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CN101052533A - 光学信息记录介质和信息记录方法 - Google Patents

光学信息记录介质和信息记录方法 Download PDF

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CN101052533A
CN101052533A CNA2006800011090A CN200680001109A CN101052533A CN 101052533 A CN101052533 A CN 101052533A CN A2006800011090 A CNA2006800011090 A CN A2006800011090A CN 200680001109 A CN200680001109 A CN 200680001109A CN 101052533 A CN101052533 A CN 101052533A
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CN
China
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recording medium
layer
optical data
data recording
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CNA2006800011090A
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渡边康介
渡边哲也
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Fujifilm Corp
Original Assignee
Fujifilm Corp
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Publication date
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Abstract

本发明提供一种光学信息记录介质，所述光学信息记录介质通过使用440nm或更短波长的激光的辐照允许高密度的信息记录和复制，并且具有优异的记录和复制特性(特别是灵敏度和调制度)。一种光学记录介质，所述光学记录介质包含其上具有记录层的衬底，所述记录层通过使用440nm或更短波长的激光的辐照能够记录信息，其中所述记录层包含至少一种由式(I)表示的铂卟啉，其中R11至R18各自独立地表示氢原子或取代基。

Description

光学信息记录介质和信息记录方法
                       技术领域
本发明涉及能够通过使用激光记录并且复制信息的光学信息记录介质，信息记录方法和适用的新型化合物。更具体而言，本发明涉及适用于通过使用波长等于或小于450nm的短波长激光信息记录的热模式型(heatmode-type)光学信息记录介质。
                       背景技术
在相关技术中，只能用激光一次性记录信息的光学信息记录介质(光盘)是已知的。这些光盘也称为可记录CD(所谓CD-R)，并且在它们的典型结构中，将包含有机染料的记录层，包含金属如金的光反射层和树脂制成的保护层按这种顺序以层叠层的形式安置在透明盘状衬底上。通过在CD-R上辐照在近红外区的激光(通常为波长在780nm附近的激光)，在这种CD-R上进行信息的记录。记录层的被辐照部分吸收光，并且导致温度的局部升高，结果产生物理或化学变化(例如，凹坑的产生)，从而记录信息。另一方面，还通过辐照波长与用于记录的激光相同的激光，并且同时检测记录层的光学性能改变的部分(记录部分)和未改变部分(未记录部分)之间的反射率之差，进行信息的读取(复制)。
近来，网络如互联网和高保真显像(high-vision)TV迅速普及。而且，HDTV(高清晰度电视)的传播将在不远的将来开始，并且对用于廉价并且容易记录图像信息的大容量记录介质的需求渐增。确信上述CD-R和能够通过使用可见激光(630nm至680nm)作为记录激光进行高密度记录的DVD-R作为大容量记录介质占有一席之地，但是不能说具有应付未来需求的足够大的记录容量。因此，正在进行研究以通过使用波长比DVD-R还短的激光增加记录密度，从而开发具有更大记录容量的光盘。例如，使用405nm蓝激光的称为蓝光(Blu-ray)系统的光学记录盘已经进入市场。
对于具有包含有机染料的记录层的光学信息记录介质，公开了从记录层侧向光反射层侧辐照波长等于或小于530nm的激光，从而记录并且复制信息的记录和复制方法。更具体而言，提出了通过在具有记录层的光盘上辐照蓝(波长：400至430nm，488nm)或蓝-绿(波长：515nm)激光进行信息记录和复制的图像记录和复制方法，在所述记录层中，使用卟啉化合物、萘菁化合物等作为染料。
在相关技术中，提出了通过蓝激光可记录并且可复制的光学记录介质，其中将卟啉-基化合物用于记录层。
专利文件1：JP-A-11-334207
专利文件2：JP-A-2001-138634
专利文件3：JP-A-11-58957
专利文件4：JP-A-2001-143317
专利文件5：JP-A-2001-287465
专利文件6：JP-A-2003-272234
专利文件7：JP-A-2003-272259
专利文件8：JP-A-2004-58365
专利文件9：JP-A-2004-111011
专利文件10：JP-A-2004-160742
                       发明内容
本发明将要解决的问题
使用在JP-A-11-334207中描述的卟啉-基化合物的光学记录介质通过488nm的蓝激光是可记录和可复制的，但是在使用400至410nm的蓝激光时，不能获得良好的记录和复制特性。在JP-A-2001-138634中描述的八乙基铂卟啉在有机溶剂中的溶解度很差，并且这使得难以通过涂布形成记录层并且制备廉价的光学记录介质。此外，在400至410nm的蓝激光时，不能获得良好的记录和复制特性。因此，需要开发一种确保通过使用400至410nm的蓝激光的辐照能够成功进行信息记录和复制的有机染料。
在JP-A-11-334207中具体描述的卟啉-基化合物是在卟啉核的中心具有氢原子、Mg、Ni、Co、Fe、Cu、Zn、Cr、In、Mn等的化合物，但是发现当如在本发明中，卟啉的中心金属是铂(Pt)时，与其它元素(例如，氢原子、Mg、Ni、Co、Fe、Cu、Zn、Cr、In、Mn)相比，溶液吸收最大波长和膜吸收最大波长变短，并且这允许折射率n和消光系数k取适当的值，结果，在使用400至410nm的蓝激光时，可以获得良好的记录和复制特性。
尽管在JP-A-2001-138634中描述的八乙基铂卟啉在有机溶剂中的溶解度很差，使得难以通过涂布形成记录层并且制备廉价的光学记录介质，但是在本发明中，可以通过使用优选的取代基提高溶解度，使得可以进行使用有机溶剂的涂布，并且可以形成均匀的良好的膜。
为了获得良好的记录和复制特性，记录层在400至410nm的激光的振荡波长的折射率n和消光系数k优选同时满足n≥2.0和0.01≤k≤0.4。为了这种目的，在用于记录层的本发明的化合物中，溶液吸收最大波长和膜吸收最大波长必须都是350至385nm。这是因为溶液吸收最大波长超过385nm的化合物在405nm容易具有大的摩尔吸收系数，并且几乎不能满足0.01≤k≤0.4的关系。
本发明的一个目的是提供一种光学信息记录介质，所述光学信息记录介质通过使用400至410nm的激光的辐照允许高密度的信息记录和复制，并且具有优异的记录和复制特性(特别是灵敏度和调制度)。本发明的另一个目的是提供能够制备这种光学信息记录介质的染料。
解决问题的方法
通过如下构造成功地实现了本发明的目的。
[1]一种光学记录介质，所述光学记录介质包含其上具有记录层的衬底，所述记录层通过使用440nm或更短波长的激光的辐照能够记录信息，其中所述记录层包含至少一种由下式(I)表示的铂卟啉：
式(I)：
[化学式1]
Figure A20068000110900071
其中R11至R18各自独立地表示氢原子或取代基。
[2]如[1]所述的光学信息记录介质，其中所述记录层包含至少一种由式(I)表示的铂卟啉，并且所述由式(I)表示的铂卟啉的溶液吸收光谱的最大峰波长和膜吸收光谱的最大峰波长都是350至385nm。
[3]如[1]或[2]所述的光学信息记录介质，其中所述记录层包含至少一种由式(I)表示的铂卟啉，并且所述记录层在440nm或更短波长的激光的振荡波长的折射率n和消光系数k同时满足n≥2.0和0.01≤k≤0.4。
[4]如[1]至[3]中任一项所述的光学信息记录介质，所述光学记录介质包含其上具有记录层的衬底，所述记录层通过使用440nm或更短波长的激光的辐照能够记录信息，其中所述记录层包含至少一种由下式(II)表示的铂卟啉：
式(II)
[化学式2]
Figure A20068000110900081
其中R21至R28各自独立地表示取代或未取代的烷基，条件是在R21至R28之中的至少一个取代基是被下列基团中的任何一个进一步取代的基团：羟基、羧基、氨基、烷基氨基、巯基、烷氧基、烷硫基、烷氧基羰基、烷硫基羰基、烷氨基羰基和杂环基。
[5]如[1]至[3]中任一项所述的光学信息记录介质，所述光学记录介质包含其上具有记录层的衬底，所述记录层通过使用440nm或更短波长的激光的辐照能够记录信息，其中所述记录层包含至少一种由下式(III)表示的铂卟啉：
式(III)
[化学式3]
Figure A20068000110900091
其中R31至R38各自独立地表示取代或未取代的烷氧基、或者取代或未取代的烷硫基，条件是在R31至R38之中的至少一个取代基是被下列基团中的任何一个进一步取代的基团：羟基、羧基、氨基、烷基氨基、巯基、烷氧基、烷硫基、烷氧基羰基、烷硫基羰基、烷氨基羰基和杂环基。
[6]如[1]至[5]中任一项所述的光学信息记录介质，其中将包含金属的光反射层与所述记录层隔开进行安置。
[7]如[1]至[6]中任一项所述的光学信息记录介质，其中将保护层与所述记录层隔开进行安置。
[8]如[1]至[7]中任一项所述的光学信息记录介质，其中所述衬底是在其表面上具有磁道间距为0.2至0.5mm的预槽的透明盘状衬底，并且将所述记录层安置在所述形成预槽的表面上。
本发明的效果
本发明的光学信息记录介质使用特定的铂卟啉化合物作为记录层的记录材料，从而产生如下效果：通过使用440nm或更短波长的短波长激光，特别是具有高通用性的在405nm附近的激光的辐照，允许高密度的信息记录和复制，并且具有良好的记录和复制特性如高的调制度。即，可以以高于相关技术的CD-R或DVD-R的密度记录信息，此外，可以记录更大容量的信息。
                            附图简述
[图1]化合物(3)的2，2，3，3-四氟丙醇溶液吸收光谱。
[图2]化合物(3)的膜吸收光谱。
[图3]化合物(E)的氯仿溶液吸收光谱。
[图4]化合物(E)的气相沉积膜吸收光谱。
[图5]化合物(B)的2，2，3，3-四氟丙醇溶液吸收光谱。
[图6]化合物(B)的膜吸收光谱。
                实施本发明的最佳方式
下面详细描述本发明的光学信息记录介质和信息记录方法的实施方案和化合物。
本发明的光学信息记录介质是包含其上具有记录层的衬底的光学记录介质，所述记录层能够通过使用440nm或更短波长的激光的辐照记录信息，其中所述记录层包含至少一种由式(I)表示的铂卟啉(染料)。
在表示用于本发明的卟啉-基化合物的式(I)中，R11至R18各自独立地表示氢原子或取代基。所述取代基的实例包括卤原子、烷基(包括环烷基和双环烷基)、烯基(包括环烯基和双环烯基)、炔基、芳基、杂环基、氰基、羟基、硝基、羧基、烷氧基、芳氧基、甲硅烷氧基、杂环含氧基团、酰氧基、氨基甲酰氧基、烷氧羰基氧基、芳氧羰基氧基、氨基(包括烷氨基和芳氨基)、酰基氨基、氨羰基氨基、烷氧羰基氨基、芳氧羰基氨基、氨磺酰基氨基、烷基-或芳基-磺酰基氨基、巯基、烷硫基、芳硫基、杂环硫代基团、氨磺酰基、磺基、烷基-或芳基-亚磺酰基、烷基-或芳基-磺酰基、酰基、芳氧羰基、烷氧羰基、氨基甲酰基、芳基-或杂环-偶氮基、亚氨基、膦基、氧膦基、氧膦氧基、氧膦氨基和甲硅烷基。一对R11和R12、R13和R14、R15和R16或R17和R18可以相互组合。
更具体而言，R11至R18各自独立地表示卤原子(例如，氯、溴、碘)、烷基[直链、支链或环状取代或未取代的烷基；所述烷基包括烷基(优选碳数为1至30的烷基，例如甲基、乙基、正丙基、异丙基、叔丁基、正辛基、二十烷基、2-氯乙基、2-氰基乙基、2-乙基己基)、环烷基(优选取代或未取代的碳数为3至30的环烷基，例如，环己基，环戊基、4-正十二烷基环己基)、双环烷基(优选取代或未取代的碳数为5至30的双环烷基，即，通过从碳数为5至30的双环烷烃中除去一个氢原子获得的一价基团，例如双环[1，2，2]庚-2-基、双环[2，2，2]辛-3-基)和具有多个环结构的三环结构；在下面描述的取代基中的烷基(例如，在烷硫基中的烷基)也表示具有这种概念的烷基]、烯基[直链、支链或环状、取代或未取代的烯基；所述烯基包括链烯基(优选取代或未取代的碳数为2至30的链烯基，例如乙烯基、烯丙基、异戊二烯基、香叶基、油烯基)、环烯基(优选取代或未取代的碳数为3至30的环烯基，即，通过从碳数为3至30的环烯中除去一个氢原子获得的一价基团，例如2-环戊烯-1-基、2-环己烯-1-基)，双环烯基(取代或未取代的双环烯基，优选取代或未取代的碳数为5至30的双环烯基，即，通过从含有一个双键的双环烯中除去一个氢原子获得的一价基团，例如双环[2，2，1]庚-2-烯-1-基、双环[2，2，2]辛-2-烯-4-基)]，炔基(优选取代或未取代的碳数为2至30的炔基，例如乙炔基、炔丙基、三甲基甲硅烷基乙炔基)，芳基(优选取代或未取代的碳数为6至30的芳基，例如苯基、对甲苯基、萘基、间氯苯基、邻十六酰基氨基苯基)，杂环基(优选通过从5或6元、取代或未取代、芳族或非芳族杂环化合物中除去一个氢原子获得的一价基团，更优选碳数为3至30的5或6元芳族杂环基，例如2-呋喃基、2-噻吩基、2-嘧啶基、2-苯并噻唑基)，氰基，羟基，硝基，羧基，烷氧基(优选取代或未取代的碳数为1至30的烷氧基，例如甲氧基、乙氧基、异丙氧基、叔丁氧基、正辛氧基、2-甲氧基乙氧基)，芳氧基(优选取代或未取代的碳数为6至30的芳氧基，例如苯氧基、2-甲基苯氧基、4-叔丁基苯氧基、3-硝基苯氧基、2-十四酰基氨基苯氧基)，甲硅烷氧基(优选碳数为3至20的甲硅烷氧基，例如三甲基甲硅烷氧基、叔丁基二甲基甲硅烷氧基)，杂环含氧基团(优选取代或未取代的碳数为2至30的杂环含氧基团，例如1-苯基四唑-5-氧基、2-四氢吡喃基氧基)，酰氧基(优选甲酰氧基，取代或未取代的碳数为2至30的烷基羰氧基，或取代或未取代的碳数为6至30的芳基羰氧基，例如甲酰氧基、乙酰氧基、新戊酰氧基、硬脂酰氧基、苯甲酰氧基、对甲氧基苯基羰氧基)、氨基甲酰氧基(优选取代或未取代的碳数为1至30的氨基甲酰氧基，例如N，N-二甲基氨基甲酰氧基、N，N-二乙基氨基甲酰氧基、吗啉代羰氧基、N，N-二正辛基氨基羰氧基，N-正辛基氨基甲酰氧基)，烷氧基羰氧基(优选取代或未取代的碳数为2至30的烷氧基羰氧基，例如甲氧基羰氧基、乙氧基羰氧基、四丁氧基羰氧基、正辛基羰氧基)，芳氧基羰氧基(优选取代或未取代的碳数为7至30的芳氧基羰氧基，例如苯氧基羰氧基、对甲氧基苯氧基羰氧基、对正十六烷氧基苯氧基羰氧基)，氨基，烷基氨基(优选取代或未取代的碳数为1至30的烷基氨基，例如甲氨基、二甲氨基)，芳基氨基(取代或未取代的碳数为6至30的苯胺基，例如苯胺基、N-甲基苯胺基、二苯基氨基)，酰基氨基(优选甲酰基氨基、取代或未取代的碳数为1至30的烷羰基氨基，或取代或未取代的碳数为6至30的芳羰基氨基，例如甲酰基氨基、乙酰基氨基、新戊酰基氨基、月桂酰基氨基、苯甲酰基氨基、3，4，5-三正辛氧基苯基羰基氨基)，氨基羰基氨基(优选取代或未取代的碳数为1至30的氨基羰基氨基，例如氨基甲酰基氨基、N，N-二甲基氨基羰基氨基、N，N-二乙基氨基羰基氨基、吗啉代羰基氨基)，烷氧羰基氨基(优选取代或未取代的碳数为2至30的烷氧基羰基氨基，例如甲氧基羰基氨基、乙氧基羰基氨基、叔丁氧基羰基氨基、正十八烷氧基羰基氨基、N-甲基甲氧基羰基氨基)、芳氧羰基氨基(优选取代或未取代的碳数为7至30的芳氧基羰基氨基，例如苯氧基羰基氨基、对氯苯氧基羰基氨基、间正辛氧基苯氧基羰基氨基)、氨磺酰基氨基(优选取代或未取代的碳数为0至30的氨磺酰基氨基，例如氨磺酰基氨基、N，N-二甲基氨基磺酰基氨基、N-正辛基氨基磺酰基氨基)、烷基-或芳基-磺酰基氨基(优选取代或未取代的碳数为1至30的烷基磺酰基氨基，或取代或未取代的碳数为6至30的芳基磺酰基氨基，例如甲基磺酰基氨基、丁基磺酰基氨基、苯基磺酰基氨基、2，3，5-三氯苯基磺酰基氨基、对甲基苯基磺酰基氨基)，巯基，烷硫基(优选取代或未取代的碳数为1至30的烷硫基，例如甲硫基、乙硫基、正十六烷硫基)，芳硫基(优选取代或未取代的碳数为6至30的芳硫基，例如苯硫基、对氯苯硫基、间甲氧基苯硫基)，杂环硫代基团(优选取代或未取代的碳数为2至30的杂环硫代基团，例如2-苯并噻唑基硫基、1-苯基四唑-5-基硫基)，氨磺酰基(优选取代或未取代的碳数为0至30的氨磺酰基，例如N-乙基氨磺酰基、N-(3-十二烷氧基丙基)氨磺酰基、N，N-二甲基氨磺酰基、N-乙酰基氨磺酰基、N-苯甲酰基氨磺酰基、N-(N’-苯基氨基甲酰基)氨磺酰基)，磺基，烷基-或芳基-亚磺酰基(优选取代或未取代的碳数为1至30的烷基亚磺酰基，或取代或未取代的碳数为6至30的芳基亚磺酰基，例如甲基亚磺酰基、乙基亚磺酰基、苯基亚磺酰基、对甲基苯基亚磺酰基)，烷基-或芳基-磺酰基(优选取代或未取代的碳数为1至30的烷基磺酰基，或取代或未取代的碳数为6至30的芳基磺酰基，例如甲基磺酰基、乙基磺酰基、叔丁基磺酰基、仲丁基磺酰基、苯基磺酰基、对甲基苯基磺酰基)，酰基(优选甲酰基、取代或未取代的碳数为2至30的烷基羰基、取代或未取代的碳数为7至30的芳基羰基，或通过碳原子与羰基结合的取代或未取代的碳数为4至30的杂环羰基，例如乙酰基、新戊酰基、2-氯乙酰基、硬脂酰基、苯甲酰基、对正辛氧基苯基羰基、2-吡啶基羰基、2-呋喃基羰基)，芳氧基羰基(优选取代或未取代的碳数为7至30的芳氧基羰基，例如苯氧基羰基、邻氯苯氧基羰基、间硝基苯氧基羰基、对叔丁基苯氧基羰基)，烷氧基羰基(优选取代或未取代的碳数为2至30的烷氧基羰基，例如甲氧基羰基、乙氧基羰基、叔丁氧基羰基、正十八烷氧基羰基)，氨基甲酰基(优选取代或未取代的碳数为1至30的氨基甲酰基，例如氨基甲酰基、N-甲基氨基甲酰基、N，N-二甲基氨基甲酰基、N，N-二正辛基氨基甲酰基、N-(甲磺酰基)氨基甲酰基)，芳基-或杂环-偶氮基(优选取代或未取代的碳数为6至30的芳基偶氮基，或取代或未取代的碳数为3至30的杂环偶氮基，例如苯偶氮基、对氯苯偶氮基、5-乙硫基-1，3，4-噻二唑-2-基偶氮基)，亚氨基(优选N-琥珀酰亚氨基或N-苯二甲酰亚氨基)、膦基(优选取代或未取代的碳数为2至30的膦基，例如二甲基膦基、二苯基膦基、甲基苯氧基膦基)，氧膦基(优选取代或未取代的碳数为2至30的氧膦基，例如氧膦基、二辛氧基氧膦基、二乙氧基氧膦基)，氧膦氧基(优选取代或未取代的碳数为2至30的氧膦氧基，例如二苯氧基氧膦氧基、二辛氧基氧膦氧基)，氧膦基氨基(优选取代或未取代的碳数为2至30的氧膦基氨基，例如，二甲氧基氧膦基氨基，二甲基氨基氧膦基氨基)，或甲硅烷基(优选取代或未取代的碳数为3至30的甲硅烷基，例如三甲基甲硅烷基、叔丁基二甲基甲硅烷基、苯基二甲基甲硅烷基)。
在这些官能团之中，可以使用上述通过除去氢原子得到的基团进一步取代具有氢原子的那些。这种官能团的实例包括烷基羰基氨基磺酰基、芳基羰基氨基磺酰基、烷基磺酰基氨基羰基和芳基磺酰基氨基羰基。它们的实例包括甲基磺酰基氨基羰基、对甲基苯基磺酰基氨基羰基、乙酰基氨基磺酰基和苯甲酰基氨基磺酰基。R11至R18各自可以被取代基进一步取代。
R11至R18各自优选为卤原子、取代或未取代的碳数为1至30的烷基、取代或未取代的碳数为6至30的芳基、5或6元取代或未取代的杂环基、氰基、取代或未取代的碳数为1至30的烷基氨基、取代或未取代的碳数为6至30的芳基氨基、取代或未取代的碳数为1至30的烷氧基、取代或未取代的碳数为2至30的烷基羰基、取代或未取代的碳数为7至30的芳基羰基、取代或未取代的碳数为2至30的烷氧基羰基、取代或未取代的碳数为7至30的芳氧基羰基、取代或未取代的碳数为1至30的烷基磺酰基、或取代或未取代的碳数为6至30的芳基磺酰基，更优选为碳数为1至30的烷基、取代或未取代的碳数为1至30的烷基氨基、取代或未取代的碳数为6至30的芳基氨基、取代或未取代的碳数为1至30的烷氧基、取代或未取代的碳数为2至30的烷基羰基、取代或未取代的碳数为2至30的烷氧基羰基、或取代或未取代的碳数为1至30的烷硫基，还更优选为取代或未取代的碳数为1至30的烷基、取代或未取代的碳数为1至30的烷基氨基、取代或未取代的碳数为1至30的烷氧基、或取代或未取代的碳数为1至30的烷硫基。
用于本发明的由式(I)表示的化合物的优选实施方案是式(II)或式(III)，更优选为式(III)。
下面描述式(II)。R21至R28各自独立地表示取代或未取代的碳数为1至30的烷基，条件是在R21至R28之中的至少一个取代基是被下列任何一个进一步取代的烷基：羟基、羧基、氨基、烷基氨基、巯基、烷氧基、烷硫基、烷氧基羰基、烷硫基羰基、烷氨基羰基和杂环基。
在R21至R28之中的至少一个取代基是被下列任何一个进一步取代的烷基：羟基、羧基、未取代氨基、取代或未取代烷基氨基、巯基、取代或未取代的烷氧基、取代或未取代的烷硫基、取代或未取代的烷氧基羰基、取代或未取代的烷硫基羰基、取代或未取代的烷基氨基羰基和取代或未取代的杂环基；优选为被下列任何一个取代的烷基：取代或未取代的烷氧基、取代或未取代的烷硫基、取代或未取代烷基氨基和取代或未取代杂环基；更优选为被下列任何一个取代的烷基：取代或未取代的烷氧基、取代或未取代的烷硫基和取代或未取代烷基氨基；还更优选为被取代或未取代的烷氧基和取代或未取代的烷硫基中的任何一个取代的烷基；甚至还更优选为被取代或未取代的烷氧基取代的烷基。
下面描述式(III)。R31至R38各自独立地表示取代或未取代的碳数为1至30的烷氧基或取代或未取代碳数为1至30的烷硫基，条件是在R31至R38之中的至少一个取代基是被下列任何一个进一步取代的基团：羟基、羧基、氨基、烷基氨基、巯基、烷氧基、烷硫基、烷氧基羰基、烷硫基羰基、烷氨基羰基和杂环基。
在R31至R38之中的至少一个取代基是被下列任何一个取代的基团(烷氧基或烷硫基)：羟基、羧基、未取代的氨基、取代或未取代的烷基氨基、巯基、取代或未取代的烷氧基、取代或未取代的烷硫基、取代或未取代的烷氧基羰基、取代或未取代的烷硫基羰基、取代或未取代的烷基氨基羰基和取代或未取代的杂环基；优选为被下列任何一个取代的基团：取代或未取代的烷氧基、取代或未取代的烷硫基、取代或未取代烷基氨基和取代或未取代杂环基；更优选为被下列任何一个取代的基团：取代或未取代的烷氧基、取代或未取代的烷硫基和取代或未取代的烷基氨基；还更优选为被取代或未取代的烷氧基和取代或未取代的烷硫基中的任何一个取代的基团；甚至还更优选为被取代或未取代的烷氧基取代的基团。
在由式(I)表示的铂卟啉中，溶液吸收光谱的最大峰波长和膜吸收光谱的最大峰波长均为350至385nm。溶液吸收光谱的最大峰波长和膜吸收光谱的最大峰波长的波长范围都优选为360至380nm，更优选为365至380nm。其原因是折射率n取更大的值，易于产生高的调制度并且获得良好的记录特性。用于吸收光谱测量的溶剂可以是任何溶剂，但是优选为2，2，3，3-四氟丙醇或氯仿。在本发明中，使用通过使用2，2，3，3-四氟丙醇或氯仿获得的值。只要它包含铂卟啉，用于膜吸收光谱测量的膜可以是任何膜，但是这是通过旋涂等涂布铂卟啉溶液(优选溶剂，例如2，2，3，3-四氟丙醇)形成的膜，并且可以是光学信息记录介质的包含铂卟啉的记录层。所述膜可以处于晶态或无定形态的形式，但是优选处于无定形态。膜的厚度不受特别限制，但是在本发明中，使用10至300nm的膜厚度。
在包含至少一种由式(I)表示的铂卟啉的记录层中，在440nm的激光振荡波长的折射率n和消光系数k必须同时满足n≥2.0和0.01≤k≤0.4。
在440nm的激光振荡波长的折射率n和消光系数k优选同时满足n≥2.1和0.1≤k≤0.4，更优选同时满足n≥2.1和0.2≤k≤0.4，还更优选同时满足n≥2.1和0.3≤k≤0.4。在这些优选的范围内，调制度变大并且获得良好的记录特性。
下面说明用于本发明的卟啉-基化合物的具体的优选实施方案，但是本发明不限于此。
[化学式4]
              化合物(1)                                                  化合物(2)
Figure A20068000110900162
          化合物(3)                                              化合物(4)
        化合物(5)                                  化合物(6)
[化学式5]
Figure A20068000110900172
                    化合物(7)                                             化合物(8)
Figure A20068000110900173
            化合物(9)                                 化合物(10)
Figure A20068000110900174
             化合物(11)
下面说明与本发明比较的化合物。
[化学式6]
         化合物(A)                                             化合物(B)
Figure A20068000110900182
                  化合物(C)                                             化合物(D)
Figure A20068000110900183
            化合物(E)                                                 化合物(F)
<光学信息记录介质>
本发明的光学信息记录介质优选为实施方案[1]：在厚度为0.7至2mm的衬底上，以如下顺序具有含染料的一次性写入记录层和厚度为0.01至0.5mm的覆盖层的光学信息记录介质；或实施方案[2]：在厚度为0.1至1.0mm的衬底上，以如下顺序具有含染料的一次性写入记录层和厚度为0.1至1.0mm的保护衬底的光学信息记录介质。在实施方案[1]中，优选在衬底上形成的预槽的磁道间距为50至500nm，凹槽宽度为25至250nm，并且凹槽深度为5至150nm。在实施方案[2]中，优选在衬底上形成的预槽的磁道间距为200至600nm，凹槽宽度为50至300nm，凹槽深度为30至200nm，并且摆动幅度为10至50nm。
实施方案[1]的光学信息记录介质是至少具有衬底、一次性写入记录层和覆盖层的实施方案。下面依次描述这些主要构件。
[实施方案[1]的衬底]
在优选实施方案[1]的衬底上，必须形成具有磁道间距、凹槽宽度(半值宽度)、凹槽深度和摆动幅度全部在如下范围内的形状的预槽(导槽)。这种预槽被安置以获得比CD-R和DVD-R更高的记录密度，并且例如，在使用光学信息记录介质作为对蓝-紫激光响应的介质时是适合的。
预槽的磁道间距必须是200至500nm，并且下限优选等于或小于420nm，更优选等于或小于370nm，还更优选等于或小于330nm。而且，下限优选等于或大于260nm。
如果磁道间距小于200nm，则预槽难以精确地形成并且可能出现串扰的问题，而如果它超过500nm，则可能不利地降低记录密度。
预槽的凹槽宽度(半值宽度)必须是25至250nm。上限优选等于或小于200nm，更优选等于或小于170nm，还更优选等于或小于150nm。下限优选等于或大于50nm，更优选等于或大于80nm，还更优选等于或大于100nm。
如果预槽的凹槽宽度小于25nm，则凹槽可能在模塑时不能令人满意地转移，或者可能增加记录的出错率，而如果它超过250nm，则在记录时形成的凹坑增大，并且这可能导致串扰或者不能获得足够大的调制度。
预槽的凹槽深度必须是5至150nm。上限优选等于或小于100nm，更优选等于或小于70nm，还更优选等于或小于50nm。下限优选等于或大于10nm，更优选等于或大于20nm，还更优选等于或大于28nm。
如果预槽的凹槽深度小于5nm，则不能获得足够大的记录调制度，而如果它超过150nm，则有时大大降低反射率。
对于预槽的凹槽倾角，上限优选等于或小于80°，更优选等于或小于75°，还更优选等于或小于70°，甚至还更优选等于或小于65°，并且下限优选等于或大于20°，更优选等于或大于30°，还更优选等于或大于40°。
如果预槽的凹槽倾角小于20°，则不能获得足够大的跟踪误差信号幅度，而如果它超过80°，则模塑变得困难。
用于本发明的衬底可以任意选自用作常规光学信息记录介质的衬底材料的各种材料。
其具体实例包括玻璃；丙烯酸类树脂如聚碳酸酯和聚甲基丙烯酸甲酯；氯乙烯-基树脂如聚氯乙烯或氯乙烯共聚物；环氧树脂，无定形聚烯烃；聚酯和金属如铝。在需要时，可以将这些材料的一些组合使用。
在上述材料中，考虑到抗湿性、尺寸稳定性、成本等，优选热塑性树脂如无定形聚烯烃和聚碳酸酯，并且更优选聚碳酸酯。
当使用这种树脂时，通过使用注射模塑制备所述衬底。
衬底的厚度必须是0.7至2mm，并且优选为0.9至1.6mm，更优选为1.0至1.3mm。
在安置稍后描述的光反射层一侧的衬底表面上，优选形成底涂层以提高平面度并且提高粘合强度。
用于所述底涂层的材料的实例包括：聚合物材料如聚甲基丙烯酸甲酯、丙烯酸-甲基丙烯酸共聚物、苯乙烯-马来酐共聚物、聚乙烯醇、N-羟甲基丙烯酰胺、苯乙烯-乙烯基甲苯共聚物、氯磺化聚乙烯、硝基纤维素、聚氯乙烯、氯化聚烯烃、聚酯、聚酰亚胺、乙酸乙烯酯-氯乙烯共聚物、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、聚乙烯、聚丙烯和聚碳酸酯；和表面改性剂如硅烷偶联剂。
可以通过如下方法形成所述底涂层：将上述材料溶解或分散于适当的溶剂中以制备涂布溶液，然后根据涂布方法如旋涂、浸涂或挤压涂布，将所述涂布溶液涂覆到衬底表面上。所述底涂层的厚度通常为0.005至20μm，优选为0.01至10μm。
[实施方案[1]的一次性写入记录层]
通过如下方法形成优选实施方案[1]的一次性写入记录层：将染料与粘合剂等一起溶解在适当的溶剂中以制备涂布溶液，将这种涂布溶液涂覆到衬底或稍后描述的光反射层上以形成涂膜，并且干燥所述涂膜。所述一次性写入记录层可以是单层或者可以具有多层结构。在多层结构的情况下，多次进行涂覆涂布溶液的步骤。
在涂布溶液中的染料浓度通常为0.01质量％至15质量％，优选为0.1质量％至10质量％，更优选为0.5质量％至5质量％，并且最优选0.5质量％至3质量％。
所述涂布溶液的溶剂的实例包括：酯如乙酸丁酯、乳酸乙酯和乙酸溶纤剂；酮如甲基乙基酮、环已酮和甲基异丁基酮；氯代烃如二氯甲烷、1，2-二氯乙烷和氯仿；酰胺如二甲基甲酰胺；烃如甲基环己烷；醚如四氢呋喃、乙醚、二异丙醚、二丁醚和二噁烷；醇如乙醇、正丙醇、异丙醇、正丁醇和双丙酮醇；氟-基溶剂如2，2，3，3-四氟丙醇、八氟戊醇和六氟丁醇；和二醇醚如乙二醇单甲醚、乙二醇单乙醚和丙二醇单甲醚。
考虑到使用的染料的溶解度，可以单独使用这些溶剂中的一种，或者可以组合使用它们的两种或两种以上。在所述涂布溶液中，还可以根据目的加入各种添加剂如抗氧化剂、UV吸收剂、增塑剂和润滑剂。
涂布方法的实例包括喷淋法、旋涂法、浸渍法、辊涂法、刮涂法、刮刀辊法和丝网印刷法。
在涂布时，所述涂布溶液的温度优选为23至50℃，更优选为24至40℃，还更优选为24至37℃。
如此形成的一次性写入记录层在凹槽(上述衬底的凸部)上的厚度优选等于或小于300nm，更优选等于或小于250nm，还更优选等于或小于200nm，甚至还更优选等于或小于180nm。下限优选等于或大于30nm，更优选等于或大于50nm，还更优选等于或大于70nm，甚至还更优选等于或大于90nm。
而且，一次性写入记录层在岸台(land)(上述衬底的凹部)上的厚度优选等于或小于400nm，更优选等于或小于300nm，还更优选等于或小于250nm。下限优选等于或大于70nm，更优选等于或大于90nm，还更优选等于或大于110nm。
一次性写入记录层在凹槽上的厚度与一次性写入记录层在岸台上的厚度的比率优选等于或大于0.4，更优选等于或大于0.5，还更优选等于或大于0.6，甚至还更优选等于或大于0.7。上限优选小于1，更优选等于或小于0.9。还更优选等于或小于0.85，甚至还更优选等于或小于0.8。
在涂布溶液包含粘合剂的情况下，粘合剂的实例包括：天然有机聚合物物质，如明胶、纤维素衍生物、葡聚糖、松香和橡胶；和合成有机聚合物，包括烃-基树脂如聚乙烯、聚丙烯、聚苯乙烯和聚异丁烯，乙烯基-基树脂如聚氯乙烯、聚偏1，1-二氯乙烯和聚氯乙烯-聚乙酸乙烯酯共聚物，丙烯酸类树脂如聚丙烯酸甲酯和聚甲基丙烯酸甲酯，聚乙烯醇、氯化聚乙烯、环氧树脂、丁醛树脂、橡胶衍生物以及热固性树脂如苯酚-甲醛树脂的初始缩合物。在组合使用粘合剂作为一次性写入记录层的材料的情况下，使用的粘合剂的量基于染料通常为0.01至50倍(以质量计)，优选为0.1至5倍(以质量计)。
此外，在一次性写入记录层中，可以混合各种褪色抑制剂以更多地提高一次性写入记录层的耐光性。通常使用的褪色抑制剂是单重态氧猝灭剂。同样在本发明中，在混合这种单重态氧猝灭剂时，可以预期更多地提高耐光性。对于单重态氧猝灭剂，可以使用在已经公布的专利申请中描述的那些。
褪色抑制剂如单重态氧猝灭剂的用量基于染料的量通常为0.1质量％至50质量％，优选为0.5质量％至45质量％，更优选为3质量％至40质量％，还更优选为5质量％至25质量％。
[实施方案[1]的覆盖层]
通过胶粘剂或压敏胶粘剂，将优选实施方案[1]的覆盖层层压在上述一次性写入记录层或稍后描述的阻挡层上。
只要它是由透明材料形成的膜，对用于本发明的覆盖层没有特别限制，但是优选使用，例如丙烯酸类树脂如聚碳酸酯和聚甲基丙烯酸甲酯；氯乙烯-基树脂如聚氯乙烯或氯乙烯共聚物；环氧树脂，无定形聚烯烃；聚酯；三乙酸纤维素。在这些之中，更优选聚碳酸酯和三乙酸纤维素。
顺带提及，术语“透明”指用于记录和复制的光的透过率等于或大于80％。
而且，在不损害本发明的效果的范围内，覆盖层可以包含各种添加剂。例如，可以混入用于截除等于或大于500nm的光的染料。
对于覆盖层的表面物理性质，在二维粗糙度参数和三维粗糙度参数方面，表面粗糙度优选等于或小于5nm。
此外，在用于记录和复制的光的聚光度方面，覆盖膜优选具有等于或小于10nm的双折射。
根据辐照用于记录和复制的激光的波长或未被利用的(NA)但在本发明中的激光的波长，适当地规定覆盖层的厚度，所述厚度为0.01至0.5mm，优选为0.05至0.12mm。
覆盖层和包含胶粘剂或压敏胶粘剂的层的总厚度优选为0.09至0.11mm，更优选为0.095至0.105mm。
顺带提及，在覆盖层的光入射表面上，可以安置保护层(硬涂层)以防止光入射表面在光学信息记录介质的制备过程中受到损害。
用于层压覆盖层的胶粘剂优选为，例如可UV固化的树脂，可EB固化的树脂或热固性树脂，更优选为可UV固化的树脂。
在使用可UV固化的树脂作为胶粘剂的情况下，可以将可UV固化的树脂按照原样使用，或者可以溶于适当的溶剂如甲基乙基酮和乙酸乙酯中以制备涂布溶液，并且从分配器供应到阻挡层表面。为了防止制备的光学信息记录介质的翘曲，组成胶粘剂层的可UV固化的树脂优选具有固化收缩百分率。这种可UV固化的树脂的实例包括如由Dainippon Ink & Chemicals，Inc.生产的“SD-640”的可UV固化树脂。
例如，在包含阻挡层的层压表面上以预定的量涂布胶粘剂，并且在其上安置覆盖层之后，优选通过旋涂将胶粘剂均匀地涂抹在层压表面和覆盖层之间，然后固化。
包含这种胶粘剂的胶粘剂层的厚度优选为0.1至100μm，更优选为0.5至50μm，还更优选为10至30μm。
用于层压覆盖层的压敏胶粘剂可以是丙烯酸(acryl)-基、橡胶-基或硅-基压敏胶粘剂，但是考虑透明度和耐久性，优选使用丙烯酸-基压敏胶粘剂。丙烯酸-基压敏胶粘剂优选为通过如下方法制备的压敏胶粘剂：使用丙烯酸2-乙基己酯、丙烯酸正丁酯等作为主要组分，并且使它与用于提高内聚力的短链丙烯酸烷基酯或甲基丙烯酸烷基酯如丙烯酸甲酯、丙烯酸乙酯或甲基丙烯酸甲酯；和可以作为与交联剂的交联位置的丙烯酸、甲基丙烯酸、丙烯酰胺衍生物、马来酸、丙烯酸羟乙酯、丙烯酸缩水甘油酯等共聚。通过适当地控制主要组分、短链组分和用于增加交联位置的组分的混合比率和种类，可以改变玻璃转变温度(Tg)或交联密度。
与压敏胶粘剂组合使用的交联剂可以包括，例如异氰酸酯-基交联剂。可以使用的异氰酸酯-基交联剂的实例包括异氰酸酯，如甲苯二异氰酸酯、4，4’-二苯基甲烷二异氰酸酯、六亚甲基二异氰酸酯、二甲苯二异氰酸酯、萘-1，5-二异氰酸酯、邻甲苯胺异氰酸酯、异佛尔酮二异氰酸酯和三苯基甲烷三异氰酸酯；这些异氰酸酯与多元醇的产物；和通过异氰酸酯的缩合制备的聚异氰酸酯。对于这些异氰酸酯，可商购的产品的实例包括由NipponPolyurethane Industry Co.，Ltd.生产的Colonate L、Colonate HL、Colonate2030、Colonate 2031、Millionate MR和Millionate HTL；由Takeda ChemicalIndustries，Ltd.生产的Takenate D-102、Takenate D-110N、Takenate D-200和Takenate D-202；和由Sumitomo Bayer Urethane Co.，Ltd.生产的Desmodule L、Desmodule IL、Desmodule N和Desmodule HL。
可以在将预定量的压敏胶粘剂均匀地涂布在包含阻挡层的层压表面上，并且在其上安置覆盖层之后，使压敏胶粘剂固化，或者可以在将预定量的压敏胶粘剂预先均匀地涂布在覆盖层的一个表面上，并且使用层压表面层压涂膜之后，使压敏胶粘剂固化。
此外，还可以将可商购的压敏胶粘剂膜用于覆盖层，所述压敏胶粘剂膜具有在其上预先安置的压敏胶粘剂层。包含压敏胶粘剂的压敏胶粘剂层的厚度优选为0.1至100μm、更优选为0.5至50μm、还更优选10至30μm。
[在实施方案[1]中的其它层]
在不损害本发明的效果的范围内，除上述主要层以外，优选实施方案[1]的光学信息记录介质还可以具有其它任意层。其它任意层的实例包括在衬底的背表面(与其上形成一次性写入记录层的表面相对的背表面)上形成的具有需要的图像的标签层、安置在衬底和一次性写入记录层之间的光反射层(稍后描述)、安置在一次性写入记录层和覆盖层之间的阻挡层(稍后描述)和安置在光反射层和一次性写入记录层之间的界面层。在此，通过使用可紫外线固化的树脂、热固性树脂、热干燥树脂等形成标签层。
这些主要和任意层各自可以是单层或可以具有多层结构。
[在实施方案[1]中的光反射层]
在优选实施方案[1]的光学信息记录介质中，优选在衬底和一次性写入记录层之间形成光反射层以赋予提高激光的反射率或提高记录和复制特性的功能。
可以通过真空沉积、溅射或离子电镀对激光具有高反射率的光反射物质，在衬底上形成光反射层。
所述光发射层的厚度通常为10至300nm，优选为50至200nm。
上述反射率优选等于或大于70％。
具有高反射率的光反射物质的实例包括金属，如Mg、Se、Y、Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Mn、Re、Fe、Co、Ni、Ru、Rh、Pd、Ir、Pt、Cu、Ag、Au、Zn、Cd、Al、Ga、In、Si、Ge、Te、Pb、Po、Sn和Bi；半金属和不锈钢。可以单独使用这些光反射物质中的一种，或者可以将它们的两种或两种以上组合或以合金形式使用。在这些中，优选的是Cr、Ni、Pt、Cu、Ag、Au、Al和不锈钢，更优选的是Au、Ag和Al以及它们的合金，并且最优选的是Au、Ag和它们的合金。
[在实施方案[1]中的阻挡层(中间层)的形成步骤]
在优选实施方案[1]的光学信息记录介质中，优选在一次性写入记录层和覆盖层之间形成阻挡层。
例如，安置阻挡层以提高一次性写入记录层的可存储性，提高在一次性写入记录层和覆盖层之间的粘附性，或调节反射率或热导率。
用于阻挡层的材料是能够透过用于记录和复制的光的材料，并且只要可以表现出这种功能，不受特别限制，但是通常，所述材料是对气体或水分具有低渗透性的材料并且优选为电介质材料。
具体而言，优选包含Zn、Si、Ti、Te、Sn、Mo、Ge等的氮化物、氧化物、碳化物或硫化物的材料。特别是，优选ZnS、MoO2、GeO2、TeO、SiO2、TiO2、ZuO、ZnS-SiO2、SnO2和ZnO-Ga2O3，并且更优选ZnS-SiO2、SnO2和ZnO-Ga2O3。
可以通过真空成膜方法，如真空沉积、DC溅射、RF溅射和离子电镀形成阻挡层。在这些中，优选溅射，并且更优选RF溅射。
在本发明中，阻挡层的厚度优选为1至200nm、更优选为2至100nm、还更优选为3至50nm。
下面描述优选实施方案[2]的光学信息记录介质。
实施方案[2]的光学信息记录介质是具有层压型层构造的光学信息记录介质，并且典型的层构造如下。
(1)第一种层构造是其中在衬底上相继形成一次性写入记录层、光反射层和胶粘剂层，并且在所述胶粘剂层上安置保护衬底的构造。
(2)第二种层构造是其中在衬底上相继形成一次性写入记录层、光反射层、保护层和胶粘剂层，并且在所述胶粘剂层上安置保护衬底的构造。
(3)第三种层构造是其中在衬底上相继形成一次性写入记录层、光反射层、保护层、胶粘剂层和保护层，并且在所述保护层上安置保护衬底的构造。
(4)第四种层构造是其中在衬底上相继形成一次性写入记录层、光反射层、保护层、胶粘剂层、保护层和光反射层，并且在所述光反射层上安置保护衬底的构造。
(5)第五种层构造是其中在衬底上相继形成一次性写入记录层、光反射层、胶粘剂层和光反射层，并且在所述光反射层上安置保护衬底的构造。
上述(1)至(5)的这些层构造只是实例，并且可以将所述层构造改变顺序，可以部分替换或可以部分省略。而且，还可以在保护衬底侧形成一次性写入记录层，并且在这种情况下，获得能够从两侧记录和复制的光学信息记录介质。此外，每一层可以包含一层或多层。
下面通过参考作为实例的在如下构造中的光学信息记录介质，所述构造在衬底上以如下顺序具有一次性写入记录层、光反射层、胶粘剂层和保护衬底，描述本发明的光学信息记录介质。
[实施方案[2]的衬底]
在优选实施方案[2]的衬底上，必须形成具有磁道间距、凹槽宽度(半值宽度)、凹槽深度和摆动幅度全部在如下范围内的形状的预槽(导槽)。这种预槽被安置以获得比CD-R和DVD-R更高的记录密度，并且例如，在使用本发明的光学信息记录介质作为对蓝-紫激光响应的介质时是适合的。
预槽的磁道间距必须是200至500nm，并且上限优选等于或小于450nm，更优选等于或小于430nm。而且，下限优选等于或大于300nm，更优选等于或大于330nm，还更优选等于或大于370nm。
如果磁道间距小于200nm，则预槽难以精确地形成并且可能出现串扰的问题，而如果它超过500nm，则可能不利地降低记录密度。
预槽的凹槽宽度(半值宽度)必须是50至300nm。上限优选等于或小于250nm，更优选等于或小于200nm，还更优选等于或小于180nm。下限优选等于或大于100nm，更优选等于或大于120nm，还更优选等于或大于140nm。
如果预槽的凹槽宽度小于50nm，则凹槽可能在模塑时不能令人满意地转移，或者可能增加记录的出错率，而如果它超过300nm，则在记录时形成的凹坑增大，并且这可能导致串扰或者不能获得足够大的调制度。
预槽的凹槽深度必须是30至200nm。上限优选等于或小于170nm，更优选等于或小于140nm，还更优选等于或小于120nm。下限优选等于或大于40nm，更优选等于或大于50nm，还更优选等于或大于60nm。
如果预槽的凹槽深度小于30nm，则不能获得足够大的记录调制度，而如果它超过200nm，则有时大大降低反射率。
用于优选实施方案[2]的衬底可以任意选自用作常规光学信息记录介质的衬底材料的各种材料。其具体实例和优选实例与实施方案[1]中的衬底的那些相同。
衬底的厚度必须是0.1至1.0mm，并且优选为0.2至0.8mm，更优选为0.3至0.7mm。
在安置稍后描述的一次性记录层一侧的衬底表面上，优选形成底涂层以提高平面度并且提高粘合强度。用于所述底涂层的材料的具体实例和优选实例、涂布方法和层厚度与实施方案[1]中的底涂层的那些相同。
[实施方案[2]的一次性写入记录层]
在优选实施方案[2]中的一次性写入记录层的详细描述与实施方案[1]中的一次性写入记录层的描述相同。
[实施方案[2]的光反射层]
在优选实施方案[2]中，有时在一次性写入记录层上形成光反射层以赋予提高激光的反射率或提高记录和复制特性的功能。在实施方案[2]中的光反射层的详情与实施方案[1]中的光反射层的那些相同。
[实施方案[2]的胶粘剂层]
在实施方案[2]中的胶粘剂层是形成以提高光反射层和保护衬底之间的粘附性的任意层。
组成胶粘剂层的材料优选为可光固化树脂，并且为了防止光盘的翘曲，更优选为具有小的固化收缩百分率的可光固化的树脂。这种可光固化的树脂的实例包括可UV固化的树脂(可UV固化的胶粘剂)，例如由Dainippon Ink & Chemicals，Inc.生产的“SD-640”和“SD-347”。胶粘剂层的厚度优选为1至1,000μm以赋予弹性。
[实施方案[2]的保护衬底]
对于在优选实施方案[2]中的保护衬底(假(dummy)衬底)，可以使用由与上述衬底相同的构造材料形成并且具有相同的形状的衬底。保护衬底的厚度必须是0.1至1.0mm，并且优选为0.2至0.8mm，更优选为0.3至0.7mm。
[实施方案[2]的保护层]
在优选实施方案[2]的光学信息记录介质中，根据层构造，安置保护层以在物理和化学上保护光反射层、一次性写入记录层等。
用于保护层的材料的实例包括无机物质，如ZnS、ZnS-SiO2、SiO、SiO2、MgF2、SnO2和Si3N4；和无机物质如热塑性树脂、热固性树脂和可UV固化的树脂。
例如，通过挤出塑料并且将得到的膜层压在光反射层上，可以形成保护层。还可以通过如真空沉积、溅射和涂布的方法安置保护层。
在使用热塑性树脂或热固性树脂的情况下，可以通过如下方法形成保护层：将这种树脂溶于适当的溶剂中以制备涂布溶液，涂布并且干燥所述涂布溶液。在使用可UV固化的树脂的情况下，可以通过如下方法形成保护层：按照原样使用所述树脂，或者将所述树脂溶于适当的溶剂中以制备涂布溶液，涂覆所述涂布溶液，并且通过使用UV光的辐照，使涂膜固化。在所述涂布溶液中，还可以根据目的加入各种添加剂，如抗静电剂、抗氧化剂和UV吸收剂。
保护层的厚度通常为0.1μm至1nm。
[在实施方案[2]中的其它层]
在不损害本发明的效果的范围内，除上述层以外，优选实施方案[2]的光学信息记录介质还可以具有其它任意层。其它任意层的详细描述与在实施方案[1]中的其它层的描述相同。
<光学信息记录方法>
通过使用优选实施方案[1]或[2]的光学信息记录介质，例如如下实行本发明的光学信息记录方法。在使光学信息记录介质以恒定的线速度(从0.5至10m/秒)或以恒定的角速度旋转时，从衬底侧或保护层侧辐照用于记录的光，如半导体激光射线。据认为在这种光辐照之后，记录层吸收光并且导致温度的局部升高以引起物理或化学变化(例如，凹坑的产生)，从而改变光学性质并且记录信息。在本发明中，使用振荡波长为390至450nm的半导体激光作为记录光。光源的优选实例包括蓝-紫半导体激光器，发射振荡波长为390至415nm的光；和蓝-紫SHG激光器，发射中心振荡波长为425nm的光，所述光通过使用光波导器，将中心振荡波长为850nm的红外半导体激光的波长减半产生。特别是，考虑到记录密度，优选使用发射振荡波长为90至415nm的光的蓝-紫半导体。可以通过在使光学信息记录介质以与上述相同的恒定线速度旋转的同时，从衬底侧或保护层侧辐照半导体激光，并且检测反射的光，可以复制如此记录的信息。
[实施例]
下面通过参考实施例更详细地描述本发明，但是本发明不限于这些实施例。
实施例1：
[化合物(3)的合成]
[化学式7]
Figure A20068000110900301
                                            化合物(3′)                                化合物(3)
将血卟啉(8g)溶于80ml甲醇中，并且将0.7ml硫酸加入其中，随后在加热下回流12小时。将反应溶液注入到500ml水中，从而产生沉淀，并且将所述沉淀过滤，然后用水洗涤以获得6.1g化合物(3’)。
随后，在包含80ml甲醇、20ml水和20ml甲苯的混合溶剂中，将4g化合物(3’)和7.6g K2PtCl4在加热下回流8小时。通过将乙酸乙酯/水加入其中，将反应溶液进行液体分离操作，通过C盐过滤有机层，然后通过蒸馏除去溶剂。通过硅胶色谱法(洗脱剂：二氯甲烷/甲醇＝99/1)纯化得到的粗产物，获得360mg化合物(3)。通过MALDI-MS确认获得的化合物。[M-H]+＝848。
[化合物(B)的合成]
[化学式8]
Figure A20068000110900302
                            化合物(B)
在包含7ml氯仿和3ml甲醇的混合溶剂中，将化合物(3’)(0.7g)和0.27gCo(OAc)2·4H2O在加热下回流2小时。通过蒸馏除去溶剂，并且通过硅胶色谱法(洗脱剂：二氯甲烷/甲醇＝98/2)纯化得到的粗产物，获得420mg化合物(B)。通过MALDI-TOFMS确认获得的化合物。[M-H]+＝712。
[化合物(C)的合成]
[化学式9]
Figure A20068000110900311
                        化合物(C)
通过参考在 Synthesis，795(1995)中的方法，根据上面显示的方案合成化合物(C)。
通过MALDI-TOFMS确认获得的化合物。[M-H]+＝999。
化合物(12)是在上述出版物中描述的化合物，并且可以通过在所述出版物中描述的方法合成。可以使用化合物(12)，以与化合物(3)的相同方法合成化合物(7)。
[化学式10]
                        化合物(12)
[化合物(D)的合成]
[化学式11]
Figure A20068000110900322
                  化合物(C)                                    化合物(D)
通过MALDI-TOFMS确认获得的化合物。[M-H]+＝1060。
实施例2：
<光学信息记录介质1的制备>
(衬底的制备)
制备注射模塑的衬底，所述衬底包含聚碳酸酯树脂，并且具有1.1mm的厚度、120mm的外径、15mm的内径和螺旋形凹槽(磁道间距：320nm、凹槽宽度(在凹槽上的宽度)：120nm，凹槽深度：35nm，凹槽倾角：65°，摆动幅度：20nm)。通过使用激光截除(351nm)，进行在注射模塑时使用的压模(stamper)的控制。
(光反射层的形成)
使用由Unaxis生产的Cube，在Ar气氛中，通过DC溅射，在衬底上以厚度为100nm的真空形成层的形式形成APC光反射层(Ag：98.1质量％，Pd：0.9质量％，Cu：1.0质量％)。在溅射时间内调节光反射层的厚度。
(一次性写入记录层的形成)
将在表1中所示的化合物(0.2g)加入并且溶于10ml 2，2，3，3-四氟-1-丙醇中，制备包含染料的涂布溶液。通过旋涂，同时在23℃和50％RH的条件下将旋转数从300改变至4,000rpm，将制备的包含染料的涂布溶液涂布在光反射层上。之后，将涂膜在23℃和50％RH的条件下储存1小时以形成一次性写入记录层(在凹槽上的厚度：120nm，在岸台上的厚度：170nm)。在化合物(D)和(E)的情况下，因为这些化合物在溶剂中是微溶的，所以不能制备光盘。
在形成一次性写入记录层之后，在清洁的炉中施加退火处理。在退火处理中，在使用隔体占据空间的同时，使用垂直的堆杆支承衬底，并且将其在80℃保持1小时。
(阻挡层的形成)
使用由Unaxis生产的Cube，在Ar气氛中，通过RF溅射在一次性写入记录层上形成包含ZnO-Ga2O3(ZnO∶Ga2O3＝7∶3(以质量计))并且厚度为5nm的阻挡层。
(覆盖层的层压)
将聚碳酸酯制成的膜(Pure-Ace，由Teijin Ltd生产，厚度：80μm)用于覆盖层，所述膜具有在其表面上安置的压敏胶粘剂，并且具有15mm的内径和120mm的外径，并且将所述压敏胶粘剂层和聚碳酸酯制成的膜的总厚度设定为100μm。
通过使相对的阻挡层和压敏胶粘剂层紧靠，在阻挡层上安置覆盖层，并且借助于挤压构件，通过挤压接触覆盖层进行层压。
以这种方式，制备实施例1和2以及比较例1至5的光学信息记录介质。
在比较例1中使用的化合物对应在JP-A-2001-138634中描述的化合物34。
<光学信息记录介质1的评价>
(1)C/N的评价(载波/噪声比)
使用具有在其上安装的403nm激光器和NA 0.85的检波器的记录和复制评价设备(DDU1000，由Pulstec Industrial Co.，Ltd.生产)，将制备的光学信息记录介质以66MHz的时钟频率和5.28m/s的线速度进行0.16μm信号(2T)的记录和复制，并且进行记录凹坑的读取。顺带提及，在这种评价中，使用本发明的光学信息记录方法，并且在凹槽上进行记录。结果示于表1中。
表1
化合物   摩尔消光系数(dm3mol-1cm-1)   溶液吸收最大峰波长[nm]   膜吸收最大峰波长[nm]   折射率，n   消光系数k   记录凹坑的读取
  发明1   化合物(3)   233000*   377*   380   2.1   0.4   可以
  发明2   化合物(3)+化合物(7)   -   377*   380   2.0   0.4   可以
比较例1 化合物(E) 259000** 381** 374*** 2.3*** 0.5***   由于微溶于溶剂，不能制备并且评价光盘
  比较例2   化合物(B)   159000*   390*   387   2.0   0.6   不可以
  比较例3   化合物(A)   110000*   389*   376   2.1   0.71   不可以
比较例4 化合物(D) 190000* 393** 375**** 2.0**** 0.5****   由于微溶于溶剂，不能制备并且评价光盘
*在2，2，3，3-四氟丙醇中。
**在氯仿中。
***作为气相沉积膜的值。
****通过使用1，2-二氯乙烷作为溶剂制备涂膜。
从表1中看出，与使用比较例1至4的化合物的样品相比，使用本发明(发明实施例1和2)的化合物的样品全部具有优异的记录和复制特性。
测量获得的化合物中的每一种的溶液吸收光谱和膜吸收光谱。图1至6显示了结果。
测量化合物(G)至(L)(对于M，参见表2)，即在JP-A-11-334207的目录中的化合物的溶液吸收光谱。结果示于表2中。从表2中看出，化合物(G)至(L)的吸收最大峰波长等于化合物(B)的波长或者比化合物(B)的波长更长。因此，化合物(G)至(L)不能同时满足n≥2.0和0.01≤k≤0.4。这些结果显示当M＝Pt时，与其它金属相比，吸收最大峰变成特别短的波长，并且可以同时满足n≥2.0和0.01≤k≤0.4的关系。
[化学式12]
Figure A20068000110900361
                        化合物(G)至(L)
表2
  化合物编号   M   溶液吸收最大峰波长[nm]*
  化合物(G)   Fe   400
  化合物(H)   Ni   390
  化合物(I)   Zn   403
  化合物(J)   Mg   391
  化合物(K)   Cu   394
  化合物(L)   H2   395
*在2，2，3，3-四氟-1-丙醇中。
                        工业适用性
本发明的光学信息记录介质可用作与蓝激光器一起使用的光学信息记录介质。除与蓝激光器一起使用的光学信息记录介质以外，本发明的化合物还可应用于颜料、照相材料、UV吸收材料、激光染料、滤色器染料、色温变换过滤器(color conversion filter)等。
尽管详细地并且参考其具体实施方案描述了本发明，但是对于本领域技术人员而言，显然在不偏离其精神和范围的情况下，可以进行各种改变和修改。
本申请基于2005年3月16日提交的日本专利申请(申请号2005-075553)，其内容通过引用结合在此。

Claims (11)

1.一种光学记录介质，所述光学记录介质包含其上具有记录层的衬底，所述记录层通过使用440nm或更短波长的激光的辐照能够记录信息，其中所述记录层包含至少一种由下式(I)表示的铂卟啉：
式(I)：
[化学式1]
Figure A2006800011090002C1
其中R11至R18各自独立地表示氢原子或取代基。
2.如权利要求1所述的光学信息记录介质，其中所述记录层包含至少一种由式(I)表示的铂卟啉，并且所述由式(I)表示的铂卟啉的溶液吸收最大波长和膜吸收最大波长都是350至385nm。
3.如权利要求1或2所述的光学信息记录介质，其中所述记录层包含至少一种由式(I)表示的铂卟啉，并且所述记录层在440nm或更短波长的激光的振荡波长的折射率n和消光系数k同时满足n≥2.0和0.01≤k≤0.4。
4.如权利要求1至3中任一项所述的光学信息记录介质，所述光学信息记录介质包含其上具有记录层的衬底，所述记录层通过使用440nm或更短波长的激光的辐照能够记录信息，其中所述记录层包含至少一种由下式(II)表示的铂卟啉：
式(II)
[化学式2]
Figure A2006800011090003C1
其中R21至R28各自独立地表示取代或未取代的烷基，条件是在R21至R28之中的至少一个取代基是被下列基团中的任何一个进一步取代的基团：羟基、羧基、氨基、烷基氨基、巯基、烷氧基、烷硫基、烷氧基羰基、烷硫基羰基、烷氨基羰基和杂环基。
5.如权利要求1至4中任一项所述的光学信息记录介质，其中将包含金属的光反射层与所述记录层隔开安置。
6.如权利要求1至5中任一项所述的光学信息记录介质，其中将保护层与所述记录层隔开安置。
7.如权利要求1至6中任一项所述的光学信息记录介质，其中所述衬底是在其表面上具有磁道间距为0.2至0.5mm的预槽的透明盘状衬底，并且将所述记录层安置在所述形成预槽的表面上。
8.如权利要求1至3中任一项所述的光学信息记录介质，所述光学记录介质包含其上具有记录层的衬底，所述记录层通过使用440nm或更短波长的激光的辐照能够记录信息，其中所述记录层包含至少一种由下式(III)表示的铂卟啉：
式(III)
[化学式3]
Figure A2006800011090004C1
其中R31至R38各自独立地表示取代或未取代的烷氧基、取代或未取代的烷硫基，条件是在R31至R38之中的至少一个取代基是被下列基团中的任何一个进一步取代的基团：羟基、羧基、氨基、烷基氨基、巯基、烷氧基、烷硫基、烷氧基羰基、烷硫基羰基、烷氨基羰基和杂环基。
9.如权利要求8所述的光学信息记录介质，其中将包含金属的光反射层与所述记录层隔开安置。
10.如权利要求8或9所述的光学信息记录介质，其中将保护层与所述记录层隔开安置。
11.如权利要求8至10中任一项所述的光学信息记录介质，其中所述衬底是在其表面上具有磁道间距为0.2至0.5μm的预槽的透明盘状衬底，并且将所述记录层安置在所述形成预槽的表面上。
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SE01 Entry into force of request for substantive examination
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WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

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