CN100533747C - 像素结构及其修补方法 - Google Patents

Abstract

一种像素结构及其修补方法，适于配置于一基板上，此像素结构包括一共用配线、一预留配线、一介电层、二修补配线、一主动元件以及一像素电极。其中预留配线与共用配线配置于基板上，且介电层覆盖预留配线与共用配线。修补配线配置于介电层上，且各修补配线具有与共用配线重迭的第一修补区以及与预留配线重迭的第二修补区。当共用配线发生断路时，将位于第一修补区与第二修补区的修补配线分别与共用配线以及预留配线连接，以使共用配线、预留配线以及修补配线连结。在经过上述的连接后，像素结构可被有效地修补。

Description

像素结构及其修补方法

技术领域

本发明是有关于一种像素结构及其修补方法，且特别是有关于一种易于被修补的像素结构及其修补方法。

背景技术

具有高画质、空间利用效率佳、低消耗功率、无辐射等优越特性的薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，TFT-LCD)已逐渐成为显示器的主流。一般的薄膜晶体管液晶显示器主要是由一薄膜晶体管阵列基板、一对向基板以及一夹于前述对向基板之间的液晶层所构成。其中，薄膜晶体管阵列基板主要包括基板、以阵列方式排列于基板上的像素结构、扫描线(Scan line)以及数据线(Date line)。前述的像素结构主要是由薄膜晶体管、像素电极(Pixel Electrode)以及储存电容器(Cst)所构成。一般而言，由扫描线所传输的扫描信号可将对应的薄膜晶体管开启，此时，由数据线所传输的图像信号便会经由薄膜晶体管传输至对应的像素电极上，以使得像素电极能够控制其上方的液晶，进而达到显示的目的。

图1A是已知的像素结构示意图，而图1B与图1C分别为图1A中对应于a-b剖面线与c-d剖面线的剖面示意图。请同时参照图1A与图1B，已知像素结构101配置于基板100上，并与扫描线102以及数据线104电性连接。像素结构101包括一薄膜晶体管106、一共用配线108以及一像素电极110。其中薄膜晶体管106包括栅极106a、通道层106c、源极106s与漏极106d。从图1A与图1B可知，薄膜晶体管106的栅极106a与扫描线102电性连接，源极106s与数据线104电性连接，漏极106d则透过接触窗112与像素电极110电性连接，进而接收到由数据线104所传输的图像信号。共用配线108与像素电极110组成储存电容器Cst。图1C即为储存电容器的剖面图，共用配线108作为储存电容器Cst的下电极，而像素电极110作为储存电容器Cst的上电极，两者藉由介电层114与保护层116保持彼此电性绝缘，而储存电容器Cst用以让像素结构101能够维持良好的显示品质。

在制造过程中，像素结构101中的共用配线108常因微粒或是其他因素而发生断路，进而造成像素的显示异常，使得液晶显示器会有瑕疵点的产生。为了提升显示器的等级，须进行瑕疵点的修补，但由于已知像素结构101的修补不易进行，往往造成显示器的良率无法有效地获得提升。

发明内容

本发明提供一种像素结构，其具有预留配线和修补配线。

本发明提供一种前述的像素结构的制造方法。

本发明提供一种修补方法，其藉由连接的方式迅速地修补共用配线的断路，以使像素结构能够正常地显示。

本发明另提供一种修补方法，其将像素电极分离成多个区块并藉由连接的方式迅速地修补共用配线的断路，以使像素结构能够正常地显示。

本发明提出一种像素结构，配置于一基板上，并与一扫描线以及一数据线电性连接，此像素结构包括一共用配线、一预留配线、一介电层、二修补配线、一主动元件以及一像素电极。其中，预留配线与共用配线皆配置于基板上，且两者电性绝缘，而介电层覆盖两者。修补配线配置于介电层上，且各修补配线具有一与共用配线重迭的第一修补区以及一与预留配线重迭的第二修补区。主动元件配置于基板上，且电性连接于扫描线以及数据线。另外，像素结构配置于介电层上方，与主动元件电性连接。

本发明提出一种修补方法，适于修补前所述的像素结构，当共用配线发生断路时，此修补方法包括：于第一修补区与第二修补区内，分别将修补配线与共用配线以及修补配线与预留配线连接。

本发明提出另一种修补方法，适于修补前所述的像素结构，当共用配线发生断路时，此修补方法包括：将像素电极分离成二第一区块与一第二区块，且第一区块与第二区块彼此电性绝缘。接着，将第一区块、于第一修补区内的修补配线以及共用配线连接，并将第一区块、于第二修补区内的修补配线以及预留配线连接。

本发明提出一种像素结构的制造方法。首先，于一基板上形成一栅极、一扫描线、一共用配线以及一预留配线，其中栅极与扫描线电性连接。接着，于基板上形成一层介电层，介电层覆盖于栅极、扫描线、共用配线以及预留配线。然后，于介电层上形成一层通道层。而后，于介电层上形成一源极、一漏极、一数据线以及二修补配线，其中源极与漏极覆盖栅极两侧上方的部分通道层，且源极与数据线电性连接。栅极、通道层、源极以及漏极构成主动元件。各修补配线具有一与共用配线重迭的第一修补区以及一与预留配线重迭的第二修补区。继之，于基板上形成一像素电极，像素电极与漏极电性连接。

本发明提出一种显示面板，包含前所述的像素结构。

本发明提出一种光电装置，包含前所述的显示面板。

本发明提出一种显示面板的形成方法，包含前所述的像素结构的形成方法。

本发明提出一种光电装置的形成方法，包含前所述的显示面板的形成方法。

本发明提出一种显示面板的修补方法，包含前所述的像素结构的修补方法。

依照本发明的实施例所述，上述的像素结构具有预留配线与修补配线，因此，当共用配线断路时，透过连接的方式可将共用配线、修补配线以及预留配线三者连结，此时，像素结构即可被修补而维持正常的显示。如此一来，能提升显示器的良率。

为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举较佳实施例，并配合所附图式，作详细说明如下。

附图说明

图1A是已知的像素结构示意图。

图1B为图1A中对应于a-b剖面线的剖面示意图。

图1C为图1A中对应于a-b剖面线的剖面示意图。

图2A～图2F是依照本发明第一实施例的像素结构的制造流程的俯视示意图。

图3A～图3F为图2A～图2F中对应于a-b剖面线的剖面示意图。

图4A～图4F为图2A～图2F中对应于c-d剖面线的剖面示意图。

图5A是依照本发明第二实施例的像素结构的俯视示意图。

图5B与图5C为图5A中对应于c-d剖面线的剖面示意图。

图6A是依照本发明第三实施例的像素结构的俯视示意图。

图6B与图6C为图6A中对应于c-d剖面线的剖面示意图。

图7A是依照本发明第四实施例的像素结构的俯视示意图。

图7B为图7A中对应于c-d剖面线的剖面示意图。

图7C为图7A中的像素结构修复后的俯视示意图。

图7D与图7E为图7C中对应于c-d剖面线的剖面示意图。

图8为显示面板的示意图。

图9为光电装置的示意图。

附图标号

100：基板                101：像素结构

102：扫描线              104：数据线

106：薄膜晶体管          106a：栅极

106c：通道层             106d：漏极

106s：源极                        108：共用配线

110：像素电极                     112：接触窗

114：介电层                       116：保护层

200：基板

201、201a、201b、201c、201c’：像素结构

202：栅极                         204、304：扫描线

206、206’：共用配线              208、208’：预留配线

210：介电层                       212：通道层

214：数据线                       216：源极

218：漏极                         220：修补配线

220a、220a’：第一修补区          220b、220b’：第二修补区

222：保护层                       224：接触窗

228、228’：像素电极              228a’：第一区块

228b’：第二区块                  230：主动元件

800：显示面板                     810：电子元件

900：光电装置

A：断路

B1、B1’、B2、B2’：连接处

P：微粒

具体实施方式

第一实施例：

图2A～图2F是依照本发明第一实施例的像素结构的制造流程的俯视示意图，而图3A～图3F与图4A～图4F分别为图2A～图2F中对应于a-b剖面线与c-d剖面线的剖面示意图。

请同时参照图2A、图3A以及图4A，首先，于基板200上形成一层第一图案化导电层(未标注)，其包含栅极202、扫描线204、共用配线206以及预留配线208。本实施例是以同时形成上述线段为例，但不限于此。基板200的材质例如是无机透明材质、有机透明材质、无机不透明材质或上述的组合。无机透明材质例如是玻璃、石英或其它适合的材质，有机透明材质例如是聚烯类、聚酼类、聚醇类、聚酯类、橡胶、热塑性聚合物、热固性聚合物、聚芳香烃类、聚甲基丙酰酸甲酯类、聚碳酸酯类、其它适合的材质、上述的衍生物或上述的组合，无机不透明材质例如是硅片、陶瓷、其它适合的材质或上述的组合。在本实施例中，基板200的材质是以玻璃为例，但不限于此。栅极202、扫描线204、共用配线206以及预留配线208可为单层结构或多层结构，栅极202、扫描线204、共用配线206以及预留配线208其中至少一者的材质，例如是金、银、铜、锡、铝、铅、钛、钼、钕、钨、铌、铪、铬、钽、其他金属材料、上述金属的氮化物、上述金属的氧化物、包括上述金属的合金及、或上述的组合。再者，共用配线206与预留配线208彼此电性绝缘。在本实施例中，共用配线206的俯视形状例如是呈π型。此外，在本实施例中，预留配线208例如是配置于共用配线206与扫描线204之间，但本发明不限于此。值得一提的是，在其他实施例中，共用配线206的俯视形状可呈条状、L型、H型、C型、E型、F型、T型或O型、或其它形状、或上述的组合。

接着，请同时参照图2B、图3B以及图4B，于基板200上形成一层介电层210。介电层210覆盖栅极202、扫描线204、共用配线206以及预留配线208。介电层210可为单层结构或多层结构，其材质例如是无机材质、有机材质或上述的组合。无机材质例如是氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、其他适合的材质或上述的组合，有机材质例如是光阻、聚丙酰醚(polyarylene ether；PAE)、聚酰类、聚酯类、聚醇类、聚烯类、苯并环丁烯(benzocyclclobutene；BCB)、HSQ(hydrogen silsesquioxane)、MSQ(methyl silesquioxane)、硅氧碳氢化物(SiOC-H)、聚醚类、聚酮类、聚醛类、聚酚类、聚环烷类、聚环氧烷类、聚炔类、聚酚醛类、其它适合的材质或上述的组合。在本实施例中，介电层210是单层结构，其材质为氮化硅为范例，但不限于此。

然后，请同时参照图2C、图3C以及图4C，于栅极202两侧上方的介电层210上形成通道层212。通道层212可为单层结构或多层结构，且其材质例如是非晶硅、多晶硅、微晶硅、单晶硅、含锗的上述晶硅、其它适合的材质或上述的组合。此外，通道层212的单层结构或多层结构中可包含重掺杂区、淡掺杂区及非掺杂区其中至少一者。在本实施例中，通道层212的材质是以非晶硅为例，但不限于此。

而后，请同时参照图2D、图3D以及图4D，于介电层210上形成一层第二图案化导电层(未绘示)，其包含源极216、漏极218、数据线214以及修补配线220。本实施例是以同时形成上述线段为例，但不限于此。其中，修补配线220具有与共用配线206重迭的第一修补区220a以及与预留配线208重迭的第二修补区220b，且第一修补区220a与第二修补区220b中分别具有至少一个能用以与共用配线206以及修补配线208连接的连接点(未绘示)。源极216、漏极218、数据线214以及修补配线220可为单层结构或多层结构。源极216、漏极218、数据线214以及修补配线220其中至少一者的材质，例如是金、银、铜、锡、铝、铅、钛、钼、钕、钨、铌、铪、铬、钽、其他金属材料、上述金属的氮化物、上述金属的氧化物、上述金属的合金或上述的组合。值得一提的是，源极216、漏极218、数据线214以及修补配线220中的任两者，其结构或材质可相同或不同。再者，上述栅极202、通道层212、源极216以及漏极218构成主动元件230，主动元件230的栅极202与扫描线204电性连接，而源极216与数据线214电性连接。

续而，请同时参照图2E、图3E以及图4E，于基板200上形成一层保护层222。保护层222覆盖住扫描线204、数据线214、主动元件230、共用配线206、预留配线208、介电层210以及修补配线220。之后，例如于保护层222中形成接触窗224。

然后，请同时参照图2F、图3F以及图4F，于保护层222上形成像素电极228，即完成像素结构201的制作。像素电极228藉由接触窗224与主动元件230电性连接，例如是与主动元件230的漏极218电性连接。其中，像素电极228可为单层结构或多层结构，且其材质例如是非透明材质、透明材质或上述的组合。非透明材质例如是金、银、铜、锡、铝、铅、钛、钼、钕、钨、铌、铪、铬、钽、其他金属材料、上述金属的氮化物、上述金属的氧化物、上述金属的合金或上述的组合，透明材质例如是铟锡氧化物、铟锌氧化物、铟锡锌氧化物、氧化铪、氧化锌、氧化铝、铝锡氧化物、铝锌氧化物、镉锡氧化物、镉锌氧化物或上述的组合。在本实施例中，像素电极228的材质是以铟锡氧化物为例，但不限于此。值得注意的是，在本实施例中，像素电极228未覆盖于第一修补区220a与第二修补区220b上方，以便于后续修补的进行。又，本实施例的像素电极228是以形成于保护层222上为例，但不限于此，像素电极228也可以是形成于介电层210上，以电性连接主动元件230，例如是与主动元件230的漏极218连接。易言之，此时的结构中，不存在保护层222。

此外，在本实施例中，主动元件230是底闸型的背通道蚀刻的薄膜晶体管。于其他实施例中，主动元件230可以是底闸型的蚀刻终止层的薄膜晶体管、顶闸型的薄膜晶体管或其它类型的晶体管。再者，主动元件230中的源极216以及漏极218的俯视形状呈非对称或呈对称。另外，栅极202可位于扫描线204内，也就是以扫描线204的一部份来当作栅极202。

再者，在像素结构201的制造过程中，须进行多次的图案化工艺，以形成例如是第一图案化导电层(未绘示)、第二图案化导电层(未绘示)、通道层212、保护层222及像素电极228等元件。在本实施例中，图案化工艺包括沉积、曝光、显影及蚀刻等步骤。但在其他实施例中，图案化工艺包括网版印刷、喷墨、沈积、曝光、显影及激光剥除、其它适合的方式或上述的组合。再者，在本实施例中，是使用具有透光区及遮光区的一般光掩膜来进行图案化，但在其他实施例中，可使用具有多阶透光度的光掩膜来进行图案化，例如是半透光掩膜、狭缝图案光掩膜、灰阶光掩膜、绕射光掩膜、其它类似的光掩膜或上述的组合，使用此种光掩膜，可以同时图案化至少一个材料层，换句话说，其也可以同时图案化多个材料层，例如同时图案化第二图案化导电层与主动层或其它材料层的组合。

本实施例中的预留配线208及修补配线220分别以由第一图案化导电层及第二图案化导电层所形成为例，但本发明不限于此，在另一实施例中，预留配线208可由第二图案化导电层所形成，而修补配线220可由第一图案化导电层所形成，换句话说，预留配线208由第一图案化导电层及第二图案化导电层其中之一所形成，而修补配线220由另一图案化导电层所形成。必需说明的是，本实施例的预留配线208及修补配线220是位于同一个像素结构中。

第二实施例：

图5A是依照本发明第二实施例的像素结构的俯视示意图，而图5B与图5C为图5A中对应于c-d剖面线的剖面示意图。

请同时参照图5A与图5B，像素结构201a依照上述工艺所制造，因此其结构与第一实施例的图2F中的像素结构201相似且以此为例，但不限于此。然而，此像素结构201a中的共用配线206’发生断路A，须进行修补才能使显示维持正常，换言之，此像素结构201a为修补后的像素结构，接下来将叙述其修补方法。当共用配线206’例如是因为在工艺中有微粒(particle)的存在或其他因素而发生断路A时，修补此像素结构201a的方法包括将位于第一修补区220a与第二修补区220b的修补配线220分别与共用配线206’以及预留配线208连接，形成连接处B1、B2，使共用配线206’、修补配线220以及预留配线208三者连结。其中，连接处B1、B2包含至少一个连接点。于本实施例中，连接的方法例如是利用激光熔接，也就是使激光由基板200的背面和/或像素电极228的正面等方向，照射于第一修补区220a与第二修补区220b，而形成连接处B1、B2。

请参照图5C，在另一实施例中，连接处B1、B2的形成可以是先以激光贯通位于同一垂直线上的膜层，例如是贯通保护层222、修补配线220、介电层210与共用配线206’以及保护层222、修补配线220、介电层210与预留配线208，以分别形成贯通孔，再将导电材料填入于贯通孔中，以形成连接处B1、B2，而使修补配线220、共用配线206’以及预留配线208彼此连接。形成导电材料的方法例如是利用激光化学气相沉积法。值得一提的是，B1、B2的两端点e、f可以分开或连接，但连接处B1、B2不会与像素电极228连接。再者，由于进行激光贯通时，可选用的激光的能量具有相当大的范围，节省需要进行微调的时间，故能提升修补效率。

如此一来，虽然像素结构201a中的共用配线206’发生断路A，但由于连接处使得共用配线206’、修补配线220以及预留配线208三者连结，故像素结构201a能维持正常的显示。换句话说，原本只经由共用配线206’传输的信号，可藉由连接处B1、B2，而跨过断路A，经由共用配线206’、修补配线220以及预留配线208来传输。

第三实施例：

图6A是依照本发明第三实施例的像素结构的俯视示意图，而图6B与图6C为图6A中对应于c-d剖面线的剖面示意图。

请同时参照图6A与图6B，像素结构201b与图5A中的像素结构201a相似，换言之，像素结构201b也是由于共用配线206′断路，而经修补后的像素结构。然而，在本实施例中，共用配线206’配置于扫描线204以及预留配线208’之间为例，换句话说，也就是预留配线208’配置于较靠近对应于下一个像素结构(未绘示)的扫描线304。因此，例如是当有较大的微粒P位于共用配线206’附近而使共用配线206’发生断路A时，非邻近于共用配线206’的预留配线208’不会受到影响。故能利用第二实施例中所述的修补方法来修补此像素结构201b，也就是将位于第一修补区220a以及第二修补区220b的修补配线220分别与共用配线206’以及预留配线208’连接，形成连接处B1、B2，使共用配线206’、修补配线220以及预留配线208’三者连结。于本实施例中，连接的方法例如是利用激光熔接，也就是使激光由基板200的背面和/或像素电极228的正面等方向，照射于第一修补区220a与第二修补区220b，而形成连接处B1、B2。

请参照图6C，在另一实施例中，连接处B1、B2的形成可以是先以激光贯通位于同一垂直线上的膜层，例如是同时贯穿保护层222、修补配线220、介电层210与共用配线206’以及保护层222、修补配线220、介电层210与预留配线208’，以分别形成贯通孔，再将导电材料填入于贯通孔中，以形成连接处B1、B2，而使修补配线220、共用配线206’以及预留配线208’彼此连接。形成导电材料的方法例如是利用激光化学气相沉积法。值得一提的是，B1、B2的两端点e、f可以分开或连接，但连接处B1、B2不会与像素电极228连接。再者，由于进行激光贯通时，可选用的激光的能量具有相当大的范围，节省需要进行微调的时间，故能提升修补效率。

如此一来，虽然像素结构201b中的共用配线206’发生断路A，但由于连接处使得共用配线206’、修补配线220以及预留配线208’三者连结，故像素结构201b能维持正常的显示。换句话说，原本只经由共用配线206’传输的信号，可藉由连接处B1、B2，而跨过断路A，经由共用配线206’、修补配线220以及预留配线208’来传输。

第四实施例：

图7A是依照本发明第四实施例的像素结构的俯视示意图，而图7B为图7A中对应于c-d剖面线的剖面示意图。图7C为图7A中的像素结构修复后的俯视示意图，而图7D与图7E为图7C中对应于c-d剖面线的剖面示意图。

请同时参照图7A与图7B，像素结构201c为依照第一实施例所述的工艺所制造，因此，其结构与图2F中的像素结构201相似。然而，在本实施例中，第一修补区220a’与第二修补区220b’被像素电极228’覆盖。因此，当共用配线206发生断路时，其修补方法将与前述的修补方法不同。

请同时参照图7C与图7D，当共用配线206’例如是因为在工艺中有微粒的存在或其他因素而发生断路A时，修补此像素结构201c’的方法如下。首先，将像素电极228’分离成第一区块228’a与第二区块228’b，使第一区块228’a与第二区块228’b彼此绝缘。分离像素电极228’的方法例如是利用施加激光的方式来进行切割。而后，将第一区块228’a、位于第一修补区220’a内的修补配线220以及共用配线206’连接，形成连接处B1’。接着，将第一区块228’a、位于第二修补区220’b内的修补配线220以及预留配线208连接，形成连接处B2’。于本实施例中，连接的方法例如是利用激光熔接，也就是使激光由基板200的背面和/或像素电极228’的正面等方向，照射于第一修补区220a’与第二修补区220b’，而形成连接处B1’、B2’。

请参照图7E，在另一实施例中，连接处的形成可以是先以激光贯通位于同一垂直线上的膜层，例如是同时贯穿第一区块228’a、保护层222、修补配线220、介电层210与共用配线206’以及第一区块228’a、保护层222、修补配线220、介电层210与预留配线208，以分别形成贯通孔，再将导电材料填入于贯通孔中，以形成连接处B1’、B2’，而使修补配线220、共用配线206’以及预留配线208彼此连接。形成导电材料的方法例如是利用激光化学气相沉积法。值得一提的是，B1’、B2’的两端点e’、f’可以分开或连接，但连接处B1’、B2’不会与第二区块228’b连接。再者，由于进行激光贯通时，可选用的激光的能量具有相当大的范围，节省需要进行微调的时间，故能提升修补效率。

此时，由于共用配线206’、修补配线220以及预留配线208三者连结，故像素结构201c’的修补完成。另一方面，由于第一区块228’a的分离对整体像素电极228’的影响不大，因此像素结构201c’仍能维持正常的显示。换句话说，原本只经由共用配线206’传输的信号，可藉由连接处B1’、B2’，而跨过断路A，经由共用配线206’、修补配线220以及预留配线208来传输。

此外，上述实施例的像素结构201能应用于显示面板的制造，图8为显示面板的示意图。显示面板800包括具有阵列排列的像素结构201的第一透明基板(未绘示)、相对于第一透明基板的第二透明基板(未绘示)，以及显示介质(display media)的材料(未绘示)位于第一透明基板与第二透明基板之间为范例，但不限于此。其中，第二透明基板具有透明导电层。显示介质的材料的种类会影响显示面板的类型，举例而言，当显示介质的材料为液晶材料时，显示面板800称为液晶显示面板，例如是穿透型显示面板、半穿透型显示面板、反射型显示面板、彩色滤光片于主动层上(color filter on array)的显示面板、主动层于彩色滤光片上(array on color filter)的显示面板、垂直配向型(VA)显示面板、水平切换型(IPS)显示面板、多域垂直配向型(MVA)显示面板、扭曲向列型(TN)显示面板、超扭曲向列型(STN)显示面板、图案垂直配向型(PVA)显示面板、超级图案垂直配向型(S-PVA)显示面板、先进大视角型(ASV)显示面板、边缘电场切换型(FFS)显示面板、连续焰火状排列型(CPA)显示面板、轴对称排列微胞型(ASM)显示面板、光学补偿弯曲排列型(OCB)显示面板、超级水平切换型(S-IPS)显示面板、先进超级水平切换型(AS-IPS)显示面板、极端边缘电场切换型(UFFS)显示面板、高分子稳定配向型显示面板、双视角型(dual-view)显示面板、三视角型(triple-view)显示面板、三维显示面板(three-dimensional)、双面显示面板(dual display panel)、其它型面板或上述的组合。当显示介质的材料为有机电激发光材料，例如是小分子发光材料、高分子发光材料或上述的组合，则显示面板800称为有机电激发光显示面板，且面板的种类例如是萤光有机电激发光显示面板、磷光有机电激发光显示面板或上述的组合。当显示介质的材料为有机电激发光材料及液晶材料，则显示面板800称为混合式面板(hybrid panel)。

再者，图9为光电装置的示意图。由上述的像素结构201阵列排列而成的显示面板800可以跟电子元件810组合成一光电装置900。电子元件810例如是控制元件、操作元件、处理元件、输入元件、记忆元件、驱动元件、发光元件、保护元件、感测元件、侦测元件、其它功能元件或前述的组合。因此，光电装置900的类型包括可携式产品(如手机、摄影机、照相机、笔记型电脑、游戏机、手表、音乐播放器、电子信件收发器、地图导航器、数位相片、或类似的产品)、影音产品(如影音放映器或类似的产品)、萤幕、电视、看板或投影机内的面板等。

综上所述，本发明的像素结构具有预留配线与修补配线，因此，当共用配线发生断路，只须利用连接的方式将共用配线、修补配线以及预留配线三者连接，即可迅速修复断路的缺陷，使像素结构仍能正常显示，进而提升显示器的良率。

虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，然其并非用以限定本发明，任何所属技术领域的相关人员，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作些许的更动与润饰，因此本发明的保护范围当视上附的权利要求所界定者为准。

Claims (21)

1.一种像素结构，配置于一基板上，并与一扫描线以及一数据线电性连接，其特征在于，该像素结构包括：

一共用配线，配置于该基板上；

一预留配线，配置于该基板上，与该共用配线电性绝缘；

一介电层，配置于该基板上，且覆盖该共用配线与该预留配线；

二修补配线，配置于该介电层上，且各该修补配线具有一与该共用配线重迭的第一修补区以及一与该预留配线重迭的第二修补区；

一主动元件，配置于该基板上，该主动元件电性连接于该扫描线以及该数据线；以及

一像素电极，配置于该介电层上方，且该像素电极与该主动元件电性连接。

2.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，该像素结构更包括一保护层，其中该保护层配置于该基板上，以覆盖住该扫描线、该数据线、该主动元件、该共用配线、该预留配线、该介电层以及该修补配线，且该像素电极配置于该保护层上。

3.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，该像素电极未覆盖于该些第一修补区与该些第二修补区上方。

4.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，该共用配线与该预留配线的材质相同。

5.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，该预留配线配置于该扫描线与该共用配线之间。

6.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，该共用配线配置于该扫描线与该预留配线之间。

7.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，该共用配线的形状包括呈π型。

8.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，该共用配线具有一断线区域。

9.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，该些第一修补区与该些第二修补区分别具有至少一连接点，以使得该些第一修补区以及该些第二修补区分别与该共用配线以及该预留配线连接。

10.一种修补方法，适于修补权利要求3所述的像素结构，当该共用配线发生断路时，该修补方法包括：

于该些第一修补区与该些第二修补区内，分别将该些修补配线与该共用配线以及该些修补配线与该预留配线连接。

11.一种修补方法，适于修补权利要求1所述的像素结构，当该共用配线发生断路时，该修补方法包括：

将该像素电极分离成二第一区块与一第二区块，该些第一区块与该第二区块彼此电性绝缘；

将该些第一区块、于该些第一修补区内的该些修补配线以及该共用配线连接；以及

将该些第一区块、于该些第二修补区内的该些修补配线以及该预留配线连接。

12.一种像素结构的制造方法，该制造方法包括：

于一基板上形成一栅极、一扫描线、一共用配线以及一预留配线，其中该栅极与该扫描线电性连接；

于该基板上形成一介电层，该介电层覆盖于该栅极、该扫描线、该共用配线以及该预留配线；

于该介电层上形成一通道层；

于该介电层上形成一源极、一漏极以及一数据线，其中该源极与该漏极覆盖该栅极两侧上方的部分该通道层，且该源极与该数据线电性连接，该栅极、该通道层、该源极以及该漏极构成一主动元件；

于该介电层上形成二修补配线，各该修补配线具有一与该共用配线重迭的第一修补区以及一与该预留配线重迭的第二修补区；以及

于该基板上形成一像素电极，该像素电极与该漏极电性连接。

13.如权利要求12所述的像素结构的制造方法，该像素结构的制造方法更包括形成一保护层于该基板上，以覆盖住该扫描线、该数据线、该主动元件、该共用配线、该预留配线、该介电层以及该些修补配线，以使得该像素电极形成于该保护层上。

14.如权利要求13所述的像素结构的制造方法，该像素结构的制造方法更包括在该保护层中形成一接触窗，暴露出该漏极，且该像素电极藉由该接触窗与该漏极电性连接。

15.如权利要求12所述的像素结构的制造方法，该像素结构的制造方法更包含分别形成至少一连接点于该些第一修补区与该些第二修补区上，以使得该些第一修补区以及该些第二修补区分别与该共用配线以及该预留配线连接。

16.一种显示面板，其特征在于，该显示面板包含如权利要求1所述的像素结构。

17.一种光电装置，其特征在于，该光电装置包含如权利要求16所述的显示面板。

18.一种显示面板的形成方法，该显示面板的形成方法包含如权利要求12所述的像素结构的形成方法。

19.一种光电装置的形成方法，该光电装置的形成方法包含如权利要求18所述的显示面板的形成方法。

20.一种显示面板的修补方法，该显示面板的修补方法包含如权利要求10或11所述的像素结构的修补方法。

21.一种光电装置的形成方法，该光电装置的形成方法包含如权利要求20所述的显示面板的修补方法。

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