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CH338903A - Kühlvorrichtung für Halbleiteranordnungen, insbesondere für p-n-Leistungsgleichrichter - Google Patents

Kühlvorrichtung für Halbleiteranordnungen, insbesondere für p-n-Leistungsgleichrichter

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Publication number
CH338903A
CH338903A CH338903DA CH338903A CH 338903 A CH338903 A CH 338903A CH 338903D A CH338903D A CH 338903DA CH 338903 A CH338903 A CH 338903A
Authority
CH
Switzerland
Prior art keywords
rectifier
cooling device
cooling
liquid
container
Prior art date
Application number
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English (en)
Inventor
F Losco Ezekiel
Original Assignee
Westinghouse Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
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Publication date
Application filed by Westinghouse Electric Corp filed Critical Westinghouse Electric Corp
Publication of CH338903A publication Critical patent/CH338903A/de

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    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/42Fillings or auxiliary members in containers or encapsulations selected or arranged to facilitate heating or cooling
    • H01L23/427Cooling by change of state, e.g. use of heat pipes
    • HELECTRICITY
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Description


  Kühlvorrichtung für Halbleiteranordnungen,     insbesondere        für        p-n-Leistungsgleichrichter       Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine  Kühlvorrichtung für Halbleiteranordnungen, insbe  sondere für     p-n-Leistungsgleichrichter.    Sie kann  jedoch auch bei Halbleiteranordnungen anderer Art  verwendet werden.  



  Halbleitermaterialien, wie z. B. Germanium und  Silizium, können in jedem von zwei     Leitfähigkeits-          typen    existieren, was abhängt von der Behandlung des  Materials und der Anwesenheit äusserst kleiner Men  gen von gewissen     Störstellen-Zusätzen.    Material vom       n-Typ    ist durch einen     überschuss    an Elektronen ge  kennzeichnet, und seine Leitfähigkeit ist auf die An  wesenheit dieser Elektronen zurückzuführen.

   Material  vom     p-Typ    ist durch einen Mangel an Elektronen  im Aufbau des Materials gekennzeichnet, der zu so  genannten Löchern führt, und die Leitfähigkeit des  Materials ist auf eine scheinbare Bewegung dieser  Löcher zurückzuführen, welche wie positive Ladun  gen wirken.

   Wenn ein Halbleiterkörper aneinander  grenzende Zonen von Material des     n-Typs    und des       p-Typs    aufweist, wirkt der Übergang zwischen den  beiden Zonen als eine gleichrichtende Sperre oder  Schicht, da sie dem Strom erlaubt, frei vom     p-Material     zum     n-Material    zu fliessen, aber dem     Stromfluss    in der  umgekehrten Richtung einen sehr hohen Widerstand  entgegenstellt, so dass nur ein äusserst kleiner Sperr  strom fliessen kann.  



  Diese     p-n-Übergangsgleichrichter    haben sehr er  wünschte Eigenschaften, da sie in Vorwärtsrichtung  Ströme von hoher Stromdichte führen und in der um  gekehrten Richtung verhältnismässig hohen Spannun  gen standhalten können. Diese Einrichtungen sind  daher sehr geeignet für die Verwendung als Lei  stungsgleichrichter; sie können verhältnismässig hohe  Leistungswerte steuern, wenn der Übergang mit einer  genügend grossen     Fläche    ausgebildet ist. Damit nun  jedoch hohe Leistungswerte erreicht werden, ist es    erforderlich, sehr wirksame Mittel für die Abführung  der: in der Anordnung erzeugten Wärme vorzusehen.

         Die'-    Sperrströme sind äusserst klein, und durch den  Sperrstrom wird eine sehr geringe Wärmemenge  erzeugt, aber der Vorwärtsstrom kann recht hoch  sein, und obwohl der Spannungsabfall in Vorwärts  richtung verhältnismässig klein ist, ist die in der  Anordnung freiwerdende Leistung, welche als  Wärme erscheint, recht erheblich. Da diese Wärme  in einer Anordnung von sehr geringer     räumlicher     Grösse konzentriert ist, würde die Temperatur der  Anordnung recht hoch werden, wenn keine Mittel  für die Abführung der Wärme vorgesehen wären.

    Diese Halbleiteranordnungen haben ziemlich genaue  Temperaturgrenzen, welche für Germanium bei etwa  65  C und für Silizium in der Grössenordnung von  200  C liegen; wenn man dem Material erlaubt, diese  Temperaturen zu überschreiten, nimmt der Sperr  strom sehr schnell zu, die Anordnung verliert ihre  gleichrichtenden Eigenschaften und erleidet mit grosser  Wahrscheinlichkeit durch die sich ergebende über  hitzung dauernde Schäden und Zerstörungen. Es ist  daher im höchsten Grade erforderlich, eine sehr  wirksame Kühlung für     Halbleiter-Gleichrichteranord-          nungen    vorzusehen,     damit    ohne Überschreitung der  zulässigen Höchsttemperaturen hohe Leistungswerte  erreicht werden.  



  Es ist vorgeschlagen worden, die in Halbleiter  gleichrichtern erzeugte Wärme durch zirkulierendes  Kühlwasser abzuführen, das im Kontakt oder in einer       Wärmeaustauschbeziehung    mit einer oder beiden       Anschlussplatten    des Gleichrichters steht. Diese Art  der Kühlung kann verhältnismässig wirksam ausge  bildet werden, aber sie verhütet nicht eine örtliche  Überhitzung an solchen Stellen des Gleichrichters,  welche nicht mit dem     Kühlmittel    in Kontakt sind.

    Aus diesem Grunde ist es gewöhnlich erforderlich,      grosse Volumina von Wasser zirkulieren zu lassen,  so dass eine angemessene Wasserversorgung zur Ver  fügung stehen muss; diese Art der Kühlung verlangt  ausserdem gewöhnlich dauernde äussere Wasser  anschlüsse, welche manchmal unerwünscht sind und  die Kosten erhöhen. Ein anderes     mögliches    Mittel  zur Kühlung von Halbleiteranordnungen ist es, die  Anordnung in Kontakt mit einer Flüssigkeit mit ge  ringem Siedepunkt zu bringen, so dass die Anordnung  gekühlt wird durch Verdampfung der Flüssigkeit,  welche der Anordnung Wärme entzieht und das Be  streben hat, die Temperatur der Anordnung auf den  Siedepunkt der Flüssigkeit     zu    begrenzen.

   Diese Art  der Kühlung ist jedoch     verhältnismässig    unwirksam  und aus innern Gründen in dem erreichbaren Kühl  effekt begrenzt.  



  Bei der Kühlvorrichtung nach der vorliegenden  Erfindung steht demgegenüber der Gleichrichter in  Wärmekontakt mit einer einen geschlossenen Behäl  ter nur teilweise ausfüllenden Flüssigkeit, die beim  Betrieb des Gleichrichters infolge der in diesem  entstehenden Verlustwärme verdampft, und deren  Dampf an mit der Umgebung in Wärmekontakt  stehenden     Flächen    im Behälterinnern wieder ver  dichtet wird, und dass ausserdem mindestens eine       Anschlussplatte    des Gleichrichters in Wärmekontakt  mit einem     Kühlwasserstrom    steht.

   Die Erfindung       ermöglicht    eine wirksame Kühlung der Halbleiter  anordnung ohne die Nachteile, die bei Anwendung  nur einer der beiden Kühlungsarten (Flüssigkeits  kühlung oder     Verdampfungskühlung)    auftreten.  



  Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung sei an  Hand der Zeichnungen näher erläutert.  



       Fig.    1 stellt einen Querschnitt durch einen     p-n-          Übergangsgleichrichter    dar.  



  Die     Fig.    2 und 3 zeigen ein Ausführungsbeispiel  der Erfindung, und zwar     Fig.    2 teilweise in der An  sicht, teilweise im Aufriss und teilweise in einem  vertikalen Schnitt, während     Fig.    3 einen Querschnitt  längs der Linie     III-111    von     Fig.    2 wiedergibt.  



  Wie oben angedeutet, ist die Erfindung anwend  bar bei Halbleiteranordnungen irgendeines Typs; sie  ist jedoch besonders geeignet für     p-n-Übergangs-          gleichrichter,    und in der Zeichnung ist sie in ihrer  Anwendung bei einer derartigen Anordnung darge  stellt. Ein typischer Leistungsgleichrichter vom     p-n-          Übergangstyp    ist zur Erläuterung in     Fig.    1     gezeigt,     wobei die Dicken der verschiedenen Teile der An  ordnung in der Zeichnung     zur    Verdeutlichung erheb  lich übertrieben sind.

   Die     Gleichrichteranordnung     oder Zelle 1 der     Fig.    1 besteht aus einem Körper  aus Halbleitermaterial 2, welches entweder Germa  nium oder Silizium sein kann und welches vorzugs  weise die Form einer dünnen Platte hat. Das Halb  leitermaterial 2 ist an einer Metallplatte 3 mit Hilfe  einer dünnen     Lotschicht    4 befestigt,

   welche einen       Ohmschen    Kontakt zwischen der Platte 3 und dem  Halbleitermaterial 2 bildet und den Halbleiter mit  einer dauerhaften Verbindung von guter     thermischer     und elektrischer     Leitfähigkeit    an der Platte     festhält.       Das Halbleitermaterial 2 ist vorzugsweise     n-Mate-          rial,    und der gleichrichtende Übergang wird gebildet  durch das Auflegen einer Schicht von sogenanntem       Akzeptor-Störstellenmaterial    5, welches in der Lage  ist, das Halbleitermaterial in     p-Material    umzuwandeln.

    Für diesen Zweck ist     Indium    ein geeignetes Material,  wenn das Halbleitermaterial Germanium ist, während  bei Silizium vorzugsweise Aluminium verwendet wird.  Das     Akzeptormaterial    5 wird auf das Halbleitermate  rial 2     aufgelegt;    es legiert mit der Oberflächenschicht  des Halbleiters und diffundiert in ihn hinein, so dass  ein Teil des Materials in     p-Material    umgewandelt  und auf diese Weise ein gleichrichtender Übergang  gebildet wird.

   Eine metallische     Anschlussplatte    6  wird auf das     Akzeptormaterial    5     aufgelegt    und mit  ihr verbunden, so dass eine dauerhafte Verbindung  von guter elektrischer und thermischer     Leitfähigkeit     gebildet wird. Die metallischen     Anschlussplatten    3  und 6 dienen zur mechanischen Unterstützung des  verhältnismässig zerbrechlichen Halbleitermaterials  und     zur    Schaffung elektrischer Anschlüsse an den  Halbleiter; sie bestehen vorzugsweise aus     Molybdän,     wegen seiner verhältnismässig guten thermischen Leit  fähigkeit, und weil seine thermische Ausdehnung der  jenigen sowohl des Germaniums wie des Siliziums  nahekommt.

      Wie oben erläutert, ist eine     Gleichrichteranord-          nung    der in der     Fig.    1 dargestellten Art in der Lage,  verhältnismässig grosse Leistungen zu steuern; sie muss  jedoch wirksam gekühlt werden zur Abführung der  in dem kleinen Volumen des Halbleitermaterials       erzeugten    Wärme, damit verhütet wird, dass die  erlaubte Maximaltemperatur überschritten wird. Mit  der vorliegenden Kühlvorrichtung wird der Gleich  richter durch eine Kombination von Wasser- und  Dampfkühlung gekühlt.

   Für diesen Zweck ist bei dem  in der Zeichnung dargestellten Ausführungsbeispiel  ein Wasserbehälter 7 an eine der Kontaktplatten 3  oder 6 der     Gleichrichterzelle    1 angelötet oder auf  andere Weise dauerhaft an ihr befestigt. Der Wasser  behälter 7 kann, wie dargestellt, ein Hohlkörper aus  Kupfer sein, welcher völlig geschlossen ist bis auf die  Einlass- und     Auslassöffnungen    an der Oberseite und  am Boden. Ein     Wärmeaustauschglied    8 ist in ähn  licher Weise an der andern Kontaktplatte der Gleich  richterzelle befestigt; es ist     vorzugsweise    ein Kupfer  glied mit einer Mehrzahl von hervorstehenden Rip  pen 9, wie in     Fig.    3 dargestellt.  



  Leitungsteile 10 und 11, vorzugsweise aus Kupfer  rohr, sind in die Ein- und     Auslassöffnungen    des Was  serbehälters 7 mit wasserdichten Nähten hart oder  weich eingelötet, und eine Kupferplatte 12 ist an der  obern Leitung 10 befestigt. Ein ähnliches     rohrför-          miges    Leitungsstück 13 ist in irgendeiner geeigneten  Weise an dem     Wärmeaustauschglied        befestigt,    wobei       vorzugsweise    das untere Ende des Rohres 13 abge  flacht und an eine der Rippen 9 angelötet ist, wie  es bei 14 dargestellt ist. Das Rohr 13 erstreckt sich  vertikal durch. einen Schlitz 15 in der Platte 12 nach      oben; es hat eine Öffnung 16 oberhalb des Gleich  richters.  



  Die bisher beschriebene Anordnung ist mit     Hilfe     der Rohre 10, 11 und 13 in einem geschlossenen,  hermetisch abgedichteten Behälter 17 befestigt, wel  cher vorzugsweise aus Kupfer oder einem andern  Material mit guter Wärmeleitfähigkeit hergestellt ist,  und welcher aus einem zylindrischen Körper mit  Deck- und Bodenplatten 18 und 19 besteht, die durch       Hardötung    oder auf andere Weise an den Körper  dicht angeschlossen sind. Die Rohre 10 und 13  erstrecken sich durch Öffnungen in der Deckplatte  18 nach aussen, und das Rohr 11 erstreckt sich durch  eine Öffnung in der Bodenplatte 19.

   Die Öffnungen  um die Rohre herum sind abgedichtet, und die Rohre  sind gegen den Behälter 17 in irgendeiner Weise iso  liert, vorzugsweise mit Hilfe von Glasbuchsen 20, die  an innere und äussere Hülsen 21 und 22     angeschmol-          zen    sind, die ihrerseits aus einer Legierung bestehen,  die mit Glas eine dauerhafte luftdichte Abdichtung  bilden kann. Die Hülsen 21 und 22 sind an die  Rohre bzw. an den Behälter hart oder weich ange  lötet.  



  Die rohrförmigen Leitungen 10 und 11 sind an  ein     Wasserumlaufsystem    angeschlossen, welches eine  Pumpe 23 und einen     Flüssigkeits-Luft-Wärmeaus-          tauscher    24 enthält, welcher von jeder erwünschten  Art sein kann. Die Leitungen 10 und 11 sind durch  äussere Leitungsstücke 25 bzw. 26 an die Pumpe  und an     Wärmeaustauscher    angeschlossen, und der       Wärmeaustauscher    24 ist an den Eingang der Pumpe  23 durch ein Leitungsstück 27 angeschlossen, so dass  auf diese Weise ein geschlossenes, mit Wasser ge  fülltes System gebildet wird. Die Leitungsteile 25, 26  und 27 können teilweise oder vollständig aus isolie  rendem Material bestehen, falls es erwünscht ist.

    Wenn die Pumpe arbeitet, wird kontinuierlich Wasser  durch den Wasserbehälter 7 getrieben, und die  Wärme, die vom Gleichrichter 1 an das Wasser ab  gegeben wird, wird im     Wärmeaustauscher    24 aus dem  Wasser entfernt.  



  Nachdem das Gerät, wie oben beschrieben, zu  sammengebaut ist, wird der Behälter 17 teilweise mit  einer     verdampfbaren    Flüssigkeit 28 bis zu einer Tiefe  gefüllt, die ausreicht, den Gleichrichter 1 zu be  decken, wie es in     Fig.    2 dargestellt ist. Für diesen  Zweck kann irgendeine gewünschte Flüssigkeit ver  wendet werden, welche einen geeigneten Siedepunkt  und gute Isolationseigenschaften hat, so dass ein  Kurzschluss der     Gleichrichterzelle    verhütet wird. Die  Flüssigkeit muss ausserdem im wesentlichen frei von  Feuchtigkeit sein, da die Eigenschaften des Gleich  richters 6 durch eine kleine Menge von Feuchtigkeit  nachteilig beeinflusst werden.

   Es wurde gefunden, dass  die hochfluorierten flüssigen organischen Verbindun  gen ohne Wasserstoffgehalt für diesen Zweck er  wünscht sind, da sie die notwendigen Eigenschaften  haben und chemisch sehr träge sind, so dass sie den  gleichrichtenden     übergang    nicht nachteilig beeinflus  sen. So ist z. B. für     Germanium-Gleichrichterzellen            Trichlortrifluoräthan    (im Handel unter dem Namen       Freon    113 [eingetragene Marke] erhältlich) sehr ge  eignet, welches bei Atmosphärendruck einen Siede  punkt von 47  C hat.

   Bei     Silizium-Gleichrichtern    kön  nen Stoffe mit einem höheren Siedepunkt verwendet  werden; hier haben sich     Perfluortributylamin,    welches  unter Atmosphärendruck bei 177  C siedet, und Per  fluoräther mit einem Siedepunkt von 101  C als sehr  geeignet erwiesen. Andere Flüssigkeiten könnten  jedoch ebenfalls verwendet werden, und ganz allge  mein kann irgendeine chemisch träge, isolierende  Flüssigkeit mit einem Siedepunkt in dem gewünschten  Bereich und mit einer verhältnismässig hohen latenten       Verdampfungswärme    verwendet werden.  



  Die Flüssigkeit 28 wird durch das Rohr 13 und  die Öffnung 16 in den Behälter 17 eingebracht; der  Behälter kann teilweise evakuiert werden zur Ein  stellung des Druckes und damit zur Erreichung des  gewünschten Siedepunktes der Flüssigkeit 28. Falls  erwünscht, kann der Behälter 17 evakuiert und ein  chemisch träges Gas mit passendem Druck oberhalb  der Flüssigkeit eingeführt werden, damit der er  wünschte Siedepunkt erreicht wird. Das Rohr 13 wird  dann abgeschlossen, so dass die hermetische Abdich  tung des Behälters vollständig ist.  



  Im Betrieb kann der Gleichrichter mit einem  äussern Kreis derart verbunden werden, dass das Rohr  13 als der eine Anschluss und eines der Rohre 10  oder 11 als der andere Anschluss verwendet wird.  Mit Hilfe der Pumpe 23 wird durch den     Behälter    7  kontinuierlich Wasser getrieben zur Abführung der  Wärme von dem Gleichrichter, und wenn die Tempe  ratur des Gleichrichters den Siedepunkt der Flüssig  keit 28 erreicht, welche in Kontakt mit der Gleich  richterzelle selbst und mit dem     Wärmeaustauschglied     8 steht, siedet die Flüssigkeit heftig und absorbiert  Wärme aus dem Gleichrichter in dem Masse, wie  die Flüssigkeit verdampft wird;

   dabei besteht die  Tendenz, die Temperatur der     Gleichrichterzelle    1 auf  den Siedepunkt der Flüssigkeit zu begrenzen und eine  örtliche Überhitzung irgendeines Teils der Gleich  richterzelle zu verhindern. Der Dampf steigt in Bla  sen durch die Flüssigkeit auf; beim Bestreichen der  Platte 12 wird er kondensiert und kehrt für .die  Wiederverdampfung     zurück.    Auf diese Weise wird  der Gleichrichter 1 durch die kombinierten Wirkun  gen der Verdampfung der Flüssigkeit und des Wasser  umlaufes sehr wirksam gekühlt, wobei eine unmittel  bare     Wärmeaustauschbeziehung    mit einer der An  schlussplatten des Gleichrichters besteht.  



  Es ist nun ersichtlich, dass sehr wirksame Küh  lungsmittel geschaffen wurden zur Abführung der in  einem     Halbleiter-Gleichrichtergerät    erzeugten Wärme,  so dass sehr hohe Betriebswerte erreicht werden kön  nen, ohne dass die erlaubte Höchsttemperatur des  Gleichrichters überschritten wird. Die oben beschrie  bene Anordnung hat ausserdem viele praktische Vor  teile, da sie vollständig in sich abgeschlossen ist und  keine äussern Wasseranschlüsse erfordert, so dass sie  leicht eingebaut oder sogar tragbar ausgebildet wer-      den kann und unabhängig ist von einer äussern Was  serzufuhr.

   Die Kühlung ist äusserst wirksam, da ein  grosser Teil der Wärme durch Verdampfung der Flüs  sigkeit 28     entfernt    wird, und der Wasserumlauf erhöht  die Kühlungswirkung erheblich, ohne dass ein grosses  Wasservolumen erforderlich ist. Sehr hohe Ströme  können auf diese Weise von dem Gleichrichter ge  führt werden. Es versteht sich natürlich, dass die  Dampfkühlung     allein    ausreichend sein kann, wenn       verhältnismässig        kleine    Verbraucher gespeist werden  sollen, und dass der Wasserumlauf in Zeiten geringen  Verbrauchs abgestellt werden kann.

   Es ist ausserdem  ersichtlich, dass, wenn     eine    ausreichende Wasser  zufuhr zur Verfügung steht, und wenn Anschlüsse an  ein äusseres Wassersystem nicht unerwünscht sind,  die Pumpe 23 und der     Wärmeaustauscher    24 wegge  lassen werden könnten und Wasser aus     einer    äussern  Quelle durch die Leitungen 10 und 11 zirkulieren  könnte.  



  Eine spezifische Verkörperung ist zum Zwecke  der Erläuterung dargestellt und beschrieben worden;  es ist jedoch ersichtlich, dass verschiedene Abwand  lungen     möglich    sind. So könnte, wie oben angedeutet,  jede Quelle einer Wasserzufuhr     verwendet    werden,  und wenn es erwünscht ist, können beide Anschluss  platten des Gleichrichters mit Wasserbehältern ver  sehen und durch Wasserumlauf zusätzlich zur Dampf  kühlung gekühlt werden. Dies würde eine geringe       Komplizierung    des Wassersystems mit sich bringen  infolge der Notwendigkeit, die     Gleichrichteranschlüsse     gegeneinander zu isolieren.

   Es könnte jedoch ein  Zuwachs an Ausgangsleistung in der Grössenordnung  von 20     "/o    auf diese Weise erreicht werden.

Claims (1)

  1. PATENTANSPRUCH Kühlvorrichtung für Halbleiteranordnungen, ins besondere für p-n-Leistungsgleichrichter, dadurch gekennzeichnet, dass der Gleichrichter in Wärmekon takt mit einer einen geschlossenen Behälter nur teil weise ausfüllenden Flüssigkeit steht, die beim Betrieb des Gleichrichters infolge der in diesem entstehen den Verlustwärme verdampft, und deren Dampf an mit der Umgebung in Wärmekontakt stehenden Flä chen im Behälterinnern wieder verdichtet wird, und dass ausserdem mindestens eine Anschlussplatte des Gleichrichters in Wärmekontakt mit einem Kühl wasserstrom steht. UNTERANSPRÜCHE 1.
    Kühlvorrichtung nach Patentanspruch, dadurch gekennzeichnet, dass mindestens eine Anschlussplatte des Gleichrichters flächenhaft mit einem Teil der Kühlwasserleitung verbunden ist. 2. Kühlvorrichtung nach Patentanspruch, dadurch gekennzeichnet, dass der Kühlwasserstrom in sich geschlossen ist und durch eine Pumpe gefördert wird. 3. Kühlvorrichtung nach Unteranspruch 2, da durch gekennzeichnet, dass der Kühlwasserstrom zur Rückkühlung einen Wasser-Luft-Wärmeaustauscher durchläuft. 4.
    Kühlvorrichtung nach Patentanspruch, dadurch gekennzeichnet, dass der Gleichrichter innerhalb der verdampfbaren Flüssigkeit angeordnet ist. 5. Kühlvorrichtung nach Unteranspruch 4, da durch gekennzeichnet, dass der Gleichrichter an seiner der verdampfbaren Flüssigkeit ausgesetzten Ober fläche Kühlrippen aufweist. 6. Kühlvorrichtung nach Patentanspruch, dadurch gekennzeichnet, dass im Dampfraum des Behälters eine gut wärmeleitende Platte angeordnet ist, die in Wärmekontakt mit der Kühlwasserleitung steht. 7. Kühlvorrichtung nach Patentanspruch, dadurch gekennzeichnet, dass die Kühleinrichtungen gleich zeitig zur Halterung des Gleichrichters und zur Bil dung seiner elektrischen Anschlüsse verwendet sind. B.
    Kühlvorrichtung nach Patentanspruch, dadurch gekennzeichnet, dass der Behälter mit einem Rohr stutzen zur Einfüllung der verdampfbaren Flüssigkeit versehen ist, der gleichzeitig einen elektrischen An schluss des Gleichrichters bildet. 9. Kühlvorrichtung nach Patentanspruch, insbe sondere für Germanium-Gleichrichter, dadurch ge kennzeichnet, dass als verdampfbare Flüssigkeit Tri- chlortrifluoräthan verwendet ist.
    10. Kühlvorrichtung nach Patentanspruch, insbe sondere für Silizium-Gleichrichter, dadurch gekenn zeichnet, dass als verdampfbare Flüssigkeit Perfluor- tributylamin verwendet ist. 11. Kühlvorrichtung nach Patentanspruch, insbe sondere für Silizium-Gleichrichter, dadurch gekenn zeichnet, dass als verdampfbare Flüssigkeit Perfluor- äther verwendet ist.
CH338903D 1954-10-04 1955-09-30 Kühlvorrichtung für Halbleiteranordnungen, insbesondere für p-n-Leistungsgleichrichter CH338903A (de)

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CH (1) CH338903A (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1185728B (de) * 1960-05-18 1965-01-21 Siemens Ag Halbleiteranordnung, insbesondere Flaechengleichrichter oder -transistor mit einem einkristallinen Halbleiterelement

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1185728B (de) * 1960-05-18 1965-01-21 Siemens Ag Halbleiteranordnung, insbesondere Flaechengleichrichter oder -transistor mit einem einkristallinen Halbleiterelement

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