CN100590481C - 液晶显示器 - Google Patents

Abstract

本发明提供了一种液晶显示器，根据本发明示例性实施例的液晶显示器包括：基底和置于基底上的像素电极。像素电极包括第一子像素电极和第二子像素电极，其中，第一子像素电极包括第一电极，第一电极包括至少两个基本为平行四边形形状的电极件，所述电极件具有不同的倾斜方向。第二子像素电极包括以不同于第一电极的纵向位置布置的第二电极，第二电极包括至少两个基本为平行四边形形状的电极件，所述电极件具有不同的倾斜方向。

Description

液晶显示器

本申请要求于2004年12月27日提交的第10-2004-0113308号韩国专利申请和2005年9月7日提交的第10-2005-0083267号韩国专利申请的优先权，该申请内容通过引用全部包含于此。

技术领域

本发明涉及一种液晶显示器。

背景技术

液晶显示器(LCD)是应用最广泛的平板显示装置之一。LCD包括一对包含像素电极的面板(例如，下面板和上面板)、公共电极和置于这两个面板之间的液晶(LC)层。在一个实施例中，LC层具有介电各向异性。LCD通过对电极施加电压来在LC层中产生电场，并通过经施加的电压来控制电场的强度以改变入射在LC层上的光的透过率，从而获得期望的图像。

LCD还包括与像素电极和信号线连接的开关元件，所述信号线如栅极线和数据线，用于对开关元件施加信号，从而对像素电极施加电压。

在LCD中，垂直取向(VA)模式LCD以这样一种方式排列LC分子，即在没有电场存在的情况下，LC分子的长轴垂直于面板。由于采用VA模式LCD获得了高对比度和宽基准视角，所以VA模式LCD受到关注。

VA模式LCD的宽视角可通过在场发生电极上的突出和/或场发生电极中的切口来实现。由于切口和突出可确定LC分子的倾斜方向，所以倾斜方向可通过利用切口和/或突出分布到几个方向上，从而使基准视角变宽。

然而，VA模式LCD的侧可见度比前可见度差。例如，侧伽马曲线与前伽马曲线不同。

为了提高侧可见度，传统的方法包括将像素分成两个子像素，所述两个子像素相互电容耦合。两个子像素之一被直接供给电压，而另一个通过电容耦合具有压降，从而两个子像素具有不同的电压，由此致使入射到LC层上的光的透过率不同。

然而，传统方法不可以控制两个子像素的透过率。具体地讲，由于透过率根据光的颜色而改变，所以优选地用于不同颜色的电压不同，然而，这也是不可能的。另外，由于添加了用于电容耦合的导体使得开口率降低，由电容耦合导致的压降使得透过率降低。

同时，为了防止由长时间应用单向电场而导致的包括老化的缺点，对于每一帧、各预定数量的行或列、或每个像素，数据电压的极性相对于公共电压被反相。在数据电压的反相机制中，列反相对于各预定数量的像素列使数据线的极性反相，列反相使施加到数据线的数据电压的极性保持预定的时间，以降低数据线的信号延迟并减小功耗。

然而，列反相可导致降低LCD的图像品质的垂直闪烁和垂直串扰。

发明内容

根据本发明示例性实施例的液晶显示器包括：基底；像素电极，置于基底上并包括第一子像素电极和第二子像素电极。第一子像素电极包括具有至少两个基本为平行四边形形状的电极件的第一电极，所述电极件具有不同的倾斜方向。第二子像素电极包括第二电极，第二电极布置在不同于第一电极的纵向位置并包括至少两个基本为平行四边形形状的电极件，所述电极件具有不同的倾斜方向。

第一电极和第二电极可彼此相邻。

第一电极和第二电极可具有不同的高度。

第二子像素电极可包括第三电极，第三电极包括至少两个基本为平行四边形形状的电极件，所述电极件具有不同的倾斜方向，第三电极可横向上邻近于第一电极并与第二电极连接。

第一电极和第二电极可排列在边缘上。

第一电极和第二电极可在彼此相对的对角方向上排列。

第一电极和第二电极可在限定两个基本上为平行四边形形状的电极件之间的接合处的中心排列。

第一电极和第二电极可具有不同的宽度。

第一电极的高度可大于第二电极的高度并且等于或小于第二电极的高度的两倍。

第一子像素电极和第二子像素电极可具有不同的面积。

第二子像素电极的面积可为第一子像素电极的面积的大约1.1倍至大约3倍。

液晶显示器还可包括面向像素电极并具有切口的公共电极，其中，每个电极件具有一对基本上相互平行的倾斜边缘，切口穿过第一子像素电极和第二子像素电极并包括基本上平行于电极件的倾斜边缘延伸的倾斜部分。

第一子像素电极和第二子像素电极可具有不同的电压。

第一子像素电极和第二子像素电极的电压可源于单一的图像信息。

液晶显示器还可包括：第一薄膜晶体管，与第一子像素电极结合；第二薄膜晶体管，与第二子像素电极结合；第一和第二信号线，与第一薄膜晶体管结合；第三和第四信号线，与第二薄膜晶体管结合。

液晶显示器还可包括：第一薄膜晶体管，与第一子像素电极结合；第二薄膜晶体管，与第二子像素电极结合；第一信号线，与第一薄膜晶体管结合；第二信号线，与第二薄膜晶体管结合；第三信号线，与第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管结合并与第一信号线和第二信号线交叉。

第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管可分别根据来自第一信号线和第二信号线的信号导通，以传输来自第三信号线的信号。

第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管可分别根据来自第三信号线的信号导通，以传输来自第一信号线和第二信号线的信号。

液晶显示器还可包括沿第一电极和第二电极的边界延伸的第四信号线。

第一薄膜晶体管可包括与第四信号信叠置的第一漏极，第二薄膜晶体管可包括与第四信号信叠置的第二漏极。

液晶显示器还可包括：第四信号线，穿过第一电极的中心；第五信号线，穿过第二电极的中心；其中，中心由两个基本上为平行四边形形状的电极件之间的接合处限定。

第一薄膜晶体管可包括与第四信号线叠置的第一漏极，第二薄膜晶体管可包括与第五信号线叠置的第二漏极。

第一子像素电极和第二子像素电极可彼此电容耦合。

液晶显示器还可包括与第一子像素电极连接并与第二子像素电极叠置的耦合电极。

液晶显示器还可包括：第一薄膜晶体管，与第一子像素电极结合；第二薄膜晶体管，与第二子像素电极结合；栅极线，与第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管结合；数据线，与第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管结合；第一存储电极线，与第一子像素电极叠置；第二存储电极线，与第二子像素电极叠置。

第一存储电极线的第一电压具有与第二存储电极线的第二电压的相位相反的相位。

栅极线可穿过第一子像素电极和第二子像素电极之间的边界。

第二子像素电极可具有切口。

液晶显示器还可包括：面向像素电极的公共电极和置于像素电极和公共电极之间的液晶层。

公共电极可具有切口。

液晶显示器还可包括形成在公共电极上的突出。

根据本发明另一个示例性实施例的液晶显示器包括：基底；和形成在基底上的多个像素电极组。每个像素电极组包括多个像素电极。每个像素电极包括第一子像素电极和与第一子像素电极分离的第二子像素电极。第一子像素电极和第二子像素电极中的每个包括至少两个基本为平行四边形形状的电极件，所述电极件具有不同的倾斜方向，每个像素电极组中的像素电极中的至少一个具有与其他像素电极不同的形状。

像素电极组可在行方向和列方向上周期性布置。

每个像素电极组中的像素电极可具有相同的面积。

每个像素电极组中的像素电极可具有不同的面积。

每个像素电极组中的像素电极可在边缘上排列。

第二子像素电极的面积是第一子像素电极的面积的大约1.1倍至大约3倍。

第一子像素电极和第二子像素电极可具有不同的电压。

附图说明

通过参照附图详细描述本发明的示例性实施例，本发明将变的更加清楚，其中：

图1是根据本发明示例性实施例的LCD的方框图；

图2是根据本发明示例性实施例的图1中的LCD的像素的示意性等效电路图；

图3至图8是根据本发明示例性实施例的LC面板组件中的像素电极和公共电极的平面布局图；

图9A至9C是形成图3至图8中示出的子像素电极的电极件和基极的平面图；

图10A和10B是根据本发明示例性实施例的信号线和像素PX′的示意性等效电路图；

图11是根据本发明示例性实施例的下面板(TFT面板)的平面布局图；

图12是根据本发明示例性实施例的上面板(公共电极面板)的平面布局图；

图13是包括图11中示出的TFT阵列面板和图12中示出的公共电极面板的LC面板组件的平面布局图；

图14是沿线XIV-XIV截取的图13中示出的LC面板组件的剖视图；

图15是根据本发明另一示例性实施例的TFT阵列面板的平面布局图；

图16是根据本发明另一示例性实施例的公共电极面板的平面布局图；

图17是包括图15中示出的TFT阵列面板和图16中示出的公共电极面板的LC面板组件的平面布局图；

图18是沿着线XVIII-XVIII截取的图17中示出的LC面板组件的剖视图；

图19、图21、图22、图23和图24是根据本发明其它示例性实施例的LC面板组件的平面布局图；

图20是沿着线XX-XX截取的图19中示出的LC面板组件的剖视图；

图25示出了根据本发明示例性实施例的信号线的示意性等效电路图；

图26是根据本发明示例性实施例的图25的LC面板组件的平面布局图；

图27是沿着线XX II-XX II截取的图26中示出的LC面板组件的剖视图；

图28示出了根据本发明示例性实施例的信号线和像素PX的示意性等效电路图；

图29、图31、图32和图33是根据本发明示例性实施例的LC面板组件的平面布局图；

图30是沿着线XXX-XXX截取的图29中示出的LC面板组件的剖视图；

图34示出了根据本发明示例性实施例的信号线和像素PX的示意性等效电路图；

图35、图36、图37和图38是根据本发明示例性实施例的LC面板组件的平面布局图。

具体实施方式

现在，将参照附图来更加充分地描述本发明，其中，示出了本发明的示例性实施例。本发明的示例性实施例可以以许多不同形式实施，然而，本发明不应理解为限于这里提到的示例性实施例。

应该理解，当元件例如层、膜、区域或者基底被表示为在其它元件“上”时，该元件可直接在该其它元件上，或者也可存在中间元件。相反，当元件被表示为“直接在其它元件上”时，不存在中间元件。例如，如果提到层、膜、区域或者板位于不同的元件上，则包括层、膜、区域或者板直接位于该不同元件上的情况，也包括其它元件位于其间的情况。相反地，例如，如果提到一个元件直接位于其它元件上，则意味着其间没有元件。

在图中，为了清晰地示出层和区域的目的，夸大了厚度。另外，相同的元件在说明书中用相同的标号表示。如这里使用的，术语“和/或”包括一个或者多个相关列出项的任一和全部组合。

应该理解，尽管可在这里使用术语第一、第二、第三等来描述各种元件、组件、区域、层和/或部件，但是，这些元件、组件、区域、层和/或部件不应由这些术语限定。这些术语仅用来将一个元件、组件、区域、层或者部件与其它区域、层或者部件区别开。因此，下面讨论的第一元件、组件、区域、层或者部件能被称作第二元件、组件、区域、层或者部件，而不脱离本发明的教导。

这里使用的技术术语仅为了描述具体实施例的目的，并不意图限制本发明。如这里使用的，除非上下文清楚地指出，单数形式意图地包括复数形式。还应该理解，当在说明书中使用术语“包含”或“包括”时，说明存在描述的零件、区域、整体、步骤、操作、元件和/或组件，但是不排除一个或者多个其它零件、区域、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组的存在或附加。

另外，关系术语，例如“下面”或“底”和“上面”或“顶”可在这里使用来描述与如图中示出的一个元件与其它元件的关系。应该理解，关系术语意图包含除了图中描述的方向之外的装置的不同方向。例如，如果在一个图中的装置被翻转，被描述为在其它元件“下面”的元件则位于所述其它元件“上面”。因此，根据图的具体方向，示例性术语“下面”层包括“下面”和“上面”两个方向。

除非另外限定，这里使用的所有术语(包括技术术语和学术术语)与本发明所属领域内的普通技术人员所通常理解的意义相同。还应该理解，除非这里作特定限定，术语例如在通常使用的字典中限定的术语等应该被解释为与它们在相关领域和本公开的上下文中的意义一致，而不应该理想地或者过度正式地解释这些术语。

这里，参照本发明理想实施例的示意图的剖视图来描述本发明的实施例。这样，可以预料到例如制造技术和/或公差带来的对所示的形状的改变。因此，本发明的实施例不应理解为限于这里示出的区域的具体形状，而应包括例如制造所带来的形状上的差异。例如，被示出或描述为平坦的区域通常可具有粗糙和/或非线性的特征。而且，所示的锐角可为倒圆的。因此，在图中示出的区域实际上是示意性的，它们的形状不意图表示为区域的精确形状，并且不意图限制本发明的范围。

将参照图1和图2来详细描述根据本发明示例性实施例的LCD。

图1是根据本发明示例性实施例的LCD的框图。图2是图1的LCD的像素的等效电路图。

参照图1，根据本发明示例性实施例的LCD包括：LC面板组件300；栅极驱动器400和数据驱动器500，与面板组件300连接；灰度电压发生器800，与数据驱动器500连接；信号控制器600，控制上面列举的元件。

参照图1，面板组件300包括：多条信号线(未示出)；多个像素PX，与信号线连接，并且基本上布置成矩阵。在图2中示出的结构视图中，面板组件300包括下面板100、上面板200和位于它们之间的LC层3。

设置在下面板100上的信号线包括：多条栅极线(未示出)，传输栅极信号(也称作“扫描信号”)；多条数据线(未示出)，传输数据信号。相对于图1和图2所示，栅极线基本上在行或者水平方向上延伸并且基本上彼此平行，而数据线基本上在列或者垂直方向上(例如，基本上与栅极线正交并且在同一平面上)延伸并且基本上彼此平行。

参照图2，每个像素PX包括一对子像素，每个子像素包括液晶(LC)电容器(Clc1/Clc2)。两个子像素中的至少一个还包括与栅极线、数据线和LC电容器Clc1/Clc2连接的开关元件(未示出)。

LC电容器Clc1/Clc2包括作为两个端部的子像素电极PE1/PE2和设置在上面板200上的公共电极CE。位于电极PE1/PE2和公共电极CE之间的LC层3作为LC电容器Clc1/Clc2的电介质。像素电极PE1和PE2彼此分离并且形成像素电极PE。公共电极CE被供给公共电压Vcom，并且覆盖上面板200的整个表面。LC层3具有负介电各向异性，在没有电场的情况下，LC层3中的LC分子由可垂直于面板100和200的表面取向的长轴限定。

对于彩色显示，每个像素PX单独地表示多个原色之一(即，空分)或者每个像素PX按顺序表示原色(即，时分)，从而原色的空分或者时分之和表示期望的颜色。一组原色的例子包括红色、绿色和蓝色。图2示出了空分的例子，其中，每个像素PX包括在面向像素电极PE的上面板200的区域中表示原色之一的滤色器CF。可选地，滤色器CF设置在位于下面板100上的子像素电极PE1或PE2上或者子像素电极PE1或PE2下面。

一对偏振器(未示出)附于面板100和200中的至少一个。两个偏振器的偏振轴可交叉，从而交叉的偏振器阻挡光入射到LC层3上的光。本领域的技术人员应该理解，可省略偏振器之一。

将参照图3、图4、图5、图6、图7、图8、图9A、图9B和图9C来详细描述LC面板组件中的像素电极和公共电极的详细结构。

图3至图8是根据本发明示例性实施例的LC面板组件中的像素电极和公共电极的平面布局图。图9A至图9C是形成图3至图8中示出的子像素电极的电极件和基极的平面图。

参照图3至图8，根据本发明示例性实施例的LC面板组件的每个像素电极PE包括彼此分离的一对子像素电极PE1和PE2，或者PEij和PE(i+1)j(i＝1，3，5，j＝1-9)。子像素PEij和PE(i+1)j的一些具有切口90U和90L。公共电极CE(图2中所示)具有面向子像素电极PE1、PE2、PEij和PE(i+1)j的多个突出280或者切口60U和60L(图8)。

形成像素电极PE的子像素电极PE1和PE2或者PEij和PE(i+1)j可与各自的开关元件(未示出)结合。可选地，子像素电极PE1和PE2或者PEij和PE(i+1)j中的一个可与开关元件(未示出)结合，而子像素电极PE1和PE2或PEij和PE(i+1)j中的其它电极与子像素电极PE1和PE2或者PEij和PE(i+1)j电容结合。

子像素电极PE1、PE2、PEij和PE(i+1)j的每个包括图9A中示出的至少一个电极件196和图9B中示出的至少一个电极件197。图9A和图9B中示出的电极件196和197在其纵向端部的端部垂直连接，以形成图9C中示出的基极198，这是子像素电极PE1、PE2、PEij和PE(i+1)j的每个的基本结构。

如图9A和图9B中所示，每个电极件196和197基本上分别为具有一对斜边196o和197o以及一对横边196t和197t的平行四边形的形状。斜边196o和197o的每个分别与横边196t和197t形成倾斜角，根据哪一对平行的斜边与各横边对比，该倾斜角的范围从大约45度至大约135度。为了便于描述，根据相对于底边196t和197t的正交的倾斜方向，电极件196和197被分为两种类型。图9A中示出的电极件196由于其向右倾斜被表示为“右倾”，而图9B中示出的电极件197由于其向左倾斜被表示为“左倾”。

被限定为横边196t和197t的长度的电极件196和197的宽度W以及被限定为横边196t和197t之间的距离的高度H可根据面板组件300的尺寸确定。每个电极件196和197的横边196t和197t可被变形为在与其它部分连接的过程中弯曲或者突起，说明书中使用的术语“平行四边形”包括这种变形。

公共电极CE具有面向电极件196和197的切口61和62，每个电极件196和197被切口61和62分为两个子区S1和S2。切口61和62的每个包括倾斜部分61o和62o以及各对横向部分61t和62t，其中，倾斜部分61o和62o基本上分别与电极件196和197的斜边196o和197o平行，各对横向部分61t和62t限定关于倾斜部分61o和62o的钝角并且与电极件196和197的横边196t和197t叠置。

每个子区S1和S2具有由倾斜部分61o和62o(分别为切口61和62的)以及斜边196o和197o(分别为切口61和62的)限定的一对初始的边缘。初始的边缘之间的距离即子区S1和S2的宽度优选地为大约25微米至大约40微米。

通过使右倾电极件196和左倾电极件197的各自的横边结合来形成图9C中示出的基极198。通过使右倾电极件196和左倾电极件197结合而形成的角优选地大约等于直角，电极件196和197在其间的连接包括各横边196t和197t的仅仅部分的连接。没有彼此连接的电极件196和197的近似彼此面对的横边部分形成位于凹陷处的切口90。然而，当在限定电极件196和197的邻近横边196t和197t的所有部分都存在连接时，可不形成切口90。

电极件196和197的向外的或者外部的横边196t和197t形成基极198的横边198t。与电极件196和197对应的斜边196o和197o彼此连接，形成基极198的对应的弯曲边缘198o1和198o2。

弯曲边缘198o1和198o2包括凸边198o1和凹边198o2，其中，凸边198o1以钝角例如大约135度接触相对的横边198t，凹边198o2以锐角例如大约45度接触相对的横边198t。弯曲边缘198o1和198o2通过斜边196o和197o的接触各限定基本为90度的角。

切口90从凹边198o2上的凹顶点CV向凸边198o1的凸顶点VV延伸，并且到达通过横边196t和197t之间的结合处限定的基极198的中心附近。

公共电极CE的切口61和62彼此连接，形成切口。此时，彼此叠置的切口61和62的横向部分61t和62t结合在一起形成横向部分60t1。新形成的切口60可如下所述。

切口60包括：弯曲部分60o，具有弯曲点CP；中心横向部分60t1，与弯曲部分60o的弯曲点CP连接；一对端部横向部分60t2，与弯曲部分60o的端部连接。切口60的弯曲部分60o包括一对倾斜部分，该倾斜部分在基本上限定为大约直角的基极198的中心处接触。切口60的弯曲部分60o基本上与基极198的弯曲边缘198o1和198o2平行延伸，并且将基极198平分为左半部和右半部。切口60的中间横向部分60t1与弯曲部分60o形成钝角例如大约135度，并且向着基极198的凸顶点VV延伸。外端部横向部分60t2基本上与基极198的横边198t对齐，并且与弯曲部分60o形成钝角例如大约135度。

基极198和切口60相对于连接基极198的凹顶点VV和凸顶点CV的假想的直线(称作中间横线)反对称。

在图3至图8中，基极布置成两行。基极具有相同的宽度，但是它们可如图3至图8所示具有不同的宽度。

在图3至图7所示的结构中，位于上行中的基极的高度H0等于位于下行中的基极的高度H0。

在如图3所示的结构中，每行中的三个基极(一共六个基极)形成被表示为点的基本单元。子像素电极PE1和PE2的每个包括一个基极。

在如图4和图7所示的每种结构中，每行中的五个基极(一共十个基极)形成点。

如图4中示出的子像素电极PE11、PE21、PE12和PE22的每个包括一行中的两个相邻的基极，子像素电极PE13和PE23的每个包括一个基极。一行中相邻基极之间在基极的上角和下角处存在连接，从而基极之间的间隙形成切口90U或90L。

图7中所示的子像素电极PE31、PE41、PE32和PE42的每个包括一列中的两个相邻的基极，子像素电极PE33和PE43的每个包括一个基极。

在图5和图6中示出的每种结构中，每行中的四个基极(一共八个基极)形成点。

图5中示出的子像素电极PE15和PE24的每个包括一行中的两个相邻的基极，子像素电极PE14、PE25、PE16和PE26的每个包括一个基极。

图6中示出的子像素电极PE17和PE28的每个包括一行中的两个相邻的基极，子像素电极PE18、PE27、PE19和PE29的每个包括一个基极。

提出的是，与图3至图5以及图7中示出的子像素电极不同，形成图6中所示的像素电极的子像素电极PE17和PE27或者PE18和PE28彼此对角地设置。

在图8中示出的结构中，位于上行中的基极的高度H1大于位于下行中的基极的高度H2。在示例性实施例中，优选地，高度H1为高度H2的大约1.1倍至高度H2的大约两倍。

仍参照图8，点包括每行中的五个基极，一共为十个基极。子像素电极PE51、PE52和PE53包括仅仅一个基极，子像素电极PE61和PE63的每个包括位于不同行中的一对基极198U1和198L1，或者198U3和198L3，子像素电极PE62包括位于下行中的三个相邻的基极。

形成子像素电极PE61或者PE63的基极198U1和198L1或者198U3和198L3连接到连接处，该连接处连接基极198U3和198L3的相邻角。

通过移动具有反对称的像素电极或者通过旋转像素电极可改变图3至图8中示出的子像素电极的位置和弯曲方向以及图3至图8中示出的结构。

再参照图1，灰度电压发生器800产生与像素PX的透光率有关的多个灰度电压。然而，灰度电压发生器800可仅仅产生一部分或者给定数目的灰度电压(被称作基准灰度电压)，而不是产生所有的灰度电压。

栅极驱动器400与面板组件300的栅极线连接并且合成来自外部装置的栅极导通电压Von和栅极截止电压Voff，以产生向栅极线施加的栅极信号Vg。

数据驱动器500与面板组件300的数据线连接，并且向数据线施加从灰度电压发生器800供给的灰度电压中选择的数据电压Vd。然而，数据驱动器500可通过划分基准灰度电压产生用于所有灰度的灰度电压，并且当灰度电压发生器800产生基准灰度电压时从产生的灰度电压中选择数据电压Vd。

信号控制器600控制栅极驱动器400和数据驱动器500等。

驱动单元400、500、600、700和800的每个可包括安装在LC面板组件300上或者以带载封装(TCP)方式安装在附于面板组件300的柔性印刷电路(FPC)膜上的至少一个集成电路(IC)芯片。可选地，处理单元400、500、600、700和800的至少一个可与信号线以及开关元件Qa和Qb一起集成到面板组件300中。可选地，所有的处理单元400、500、600、700和800可集成到单独IC芯片中，但是至少一个处理单元400、500、600、700和800或者至少一个处理单元400、500、600、700和800中的至少一个电路元件可位于单独IC芯片的外部。

现在，将详细描述上述LCD的操作。

信号控制器600被供给输入图像信号R、G和B以及来自外部图形控制器(未示出)的控制其显示的输入控制信号。输入图像信号R、G和B包含每个像素PX的亮度信息，该亮度具有预定的数目例如1024(＝2¹⁰)，256(＝2⁸)或者64(＝2⁶)的灰度。输入控制信号包括竖直同步信号Vsync、水平同步信号Hsync、主时钟MCLK和数据使能信号DE等。

在根据输入控制信号和输入图像信号R、G和B产生栅极控制信号CONT1、数据控制信号CONT2并且将输入图像信号R、G和B处理为适于面板组件300的操作之后，信号控制器600向栅极驱动器400传输栅极控制信号CONT1，向数据驱动器500传输已处理的图像信号DAT和数据控制信号CONT2。向数据驱动器500传输的输出图像信号DAT为具有预定数目的值(或灰度)的数字信号。

栅极控制信号CONT1包括：扫描起始信号STV，用于指示开始扫描；至少一个时钟信号，用于控制栅极导通电压Von的输出时间。栅极控制信号CONT1还可包括输出使能信号OE，用于限定栅极导通电压Von的持续时间。

数据控制信号CONT2包括：水平同步起始信号STH，用于通知对一组子像素的数据传输的起始；负载信号LOAD，用于指示数据电压被施加到面板组件300；数据时钟信号HCLK。数据控制信号CONT2还可包括反相信号RVS，用于使数据电压的极性(关于公共电压Vcom)反相。

响应来自信号扫描器600的数据控制信号CONT2，数据驱动器500从信号控制器600接收用于该组子像素的一数据包的图象数据DAT。数据驱动器500将图像数据DAT转变成选自由灰度电压发生器800提供的灰度电压的模拟数据电压，并将该数据电压施加到数据线。

栅极驱动器400响应来自信号控制器600的栅极控制信号CONT1将栅极导通电压Von施加到栅极线，从而导通与栅极驱动器400连接的开关元件。通过激活的开关元件将施加到数据线的数据电压提供给子像素。

参照图3至图8，当形成像素电极的两个子像素电极PE1和PE2，或者PEij和PE(i+1)j与各自的开关元件结合时，即，当每个子像素均包括其自身的开关元件时，可在不同的时间通过同一数据线或在同一时间通过不同的数据线向这两个子像素提供各自的数据电压。然而，当子像素电极PE1和PE2中的一个或者PEij和PE(i+1)j中的一个与开关元件(未示出)结合时，子像素电极PE1和PE2中的另一个或者PEij和PE(i+1)j中的另一个与这个子像素电极电容耦合，而另一个子像素可具有根据该数据电压而变化的电压，可向包括开关元件的子像素直接提供数据电压。此时，子像素电极PE1和PE2或者PEij和PE(i+1)j中较小的一个优选地具有大于子像素电极PE1和PE2或者PEij和PE(i+1)j中较大的一个的电压(相对于公共电压)。

相反，在对两个子像素电极PE1和PE2或者PEij和PE(i+1)j用相同的电压充电后，子像素电极PE1和PE2或者PEij和PE(i+1)j可通过使用存储电容器(未示出)等来区分彼此。

参照图1和图2，当在LC电容器Clc1/Clc2的两个端子之间产生压差时，由于像素电极PE和公共电极CE均被称作场发生电极，所以在LC层3内产生与面板100和200的表面基本垂直的初始电场(primary electric field)。LC电容器Clc1/Clc2内的LC分子响应电场趋于改变它们的取向，使得LC分子的长轴可垂直于场的方向。分子取向确定穿过LC层3的光的偏振。偏振器将光的偏振转变成透光率，从而像素PX显示由图像数据DAT代表的亮度。

LC分子的倾斜角度取决于电场的强度。由于LC电容器Clc1和Clc2的电压互不相同，所以子像素内的LC分子的倾斜角度互不相同，从而这两个子像素的亮度不同。因此，可调整这两个子像素的电压，使得从侧面看到的的图像与从前面看到的图像相似。即，侧面伽玛曲线相似于或接近于前面伽玛曲线，从而提高了侧面可见度。

此外，电压高于像素的另一子像素电极的(相对于公共电压Vcom)的子像素电极PE1、PE2、PEij、PE(i+1)j可具有比另一子像素电极更小的面积，从而使得侧面伽玛曲线进一步接近于前面伽玛曲线。具体地讲，当这两个子像素电极PE1和PE2或者PEij和PE(i+1)j的面积比为大约1∶2至大约1∶3时，侧面伽玛曲线进一步接近于前面伽玛曲线，从而进一步提高了侧面可见度。由于本发明的示例性实施例可容易地调整各组像素电极PE内的子像素电极PE1和PE2或者PEij和PE(i+1)j的宽度和高度，所以可易于调整这两个子像素电极PE1和PE2或者PEij和PE(i+1)j的面积比。

LC分子的倾斜方向首先由水平的场分量来确定。水平的场分量由突出280，场发生电极PE和CE的切口90U、90L、60U和60L以及像素电极PE的边缘产生，所有这些均使初始电场变形。水平的场分量基本垂直于突出280，切口90U、90L、60U和60L以及子像素电极PE1和PE2或者PEij和PE(i+1)j的边缘的延伸方向。

参照图3至图9C，由于通过一组突出280与切口90U、90L、60U和60L划分的子区域的每个上的LC分子与子区域的主边缘垂直倾斜，所以倾斜方向的方位角分布位于四个方向。从而，LCD的基准视角增大。

同时，由于子像素电极PE1和PE2之间或者PEij和PE(i+1)j之间的压差而造成的次级电场(secondary electric field)的方向垂直于子区域的主边缘。因此，次级电场的场的方向与初始电场的水平分量的方向相符合。从而，子像素电极PE1和PE2之间或者PEij和PE(i+1)j之间的次级电场增进了cfLC分子的倾斜方向的确定。

通过重复这个过程一个单位的一个水平周期(用“1H”表示，等于水平同步信号Hsync或数据使能信号DE的一个周期)，所有的像素PX都提供有数据电压。

当一帧完成后下一帧起始时，控制施加到数据驱动器500的反相控制信号RVS，使得数据电压的极性反相(称作“帧反相”)。也可控制反相控制信号RVS，使得在数据线内流动的图像数据信号的极性在一帧期间周期性地反相(例如，行反相和点反相)，或者在一数据包内的图像数据信号的极性反相(例如，列反相和点反相)。

现在，结合参照图1和图2，将参照图10A、图10B、图11、图12、图13、图14、图15、图16、图17和图18来详细描述LC面板组件的结构。

图10A和图10B示出了信号线和像素PX的示意性等效电路图。

图10A和图10B中示出的LC面板组件包括多条信号线和与所述多条信号线连接的多个像素PX。信号线包括多条栅极线GLa、GLb和多条数据线DL、DL1和DL2。图10A中示出的信号线还包括基本平行于成对的栅极线GLa和GLb延伸的多条存储电极线SL。

每个像素PX包括一对子像素PXa和PXb。每个子像素PXa/PXb包括：开关元件Qa/Qb，分别与栅极线GLa和GLb之一及数据线DL、DL1和DL2之一连接；各自的LC电容器Clca/Clcb，与开关元件Qa/Qb结合。图10A中示出的每个像素PXa/PXb还包括对应的存储电容器Csta/Cstb，存储电容器连接在各自的开关元件Qa/Qb和存储电极线SL之间。指出的是，图10A中示出的两个子像素PXa和PXb与同一数据线DL连接，而图10B中示出的两个子像素PXa和PXb与不同的数据线DL1和DL2连接。

参照图2、图10A和图10B，开关元件Qa/Qb，例如薄膜晶体管(TFT)，设置在下面板100上，并具有三个端子：(1)控制端，与栅极线GLa/GLb连接；(2)输入端，与数据线DL/DL1/DL2连接；(3)输出端，与LC电容器Clca/Clcb连接。

存储电容器Csta/Cstb分别是用于LC电容器Clca/Clcb的辅助电容器。存储电容器Csta/Cstb包括子像素电极和单独的信号线，信号线设置在下面板100上，经由绝缘体与子像素电极叠置并提供有预定的电压例如公共电压Vcom。作为选择，存储电容器Csta/Cstb包括子像素电极和称为先前栅极线的相邻的栅极线，该栅极线经由绝缘体与像素电极叠置。

由于上面参照图2描述了LC电容器Clca/Clcb和其它相关元件，所以将省略对其的详细描述。

参照图1，在图10A和图10B中示出的LCD中，信号控制器600接收输入图像数据R、G和B，并将用于各像素的各输入图像数据R、G和B转换成将提供给数据驱动器的用于两个子像素PXa和PXb的多个输出图像数据DAT。另外，灰度电压发生器800产生用于两个子像素PXa和PXb的各组灰度电压。两组灰度电压可选择地由灰度电压发生器800提供给数据驱动器500或可选择地由数据驱动器500选择。在另一种情形下，两个子像素PXa和PXb提供有不同的电压。

优选地确定每组中的转换的输出图像信号的值和灰度电压的值，使得在正视图上，用于两个子像素PXa和PXb的伽玛曲线的合成接近于基准伽玛曲线。例如，正视图上的合成的伽玛曲线与正视图上的最适合的基准伽玛曲线相符合，侧视图上的合成的伽玛曲线与前视图上的基准伽玛曲线最相似。

现在，将参照图11至图14和图8来详细描述根据本发明的示例性实施例的图10A中示出的LC面板组件的例子。

图11是根据本发明示例性实施例的下面板(TFT阵列面板)的平面布局图。图12是根据本发明示例性实施例的上面板(公共电极面板)的平面布局图。图12是包括图11中示出的TFT阵列面板和图12中示出的公共电极面板的LC面板组件的平面布局图。图14是沿XIV-XIV线截取的图13中示出的LC面板组件的剖视图。

参照图14，根据本发明的示例性实施例的LC面板组件包括TFT阵列面板100、面对TFT阵列面板100的公共电极面板200、置于面板100和200之间的液晶层3。

首先，将参照图11、图13和图14来描述TFT阵列面板100。

分别包括多对第一栅极线121a和第二栅极线121b的多个栅极导体及多条存储电极线131形成在绝缘基底110上，例如形成在透明玻璃或塑料上。

栅极线121a和121b传输栅极信号，基本在横向方向上延伸，并分别位于相对的较上位置和较下位置处。

每条第一栅极线121a包括：多个第一栅极124a，向下突起；端部129a，具有用来与另一层或外部驱动电路接触的大面积。每条第二栅极线121b包括：多个第二栅极124b，向上突起；端部129b，具有用来与另一层或外部驱动电路接触的大面积。栅极线121a和121b可延伸至与栅极驱动器400连接，栅极驱动器400可集成在基底110上。

存储电极线131提供有预定的电压例如公共电压Vcom，并基本平行于栅极线121a和121b延伸。每条存储电极线131位于第一栅极线121a和第二栅极线121b之间，并且距离第一栅极线121a比距离第二栅极线121b更近。每条存储电极线131包括向上和向下扩展的多个存储电极137(见图11和图13)。然而，存储电极线131可具有各种形状和布置。

栅极导体121a、121b和131优选地由诸如Al和Al合金的含Al金属、Ag和Ag合金的含Ag金属、诸如Cu和Cu合金的含Cu金属、诸如Mo和Mo合金的含Mo金属、Cr、Ta或Ti制成。然而，栅极导体可具有包括两种不同物理性质的导电膜(未示出)的多层结构。这两种膜之一优选地由包括含Al金属、含Ag金属和含Cu金属的低电阻金属制成，用来减少信号延迟或压降。另一种膜优选地由具有良好的物理性质、化学性质、与其它材料诸如氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)的电接触性质的材料例如含Mo金属、Cr、Ta或Ti制成。这两种膜的结合的适合的例子包括下Cr膜和上Al(合金)膜以及下Al(合金)膜和上Mo(合金)膜。然而，栅极导体121a、121b和131可由当前公知的或以后将会变成公知的各种金属或导体制成。

栅极导体121a、121b和131的侧面相对于基底的表面倾斜，其倾斜角度的范围为大约30度至大约80度。

优选地由硅氮化物(SiNx)或硅氧化物(SiOx)制成的栅极绝缘层140形成在栅极导体121a、121b和131上。

优选地由氢化非晶硅(简写为“α-Si”)或多晶硅制成的多个第一半导体岛154a和第二半导体岛154b形成在栅极绝缘层140上。第一/第二半导体岛154a/154b分别位于第一/第二栅极124a/124b上。

多对欧姆接触岛163b和165b形成在半导体岛154b上，多对欧姆接触岛(未示出)形成在半导体岛154a上。欧姆接触岛163a和165b优选地由用n型杂质例如磷重掺杂的n+氢化α-Si制成，或者它们可由硅化物制成。

半导体岛154a和154b与欧姆接触163b和165b的侧面相对于基底110的表面倾斜，其倾斜角度优选地在大约30度至大约80度的范围内。

包括多条数据线171的多个数据导体及多对第一漏极175a和第二漏极175b形成在欧姆接触163b和165b及栅极绝缘层140上。

数据线171传输数据信号，并基本在纵向方向上延伸以与栅极线121a和121b及存储电极线131交叉。每条数据线171包括分别朝着第一栅极124a和第二栅极124b突起的多个第一源极173a和第二源极173b，第一源极173a和第二源极173b象字母“C”一样弯曲。数据线171可延伸至与数据驱动器500连接，数据驱动器500可集成在基底110上。

第一漏极175a和第二漏极175b彼此分开，并与数据线171分开。第一/第二漏极175a/175b分别相对于第一/第二栅极124a/124b与第一/第二源极173a/173b相对地设置。第一/第二漏极175a/175b的每个分别包括宽端部177a/177b和窄端部。宽端部177a/177b与存储电极137叠置，窄端部局部被第一/第二源极173a/173b包围。

第一/第二栅极124a/124b、第一/第二源极173a/173b和第一/第二漏极175a/175b与第一/第二半导体岛154a/154b一起分别形成具有通道的第一/第二TFT Qa/Qb，所述通道形成在位于第一/第二源极173a/173b和第一/第二漏极175a/175b之间的第一半导体岛154a/154b内。第一/第二TFT Qa/Qb位于其间的数据线171的左侧/右侧。

数据导体171、175a和175b优选地由难熔金属例如Cr、Mo、Ta、Ti或它们的合金制成。然而，它们可具有包括难熔金属膜(未示出)和低电阻率膜(未示出)的多层结构。多层结构的适合的例子为包括下Cr/Mo(合金)膜和上Al(合金)膜的双层结构，以及下Mo(合金)膜、中间Al(合金)膜和上Mo(合金)膜的三层结构。然而，数据导体171和175a和175b可由当前公知的或以后将会变成公知的各种金属或导体制成。

数据导体171、175a和175b具有倾斜的边缘轮廓，其倾斜角度的范围为大约30度至大约80度。

欧姆接触163b和165b仅设置在下覆半导体岛154a和154b与其上的上伏数据导体171、175a和175b之间，并减小了它们之间的接触电阻。半导体岛154a和154b包括没有用数据导体171、175a和175b覆盖的一些暴露部分，例如位于源极173与漏极175a和175b之间的部分。

钝化层180形成在数据导体171、175a和175b以及半导体岛154a和154b的暴露部分上。钝化层180优选地由无机或有机绝缘体制成，并且它可具有平坦的顶表面。无机绝缘体的例子包括硅氮化物和硅氧化物，但并不局限于此。有机绝缘体可具有光敏性和小于4.0的介电常数。钝化层180可包括无机绝缘体的下膜和有机绝缘体的上膜，从而钝化层180在防止半导体岛154a和154b的暴露部分受到有机绝缘体的损害的同时，还具有有机绝缘体的优良的绝缘性质。

钝化层180具有分别暴露数据线171的端部179以及第一漏极175a和第二漏极175b的多个接触孔182、185a和185b。钝化层180和栅极绝缘层140具有暴露栅极线121a和121b的端部129a和129b的多个接触孔181a和181b。

多个像素电极191R、191G和191B和多个接触辅助件81a、81b和82形成在钝化层180上。它们优选地由透明导体比如ITO或IZO或者由反射性导体比如Ag、Al、Cr及其合金制成。

像素电极191R、191G和191B具有图8中示出的结构，各像素电极191R/191G/191B包括一对子像素191Ra和191Rb/191Ga和191Gb/191Ba和191Bb。子像素电极191Ra、191Rb、191Ga、191Gb、191Ba、191Bb包括切口91a和91b，子像素电极191b具有一对切口92。

第二子像素电极191Rb/191Bb包括通过连接件192R/192B连接的第一单元电极和第二单元电极191Rb1和191Rb2/191Bb1和191Bb2。优选地，第一单元电极191Rb1/191Bb1的高度大于第二单元电极191Rb2/191Bb2的高度，优选地，第一单元电极191Rb1/191Bb1的高度是第二单元电极191Rb2/191Bb2的高度的大约1.1倍至两倍。当第一像素电极191Ra/191Ba的高度等于第一单元电极191Rb1/191Bb1的高度时，第一子像素电极191Ra/191Ba和第二子像素电极191Rb/191Bb的面积比为大约1∶1.5至大约1∶1.2。可通过调节第一子像素电极191Ra/191Ba和第二子像素电极的第一单元电极和第二单元电极191Rb1、191Rb2、191Bb1和191Bb2的宽度和高度来得到期望的面积比，面积比优选地等于大约1∶1.1至大约1∶3。

第二子像素电极191RG包括三个单元电极。一对切口92将第二子像素电极191Gb三等分。切口92的每个包括：弯曲的部分，基本上与第二子像素电极191Gb的弯曲的边缘平行；横向的部分，与弯曲的部分连接。第二子像素电极191Gb的宽度大于第一子像素电极191Ga的宽度，例如，大约为第一子像素电极191Ga的宽度的三倍。优选地，第二子像素电极191Gb的高度大约为第一子像素电极191Ga的高度的1/2至大约与第一子像素电极191Ga的高度相同。可通过调节第一子像素电极191Ga和第二子像素电极191Gb的宽度和高度来控制面积比，该面积比优选地等于大约1∶1.1至大约1∶1.3。

通过调节子像素电极191Ra、191Rb、191Ga、191Gb、191Ba、191Bb的宽度和高度，可使像素电极191R、191G和191B的面积均匀。

代表三原色比如红色、绿色和蓝色的三个像素电极191R、191G和191B形成一组像素电极或点。在本示例性实施例中的子像素电极191Ra、191Rb、191Ga、191Gb、191Ba和191Bb的构造形成了基本相同的像素电极191R、191G和191B的形状，每个像素电极191R、191G和191B代表相同的颜色并属于相邻的点。此外，点的形状基本上相同。因此，根据本示例性实施例的构造提高了纵向行的显示品质。

此外，由于子像素电极191Ra、191Rb、191Ga、191Gb、191Ba、191Bb容易以点改变，所以像素电极191R、191G和191B的面积容易改变。

本示例性实施例增大了大显示装置比如尺寸大于32英寸或更大的显示装置的开口率和透光率。

第一子像素电极191Ra、191Ga和191Ba通过接触孔185a物理地并电连接到第一漏极175a，从而子像素电极191Ra、191Ga和191Ba从第一漏极175a接收数据电压。第二子像素电极191b通过接触孔185b物理地并电连接到第二漏极175b，从而子像素电极191b从第二漏极175b接收数据电压。

子像素电极191Ra、191Rb、191Ga、191Gb、191Ba、191Bb和公共电极270(图14)形成LC电容器Clca或Clcb，LC电容器Clca或Clcb在TFT截止后存储所施加的电压。

通过将第一/第二子像素电极191Ra、191Ga和191Ba/191Rb、191Gb和191Bb以及漏极175a/175b与存储电极137等叠置，来形成用于增大充电存储容量的存储电容器Csta/Cstb。

存储电极线131、第一漏电极175a和第二漏电极175b的宽端部分177a和177b、接触孔185a和185b以及第二栅极线121b位于单元电极的相邻的行的边界附近。这种构造覆盖了由于分子取向的无序而导致的出现在单元电极的相邻行的边界附近的结构，并增大了开口率。

接触辅助件81a、81b和82分别通过接触孔181a、181b和182分别连接到栅极线121a和121b的端部129a和129b以及数据线171的端部179。接触辅助件81a、81b和82保护端部129a、129b和179，并增强了端部129a、129b和179与外部装置之间的粘附。

以下是参照图12至14对公共电极面板200的描述。

被称为用于防止光泄漏的黑矩阵的阻光构件220形成在绝缘基底210比如透明玻璃或塑料上。阻光构件220包括：多个弯曲的部分(见图12)，面对TFT阵列面板100上的数据线171(见图13)；多个加宽的部分，面对TFT阵列面板100上的TFT Qa和Qb。然而，阻光构件220可具有用于阻挡在像素电极191R、191G和191B以及TFT Qa和Qb附近的光泄漏的各种形状。

多个滤色器230R和230G也形成在基底210和阻光构件220上，并且多个滤色器230R和230G基本上位于被阻光构件220包围的区域中。滤色器230R和230G可沿着像素电极191R、191G和191B基本上在纵向方向上延伸。滤色器230R代表红色，滤色器230G代表绿色，而其它的滤色器(未示出)可表示蓝色。

覆盖层250形成在滤色器230R、230G和阻光构件220上。覆盖层250优选地由(有机)绝缘体制成，覆盖层250防止滤色器230R和230G被暴露并提供了平坦的表面。然而，应该认识到可省略该覆盖层250。

公共电极270形成在覆盖层250上(见图14)。公共电极270优选地由透明导电材料比如ITO和IZO制成，并具有以上参照图8描述的多组切口71Ra、71Rb1、71Rb2、71Ga、71Gb、71Ba、71Bb1和71Bb2。

切口71Ra、71Rb1、71Rb2、71Ga、71Gb、71Ba、71Bb1和71Bb2的数目根据设计因素而不同，阻光构件220也可与切口71Ra、71Rb1、71Rb2、71Ga、71Gb、71Ba、71Bb1和71Bb2叠置，以通过切口71Ra、71Rb1、71Rb2、71Ga、71Gb、71Ba、71Bb1和71Bb2来阻挡光的泄漏。

可垂直的取向层11和21涂覆在面板100和200的内表面上。

偏振器12和22被设置在面板100和200的外表面上，它们的偏振轴可交叉或横向于另一个，并且为了提高光效率偏振轴可与子像素电极191Ra、191Rb、191Ga、191Gb、191Ba、191Bb的弯曲的边缘成大约45度角。应该认识到，当LCD为反射式LCD时，可省略偏振器12和22中的一个。

LCD还可包括至少一个用于补偿LC层3延迟的延迟膜(未示出)。LCD还可包括通过偏振器12和22、延迟膜以及面板100和200将光提供到LC层3的背光单元(未示出)。

优选地，LC层3具有负介电各向异性并被垂直取向。

如相关领域的技术人员所认识到的，可更改切口71Ra、71Rb1、71Rb2、71Ga、71Gb、71Ba、71Bb1、71Bb2、91a、91b和92的形状和布置。

切口71Ra、71Rb1、71Rb2、71Ga、71Gb、71Ba、71Bb1、71Bb2、91a、91b和92中的至少一个可被突出(未示出)或凹陷(未示出)替代。优选地，突出由有机材料或无机材料制成并位于场发生电极191R、191G、191B或270之上或之下。

将参照图15至18来详细描述根据本发明的另一个示例性实施例的图10A中示出的LC面板组件的另一个示例。

图15是根据本发明的另一个示例性实施例的TFT阵列面板的平面布局图。图16是根据本发明的另一个示例性实施例的公共电极面板的平面布局图。图17是包括图15中示出的TFT阵列面板和图16中示出的公共电极面板的LC面板组件的平面布局图。图18是沿着线XVIII-XVIII截取的图17中示出的LC面板组件的剖视图。

根据图15至18中示出的示例性实施例的LC面板组件包括TFT阵列面板100、面对TFT阵列面板100的公共电极面板200、液晶层3和一对偏振器12和22。

根据本示例性实施例的LC面板组件的层状结构与图11至14中示出的层状结构几乎相同。

关于TFT阵列面板100，包括多个第一栅极线121a和第二栅极线121b以及多个第一存储电极线131a和第二存储电极线131b的栅极导体形成在基底110上。第一栅极线121a和第二栅极线121b分别包括第一栅极124a和第二栅极124b以及端部129a和129b。第一存储电极线131a和第二存储电极线131b包括第一存储电极137a和第二存储电极137b。第二存储电极线131b还包括第三存储电极136b。栅极绝缘层140、多个半导体构件154a和154b以及多个欧姆接触163a和165a顺序地形成在栅极导体121a、121b、131a和131b上。包括多条数据线171和多个第一漏电极175a和第二漏电极175b的数据导体形成在欧姆接触163a和165a上。数据线171包括第一源极173a和173b以及端部179。漏极175a和175b分别包括与第一存储电极137a和第二存储电极137b叠置的宽的端部177a和177b。钝化层180形成在数据导体171、175a、175b和栅极绝缘层140以及半导体构件154a、154b的暴露部分上。多个接触孔181a、181b、182、185a和185b设置在钝化层180和栅极绝缘层140上。多个像素电极191R、191G和191B和多个接触辅助件81a、81b和82形成在钝化层上，其中，多个像素电极191R、191G和191B包括具有切口91a、91b和92的子像素电极191Ra、191Rb、191Ga、191Gb、191Ba、191Bb。取向层11随后涂覆在其上。

关于公共电极面板200，阻光构件220、覆盖层250、具有多个切口71Ra、71Rb1、71Rb2、71Ga、71Gb、71Ba、71Bb1、71Bb2的公共电极270以及取向层21形成在绝缘基底210上。

与图11至14中示出的LC面板组件不同，第一栅极线121a位于单元电极的相邻行的边界附近。

第一存储电极线131a和131b、第一漏极175a和第二漏极175b的宽端部177a和177b以及接触孔185a和185b位于单元电极的相邻行的边界附近。该构造覆盖了由于分子取向的无次序而造成的出现在边界附近的结构，并增大了开口率。

此外，存储电容器Csta和Cstb以及接触孔185a和185b位于切口71Ra、71Rb2、71Ga、71Gb、71Ba、71Bb2下方，以覆盖切口71Ra、71Rb2、71Ga、71Gb、71Ba、71Bb2附近的结构。

第一漏极175a还包括沿着第一存储电极线131a从宽的端部分177a延伸的突起176a。第二漏极175b还包括连接到宽的端部分177b并与第三存储电极136b叠置的扩大的部分176b。

这种构造有利于控制存储电极137a、137b和136a与漏极175a和175b之间的叠置区域以及存储电容器Csta和Cstb的电容。

第一TFT Qa和Qb直接位于数据线171上，以减小由于排列错误而导致的缺陷。可容易地调节数据线171之间的距离以及数据线和像素电极191R、191G和191B之间的叠置区域。数据线171和像素电极191R、191G和191B之间的寄生电容也可被调整。

公共电极270的切口71Ra、71Rb1、71Rb2、71Ga、71Gb、71Ba、71Bb1、71Bb2的各倾斜部分具有至少一个凹槽。

此外，在图15至18中示出的TFT阵列面板100包括位于钝化层180下方的多个滤色器230R，而公共电极面板200不具有滤色器和覆盖层。滤色器230R沿着纵向方向延伸并周期性地弯曲，并且滤色器230R不设置在栅极线121和数据线171的端部分129和179所处的外围区域中。滤色器230R具有比接触孔更大的通孔235，从而接触孔185a可穿过通孔235。

相邻的滤色器230R在数据线171上彼此叠置，从而象阻光构件220那样，阻挡像素电极191R、191G和191B之间的光泄漏。在这种情况下，可省略位于公共电极面板200上的阻光构件220，从而简化制造工艺。

另一个钝化层(未示出)可形成在滤色器230R的下方。

本示例性实施例增加了入射光的透射区域，从而增大了开口率和透光率。

在图11至14中示出的LC面板组件的上面描述的很多特点可适用于图15～18中示出的LC面板组件。

现在将参照图19至24来详细描述根据本发明的其它示例性实施例的在图10A和图10B中示出的LC面板组件的其它示例。

图19、21、22、23和24是根据本发明的其它示例性实施例的LC面板组件的平面图布局。图20是沿着线XX-XX截取的图19中示出的LC面板组件的剖视图。

在图19、21、22、23和24中示出的LC面板组件分别具有图3、4、5、6和7中的像素电极构造。

LC面板组件包括TFT阵列面板100、面对TFT阵列面板100的公共电极面板200，以及液晶层3。

根据这些示例性实施例的LC面板组件的层状结构与图11至14中示出的层状结构几乎相同。

关于TFT阵列面板100，多条第一和第二栅极线121a和121b分别形成在基底110上。第一栅极线121a和第二栅极线121b分别包括第一栅极124a和第二栅极124b。栅极绝缘层140形成在栅极线121a和121b上，多个半导体构件154a和154b形成在栅极绝缘层140上。多对欧姆接触163a和165a形成在半导体构件154a上。多对欧姆接触(未示出)形成在半导体构件154b上。包括多条数据线171以及多个漏极175a和175b的数据导体形成在欧姆接触163a和165a上。数据线171包括源电极173a和173b。钝化层180形成在数据导体171、175a、175b和栅极绝缘层140以及半导体构件154a和154b的暴露部分上。多个接触孔185a和185b设置在钝化层180上。多个像素电极191、191R、191G和191B形成在钝化层180上，像素电极191、191R、191G和191B包括具有切口93a和93b的子像素电极191a、191b、191Ra、191Rb、191Ga、191Gb、191Ba、191Bb。

关于公共电极面板200，阻光构件220、多个滤色器230和公共电极270形成在绝缘基底210上。

与图11至14中示出的LC面板组件不同，多个突出280形成在公共电极270上，然而公共电极270不具有切口。突出280由电介质制成并具有锯齿形。突出280将滤色器230二等分。

像素的一部分或全部的子像素电极191a、191b、191Ra、191Rb、191Ga、191Gb、191Ba、191Bb连接到不同的数据线171，因此，数据线171的源极173a和173b位于数据线171的左侧和右侧。

在这种构造中，出现在面板组件的像素上的明显的反相类型可被构造成点反相。相反地，由数据驱动器500通过数据线171驱动的驱动器反相类型可被构造成列反相。因此，可利用列反相和点反相的优点。即，驱动器列反相减小了数据线171的信号延迟并降低了功耗，而明显的点反相防止了闪烁被显著地识别。

在图21至24中示出的面板组件中，红色像素和绿色像素的像素电极191R和191G的区域分别大于蓝色像素的像素电极191B的区域。在这种方式下，当为了改善液晶的响应时间而调节被切口93a和93b以及突出280分隔的子区域的宽度时，优选地，由于与红色和绿色相比人眼对蓝色更不敏感，所以减小了蓝色像素的区域。在示例性的实施例中，子区域的宽度优选地从大约14微米至大约25微米。

当像素电极191R、191G和191B具有不同的区域时，数据线171之间的距离根据子像素电极191Ra、191Rb、191Ga、191Gb、191Ba、191Bb的排列可以是均匀的或可以是不均匀的。在图22的情况下，像素的具有不同尺寸的上像素电极和下像素电极191Ra、191Rb、191Ga和191Gb排列在对角的方向上，以保持数据线171之间的均匀距离。

在图11至14中示出的LC面板组件的上述特点的一些可适用于图19至24中示出的LC面板组件。

现在，将参照图25、26和27结合图1和图2来详细描述根据本发明的另一个示例性实施例的LC面板组件的结构。

图25示出了信号线和像素PX的等效电路图。

图25中所示的LC面板组件包括多条信号线和连接到所述信号线上的多个像素PX。信号线包括多条栅极线GL、多对数据线DLc和DLd、以及多条存储电极线SL。

每个像素PX包括一对子像素PXc和PXd。每个子像素PXc/PXd包括：开关元件Qc/Qd，分别连接到栅极线GL中的一条上以及数据线DLc和DLd之一上；LC电容器CLcc/CLcd，结合到开关元件Qc/Qd上；存储电容器Cstc/Cstd连接在开关元件Qc/Qd和存储电极线SL之间。

如薄膜晶体管(TFT)的开关元件Qc/Qd设置在下面板100上，并具有三个端子：(1)控制端，连接到栅极线GL；(2)输入端，连接到数据线DLc/DLd；(3)输出端，连接到LC电容器CLcc/CLcd。

由于图25中所示的LC电容器CLcc/CLcd、存储电容器Cstc和Cstd以及包括该面板组件的LCD的操作等基本上和上面所描述的那些相同，因此将省略对它们的详细描述。

然而，应该注意的是，与图10A和图10B中所示的不同，图25中示出的形成像素PX的两个像素PXc和PXd被同时提供数据电压。

现在，将参照图26和27详细描述根据本发明实施例的图25中示出的LC面板组件的例子。

图26是根据本发明实施例的LC面板组件的布局图。图27是沿线XXVII-XXVII截取的图26中示出的LC面板组件的剖视图。

参照图26和图27，LC面板组件包括TFT阵列面板100、与TFT阵列面板100面对的公共电极面板200、液晶层3和一对偏振器12和22。

根据本实施例的LC面板组件的层结构与图11至图14中所示的层结构相似。

关于TFT阵列面板100，包括多条栅极线121和多条存储电极线131的栅极导体形成在基底110上。栅极线121的每条包括第一和第二栅极124c和124d以及端部129。存储电极线131包括存储电极137。栅极绝缘层140形成在栅极导线121和131上，包括第一突起154c和154d的多条半导体带形成在栅极绝缘层140上。包括突起163c和多个欧姆接触165c的多条欧姆接触带161形成在半导体带151上。分别包括多对第一和第二数据线171c和171d并分别包括多个第一和第二漏极175c和175d的数据导体形成在欧姆接触161和165a上。第一和第二数据线171c和171d分别包括第一和第二源极173c和173d以及端部179c和179d，漏极175c和175d包括宽端部177c和177d。钝化层180形成在数据导体171c、171d、175c和175d、栅极绝缘层140以及半导体带151的暴露的端部上。多个接触孔181、182a、182b、185a和185b设置在钝化层180和栅极绝缘层140上。多个接触辅助件81、82c和82d，以及包括子像素电极191Rc、191Rd、191Gc、191Bc和191Bd的多个像素电极191R、191G和191B形成在钝化层180上。第二子像素电极191Rd包括第一和第二单元电极191Rd1和191Rd2，第二子像素电极191Bd包括第一和第二单元电极191Bd1和191Bd2。子像素电极191Rc、191Rd、191Gc、191Gd、191Bc和191Bd具有切口91c和91d，子像素电极191Gd具有切口92。取向层11涂覆在像素电极191R、191G和191B以及钝化层180上。

关于公共电极面板200，阻光构件200、多个滤色器230R、覆盖层250、具有多个切口71Rc、71Rd1、71Rd2、71Gc、71Gd、71Bc、71Bd1和71Bd2的公共电极270、以及取向层21形成在绝缘基底210上。

然而，图26和图27中示出的LC面板组件中的栅极线121的数目是图11至14中示出的LC面板组件中的栅极线的数目的一半，图26和27中示出的LC面板组件中的数据线171c和171d的数目是图11至14中示出的LC面板组件的数据线的数目的两倍。此外，第一和第二TFT Qc和Qd连接到同一栅极线121上以及不同的数据线171c和171d上，所述的第一和第二TFT Qc和Qd结合到形成像素电极191R、191G或191B的第一和第二子像素电极191Rc、191Rd、191Gc、191Gd、191Bc和191Bd上。

如图26所示，第一和第二TFT Qc和Qd分别置于第一和第二数据线171c和171d的左侧。

半导体154c和154d分别沿着数据线171c和171d以及漏极175c和175d延伸，以形成半导体带151。半导体带151具有与数据导体171c、171d、175c和175d以及下覆欧姆接触161和165相同的平面形状(见图27)。

根据示例性实施例的TFT阵列面板的制造方法使用光刻处理同时形成数据导体171c、171d、175c和175d、以及半导体带151和欧姆接触161和165c。

用于光刻处理的光致抗蚀剂图案具有依赖于位置的厚度，详细地，光致抗蚀剂图案具有厚度减小的第一和第二位置。第一位置位于将被数据导体171c、171d、175c和175d占据的布线区域，第二位置位于TFT的沟道区域。

通过几种技术，例如，通过在曝光掩膜上设置半透明区域以及透明区域和阻光的不透明区域来获得光致抗蚀剂的依赖于位置的厚度。半透明区域可具有裂缝图案、格栅图案、具有中等透光率和中等厚度的薄膜(一个或多个)。当使用裂缝图案时，最好是，裂缝的宽度或裂缝之间的距离小于光刻使用的曝光机的分辨率。另一个例子是使用可再流动的光致抗蚀剂。一旦通过使用仅具有透明区域和不透明区域的普通曝光掩膜来形成由可再流动的材料制成的光致抗蚀剂图案，通过再流动处理来流入没有光致抗蚀剂的区域中，从而形成薄的部分。

结果，通过省略光刻步骤来简化制造工艺。

图11至14中示出的LC面板组件的很多上述特点可适用于图26和27中示出的LC面板组件。

现在，将参照附图28、29、30、31、32、和33并结合图1和图2来详细描述根据本发明的其他示例性实施例的LC面板组件的结构。

图28示出了信号线和像素PX的等效电路图。

图28中所示的LC面板组件包括多条信号线和连接到多条信号线上的多个像素。信号线包括多条栅极线GL和多条数据线DL。

每个像素PX包括第一和第二子像素PXe和Pxf对以及连接在第一子像素PXe和第二子像素PXf之间的耦合电容器Ccp。

第一子像素PXe包括：开关元件Q，连接到数据线GL之一以及数据线DL之一上；第一LC电容器CLce，结合到开关元件Q上；存储电容器Cste，连接到开关元件Q上。第二子像素PXf包括连接到耦合电容器Ccp上的第二LC电容器Clcb。

如薄膜晶体管(TFT)的开关元件Q设置在下面板100上，并具有三个端子：(1)控制端，连接到栅极线GL；(2)输入端，连接到数据线DL；(3)输出端，连接到LC电容器Clce、存储电容器Cste和耦合电容器Ccp上。

开关元件Q响应于来自栅极线GL的栅极信号，将数据电压从数据线DL传输到第一LC电容器Clce和耦合电容器Ccp。耦合电容器Ccp转换数据电压的幅值并将其提供到第二LC电容器Clcf。

假设公共电压Vcom被施加到存储电容器Cste，并且电容器Clce、Cste、Clcf或Ccp以及它们的电容量由相同的标号表示，则存储在第一LC电容器Clce中的电压Ve和存储在第二LC电容器Clcf中的电压Vf满足：

Vf＝Ve×[Ccp/(Ccp+Clcf)]

由于Ccp/(Ccp+Clcf)小于1，所以存储在第二LC电容器Clcf中的电压Vf小于存储在第一点容器LC电容器Clce中的电压Ve。即使施加到存储电容器Cste的电压不是公共电压Vcom，也满足这个关系。

通过调整耦合电容器Ccp的电容可获得电压Ve和Vf的期望的比率。

将参照图29至33来详细描述根据本发明的示例性实施例的图28中所示的LC面板组件的例子。

图29、31、32和33是根据本发明示例性实施例的LC面板组件的平面布局图。图30是沿线XXX-XXX所截取的图29中示出的LC面板组件的剖视图。

图29、31、32和33中示出的LC面板组件分别具有图3、4、5和6中示出的像素电极构造。

LC面板组件包括TFT阵列面板100、面向TFT阵列面板100的公共电极面板200、以及液晶层3。

根据这些示例性实施例的LC面板组件的层状结构与图19至23中示出的那些结构相似。

关于TFT阵列面板100，多条栅极线121形成在基底110上。栅极线121包括栅极124。栅极绝缘层140、多个半导体构件154和多对欧姆接触163和165顺次形成在栅极线121上。包括多条数据线171和多个漏极175的数据导体形成在欧姆接触163和165以及栅极绝缘层140上。数据线171包括源极173。钝化层180形成在数据导体171和175、栅极绝缘层140以及半导体构件154的暴露的部分上。多个接触孔185设置在钝化层180上。多个像素电极191、191R、191D和191B形成在钝化层180上，所述的多个像素电极191、191R、191D和191B包括具有切口93a和93b的子像素电极191e、191f、191Re、191Rf、191Ge、191Gf、191Be和191Bf。

关于公共电极面板200，阻光构件220、多个滤色器230、公共电极270和多个突出280形成在绝缘基底210上。

与图19至23中示出的LC面板组件不同，第二子像素电极191f、191Rf、191Gf和191Bf电悬浮(electrically floating)，而第一子像素电极191e、191Re、191Ge和191Be连接到漏极175。

漏极175的每个包括延伸到像素电极191、191R、191G和191B的倾斜边缘的耦合电极176。耦合电极176沿着第二子像素191f、191Rf、191Gf和191Bf下面的突出280延伸，以与第二子像素电极191f、191Rf、191Gf和191Bf叠置。因此，第一子像素电极191e、191Re、191Ge和191Be和第二子像素191f、191Rf、191Gf和191Bf彼此电容耦合，以形成耦合电容器Ccp。

图19至23中示出的LC面板组件的上述很多特点可应用到图29至33中示出的LC面板组件中。

现在，将参好图34、35、36、37和38并结合图1和图2来详细描述LC面板组件的结构。

图34示出了信号线和像素PX的示意性等效电路图。

图34中示出的LC面板组件包括多条信号线和连接到多条信号线上的多个像素PX。信号线包括多条栅极线GL、多条数据线DL和基本上平行于栅极线GL延伸的多对存储电极线SLg和SLh。

每个像素PX包括一对子像素PXg和PXh。每个子像素PXg/PXh包括：开关元件Qg/Qh，分别连接到栅极线GL之一和数据线DL之一上；LC电容器Clcg/Clch，结合到开关元件Qg/Qh；存储电容器Cstg/Csth，连接在开关元件Qg/Qh以及存储电极线SLg/SLh之一之间。

如TFT的开关元件Qg/Qh设置在下面板100上，并具有三个端：(1)控制端，连接到栅极线GL；(2)输入端，连接到数据线DL；(3)输出端，连接到LC电容器Clcg/Clch和存储电容器Cstg/Csth。

存储电容器Cstg/Csth是用于LC电容器Clcg/Clch的辅助电容器。存储电容器Cstg/Csth包括子像素电极和存储电极线SLg/SLh，存储电极线SLg/SLh设置在下面板100上并经绝缘层与子像素电极叠置。两个存储电极线SLg和SLh被提供具有反相或相反极性的周期电压。

由于上面已经参照图2描述了LC电容器Clcg/Clch以及其他相关元件，因此将省略它们的描述。

在图34中所示的LCD中，在LC电容器Clca和Clcb以及存储电容器Cstg和Csth被充电并且开关元件Qg和Qh被截止之后，施加到存储电极线SLg和SLh的电压反向移动，以使得LC电容器Clcg和Clch的电压不同。

将参照图35至38详细描述根据本发明示例性实施例的图34中示出的LC面板组件的例子。

图35、36、37和38是根据本发明示例性实施例的LC面板组件的平面布局图。

图35、36、37和38中示出的LC面板组件分别具有图3、4、5和6中示出的像素电极构造。

LC面板组件包括TFT阵列面板100、与TFT阵列面板100面对的公共电极面板200、以及液晶层3。

根据这些示例性实施例的LC面板组件的层状结构与图19至23中示出的那些相似，因此，省略它们的剖视图。

关于TFT阵列面板100，多条栅极线121形成在基板110上。栅极线121的每个分别包括第一和第二栅极124g和124h。栅极绝缘层140、多个半导体构件154和多对欧姆接触(未显示)顺次形成在栅极线121上。包括多条数据线171和多个漏极175g和175h的数据导体形成在欧姆接触和栅极绝缘层140上。数据线171包括源极173g和173h。钝化层180形成在数据导体171、175g和175h、栅极绝缘层140和半导体构件154的暴露的部分上。多个接触孔185g和185h设置在钝化层180上。多个像素电极191、191R、191G和191B形成在钝化层180上，所述的多个像素电极191、191R、191G和191B包括具有切口93a和93b的子像素电极191g、191h、191Rg、191Rh、191Gg、191Gh、191Bg和191Bh。

关于公共电极面板200，阻光构件220、多个滤色器230、公共电极270和多个突出280形成在绝缘基底210上。

与图19至23中所示的LC面板组件不同，只有一个栅极线121被分配给一个像素行，并且栅极线121穿过子像素电极191g、191h、191Rg、191Rh、191Gg、191Gh、191Bg和191Bh的边界。一对栅极124g和124h彼此连接，置于该对栅极124g和124h上一对源极173g和173h连接到相同数据线171上。

多对存储电极线131g和131h形成在基底110上。每对存储电极线131g和131h相对于栅极线121彼此相对放置，并被提供反相的周期电压。

形成像素电极191、191R、191G和191B的两个子像素电极191g、191h、191Rg、191Rh、191Gg、191Gh、191Bg和191Bh与形成各个存储电容器Cstg和Csth的每个存储电极线131g和131h叠置。

图19至23中所示的LC面板组件的上述很多特点可以应用到图35至38所示的LC面板组件。

以这种方式，增加开口率和透光率以改善侧面可见度。可容易地控制存储电极的电容、像素电极的面积、数据线之间的距离以及数据线和像素电极之间的叠置面积等。

虽然已经参照示例性实施例详细描述了本发明，但是，本领域的技术人员应该理解，在不脱离由权利要求所限定的本发明的精神和范围的情况下，可对这些实施例作出修改和替换。

Claims (37)

1、一种液晶显示器，包括：

基底；

像素电极，置于所述基底上，所述像素电极包括电分离且施加有互不相同的电压的第一子像素电极和第二子像素电极，

其中，所述第一子像素电极包括第一电极，所述第一电极包括至少一个基本为平行四边形形状的右倾电极件和至少一个基本为平行四边形形状的左倾电极件，

所述第二子像素电极包括第二电极，所述第二电极布置在第一电极的纵向侧，所述第二电极包括至少两个基本为平行四边形形状的电极件，所述电极件具有不同的倾斜方向，

其中，所述第一电极和所述第二电极具有不同的宽度。

2、根据权利要求1所述的液晶显示器，其中，所述第一电极和所述第二电极彼此相邻。

3、根据权利要求1所述的液晶显示器，其中，包括在像素电极中的所述第一电极和所述第二电极在彼此相对的对角方向上排列。

4、根据权利要求1所述的液晶显示器，其中，所述第一电极和所述第二电极在限定所述第一电极和所述第二电极的边缘排列。

5、根据权利要求1所述的液晶显示器，其中，所述第一电极和所述第二电极在限定所述两个基本上为平行四边形形状的电极件之间的结合处的中心排列。

6、根据权利要求1所述的液晶显示器，其中，所述第一电极和所述第二电极具有不同的高度。

7、根据权利要求6所述的液晶显示器，其中，所述第一电极的高度大于所述第二电极的高度并等于或小于所述第二电极的高度的两倍。

8、根据权利要求1所述的液晶显示器，其中，所述第二子像素电极包括第三电极，所述第三电极包括至少一个基本上为平行四边形形状的右倾电极件和至少一个基本上为平行四边形形状的左倾电极件，所述第三电极横向上邻近于所述第一电极并与所述第二电极连接。

9、根据权利要求1所述的液晶显示器，其中，所述第一子像素电极和所述第二子像素电极具有不同的面积。

10、根据权利要求9所述的液晶显示器，其中，所述第二子像素电极的面积是所述第一子像素电极的面积的大约1.1倍至大约3倍。

11、根据权利要求1所述的液晶显示器，还包括面向所述像素电极的公共电极，所述公共电极具有切口，

其中，每个所述电极件均具有一对基本上相互平行的倾斜边缘，

所述切口穿过所述第一子像素电极和所述第二子像素电极，并包括基本上平行于所述电极件的所述倾斜边缘延伸的倾斜部分。

12、根据权利要求1所述的液晶显示器，其中，所述第一子像素电极和所述第二子像素电极具有不同的电压。

13、根据权利要求12所述的液晶显示器，其中，所述第一子像素电极和所述第二子像素电极的电压源于单一的图像信息。

14、根据权利要求13所述的液晶显示器，还包括：

第一薄膜晶体管，与所述第一子像素电极结合；

第二薄膜晶体管，与所述第二子像素电极结合；

第一和第二信号线，与所述第一薄膜晶体管结合；

第三和第四信号线，与所述第二薄膜晶体管结合。

15、根据权利要求13所述的液晶显示器，还包括：

第一薄膜晶体管，与所述第一子像素电极结合；

第二薄膜晶体管，与所述第二子像素电极结合；

第一信号线，与所述第一薄膜晶体管结合；

第二信号线，与所述第二薄膜晶体管结合；

第三信号线，与所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管结合，所述第三信号线与所述第一信号线和所述第二信号线交叉。

16、根据权利要求15所述的液晶显示器，其中，所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管分别根据来自所述第一信号线和所述第二信号线的信号导通，以传输来自所述第三信号线的信号。

17、根据权利要求15所述的液晶显示器，其中，所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管分别根据来自所述第三信号线的信号导通，以传输来自所述第一信号线和所述第二信号线的信号。

18、根据权利要求15所述的液晶显示器，还包括沿所述第一电极和所述第二电极的边界延伸的第四信号线。

19、根据权利要求18所述的液晶显示器，其中，所述第一薄膜晶体管包括与所述第四信号线叠置的第一漏极，所述第二薄膜晶体管包括与所述第四信号线叠置的第二漏极。

20、根据权利要求15所述的液晶显示器，还包括：

第四信号线，穿过所述第一电极的中心；

第五信号线，穿过所述第二电极的中心；

其中，所述中心被限定为所述各个两个基本上为平行四边形形状的电极件之间的接合处。

21、根据权利要求20所述的液晶显示器，其中，所述第一薄膜晶体管包括与所述第四信号线叠置的第一漏极，所述第二薄膜晶体管包括与所述第五信号线叠置的第二漏极。

22、根据权利要求13所述的液晶显示器，其中，所述第一子像素电极和所述第二子像素电极彼此电容耦合。

23、根据权利要求22所述的液晶显示器，还包括与所述第一子像素电极耦合并与所述第二子像素电极叠置的耦合电极。

24、根据权利要求13所述的液晶显示器，还包括：

第一薄膜晶体管，与所述第一子像素电极结合；

第二薄膜晶体管，与所述第二子像素电极结合；

栅极线，与所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管结合；

数据线，与所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管结合；

第一存储电极线，与所述第一子像素电极叠置；

第二存储电极线，与所述第二子像素电极叠置。

25、根据权利要求24所述的液晶显示器，其中，所述第一存储电极线的第一电压具有与所述第二存储电极线的第二电压的相位相反的相位。

26、根据权利要求25所述的液晶显示器，其中，所述栅极线穿过所述第一子像素电极和所述第二子像素电极之间的边界。

27、根据权利要求1所述的液晶显示器，其中，所述第二子像素电极具有切口。

28、根据权利要求27所述的液晶显示器，还包括：

公共电极，面向所述像素电极；液晶层，置于所述像素电极和所述公共电极之间。

29、根据权利要求28所述的液晶显示器，其中，所述公共电极具有切口。

30、根据权利要求28所述的液晶显示器，还包括形成在所述公共电极上的突出。

31、一种液晶显示器，包括：

基底；

多个像素电极组，形成在所述基底上，

其中，每个所述像素电极组包括多个像素电极，

每个像素电极包括第一子像素电极和与所述第一子像素电极分离的第二子像素电极，

所述第一子像素电极和所述第二子像素电极中的每个包括至少一个基本为平行四边形形状的右倾电极件和至少一个基本为平行四边形形状的左倾电极件，

每个所述像素电极组中的所述像素电极中的至少一个具有与其他像素电极不同的形状。

32、根据权利要求31所述的液晶显示器，其中，所述像素电极组在行方向和列方向上周期性布置。

33、根据权利要求31所述的液晶显示器，其中，每个所述像素电极组中的所述像素电极具有相同的面积。

34、根据权利要求31所述的液晶显示器，其中，每个所述像素电极组中的所述像素电极具有不同的面积。

35、根据权利要求31所述的液晶显示器，其中，每个所述像素电极组中的所述像素电极在边缘上排列。

36、根据权利要求31所述的液晶显示器，其中，所述第二子像素电极的面积是所述第一子像素电极的面积的大约1.1倍至大约3倍。

37、根据权利要求31所述的液晶显示器，其中，所述第一子像素电极和所述第二子像素电极具有不同的电压。

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