CN100368913C - 具有高孔径比的薄膜二极管液晶显示器 - Google Patents

Abstract

背对背式薄膜二极管液晶显示器的金属-绝缘层-金属二极管分别形成在双扫描线上。位于主动基板上的透明导电层，包括象素电极，第一底层，第二底层，第三底层，以及第四底层。具有位于第一底层上的第一接触开口以及位于第三底层上的第二接触开口的半导体绝缘层，覆盖在该基板和该透明导电层上。一个金属导电层具有第一扫描线，第二扫描线，第一顶层，以及第二顶层，其中第一底层和第一顶层重叠区域是第一金属-绝缘层-金属二极管，第二底层和第一顶层重叠区域是第二金属-绝缘层-金属二极管，第三底层和第二顶层重叠区域是第三金属-绝缘层-金属二极管，以及第四底层和第二顶层重叠区域是第四金属-绝缘层-金属二极管。第一扫描线经由第一接触开口电气性连接到第一底层，而第二扫描线经由第二接触开口电气性连接到第三底层。第一顶层和第二顶层分别与第一扫描线和第二扫描线电气性隔离开来并且分别位于第一扫描线和第二扫描线的外观结构内。

Description

具有高孔径比的薄膜二极管液晶显示器

技术领域

本发明系涉及一种薄膜二极管液晶显示器，特别涉及一种具有高孔径比的薄膜二极管液晶显示器。

现有技术

现有的液晶显示器在日常生活中的应用相当广泛，比如个人数字助理，个人电脑与笔记型电脑所需要的显示器，家用娱乐的电视，电子式手表或是桌上数字显示时钟复印机设备的操作介面，汽车仪表板的显示器等，几乎所有的显示介面均可用到液晶显示器。液晶显示器从早期只有单色以及被动式的驱动方式，到现在可以产生6万多的彩色色调，以及主动的驱动方式等，都大幅地提高了液晶显示器的应用层面。

现在的液晶显示器主要是使用主动式方式驱动液晶。主动式液晶显示器一般使用薄膜晶体管来驱动液晶分子的方向。但是薄膜晶体管的制造工艺复杂，一般需要四到五个摄影刻印工艺过程，而且为了减少摄影刻印工艺过程的次数而使用极为复杂的半色调(half-tone)摄影刻印工艺或是其它的半曝光显影工艺，连带地使液晶面板的工艺良好率降低。

一种主动式的驱动方式是使用薄膜二极管作为驱动元件。薄膜二极管具有构造简单，工艺简单，良好率较高等许多优点。如现有技术美国专利号5926236，以及美国专利号6008872等所示。

然而，由于上述薄膜二极管的电压电流图并非是对称的，在驱动电路的设计上会产生诸多的问题。另外还有残影以及灰阶不均等种种问题。一种改善的方式就是使用四个薄膜二极管，如图1所示的电路结构示意图。在图1中，一个象素单元(pixel cell)10是由一个液晶电容20，四个金属-绝缘层-金属二极管(30、32、34、36)所形成的二个背对背的金属-绝缘层-金属二极管37、39，两条选择线(也称为扫描线)40、42，以及一条数据线50等所组成，其中液晶电容20包括一对象素电极22、24，在象素电极22、24之间有液晶分子26。这种结构称为双扫描线(dua1-select)背对背式薄膜二极管液晶显示器，其电流电压分布，如图2所示，为对称的。这类技术可以参见现有技术美国专利号6225968，美国专利号6243062，日本专利公开号2002-043657，日本专利公开号2000-098429，日本专利公开号11-305267，台湾专利公告号571169，台湾专利公告号500947，欧洲专利0434627等。

但是，这种双扫描线背对背式薄膜二极管液晶显示器，在实际的工艺中仍有不足之处亟待改进。如图3所示，是图2的液晶单元(cell)10的部分结构示意图。在图3中，主要显示在主动基板上具有一个象素电极22，四个金属-绝缘层-金属二极管30、32、34、36，以及两条选择线40、42。另一个象素电极24以及数据线50一般是位于彩色滤镜基板上。在主动基板与彩色滤镜基板贴合并且封胶后才会注入液晶以形成液晶面板。在图3中，四个薄膜二极管30、32、34、36的位置都占用一部分象素电极22的面积，因此降低了象素的孔径比。

因此，针对这样的金属-绝缘层-金属二极管结构，需要一种新的结构以增加象素的孔径比，并且同时可以保证工艺的简易以及较高的工艺良好率。

发明内容

鉴于在上述的发明背景下，传统的薄膜二极管液晶显示器所产生的诸多问题与缺点，本发明主要的目的在于提供一种高孔径比的薄膜二极管液晶显示器。把四个薄膜二极管设计在扫描线上，可以大幅提高孔径比。制造的方式是先将透明电极形成在玻璃基板上当作象素电极与薄膜二极管的第一金属层，接着制作半导体绝缘层，最后镀上金属层，作为信号扫描线并且将背对背二极管做在扫描线上。

本发明的另一个目的是可以同时保持工艺的简单和较高的工艺良好率。

根据以上所述的目的，本发明提供一种具有高孔径比的薄膜二极管液晶显示器，包括一个第一基板与一个第二基板，液晶分子位于该第一基板与该第二基板之间。上述第一基板包括一个透明导电层，一个半导体绝缘层，以及一个金属导电层。所述的透明导电层位于该第一基板上，并包括一个第一象素电极，一个第一底层，一个与该第一象素电极电气性连接的第二底层，一个第三底层，以及与该第一象素电极电气性连接的一个第四底层。所述半导体绝缘层覆盖在该第一基板与该透明导电层上，并且具有一个位于该第一底层上的第一接触开口以及一个位于该第三底层上的第二接触开口。所述金属导电层具有一条第一扫描线，一条第二扫描线，一个第一顶层，以及一个第二顶层，其中第一扫描线经由该第一接触开口电气性连接到该第一底层，而该第二扫描线经由该第二接触开口电气性连接到该第三底层。所述第一顶层与该第一扫描线电气性隔离开来并且位于该第一扫描线的外观结构内，而该第二顶层与该第二扫描线电气性隔离开来并且位于该第二扫描线的外形结构内。所述第一底层与该第一顶层重叠区域是一个第一金属-绝缘层-金属二极管，该第二底层与该第一顶层重叠区域是一个第二金属-绝缘层-金属二极管，该第三底层与该第二顶层重叠区域是一个第三金属-绝缘层-金属二极管，以及该第四底层与该第二顶层重叠区域是一个第四金属-绝缘层-金属二极管。

所述第二基板包括一个第二像素电极和一条数据线。所述第二像素电极位于该第二基板上，当该第一基板与该第二基板贴合时，该第一像素与该第二像素重叠。所述的一条数据线电气性连接到该第二像素，与该第一扫描线和该第二扫描线基本上垂直。

在本发明中，控制液晶显示器的主动元件包括一条第一扫描线和一条第二扫描线，一个第一金属-绝缘层-金属二极管，一个第二金属-绝缘层-金属二极管，一个第三金属-绝缘层-金属二极管，一个第四金属-绝缘层-金属二极管，以及一个象素电极。所述象素电极电气性连接到该第二金属-绝缘层-金属二极管和该第四金属-绝缘层-金属二极管的一端。所述第一扫描线电气性连接到该第一金属-绝缘层-金属二极管的一端，而所述第二扫描线电气性连接到该第三金属-绝缘层-金属二极管的一端。所述第一金属-绝缘层-金属二极管的另一端与该第二金属-绝缘层-金属二极管的另一端电气性连接，而所述第三金属-绝缘层-金属二极管的另一端与该第四金属-绝缘层-金属二极管的另一端电气性连接。所述第一金属-绝缘层-金属二极管与第二金属-绝缘层-金属二极管位于该第一扫描线的外形结构内，而该第三金属-绝缘层-金属二极管与第四金属-绝缘层-金属二极管位于该第二扫描线的外形结构内。

本发明也提供一种制造用于控制液晶显示器的主动元件的方法，包括的步骤是将一个透明导电层沉积在一个基板上。之后，确定该透明导电层为一个像素区域，一个第一底层，一个与该象素电极电气性连接的第二底层，一个第三底层，以及一个与该象素电极电气性连接的第四底层。接着，将一个半导体绝缘层沉积在该基板和该透明导电层上。然后，在该第一底层上形成一个第一接触窗开口，以及在该第三底层上形成一个第二接触窗开口。之后，将一个金属导电层沉积在该半导体绝缘层上，并且确定该金属导电层为一条第一扫描线，一条第二扫描线，一个第一顶层，以及一个第二顶层。所述第一扫描线经由该第一接触开口电气性连接到该第一底层，而该第二扫描线经由该第二接触开口电气性连接该第三底层。所述第一顶层与该第一扫描线电气性隔离开来并且位于该第一扫描线的外观结构内，而该第二顶层与该第二扫描线电气性隔离开来并且位于该第二扫描线外形结构内。所述第一底层与该第一顶层重叠区域是一个第一金属-绝缘层-金属二极管，该第二底层与该第一顶层重叠区域是一个第二金属-绝缘层-金属二极管，该第三底层与该第二顶层重叠区域是一个第三金属-绝缘层-金属二极管，以及该第四底层与该第二顶层重叠区域是一个第四金属-绝缘层-金属二极管。

附图说明

图1是显示传统背对背式薄膜二极管液晶显示器的象素单元的电路结构示意图；

图2是显示传统背对背式薄膜二极管液晶显示器的象素单元的电压与电流分布图；

图3是显示传统背对背式薄膜二极管液晶显示器的基板上的主动元件以及在基板上扫描线与象素电极的结构示意图。

图4是显示形成本发明结构的各步骤的流程图；

图5A到图5C是显示形成本发明结构的各步骤阶段的俯视结构示意图；以及

图6A到图6E是显示形成本发明结构的各步骤阶段的剖面结构示意图。

附图符号对照表：

象素单元         10

液晶电容         20

象素电极         22、24、122

液晶             26

薄膜二极管       30、32、34、36、130、132、134、136

薄膜二极管底层   30-1、32-1、34-1、36-1、130-1、132-1、134-1、

                 136-1

接触开口        31、35、131、135

选择线          40、42、140、142

数据线          50

主动基板        102

透明导体层      104

半导体绝缘层    106

导体层          108

导体层的第一区  41、141

导体层的第二区  43、143

具体实施方式

本发明的一些实施例将进行如下详细说明。然而，除了详细说明的实施例外，本发明还可以广泛地在其它的实施例中施行，且本发明的范围不受限定，是以附加的权利要求为准。

再者，为提供更清楚的说明以及更易理解本发明，图中各部分并没有依照其相对尺寸进行绘图，某些尺寸与其他相关尺度相比已经被放大；不相关的细节部分也没有完全绘出，以求图示的简洁。

本发明主要是在扫描线上形成薄膜二极管，不会占用像素电极的面积从而增加液晶显示器的孔径比。

本发明主要提供一种新的双扫描线背对背式薄膜二极管液晶显示器的结构以及工艺，用以提高孔径比。工艺步骤如图4所示，首先在一个基板上沉积一个透明导电层，其中这层透明导电层可以使用氧化铟锡(ITO)或是氧化锌锡(IZO)。之后，定义所述透明导电层以形成象素电极以及四个金属-绝缘层-金属二极管的底层。这个步骤包括了曝光摄影刻印以及蚀刻等步骤将前述透明导电层形成所需要的象素电极，以及四个金属-绝缘层-金属二极管的底层。四个金属-绝缘层-金属二极管的底层当中的两个分别与象素电极电气性连接。接着，沉积一个半导体绝缘层以覆盖所述象素电极，四个金属-绝缘层-金属二极管的底层，以及基板等，其中所述半导体绝缘层的材料可以使用氮化硅，或是其它的材质，主要提供金属-绝缘层-金属二极管中间的绝缘层。然后，定义所述半导体绝缘层以在所述四个金属-绝缘层-金属二极管的两个底层以及在象素电极上形成接触开口，其中这两个底层都不与象素电极电气性连接。之后，在所述半导体绝缘层上沉积一个导体层，其中的导体层主要为金属。接着，定义所述导体层以便在该四个金属-绝缘层-金属二极管的两个底层上形成两条选择线，以及在该四个金属-绝缘-层金属二极管的底层上形成金属-绝缘层-金属二极管的两个顶层，其中所述金属-绝缘层-金属二极管的两个顶层与所述两条选择线电气性隔离开来并且位于所述两条选择线的外形结构(conformation)内。类似地，这个步骤也包括了曝光摄影刻印以及完成蚀刻等步骤所需要的图案。

接下来依照图4的各步骤显示本发明的实施例中各步骤的结构示意图，其中第五图是显示本发明各步骤的结构示意图的俯视图，而第六图是显示本发明各步骤的结构示意图的剖面图，以及沿着第五图的虚线AB剖面的结构示意图。

图5A表示象素电极122与四个金属-绝缘层-金属二极管的第一底层130-1，第二底层132-1，第三底层134-1，与第四底层136-1的俯视示意图。图6A显示沿着图5A的虚线AB剖面的结构示意图。在一个主动基板102上沉积一个透明导体层，并且该透明导体层经过光学摄影刻印以及蚀刻这些步骤形成象素电极122以及四个金属-绝缘层-金属二极管的第一底层130-1，第二底层132-1，第三底层134-1，与第四底层136-1，其中第二底层132-1和第四底层136-1与象素电极122电气性连接。一般使用的光学摄影刻印的工艺包括光阻涂布，软烘焙，以光罩曝光，显影，硬烘焙，和去光阻等步骤，其中的光罩具有象素电极的图案以及四个底层的图案。显影之后的光阻具有与光罩相同的图案，此时进行蚀刻就可以将象素电极和四个底层的图案转移到透明导体层上。蚀刻的方式可以使用湿式蚀刻或是干式蚀刻，蚀刻之后的透明导体层具有与光阻相同的图案。之后将光阻除去即完成本步骤。

在图6A中，A部分显示沿着第一底层130-1的结构示意图，而B部分显示沿着第二底层132-1和部分象素电极122的结构示意图。在两个虚线之间主要显示第一底层130-1与第二底层132-1之间为电气性隔离。

当使用背光源的时候，主动基板102可以使用玻璃，或是透明的高分子聚合物等透明材质。这里称为主动基板的原因是因为主动元件，在本发明中是二极管，是形成在这个基板上的。另一面基板一般称为彩色滤镜基板，因为是彩色滤镜，在其上形成另一个象素电极以及数据线。彩色滤镜基板也可称为被动基板，因为在这个基板上的元件均为被动元件。透明导体层的材料可以是氧化铟锡或是氧化锌锡。两种材料的形成方式都可以真空蒸镀法或者是现在较为常用的溅镀(sputtering)法。以溅镀氧化铟锡的方式为例，一种方式是先将铟与锡分别形成氧化物，然后再将氧化铟与氧化锡的粉末烧结成氧化铟锡的靶材。在形成好氧化铟锡的靶材之后，在真空腔体(chamber)内由氩(Ar)气体产生弧光放电(Glow Discharge)使Ar⁺离子化并且冲击到阴极的氧化铟锡靶材上，使得氧化铟锡溅镀到阳极的玻璃基板上而堆积成膜。

之后，如图6B所示，将一个半导体绝缘层104沉积覆盖在主动基板102、象素电极122、四个金属-绝缘层-金属二极管的第一底层130-1、第二底层132-1、第三底层134-1(未显示在图6B中)与第四底层136-1(未显示在图6B中)上。这个步骤在俯视的结构示意图中不容易以图示表示，所以这个步骤只以剖面结构示意图显示。半导体绝缘层104主要提供四个金属-绝缘层-金属二极管中间的绝缘层。半导体绝缘层104可以使用氮化硅，氮氧化硅，氧化钽，氮化碳合金，或是其它的材料，或是上述材料的组合。一般会使用氮化硅，这是因为氮化硅材料具有较好的电流电压特性等特点。氮化硅一般会使用等离子增强型化学气相沉积(PECVD)法。

接着，定义半导体绝缘层104，使得在第一底层130-1上形成第一接触开口131以及在第三底层134-1上形成第二接触开口135，如图5B以及图6C所示。同时，除去位于象素电极122上的半导体绝缘层104。这里包括了类似的光学摄影刻印以及蚀刻等步骤，只是把光罩的图案改成接触开口以及象素电极等的图案，并且选择适当的蚀刻剂以除去部分的半导体绝缘层104。

然后，在半导体绝缘层104上形成一个导体层106，如图6D所示。同样地，这个步骤在俯视的结构示意图中不容易以图示表示，所以这个步骤只以剖面结构示意图显示。导体层106将使用金属，其材料可以是铝，铬，钼，或是其它的导电金属，或是上述材料的合金。其形成方式可以是溅镀，或是真空蒸镀等方式。

接着，定义导体层106以形成第一扫描线140、第二扫描线142与四个金属-绝缘层-金属二极管的第一顶层与第二顶层，如图5C以及图6E所示。这里包含了类似的光学所影以及蚀刻等步骤，只是把光罩的图案改成扫描线和金属-绝缘层-金属二极管顶层的图案，以及选择适当的蚀刻剂用以除去部分的导体层106。在本发明中，第一顶层和第二顶层是分别与第一扫描线140和第二扫描线142电气性隔离的。另外，第一顶层和第二顶层分别位于第一扫描线140和第二扫描线142的外观型态内，使得由第一顶层和第一底层130-1所形成的第一薄膜二极管130以及由第一顶层和第二底层132-1所形成的第二薄膜二极管132位于第一扫描线140的外形结构内，而由第二顶层和第三底层134-1所形成的第三薄膜二极管134以及由第二顶层和第四底层136-1所形成的第四薄膜二极管136位于第二扫描线142的外形结构内。这样的薄膜二极管结构，其等效电路与图1相同，但是象素电极122的面积比图3所显示的现有技术要大，液晶显示器的孔径比比较高。这样的工艺与现有技术比较，只需要在金属导线的摄影刻印工艺中修改光罩的图案，使得最后所有的薄膜二极管的位置都在扫描线的外形结构内，并不会花费更多的工艺成本。

本发明主要将由四个薄膜二极管所形成的二个背对背式薄膜二极管设计在扫描线上，可以大幅提高孔径比。制造的方式是先将透明电极形成在玻璃基板上当作象素电极和薄膜二极管的第一金属层，接着制作半导体绝缘层，最后镀上金属层，作为信号扫描线并将背对背二极管做在扫描线上。这样可以同时保持工艺的简单和较高的工艺良好率。

对于本领域的技术人员，本发明虽然通过一个较佳实例进行如上说明，但是其并非用以限定本发明的精神。在不脱离本发明的精神和范围内所作的修改和类似的安排，都应包含在下述的权利要求内，这样的范围应该与覆盖所有修改和类似结构的最广的诠释相一致。因此，如上说明本发明的一个较佳实例，可用来鉴别不脱离本发明的精神和范围内所作的各种改变。

Claims (19)

1.一种具有高孔径比的薄膜二极管液晶显示器，包含：

一个第一基板，包括：

一个位于该第一基板上的透明导电层，其中该透明导电层包括一个第一象素电极，一个第一底层，一个与该第一象素电极电气性连接的第二底层，一个第三底层，以及与该第一象素电极电气性连接的一个第四底层；

一个覆盖在该第一基板和该透明导电层上的半导体绝缘层，其中所述半导体绝缘层具有一个位于该第一底层上的第一接触开口以及一个位于该第三底层上的第二接触开口；以及

一个金属导电层，具有一条第一扫描线，一条第二扫描线，一个第一顶层，以及一个第二顶层，其中所述第一扫描线经由该第一接触开口电气性连接到该第一底层，而该第二扫描线经由该第二接触开口电气性连接到该第三底层，其中所述第一顶层与该第一扫描线电气性隔离开来并且位于该第一扫描线的外观结构内，而该第二顶层与该第二扫描线电气性隔离开来并且位于该第二扫描线的外形结构内，其中所述第一底层与该第一顶层重叠区域是一个第一金属-绝缘层-金属二极管，该第二底层与该第一顶层重叠区域是一个第二金属-绝缘层-金属二极管，该第三底层与该第二顶层重叠区域是一个第三金属-绝缘层-金属二极管，以及该第四底层与该第二顶层重叠区域是一个第四金属-绝缘层-金属二极管；

一个第二基板，包括：

一个位于该第二基板上的第二像素电极，当该第一基板与该第二基板贴合时，该第一像素与该第二像素重叠；以及

一条数据线电气性连接到该第二像素，与该第一扫描线和该第二扫描线基本上垂直；以及

液晶分子位于该第一基板与该第二基板之间。

2.如权利要求1所述的具有高孔径比的薄膜二极管液晶显示器，其中所述透明导电层的材料是氧化铟锡或氧化锌锡。

3.如权利要求1所述的具有高孔径比的薄膜二极管液晶显示器，其中所述半导体绝缘层的材料是氧化硅，氮氧化硅，氧化钽，或氮化碳合金。

4.如权利要求1所述的具有高孔径比的薄膜二极管液晶显示器，其中所述金属导电层的材料是铝，铬，或钼。

5.如权利要求1所述的具有高孔径比的薄膜二极管液晶显示器，其中所述象素电极位于该第一扫描线与该第二扫描线之间。

6.如权利要求1所述的具有高孔径比的薄膜二极管液晶显示器，其中所述第一扫描线与该第二扫描线相互平行。

7.一种控制液晶显示器的主动元件，包括：

一个位于一基板上的透明导电层，其中该透明导电层包括一个象素电极，一个第一底层，一个与该象素电极电气性连接的第二底层，一个第三底层，以及一个与该象素电极电气性连接的第四底层；

一个覆盖在该基板和该透明导电层上的半导体绝缘层，其中所述半导体绝缘层具有一个位于该第一底层上的第一接触开口以及一个位于该第三底层上的第二接触开口；

一个金属导电层，具有一条第一扫描线，一条第二扫描线，一个第一顶层，以及一个第二顶层，其中所述第一扫描线经由该第一接触开口电气性连接到该第一底层，而该第二扫描线经由该第二接触开口电气性连接到该第三底层，其中所述第一顶层与该第一扫描线电气性隔离开来并且位于该第一扫描线的外观结构内，而该第二顶层与该第二扫描线电气性隔离开来并且位于该第二扫描线的外形结构内，其中所述第一底层与该第一顶层重叠区域是一个第一金属-绝缘层-金属二极管，该第二底层与该第一顶层重叠区域是一个第二金属-绝缘层-金属二极管，该第三底层与该第二顶层重叠区域是一个第三金属-绝缘层-金属二极管，以及该第四底层与该第二顶层重叠区域是一个第四金属-绝缘层-金属二极管。

8.如权利要求7所述的控制液晶显示器的主动元件，其中所述透明导电层的材料是氧化铟锡或氧化锌锡。

9.如权利要求7所述的控制液晶显示器的主动元件，其中所述半导体绝缘层的材料是氧化硅，氮氧化硅，氧化钽，或氮化碳合金。

10.如权利要求7所述的控制液晶显示器的主动元件，其中所述金属导电层的材料是铝，铬，或钼。

11.如权利要求7所述的控制液晶显示器的主动元件，其中所述象素电极位于该第一扫描线与该第二扫描线之间。

12.如权利要求7所述的控制液晶显示器的主动元件，其中所述第一扫描线与该第二扫描线相互平行。

13.一种控制液晶显示器的主动元件，包括：

一条第一扫描线与一条第二扫描线；

一个第一金属-绝缘层-金属二极管，一个第二金属-绝缘层-金属二极管，一个第三金属-绝缘层-金属二极管，以及一个第四金属-绝缘层-金属二极管；

一个象素电极电气性连接到该第二金属-绝缘层-金属二极管和该第四金属-绝缘层-金属二极管的一端，该第一扫描线电气性连接到该第一金属-绝缘层-金属二极管的一端，该第二扫描线电气性连接到该第三金属-绝缘层-金属二极管的一端，该第一金属-绝缘层-金属二极管的另一端与该第二金属-绝缘层-金属二极管的另一端电气性连接，该第三金属-绝缘层-金属二极管的另一端与该第四金属-绝缘层-金属二极管的另一端电气性连接，其中所述第一金属-绝缘层-金属二极管和第二金属-绝缘层-金属二极管位于该第一扫描线的外形结构内，而该第三金属-绝缘层-金属二极管和第四金属-绝缘层-金属二极管位于该第二扫描线的外形结构内。

14.一种制造用于控制液晶显示器的主动元件的方法，包括：

在一个基板上沉积一个透明导电层；

将该透明导电层定义为一个像素区域，一个第一底层，一个与该象素电极电气性连接的第二底层，一个第三底层，以及一个与该象素电极电气性连接的第四底层；

在该基板与该透明导电层上沉积一个半导体绝缘层；

在该第一底层上形成一个第一接触窗开口，以及在该第三底层上形成一个第二接触窗开口；

在该半导体绝缘层上沉积一个金属导电层；

将该金属导电层定义为一条第一扫描线，一条第二扫描线，一个第一顶层，以及一个第二顶层，其中所述第一扫描线经由该第一接触开口电气性连接到该第一底层，而该第二扫描线经由该第二接触开口电气性连接到该第三底层，其中所述第一顶层与该第一扫描线电气性隔离开来并且位于该第一扫描线的外观结构内，而该第二顶层与该第二扫描线电气性隔离开来并且位于该第二扫描线的外形结构内，其中所述第一底层与该第一顶层重叠区域是一个第一金属-绝缘层-金属二极管，该第二底层与该第一顶层重叠区域是一个第二金属-绝缘层-金属二极管，该第三底层与该第二顶层重叠区域是一个第三金属-绝缘层-金属二极管，以及该第四底层与该第二顶层重叠区域是一个第四金属-绝缘层-金属二极管。

15.如权利要求14所述的制造用于控制液晶显示器的主动元件的方法，其中所述透明导电层的材料是氧化铟锡或氧化锌锡。

16.如权利要求14所述的制造用以控制液晶显示器的主动元件的方法，其中所述半导体绝缘层的材料是氧化硅，氮氧化硅，氧化钽，或氮化碳合金。

17.如权利要求14所述的制造用以控制液晶显示器的主动元件的方法，其中所述金属导电层的材料是铝，铬，或钼。

18.如权利要求14所述的制造用以控制液晶显示器的主动元件的方法，其中所述象素电极位于该第一扫描线与该第二扫描线之间。

19.如权利要求14所述的制造用以控制液晶显示器的主动元件的方法，其中所述第一扫描线与该第二扫描线相互平行。

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