CN100543921C - 场发射发光照明光源 - Google Patents
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Abstract
本发明属于日常照明光源技术领域，提供一种场发射发光照明光源，其包括：一透明的球形中空壳体，其内表面涂敷有一阳极层和荧光物质，所述壳体内部是真空密封的，并且壳体的内部中心处设有一表面形成有纳米电子发射体的阴极灯丝，所述阳极层与阴极灯丝分别通过导线连接至壳体外部的阳极电极与阴极电极。所说的阴极灯丝采用金属丝并绕成弯曲或弯折形状，以提供更多有效的电子发射点。另外，在另一个实施例中，还可进一步包括栅网结构，进一步降低场发射电压。本发明具有环保，节省能源以及提供更多发射点等优点。
Description
【技术领域】
本发明涉及一种日常照明光源，尤其涉及一种对环境友好无污染的冷阴极场发射光源。
【背景技术】
直到目前，日常照明使用的光源大多采用白炽灯和荧光管。白炽灯的历史悠久，制作工艺简单，但是，白炽灯消耗的大部分电能转化为热能浪费掉，而不是直接用于发光，所以其最大缺点是发光效率低下，已经逐渐被效率较高的荧光灯取代。
普通荧光管包括一透明玻璃管，其内壁涂覆有白色或彩色荧光材料，玻璃管内还充有汞蒸汽。其原理是利用等离子放电激发汞汽体发出紫外光，而紫外光照射在荧光材料上发出白色光或彩色的光。荧光灯是一种热阴极光源，发光效率比白炽灯高。但是，其缺点在于使用有毒性的汞。当荧光灯管被打破之后，汞蒸汽流出外面将对环境和人体有害。出于环保考虑，有些国家和地区已经决定在未来几年后，禁止使用这种含汞的荧光灯。在这种情况下，用来取代普通荧光灯或白炽灯的无汞光源受到普遍欢迎。
因此，环保、对人体无害、高效率、节能的荧光灯需求和市场巨大，前景广阔。
2003年6月18日公告的中国实用新型专利02234995.2号揭露一种无汞荧光灯，其包括：石英玻璃灯管，其内表面涂敷有荧光物质，外表面形成有导电薄膜层；灯管内部充有工作气体氙气，两端设置有一对外电极。工作时，在外电极施加高频交变电压，发射电子撞击管内的工作气体氙气，产生紫外辐射，再激发管内表面的荧光物质发出可见光。
另外，美国专利第5,866,984号也揭示了类似的无汞紫外放电源的结构。
但是，上述两件专利文献揭露的荧光灯仍是采用灯管内充入气体，利用气体放电产生的紫外线激发荧光粉发光的，能量转换方式仍然是电--紫外光--可见光三个步骤，灯管内虽然无汞，但却需要填充其它惰性气体以放电产生紫外线，如此一来仍存在以下缺点：一是能耗仍会比较大，二是增加了成本，三是气体容易泄漏，使得荧光灯发光变暗或无法发光。
场发射电子源以及利用该电子源轰击荧光物质而发光的场发射发光技术已经在场发射平面显示器领域得到应用。这种场发射技术是在真空环境下，利用外加电场作用将尖端的电子激发出来。在传统场发射电子源中，一般采用微细钼金属尖端、硅尖端作为电子发射端；随着纳米技术的发展，最近还采用碳纳米管、纳米线等材料作为电子发射端。理论上，由于碳纳米管具有非常小的直径，很大的长径比，因此在外电场作用下其具有很大场增强因子。但是，在实际应用中，例如平面型场发射显示器中，碳纳米管平面薄膜的整体宏观场发射增强因子并未能达到单个碳纳米管的数值，导致发射电压较高，场发射电流密度小。
S.H.Jo等人在2004年8月2日公开出版的Applied Physics Letters杂志上发表了一篇名为“Field Emission of Carbon Nanotubes Grown On CarbonCloth”的文章，其中公开了一种在碳纤维(Carbon Fiber)织成的布(CarbonCloth)表面上生长的碳纳米管，以及在碳纤维布表面上生长碳纳米管的方法。据文章介绍，这种在碳纤维布表面上生长得到的碳纳米管具有较强场发射性能，可以在低于0.4V/μm的电场作用下获得1mA/cm2的场发射电流密度。
另外，S.H.Jo等人在2004年8月23日公开的Applied Physics Letters杂志中还发表一篇名为“Field Emission of Zinc Oxide Nanowires Grown OnCarbon Cloth”的文章，提及生长在碳纤维布表面上的ZnO纳米线也具有较好的场发射特性。
上述在碳纤维织布上生长的碳纳米管或ZnO纳米管作为场发射阴极，可以获得很大的场增强因子，具有较低的起始电压和较低的阈值电压。上述文章仅揭露其具有较好的场发射特性，并未详细揭露如何应用于日常照明的光源。
Jean-Marc Bonard等人在2001年4月30日公开的Applied Physics Letters杂志上发表一篇名为“Field Emission From Cylindrical Carbon NanotubeCathode：Possibilities for Luminescent Tubes”的文章，其中揭露一种外形类似普通日光灯管的碳纳米管场发射荧光管，它是在一根坎塔尔铁铬铝系合金(Kanthal，Fe-Al-Cr Alloy)金属棒的圆柱形表面沉积铁催化剂生长出多壁碳纳米管，并用作场发射阴极。阳极采用圆柱形玻璃管，并在玻璃管内表面涂有导电层及荧光层。此后，上述作者等人进一步将该碳纳米管荧光管发展为两端封闭的灯管，发表在2004年的微电子杂志，具体请参见＂A Fully SealedLuminescent Tube Based On Carbon Nanobube Field Emission＂，Microelectronics Journal，35(2004)，329-336.
【发明内容】
相对于上述文章揭露的碳纳米管场发射管状结构的照明光源，本发明之目的在于提供另一种不同结构的场发射发光照明光源，其具有对环境以及人体无害，发光效率高，能耗相对较低等特点。
为实现上述发明目的，本发明提供一种场发射发光照明光源，其包括：一外形大致呈球状的中空壳体，其内表面涂敷有一阳极层和荧光物质；其特征在于：所述壳体内部是真空密封的；壳体的内部中心处设有一阴极灯丝，该阴极灯丝绕成弯曲或弯折形状，其表面形成有电子发射体；所述阳极层与该阴极灯丝分别通过导线连接至阳极电极与阴极电极。
相对于现有技术，本发明方法具有如下优点：首先，本发明的光源不含汞或者其他有害物质，所以对环境、人体无害；第二，本发明是冷阴极发射电子，相对于现有技术的热阴极发射电子，本发明的发光效率更高，降低能耗；第三，场发射阴极绕成各种弯曲形状，可以增加纳米电子发射体的数量，即增加了电子发射点，从而提高场发射电流密度。
【附图说明】
图1是本发明场发射发光照明光源的灯丝结构主意图；
图2是图1的灯丝结构的右视图；
图3是表面生长有碳纳米管的金属灯丝的SEM照片；
图4是本发明场发射发光照明光源的第一实施例的结构示意图；
图5是本发明增加有栅极结构的第二实施例的示意图。
【具体实施方式】
本发明提供一种不同于现有技术的、大致呈球状结构的、基于场发射的发光照明光源。该照明光源采用在类似普通白炽灯泡的球形透明玻璃表面涂上阳极导电层以及荧光物质作为阳极，以表面形成有纳米电子发射尖端的金属细丝弯曲成一定形状制作成为场发射阴极灯丝，将球形灯泡内部抽真空、装入场发射阴极灯丝构成场发射照明光源。
灯泡的外形大致呈球形，可采用普通白炽灯常用的玻璃灯泡，并在其内表面形成一层阳极层(例如ITO，即铟锡氧化物薄膜层)，以及一荧光层。灯泡留有一开口端，在装入场发射阴极灯丝之后抽真空并密封。
场发射阴极灯丝采用直径较小的金属丝为基底，在金属丝的全部或部分表面通过直接生长、涂覆、电镀、电泳、沉积等方法形成包括各种材料的纳米管、纳米线、纳米棒等一维纳米材料在内的纳米电子发射体，例如碳纳米管、硅纳米线、氧化锌纳米棒等。另外，还可在金属丝表面涂上粘结剂之后，再去粘结上述的纳米材料，形成纳米电子发射体。
灯丝的形状最好是绕成弯曲或弯折形，例如波浪形，螺旋形，锯齿形等形状。可以先在金属丝的表面形成纳米电子发射体之后，再将其弯曲成一定形状作为场发射阴极灯丝；也可以先将金属丝弯曲成一定形状之后再在其表面形成纳米电子发射体。
形成有纳米电子发射体的灯丝用绝缘支柱固定于灯泡内部中心位置，并通过导线连接至灯泡外，以便连接电源；灯泡内表面的阳极层也可通过导线连接至灯泡外，与不同电位的电源连接，即可构成场发射照明光源。
下面以碳纳米管作为纳米电子发射体为例子，结合说明书附图及具体实施例对本发明的实施方式作详细描述。
请先参阅图1及图2，是场发射阴极灯丝的示意图，其包括金属丝10及形成在其表面的纳米电子发射体12，并且纳米电子发射体12最好尽可能多的从金属丝10的曲面表面伸出，以形成更多有效发射点。
图3是表面生长有碳纳米管的一根直径50微米的铜金属丝的SEM(扫描电子显微镜)照片。它在铜金属丝的表面通过浸润、镀膜等方法形成数纳米厚度的含铁的催化剂层后，利用化学气相沉积法生长得到碳纳米管，然后弯曲成预定形状，即可作为场发射阴极应用于本发明的实施例中。
如图4所示，本发明场发射照明光源的第一实施例是含有阴极灯丝20的场发射灯泡。所说的灯丝20即是前述形成有碳纳米管12的金属丝10弯曲形成波浪形状的灯丝，所说的灯泡外形与相似，包括一中空、大致呈球体状、具有一颈部开口(图未标示)的透明玻璃外壳40，与该颈部开口密封的灯头(图未标示)，以及固定在灯头并延伸到灯泡内部的玻璃柱30，该玻璃柱30用来支撑和固定场发射阴极灯丝20。
其中，该玻璃外壳40内部是真空的，其内壁涂敷有一阳极层44和荧光层42。阳极层44是一层透明导电薄膜，一般采用ITO导电薄膜；荧光层42含有荧光物质，包括白色荧光物质，或彩色荧光物质，当电子轰击荧光物质时可发出白色或彩色可见光。另外，阳极层44除了覆盖灯泡的球形内壁以外，还可延伸覆盖至该玻璃外壳40的颈部，并可在灯泡颈部的阳极层表面环绕设置一阳极引线环46，以便将提高电接触面积和接触可靠性；而荧光层42则仅需覆盖电子轰击范围内的球形内壁即可，无需延伸至颈部。
灯头起到密封灯泡开口、固定玻璃柱30和灯丝20以及引出阴极和阳极电极的作用。本实施例中，灯头包括形成于颈部开口周围侧面并具有外螺纹形状的阳极电极56，其通过阳极引线柱58连接至阳极引线环46，形成可靠电性连接；以及位于灯头的底部并且突出于外面的阴极电极54。灯头并不限于以上描述的结构，就是说，灯头也可采用其它合适的形状或结构，例如类似白炽灯的卡扣式灯头结构。为使两电极之间绝缘，可在阴极电极54与阳极电极56之间设置一绝缘介质52，例如玻璃或陶瓷块，当然，也可通过其它方式使二者之间绝缘。
应注意的是，上述仅描述灯头的电极以及电连接的基本组成，实际应用时灯头处可采用玻璃封接技术密封，所以灯头内可被玻璃或其它绝缘物质填充(本实施例及附图中未示出)。
弯曲绕成波浪形的场发射阴极灯丝20支撑在玻璃柱30的顶部，并且通过两条阴极引线50分别将灯丝20的两端连接至灯头的阴极电极54，两条阴极引线50嵌在玻璃柱30的内部；灯丝20最好位于球形玻璃外壳40的中心位置，这样可以使灯丝20上的碳纳米管都能受到均匀的电场力的作用，从而使得电子发射均匀。
另外，为了能够确保和维持灯泡内部的真空度，在灯泡内部还可进一步设置一消气剂(图未示)。为了不影响电子发射和发光，消气剂最好设置在颈部。
使用时，在阴极电极54与阳极电极56分别施加不同电压，利用电场作用在碳纳米管尖端发射出电子。例如：可在阴极电极54施加负的直流或脉冲电压，而阳极电极56接零电位，这样在场发射灯丝20与阳极层44之间产生一个电场，迫使场发射阴极灯丝20表面的碳纳米管12发射电子，电子轰击荧光层42从而发出可见光。
请参阅图5，本发明第二实施例的场发射灯泡是在第一实施例的基础上进行变化，即围绕场发射阴极灯丝20增设栅网62，构成三极型的场发射照明光源。
所述的栅网62可用金属丝编织而成，视阴极灯丝20的形状可编织成带有格子结构的球状网格、环状网格或弧面形的网格结构等。在本实施例中，该栅网62是编织成笼状的网格结构，将阴极灯丝20包围，固定在玻璃柱30顶端；另外，玻璃柱30内嵌入有导电的导线作为栅极引线64，栅网62通过该栅极引线64连接至灯头端部，并与设置于灯头端部的栅极电极60形成电连接。栅极电极60与阴极电极54、阳极电极56之间分别绝缘。
使用时，阴极电极54、阳极电极56及栅极电极60分别与不同电位的外接电源相连，即可形成三极型的场发射结构，相对于二极型的场发射结构，三极型具有更低的发射电压。
以上是本发明的较佳实施例，但本发明的内容并不限于以上实施例。本技术领域普通技术人员应该能够理解，本发明还可有其它变化，例如玻璃外壳40可以是圆球形，椭圆球形等形状，阴极灯丝20可绕成不同弯曲形状，阴极灯丝20表面的纳米电子发射体也不限于碳纳米管，包括其它纳米管、纳米线以及其它纳米材料在内的各种能够在电场作用下发射电子的电子发射结构。本发明的灯头的结构不限于实施例所描述，只需能够引出阳极电极和阴极电极即可。
本发明具有下列优点：由于光源的内部无需填充汞蒸汽或者其它气体，所以不仅对环境无害，也不会对人体有害；本发明使用冷阴极，电子直接轰击荧光物质而发光，有利于提高发光效率，从而节省电能；另外，场发射阴极绕成各种弯曲形状，可以增加纳米电子发射体的数量，从而提高场发射电流密度。
Claims (11)
1.一种场发射发光照明光源，其包括：一外形大致呈球状的中空壳体，其内表面涂敷有一阳极层和荧光物质；其特征在于：所述壳体内部是真空密封的；壳体的内部中心处设有一阴极灯丝，该阴极灯丝绕成弯曲或弯折形状，其表面形成有电子发射体；所述阳极层与该阴极灯丝分别通过导线连接至阳极电极与阴极电极。
2.根据权利要求1所述的场发射发光照明光源，其特征在于：所述壳体为基本呈圆球形的透明玻璃壳体。
3.根据权利要求1所述的场发射发光照明光源，其特征在于：所述阳极层为ITO导电薄膜。
4.根据权利要求1所述的场发射发光照明光源，其特征在于：所述阴极灯丝为金属丝。
5.根据权利要求1所述的场发射发光照明光源，其特征在于：所述电子发射体是一维纳米材料，包括纳米管，纳米线和纳米棒。
6.根据权利要求5所述的场发射发光照明光源，其特征在于：所述纳米管包括碳纳米管。
7.根据权利要求4所述的场发射发光照明光源，其特征在于：所述壳体进一步包括一颈部，且有一灯头与该颈部密封，所述阳极电极、阴极电极设置在该灯头上。
8.根据权利要求7所述的场发射发光照明光源，其特征在于：一绝缘支持件固定于所述灯头并支撑所述阴极灯丝，所述导线嵌入到该绝缘支持件中。
9.根据权利要求8所述的场发射发光照明光源，其特征在于：进一步包括一靠近所述阴极灯丝设置的带有格子结构的金属栅网，形成场发射栅极。
10.根据权利要求9所述的场发射发光照明光源，其特征在于：灯头还包括栅极电极，所述带有格子结构的金属栅网通过一导体电连接至该栅极电极。
11.根据权利要求9所述的场发射发光照明光源，其特征在于：所述金属栅网固定于绝缘支持件的顶端，将阴极灯丝包围。
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| CN101093765B (zh) * | 2006-06-23 | 2011-06-08 | 清华大学 | 场发射元件及其制备方法 |
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| CN101556884B (zh) * | 2008-04-11 | 2013-04-24 | 清华大学 | 热发射电子源 |
| US20110095674A1 (en) * | 2009-10-27 | 2011-04-28 | Herring Richard N | Cold Cathode Lighting Device As Fluorescent Tube Replacement |
| CN102222597B (zh) * | 2010-04-15 | 2013-06-05 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 一种场发射灯管 |
| WO2011152185A1 (ja) * | 2010-05-31 | 2011-12-08 | 旭硝子株式会社 | 熱陰極蛍光ランプ用の電極、および熱陰極蛍光ランプ |
| TWI456625B (zh) * | 2011-01-06 | 2014-10-11 | Tatung Co | 場發射燈 |
| TW201230137A (en) * | 2011-01-06 | 2012-07-16 | Tatung Co | Field emission lamp |
| CN103972030A (zh) * | 2013-01-29 | 2014-08-06 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 一种场发射光源 |
| EP2784800B1 (en) | 2013-03-25 | 2018-12-05 | LightLab Sweden AB | Shaped cathode for a field emission arrangement |
| EP3096341B1 (en) * | 2015-05-18 | 2020-07-22 | LightLab Sweden AB | Method for manufacturing nanostructures for a field emission cathode |
| SE1750878A1 (en) * | 2017-07-05 | 2018-11-20 | Lightlab Sweden Ab | A field emission cathode structure for a field emission arrangement |
| CN110534387B (zh) * | 2019-09-06 | 2024-05-17 | 湖北大学 | 一种铁电陶瓷集束电子发射器 |
| KR102635837B1 (ko) * | 2022-10-21 | 2024-02-14 | 어썸레이 주식회사 | 전계 방출 조립체 및 이를 포함하는 전자기파 발생 장치 |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6417605B1 (en) * | 1994-09-16 | 2002-07-09 | Micron Technology, Inc. | Method of preventing junction leakage in field emission devices |
| DE69731136T2 (de) * | 1996-02-27 | 2005-10-13 | General Electric Co. | Quecksilberlose Ultraviolett-Entladungsquelle |
| JPH10125231A (ja) * | 1996-10-25 | 1998-05-15 | Stanley Electric Co Ltd | 標示灯用蛍光ランプ |
| JP3173449B2 (ja) * | 1998-01-29 | 2001-06-04 | スタンレー電気株式会社 | 表示灯用蛍光ランプ |
| US20020070648A1 (en) * | 2000-12-08 | 2002-06-13 | Gunnar Forsberg | Field emitting cathode and a light source using a field emitting cathode |
| JP2003346707A (ja) | 2002-05-23 | 2003-12-05 | Noritake Co Ltd | 蛍光ランプ |
| JP3935414B2 (ja) * | 2002-09-26 | 2007-06-20 | 株式会社東芝 | 放電灯 |
| US7488432B2 (en) * | 2003-10-28 | 2009-02-10 | Nichia Corporation | Fluorescent material and light-emitting device |
| KR20050081536A (ko) * | 2004-02-14 | 2005-08-19 | 삼성에스디아이 주식회사 | 전계방출형 백라이트 장치 및 그 제조방법 |
| US7368870B2 (en) * | 2004-10-06 | 2008-05-06 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Radiation emitting structures including photonic crystals |
-
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