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CN100428482C - 固体摄像装置及其制造方法 - Google Patents

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CN100428482C
CN100428482C CNB2004100617845A CN200410061784A CN100428482C CN 100428482 C CN100428482 C CN 100428482C CN B2004100617845 A CNB2004100617845 A CN B2004100617845A CN 200410061784 A CN200410061784 A CN 200410061784A CN 100428482 C CN100428482 C CN 100428482C
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Abstract

本发明提供一种固体摄像装置，其备有框体(1)、金属导片(9)、摄像元件(5)、金属细线(10)和透明板(7)。框体(1)上用树脂成形着基板部(2)和肋(3)。金属导片(9)具有埋入框体内并朝向框体内部空间(4)的内部端子部(9a)、露出于框体底面的外部端子部(9b)和露出于框体外侧面的侧面电极部(9c)。摄像元件(5)固定在内部空间的基板部上。金属细线(10)连接摄像元件的电极和内部端子部。透明板(7)固定在肋的上端面上。在基板的中央部，埋入具有贯通孔(12)的管芯垫(11)，管芯垫的上下面露出。摄像元件固定在管芯垫上。这样可以用简单的构造，容易地形成相对树脂一体成形的框体内部空间的通气孔。

Description

固体摄像装置及其制造方法
技术领域
本发明涉及把CCD等的摄像元件安装在基台上而构成的固体摄像装置及其制造方法。
背景技术
固体摄像装置被广泛应用于摄像机和照相机等中，是把CCD等的摄像元件安装在由绝缘材料构成的基台上，用透明板覆盖住受光区域，是封装的形态。为了装置的小型化，摄像元件以裸芯片(ベァチップ)的状态被安装在基台上。作为已往这样的固体摄像装置，有图10所示的日本专利特开2001-77277号揭示的固体摄像装置。
图10中，41是框体，由用树脂模而一体成形的基板部41a和框状的肋41b构成。在其上面形成内部空间42。在框体41中，埋入有位于基板部41a的中央部的管芯垫43，以及位于肋41b的下部的传导件44。配置在内部空间42的中央部的摄像元件芯片45，被固定在管芯垫43的上面。传导件44具有内部端子部44a和外部端子部44b。内部端子部44a在肋41b内侧的基板部41a的上表面露出于内部空间42。外部端子部44b在肋41b的下部从基板部41a的底面露出。内部端子部44a和摄像元件芯片45的焊盘被由金属线构成的接合线46连接。另外，在肋41b的上端面，固定着透明的密封玻璃板47，从而形成用于保护摄像元件芯片45的封装。
该固体摄像装置，如图所示，在使密封玻璃板47一侧朝向上方的状态被安装在电路基板上，外部端子部44b与电路基板上的电极相连接。虽然并没有图示出，但在密封玻璃板47的上部，安装着组装有摄像光学系统的镜筒，该镜筒与形成在摄像元件芯片45上的受光区域的相互位置关系，被调节成预定的精度。摄像动作时，通过镜筒上所组装的摄像光学系统，把来自被拍摄对象的光聚光到受光区域，进行光电变换。
该构造的固体摄像装置，由于通过露出到框体底面的外部端子部44b与电路基板上的电极相连接，所以，与采用从框体侧面朝下方弯折的外部传导件进行连接的结构相比，封装的高度和占有面积小，适合于高密度安装。
用树脂模制图10形状的框体41时，在日本专利特开2001-77277号公报记载的技术中，是采用图11所示的上模48和下模49。下模49的上表面是平坦的。在上模48的下表面，形成与肋41b对应的凹部48a。在凹部48a的两侧，设有形成内部空间42的内侧凸部48b、和形成肋41b的外侧面的外侧凸部48c。传导件44和管芯垫43，作为传导件架(リ一ドフレ一ム)50以一体的状态被提供，被配置在上模48与下模49之间。
在上模48与下模49之间，由于夹着传导件架50，所以，在上模48的内侧凸部48b与下模49之间，形成用于模制基板部41a的型腔51。在该状态下充填树脂，打开模具取出成形品时，形成框体41的基板部41a和肋41b，具有被完成的形状。在模制后，传导件架50的位于肋41b外侧的部分被切断。
上述已往的固体摄像装置中，内部空间42被密封玻璃板47封住，成为密封空间。因此，当温度变化等引起内部空间42内的压力变动而产生变形时，摄像元件芯片45与内部端子部44a的连接有时会受到损伤。
另外，传导件44的内部端子部44a处的厚度，是位于肋41b下部处厚度的一半左右，内部端子部44a的下表面，不露出于基板部41a的底面。该传导件44的形状，是产生下述不适问题的原因。
为了恰当地埋入传导件44。用上下模保持住传导件44，在固定了位置的状态充填树脂。因此，在上模48与下模49之间，必须夹住传导件44。但是，如上所述，由于位于内部空间42的传导件44的内部端子部44a的厚度，没有达到基板部41a的底面，所以，很难用上下模夹住。
为此，在日本专利特开2001-77277号公报揭示的技术中，在上模48的外侧凸部48c和下模49之间，夹住传导件44的、比外部端子部44b外侧的部分，这样进行传导件44的定位。结果，内部端子部44a在没被上下模夹住的状态被模制。因此，上模48的内侧凸部48b对内部端子部44a的上面，没有足够的推压力，不能得到密接状态。因此，在内部端子部44a的周缘部，不可避免地产生树脂溢料。产生的树脂溢料，使内部端子部44a的连接面显著变窄，这样，在连接上产生障碍。
下面，说明上述已往例的构造对于小型化的影响。如图11所示，在肋41b的外侧，必须要有外侧凸部48c。用外侧凸部48c形成肋41b的外侧面，在树脂成形时完成肋41b的外形。结果，虽然可用该部分夹住传导件44，但是存在下述问题。
在肋41b的上端面，为了确保涂敷密封玻璃板47固定用粘接剂的面积，其宽度的下限值被限制。即，不能较多地减小肋41b的宽度，从而影响半导体装置面积的小型化。另外，成形肋41b时，在肋的侧面必须形成用于脱模的拔模斜度，该拔模斜度的存在也成为使肋41b的宽度增加的原因。
发明内容
本发明的目的是提供一种固定摄像装置，该装置可以用简单的构造，容易地形成相对于由树脂一体成形的框体内部空间的通气孔。
另外，本发明的目的是提供一种固定摄像装置，该装置中的具有内部端子部和外部端子部的金属导片，具有能抑制在内部端子部周边产生树脂溢料(樹脂ばり)的形状。
另外，本发明的目的是提供固定摄像装置的制造方法，该方法中，把上述传导件及形成通气孔的部件，与框体一体地树脂模制成形，适合于小型固体摄像装置的批量生产。
本发明的固体摄像装置，备有框体、多个金属导片、摄像元件、金属细线和透明板；上述框体是用树脂一体成形基板部和矩形框状的肋而成的；上述多个金属导片埋在上述框体内，分别具有面向上述框体内部空间的内部端子部、露出于上述框体底面的外部端子部和露出于上述框体外侧面的侧面电极部；上述摄像元件在上述框体的内部空间中被固定在上述基板部上；上述金属细线分别连接上述摄像元件的电极与上述金属导片的内部端子部；上述透明板被固定在上述肋的上端面上；为了解决上述问题，在上述基板部的中央部使其上下表面露出地埋设有具有贯通孔的管芯垫，上述摄像元件覆盖着上述贯通孔地被固定在该管芯垫上。
本发明的固体摄像装置制造方法，该固体摄像装置是，把具有基板部和矩形框状的肋的框体，与包含金属导片组以及被配置在上述基板部的中央部的管芯垫的传导件架一体地树脂成形，上述金属导片组包含多个金属导片，借助上述各金属导片，分别形成面向上述框体内部空间的内部端子部、露出于上述框体底面的外部端子部和露出于上述框体外侧面的侧面电极部，并在上述框体的内部空间内把摄像元件固定在上述基板部上，用金属细线将上述摄像元件的电极与上述各金属导片的内部端子部分别连接起来，并把透明板固定在上述肋的上端面上；其特征在于，包含以下步骤：
准备传导件架，该传导件架与多个上述固体摄像装置相对应地包含多组用于形成上述金属导片组的传导部和具有贯通孔的上述管芯垫；
把用于成形与多个上述框体相当的多个框体相当部的模具，以结合相邻上述框体相当部的上述肋成形为1根的方式构成；
把上述传导件架，安装配置在上述各传导部及上述管芯垫与上述模具的各框体相当部相对应的位置，进行树脂成形，这样，面向上述内部空间部地露出上述内部端子部和上述管芯垫，使上述外部端子部和上述管芯垫露出于上述基板部的背面；
将上述摄像元件覆盖着上述贯通孔地固定在上述各框体相当部的上述内部空间内的上述管芯垫上，用上述金属细线将上述摄像元件的电极与上述各内部端子部连接，并把上述透明板固定在上述肋的上端面上；之后，
对上述各框体相当部的每一个，沿着垂直于上述基板部的方向，并且在平面形状上将上述各肋的宽度两分的方向切断，从而把上述各固体摄像装置分离为各个片。
附图说明
图1A是表示本发明实施方式1中的固体摄像装置构造的剖视图。
图1B是表示该固体摄像装置其它形态的剖视图。
图2是图1A所示固体摄像装置的仰视图。
图3是图1A所示固体摄像装置的侧视图。
图4是卸掉了图1A中的固体摄像装置的透明板的俯视图。
图5A～图5F是表示本发明实施方式2中的固体摄像装置的制造方法的剖视图。
图6是表示上述制造方法中的传导件架的俯视图。
图7是表示上述制造方法中，埋入传导件架而被成形的树脂成形体的俯视图。
图8A～图8C是具体地表示上述制造方法中的树脂成形工序的剖视图。
图9A～图9C是表示本发明实施方式3中的固体摄像装置制造方法的剖视图。
图10是已往的固体摄像装置的剖视图。
图11是表示该固体摄像装置的框体成形工序的剖视图。
具体实施方式
在本发明的固体摄像装置中，具有内部端子部、外部端子部和侧面电极部的各金属导片以及管芯垫(ダィパッド)，被埋入由树脂一体成形的框体内。在管芯垫的中央部有贯通孔，并使其管芯垫上下面露出地埋入框体的基板部，摄像元件被固定在管芯垫上。根据该构造，使用传导件架形成金属导片和管芯垫，通过在管芯垫上设置的贯通孔，可容易地形成内部空间的通气孔。
在上述固体摄像装置的构造中，最好上述各金属导片，其位于内部端子部处的厚度，与基板部的厚度实质上相同，在与内部端子部的位置对应的背面，形成外部端子部。这样，在树脂成形时，可以用上下模挟持着内部端子部和外部端子部，内部端子部的表面被按压密接在上模的面上，可以抑制树脂溢料的产生。
另外，最好上述金属导片的侧面电极部的下面，由基板部的树脂所覆盖着。这样，金属导片相对于框体的固定稳定。外部端子部和管芯垫的表面，与基板部的背面能够实质上形成同一平面。或者，上述外部端子部和管芯垫的表面，从基板部的背面突出。
另外，最好摄像元件，由具有通气性的粘结带固定在管芯垫上。
根据本发明的固体摄像装置的制造方法，由于与上述对固体摄像装置的说明中同样的原因，可以容易地形成内部空间的通气孔。另外，在相邻的框体相当部之间一体地形成肋，并在把固体摄像装置分离为各个时，沿宽度方向将肋切断成两半，所以，可以使固体摄像装置的面积小型化。其原因如下所述。
如已往例那样，单独地成形1根肋时，为了涂敷固定透明板用的粘接剂，肋的上端面需要有足够的宽度。而与此相对将2根肋形成为一体时，即使其宽度小于单独成形1根肋时的2倍，也能确保涂敷粘接剂的充分的宽度。因此，通过将该肋切断为两半，可在以往很困难的程度上采用窄的肋宽度。另外，单独地成形肋时，在肋的侧面要形成用于脱模的拔模斜度，而将肋沿宽度方向切为两半，则不需要拔模斜度，切断面垂直于基板部。从这一点上也可减小肋的宽度。
上述的制造方法中，最好上述传导部的相当于内部端子部处的厚度，与上述基板部的厚度实质上相同，在树脂成形时，把各传导部的相当于内部端子部的部分，挟持在上模中的形成框体内部空间的部分与下模之间。这样，在树脂成形时，内部端子部的面被按压密接在上模的面上，可抑制树脂溢料的产生。
另外，上述的制造方法中，固定跨越多个框体相当部大小的透明板，在切断每个框体相当部时，能够将透明板一并切断。另外，对上述各框体相当部分别采用单个的透明板，把上述透明板固定到上述肋的上端面上时，把粘接剂涂敷在上述肋的上端面，并使各透明板与相邻透明板的端缘之间留有间隙地载置各透明板，用上述粘接剂在各透明板的端缘之间的间隙处形成圆角(嵌条fillet)。
另外，在上述的制造方法中，最好将摄像元件通过具有通气性的绝缘性粘结带固定在基板部上。
下面，参照附图具体说明本发明的各实施方式。
实施方式1
图1A是实施方式1中的固体摄像装置的剖视图，图2是仰视图，图3是侧视图。
1是环氧树脂等可塑性树脂构成的框体，是一体成形制作的，在平板状的基板部2上，配置着矩形框状的肋3。在朝着框体1的内部空间4的基板部2上，用粘接部件6固定着摄像元件5。在肋3的上端面上。用粘接剂8固定着例如玻璃构成的透明板7，这样，框体1的内部空间4被封住，形成封装。肋3的高度例如设定在0.3～1.0mm的范围内。
在框体1上，成形时埋入了多个金属导片9和管芯垫11。金属导片9是将电气从框体1的内部空间4导出到外部用的部件，具有内部端子部9a、外部端子部9b、和侧面电极部9c。内部端子部9a露出到基板部2的内部空间4一侧的面，外部端子部9b露出到基板部2背面的与内部端子部9a对应的位置。侧面电极部9c露出到框体1的外侧面。摄像元件5的焊盘电极(パッド電極)5a和各金属导片9的内部端子部9a，由金属细线10连接着。管芯垫11具有贯通孔12，并以其上下表面从基板部2露出的方式被埋入。封装整体的厚度例如设定在2.0mm以下。图4表示从图1A的固体摄像装置上卸掉了透明板7状态的俯视图。
管芯垫11的贯通孔12，起着作为内部空间4与外部之间的通气孔的作用。由于固定了透明板7，内部空间4成为被密闭状态，因内部压力的变动等原因，有时会产生机械性损伤。为了避免这一点，管芯垫11的贯通孔12作为通气孔，其效果很大。为了使贯通孔12发挥通气孔的作用，最好充分确保在摄像元件5下面的通气性地进行摄像元件5的粘接。例如，作为粘接部件6，最好采用具有通气性的粘结带进行粘接。或者，将摄像元件5的周边部下面斜切，与该斜切部分对应地设置贯通孔12。贯通孔12的形状可根据需要形成为各种形状。例如，在截面形状上可以形成为喇叭形(锥形)，或者是带有台阶的孔。
如图1A所示，金属导片9中，其内部端子部9a的背面作为外部端子部9b。另外，在这些部分，金属导片9的厚度与基板部2实质上相同。因此，在树脂成形时，可以用上下模夹住内部端子部9a和外部端子部9b进行挟持。这样，内部端子部9a的面被紧密地压在上模的面上，可抑制树脂溢料的产生。金属导片9中的位于肋3下部的部分，用半腐蚀法(ハ一フェッチ)形成为薄状，下面被树脂覆盖着。
如图1A和3所示，框体1的各外侧面、即肋3的外周面，形成为与基板部2的面实质上垂直的平面。另外，透明板7的端面和侧面电极部9c的表面，形成与框体1的外侧面实质上齐平的平面。形成这样的齐平的平面形状，例如通过在制造工序中，将肋3和透明板7一并切断，可以具有良好的平坦度地形成。
框体1的内周面即肋3的内侧面，形成从基板部2的面朝透明板7扩开的斜度，这是为了在树脂成形后容易脱模，而且，可以利用该斜度，使肋3的内侧面产生的入射光的反射，以便对摄像功能没有实质上的不良影响。在实用上，形成肋3的内侧面的平面的倾斜角度，相对于垂直于基板部2的面的方向在2～12°的范围内。为了减轻肋3的内侧面的反射的影响，在肋3的内侧面上，也可以形成毛面或褶皱。
图1A中，外部端子9b和垫11的表面，是与基板部2的背面形成为实质上同一平面，但是，也可从基板2的背面凹入地形成。或者也可以如图1B所示，外部端子9b和管芯垫11的表面，做成为从基板部2的背面突出的形状。可分别配合用途或制造工序适当选择。另外，侧面电极部9c的表面也可以从框体1的外侧面凹入地形成。
实施方式2
下面参照图5～图7，说明实施方式2的固体摄像装置的制造方法。该制造方法是用于制造实施方式1所示构造的固体摄像装置的方法。
首先如图5A所示，准备好传导件架21。如图6的平面形状所示，传导件架21是连接着多个用于形成图1A所示金属导片9的传导部22和垫23的构件。各传导部22的、与内部端子部9a对应位置处的厚度，被调整为与基板部2的厚度实质上相同。传导部22，在其下面具有用半腐蚀法形成的凹部22a，在后面的工序中，该部分被切断，成为图1A所示的金属导片9的形状。
接着，如图5B所示，埋入传导件架21，用树脂的一体成形，由基板部24和肋25制作包含多个框体相当部26的成型体。成形后的平面形状如图7所示。传导部22的上下面露出于各基板部24上下面地被埋入，从而形成各内部端子部9a和外部端子部9b。管芯垫23也是上下面露出地被埋入，通过贯通孔23a上下面连通。肋25与相邻框体相当部26的肋结合成为一根肋地被形成。
接着，如图5C所示，在由肋25包围着的各框体相当部26的内部空间内的管芯垫23上，用粘接剂6固定着摄像元件5，用金属细线10将摄像元件5的焊盘电极5a与各内部端子9a相连接。
接着，如图5D所示，在肋25的上端面涂敷粘接剂28，将透明板27固定安置在上面。
接着，如图5E所示，用分割刀片29将透明板27、肋25、传导部22和基板部24切断，如图5E所示，分离成为形成各固体摄像装置的单个片。如图5E所示，该切断是在垂直于基板部24的方向、并且在平面形状中将各肋25的宽度分为2份的方向进行的。结果，由被分断的透明板27、肋25、传导部22和基板部24形成框体1和金属传导件9。该框体1是由构成一个固体摄像装置的透明板7、基板部2和肋3构成的。另外，金属导片9的侧面电极部9c露出。
根据本实施方式的制造方法，相邻框体相当部26的2根肋成为一体所形成的1根肋25的宽度，可以设定为小于单独形成一根肋时的宽度的2倍。因此，如图5E所示地将其切为两半，则图5F所示各个片的固体摄像装置中的肋3的宽度，比单独形成1根肋时小，这样，也相应地减小了固体摄像装置的面积。
这样，肋25的宽度，也能确保在固定透明板27用粘接剂的涂敷上的充足范围内。举一个极端的例子，可以用单独成形时的1根肋的宽度，成形肋25，并将其分为两半时，切断后的肋3的宽度仅为已往例的一半。
另外，把肋25沿宽度方向切断为两半时，切断面垂直于基板部24。而与此相对，已往例中单独成形肋时，在肋的外侧面必须形成成形后脱模用的拔模斜度。因此，按本实施方式制作的肋，由于没有拔模斜度，所以面积被减小。
另外，由于透明板27、肋25和传导部22是被同一个分割刀片29一并切断的，所以，由透明板27的端面、框体1的侧面和金属导片9的端面形成的封装侧面，成为实质上同一平面，可得到良好的平坦度。因此，安装收纳了光学系统的镜筒时，可以利用封装的侧面，高精度地进行光学系统相对于摄像元件5受光部的定位。即，通过封装的侧面与镜筒内面相抵接，可容易地定位水平位置。另外，垂直方向的定位，可以通过电路基板面与镜筒下面的相抵接来进行。
下面，参照图8具体说明上述制造工序图5B所示的由树脂进行的框体的成形工序。
先如图8A所示，在上模30与下模31之间，配置传导件架21，用上模30和下模31夹住传导部22的上下表面。下模31的上表面是平面，但上模30的下面设有凹部32。由于夹着传导部22，在上模30与下模31之间形成的空间部33、上模30的凹部32的空间部、和传导部22的凹部22a的空间部，形成树脂成形用的型腔。
接着，如图8B所示，将树脂充填到型腔内，成形基板部24和肋25。然后，如图8C所示，打开金属模具，取出图5B所示那样的、连接着框体相当部的成型体。
在该成形工序中，是用上模30和下模31夹住传导部22的上下表面，由此，可以稳定地得到金属模具面与传导部22的上下表面密接的状态。另外，上模30的凹部32的边界部，被配置在传导部22的上表面。结果，在成形时可以有效地抑制树脂溢料的产生。
另外，在框体的树脂成形时，如果把抑制树脂毛边溢料(フラッシュバリ)产生用的树脂片夹在金属模具与传导件架21之间，则能更加有效地抑制溢料的产生。
实施方式3
下面，参照图9说明实施方式3之固体摄像装置的制造方法。该制造方法与实施方式2的制造方法略相同，其不同之处是，透明板的面积不是跨越多个固体摄像装置区域的大面积透明板，而是采用单独安装的透明板。前半的工序与图5A～图5C相同，其说明从略。
如图9A所示，在由肋25包围着的各框体相当部26的内部空间的管芯垫23上，固定摄像元件5，并在结束用金属细线10的连接后，在肋25的上端面上涂敷粘接剂28。
接着，如图9B所示，安置单独地与各框体相当部26相对应的透明板34。相邻透明板34的周端缘被设定成在肋25的上端面上形成预定间隙的大小。因此，把透明板34载置到粘接材28上时，粘接剂28进入透明板34之间的间隙内，形成圆角(嵌条)35。
接着，用分割刀片29将圆角(嵌条)35、肋25、传导部22和基板部24切断，如图9C所示，分离成为形成各固体摄像装置的单个片。与实施方式2中同样地，该切断是在垂直于基板部24的方向、并且在平面形状中将各肋25的宽度分为2份的方向进行的。其结果，由被分断的肋25、传导部22和基板部24形成每一个的框体1和金属导片9。该框体1是由构成固体摄像装置的基板部2和肋3构成的。另外，在透明板34的周端缘部残留有圆角(嵌条)36。
根据该制造方法，即使肋25的宽度不是足够大，也由于在透明板34的周端缘部形成有圆角(嵌条)36，也能切实进行透明板34的固定。

Claims (11)

1.固体摄像装置，其特征在于，备有框体、多个金属导片、摄像元件、金属细线和透明板；上述框体是用树脂一体成形基板部和矩形框状的肋而成的；上述多个金属导片埋在上述框体内，分别具有面向上述框体内部空间的内部端子部、露出于上述框体底面的外部端子部和露出于上述框体外侧面的侧面电极部；上述摄像元件在上述框体的内部空间中被固定在上述基板部上；上述金属细线分别连接上述摄像元件的电极与上述金属导片的内部端子部；上述透明板被固定在上述肋的上端面上；在上述基板部的中央部使其上下表面露出地埋设有具有贯通孔的管芯垫，上述摄像元件覆盖着上述贯通孔地被固定在该管芯垫上。
2.如权利要求1所述的固体摄像装置，其特征在于，上述各金属导片，其位于上述内部端子部处的厚度与上述基板部的厚度相同，在与上述内部端子部的位置对应的背面形成有上述外部端子部。
3.如权利要求2所述的固体摄像装置，其特征在于，上述金属导片的上述侧面电极部的下面，由上述基板部的树脂覆盖着。
4.如权利要求1所述的固体摄像装置，其特征在于，上述外部端子部和上述管芯垫的表面，与上述基板部的背面形成为同一平面。
5.如权利要求1所述的固体摄像装置，其特征在于，上述外部端子部和上述管芯垫的表面，从上述基板部的背面突出出来。
6.如权利要求1所述的固体摄像装置，其特征在于，上述摄像元件，由具有通气性的粘接带被固定在上述管芯垫上。
7.固体摄像装置的制造方法，该固体摄像装置是，把具有基板部和矩形框状的肋的框体，与包含金属导片组以及被配置在上述基板部的中央部的管芯垫的传导件架一体地树脂成形，上述金属导片组包含多个金属导片，借助上述各金属导片，分别形成面向上述框体内部空间的内部端子部、露出于上述框体底面的外部端子部和露出于上述框体外侧面的侧面电极部，并在上述框体的内部空间内把摄像元件固定在上述基板部上，用金属细线将上述摄像元件的电极与上述各金属导片的内部端子部分别连接起来，并把透明板固定在上述肋的上端面上；其特征在于，包含以下步骤：
准备传导件架，该传导件架与多个上述固体摄像装置相对应地包含多组用于形成上述金属导片组的传导部和具有贯通孔的上述管芯垫；
把用于成形与多个上述框体相当的多个框体相当部的模具，以结合相邻上述框体相当部的上述肋成形为1根的方式构成；
把上述传导件架，安装配置在上述各传导部及上述管芯垫与上述模具的各框体相当部相对应的位置，进行树脂成形，这样，面向上述内部空间部地露出上述内部端子部和上述管芯垫，使上述外部端子部和上述管芯垫露出于上述基板部的背面；
将上述摄像元件覆盖着上述贯通孔地固定在上述各框体相当部的上述内部空间内的上述管芯垫上，用上述金属细线将上述摄像元件的电极与上述各内部端子部连接，并把上述透明板固定在上述肋的上端面上；之后，
对上述各框体相当部的每一个，沿着垂直于上述基板部的方向，并且在平面形状上将上述各肋的宽度两分的方向切断，从而把上述各固体摄像装置分离为各个片。
8.如权利要求7所述的固定摄像装置的制造方法，其特征在于，上述传导部的相当于上述内部端子部位置处的厚度，与上述基板部的厚度相同地形成，在上述树脂成形时，把上述各传导部的相当于内部端子部的部分挟入上述上模中的形成上述框体的内部空间的部分与上述下模之间地进行挟持。
9.如权利要求7所述的固定摄像装置的制造方法，其特征在于，固定跨越上述多个框体相当部大小的上述透明板，并在对上述各框体相当部的每一个进行切断时，将上述透明板一并切断。
10.如权利要求7所述的固定摄像装置的制造方法，其特征在于，针对上述各框体相当部分别采用单个的上述透明板，把上述透明板固定到上述肋的上端面上时，把粘接剂涂敷在上述肋的上端面上，将上述各透明板在与相邻的上述透明板的端缘之间形成间隙地载置，用上述粘接剂在上述各透明板的端缘之间的间隙处形成嵌条。
11.如权利要求7所述的固定摄像装置的制造方法，其特征在于，上述摄像元件通过具有通气性的绝缘性粘接带固定在上述基板部上。
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Families Citing this family (35)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6943294B2 (en) * 2003-12-22 2005-09-13 Intel Corporation Integrating passive components on spacer in stacked dies
JP4381274B2 (ja) * 2004-10-04 2009-12-09 シャープ株式会社 半導体装置およびその製造方法
JP2007012895A (ja) * 2005-06-30 2007-01-18 Sanyo Electric Co Ltd 回路装置およびその製造方法
US20070040231A1 (en) * 2005-08-16 2007-02-22 Harney Kieran P Partially etched leadframe packages having different top and bottom topologies
JP4554492B2 (ja) * 2005-11-01 2010-09-29 シャープ株式会社 半導体パッケージの製造方法
JP2007208045A (ja) * 2006-02-02 2007-08-16 Sony Corp 撮像装置、カメラモジュール、電子機器および撮像装置の製造方法
KR100813600B1 (ko) * 2006-09-29 2008-03-17 삼성전기주식회사 카메라 모듈 및 그 제조 방법
JP5082542B2 (ja) 2007-03-29 2012-11-28 ソニー株式会社 固体撮像装置
JP5047679B2 (ja) * 2007-04-26 2012-10-10 オリンパスメディカルシステムズ株式会社 撮像ユニットおよび、この撮像ユニットの製造方法
US20090045476A1 (en) * 2007-08-16 2009-02-19 Kingpak Technology Inc. Image sensor package and method for forming the same
US20100116970A1 (en) * 2008-11-12 2010-05-13 Wen-Long Chou Photo detection device
US9847268B2 (en) * 2008-11-21 2017-12-19 Advanpack Solutions Pte. Ltd. Semiconductor package and manufacturing method thereof
JP2010278667A (ja) * 2009-05-27 2010-12-09 Fujifilm Corp 固体撮像ユニット、撮影装置、および固体撮像素子固定方法
JP5431232B2 (ja) * 2010-03-31 2014-03-05 三洋電機株式会社 半導体装置
KR101867106B1 (ko) * 2010-03-30 2018-06-12 다이니폰 인사츠 가부시키가이샤 Led용 수지 부착 리드 프레임, 반도체 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 led용 수지 부착 리드 프레임의 제조 방법
JP2010220245A (ja) * 2010-05-19 2010-09-30 Sony Corp 撮像装置、カメラモジュール、電子機器および撮像装置の製造方法
JP5946520B2 (ja) * 2011-05-19 2016-07-06 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングＯｓｒａｍ Ｏｐｔｏ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ ＧｍｂＨ オプトエレクトロニクス装置及びオプトエレクトロニクス装置の製造方法
JP2011238963A (ja) * 2011-07-29 2011-11-24 Panasonic Corp パッケージ部品の製造方法
KR101400271B1 (ko) * 2012-08-03 2014-05-28 (주)포인트엔지니어링 광디바이스 제조 방법 및 이에 의해 제조된 광디바이스
WO2014042242A1 (ja) * 2012-09-17 2014-03-20 株式会社村田製作所 回路基板モジュール
US9478473B2 (en) * 2013-05-21 2016-10-25 Globalfoundries Inc. Fabricating a microelectronics lid using sol-gel processing
JP6215577B2 (ja) * 2013-05-31 2017-10-18 株式会社ヨコオ 半導体パッケージ容器、半導体装置、電子機器
CN105308138B (zh) 2013-06-13 2018-01-12 日立汽车系统株式会社 粘合片、使用该粘合片的半导体装置的制造方法、使用该粘合片的热式空气流量传感器的制造方法、以及热式空气流量传感器
JP2015201495A (ja) * 2014-04-04 2015-11-12 アルプス電気株式会社 電子部品
EP3429181B1 (en) * 2016-03-12 2024-10-16 Ningbo Sunny Opotech Co., Ltd. Array camera module, moulded photosensitive assembly and manufacturing method therefor, and electronic device
KR102464978B1 (ko) * 2016-07-03 2022-11-09 닝보 써니 오포테크 코., 엘티디. 감광성 부품과 카메라 모듈 및 그 제조방법
WO2018136114A1 (en) * 2017-01-23 2018-07-26 Bailey Claiborne Gripping aid
JP6884595B2 (ja) 2017-02-28 2021-06-09 キヤノン株式会社 電子部品、電子機器及び電子部品の製造方法
EP3668078B1 (en) * 2017-08-07 2022-07-06 Ningbo Sunny Opotech Co., Ltd. Camera module and manufacturing method therefor, and corresponding intelligent terminal
CN107958915B (zh) * 2017-12-22 2024-01-19 南京先锋材料科技有限公司 一种cmos传感器封装结构及其封装方法
US10810932B2 (en) * 2018-10-02 2020-10-20 Sct Ltd. Molded LED display module and method of making thererof
US11996339B2 (en) * 2018-11-28 2024-05-28 Kyocera Corporation Electronic element mounting substrate, and electronic device
US11073572B2 (en) * 2019-01-17 2021-07-27 Infineon Technologies Ag Current sensor device with a routable molded lead frame
JP2020129629A (ja) * 2019-02-12 2020-08-27 エイブリック株式会社 光センサ装置およびその製造方法
CN115838249B (zh) * 2022-12-12 2024-06-11 中江立江电子有限公司 一种双排连接器封接用烧结模具及其装配方法

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03133146A (ja) * 1989-10-19 1991-06-06 Matsushita Electric Ind Co Ltd 集積回路装置の製造方法
JP2001077277A (ja) * 1999-09-03 2001-03-23 Sony Corp 半導体パッケージおよび半導体パッケージ製造方法
US6384472B1 (en) * 2000-03-24 2002-05-07 Siliconware Precision Industries Co., Ltd Leadless image sensor package structure and method for making the same
US20020060357A1 (en) * 2000-11-23 2002-05-23 Chin-Yuan Hung Quad flat non-leaded package structure for housing CMOS sensor
US20020079438A1 (en) * 2000-08-10 2002-06-27 Vincent Lin Image sensor package and substrate thereof
JP2002231913A (ja) * 2001-01-30 2002-08-16 Hamamatsu Photonics Kk 半導体装置
JP2003152123A (ja) * 2001-11-16 2003-05-23 Sony Corp 半導体装置

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5610975A (en) * 1979-07-09 1981-02-03 Matsushita Electric Ind Co Ltd Semiconductor device
JPS63241937A (ja) * 1987-03-30 1988-10-07 Olympus Optical Co Ltd 固体撮像装置
JP3147053B2 (ja) * 1997-10-27 2001-03-19 日本電気株式会社 樹脂封止型ボールグリッドアレイｉｃパッケージ及びその製造方法
US6049124A (en) * 1997-12-10 2000-04-11 Intel Corporation Semiconductor package
US6195258B1 (en) * 1999-08-26 2001-02-27 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Thermal board used for bonding wires in semiconductor manufacturing process
JP3461332B2 (ja) * 1999-09-10 2003-10-27 松下電器産業株式会社 リードフレーム及びそれを用いた樹脂パッケージと光電子装置
US6847103B1 (en) * 1999-11-09 2005-01-25 Amkor Technology, Inc. Semiconductor package with exposed die pad and body-locking leadframe

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03133146A (ja) * 1989-10-19 1991-06-06 Matsushita Electric Ind Co Ltd 集積回路装置の製造方法
JP2001077277A (ja) * 1999-09-03 2001-03-23 Sony Corp 半導体パッケージおよび半導体パッケージ製造方法
US6384472B1 (en) * 2000-03-24 2002-05-07 Siliconware Precision Industries Co., Ltd Leadless image sensor package structure and method for making the same
US20020079438A1 (en) * 2000-08-10 2002-06-27 Vincent Lin Image sensor package and substrate thereof
US20020060357A1 (en) * 2000-11-23 2002-05-23 Chin-Yuan Hung Quad flat non-leaded package structure for housing CMOS sensor
JP2002231913A (ja) * 2001-01-30 2002-08-16 Hamamatsu Photonics Kk 半導体装置
JP2003152123A (ja) * 2001-11-16 2003-05-23 Sony Corp 半導体装置

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Publication number Publication date
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