CN100380797C - 开关电源控制用半导体器件 - Google Patents

Abstract

本发明提供开关电源控制用半导体器件，在具备开关元件(1)与开关动作控制电路的开关电源控制用半导体器件(46)中，检测控制端子(45)的电流，比较进行电压变换的I-V变换器(21)的输出电压(VEAO)与预先设定待机时检测用的上下限各电压的基准电压(VR)，控制开关元件(1)产生的开关动作，使得在I-V变换器21)的输出电压(VEAO)小于待机时检测下限电压时，停止开关元件(1)的开关动作，在I-V变换器(21)的输出电压(VEAO)大于待机时检测上限电压时，再开始开关元件(1)的开关动作。

Description

开关电源控制用半导体器件

技术领域

本发明涉及利用开关动作控制开关电源的输出电压的开关电源控制用半导体器件。

背景技术

家电制品等一般家用电器中，历来广泛采用开关电源装置作为其电源装置，它根据降低电耗以提高功率效率等目的，采用通过半导体(晶体管等的开关元件)产生开关动作来控制(稳定等)输出电压的开关电源控制用半导体器件。

特别在近年来，根据进一步防止全球变暖对策的观点，家电制品等设备中，注意到要削减它们的待机工作(stand by)时的电耗，迫切要求待机时的电耗更低的开关电源装置。

为适应这种要求，开发了根据设备的工作模式分别使用2个开关电源装置的电源系统，例如，设置在设备的通常工作状态(通常模式)下的额定负载时供给电源用的主电源用开关电源装置及与其分开独立的并在设备的待机工作状态(待机模式)下的待机时供给电源用的待机专用开关电源装置，在设备待机时由待机专用的开关电源装置供给电源，在额定负载时由主电源用开关电源装置供给电源。

但是，上述的电源系统中由于必须要2个开关电源装置(变换器)，故其缺点是提高了包含开关电源控制用半导体器件在内的电路整体的成本。因而在迫切要求必须抑制成本时，经常采用1个开关电源装置(变换器)构成的电源系统。这时，从电源效率和噪声角度考虑，多采用部分谐振型作为这种开关电源装置。

这种以往的开关电源控制用半导体器件中，在待机时等的轻负载时，虽然减小了流过开关元件的电流，但必须始终经变压器供给开关电流控制用半导体器件的内部电路电流。因此，由于含有源过开关元件的电流，不能使流过开关电源的电流为零，从而即使在无负载时也流过某个大小的电流。因而，即使在无负载时，也会因开关元件的开关动作而发生损耗，负载越轻，该开关元件的损耗的比例越大。结果，存在的问题是，由于开关电源的功率效率降低，故不能实现电源在待机时节能的那种要求。

此外，在上述背景技术所列举的部分谐振型开关电源装置中，存在以下的问题。即，开关电源装置由于轻负载时振荡频率高，故开关损耗大，待机模式的效率下降。

作为对上述的待机模式的效率下降问题的解决方案，考虑采用所谓利用来自外部的待机信号使开关动作为间歇性动作的方法。但是，为了在待机模式中使电源间歇振荡，也存在由于必须单独设立高价的振荡电路而带来的成本问题。此外，当间歇振荡的周期和占空比不合适时，也存在输出电压的纹波变大而不实用的那样问题。

作为其他的已往技术，根据日本国特开2002-315333号公报揭示的内容，它采用一种控制技术，该技术由微机检测电源次级侧的负载状态，接受该信号，转移到待机模式，按照商用频率进行间歇振荡，但由于不能按负载状况改变开关动作间歇时的振荡频率，故对改善待机时的电源效率仍然是不理想的。

发明内容

本发明是解决上述以往的各问题的发明，其目的在于提供开并电源控制用半导体装置，它能降低待机时的开关元件的电流损耗以降低待机时的电耗，在包含待机模式的大范围的负载区域中，能容易地实现高效率、低噪声、输出电压的低纹波、以及低成本。

为解决上述问题，本发明的开关电源控制用半导体器件，是将直流的输入电压经开关元件加到变压器上，利用所述开关元件的开关动作，控制对所述变压器产生的交流电流进行整流滤波而得到的直流电压，在对负载供给功率的开关电源中，利用供给所述开关元件的来自控制电极的控制电路的控制信号，控制所述开关元件发生的开关动作，在所述开关电源控制用半导体器件中，其特征在于，所述控制电路具备：利用表示变压器的转换状态的变压器转换检测信号检测其状态的变压器转换检测电路；将表示基于所述变压器的次级绕组产生的交流电流的直流电压的变化的控制信号的电流值变换为电压的I-V变换器；以及根据所述变压器转换检测电路产生的检测信号和来自所述I-V变换器的输出电压的变化检测对所述负载供给功率的待机时、输出控制所述开关元件产生的开关间歇动作用的控制信号的待机时检测电路，构成所述待机时检测电路，作为控制所述开关元件产生的开关动作用的控制信号，根据所述变压器转换检测电路产生的检测信号，输出控制所述开关元件的开关动作的控制信号，使得在所述I-V变换器的输出电压小于检测对所述负载的供给功率的待机时用的待机时检测下限电压时，停止所述开关元件的开关动作，在所述I-V变换器的输出电压大于检测对所述负载的供给功率的待机时用的待机时检测上限电压时，再开始所述开关元件的开关动作。

根据此构成，由于具备停止和再开始待机时开关元件的反复导通截止动作即开关动作用的待机时检测电路，故能减少待机时的开关动作期间，减轻开关动作时的电流损耗。

此外，本发明的开关电源控制用半导体器件设置任意设定使所述开关元件的开关动作停止和再开始的待机时检测电路的基准电压源的检测电压变更用端子。

根据此构成，通过设置任意设定待机时检测电压的检测电压变更手段，能与待机时所必须的负载相匹配，最佳地设定开关元件的开关动作停止和再开始之际的负载电流。

通过上述构成，能降低待机时的电耗并改善功率效率，在包含待机模式在内的大范围的负载区域中能容易地实现高效率、低噪声、输出电压的低纹波、以及低成本。

附图说明

图1示出本发明实施形态1的开关电源控制用半导体器件一构成例的电路图。

图2示出包括该实施形态1的开关电源控制用半导体器件的开关电源装置一构成例的电路图。

图3为说明该实施形态1的开关电源控制用半导体器件及包括该开关电源控制用半导体器件的开关电源装置的动作用的时序图。

图4示出该实施形态1的开关电源控制用半导体器件中的漏极电流的变化波形图。

图5为说明该实施形态1的开关电源控制用半导体器件中的基准电压源动作用的时序图。

图6示出该实施形态1的开关电源控制用半导体器件中的基准电压源内部电路一构成例的电路图。

图7示出本发明实施形态2的开关电源控制用半导体器件一构成例的电路图。

具体实施方式

以下参照附图具体说明表示本发明实施形态的开关电源控制用半导体器件。

实施形态1

说明本发明实施形态1的开关电源控制用半导体器件。

图1示出本实施形态1的开关电源控制用半导体器件一构成例的电路图，对与图7所示的开关电源控制用半导体器件相同的构成要素标注相同的标号。

图1所示的开关电源控制用半导体器件46中，设置待机时轻负载检测电路24，利用I-V变换器21将从控制端子45流出的电流作电压变换后的输出电压VEAO供给该电路24。在该电路24中设置待机时检测用比较器22。供给从I-V变换器21输出的输出电压VEAO，作为待机时检测用比较器22的负输入；供给从基准电压源23输出的基准电压VR，作为正输入。待机时检测用比较器22对输入的输出电压VEAO与基准电压VR进行比较，在输出电压VEAO低于基准电压VR时，便经由反相器25将规定的输出信号VO1输出到“与”门电路26。另外，待机时检测用比较器22的输出信号VO1也供给基准电压源23，基准电压源23接收待机时检测用比较器22的输出信号VO1，改变基准电压VR。

检测变压器转换检测端子44的电压并从变压器转换检测电路13输出的时钟信号，作为另一输入信号供给“与”门电路26，“与”门电路26的输出供给发生单稳态脉冲的变换器转换脉冲形态的变压器转换脉冲发生电路27。待机状态检测时，即在开关元件1停止时，由于有可能因该停止时间而减小由变压器的初级绕组的电感与开关元件1的漏极-源极间的电容所决定的谐振动作的振幅，不能检测出变压器转换信号，因此，使变压器转换脉冲发生电路27不动作。

另外，待机时，检测比较器22的输出VO1经由反相器25输入到间歇结束脉冲发生电路28，但停止期间结束后，间歇结束脉冲发生电路28的输出加到“或”门电路29，该输出信号被输入作为RS触发器30的置位信号。RS触发器30的输出信号输入到“与非”门电路39，其输出经由栅极驱动器40，输出到开关元件1的栅极。这样一来，当利用待机时检测比较器22检测出待机状态时，就使变压器转换检测电路1 3不动作，当检测出复位信号时，就利用间歇结束脉冲发生电路28的输出信号进行开关控制，使得再开始开关元件1的开关动作。

图2示出用本实施形态1的开关电源控制用半导体器件构成的开关电源一构成例的电路图。

根据图3的时序图说明这样构成的开关电源控制用半导体器件46及开关电源装置在轻负载时的动作。该开关电源装置是利用部分谐振动作的冲击线圈转换器，是说明本实施形态1用的一构成例。

该开关电源控制用半导体器件46中，在同一半导体基板上集成了用功率MOSFET等形成的开关元件1及进行控制开关元件1的开关用的控制电路，由开关元件1的输入端子41与输出端子42、开关电源控制用半导体器件46的起动电压检测用端子和控制电路的电源端子43、输入控制信号用的控制端子45、变压器103的偏置绕组(第3绕组)电压检测用端子(变压器转换检测端子)44的5个端子构成。

调节器6连接于开关元件1的输入端子41、起动电压检测用端子43以及控制电路和栅极驱动器用基准电源8之间，当开关元件1的输入端子41的电压达到一定值以上时，就供给开关电源控制用半导体器件46的内部电路电流，利用比较器9进行控制，使开关电源控制用半导体器件46的控制电路及栅极驱动器基准电源8的电压为一定值。

起动/停止电路用比较器7的输出，输入到“与非”门电路39，其输出信号通过栅极驱动器40输出到开关元件1的栅极，根据端子43的电压大小，控制开关元件1的振荡和停止。

14是箝位电路，接到控制端子45，由于在开关电源控制用半导体器件46的外部连接光电晶体管110等，故设定为一定电位。

21是I-V变换器，将从控制端子45流出的电流在内部变换成电压。在检测变压器103的偏置绕组103c的电压的端子44上，连接高侧箝位电路12和低侧箝位电路11，限制输入到开关电源控制用半导体器件46的内部的电压。另外在端子44上连接变压器转换检测电路13，利用单稳态脉冲(变压器转换)发生电路27，决定开关元件1的导通信号的时刻。

10是起动脉冲发生电路，利用比较器7的输出信号即起动信号产生输出，通过“或”门电路29输入到RS触发器30的置位端，其输出Q输入到“与非”门电路39。

起动时利用起动脉冲信号，然后在通常动作中利用单稳态(变压器转换)脉冲信号，经过“或”门电路29，则RS触发器30的输出信号Q为高电平，使开关元件1为导通状态。

开关元件1导通后，流过开关元件1的电流与开关元件1的导通电阻产生的电压即导通电压输入到漏极电流检测用比较器36的正侧，当该电压高于负侧电位时，从漏极电流检测用比较器36输出的信号与导通时断路脉冲发生电路37来的信号一起通过“与”门电路38，输入作为RS触发器30的复位信号，关断开关元件1。即，通过检测开关元件1的导通电阻，实施漏极电流的限制。

另外，在漏极电流检测用比较器36的负侧，施加由恒流源32和P型MOSFET33根据对应于从箝位电路31与控制端子45流出的电流由I-V变换器21在内部变换后的输出电压VEAO所生成的电压，用箝位电路31限制漏极电流的上限(最大漏极电流)，利用I-V变换器21的输出电压VEAO的电平，可使开关元件1的漏极电流变化。即是说，由于从控制端子45的流出电流越是增加，I-V变换器21的输出电压VEAO越下降，因此，漏极电流检测用比较器36的负侧电位下降，结果开关元件1的漏极电流便下降。

这样，检测根据控制端子45的电流经内部电压变换后的I-V变换器21的输出电压VEAO，与用端子44检测变压器103的偏置绕组103c的电压，根据由决定开关元件1的导通时刻的变压器转换检测电路13的输出所发生单稳态脉冲的变压器转换脉冲发生电路27的输出信号，决定开关元件1的导通/关断期间。

该开关电源装置中，通过用二极管桥式电路等的整流器101将商用交流电源进行整流，由输入电容器102进行滤波，通过这样形成直流电压VIN，供给功率变换用变压器103。功率变换用变压器103具有初级绕组103a与次级绕组103b及第3绕组(用作偏置绕组)103c，直流电压VIN供给初级绕组103a。

供给变压器103的初级绕组103a的直流电压VIN，利用开关电源控制用半导体器件46内的开关元件1进行开关动作。然后，利用开关元件1的开关动作，由变压器103的次级绕组103b取出电流。次级绕组103b取出的电流由连接于次级绕组103b的二极管104和电容器105进行整流与滤波，作为输出电压VO产生的直流功率供给负载109。

在电容器105的两端，连接例如由LED107和稳压二极管108构成的输出电压检测电路106，将使输出电压VO稳定用的反馈信号输出到连接于开关电源控制用半导体器件46的控制端子45的初级侧的光电晶体管110。

另外，起动电压检测用端子43通过偏置绕组电压检测用端子44及二极管112，连接到变压器的第3绕组103c。电容器111是使端子43不致剧烈下降的元件，即是稳定用元件，接在端子44的电阻116及电容器117是生成延迟时间的元件，通过它们调整由端子44检测的变压器转换检测的时刻。接在开关元件1的输入输出间的电容器118是决定由与变压器103的谐振产生的阻尼振荡的大小和周期的元件。

对这样构成的开关电源控制用半导体器件46和开关电源装置，说明其动作如下。

当商用电源的交流电源一输入整流器101时，就由整流器101与电容器102进行整流与滤波，变换为直流电路VIN。该直流电压VIN被加到变压器103的初级绕组103a。然后当直流电压VIN达到一定值以上时，就通过开关电源控制用半导体器件46内的调节器6对电容器111流过充电电流，当开关电源控制用半导体器件46的端子43的电压达到由起动/停止用比较器7设定的起动电压时，就开始控制由开关元件1进行的开关动作。

以起动/停止用比较器7的输出信号为基准，起动脉冲发生电路10产生起动脉冲，开关元件1导通。另外，次级侧的输出因起动时较低，输出电压检测电路106的稳压二极管108中没有流过电流，故光电晶体管110中未流过电流。因而，I-V变换器21的输出电压VEAO比箝位电路31的电平要高，漏极电流检测用比较器36的负侧设定为由箝位电路31所决定的电压。当起动脉冲发生电路10产生起动脉冲，开关元件1导通时，开关元件1流过电流，它与导通电阻的积决定的导通电压输入到漏极电流检测用比较器36的正侧，但当上升达到由负侧决定的电压以上时，RS触发器30的复位端子信号输入高电平，使开关元件1关断。

此后，由于变压器103的初级侧绕组的漏感与电容器118及开关元件1的输入输出极间电容所决定的谐振动作，使变压器103的第3绕组(偏置绕组)103c的电压从正到负，即，在开关元件1的输入端子41的电压下降时，利用变压器转换检测电路13，将来自变压器转换脉冲发生电路27的单稳态脉冲信号，经由“或”门电路29，对RS触发器30的置位端子输入高电平，使开关元件1导通。

利用连接于变压器103的第3绕组(偏置绕组)103c与端子44之间的电阻116和电容器117，调节变压器转换检测电路13的检测时间，使在开关元件1的输入端子41的电压达到零伏的点时使开关元件1导通。

重复上述的开关动作，输出电压VO-直上升，但当达到输出电压检测电路106设定的电压以上时，LED107导通，光电晶体管110中流过电流，从开关电源控制用半导体器件46的控制端子45流出电流。根据该流出电流的大小，使I-V变换器21的输出电压VEAO下降，因此漏极电流检测用比较器36的负侧的电压下降，从而减小开关元件1的漏极电流。这样一来，开关元件1的导通占空比变为到适当的状态。也就是说，开关动作根据来自变压器转换检测电路13的输出信号，利用变压器转换脉冲发生电路27输出的单稳态脉冲而导通，而开关元件1的导通占空比由从控制端子45流出的电流所决定。

即，如图4(b)所示，在对负载109的电流供给较小的轻负载时，开关元件1的漏极电流(IDS)流过的期间缩短，在图4(a)所示的重负载时(通常时)，开关元件1的漏极电流(IDS)流过的期间延长。

这样，开关电源控制用半导体器件46根据供给开关电源的负载109的功率，控制开关元件1的漏极电流(IDS)，实施所谓使导通占空比变化的控制。另外，由于设定开关元件1导通的时刻，使得在关断的谐振动作中开关元件1的输入电压为最低时输出，因此几乎没有导通时的开关损耗。即，进行可忽略导通时的开关损耗那样的部分谐振动作。通过实施这种动作，可实现通常动作时的高效率和低噪声。

待机时检测用比较器22对控制端子45流出的电流经I-V变换器21电压变换后的输出电压VEAO与基准电压源23的输出电压VR进行比较。基准电压源23的输出电压VR起初为待机时检测下限电压VR1(图3(c))。在对与开关电源的输出端连接的负载109的电流供给减小的待机时的情况下，当对负载的供给电流减小时，输出电压VO就上升(图3(a))，由LED107引起的光电晶体管110的电流增加。由于该电流使从控制端子45流出的电流增加，因此I-V变换器21的变换电压VEAO按式(1)下降。

VEAO＝VO-R×I(1)

式中，VO为预先设定的基准电压源20的基准电压，R为电阻19的阻值，I为从控制端子45流出的电流流过由内部的密勒电路变换的电阻19的电流值。

因此，根据式(1)，从控制端子45的流出电流越增加，I-V变换器21的输出电压VEAO越降低。随之，漏极电流检测用比较器36的基准电源(负侧)下降，开关元件1的漏极电流慢慢下降，对负载1 09的功率供给一直下降。然后，当该I-V变换器21的变换电压VEAO小于待机时检测下限电压VR1时，就成待机时检测状态，待机时检测用比较器22的输出信号VO1从低电平变为高电平。(图5)

由此，由于通过反相器25的“与”门电路26的输出成低电平，变压器转换脉冲发生电路27不输出单稳态脉冲信号，故停止开关元件1的开关动作。与此同时，接受待机时检测用比较器22的输出信号VO1，基准电压源23的输出电压VR从待机时检测下限电压VR1变为待机时检测上限电压VR2(图3(c)).

当开关元件1的开关动作停止，开关元件1成关断状态时，成为电流不流过开关元件1的状态。这样，由于对负载109没有功率供给，因此对负载109的输出电压VO慢慢下降。这样，I-V变换器21的输出电压VEAO慢慢上升，但因基准电压源23的输出电压为比待机时检测下限电压VR1要高的待机时检测上限电压VR2，故如图5所示，开关元件1的开关动作不会立即再开始。

然后，在对负载109的输出电压VO进一步下降，I-V变换器21的输出电压VEAO比待机时检测上限电压VR2更高时，待机时检测用比较器22的输出信号VO1成低电平，接受该信号，通过反相器25连接的间歇结束脉冲发生电路28输出信号。然后利用该输出信号，再开始开关元件1的开关动作。同时，利用“与”门电路26使动作停止的变压器转换电路13成为有效，利用变压器转换脉冲发生电路27的单稳态脉冲输出信号，开关元件1再开始通常的部分谐振型的导通关断动作。

与此同时，基准电压源23的输出电压VR从待机时(轻负载时)检测上限电压VR2变为待机时(轻负载时)检测下限电压VR1。当开关元件1的开关动作再开如时，由于开关元件1的导通占空比大于待机状态检测时的导通占空比，故对负载109的功率供给过剩，对负载的输出电压VO再次上升，I-V变换器21的输出电压VEAO再次下降。然后当再次待机状态检测时，停止利用开关元件1的反复导通关断的所引起的开关动作。

这样，基准电压源23的输出电压VR通过待机时检测，由于从待机时检测下限值VR1变为待机时检测上限值VR2，因此在检测待机时的期间，重复开关元件1的导通关断动作的开关控制成为反复停止与再开始的所谓间歇振荡状态。

对负载109的输出电压VO在该间歇振荡的停止期间中下降，但其下降的程度取决于对负载109的供给电流。即，由于负载109所消耗的电流越小，负载109的输出电压VO下降越缓慢，间歇振荡的停止期间在负载109所消耗的电流越小时就越长，因此，负载越轻，开关元件1的开关动作便越减少。

图6示出待机时轻负载检测电路24的基准电压源23的一构成例的电路图。该基准电压源23由决定基准电压源23的输出电压VR用的恒流源300及恒流源301及电阻303、P型MOSFET等开关元件302及反相器304所构成。

恒流源300提供恒流I1，连接到电阻303。恒流源301提供恒流I2，通过开关元件(P型MOSFET)302连接到电阻303。开关元件302的栅极等的输入端上，通过反相器304输入待机时检测用比较器22的输出信号VO1。另外，由恒流源300和恒流源301与电阻303产生的电压作为基准电压源23的输出电压VR输出，输入到待机时检测用比较器22的正侧端子。

以下说明这样构成的待机时轻负载检测电路24的动作。

如图5所示，在待机时检测前状态下，由于待机时检测用比较器22的输出信号VO1为低电平(LOW)，因此开关元件302为关断。因此，这时的基准电压源23的输出信号VR、即待机时检测下限电压VR1由式(2)表示。

VR1＝R1×(I1)    (2)

另一方面，一当到达待机时检测状态，待机时检测用比较器22的输出信号VO1就成高电平(HIGH)，因此开关元件302为导通，恒流源301供给的电流I2也流向电阻303。因而，这时的基准电压源23的基准电压VR、即待机时检测上限电压VR2由式(3)表示。

VR2＝R1×(I1+I2)    (3)

这样，根据待机时检测用比较器22的输出信号VO1，基准电压源23的输出电压VR或为待机时检测下限电压VR1，或为待机时检测上限电压VR2，从而可产生待机时的间歇振荡状态(图3(d)、图3(e))。

另外，本实施形态1是根据待机时检测用比较器22的输出信号VO1使基准电压源23的输出电压设定用的恒流值变化的，但也可根据轻负载检测用比较器22的输出信号VO1使基准电压源23的输出电压设定用的电阻值改变。

实施形态2

说明本发明实施形态2的开关电源控制用半导体器件。

图7示出本实施形态2的开关电源控制用半导体器件46的一构成例的电路图。该开关电源控制用半导体器件46中，设置了任意设定待机时检测电压用的端子53，可连接检测电压变更手段即外附的待机时检测电压调整用电阻54。其余构成与图1所示的开关电源控制用半导体器件46的构成相同。

为调整基准电压源23输出的基准电压，待机时检测电压调整用电阻54设置于待机时检测用比较器22的负侧端子电位与基准电位之间，通过改变该待机时检测电压调整用电阻54的值，来调整输入到待机时检测用比较器22的正侧端子的待机时检测电压VR。

这样，通过设置待机时检测电压调整用电阻54，来任意调整待机时检测电压，能与待机时所必须的负载相匹配，最佳地调整开关元件1的开关动作停止和再开始之际的负载电流。

Claims (6)

1.一种开关电源控制用半导体器件，是将直流的输入电压经开关元件加到变压器上，利用所述开关元件的开关动作，控制对所述变压器产生的交流电流进行整流滤波而得到的直流电压，在对负载供给功率的开关电源中，利用供给所述开关元件的控制电极的来自控制电路的控制信号，控制所述开关元件发生的开关动作，在所述开关电源控制用半导体器件中，其特征在于，所述控制电路具备：利用表示变压器的转换状态的变压器转换检测信号检测其状态的变压器转换检测电路；将表示基于所述变压器的次级绕组产生的交流电流的直流电压的变化的控制信号的电流值变换为电压的I-V变换器；以及根据所述变压器转换检测电路产生的检测信号和来自所述I-V变换器的输出电压的变化检测对所述负载供给功率的待机时、输出控制所述开关元件产生的开关间歇动作用的控制信号的待机时检测电路，构成所述待机时检测电路，作为控制所述开关元件产生的开关动作用的控制信号，根据所述变压器转换检测电路产生的检测信号，输出控制所述开关元件的开关动作的控制信号，使得在所述I-V变换器的输出电压小于检测对所述负载的供给功率的待机时用的待机时检测下限电压时，停止所述开关元件的开关动作，在所述I-V变换器的输出电压大于检测对所述负载的供给功率的待机时用的待机时检测上限电压时，再开始所述开关元件的开关动作。

2.如权利要求1所述的开关电源控制用半导体器件，其特征在于，所述待机时检测电路具备输出所述待机时检测上限电压和所述待机时检测下限电压的两种不同的一定电压的基准电压源、及比较所述I-V变换器的变换电压与所述基准电压源的输出电压的待机时检测比较器，构成为使得所述基准电压源的输出电压根据所述待机时检测比较器的输出信号，变为所述待机时检测上限电压与所述待机时检测下限电压。

3.如权利要求1或2所述的开关电源控制用半导体器件，其特征在于，设置任意设定使所述开关元件的开关动作停止和再开始的待机时检测电路的基准电压源的检测电压变更用端子。

4.如权利要求3所述的开关电源控制用半导体器件，其特征在于，在所述检测电压变更用端子与地之间连接变更所述待机时检测电路的基准电压源设定用的电阻器。

5.如权利要求1或2、或4所述的开关电源控制用半导体器件，其特征在于，将所述开关元件与所述控制电路集成于同一半导体基板上，在所述半导体基板上至少设置下述端子作为外部连接端子：经由变压器的初级绕组对所述开关元件输入所述输入电压用的开关元件输入端子；输出通过所述开关元件的开关动作得到的开关电流用的开关元件输出端子；对所述控制电路供给基于利用所述开关元件的开关动作产生于所述变压器的第3绕组的电流的直流电压用的电源端子；输入控制由所述开关元件产生的开关间歇动作的控制信号用的控制端子；以及对所述变压器转换检测电路供给所述变压器转换检测信号用的变压器转换检测用端子。

6.如权利要求3所述的开关电源控制用半导体器件，其特征在于，将所述开关元件与所述控制电路集成于同一半导体基板上，在所述半导体基板上至少设置下述端子作为外部连接端子：经由变压器的初级绕组对所述开关元件输入所述输入电压用的开关元件输入端子；输出通过所述开关元件的开关动作得到的开关电流用的开关元件输出端子；对所述控制电路供给基于利用所述开关元件的开关动作产生于所述变压器的第3绕组的电流的直流电压用的电源端子；输入控制由所述开关元件产生的开关间歇动作的控制信号用的控制端子；以及对所述变压器转换检测电路供给所述变压器转换检测信号用的变压器转换检测用端子。

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