支撑基材的线膨胀系数的值，可以减小支撑基材与固化物的残存应力，可以长期具有优异的粘接性。
本发明的发光元件封装用有机硅组合物可以用作电气-电子用的粘接剂、浇注剂、保护剂、包覆剂、封装剂或底部填充剂。特别是由于光透过率高而优选于发光装置的保护剂、包覆剂或封装剂等。
接着，对本发明的实施方式的发光装置进行说明。
本发明的实施方式的发光装置用上述发光元件封装用有机硅组合物的固化物封装发光元件。封装发光元件的方式没有特别限定，可以列举例如图1所示等被称为表面实装型的发光装置。
如图1所示，发光装置1具有发光元件2、具有开口部的支撑基材3和发光元件封装用有机硅组合物的固化物4。
作为发光元件2的封装方法，在具有铅电极5、由玻璃纤维强化聚邻苯二甲酰胺树脂构成的支撑基材3上，用银浆等粘接剂将发光元件2加热固定。接着，用金线等接合线6接续发光元件2和铅电极5。其后，在发光元件2上浇注封装本发明的实施方式的发光元件封装用有机硅组合物，在50～200℃下加热，使其固化。由此，可以得到发光装置1。
作为发光元件，可以列举二极管、晶体管、薄石英片整流器、固体摄像元件、单块集成电路和混合集成电路中的半导体元件。
作为发光装置，可列举二极管、发光二极管(LED)、晶体管、薄石英片整流器、光电耦合器、电荷耦合元件(CCD)、单块集成电路、LSI、VLSI，优选发光二极管(LED)、光电耦合器等。
在此，作为支撑基材使用玻璃纤维强化聚邻苯二甲酰胺树脂，但并不限于此，还可以使用各种纤维强化塑料、陶瓷等。
以下，列举实施例来具体说明本发明，但本发明并不限于实施例。各例中，份是重量份，实施例中的粘度是在25℃下测得的值。
发光元件封装用有机硅组合物的固化物的特性如下测定。
[固化物的线膨胀系数]
通过在150℃下将发光元件封装用有机硅组合物加热1小时来制作固化物。采用TMA(热机械分析)，在25～150℃的范围内测定该固化物的线膨胀系数。
[固化物的剥离试验]
将0.85g发光元件封装用有机硅组合物填充到10×10×45mm的玻璃比色槽中，在80℃下加热2小时，进而在150℃下加热1小时来使其固化，从而制作固化物。其后，在60℃、90％RH下吸湿24小时后，在260℃下加热10分钟。将其冷却后，观察玻璃比色槽与固化物的界面状态。
实施例1
混合搅拌：
在25℃下为固体的式1：
[(CH3)3SiO1/2]5(SiO4/2)8[CH2＝CH(CH3)2SiO1/2]
所示的含有乙烯基的有机聚硅氧烷(结合硅原子的乙烯基含量为1.0mmol/g)62重量份，
粘度为400mPa·s的式2：
[(CH2＝CH)(CH3)2SiO1/2][(CH3)2SiO]130[(CH2＝CH)(CH3)2SiO1/2]
所示的直链状的分子链两末端经二甲基乙烯基甲硅烷氧基封端的二甲基聚硅氧烷(结合硅原子的乙烯基含量为0.2mmol/g)38重量份，
粘度为20mPa·s的式3：
[(CH3)2HSiO1/2]2(SiO4/2)
所示的有机氢聚硅氧烷(结合硅原子的乙烯基含量为10mmol/g)12.4重量份，
作为硅烷偶联剂的CH2＝C(CH3)COO(CH2)3Si(OCH3)3与式4：
[(CH3)HSiO]3(CH3)2SiO
所示的有机硅氧烷的反应产物1.5重量份，
以铂原子计为5ppm的铂催化剂，
式5：
[(CH2＝CH)(CH3)SiO]4
所示的反应抑制剂0.02重量份，
调制发光元件封装用有机硅组合物。
测定该发光元件封装用有机硅组合物的固化物的特性。将它们的结果示于表1中。
实施例2
均匀配合在25℃下为固体的式1：
[(CH3)3SiO1/2]5(SiO4/2)8[CH2＝CH(CH3)2SiO1/2]
所示的含有乙烯基的有机聚硅氧烷(结合硅原子的乙烯基含量为1.0mmol/g)50重量份，
粘度为50mPa·s的式6：
[(CH3)3SiO1/2]13(SiO4/2)5[CH2＝CH(CH3)2SiO1/2]
所示的含有乙烯基的有机聚硅氧烷(结合硅原子的乙烯基含量为0.7mmol/g)50重量份，
粘度为20mPa·s的式3：
[(CH3)2HSiO1/2]2(SiO4/2)
所示的有机氢聚硅氧烷(结合硅原子的乙烯基含量为10mmol/g)14.9重量份，
作为硅烷偶联剂的CH2＝C(CH3)COO(CH2)3Si(OCH3)3与式4：[(CH3)3HSiO]3(CH3)2SiO所示的有机硅氧烷的反应产物1.5重量份，
以铂原子计为5ppm的铂催化剂，
式5：
[(CH2＝CH)(CH3)SiO]4
所示的反应抑制剂0.02重量份，
调制发光元件封装用有机硅组合物。
测定该发光元件封装用有机硅组合物的固化物的特性。将它们的结果示于表1中。
实施例3
均匀配合在25℃下为固体的式1：
[(CH3)3SiO1/2]5(SiO4/2)8[CH2＝CH(CH3)2SiO1/2]
所示的含有乙烯基的有机聚硅氧烷(结合硅原子的乙烯基含量为1.0mmol/g)40重量份，
粘度为3,000mPa·s的式7：
[(CH2＝CH)(CH3)2SiO1/2][(CH3)2SiO]340[(CH2＝CH)(CH3)2SiO1/2]
所示的直链状的分子链两末端经二甲基乙烯基甲硅烷氧基封端的二甲基聚硅氧烷(结合硅原子的乙烯基含量为0.08mmol/g)60重量份，
粘度为20mPa·s的式3：
[(CH3)2HSiO1/2]2(SiO4/2)
所示的有机氢聚硅氧烷(结合硅原子的乙烯基含量为10mmol/g)7.9重量份，
作为硅烷偶联剂的CH2＝C(CH3)COO(CH2)3Si(OCH3)3与式4：[(CH3)HSiO]3(CH3)2SiO所示的有机硅氧烷的反应产物1.5重量份，
以铂原子计为5ppm的铂催化剂，
式5：
[(CH2＝CH)(CH3)SiO]4
所示的反应抑制剂0.02重量份，
调制发光元件封装用有机硅组合物。
测定该发光元件封装用有机硅组合物的固化物的特性。将它们的结果示于表1中。
比较例1
均匀配合在25℃下为固体的式1：
[(CH3)3SiO1/2]5(SiO4/2)8[CH2＝CH(CH3)2SiO1/2]
所示的含有乙烯基的有机聚硅氧烷(结合硅原子的乙烯基含量为1.0mmol/g)10重量份，
粘度为3000mPa·s的式7：
[(CH2＝CH)(CH3)2SiO1/2][(CH3)2SiO]340[(CH2＝CH)(CH3)2SiO1/2]
所示的直链状的分子链两末端经二甲基乙烯基甲硅烷氧基封端的二甲基聚硅氧烷(结合硅原子的乙烯基含量为0.08mmol/g)90重量份，
粘度为20mPa·s的式3：
[(CH3)2HSiO1/2]2(SiO4/2)
所示的有机氢聚硅氧烷(结合硅原子的乙烯基含量为10mmol/g)3.0重量份，
作为硅烷偶联剂的CH2＝C(CH3)COO(CH2)3Si(OCH3)3与式4：[(CH3)HSiO]3(CH3)2SiO所示的有机硅氧烷的反应产物1.5重量份，
以铂原子计为5ppm的铂催化剂，
式5：
[(CH2＝CH)(CH3)SiO]4
所示的反应抑制剂0.02重量份，
调制发光元件封装用有机硅组合物。
测定该发光元件封装用有机硅组合物的固化物的特性。将它们的结果示于表1中。
[表1]
 实施例1  实施例2  实施例3  比较例1
  <物性>线膨胀系数(10-6/℃)剥离试验 250○ 190○ 280○ 330×
注)○符号表示与玻璃比色槽无剥离
×符号表示与玻璃比色槽有剥离
由表1可知，在比较例1中，直链状的含有乙烯基的有机聚硅氧烷的配合量相对于与三维网眼状结构的含有乙烯基的有机聚硅氧烷的合计量超过80重量％，所以不能使固化后的线膨胀系数达到290×10- 6/℃以下。与此相对，根据实施例1～3的发光元件封装用有机硅组合物，可以使固化后的线膨胀系数达到10～290×10-6/℃，从而能够显著改善固化物与玻璃比色槽的粘接性。
产业实用性
本发明的发光元件封装用有机硅组合物可以使固化后的线膨胀系数达到接近聚邻苯二甲酰胺等支撑基材的线膨胀系数。由此，减小支撑基材与固化物的残存应力，可以长期具有优异的粘接性。因此，可以用作电气和电子用的粘接剂、浇注剂、保护剂、包覆剂、封装剂或底部填充剂等。特别是光透过率高，所以优选作为发光装置的保护剂、包覆剂或封装剂等。

Claims (10)

1.一种发光元件封装用有机硅组合物，其特征在于：含有
(A)平均单元式：
(SiO4/2)a(ViR2SiO1/2)b(R3SiO1/2)c
所示的在25℃下的粘度为1～100,000mPa·s的三维网眼状结构的含乙烯基的有机聚硅氧烷，式中，Vi表示乙烯基，R是相同或不同的除链烯基以外的未取代的1价烃基、或这些基团的部分或全部氢原子被卤素原子或氰基取代的1价烃基，a、b和c各自为正数，且a/(a+b+c)为0.2～0.6的数，b/(a+b+c)为0.001～0.2的数，
(B)1分子中至少具有2个结合硅原子的氢原子的有机氢聚硅氧烷，且相对于结合于(A)成分的硅原子的乙烯基1摩尔，结合硅原子的氢原子的量为149/85～3.0摩尔，所述有机氢聚硅氧烷以平均组成式：R2 dHeSiO[4-(d+e)]/2表示，且在25℃下的粘度为1～500mPa·s，式中，R2是除脂肪族不饱和烃基以外的碳原子数1～12的1价烃基、或这些基团的一部分或全部氢原子被卤素原子或氰基取代的1价烃基，d、e各自为正数，是满足0.8≤d≤2.2、0.002≤e≤1、0.8＜d+e＜3的数，和
(C)硅氢化反应用催化剂，其量为催化量；
固化后的线膨胀系数为10～290×10-6/℃。
2.如权利要求1所述的发光元件封装用有机硅组合物，其特征在于：进一步含有硅烷偶联剂作为粘接性赋予成分。
3.如权利要求1所述的发光元件封装用有机硅组合物，其特征在于：25℃下的粘度为10,000mPa·s以下。
4.一种发光元件封装用有机硅组合物，其特征在于：含有
(A1)在25℃为固体，平均单元式：
(SiO4/2)a(ViR2SiO1/2)b(R3SiO1/2)c
所示的三维网眼状结构的含乙烯基的有机聚硅氧烷，式中，Vi表示乙烯基，R是相同或不同的除链烯基以外的未取代的1价烃基、或这些基团的部分或全部氢原子被卤素原子或氰基取代的1价烃基，a、b和c各自为正数，且a/(a+b+c)为0.2～0.6的数，b/(a+b+c)为0.001～0.2的数，
(A2)25℃下的粘度为1～100,000mPa·s的直链状含有链烯基的有机聚硅氧烷，且相对于(A1)成分与(A2)成分的合计量为10～80重 量％，
(B)1分子中至少具有2个结合硅原子的氢原子的有机氢聚硅氧烷，且相对于结合于(A1)成分中的硅原子的乙烯基和结合于(A2)中的硅原子的链烯基的合计1摩尔，Si-H键的量为149/85～3.0摩尔，所述有机氢聚硅氧烷以平均组成式：R2 dHeSiO[4-(d+e)]/2表示，且在25℃下的粘度为1～500mPa·s，式中，R2是除脂肪族不饱和烃基以外的碳原子数1～12的1价烃基、或这些基团的一部分或全部氢原子被卤素原子或氰基取代的1价烃基，d、e各自为正数，是满足0.8≤d≤2.2、0.002≤e≤1、0.8＜d+e＜3的数，和
(C)硅氢化反应用催化剂，其量为催化量；
固化后的线膨胀系数为10～290×10-6/℃。
5.如权利要求4所述的发光元件封装用有机硅组合物，其特征在于：所述(A2)成分用下述通式表示，
[化学式1]
Figure 298947DEST_PATH_FSB00000604787400021
式中，R1是相同或者不同的除链烯基以外的碳原子数1～10的未取代的1价烃基、或这些基团的部分或全部氢原子被卤素原子或氰基取代的1价烃基，X是链烯基，Y独立地表示链烯基或R1，n为0～1000的整数，m为0～1000的整数，n和m满足1≤m+n≤1000、且0≤m/(m+n)≤1。
6.如权利要求4所述的发光元件封装用有机硅组合物，其特征在于：用所述(A2)成分稀释所述(A1)成分，使得所述(A1)成分和所述(A2)成分的混合物在25℃下的粘度为100～100,000mPa·s。
7.如权利要求4所述的发光元件封装用有机硅组合物，其特征在于：进一步含有硅烷偶联剂作为粘接性赋予成分。
8.如权利要求4所述的发光元件封装用有机硅组合物，其特征在于：25℃下的粘度为10,000mPa·s以下。
9.一种发光装置，其特征在于：用权利要求1所述的发光元件封装用有机硅组合物的固化物封装发光元件。 
10.一种发光装置，其特征在于：用权利要求4所述的发光元件封装用有机硅组合物的固化物封装发光元件。 
CN2005800471634A 2005-01-24 2005-07-22 发光元件封装用有机硅组合物及发光装置 Active CN101107324B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005015263 2005-01-24
JP015263/2005 2005-01-24
PCT/JP2005/013451 WO2006077667A1 (ja) 2005-01-24 2005-07-22 発光素子封止用シリコーン組成物及び発光装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101107324A CN101107324A (zh) 2008-01-16
CN101107324B true CN101107324B (zh) 2012-02-01

Family

ID=36692063

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2005800471634A Active CN101107324B (zh) 2005-01-24 2005-07-22 发光元件封装用有机硅组合物及发光装置

Country Status (8)

Country Link
US (2) US8293849B2 (zh)
EP (2) EP2955206A1 (zh)
JP (2) JP5705396B2 (zh)
KR (1) KR101158955B1 (zh)
CN (1) CN101107324B (zh)
HK (1) HK1116208A1 (zh)
TW (1) TWI277635B (zh)
WO (1) WO2006077667A1 (zh)

Families Citing this family (58)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5247979B2 (ja) * 2005-06-01 2013-07-24 モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ・ジャパン合同会社 透明な硬化物を与えるポリオルガノシロキサン組成物
JP2007063538A (ja) * 2005-08-03 2007-03-15 Shin Etsu Chem Co Ltd 発光ダイオード用付加硬化型シリコーン樹脂組成物
JP2007246880A (ja) * 2006-02-20 2007-09-27 Matsushita Electric Works Ltd 半導体光装置及び透明光学部材
WO2008047892A1 (fr) * 2006-10-19 2008-04-24 Momentive Performance Materials Japan Llc COMPOSITION de POLYORGANOSILOXANE durcissable
JP2008115302A (ja) * 2006-11-06 2008-05-22 Kaneka Corp シリコーン系重合体粒子を含有する光学材料用シリコーン系組成物
WO2008065787A1 (fr) * 2006-11-27 2008-06-05 Panasonic Electric Works Co., Ltd. Dispositif semi-conducteur optique et élément optique transparent associé
WO2008065967A1 (en) * 2006-11-27 2008-06-05 Panasonic Electric Works Co., Ltd. Semiconductor optical device and transparent optical member
WO2008065786A1 (en) * 2006-11-27 2008-06-05 Panasonic Electric Works Co., Ltd. Optical semiconductor device and transparent optical member
WO2008065966A1 (en) * 2006-11-27 2008-06-05 Panasonic Electric Works Co., Ltd. Semiconductor optical device and transparent optical member
CN101663358B (zh) * 2007-02-07 2016-10-26 道康宁东丽株式会社 海绵形成用液体硅橡胶组合物以及由其制得的硅橡胶海绵
JP2008222828A (ja) * 2007-03-12 2008-09-25 Momentive Performance Materials Japan Kk 凸レンズ形成用シリコーンゴム組成物及びそれを用いた光半導体装置
TWI458780B (zh) 2007-07-31 2014-11-01 Dow Corning Toray Co Ltd 提供高透明矽酮硬化物之硬化性矽酮組合物
JP5211059B2 (ja) * 2007-08-17 2013-06-12 パナソニック株式会社 半導体光装置及び透明光学部材
CN101230197B (zh) * 2007-12-20 2011-01-19 宁波安迪光电科技有限公司 用于制造发光二极管封装用胶水的有机硅组合物
JP5149022B2 (ja) * 2008-01-25 2013-02-20 モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ・ジャパン合同会社 光半導体封止用シリコーン組成物及びそれを用いた光半導体装置
US9051445B2 (en) 2008-07-31 2015-06-09 Dow Corning Toray Co., Ltd. Multi-component sponge-forming liquid silicone rubber composition and silicone rubber sponge manufacturing method
JP5475296B2 (ja) 2009-02-02 2014-04-16 東レ・ダウコーニング株式会社 高透明のシリコーン硬化物を与える硬化性シリコーン組成物
JP5568240B2 (ja) * 2009-02-02 2014-08-06 東レ・ダウコーニング株式会社 硬化性シリコーンゴム組成物
JP5475295B2 (ja) 2009-02-02 2014-04-16 東レ・ダウコーニング株式会社 高透明のシリコーン硬化物を与える硬化性シリコーン組成物
US20100289055A1 (en) * 2009-05-14 2010-11-18 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Silicone leaded chip carrier
CN101712800B (zh) * 2009-11-06 2012-10-03 陈俊光 大功率led的有机硅树脂封装料及其制备方法
CN101717584B (zh) * 2009-11-20 2012-01-25 陈俊光 大功率led的有机硅凝胶封装料及其制备方法
JP5549568B2 (ja) 2009-12-15 2014-07-16 信越化学工業株式会社 光半導体素子封止用樹脂組成物及び当該組成物で封止した光半導体装置
EP2519588B1 (en) * 2009-12-29 2014-11-05 Dow Corning Toray Co., Ltd. Curable liquid silicone rubber composition for forming a sealing member and sealing member
EP2551929A4 (en) * 2010-03-23 2013-08-14 Asahi Rubber Inc Silicone resin reflective substrate, manufacturing method for same, and base material composition used in reflective substrate
JPWO2011136302A1 (ja) * 2010-04-28 2013-07-22 三菱化学株式会社 半導体発光装置用パッケージ及び発光装置
KR101277722B1 (ko) 2010-07-14 2013-06-24 제일모직주식회사 하이브리드 실록산 중합체, 상기 하이브리드 실록산 중합체로부터 형성된 봉지재 및 상기 봉지재를 포함하는 전자 소자
JP2012049519A (ja) * 2010-07-26 2012-03-08 Mitsubishi Chemicals Corp 半導体発光装置用パッケージ及び発光装置
CN101974228B (zh) * 2010-10-11 2012-12-05 广州亿锘有机硅技术有限公司 一种发光元件封装用有机硅胶材料及其制备方法
CN102115605B (zh) * 2010-12-23 2013-12-04 东莞市良展有机硅科技有限公司 一种封装硅胶的制备方法、制品及其应用
JP6300218B2 (ja) 2010-12-31 2018-03-28 サムスン エスディアイ カンパニー, リミテッドSamsung Sdi Co., Ltd. 封止材用透光性樹脂組成物、該透光性樹脂を含む封止材および電子素子
KR20140047571A (ko) * 2011-07-14 2014-04-22 세키스이가가쿠 고교가부시키가이샤 광반도체 장치용 밀봉제 및 광반도체 장치
JP5839880B2 (ja) * 2011-08-04 2016-01-06 日東電工株式会社 シリコーン樹脂組成物、封止材料および発光ダイオード装置
JP6057503B2 (ja) * 2011-09-21 2017-01-11 東レ・ダウコーニング株式会社 光半導体素子封止用硬化性シリコーン組成物、樹脂封止光半導体素子の製造方法、および樹脂封止光半導体素子
JP5422755B2 (ja) * 2011-12-08 2014-02-19 モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ・ジャパン合同会社 ヒドロシリル化硬化型シリコーンゴム組成物
KR101946914B1 (ko) 2012-06-08 2019-02-12 엘지이노텍 주식회사 발광소자, 발광소자 패키지 및 라이트 유닛
KR20150037952A (ko) 2012-08-02 2015-04-08 헨켈 차이나 컴퍼니 리미티드 폴리카르보실란 및 히드로실리콘을 포함하는 led 봉지재용 경화성 조성물
KR20150037956A (ko) 2012-08-02 2015-04-08 헨켈 차이나 컴퍼니 리미티드 폴리카르보실란 및 이를 포함하는 ｌｅｄ 캡슐화제 용의 경화성 조성물
CN104662100B (zh) * 2012-09-27 2017-06-30 迈图高新材料日本合同公司 光半导体元件密封用有机硅组合物以及光半导体装置
JP5851970B2 (ja) * 2012-10-29 2016-02-03 信越化学工業株式会社 シリコーン樹脂組成物、並びにこれを用いたシリコーン積層基板とその製造方法、及びｌｅｄ装置
WO2014084624A1 (ko) * 2012-11-30 2014-06-05 코오롱생명과학 주식회사 광디바이스용 경화형 투명 실리콘 조성물
WO2014088451A1 (ru) * 2012-12-06 2014-06-12 Vishnyakov Anatoly Vasilyevich Способ получения модифицированных трехцветных светодиодных источников белого света
CN103013433B (zh) * 2012-12-27 2014-04-09 广州天赐有机硅科技有限公司 一种高透明、高折光、自粘结的有机硅材料及其制备方法
KR20140103696A (ko) * 2013-02-19 2014-08-27 한국다우코닝(주) 인광체-함유 경화성 실리콘 조성물 및 이로부터 제조된 경화성 핫멜트 필름
JP6010503B2 (ja) * 2013-05-14 2016-10-19 信越化学工業株式会社 硬化性樹脂組成物、その硬化物及び光半導体デバイス
CN103320087A (zh) * 2013-06-03 2013-09-25 曹坚林 一种液体光学透明有机硅材料及其制备方法
CN105440694B (zh) * 2014-08-27 2018-01-23 广州慧谷化学有限公司 有机聚硅氧烷组合物及其制备方法及半导体器件
WO2016065418A1 (en) * 2014-10-28 2016-05-06 Maxheat Hot Water Pty Ltd Hot water storage device
KR102550073B1 (ko) 2014-12-18 2023-06-29 모멘티브 파포만스 마테리아루즈 쟈판 고도가이샤 난연성 폴리오르가노실록산 조성물, 난연성 경화물, 광학용 부재, 광원용 렌즈 또는 커버, 및 성형방법
CN105778515A (zh) * 2014-12-26 2016-07-20 广东生益科技股份有限公司 一种无卤无磷硅树脂组合物以及使用它的预浸料、层压板、覆铜板以及印制电路板
JP6544962B2 (ja) * 2015-03-27 2019-07-17 東レエンジニアリング株式会社 Ｌｅｄモジュールおよびｌｅｄモジュールの製造方法
JP2017206622A (ja) * 2016-05-19 2017-11-24 株式会社オートネットワーク技術研究所 止水用シリコーンゴム組成物、止水用シリコーンゴム成形体およびワイヤーハーネス
CN106147602A (zh) * 2016-07-27 2016-11-23 天津凯华绝缘材料股份有限公司 一种电子元件封装用有机硅组合物及其制备方法
KR20180034937A (ko) 2016-09-28 2018-04-05 모멘티브퍼포먼스머티리얼스코리아 주식회사 유기 전자 소자 봉지재용 조성물 및 이를 이용하여 형성된 봉지재
KR102710429B1 (ko) 2018-04-16 2024-09-26 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 유기 el용 투명 건조제 및 그 사용 방법
TW201946976A (zh) 2018-05-11 2019-12-16 美商陶氏有機矽公司 可固化聚矽氧組成物及其固化產物
TWI863907B (zh) 2018-05-11 2024-12-01 美商陶氏有機矽公司 製造用於可撓式顯示裝置之聚矽氧背板之方法，可撓式顯示器及電子裝置
JP7014745B2 (ja) * 2019-01-29 2022-02-01 信越化学工業株式会社 付加硬化型シリコーン樹脂組成物及び光学素子

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1399665A (zh) * 1999-11-30 2003-02-26 科宁O.T.I.公开有限公司 将光学纤维组件固定在光学设备中的方法、所获得的光学设备和其中使用的聚合物组合物
CN1426439A (zh) * 2000-04-21 2003-06-25 钟渊化学工业株式会社 固化性组合物、光学材料用组合物、光学材料、液晶显示装置、透明导电性膜及其制造方法

Family Cites Families (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62232460A (ja) 1986-04-01 1987-10-12 Toray Silicone Co Ltd 熱硬化性樹脂組成物
JP3270489B2 (ja) 1991-01-30 2002-04-02 東レ・ダウコーニング・シリコーン株式会社 硬化性オルガノポリシロキサン組成物
US5717010A (en) * 1992-01-23 1998-02-10 General Electric Company Low compression set silicone elastomers
WO1994006862A1 (en) 1992-09-21 1994-03-31 Thermoset Plastics, Inc. Thermoplastic modified, thermosetting polyester encapsulants for microelectronics
GB9317813D0 (en) * 1993-08-27 1993-10-13 Dow Corning Sa Silicone emulsion compositions
JP3553632B2 (ja) * 1994-03-16 2004-08-11 ダウ コーニング アジア株式会社 硬化性オルガノポリシロキサン組成物
JP3615784B2 (ja) * 1994-04-21 2005-02-02 ダウ コーニング アジア株式会社 光学素子用樹脂組成物及び光学素子
JPH1112470A (ja) * 1997-06-25 1999-01-19 Toray Dow Corning Silicone Co Ltd 高電圧電気絶縁部品用液状シリコーンゴム組成物
US6124407A (en) * 1998-10-28 2000-09-26 Dow Corning Corporation Silicone composition, method for the preparation thereof, and silicone elastomer
US6262188B1 (en) 1998-12-23 2001-07-17 General Electric Company Functionalized MQ resin as an adhesion enhancing additive
JP3523098B2 (ja) 1998-12-28 2004-04-26 信越化学工業株式会社 付加硬化型シリコーン組成物
JP3595731B2 (ja) * 1999-06-21 2004-12-02 信越化学工業株式会社 半導体装置封止用付加硬化型シリコーン組成物及び半導体装置
JP3910080B2 (ja) * 2001-02-23 2007-04-25 株式会社カネカ 発光ダイオード
JP4880837B2 (ja) 2001-09-05 2012-02-22 株式会社カネカ 硬化性組成物および硬化物
JP2004002810A (ja) 2002-04-18 2004-01-08 Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd 光学材料用硬化性組成物、光学用材料、光学用材料の製造方法および光学材料を用いた発光ダイオード
JP4360595B2 (ja) * 2002-10-18 2009-11-11 ペルノックス株式会社 光電変換装置
JP4409160B2 (ja) * 2002-10-28 2010-02-03 東レ・ダウコーニング株式会社 硬化性オルガノポリシロキサン組成物および半導体装置
JP2004186168A (ja) 2002-11-29 2004-07-02 Shin Etsu Chem Co Ltd 発光ダイオード素子用シリコーン樹脂組成物
US20040138396A1 (en) 2003-01-13 2004-07-15 Gabriel Karim M. Resins and diluents for use in single component low volatile organic
US7160972B2 (en) * 2003-02-19 2007-01-09 Nusil Technology Llc Optically clear high temperature resistant silicone polymers of high refractive index
JP4766222B2 (ja) * 2003-03-12 2011-09-07 信越化学工業株式会社 発光半導体被覆保護材及び発光半導体装置
TW200427111A (en) * 2003-03-12 2004-12-01 Shinetsu Chemical Co Material for coating/protecting light-emitting semiconductor and the light-emitting semiconductor device
JP2004323764A (ja) 2003-04-28 2004-11-18 Ge Toshiba Silicones Co Ltd 接着性ポリオルガノシロキサン組成物
JP2004359756A (ja) 2003-06-03 2004-12-24 Wacker Asahikasei Silicone Co Ltd Ｌｅｄ用封止剤組成物
JP2005008657A (ja) * 2003-06-16 2005-01-13 Ge Toshiba Silicones Co Ltd 低透湿性ポリオルガノシロキサン組成物
JP4586967B2 (ja) * 2003-07-09 2010-11-24 信越化学工業株式会社 発光半導体被覆保護材及び発光半導体装置
TWI373150B (en) * 2003-07-09 2012-09-21 Shinetsu Chemical Co Silicone rubber composition, light-emitting semiconductor embedding/protecting material and light-emitting semiconductor device
US7287573B2 (en) * 2003-09-30 2007-10-30 General Electric Company Silicone binders for investment casting
KR100603247B1 (ko) * 2003-12-31 2006-07-20 동부일렉트로닉스 주식회사 시모스 이미지 센서 및 그 제조방법
JP2006137895A (ja) * 2004-11-15 2006-06-01 Ge Toshiba Silicones Co Ltd 光学材料用ポリオルガノシロキサン組成物

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1399665A (zh) * 1999-11-30 2003-02-26 科宁O.T.I.公开有限公司 将光学纤维组件固定在光学设备中的方法、所获得的光学设备和其中使用的聚合物组合物
CN1426439A (zh) * 2000-04-21 2003-06-25 钟渊化学工业株式会社 固化性组合物、光学材料用组合物、光学材料、液晶显示装置、透明导电性膜及其制造方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
JP 2004-2810 A,全文.

Also Published As

Publication number Publication date
EP1845133B1 (en) 2015-10-14
US20080160322A1 (en) 2008-07-03
HK1116208A1 (en) 2008-12-19
EP2955206A1 (en) 2015-12-16
US20120306363A1 (en) 2012-12-06
US8293849B2 (en) 2012-10-23
EP1845133A4 (en) 2011-11-30
TW200626677A (en) 2006-08-01
JPWO2006077667A1 (ja) 2008-06-19
JP2014168060A (ja) 2014-09-11
CN101107324A (zh) 2008-01-16
JP5638714B2 (ja) 2014-12-10
KR20070097075A (ko) 2007-10-02
KR101158955B1 (ko) 2012-06-21
EP1845133A1 (en) 2007-10-17
JP5705396B2 (ja) 2015-04-22
US8637628B2 (en) 2014-01-28
TWI277635B (en) 2007-04-01
WO2006077667A1 (ja) 2006-07-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101107324B (zh) 发光元件封装用有机硅组合物及发光装置
TWI786207B (zh) 硬化性粒狀聚矽氧組成物、其硬化物、及其製造方法
TWI756250B (zh) 固化性粒狀聚矽氧組合物、由其構成之半導體用構件及其成型方法
TWI831733B (zh) 固化性粒狀聚矽氧組合物、由其構成之半導體用構件及其成型方法
CN100378172C (zh) 可固化的有机聚硅氧烷组合物和半导体器件
JP4636275B2 (ja) シリコーン樹脂組成物で封止された半導体装置及び該半導体装置封止用シリコーン樹脂タブレット
TWI785054B (zh) 固化性粒狀有機矽組合物、由其構成之半導體用構件及其成型方法
JP5652387B2 (ja) 高信頼性硬化性シリコーン樹脂組成物及びそれを使用した光半導体装置
JP6057503B2 (ja) 光半導体素子封止用硬化性シリコーン組成物、樹脂封止光半導体素子の製造方法、および樹脂封止光半導体素子
CN103562321B (zh) 半导体密封用有机硅组合物
WO2016103654A1 (ja) 硬化性オルガノポリシロキサン組成物、それからなる半導体用封止剤および半導体装置
JP6355210B2 (ja) 半導体装置および半導体素子封止用硬化性シリコーン組成物
TWI767988B (zh) 固化性有機聚矽氧烷組成物以及半導體裝置
TW201843282A (zh) 晶粒黏著用聚矽氧樹脂組成物及硬化物
JP2005158762A (ja) 砲弾型発光半導体装置
CN110088207B (zh) 可固化硅酮组合物和使用其的光学半导体装置
CN111574839B (zh) 管芯键合用硅酮树脂组合物、固化物及光学半导体装置
JP4479883B2 (ja) 発光半導体装置
JP7360910B2 (ja) 硬化性組成物及び該組成物を封止剤として用いた半導体装置。
TW202221063A (zh) 熱熔性矽酮組成物、密封劑、熱熔膠及光半導體裝置
JP2020070324A (ja) 付加硬化型シリコーン樹脂組成物、その硬化物、及び光半導体装置
JP2007180284A (ja) 発光装置
JP2023132309A (ja) 硬化性シリコーン組成物
TW202336160A (zh) 可固化的矽酮組成物

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
REG Reference to a national code

Ref country code: HK

Ref legal event code: DE

Ref document number: 1116208

Country of ref document: HK

C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
REG Reference to a national code

Ref country code: HK

Ref legal event code: GR

Ref document number: 1116208

Country of ref document: HK