CN100412668C - 液晶显示器用薄膜晶体管器件及其制造方法 - Google Patents
液晶显示器用薄膜晶体管器件及其制造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN100412668C CN100412668C CNB2006100915608A CN200610091560A CN100412668C CN 100412668 C CN100412668 C CN 100412668C CN B2006100915608 A CNB2006100915608 A CN B2006100915608A CN 200610091560 A CN200610091560 A CN 200610091560A CN 100412668 C CN100412668 C CN 100412668C
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- liquid crystal
- crystal display
- thin film
- film transistor
- transistor device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 title claims abstract description 67
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 60
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 32
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 94
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 57
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 33
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 47
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 34
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 18
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 14
- 239000000945 filler Substances 0.000 claims description 14
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 14
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 9
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 11
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 description 9
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 9
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 6
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 6
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 6
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 4
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- ADCOVFLJGNWWNZ-UHFFFAOYSA-N antimony trioxide Inorganic materials O=[Sb]O[Sb]=O ADCOVFLJGNWWNZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- YEAUATLBSVJFOY-UHFFFAOYSA-N tetraantimony hexaoxide Chemical compound O1[Sb](O2)O[Sb]3O[Sb]1O[Sb]2O3 YEAUATLBSVJFOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 2
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 2
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 1
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 235000011837 pasties Nutrition 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D30/00—Field-effect transistors [FET]
- H10D30/60—Insulated-gate field-effect transistors [IGFET]
- H10D30/67—Thin-film transistors [TFT]
- H10D30/6729—Thin-film transistors [TFT] characterised by the electrodes
- H10D30/6737—Thin-film transistors [TFT] characterised by the electrodes characterised by the electrode materials
- H10D30/6739—Conductor-insulator-semiconductor electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D30/00—Field-effect transistors [FET]
- H10D30/01—Manufacture or treatment
- H10D30/021—Manufacture or treatment of FETs having insulated gates [IGFET]
- H10D30/031—Manufacture or treatment of FETs having insulated gates [IGFET] of thin-film transistors [TFT]
- H10D30/0312—Manufacture or treatment of FETs having insulated gates [IGFET] of thin-film transistors [TFT] characterised by the gate electrodes
- H10D30/0316—Manufacture or treatment of FETs having insulated gates [IGFET] of thin-film transistors [TFT] characterised by the gate electrodes of lateral bottom-gate TFTs comprising only a single gate
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D30/00—Field-effect transistors [FET]
- H10D30/01—Manufacture or treatment
- H10D30/021—Manufacture or treatment of FETs having insulated gates [IGFET]
- H10D30/031—Manufacture or treatment of FETs having insulated gates [IGFET] of thin-film transistors [TFT]
- H10D30/0321—Manufacture or treatment of FETs having insulated gates [IGFET] of thin-film transistors [TFT] comprising silicon, e.g. amorphous silicon or polysilicon
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/1368—Active matrix addressed cells in which the switching element is a three-electrode device
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
本发明提供了一种液晶显示器用薄膜晶体管器件及其制造方法。液晶显示器用薄膜晶体管器件包括：栅电极、由玻璃成分形成的栅极绝缘膜、半导体层以及源电极和漏电极。液晶显示器用薄膜晶体管器件的制造方法包括以下步骤：形成栅电极，利用玻璃成分形成栅极绝缘膜，形成半导体层，以及形成源电极和漏电极。
Description
技术领域
本发明涉及液晶显示器用薄膜晶体管器件及其制造方法，更具体地，涉及这样的液晶显示器用薄膜晶体管器件及其制造方法，即，该薄膜晶体管器件能够通过利用玻璃成分形成栅极绝缘膜或无机保护膜来提高制造生产量。
背景技术
随着面向信息社会的到来，电子显示装置的作用变得越来越重要，而且，当前在不同行业领域中广泛使用了大量的电子显示装置。电子显示装置领域已经成长起来了，并且已经开发出了各种电子显示装置，它们具有满足来自多样化面向信息社会的请求的新功能。通常，电子显示装置指通过视觉向人们传递多样化信息的装置。即，电子显示装置是指，用于把从各种电子装置输出的电子信息信号转换成可以通过人类视觉感觉到的光学信息信号的电子装置，并且它可以被认为是连接人类与电子装置的桥梁。
在电子显示装置中，利用发光现象来显示光学信息信号的电子显示装置被称为“发光型显示装置”，而利用通过反射、散射、干涉等的光学调制来显示光学信息信号的其它电子显示装置被称为“受光型显示装置”。发光型电子显示装置还被称为有源显示装置，可以包括：阴极射线管(CRT)、等离子显示板(PDP)、有机电致发光显示器(OLED)、发光二极管(LED)等。而受光型显示装置还被称为无源显示装置，可以包括：液晶显示器(LCD)、电泳图像显示器(EPID)等。
例如已用作计算机显示器并且具有最长历史的阴极射线管，因其经济性等而具有最大的市场份额，但是其还具有很多缺点，如重量沉、尺寸大、功耗高等。
随着半导体技术的快速发展，许多电子装置趋向于具有更小、更薄并且更轻的主体，还需要更低的电压和功率。因此，作为另选，对平板型显示装置的需求高度增加，以满足来自上述新电子环境的需要。因而，已经开发了诸如液晶显示器(LCD)、等离子显示板(PDP)、有机电致发光显示装置(OLED)的平板型显示装置，其中，尤其是液晶显示器，因其可以容易地制造成小、轻以及细尺寸，并且具有低功耗和低驱动电压，而吸引了极大的注意力。
液晶显示器包括：形成有公共电极、滤色器、黑底等的上透明绝缘基板，形成有开关器件、像素电极等的下透明绝缘基板，以及具有各向异性介电常数的液晶材料，所述液晶材料注入在上透明绝缘基板与下透明绝缘基板之间。液晶显示器可以通过分别将不同电位施加到像素电极和公共电极上，调节在液晶材料上产生的电场的强度，改变液晶材料的分子排列，并接着调节通过透明绝缘基板的光量，来显示希望的图像。作为液晶显示器，主要使用采用薄膜晶体管(TFT)器件作为开关器件的薄膜晶体管液晶显示器(TFT LCD)。
通常，液晶显示器用薄膜晶体管器件包括：在透明绝缘基板上的栅电极、形成在栅电极上的栅极绝缘膜、形成在栅极绝缘膜上的半导体层、在半导体层上相互隔开的源电极和漏电极，以及形成在源电极/漏电极上的无机保护膜。
同时，常规的液晶显示器用薄膜晶体管器件的栅极绝缘膜由诸如SiNx膜、SiOx膜等的无机绝缘材料形成在覆盖栅电极的区域上，而无机保护膜由例如SiNx的无机绝缘材料形成在源电极和漏电极上。该无机绝缘材料利用例如包括化学汽相淀积(CVD)设备的真空设备来形成。这样，利用诸如CVD设备的真空设备来形成无机绝缘材料的淀积工序具有这样的问题，即，因为需要高成本的真空设备并且需要单独控制，所以增加了成本并且增加了工序时间。
发明内容
因此，本发明的一个目的是，提供一种液晶显示器(LCD)用薄膜晶体管(TFT)器件，其能够通过利用玻璃成分形成栅极绝缘膜或无机保护膜来提高制造生产量。
本发明的另一目的是，提供一种液晶显示器(LCD)用薄膜晶体管(TFT)器件的制造方法。
本发明的目的不限于上述目的，而根据下面的详细描述，本领域技术人员将更全面地理解本发明的进一步的目的。
为了实现上述目的，根据本发明实施例的液晶显示器用薄膜晶体管器件包括：栅电极，形成在透明绝缘基板上；栅极绝缘膜，由玻璃成分形成在覆盖栅电极的区域上；半导体层，形成在栅极绝缘膜上；以及源电极和漏电极，在半导体层上相互隔开，使得它们可以暴露与栅电极相对应的区域的半导体层。
在根据本发明实施例的液晶显示器用薄膜晶体管器件中，优选的是，玻璃成分包括Sb2O3、B2O3以及SiO2。
另外，在根据本发明实施例的液晶显示器用薄膜晶体管器件中，优选的是，玻璃成分还包括Al2O3。
另外，在根据本发明实施例的液晶显示器用薄膜晶体管器件中，优选的是，玻璃成分还包括陶瓷填充物。
另外，优选的是，根据本发明实施例的液晶显示器用薄膜晶体管器件还包括无机保护膜，该无机保护膜由玻璃成分形成在源电极、漏电极以及半导体层上。
另外，在根据本发明实施例的液晶显示器用薄膜晶体管器件中，优选的是，玻璃成分包括Sb2O3、B2O3以及SiO2。
另外，在根据本发明实施例的液晶显示器用薄膜晶体管器件中，优选的是，玻璃成分还包括Al2O3。
另外，在根据本发明实施例的液晶显示器用薄膜晶体管器件中，优选的是，玻璃成分还包括陶瓷填充物。
为了实现上述目的，一种液晶显示器用薄膜晶体管器件的制造方法包括以下步骤：在透明绝缘基板上形成栅电极；在覆盖栅电极的区域上利用玻璃成分形成栅极绝缘膜；在栅极绝缘膜上形成半导体层；以及在半导体层上形成相互隔开的源电极和漏电极，该源电极和漏电极暴露与栅电极相对应的区域的半导体层。
在根据本发明实施例的液晶显示器用薄膜晶体管器件的制造方法中，优选的是，玻璃成分包括Sb2O3、B2O3以及SiO2。
另外，在根据本发明实施例的液晶显示器用薄膜晶体管器件的制造方法中，优选的是，玻璃成分还包括Al2O3。
另外，在根据本发明实施例的液晶显示器用薄膜晶体管器件的制造方法中，优选的是，玻璃成分还包括陶瓷填充物。
另外，优选的是，根据本发明实施例的液晶显示器用薄膜晶体管器件的制造方法还包括以下步骤：在源电极、漏电极以及半导体层上利用玻璃成分形成无机保护膜。
另外，在根据本发明实施例的液晶显示器用薄膜晶体管器件的制造方法中，优选的是，玻璃成分包括Sb2O3、B2O3以及SiO2。
另外，在根据本发明实施例的液晶显示器用薄膜晶体管器件的制造方法中，优选的是，玻璃成分还包括Al2O3。
另外，在根据本发明实施例的液晶显示器用薄膜晶体管器件的制造方法中，优选的是，玻璃成分还包括陶瓷填充物。
在所附详细描述和附图中包含了对其它实施例的进一步的详细描述。
附图说明
图1是根据本发明实施例的液晶显示器用薄膜晶体管器件的截面图。
图2A到2I是根据本发明实施例的液晶显示器用薄膜晶体管器件的制造工序中的每一步的截面图。
具体实施方式
下面，详细说明本发明的实施例，附图中例示了其示例，其中，类似的标号始终指类似的要素。
参照图1，对根据本发明实施例的液晶显示器用薄膜晶体管器件进行描述。图1是根据本发明实施例的液晶显示器用薄膜晶体管器件的截面图。
如图1所示，根据本发明实施例的液晶显示器用薄膜晶体管器件包括：栅电极110、栅极绝缘膜120、半导体层130、源电极141和漏电极142，以及无机保护膜150。
栅电极110由包括Al、Cu等的金属材料形成在透明绝缘基板100上，而栅极绝缘膜120通过印刷工序和烧结工序，由玻璃成分形成在覆盖栅电极110的区域上。
具体地，玻璃成分包括Sb2O3、B2O3以及SiO2。这里，Sb2O3是基本材料，用于降低待形成的玻璃的转变点或软化点。然而，如果Sb2O3的含量超过50摩尔％，则其难以形成玻璃。向Sb2O3添加B2O3和SiO2，使得可以稳定待形成的玻璃并降低热膨胀系数。这里，如果B2O3的含量超过50摩尔％，则待形成的玻璃在气密性上会劣化。而如果SiO2的含量超过10摩尔％，则待形成的玻璃的转变点将升高，并且在烘焙的时候，其流动性会变坏。
优选的是，向玻璃成分添加Al2O3。这样，待形成的玻璃可以改进其化学耐久性。然而，如果Al2O3的含量超过10摩尔％，则在烘焙的时候，其可能不能完全熔化。
此外，优选的是，向玻璃成分添加陶瓷填充物。这样，待形成的玻璃可以减小其热膨胀系数。然而，如果陶瓷填充物的含量超过30摩尔％，则在烘焙的时候，流动性会变坏。
在根据本发明的液晶显示器用薄膜晶体管器件中，栅极绝缘膜120由玻璃成分形成，因而，与液晶显示器的常规薄膜晶体管的栅极绝缘膜相比，其可以利用印刷工序和烧结工序来形成，而无需诸如化学汽相淀积(CVD)设备的真空设备。因此，可以减少制造工序并缩短工序时间，这使得可以有效地提高制造生产量。另外，由玻璃成分形成的玻璃具有低于3的相对介电常数，因而可以增强薄膜晶体管器件的电性能，并且可以提高其针对透明绝缘基板的粘附性。此外，相比于常规薄膜晶体管的栅极绝缘膜，由玻璃成分形成的玻璃的透明度增大了，因而，可以提高液晶显示器的透明度。
半导体层130由未掺杂的非晶硅材料和掺杂有n型或p型杂质的非晶硅材料形成在栅极绝缘膜120上的覆盖栅电极110的区域中。由包括Cr、Mo等的金属材料形成的源电极141和漏电极142，在半导体层130上相互隔开，使得它们可以暴露与栅电极110相对应的区域的半导体层130。而无机保护膜150利用印刷工序和烧结工序，由玻璃成分形成在源电极141、漏电极142，以及半导体层130上。
具体地，如上所述，玻璃成分包括Sb2O3、B2O3以及SiO2。这里，Sb2O3是基本材料，用以降低待形成的玻璃的转变点或软化点。然而，如果Sb2O3的含量超过50摩尔％，则可能难以形成玻璃。向Sb2O3添加B2O3和SiO2，使得可以稳定化待形成的玻璃并降低热膨胀系数。这里，如果B2O3的含量超过50摩尔％，则待形成的玻璃在气密性上会劣化。而如果SiO2的含量超过10摩尔％，则待形成的玻璃的转变点会升高，并且在烘焙的时候，其流动性会变坏。
优选的是，向玻璃成分添加Al2O3。这样，待形成的玻璃可以改进其化学耐久性。然而，如果Al2O3的含量超过10摩尔％，则在烘焙的时候，其可能不能完全熔化。
此外，优选的是，向玻璃成分添加陶瓷填充物。这样，待形成的玻璃可以减小其热膨胀系数。然而，如果陶瓷填充物的含量超过30摩尔％，则在烘焙的时候，其流动性会变坏。
而且，可以在无机绝缘膜150上，或者在漏电极142与无机保护膜150之间，形成像素电极(未示出)，该像素电极连接到漏电极142，并由诸如ITO(铟锡氧化物)或IZO(铟锌氧化物)的透明导电材料制成。
根据本发明实施例的薄膜晶体管器件可以用于IPS(面内切换)模式液晶显示器或VA(垂直配向)模式液晶显示器以及TN(扭曲向列)模式液晶显示器。
下面，参照附图2A到2I，更详细地说明根据本发明实施例的液晶显示器用薄膜晶体管器件的制造方法。图2A到2I是根据本发明实施例的液晶显示器用薄膜晶体管器件的制造工序中的每一步的截面图。
首先，如图2A所示，利用溅射工序在透明绝缘基板上淀积包括Al、Cu等的金属材料，由此形成栅电极110，接着通过光刻工序和刻蚀工序对其进行构图。
接下来，由玻璃成分在覆盖栅电极110的区域上形成栅极绝缘膜120。如图2B所示，利用印刷设备200将膏状的玻璃成分121施敷在覆盖栅电极110的区域上，接着，如图2C所示，还利用印刷设备200将粉末状的玻璃成分122施敷在施敷的玻璃成分121上。接着，如图2D所示，通过烧结工序形成栅极绝缘膜120。如图2E所示，通过将粉末状的玻璃成分122施敷在膏状的玻璃成分121上，接着从未形成栅极绝缘膜120的区域吹去并消除粉末状的玻璃成分122，再接着执行烧结工序，可以将栅极绝缘膜120不形成在透明绝缘基板100的整个表面上，而仅形成在覆盖栅电极110的区域上。这里，可以在250℃～350℃的温度下执行烧结工序。
图2F中例示了利用玻璃成分形成栅极绝缘膜120的另一种方法，其中，通过利用印刷设备200将粉末状的玻璃成分施敷在透明绝缘基板100的整个表面上，接着执行烧结工序，来形成栅极绝缘膜120。如图2G所示，通过利用印刷设备200将粉末状的玻璃成分施敷在覆盖栅电极110的区域上，接着执行烧结工序，可以将栅极绝缘膜120不形成在透明绝缘基板100的整个表面上，而仅形成在覆盖栅电极110的区域上。这里，可以在250℃～350℃的温度下执行烧结工序。
具体地，如上所述，玻璃成分包括Sb2O3、B2O3以及SiO2。这里，Sb2O3是基本材料，用以降低待形成的玻璃的转变点或软化点。然而，如果Sb2O3的含量超过50摩尔％，则可能难以形成玻璃。向Sb2O3添加B2O3和SiO2，使得可以稳定待形成的玻璃并降低热膨胀系数。这里，如果B2O3的含量超过50摩尔％，则待形成的玻璃在气密性上会劣化。而如果SiO2的含量超过10摩尔％，则待形成的玻璃的转变点会升高，并且在烘焙的时候，其流动性会变坏。
优选的是，向玻璃成分添加Al2O3。这样，待形成的玻璃可以改进其化学耐久性。然而，如果Al2O3的含量超过10摩尔％，则在烘焙的时候，其可能不能完全熔化。
此外，优选的是，向玻璃成分添加陶瓷填充物。这样，待形成的玻璃可以减小其热膨胀系数。然而，如果陶瓷填充物的含量超过30摩尔％，则在烘焙的时候，其流动性会变坏。
在根据本发明实施例的液晶显示器用薄膜晶体管器件的制造方法中，栅极绝缘膜120由玻璃成分形成，因而，与液晶显示器的常规薄膜晶体管的栅极绝缘膜相比，其可以利用印刷工序和烧结工序形成，而无需诸如化学汽相淀积(CVD)设备的真空设备。因此，可以减少制造工序并缩短工序时间，这使得可以有效地提高制造生产量。另外，由玻璃成分形成的玻璃具有低于3的相对介电常数，因而可以增强薄膜晶体管器件的电性能，并且可以提高其针对透明绝缘基板100的粘附性。此外，相比于常规薄膜晶体管的栅极绝缘膜，由玻璃成分形成的玻璃的透明度增大了，因而，可以提高液晶显示器的透明度。另外，由玻璃成分形成的栅极绝缘膜120可以容易地利用干法刻蚀、湿法刻蚀或者激光工序，来形成图案。
接下来，如图2H所示，通过CVD工序，在栅极绝缘膜120上的覆盖栅电极1 10的区域上淀积未掺杂的非晶硅和掺杂了n型或p型杂质的非晶硅，接着通过光刻工序和刻蚀工序进行构图，来形成半导体层130。
接下来，如图2H所示，通过溅射工序在半导体层130上淀积包括Cr、Mo等的金属材料，并接着通过光刻工序和刻蚀工序对其进行构图，设置了源电极141和漏电极142，源电极141和漏电极142在半导体层130上相互隔开，使得它们可以暴露与栅电极110相对应的区域的半导体层130。在利用半色调掩模(half tone mask)来形成半导体层130、源电极141以及漏电极142的情况下，可以同时形成它们。
接下来，如图2I所示，由玻璃成分在半导体层130、源电极141以及漏电极142上形成无机保护膜。利用玻璃成分形成无机保护膜150的工序与利用玻璃成分形成栅极绝缘膜120的工序相同。
并且，可以在无机保护膜150上，或者在漏电极142与无机保护膜150之间，形成像素电极(未示出)，该像素电极连接到漏电极142，并由诸如ITO(铟锡氧化物)或IZO(铟锌氧化物)的透明导电材料制成。
尽管已参照附图对本发明的实施例进行了说明，但是本领域技术人员应当理解，在不脱离本发明实质特性的精神的情况下，可以按多种形式来实现本发明。
本发明的范围由所附权利要求而非由前述对本发明的描述来限定，因此，落入权利要求的范围和边界内或者这种范围和边界的等同物内的所有修改，都将被本权利要求所涵盖。
在如上所述的根据本发明实施例的液晶显示器用薄膜晶体管器件及其制造方法中，栅极绝缘膜由玻璃成分形成，因而，与液晶显示器的常规薄膜晶体管的栅极绝缘膜相比，其可以利用印刷工序和烧结工序来形成，而无需诸如化学汽相淀积(CVD)设备的真空设备。因此，可以减少制造工序并缩短工序时间，这使得可以有效地提高制造生产量。另外，由玻璃成分形成的玻璃具有低于3的相对介电常数，因而可以增强薄膜晶体管器件的电性能，并且可以提高其针对透明绝缘基板的粘附性。此外，相比于常规薄膜晶体管的栅极绝缘膜，由玻璃成分形成的玻璃的透明度增大了，因而，可以提高液晶显示器的透明度。另外，由玻璃成分形成的栅极绝缘膜可以容易地利用干法刻蚀、湿法刻蚀或者激光工序来形成图案。
Claims (12)
1. 一种液晶显示器用薄膜晶体管器件，包括：
栅电极，形成在透明绝缘基板上；
栅极绝缘膜，由玻璃成分形成在覆盖栅电极的区域上；
半导体层，形成在栅极绝缘膜上；以及
源电极和漏电极，在半导体层上相互隔开，使得它们可以暴露与栅电极相对应的区域的半导体层，
其中，玻璃成分包括Sb2O3、B2O3以及SiO2。
2. 根据权利要求1所述的液晶显示器用薄膜晶体管器件，其中，玻璃成分还包括Al2O3。
3. 根据权利要求2所述的液晶显示器用薄膜晶体管器件，其中，玻璃成分还包括陶瓷填充物。
4. 根据权利要求1所述的液晶显示器用薄膜晶体管器件，还包括无机保护膜，该无机保护膜由玻璃成分形成在源电极、漏电极以及半导体层上。
5. 根据权利要求4所述的液晶显示器用薄膜晶体管器件，其中，玻璃成分还包括Al2O3。
6. 根据权利要求5所述的液晶显示器用薄膜晶体管器件，其中，玻璃成分还包括陶瓷填充物。
7. 一种液晶显示器用薄膜晶体管器件的制造方法，包括以下步骤：
在透明绝缘基板上形成栅电极；
在覆盖栅电极的区域上利用玻璃成分形成栅极绝缘膜；
在栅极绝缘膜上形成半导体层；以及
在半导体层上形成相互隔开的源电极和漏电极，该源电极和漏电极暴露与栅电极相对应的区域的半导体层，
其中，玻璃成分包括Sb2O3、B2O3以及SiO2。
8. 根据权利要求7所述的液晶显示器用薄膜晶体管器件的制造方法，其中，玻璃成分还包括Al2O3。
9. 根据权利要求8所述的液晶显示器用薄膜晶体管器件的制造方法，其中，玻璃成分还包括陶瓷填充物。
10. 根据权利要求7所述的液晶显示器用薄膜晶体管器件的制造方法，还包括以下步骤：在源电极、漏电极以及半导体层上利用玻璃成分形成无机保护膜。
11. 根据权利要求10所述的液晶显示器用薄膜晶体管器件的制造方法，其中，玻璃成分还包括Al2O3。
12. 根据权利要求11所述的液晶显示器用薄膜晶体管器件的制造方法，其中，玻璃成分还包括陶瓷填充物。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020050057445 | 2005-06-30 | ||
| KR1020050057445A KR101169049B1 (ko) | 2005-06-30 | 2005-06-30 | 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 소자 및 그의 제조 방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN1892383A CN1892383A (zh) | 2007-01-10 |
| CN100412668C true CN100412668C (zh) | 2008-08-20 |
Family
ID=37588431
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CNB2006100915608A Active CN100412668C (zh) | 2005-06-30 | 2006-06-12 | 液晶显示器用薄膜晶体管器件及其制造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20070001242A1 (zh) |
| JP (1) | JP5105776B2 (zh) |
| KR (1) | KR101169049B1 (zh) |
| CN (1) | CN100412668C (zh) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2595206A4 (en) * | 2010-07-12 | 2016-01-13 | Univ Nagoya Nat Univ Corp | BROADBAND INFRARED LIGHT EMITTING DEVICE |
| JP7538584B2 (ja) | 2020-03-31 | 2024-08-22 | 東洋アルミエコープロダクツ株式会社 | 容器 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1081022A (zh) * | 1992-03-27 | 1994-01-19 | 株式会社半导体能源研究所 | 一种半导体器件及其制造方法 |
| CN1194726A (zh) * | 1996-06-06 | 1998-09-30 | 精工爱普生株式会社 | 薄膜晶体管的制造方法、使用该方法的液晶显示装置和电子设备 |
| CN1363920A (zh) * | 2000-12-30 | 2002-08-14 | Lg.菲利浦Lcd株式会社 | 液晶显示装置及其制造方法 |
| WO2005007591A1 (ja) * | 2003-07-18 | 2005-01-27 | Asahi Glass Company, Limited | 無鉛ガラス、電極被覆用ガラス粉末およびプラズマディスプレイ装置 |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6060944A (ja) * | 1983-09-08 | 1985-04-08 | Nippon Electric Glass Co Ltd | 半導体被覆用ガラス |
| US5252521A (en) * | 1992-10-19 | 1993-10-12 | Ferro Corporation | Bismuth-containing lead-free glass enamels and glazes of low silica content |
| US5706064A (en) * | 1995-03-31 | 1998-01-06 | Kabushiki Kaisha Toshiba | LCD having an organic-inorganic hybrid glass functional layer |
| JPH0936371A (ja) * | 1995-07-19 | 1997-02-07 | Toshiba Electron Eng Corp | 薄膜トランジスタの製造方法 |
| JP3240271B2 (ja) * | 1996-02-29 | 2001-12-17 | ティーディーケイ株式会社 | セラミック基板 |
| JP3993301B2 (ja) * | 1997-12-16 | 2007-10-17 | 株式会社住田光学ガラス | 長残光および輝尽発光を呈する酸化物ガラス |
| EP1310975A3 (en) * | 1998-05-12 | 2003-05-21 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Manufacturing method of plasma display panel and plasma display panel |
| CN1183497C (zh) * | 2000-03-31 | 2005-01-05 | 松下电器产业株式会社 | 显示板及其制造方法 |
| JP2003267753A (ja) * | 2000-10-11 | 2003-09-25 | Paramount Glass Kogyo Kk | 無機質繊維製造用硝子組成物及びその成型物 |
| JP2003347567A (ja) * | 2002-05-23 | 2003-12-05 | Sharp Corp | 半導体デバイスおよびその製造方法 |
-
2005
- 2005-06-30 KR KR1020050057445A patent/KR101169049B1/ko active Active
-
2006
- 2006-06-12 CN CNB2006100915608A patent/CN100412668C/zh active Active
- 2006-06-12 JP JP2006161999A patent/JP5105776B2/ja active Active
- 2006-06-14 US US11/452,357 patent/US20070001242A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1081022A (zh) * | 1992-03-27 | 1994-01-19 | 株式会社半导体能源研究所 | 一种半导体器件及其制造方法 |
| CN1194726A (zh) * | 1996-06-06 | 1998-09-30 | 精工爱普生株式会社 | 薄膜晶体管的制造方法、使用该方法的液晶显示装置和电子设备 |
| CN1363920A (zh) * | 2000-12-30 | 2002-08-14 | Lg.菲利浦Lcd株式会社 | 液晶显示装置及其制造方法 |
| WO2005007591A1 (ja) * | 2003-07-18 | 2005-01-27 | Asahi Glass Company, Limited | 無鉛ガラス、電極被覆用ガラス粉末およびプラズマディスプレイ装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP5105776B2 (ja) | 2012-12-26 |
| JP2007013137A (ja) | 2007-01-18 |
| CN1892383A (zh) | 2007-01-10 |
| KR101169049B1 (ko) | 2012-07-26 |
| KR20070002121A (ko) | 2007-01-05 |
| US20070001242A1 (en) | 2007-01-04 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN101901787B (zh) | 氧化物薄膜晶体管及其制造方法 | |
| CN102955312B (zh) | 一种阵列基板及其制作方法、显示装置 | |
| US10373989B2 (en) | Thin-film transistor array substrate and manufacturing method thereof | |
| US10424607B2 (en) | TFT substrate and manufacturing method thereof | |
| CN103531591B (zh) | 具有金属氧化物的薄膜晶体管基板及其制造方法 | |
| US10331001B2 (en) | TFT substrate and manufacturing method thereof | |
| CN104953044A (zh) | 柔性oled及其制作方法 | |
| CN103178119B (zh) | 阵列基板、阵列基板制备方法以及显示装置 | |
| CN106876539B (zh) | 石墨烯发光晶体管及其制作方法、主动石墨烯发光显示器 | |
| KR101901251B1 (ko) | 산화물 반도체 박막트랜지스터 및 그의 제조 방법 | |
| KR101245216B1 (ko) | 평판표시소자 및 그 제조방법 | |
| US20180337049A1 (en) | Tft substrate and manufacturing method thereof | |
| CN106328715A (zh) | 薄膜晶体管及其制作方法 | |
| US20210408127A1 (en) | Color filter substrate, display panel, and manufacturing method thereof | |
| CN103762244A (zh) | 薄膜晶体管及其制造方法、薄膜晶体管阵列基板及液晶面板 | |
| CN107221552A (zh) | Toc型oled显示器的制作方法及toc型oled显示器 | |
| KR101337255B1 (ko) | 전기 영동 표시 장치 및 그 제조 방법 | |
| KR20150035307A (ko) | 유기전계발광표시장치 및 그 제조방법 | |
| CN100412668C (zh) | 液晶显示器用薄膜晶体管器件及其制造方法 | |
| CN102436996B (zh) | 像素结构与场发射显示器 | |
| Shin et al. | Ultra-high-image-density large-size organic light-emitting devices based on In-Ga-Zn-O thin-film transistors with a coplanar structure | |
| CN104992945A (zh) | 显示基板及其制作方法以及显示装置 | |
| CN112447763A (zh) | 一种显示面板及显示器 | |
| US10901282B2 (en) | Thin film transistor substrate and manufacturing method thereof | |
| CN1635821A (zh) | 有机发光显示面板 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| C56 | Change in the name or address of the patentee |
Owner name: LG DISPLAY CO., LTD. Free format text: FORMER NAME OR ADDRESS: LG. PHILIP LCD CO., LTD. |
|
| CP01 | Change in the name or title of a patent holder |
Address after: Seoul, South Kerean Patentee after: LG Display Co., Ltd. Address before: Seoul, South Kerean Patentee before: LG Philips LCD Co., Ltd. |