CH401919A - Verfahren zum Herstellen von langgestreckten, insbesondere bandförmigen Halbleiterkörpern - Google Patents

Verfahren zum Herstellen von langgestreckten, insbesondere bandförmigen Halbleiterkörpern

Info

Publication number: CH401919A
Authority: CH; Switzerland
Prior art keywords: shaped semiconductor; semiconductor bodies; particular band; producing elongated; elongated
Prior art date: 1960-09-20

Application number

CH1472261A

Other languages

English (en)

Inventor

Werner Dr Spielmann

Heywang Walter Dr Dipl-Phys

Original Assignee

Siemens Ag

Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)

1960-09-20

Filing date

1961-12-19

Publication date

1965-11-15

1961-12-19 Application filed by Siemens Ag filed Critical Siemens Ag

1965-11-15 Publication of CH401919A publication Critical patent/CH401919A/de

Classifications

- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
- C30B15/14—Heating of the melt or the crystallised materials
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
- C30B15/002—Continuous growth

Landscapes

Chemical & Material Sciences (AREA)
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Materials Engineering (AREA)
Metallurgy (AREA)
Organic Chemistry (AREA)
Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)

CH1472261A 1960-09-20 1961-12-19 Verfahren zum Herstellen von langgestreckten, insbesondere bandförmigen Halbleiterkörpern CH401919A (de)

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Family

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