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CH406438A - Verfahren zum Herstellen von Halbleiteranordnungen mit wenigstens einem durch Legieren hergestellten pn-Übergang - Google Patents

Verfahren zum Herstellen von Halbleiteranordnungen mit wenigstens einem durch Legieren hergestellten pn-Übergang

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Publication number
CH406438A
CH406438A CH1115762A CH1115762A CH406438A CH 406438 A CH406438 A CH 406438A CH 1115762 A CH1115762 A CH 1115762A CH 1115762 A CH1115762 A CH 1115762A CH 406438 A CH406438 A CH 406438A
Authority
CH
Switzerland
Prior art keywords
alloying
producing semiconductor
semiconductor arrangements
junction produced
junction
Prior art date
Application number
CH1115762A
Other languages
English (en)
Inventor
Dorendorf Heinz Dr Dipl-Phys
Ottmann Alfred Dipl-Geophys
Wild Otto
Original Assignee
Siemens Ag
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens Ag filed Critical Siemens Ag
Publication of CH406438A publication Critical patent/CH406438A/de

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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/24Alloying of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, with a semiconductor body
    • H01L21/248Apparatus specially adapted for the alloying
    • HELECTRICITY
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    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof

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CH1115762A 1961-10-09 1962-09-21 Verfahren zum Herstellen von Halbleiteranordnungen mit wenigstens einem durch Legieren hergestellten pn-Übergang CH406438A (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DES76191A DE1180852B (de) 1961-10-09 1961-10-09 Verfahren zur Herstellung von Halbleiter-anordnungen mit wenigstens einem durch Legieren erzeugten pn-UEbergang

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CH406438A true CH406438A (de) 1966-01-31

Family

ID=7505947

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CH1115762A CH406438A (de) 1961-10-09 1962-09-21 Verfahren zum Herstellen von Halbleiteranordnungen mit wenigstens einem durch Legieren hergestellten pn-Übergang

Country Status (4)

Country Link
CH (1) CH406438A (de)
DE (1) DE1180852B (de)
GB (1) GB978229A (de)
NL (1) NL283969A (de)

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CA563722A (en) * 1953-12-31 1958-09-23 N.V. Philips Gloeilampenfabrieken Semiconductor junction electrodes and method
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NL229943A (de) * 1957-08-01
NL110945C (de) * 1958-08-01 1900-01-01

Also Published As

Publication number Publication date
GB978229A (en) 1964-12-16
DE1180852B (de) 1964-11-05
NL283969A (de)

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