CH647372A5 - Verfahren zur herstellung von gedruckten schaltungen. - Google Patents
Verfahren zur herstellung von gedruckten schaltungen. Download PDFInfo
- Publication number
- CH647372A5 CH647372A5 CH5489/80A CH548980A CH647372A5 CH 647372 A5 CH647372 A5 CH 647372A5 CH 5489/80 A CH5489/80 A CH 5489/80A CH 548980 A CH548980 A CH 548980A CH 647372 A5 CH647372 A5 CH 647372A5
- Authority
- CH
- Switzerland
- Prior art keywords
- copper
- solution
- holes
- chemical
- bath
- Prior art date
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 7
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 31
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 31
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 31
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 26
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 18
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 17
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 16
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 15
- 239000002585 base Substances 0.000 claims description 13
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 13
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N Formaldehyde Chemical compound O=C WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 11
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 claims description 8
- ROOXNKNUYICQNP-UHFFFAOYSA-N ammonium persulfate Chemical compound [NH4+].[NH4+].[O-]S(=O)(=O)OOS([O-])(=O)=O ROOXNKNUYICQNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000004922 lacquer Substances 0.000 claims description 6
- LQBJWKCYZGMFEV-UHFFFAOYSA-N lead tin Chemical compound [Sn].[Pb] LQBJWKCYZGMFEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 6
- 238000005253 cladding Methods 0.000 claims description 5
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 claims description 5
- 229910001128 Sn alloy Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910001870 ammonium persulfate Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 4
- 229940065287 selenium compound Drugs 0.000 claims description 4
- 150000003343 selenium compounds Chemical class 0.000 claims description 4
- 238000005476 soldering Methods 0.000 claims description 4
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 4
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 claims description 3
- -1 alkali metal cyanide Chemical class 0.000 claims description 3
- 239000008139 complexing agent Substances 0.000 claims description 3
- 150000001879 copper Chemical class 0.000 claims description 3
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims description 3
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 3
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 claims description 3
- 239000000155 melt Substances 0.000 claims description 2
- 238000004080 punching Methods 0.000 claims description 2
- 230000001680 brushing effect Effects 0.000 claims 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims 1
- UKLNMMHNWFDKNT-UHFFFAOYSA-M sodium chlorite Chemical compound [Na+].[O-]Cl=O UKLNMMHNWFDKNT-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims 1
- 229960002218 sodium chlorite Drugs 0.000 claims 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 20
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 4
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 4
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 4
- FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M Sodium chloride Chemical compound [Na+].[Cl-] FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 3
- VDMJCVUEUHKGOY-JXMROGBWSA-N (1e)-4-fluoro-n-hydroxybenzenecarboximidoyl chloride Chemical compound O\N=C(\Cl)C1=CC=C(F)C=C1 VDMJCVUEUHKGOY-JXMROGBWSA-N 0.000 description 2
- LCPVQAHEFVXVKT-UHFFFAOYSA-N 2-(2,4-difluorophenoxy)pyridin-3-amine Chemical compound NC1=CC=CN=C1OC1=CC=C(F)C=C1F LCPVQAHEFVXVKT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ICSNLGPSRYBMBD-UHFFFAOYSA-N 2-aminopyridine Chemical compound NC1=CC=CC=N1 ICSNLGPSRYBMBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L Sulfate Chemical compound [O-]S([O-])(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 2
- 239000002318 adhesion promoter Substances 0.000 description 2
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 description 2
- KXZJHVJKXJLBKO-UHFFFAOYSA-N chembl1408157 Chemical compound N=1C2=CC=CC=C2C(C(=O)O)=CC=1C1=CC=C(O)C=C1 KXZJHVJKXJLBKO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005238 degreasing Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000005553 drilling Methods 0.000 description 2
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- CHQMHPLRPQMAMX-UHFFFAOYSA-L sodium persulfate Substances [Na+].[Na+].[O-]S(=O)(=O)OOS([O-])(=O)=O CHQMHPLRPQMAMX-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- GVRDSQPRIZURHB-UHFFFAOYSA-N B.C(C)NCC.[Na] Chemical compound B.C(C)NCC.[Na] GVRDSQPRIZURHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KCXVZYZYPLLWCC-UHFFFAOYSA-N EDTA Chemical compound OC(=O)CN(CC(O)=O)CCN(CC(O)=O)CC(O)=O KCXVZYZYPLLWCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 239000012190 activator Substances 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 238000004182 chemical digestion Methods 0.000 description 1
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 229910000365 copper sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L copper(II) sulfate Chemical compound [Cu+2].[O-][S+2]([O-])([O-])[O-] ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 230000029087 digestion Effects 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 description 1
- 238000011010 flushing procedure Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 1
- NNFCIKHAZHQZJG-UHFFFAOYSA-N potassium cyanide Chemical compound [K+].N#[C-] NNFCIKHAZHQZJG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KYEKHFSRAXRJBR-UHFFFAOYSA-M potassium;selenocyanate Chemical compound [K+].[Se-]C#N KYEKHFSRAXRJBR-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- CRDYSYOERSZTHZ-UHFFFAOYSA-M selenocyanate Chemical compound [Se-]C#N CRDYSYOERSZTHZ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 239000011780 sodium chloride Substances 0.000 description 1
- MNWBNISUBARLIT-UHFFFAOYSA-N sodium cyanide Chemical compound [Na+].N#[C-] MNWBNISUBARLIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002966 varnish Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/40—Forming printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
- H05K3/42—Plated through-holes or plated via connections
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/02—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding
- H05K3/06—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding the conductive material being removed chemically or electrolytically, e.g. by photo-etch process
- H05K3/061—Etching masks
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/40—Forming printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
- H05K3/42—Plated through-holes or plated via connections
- H05K3/425—Plated through-holes or plated via connections characterised by the sequence of steps for plating the through-holes or via connections in relation to the conductive pattern
- H05K3/428—Plated through-holes or plated via connections characterised by the sequence of steps for plating the through-holes or via connections in relation to the conductive pattern initial plating of through-holes in substrates having a metal pattern
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
- H05K2203/05—Patterning and lithography; Masks; Details of resist
- H05K2203/0502—Patterning and lithography
- H05K2203/0542—Continuous temporary metal layer over metal pattern
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
- H05K2203/14—Related to the order of processing steps
- H05K2203/1423—Applying catalyst before etching, e.g. plating catalyst in holes before etching circuit
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/3452—Solder masks
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
- Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Printing Elements For Providing Electric Connections Between Printed Circuits (AREA)
Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von gedruckten Schaltungen unter Verwendung von kupferka- 55 schiertem Basismaterial, das nach dem Bohren bzw. Stanzen gebürstet, entfettet, angeätzt, chemisch aktiviert und reduziert wird.
Verfahren zur Herstellung von gedruckten Schaltungen sind bereits bekannt, doch sind diese mit gewissen Nachteilen 60 behaftet.
Ein Nachteil der sogenannten Subtraktivtechnik besteht zum Beispiel darin, dass grosse Mengen der Kaschierung des Basismaterials nach dem Aufbau des Leiterbildes entfernt werden müssen. Gleichzeitig erfolgt die Unterätzung der Lei- 65 terzüge mit all den bekannten Schädigungen, die um so gravierender sind und prozentual tun so rascher anwachsen, je schmaler die Leiterbahnbreiten bzw. -abstände sind. Diese
Erscheinungen stehen daher einer weiteren Miniaturisierung im Rahmen der Subtraktivtechnik entgegen.
Ein Nachteil der sogenannten Additivtechnik besteht andererseits darin, dass haftvermittlerbeschichtetes Basismaterial verwendet werden muss. Der Haftvermittler ist nach dem chemischen Aufschluss und der Aktivierung die Grundlage für das selektiv aufgebrachte, chemisch abgeschiedene Kupfer und weist nach der Nassbehandlung gegenüber Epoxidharz deutlich schlechtere, elektrische Kenndaten auf, wodurch der Auslegung miniaturisierter Schaltungen ebenfalls enge Grenzen gezogen werden.
Ein weiterer Nachteil der bekannten Verfahren besteht darin, dass zum Aufbau der Leiterzüge und der leitenden Verbindung zwischen diesen Leiterzügen und den Bohrlöchern erhebliche Mengen an Kupferbadlösung benötigt werden.
Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist daher die Zurverfügungstellung eines Verfahrens, das unter Vermeidung der Nachteile der bekannten Verfahren die Herstellung von gedruckten Schaltungen mit feinsten Leiterzügen auf engstem Raum mit optimalen elektrischen Kenndaten unter Verwendung geringster Mengen an Kupferbadlösung ermöglicht.
Die Aufgabe wird erfindungsgemäss durch ein Verfahren der oben bezeichneten Art gelöst, das dadurch gekennzeichnet ist, dass das derart vorbereitete Basismaterial mit einer Ätzschutzschicht bedruckt wird, welche die gewünschten Leiterzüge abdeckt, worauf zunächst die Kupferkaschierung abgeätzt und dann die Ätzschutzschicht mittels eines Lösungsmittels unter Freilegung der Leiterzüge entfernt wird, dass man anschliessend entweder zunächst die Lackschicht aufbringt, welche die Bohrungen und Lötaugen freilässt, die dann zur Herstellung einer leitenden Verbindung zwischen den Leiterzügen und Bohrungen durch Einwirken eines chemischen Kupferbades verkupfert werden, oder dass man zunächst die gesamte Oberfläche durch Einwirken eines chemischen Kupferbades verkupfert und dann die Lackschicht unter Freilassung der Bohrungen und Lötaugen aufbringt. Dabei kann das Basismaterial mit der Ätzschutzschicht im Positivverfahren bedruckt werden. Die Bohrungen und Lötaugen können zudem nach dem Verkupfern mit einer Blei-Zinn-Legierung versehen werden.
Bevorzugte Ausführungsformen dieses Verfahrens bestehen darin, dass die Kupferkaschierung mittels einer sauren Ätzlösung, zweckmässigerweise einer sauren Ammoniumper-sulfat-Lösung oder einer alkalischen Ätzlösung, zweckmässigerweise einer ammoniakalischen Lösung von Natriumchlorid, abgeätzt wird, dass die Ätzschutzschicht mittels einer 3 bis 5%igen Natronlauge oder eines organischen Lösungsmittels, zweckmässigerweise Methylenchlorid, entfernt wird,
dass als Lack ein Lötstoplack verwendet wird, dass ein stabilisiertes chemisches Kupferbad verwendet wird, dass ein chemisches Kupferbad, enthaltend als wesentliche Bestandteile ein Kupfersalz, einen Komplexbildner, Formaldehyd sowie ein Alkalicyanid und gegebenenfalls eine Selenverbindung als Stabilisatoren verwendet wird und dass die Blei-Zinn-Legierung in Form einer Schmelze durch Einwirkung von hocherhitzter Luft oder durch reduktive Abscheidung aus einem chemischen Zinnbad aufgebracht wird.
Das erfindungsgemässe Verfahren kann in herausragender Weise die Herstellung qualitativ hochwertiger miniaturisierter Schaltungen, insbesondere im Positivdruck ermöglichen. Hierbei können Feinleiterzüge in einer Güte entstehen, die sonst nur bei Anwendung des Fotodrucks erreichbar ist. Das Verfahren hat ausserdem den grossen Vorteil, ausgehend von kupferkaschiertem Basismaterial, die Herstellung von Feinstleiterbahnen in einer Breite von unter 100 um mit den besten Isolations- und Oberflächenwiderstandswerten zu ermöglichen.
Ein weiterer wesentlicher Vorteil ist die Einsparung von
3 647 372
chemischer Kupferbadlösung, was von besonderer Wirtschaft- Für die Durchführung des erfindungsgemässen Verfah-
licher Bedeutung ist. rens eignet sich in hervorragender Weise ein chemisches Kup-
Von herausragender technischer Bedeutung ist ausser- ferbad der oben beschriebenen Zusammensetzung. Als Al-
dem, dass im Gegensatz zu der Additivtechnik auf kleberbe- kalicyanid ist hierfür insbesondere Natriumcyanid in Kon-
schichtetes bzw. kernkatalysiertes Basismaterial verzichtet 5 zentrationen von 15 bis 30 mg/Liter zu nennen.
werden kann, wodurch die hohen Anforderungen an die Kle- Geeignete Selenverbindungen sind die organischen, anor-berbeschichtung und das oxydative Aufschliessen der Kleber- ganischen und organisch-anorganischen Mono- und Diseleni-
schicht mittels Chromschwefelsäure entfallen. Das erfin- de und hiervon insbesondere die Alkaliselenocyanate, wie dungsgemässe Verfahren stellt sich damit als besonders um- Kaliumselenocyanat, die in Konzentrationen von vorzugs-
weltfreundlich dar. io weise 0,1 bis 0,3 mg/Liter Badflüssigkeit verwendet werden.
Als geeignetes Basismaterial ist beispielsweise Phenol- Das folgende Beispiel dient zur Erläuterung der Er-
harzhartpapier, Epoxidharzpapier und insbesondere glasfa- findung.
serverstärktes Epoxidharz zu nennen.
Die Durchführung des erfindungsgemässen Verfahrens erfolgt beispielsweise derart, indem nach dem Bohren bzw. 15 Beispiel
Stanzen die Platten in üblicher Weise gebohrt bzw. gestanzt Eine doppelseitig kupferkaschierte Basisplatte aus glasfa-
und gebürstet werden, worauf eine alkalische Entfettung an- serverstärktem Epoxidharz wird in üblicher Weise gebohrt,
geschlossen wird. Anschliessend ätzt man die Oberfläche et- mechanisch gereinigt (entgratet) und alkalisch bei etwa 80 °C was an, etwa 5 mjx, was durch Einwirkung von etwa 10%-iger und einer Behandlungsdauer von etwa 7 Minuten entfettet.
Natriumpersulfatlösung bei 28-32 °C erfolgen kann. Nach 20 Anschliessend wird die Platte durch Einwirkung einer 10%-
dem Dekapieren z.B. mit 10%iger Schwefelsäure wird dann igen Natriumpersulfatlösung bei einer Temperatur von etwa mittels eines Aktivators, vorzugsweise mit einer wässrigen 28 bis 32 °C innerhalb von 3 Minuten leicht angeätzt (etwa alkalischen Lösung eines Palladiumkomplexes, insbesondere 5 mjx). Dann wird mit Schwefelsäure mit einem Gehalt von von Palladiumsulfat mit 2-Aminopyridin, aktiviert, wobei 10 Gew.-% bei Raumtemperatur dekapiert und darauf mit ei-
speziell in den Bohrlochwandungen auf eine hohe Belegungs- 25 ner wässrigen alkalischen Lösung von Palladiumsulfat in 2-dichte zu achten ist, um eine Aktivierung auch nach der später Aminopyriden aktiviert, worauf als Reduktionsmittel Natri-
folgenden Ätzung zu gewährleisten. umdiäthylaminofuran zur Einwirkung gebracht wird, dann
Darauf wird durch die Einwirkung eines Reduktionsmit- gespült und getrocknet.
tels, z.B. Natriumdiäthylaminboran, reduziert und in übli- Der Leiterbilddruck erfolgt dann im Positivverfahren eher Weise nachbehandelt. 30 durch Siebdruck mittels einer alkalilöslichen Siebdruckfarbe.
Das gewünschte Schaltbild wird darauf vorteilhaft in Der Druck kann auch durch Fotoverfahren erfolgen, wobei
Sieb- oder Fotodruck positiv aufgetragen, was mittels einer vorteilhafterweise ein alkalilöslicher Flüssigresist angewendet
Ätzschutzschicht - zweckmässigerweise einer alkalilöslichen werden kann. Anschliessend wird das Kupfer abgeätzt, was
Siebdruckfarbe - erfolgt, welche die Leiterzüge abdeckt, wo- durch Einwirkung einer sauren Ätzlösung, wie einer sauren nach zunächst die Kupferkaschierung abgeätzt wird, was 35 Ammoniumpersulfatlösung, oder einer alkalischen Ätzlö-
durch Einwirkung entweder einer sauren Ätzlösung, z.B. ei- sung, wie einer ammoniakalischen Lösung von Natriumchlo-
ner sauren Ammoniumpersulfatlösung, oder einer alkali- rid, erfolgen kann.
sehen Ätzlösung, z.B. einer ammoniakalischen Natriumchlo- Die Entfernung der Siebdruckfarbe wird dann durch Be-
ridlösung, erfolgen kann. Dabei ist auf eine anschliessende handlung mit einem Lösungsmittel, wie einer 3 bis 5%igen optimale Spülung der Bohr- bzw. Stanzlöcher zu achten. 40 Natronlauge oder Methylenchlorid, durchgeführt, worauf in-
Nach der Entfernung der Ätzschutzschicht mittels eines tensiv nachgespült und getrocknet wird. Darauf wird eine
Lösungsmittels, z.B. mittels einer 3 bis 5%-igen Natronlauge Lötstopmaske aufgetragen und anschliessend alkalisch ent-
oder eines organischen Lösungsmittels, wie Methylenchlorid, fettet. Die Verkupferung der Bohrungen wird anschliessend wird dann anschliessend erfindungsgemäss entweder zunächst mittels eines stabilisierten chemischen Kupferbades der fol-eine Lackschicht aufgebracht, welche die Bohrlöcher freilässt, 45 genden Zusammensetzung durchgeführt:
wozu sich insbesondere ein Lötstoplack eignet, der als Maskendruck aufgetragen wird. Darauf kann nach üblicher al- 10 g/1 Kupfersulfat CuSO • H20 kalischer Entfettung die chemische Metallabscheidung in den 30 g/1 Äthylendiamintetraessigsäure Bohrungen mit einer Schichtdicke von vorzugsweise 15 bis 20 g/1 Natriumhydroxid NaOH 25 mn Kupfer durchgeführt werden, was vorteilhafterweise so 0,025 g/1 Natriumcyanid NaCN durch Verwendung eines stabilisierten chemischen Kupferba- 0,001 g/1 Kaliumselenocyanat KSeCN des erfolgt, das vorzugsweise als wesentliche Bestandteile ein 4 ml Formaldehyd 37%ig.
Kupfersalz, einen Komplexbildner, Formaldehyd sowie ein
Alkalicyanid und gegebenenfalls eine Selenverbindung als Die Kupferabscheidung erfolgt bei einer Temperatur von
Stabilisatoren enthält. 55 65 °C und einer Behandlungsdauer von 20 Stunden mit einer
Die abschliessende partielle Auftragung einer Blei-Zinn- durchschnittlichen Abscheidungsgeschwindigkeit von
Legierung, zweckmässigerweise im Heissluftverfahren durch 1,5 um/Stunde. Gewünschtenfalls wird dann abschliessend ei-
Einwirkung von hocherhitzter Luft, garantiert ein rein eutek- ne selektive Heissluftverzinnung durchgeführt (sogenanntes tisches Lot, das sogar nach beschleunigter Alterung einwand- HOT-AIR-LEVELLING-Verfahren).
frei lötbar ist. 60 Alternativ kann der Lötstoplack auch erst nach der Ver-
Nach einer Verfahrensalternative wird nach der Entfer- kupferung aufgetragen werden, worauf abschliessend - sofern nung der Ätzschutzschicht die gesamte Oberfläche durch Ein- gewünscht - eine selektive Heissluftverzinnung durchgeführt
Wirkung des oben beschriebenen chemischen Kupferbades wird.
verkupfert, dann der Lötstoplack unter Freilassung der Boh- Es entstehen Leiterzüge in einer Schichtdicke von etwa rungen aufgebracht und abschliessend - sofern gewünscht - 65 30 um mit elektrischen Kenndaten von mindestens 1 • IO12 Q. die genannte Heissluftverzinnung durchgeführt.
C
Claims (9)
- 647 372 2PATENTANSPRÜCHE1. Verfahren zur Herstellung von gedruckten Schaltungen unter Verwendung von kupferkaschiertem Basismaterial, das nach dem Bohren bzw. Stanzen gebürstet, entfettet, angeätzt, chemisch aktiviert und reduziert wird, dadurch gekennzeich- 5 net, dass das derart vorbereitete Basismaterial mit einer Ätzschutzschicht bedruckt wird, welche die gewünschten Leiterzüge abdeckt, worauf zunächst die Kupferkaschierung abgeätzt und dann die Ätzschutzschicht mittels eines Lösungsmittels unter Freilegung der Leiterzüge entfernt wird, dass man 10 anschliessend entweder zunächst die Lackschicht aufbringt, welche die Bohrungen und Lötaugen freilässt, die dann zur Herstellung einer leitenden Verbindung zwischen den Leiterzügen und Bohrungen durch Einwirken eines chemischen Kupferbades verkupfert werden, oder dass man zunächst die 15 gesamte Oberfläche durch Einwirken eines chemischen Kupferbades verkupfert und dann die Lackschicht unter Freilassung der Bohrungen und Lötaugen aufbringt.
- 2. Verfahren gemäss Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Kupferkaschierung mittels einer sauren Ätzlö- 2o sung zweckmässigerweise einer sauren Ammoniumpersulfatlösung oder einer alkalischen Ätzlösung, zweckmässigerweise einer ammoniakalischen Lösung von Natriumchlorit, abgeätzt wird.
- 3. Verfahren gemäss Anspruch 1, dadurch gekennzeich- 25 net, dass die Ätzschutzschicht mittels einer 3 bis 5%igen Natronlauge oder eines organischen Lösungsmittels, zweckmässigerweise Methylenchlorid, entfernt wird.
- 4. Verfahren gemäss Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass als Lack ein Lötstoplack verwendet wird.
- 5. Verfahren gemäss Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass ein stabilisiertes chemisches Kupferbad verwendet wird.
- 6. Verfahren gemäss Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass ein chemisches Kupferbad, enthaltend als wesentliche Bestandteile ein Kupfersalz, einen Komplexbildner, Formaldehyd sowie ein Alkalicyanid und gegebenenfalls eine Selenverbindung als Stabilisatoren, verwendet wird.
- 7. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,dass das Basismaterial mit Ätzschutzschicht im Positiwerfah- 40 ren bedruckt wird.
- 8. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,dass die Bohrungen und Lötaugen nach dem Verkupfern mit einer Blei-Zinn-Legierung versehen werden.
- 9. Verfahren gemäss Anspruch 1, dadurch gekennzeich- 45 net, dass die Blei-Zinn-Legierung in Form einer Schmelze durch Einwirkung von hocherhitzter Luft oder durch redukti-ve Abscheidung aus einem chemischen Blei-Zinnbad aufgebracht wird.503035
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19792932536 DE2932536A1 (de) | 1979-08-09 | 1979-08-09 | Verfahren zur herstellung von gedruckten schaltungen |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CH647372A5 true CH647372A5 (de) | 1985-01-15 |
Family
ID=6078196
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CH5489/80A CH647372A5 (de) | 1979-08-09 | 1980-07-17 | Verfahren zur herstellung von gedruckten schaltungen. |
Country Status (10)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5629395A (de) |
| CA (1) | CA1152226A (de) |
| CH (1) | CH647372A5 (de) |
| DE (1) | DE2932536A1 (de) |
| FR (1) | FR2463569B1 (de) |
| GB (1) | GB2057774B (de) |
| IE (1) | IE49971B1 (de) |
| IT (1) | IT1131716B (de) |
| NL (1) | NL8003939A (de) |
| SE (1) | SE454476B (de) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3275452D1 (en) * | 1982-04-05 | 1987-03-19 | Kanto Kasei Co | Process of manufacturing printed wiring boards and printed wiring boards manufactured by the same |
| FI88241C (fi) * | 1990-10-30 | 1993-04-13 | Nokia Mobile Phones Ltd | Foerfarande foer framstaellning av kretskort |
| US5358602A (en) * | 1993-12-06 | 1994-10-25 | Enthone-Omi Inc. | Method for manufacture of printed circuit boards |
| US5620612A (en) * | 1995-08-22 | 1997-04-15 | Macdermid, Incorporated | Method for the manufacture of printed circuit boards |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR1378154A (fr) * | 1962-09-24 | 1964-11-13 | North American Aviation Inc | Interconnexions électriques pour panneaux de circuits imprimés |
| US3269861A (en) * | 1963-06-21 | 1966-08-30 | Day Company | Method for electroless copper plating |
| DE1690224B1 (de) * | 1967-08-29 | 1971-03-25 | Standard Elek K Lorenz Ag | Bad fuer die stromlose verkupferung von kunststoffplatten |
| FR2128355A1 (de) * | 1971-03-01 | 1972-10-20 | Fernseh Gmbh | |
| JPS5489276A (en) * | 1977-12-27 | 1979-07-16 | Fujitsu Ltd | Method of producing printed board |
-
1979
- 1979-08-09 DE DE19792932536 patent/DE2932536A1/de not_active Withdrawn
-
1980
- 1980-07-08 NL NL8003939A patent/NL8003939A/nl not_active Application Discontinuation
- 1980-07-17 CH CH5489/80A patent/CH647372A5/de not_active IP Right Cessation
- 1980-07-18 IT IT23530/80A patent/IT1131716B/it active
- 1980-07-29 SE SE8005443A patent/SE454476B/sv not_active IP Right Cessation
- 1980-08-07 FR FR8017460A patent/FR2463569B1/fr not_active Expired
- 1980-08-08 IE IE1669/80A patent/IE49971B1/en unknown
- 1980-08-08 JP JP10841080A patent/JPS5629395A/ja active Pending
- 1980-08-08 CA CA000357874A patent/CA1152226A/en not_active Expired
- 1980-08-08 GB GB8025868A patent/GB2057774B/en not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| GB2057774A (en) | 1981-04-01 |
| IT8023530A0 (it) | 1980-07-18 |
| NL8003939A (nl) | 1981-02-11 |
| CA1152226A (en) | 1983-08-16 |
| IE801669L (en) | 1981-02-09 |
| IT1131716B (it) | 1986-06-25 |
| SE8005443L (sv) | 1981-02-10 |
| GB2057774B (en) | 1983-09-07 |
| JPS5629395A (en) | 1981-03-24 |
| FR2463569B1 (fr) | 1985-09-20 |
| IE49971B1 (en) | 1986-01-22 |
| FR2463569A1 (fr) | 1981-02-20 |
| DE2932536A1 (de) | 1981-02-26 |
| SE454476B (sv) | 1988-05-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0109920B1 (de) | Verfahren zum Reinigen von Löchern in gedruckten Schaltungsplatten mit permanganathaltigen und basischen Lösungen | |
| DE69728812T2 (de) | Verfahren zur Erhöhung der Lötbarkeit einer Oberfläche | |
| DE3002166C2 (de) | ||
| DE2238002C3 (de) | Verfahren zur additiven Herstellung von aus Metallabscheidungen bestehenden Mustern | |
| DE69434619T2 (de) | Sich selbstbeschleunigendes und sich selbst auffrischendes Verfahren zur Tauchbeschichtung ohne Formaldehyd, sowie die entsprechende Zusammensetzung | |
| DE2064861C3 (de) | Verfahren zur Herstellung von gedruckten Schaltkarten. Ausscheidung in: 2065346 und 2065347 und 2065348 und 2065349 | |
| DE3700910C2 (de) | ||
| DE2920940C2 (de) | ||
| DE3016132C2 (de) | Verfahren zur Herstellung von gegen Hitzeschockeinwirkung widerstandsfähigen gedruckten Schaltungen | |
| EP0060805B1 (de) | Herstellverfahren für und nach diesem Verfahren hergestellte Leiterplatten | |
| DE19511380A1 (de) | Verfahren zur Elektroplattierung einer nichtleitenden Oberfläche | |
| DE2635457C2 (de) | Katalytischer Lack und seine Verwendung zur Herstellung von gedruckten Schaltungen | |
| DE69824133T2 (de) | Verfahren zur Herstellung von mehrschichtigen Leiterplatten | |
| EP0160966A2 (de) | Verfahren zur Herstellung von Metallmustern auf isolierenden Trägern sowie isolierende Träger mit Metallmuster, insbesondere gedruckte Schaltungen | |
| CH625096A5 (de) | ||
| DE2847298A1 (de) | Verfahren zur herstellung von metallmustern auf einem isolierenden traegerstoff | |
| DE3008434C2 (de) | ||
| EP0185303B1 (de) | Elektrisch leitende Kupferschichten und Verfahren zur Herstellung derselben | |
| DE3800682A1 (de) | Verfahren zur herstellung von elektrischen leiterplatten | |
| CH647372A5 (de) | Verfahren zur herstellung von gedruckten schaltungen. | |
| DE69730288T2 (de) | Vorrichtung zur Herstellung von Leiterplatten mit galvanisierten Widerständen | |
| DE3850176T2 (de) | Verdrahtungsverfahren. | |
| DE3048665C2 (de) | ||
| DE3152613C2 (de) | ||
| CH657491A5 (de) | Verfahren zur herstellung von gedruckten schaltungen. |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PL | Patent ceased | ||
| PL | Patent ceased |