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CN100472304C - 图像显示装置 - Google Patents

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CN100472304C
CN100472304C CNB2006100064371A CN200610006437A CN100472304C CN 100472304 C CN100472304 C CN 100472304C CN B2006100064371 A CNB2006100064371 A CN B2006100064371A CN 200610006437 A CN200610006437 A CN 200610006437A CN 100472304 C CN100472304 C CN 100472304C
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Hitachi Displays Ltd
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Abstract

本发明提供功耗低、显示部周围的显示板面积小、且清晰度高的图像显示装置。该图像显示装置具有内置存储器的结构,其利用由来自选择电路(5)的2条或更多条的选择布线(4)选择、且由2条或更多条的信号布线(3)输出的存储单元信号,来生成1个单位的模拟图像信号。内置存储器的存储单元(21)布置成交错状。显示部(16)的各像素由像素开关(11)和电容(12)构成,像素开关的栅极通过栅线(14)与垂直扫描电路连接。

Description

图像显示装置
技术领域
本发明涉及功耗低、显示部周围的显示基板面积小、且清晰度高的图像显示装置。
背景技术
以下,利用图12说明第1现有例的结构。
图12是采用现有技术的液晶显示器的电路结构图。构成显示部216的各像素由像素开关211和液晶电容212构成。液晶电容212的对置电极与公共电源线217连接。像素开关211的栅极通过栅线214与垂直扫描电路215连接,像素开关211的一端通过信号线213与DA变换电路209连接。
向数字/模拟(DA)变换电路209输入闩锁电路208的输出,向闩锁电路208输入读出放大器207的输出。向读出放大器207输入数据线203的信号。在数据线203上,存储单元221被设置成矩阵状。存储单元221同DRAM(Dynamic Random Access Memory,动态随机存储器)存储单元一样,由一个晶体管开关和一个电容(以下称为“ITIC”结构)、即由存储开关201和存储电容202构成,存储开关201的栅极通过存储栅线204同存储选择电路205连接。而且,数据线203的另一端与数据输入电路206连接。
以下,说明第1现有例的工作。
存储选择电路205通过存储栅线204使规定行的存储开关201接通,这样读出的存储数据由读出放大器207进行信号放大后,写入到闩锁电路208。在此,存储选择电路205反复读出n行的存储单元,即可把n位的图像数据读出到闩锁电路208。
被读出的n位图像数据从闩锁电路208输出到DA变换电路209,DA变换电路209把n位图像数据变换成一个模拟信号电压,输出到信号线213。在此,垂直扫描电路215通过栅线214使规定的像素开关211接通,这样,该模拟信号电压被写入到所选择的像素的液晶电容212,进行光学图像显示。
而且,由读出放大器207放大的信号也写入到数据线203,所以,这时也同时进行存储单元的更新工作。
若采用这种现有技术,即使没有从外部新来的图像信号的输入,也能够进行图像显示。能够使周围驱动电路处于睡眠状态,进行低功耗显示。
这种现有技术的例子,例如在日本特开平11-085065号公报(参见专利文献1)等中有详细记载。
并且,利用图13再次说明上述现有例的存储单元布置。
图13是上述第1现有例中的存储单元的布置图。
存储单元221是利用沿数据线203在列方向上布置的n个(在图13的情况下为6个),来存储着一个模拟图像信号。因此,在输出相当于1个字的1个模拟图像信号数据时,需要对n条存储栅线204进行扫描,输出n个数据。
关于这种现有例的存储单元布置,如前所述,在日本特开平11-085065号公报等中记载着。
并且,另一方面,用图14来说明与上述情况不同的第2现有例的存储单元布置。
图14是第2现有例中的存储单元布置图。
存储单元221是利用沿存储栅线204在行方向上布置的n个(在图14的情况下为6个量)来存储一个模拟图像信号的例子。因此,在输出相当于1个字的一个模拟图像信号数据时,必须取得向n条数据线203输出的n个数据。
关于这种现有例的存储单元布置,例如在日本特开2002-82656号公报(参见专利文献2)等中详细记载。
专利文献1:日本特开平11-085065号公报
专利文献2:日本特开2002-082656号公报
专利文献3:日本特开2003-005709号公报
专利文献4:日本特开2003-122301号公报
在上述现有例的液晶显示器中,能够进行低功耗显示,但另一方面,还存在存储单元布置上的问题。
在图13所示的第1现有例的结构中,存在若增加图像数据的位数、则不能减小显示部周围的显示基板面积的问题。这是因为,存储单元的数据线方向的个数同位数一起增加,所以存储部的电路宽度增加。
并且,在图14所示的第2现有例的结构中,存在若增加图像数据的位数、则很难提高像素清晰度的问题。这是因为,在像素宽度上应布置的存储单元个数和位数一起增加,所以不能够把像素宽度缩小到一定大小以下。
发明内容
因此,本发明的目的是,提供一种功耗低、显示部周围的显示基板面积小、且清晰度高的图像显示装置。
在本说明书中公开的发明中,代表性机构的一例表示如下。
即,本发明涉及的图像显示装置,其在同一绝缘基板上具有:显示部,排列有多个像素;模拟图像信号生成单元,根据被2条或更多条的选择布线选择、并且通过2条或更多条的信号布线进行输出的数字图像信号,来生成被输入到上述像素的一个单位的模拟图像信号;以及作为图像信号存储单元的DRAM,由配置成矩阵状的存储单元阵列构成,存储上述数字图像信号,上述存储单元具有被在行方向上配置的上述选择布线选择、并利用在列方向上配置的上述信号布线进行数字图像信号的输入输出的结构;上述DRAM的存储单元具有在与相邻行的上述选择布线之间设置的电容,作为存储电容。
若采用本发明,由于在同一块基板上具有存储器和显示部,所以能够提供功耗低、显示部周围的显示基板面积小、且清晰度高的图像显示装置。
附图说明
图1是涉及本发明涉及的图像显示装置的第1实施例的液晶显示器电路结构图。
图2是第1实施例的存储单元的布置基础的电路图。
图3是第1实施例的读出放大器、闩锁电路的电路构成图。
图4是第1实施例的存储单元的工作时序图。
图5是第1实施例的存储单元部的布置图。
图6是沿图5所示A—B线的部分的剖面结构图。
图7是第2实施例的读出放大器、闩锁电路的电路结构图。
图8是第2实施例的存储单元的工作时序图。
图9是第3实施例的存储单元的布置基础的电路图。
图10是第4实施例的有机EL显示器的电路结构图。
图11是第5实施例的电视图像显示装置的结构图。
图12是采用了现有技术的液晶显示器的电路结构图。
图13是第1现有例的存储单元的布置图。
图14是第2现有例的存储单元的布置图。
具体实施方式
以下,参照附图,详细说明涉及本发明的最佳实施例。
第1实施例
以下,利用图1~图6依次说明本发明涉及的图像显示装置的第1实施例的结构和工作。
图1是表示本发明第1实施例的液晶显示器的电路结构图。构成显示部16的各像素由像素开关11和液晶电容12构成,液晶电容12的对置电极与公共电源线17连接。并且,像素开关11的栅极通过栅线14与垂直扫描电路15连接,像素开关11的一端通过信号线13与DA变换电路9连接。
向DA变换电路9输入闩锁电路8的输出,向闩锁电路8输入读出放大器7的输出,向读出放大器7输出数据线3的信号。在数据线3上,存储单元21设置成交错状。存储单元21还通过存储栅线4与存储选择电路5连接。数据线3的另一端与数据输入电路6连接。
以下,利用图2更具体地说明本实施例的存储单元布置电路。
图2是本实施例的存储单元的布置基础的电路图。
存储单元21同由ITIC结构组成的DRAM存储单元一样,由存储开关(晶体管)1和存储电容2构成,存储开关1的栅极连接在存储栅线4上;存储开关1的一端连接在数据线3上。并且,存储电容2的另一端连接在邻接的存储单元的存储栅线4上。在此,如图2所示,与数据线3a、数据线3c对应的奇数列的存储单元和与数据线3b对应的偶数列的存储单元互相布置成交错状。并且,存储单元以同数据线3的接点为中心,在数据线3方向上布置成上下对称。而且,在图2的各存储栅线4上标注了4a、4b、4c、4d、4e、4f、4g、4h的字母;在数据线3上标注了3a、3b、3c的字母,这用于下述图4的说明。
以下,利用图3具体说明本实施例的读出放大器7、闩锁电路8的构成。
图3是表示本实施例的读出放大器7、闩锁电路8各自的内部基本电路的电路结构图。读出放大器7包括:倒相器31;将其输入和输出短路的短路开关32;以及反馈倒相器31的输出、并由时钟ckA控制的反馈用时钟控制倒相器(clock inverter)33。这种读出放大器的内部基本电路与1个像素6位相对应,对每个读出放大器7分别各设置6个。
闩锁电路8包括:用于进行闩锁取样的、由时钟ckB1控制的时钟控制倒相器34;用于暂时存储被取样的数据的倒相器35;以及由时钟ckB2控制的反馈用时钟控制倒相器36。这种闩锁电路的内部基本电路也与1个像素6位相对应,对每个闩锁电路8分别设置6个。
而且,闩锁电路8的输出被输入到DA变换电路(DAC)9,但这里采用的DA变换电路9具有一般的电路结构,关于DA变换电路,过去也公开了各种结构,所以在此省略其说明。
以下说明本实施例的工作。
基本工作与上述现有例的工作相同。也就是说,存储选择电路5通过存储栅线4使规定行的存储开关1接通,这样读出的存储数据,由读出放大器7进行信号放大后,写入到闩锁电路8。读出的6位图像数据从闩锁电路8输出到DA变换电路9,DA变换电路9把6位的图像数据变换成一个模拟信号电压后,输出到信号线13。在此,垂直扫描电路15通过栅线14使规定的像素开关11接通,这样,该模拟信号电压被写入到所选择的像素的液晶电容12,以光学方式进行图像显示。并且,由读出放大器7放大的信号也被写入到数据线3,这时,还同时进行存储单元的更新工作。
然而,在本实施例中,为了读出6位的图像数据,同时驱动2条存储栅线4,并同时取出6条数据线3的输出。
以下利用图4,具体说明这种情况。
图4是表示本实施例中的存储单元21的工作的时序图,如图4中两端箭头所示,上方表示各开关或栅极导通(ON);下方表示各开关或栅极截止(OFF)。
说明利用存储栅线4b、4d的扫描,从存储电容2b、2d中读出数据的情况。
首先,当各读出放大器7内的短路开关32接通时,输入和输出被短路的倒相器31的输入和输出变成高电平(HI)和低电平(LOW)的中间电压,这样,数据线3复位为中间电压。
其次,在短路开关32切断后,若存储栅线4b、4d同时通/断,则数据从存储电容2b、2d中被读出到数据线3上,数据线3的电位被调制。这时,倒相器31的输出通过被读出到数据线3上的数据,成为接通或断开,并且,利用时钟ckA使反馈用时钟控制倒相器33接通,该结果被反馈到数据线3上。
而且,这时若同时对存储栅线4b、4d进行接通/断开,则反馈到数据线3上的存储数据再次写入到存储电容2b、2d,和DRAM一样,实现更新动作。另一方面,这时利用时钟ckB2使反馈用时钟控制倒相器36断开,然后把由时钟ckB1控制的时钟控制倒相器34接通,从而,能够把倒相器31的输出取入到闩锁电路8内的倒相器35中。
然后,利用时钟ckB2来使反馈用时钟控制倒相器36接通,然后将由时钟ckB1控制的时钟控制倒相器34断开,从而该闩锁动作结束,同时利用时钟ckA使反馈用时钟控制倒相器33接通,进行下一个的存储数据的读出准备。
以上说明中,通过存储栅线4b、4d的扫描进行的、来自存储电容2b、2d且与1个像素行相当的存储数据的读出结束,然后,开始通过存储栅线4c、4e的扫描进行的、来自存储电容2e、2e且与下一像素行相当的存储数据的读出。
然后,读出的图像数据在DA变换电路9被变换成模拟信号电压,写入到像素中,进行光学显示。这一点和现有例一样,是一般熟知的工作,故省略其说明。
而且,在此,存储栅线4b、4d进行2次通/断,这是为了通过暂时切断被选择的存储开关1,以避免倒相器31的读出信号检测时的存储开关1的馈通影响。所以,如果存储开关1的馈通影响很小,那么也可以取消存储栅线4b、4d的检测时的断开,将通/断动作合起来进行一次。
在本实施例中,为了读出6位图像数据,同时驱动2条存储栅线4,同时取出6条数据线3的输出。这样同时驱动2条存储栅线4,因此,与图14的现有例相比较,能够实现存储单元的更高密度的布置。
以下,利用图5说明这一情况。
图5是存储单元部的布置图。在图5中,虚线表示采用金属布线的数据线3,粗线表示存储栅线4,细线表示多晶硅的沟道层41,此外,粗线的四角表示数据线3和多晶硅的沟道层的接触孔40。从图中可以看出,在接触孔40的周围,为了确保合格率的调整余量,在虚线所示的金属布线的数据线3上需要凸接点(ドツグボ—ン)。在本实施例中,偶数列和奇数列的存储单元形成交错布置,所以,能够一边在邻接的数据线3之间确保余量,一边布置充足的凸接点。
图6是沿图5所示A—B线的部分的剖面结构图。在和液晶显示像素、DA变换电路9等相同的玻璃基板44上,和液晶显示像素、DA变换电路9等一样,利用多晶硅的沟道层41和存储栅线4,设置了由TFT(Thin Film Transistor)构成的存储开关1和电容2,形成了层间绝缘膜45和采用金属布线的数据线3。这些元件由n型MOS(Metal OxideSemicondactor)结构实现。
而且,在上述结构中还能够进行各种变形,例如对多晶硅的沟道层41之间在列方向上连接,进一步提高密度,或者在存储单元的下方设置遮光层,以减小光漏电流等。
并且,在本实施例中,如图6所示,存储单元内的TFT采用了由多晶硅形成的n MOS晶体管。但若使各控制电压的正负相反,则能够使用适宜的p MOS晶体管,并且,不仅限于多晶硅,也可以把其他有机/无机半导体薄膜用作晶体管。
第2实施例
以下,利用图7和图8,详细说明本发明涉及的图像显示装置的第2实施例。
本实施例的液晶显示器的构成和工作,基本上与第1实施例相同。与第1实施例相比较时的不同点是,读出放大器53周围的结构和存储单元的工作时序,所以,以下说明该不同点。
图7是表示本实施例的读出放大器53和闩锁电路8各自的内部基本电路的电路结构图。读出放大器53的内部基本电路包括:倒相器31;对其输入和输出进行短路的短路开关32;以及反馈倒相器31的输出、且由时钟ckA控制的反馈用时钟控制倒相器33。这种读出放大器的内部基本电路与1个像素6位相对应,对每个读出放大器53分别设置3个。并且,在读出放大器53的上述内部基本电路的输入部和输出部,分别设置了输入切换开关51和输出切换开关52。
并且,闩锁电路8的内部基本电路包括:用于进行闩锁取样的、由时钟ckB1控制的时钟控制倒相器34;用于暂时存储被取样的数据的倒相器35;以及由时钟ckB2控制的反馈用时钟控制倒相器36。该闩锁电路的内部基本电路也是与1个像素6位相对应,对每个闩锁电路8分别设置6个。闩锁电路8的结构与第1实施例相同。
以下说明本实施例的工作。
基本工作与上述的第1实施例的工作相同,所以,其说明从略。然而,在本实施例中,为了读出6位图像数据,依次驱动2条存储栅线4,分两次取出6条数据线3的输出。
以下,利用图8具体说明该情况。
图8是表示本实施例的存储单元21的工作的时序图。如图中两端箭头所示,上方表示各开关或栅极接通,下方表示各开关或栅极断开。
说明利用存储栅线4b的扫描从液晶电容2b读出数据的过程。
首先,当各读出放大器53内的短路开关32接通时,使输入和输出短路的倒相器31的输入和输出变成高电平和低电平的中间电压,这样,数据线3被复位为中间电压。
然后,在短路开关32断开后,若使存储栅线4b通/断,则从存储电容2b中读出数据到数据线3上,数据线3的电位被调制。这时,倒相器31的输出根据读出到数据线3上的数据接通或断开。利用时钟ckA使反馈用时钟控制倒相器33接通,这样,该其结果被反馈到数据线3上。
这时,若同时对存储栅线4b进行通/断,则反馈到数据线3上的存储数据再次被写入到存储电容2b,和DRAM一样,实现更新动作。另一方面,这时利用时钟ckB2使反馈用时钟控制倒相器36断开,然后使由时钟ckB1控制的时钟控制倒相器34接通,这样能够把倒相器31的输出取入到闩锁电路8内的倒相器35中。
然后,利用时钟ckB2使反馈用时钟控制倒相器36接通后,使由时钟ckB1控制的时钟控制倒相器34断开,从而该闩锁工作结束,同时利用时钟ckA来使反馈用时钟控制倒相器33断开,进行下一个存储数据的读出准备。
以上,通过存储栅线4b的扫描进行的、来自存储电容2b的相当于1个像素的前半部3位的存储数据的读出结束,然后,开始通过存储栅线4d的扫描进行的、来自存储电容2d的相当于1个像素的后半部3位的存储数据的读出。而且,在此之前,在读出放大器53的输入输出部设置的输入切换开关51和输出切换开关52,同时进行切换。
然后,同样地,来自存储电容2d的相当于1个像素的后半部3位的存储数据的读出结束,于是,结束相当于一个像素行的存储数据的读出。
之后,同样地,下一个像素行的数据,从存储电容2c读出前半部、从存储电容2e读出后半部,并且,该下一个像素行的数据的读出按照从存储电容2f读出前半部、从存储电容2h读出后半部的方式反复进行。
在本实施例中,也和第1实施例一样,能够进行紧凑的存储单元布置,此外,本实施例还有如下优点,即,电路结构容易变大的读出放大器53的内部基本电路,通过切换输入切换开关51和输出切换开关52,能够实现时间上的复用,所以具有能够实现读出放大器53的小型化的效果。
第3实施例
以下,利用图9详细说明本发明涉及的图像显示装置的第3实施例。
本实施例的液晶显示器的结构和工作基本上与第1实施例相同。与第1实施例相比较,不同点是存储单元61的存储单元布置电路,所以对此说明如下。
图9是本实施例的存储单元的布置基础的电路图。
存储单元61和ITIC结构的DRAM存储单元相同,包括存储开关1和存储电容2。存储开关1的栅极连接在存储栅线4上,存储开关1的一端连接在数据线3上,并且,存储电容2的另一端连接在邻接的存储单元的存储栅线4上。在此,如图9所示,数据线3a、数据线3b、数据线3c所对应的3列存储单元互相错开布置,并且,存储单元布置成,以与数据线3的接点为中心,在数据线3方向上上下对称。
本实施例的工作与第1实施例的工作相同,所以,在此其说明从略。并且,表示存储单元61的工作的时序图也与图4所示的第1实施例的时序图相同,所以,其说明从略。
在本实施例中,对存储栅线4在上下设置了存储电容2,所以,能够使存储单元的密度超过第1实施例。
第4实施例
以下,利用图10说明本发明涉及的图像显示装置的第4实施例。
本实施例的有机EL(Electro Luminescence)显示器的结构和工作基本上与第1实施例相同。与第1实施例相比的不同点是,显示像素结构不是液晶像素,而是有机EL像素。以下对其加以说明。
图10是本实施例的有机EL显示器的电路结构图。构成显示部82的各像素包括有机EL元件71、有机EL驱动晶体管72、点亮控制开关73、复位开关74和存储电容75。有机EL元件71的对置电极接地;点亮控制开关73的一端连接着电源线79;复位开关74的栅极通过复位线77连接在垂直控制电路78上;点亮控制开关3的栅极通过点亮控制线76连接在垂直控制电路78上;存储电容75的一端通过信号线13连接在DA变换电路81上。而且,在DA变换电路81上设置了三角波电压控制端子80,根据来自三角波电压控制端子80的指示,DA变换电路81改变为图像信号电压而输出三角波电压。
向DA变换电路81输入闩锁电路8的输出,向闩锁电路8输入读出放大器7的输出,向读出放大器7输入数据线3的信号。在数据线3上,存储单元21被设置成交错状。存储单元21通过存储栅线4连接在存储选择电路5上。并且,数据线3的另一端连接在数据输入电路6上。这样,闩锁电路8之后的结构与第1实施例相同。
其次,在本实施例的动作中,从存储单元21到信号线13的信号电压输出,基本上与上述第1实施例相同,故其说明从略。
但是,在本实施例的情况下,像素结构与第1实施例不同,所以,以下说明该部分的动作。
当向信号线13输出图像信号电压时,由垂直控制电路78来选择规定的像素行,通过点亮控制线76和复位线77使点亮控制开关73和复位开关74变成接通状态。这时,由有机EL驱动晶体管72和有机EL元件71构成的倒相器电路的输入输出保持在中间电位,该中间电位和图像信号电压之差被输入到存储电容75。然后,点亮控制开关73和复位控制开关74断开,使该中间电位和图像信号电压之差存储到存储电容75中。
这样,结束对应当显示的全部像素的图像信号电压写入之后,根据从三角波电压控制端子80来的指示,DA变换电路81改变为图像信号电压,把三角波电压输出到信号线13上。这时,垂直控制电路78通过点亮控制线76使全部像素的点亮控制开关73成为接通状态。这样,各个像素根据预先写入的图像信号电压和三角波电压的大小,能够对有机EL元件71的点亮时间进行调制,进行光学方式的图像显示。
关于如上所述的有机EL显示器的结构和工作,在日本特开2003-005709号公报(参见专利文献3)、特开2003-122301号公报(参见专利文献4)等中有详细记载。
而且,在本实施例中,不言而喻,发光元件不限于有机EL元件,也可以采用无机EL元件和FED(Field-Emission Device)等一般发光元件。并且,在本实施例中,因发光层不是发明的本质,所以其详细说明从略。有机EL元件结构,可以采用低分子型、高分子型等多种分子结构。
再者,在本实施例中,有机EL元件71的对置电极接地,但该电位不一定是OV,并且,包括有机EL元件的极性在内,当然可以适当更改。
第5实施例
以下,用图11说明本发明涉及的图像显示装置的第5实施例。
图11是本实施例的电视图像显示装置100的结构图。
向接收地面波数字信号等的无线接口(I/F)电路102,被压缩的图像数据等作为无线数据从外部输入,无线I/F电路102的输出通过I/O(Input/Output)电路103连接在数据总线108上。在数据总线108上,此外,还连接着微处理器(MPU)104、显示板控制器106和帧存储器(MM)107等。再者,显示板控制器106的输出被输入到液晶显示器101。而且,在电视图像显示装置100内,还设置了板外10V生成电路(PWR 10V)109和板外5V生成电路(PWR 5V)110。在此,液晶显示器101具有与上述的第一实施例基本相同的结构和工作,所以,其内部的结构和工作的说明从略。
以下说明本实施例的工作。首先,由无线I/F电路102按照指令从外部取入被压缩的图像数据,将该图像数据通过I/O电路103传输到微处理器104和帧存储电路107。微处理器104接收来自使用者的指令操作,根据需要来驱动整个电视图像显示装置100,对被压缩的图像数据进行解码和信号处理以及信息显示。在此,经过信号处理的图像数据可以暂时存储在帧存储器107。
在此,微处理104发出显示指令的情况下,根据该指示,把图像数据从帧存储器107经显示板控制器(CTL)106输入到液晶显示器101。液晶显示器101实时地显示出输入的图像数据。这时,显示板控制器106输出用于同时显示图像所需的规定的定时脉冲,同时板外10V生成电路109和板外5V生成电路110把规定的电源电压供给液晶显示器101。
而且,即使在不能向液晶显示器101输入图像数据的情况下,也能够利用设置在内部的图像存储器来显示预先写入的图像,这和第1实施例的说明相同。并且,在本电视图像显示装置100中另外包含二次电池。用于供给驱动这些电视图像显示装置100整体的电力。这一点不是本发明的本质,故其说明从略。
若采用本实施例,则能够进行低功耗显示,液晶显示器的基板面积小,所以,能够提供小型化和外观美观、且能够实现高清晰度显示的电视图像显示装置100。
而且,在本实施例中,图像显示器件采用了第1实施例中说明的液晶显示器件,但是,不言而喻,除此以外,也可以采用能满足本发明主要目的其他结构的显示板。

Claims (10)

1.一种图像显示装置,其在同一绝缘基板上具有:显示部,排列有多个像素;模拟图像信号生成单元,根据被2条或更多条的选择布线选择、并且通过2条或更多条的信号布线进行输出的数字图像信号,来生成被输入到上述像素的一个单位的模拟图像信号;以及作为图像信号存储单元的动态随机存储器,由配置成矩阵状的存储单元阵列构成,存储上述数字图像信号,上述存储单元具有被在行方向上配置的上述选择布线选择、并利用在列方向上配置的上述信号布线进行数字图像信号的输入输出的结构,其特征在于,
上述动态随机存储器的存储单元具有在与相邻行的上述选择布线之间设置的电容,作为存储电容。
2.如权利要求1所述的图像显示装置,其特征在于,
上述模拟图像信号生成单元具有如下功能:利用从所有的上述信号布线输出的输出图像信号在内部被成批闩锁的数字图像信号,来进行DA变换。
3.如权利要求1所述的图像显示装置,其特征在于:
上述模拟图像信号生成单元具有如下功能:利用从被选择的上述信号布线输出的输出图像信号在内部依次被闩锁的数字图像信号,进行DA变换。
4.如权利要求1所述的图像显示装置,其特征在于:
上述存储单元被2条间隔了1条选择布线的上述选择布线同时选择。
5.如权利要求1所述的图像显示装置,其特征在于,
上述像素是液晶显示像素。
6.如权利要求1所述的图像显示装置,其特征在于,
上述像素是有机EL显示像素。
7.如权利要求1所述的图像显示装置,其特征在于,
上述动态随机存储器的存储单元以与上述信号布线的接触孔作为中心,把2个存储单元配置成相对于信号布线平行且对称。
8.如权利要求1所述的图像显示装置,其特征在于,
上述动态随机存储器的存储单元配置成把与每一列对应的选择布线错开。
9.如权利要求1所述的图像显示装置,其特征在于,
上述动态随机存储器的存储单元配置成把与每一奇数/偶数列对应的选择布线错开。
10如权利要求1所述的图像显示装置,其特征在于,
上述动态随机存储器的存储单元配置成把与每3列对应的选择布线错开。
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