[go: up one dir, main page]

BE1007251A3 - Straling-emitterende halfgeleiderdiode en werkwijze ter vervaardiging daarvan. - Google Patents

Straling-emitterende halfgeleiderdiode en werkwijze ter vervaardiging daarvan. Download PDF

Info

Publication number
BE1007251A3
BE1007251A3 BE9300664A BE9300664A BE1007251A3 BE 1007251 A3 BE1007251 A3 BE 1007251A3 BE 9300664 A BE9300664 A BE 9300664A BE 9300664 A BE9300664 A BE 9300664A BE 1007251 A3 BE1007251 A3 BE 1007251A3
Authority
BE
Belgium
Prior art keywords
active layer
radiation
layers
thickness
sep
Prior art date
Application number
BE9300664A
Other languages
English (en)
Inventor
Der Poel Carolus J Van
Adriaan Valster
Hubertus P M M Ambrosius
Original Assignee
Philips Electronics Nv
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Philips Electronics Nv filed Critical Philips Electronics Nv
Priority to BE9300664A priority Critical patent/BE1007251A3/nl
Priority to JP13310494A priority patent/JPH0722713A/ja
Priority to EP94201785A priority patent/EP0637112B1/en
Priority to DE69412946T priority patent/DE69412946T2/de
Priority to CN94107236A priority patent/CN1099906A/zh
Priority to AU65901/94A priority patent/AU675531B2/en
Priority to US08/266,043 priority patent/US5545903A/en
Priority to TW083107401A priority patent/TW299516B/zh
Application granted granted Critical
Publication of BE1007251A3 publication Critical patent/BE1007251A3/nl

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y20/00—Nanooptics, e.g. quantum optics or photonic crystals
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
    • H01S5/32—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures
    • H01S5/323—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser
    • H01S5/32308—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser emitting light at a wavelength less than 900 nm
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
    • H01S5/34—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers
    • H01S5/343—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
    • H01S5/34—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers
    • H01S5/343—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser
    • H01S5/34313—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser with a well layer having only As as V-compound, e.g. AlGaAs, InGaAs
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
    • H01S5/32—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures
    • H01S5/3211—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures characterised by special cladding layers, e.g. details on band-discontinuities
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
    • H01S5/32—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures
    • H01S5/323—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser
    • H01S5/32308—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser emitting light at a wavelength less than 900 nm
    • H01S5/32316—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser emitting light at a wavelength less than 900 nm comprising only (Al)GaAs
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
    • H01S5/34—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers
    • H01S5/343—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser
    • H01S5/34313—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser with a well layer having only As as V-compound, e.g. AlGaAs, InGaAs
    • H01S5/3432—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser with a well layer having only As as V-compound, e.g. AlGaAs, InGaAs the whole junction comprising only (AI)GaAs

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Biophysics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Led Devices (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)

Abstract

Straling-emitterende halfgeleiderdioden worden, als laserdiode of LED, onder meer toegepast optische schijf systemen, laserprinters en streepjescode lezers. De emissie golflengte ligt hierbij bij voorkeur in het zichtbare deel van het spectrum. Bekende dioden bevatten een actieve laag (3A) en opsluitlagen (2,4) die hetzij A1GaAs hetzij InA1GaP bevatten. Deze bekende dioden hebben het nadeel dat zij een deel van het zichtbare spectrum tussen 880 en 600 nm niet bestrijken. Een diode volgens de uitvinding bevat een dat de actieve laag (3A) die A1xGa1-xAs bevat en opsluitlagen (2,4) die A1yGawIn1-y-wP bevatten terwijl de actieve laag (3A) een zodanig aluminium gehalte (x) bevat en een zodanige dikte (d) heeft dat de golflengte van de photo-luminescentie emissie ligt tussen ongeveer 770 en 690 nm. Dergelijke dioden resulteren in het beschikbaar zijn van goed werkende, een hoog vermogen leverende en eenvoudig te vervaardigen (laser)dioden in het gehele spectrum van ongeveer 880 nm tot 600 nm. Bij voorkeur omvat de actieve laag een (multi) quantumput structuur van afwisselende quantumput lagen en barrière lagen die beiden A1GaAs bevatten, naar met verschillende

Description


   <Desc/Clms Page number 1> 
 



  Straling-emitterende halfgeleiderdiode en werkwijze ter vervaardiging daarvan. 



   De uitvinding heeft betrekking op een straling-emitterende halfgeleiderdiode, verder veelal kortweg diode genoemd, omvattende een halfgeleiderlichaam met een halfgeleidersubstraat van een eerste geleidingstype waarop zieh een halfgeleiderlagenstructuur bevindt die achtereenvolgens tenminste omvat een eerste opsluitlaag van het eerste geleidingstype, een actieve laag die in het zichtbare deel van het spectrum emitteert, een tweede opsluitlaag van een tweede, aan het eerste tegengestelde, geleidingstype waarbij de eerste en de tweede opsluitlaag van middelen voorzien zijn voor een electrische aansluiting. 



   Zulke straling-emitterende dioden vormen, in het bijzonder wanneer ze als laser zijn uitgevoerd en wanneer de golflengte van de emissie ligt in het zichtbare deel van het spectrum, geschikte stralingsbronnen voor verschillende toepassingen : als stralingsbron in optische schijf systemen, als pomplaser voor vaste stof lasers of als   straling-   bron in sommige medische-analytische of therapeutische-toepassingen waar een intense bron met een nagenoeg lijnvormig spectrum gewenst wordt. Ook voor als LED uitgevoerde dioden zijn er talrijke toepassingen. 



   Een dergelijke straling-emitterende diode is bekend uit "Semiconductor lasers and heterojunction LEDs"door H. Kressel en J. Butler, Academic Press 1977, p. 505-506. De daar beschreven diode bevat een GaAs substraat met daarop een tussen AlGaAs opsluitlagen gelegen actieve laag van AlGaAs. Zoals in de figuur op die pagina getoond, bestrijkt een dergelijke diode, afhankelijk van het aluminium gehalte in de actieve laag, het deel van het zichtbare spectrum boven een photo-luminescentie golflengte van ongeveer 770 nm, overeenkomend met een laseremissie golflengte van ongeveer 780 nm. Onder deze golflengte zijn geen goed werkende dioden realiseerbaar door verlies aan opsluiting. Sinds een aantal jaren zijn naast bovengenoemde dioden op een GaAs substraat ook dioden met een tussen InAlGaP opsluitlagen gelegen actieve laag van InAlGaP bekend, bijvoorbeeld uit het artikel van H.

   Hamada et al., IEE Journal of Quantum Electronics, vol. 27, no. 6,1991, pp. 1483-
1490. De gerealiseerde emissie golflengte van dergelijke dioden varieert van ongeveer 

 <Desc/Clms Page number 2> 

 680 nm tot ongeveer 600 nm. Wanneer de actieve laag InGaP bevat (aluminium gehalte = 0) en wanneer daaraan een compressie spanning gegeven wordt (indium gehalte > 50 at. %) kan de emissie golflengte tot ongeveer 690 nm, overeenkomend met een laser emissie bij ongeveer 700 nm, verhoogd worden. 



   Een nadeel van de bekende dioden is dat daarmee een deel van het tussen 880 en 600 nm gelegen deel van het zichtbare spectrum niet bestreken wordt, namelijk het tussen ongeveer 770 nm en 690 nm gelegen deel. De bekende lasers die in dit deel emitteren (laser emissie golflengte van ongeveer 780 tot ongeveer 700 nm) hebben een zodanig hoge startstroom dat zij niet geschikt zijn voor de genoemde toepassingen, met name niet voor die van de hierboven genoemde toepassingen waarbij een hoog emissie vermogen gewenst is, zoals de genoemde medische toepassing en de toepassing als pomplaser. 



   De onderhavige uitvinding beoogt onder meer een straling-emitterende halfgeleiderdiode-met name een halfgeleiderlaserdiode-te realiseren die het genoemde bezwaar niet of althans in veel mindere mate heeft en dus een photo-luminescentie emissie-golflengte hebben die ligt tussen ongeveer 770 en 690 nm. 



   Een straling-emitterende halfgeleiderdiode van de in de aanhef bekende soort heeft daartoe volgens de uitvinding het kenmerk dat de actieve laag AlxGal-xAs bevat, de opsluitlagen   A1yGawInl-y-wP   bevatten en de actieve laag een zodanig aluminium gehalte (x) bevat en een zodanige dikte (d) heeft dat de golflengte van de photo-luminescentie emissie ligt tussen ongeveer 770 en 690 nm. De uitvinding berust onder meer op het inzicht dat het beoogde doel kan worden gerealiseerd door een AlGaAs actieve laag te combineren met InAlGaP opsluitlagen. Dankzij de ten opzichte van AlGaAs relatief hoge bandgap van InAlGaP, kan een relatief lage emissie golflengte, gerealiseerd worden terwijl de opsluiting voldoende is om goed werkende en een relatief hoog vermogen leverende (laser) dioden te realiseren.

   Door de actieve laag een geschikt aluminium gehalte (x) en een geschikte dikte (d) te geven is emissie in het gewenste deel van het spectrum mogelijk. Met dergelijke combinaties van samenstelling en dikte, die bij de bekende AlGaAs dioden niet tot een bruikbare diode leiden, zijn dioden verkregen die behalve dat zij in het genoemde deel van het golflengte gebied emitteren, ook overigens zeer goede eigenschappen, zoals een lage startstroom, en een hoge levensduur bezitten en die een hoog vermogen kunnen leveren. 

 <Desc/Clms Page number 3> 

 
 EMI3.1 
 Opgemerkt wordt dat uit het artikel van K. Itay et al., Appl. Phys. Lett. 62 .. emerkt 1993, pp. 2176-2178. een straling-emitterende diode bekend is die een tussen InAlGaP opsluitlagen gelegen actieve laag bevat die geen InAlGaP bevat. De actieve laag bevat evenzeer geen AlGaAs maar GaAs.

   Met een dergelijke actieve laag kan geen emissie in het golflengte gebied volgens de uitvinding verkregen worden. Bij de getoonde dikte van de actieve laag   (0, 055 Am)   treedt geen verlaging van de emissie golflengte op ten opzichte van de emissie golflengte van bulk GaAs (ongeveer 880 nm). Ook is het doel van de in dit artikel beschreven diode, namelijk het realiseren van een zo gering mogelijke temperatuur afhankelijkheid van de startstroom van een GaAs diode, kortom een ander doel dan het doel van de onderhavige uitvinding. 



   Een belangrijke uitvoeringsvorm van een diode volgens de uitvinding heeft het kenmerk dat het aluminium gehalte (x) van de actieve laag tenminste ongeveer 14, 8 at. % bedraagt terwijl de dikte (d) van de actieve laag tenminste ongeveer 20 nm bedraagt. Dergelijke dioden vertonen photo-luminescentie bij een golflengte van ten hoogste ongeveer 770 nm, hetgeen impliceert dat de laser emissie ten hoogste bij ongeveer 780 nm plaats vindt. Deze aantrekkelijke emissie golflengte is mogelijk bij een relatief grote dikte van de actieve laag, namelijk een dikte groter dan ongeveer 20 nm. 



  Dergelijke relatief dikke lagen kunnen zeer gemakkelijk en goed reproduceer-baar worden aangebracht, hetgeen een belangrijk voordeel is. Met een aluminium gehalte (x) van de actieve laag dat tenminste ongeveer 18, 0 at. % bedraagt is, bij dezelfde dikte (d) van de actieve laag, een emissie golflengte bereikbaar die ten hoogste ongeveer 750 nm bedraagt, overeenkomend met een laser emissie van ten hoogste ongeveer 760 nm. Een dergelijke diode is bijzonder geschikt voor de hierboven genoemde medische toepassing aangezien deze golflengte vrijwel exact samenvalt met het absorptie spectrum van een voor die toepassing zeer geschikte   kleurstof.   



   Een bijzonder gunstige uitvoeringsvorm heeft het kenmerk dat het aluminium gehalte (x) van de actieve laag ligt tussen ongeveer 1 en ongeveer 15 at. %, de actieve laag een quantumput structuur bezit en de dikte van een quantumput ongeveer 2, 5 nm bedraagt. Een dergelijke relatief dikke quantumput laag heeft allereerst het voordeel dat deze met de thans gebruikelijke depositietechniek OMVPE (=Organo Metallic Vapour Phase Epitaxy) nog relatief gemakkelijk gerealiseerd kan worden. Bovendien is heeft een kleine variatie in de dikte, bij ongeveer 2, 5 nm dikke quantumputlagen, nog aanvaardbaar.

   Beneden 2, 5 nm verandert de emissie golflengte zeer sterk met de dikte 

 <Desc/Clms Page number 4> 

 waardoor variaties in de dikte tot grote variaties van de emissie golflengte leiden, hetgeen ongewenst is.   E. e. a   brengt mee dat deze uitvoeringsvorm zieh bijzonder leent voor vervaardiging op industriële schaal. Tevens is in deze uitvoeringsvorm emissie binnen het gewenste golflengte gebied mogelijk bij een relatief laag aluminium gehalte (x) van de actieve laag. Dit heeft belangrijke voordelen zoals een geringe interne- en spiegeldegradatie. In een verdere variant ligt het aluminium gehalte van de actieve laag tussen ongeveer 5 en ongeveer 20 at. % terwijl de dikte van een quantumput ongeveer 4 nm bedraagt.

   Laatstgenoemde dikte is nog gemakkelijker te vervaardigen, terwijl de voor het aluminium gehalte genoemde range, emissie mogelijk maakt tussen ongeveer 765 en 715 nm. 



   Bij voorkeur wordt binnen de twee laatstgenoemde varianten gebruikt gemaakt van een multi quantumput structuur voor de actieve laag met tenminste 4 quantumput lagen die van elkaar gescheiden zijn door barrière lagen die   Ga1-zAs   bevatten met een aluminium gehalte (z) van tenminste ongeveer 40 at. % en een dikte tussen ongeveer 4 en 50 nm. Een dergelijke structuur en dergelijke barrière lagen resulteren in dioden met een groot emissie vermogen, hetgeen voor veel toepassingen gewenst is. De quantumput structuur is, met hetzelfde doel, bij voorkeur van de opsluitlagen gescheiden met behulp van   zogenaamde"afzonderlijke"opsluitlagen   die evenals de barrière lagen AlGaAs bevatten met hetzelfde aluminium gehalte als laatstgenoemde lagen, terwijl de dikte van de afzonderlijke opsluitlagen ligt tussen 5 en 100 nm. 



   In een zeer gunstige variant van uitvoeringsvormen waarin de actieve laag een (multi) quantumput structuur bezit, bevat de actieve laag tevens phosphor en is het phosphor gehalte ten hoogste ongeveer 30 at. %. Dergelijke AlGaAsP bevattende actieve lagen resulteren in een relatief lage emissie golflengte bij een lager aluminium gehalte dan ingeval van een phosphor vrije actieve laag. De voordelen van een laag aluminium gehalte zijn hierboven reeds genoemd. Daarnaast resulteert de toevoeging van phosphor in een (tensie) spanning in de actieve laag die, in het geval van laserdioden, een startstroom verlagende werking kan hebben. 



   Bij voorkeur bezit de actieve laag een dikte niet groter is dan ongeveer 0, 05   gm.   Bij dergelijke geringe dikte wordt een laser diode verkregen met een relatief cirkel symmetrisch ver veld patroon zonder dat-zoals bij conventionele laserdioden met dergelijke geringe actieve laagdikte - de startstroom excessief toeneemt. Het oppervlak van het actieve gebied ligt bij voorkeur tussen ongeveer 25x500   nr en 100x500 m2.   

 <Desc/Clms Page number 5> 

 



  Laserdioden volgens de uitvinding en met een dergelijk oppervlak resulteren in bijzonder hoge emissie vermogens welke met conventionele dioden niet te realiseren zijn en waardoor de dioden volgens de uitvinding bijzonder geschikt zijn voor de genoemde toepassingen. 



   In al de genoemde varianten bezit de opsluitlaag bij voorkeur een zo groot mogelijk aluminium gehalte (y). Een nog gunstige bovenwaarde wordt gevormd door een aluminium gehalte (y) van ongeveer 35 at. %. Het indium gehalte bedraagt steeds ongeveer 50 at. % waardoor de relatief dikke opsluitlagen dezelfde roosterconstante als het substraat bezitten. 



   Voor de meeste van de genoemde toepassingen is veeleer een laser dan een LED gewenst. Een   voorkeursuitvoering   van een diode volgens de uitvinding betreffen dan ook laserdiode. 



   Een werkwijze voor het vervaardigen van een straling-emitterende halfgeleiderdiode waarbij op een halfgeleidersubstraat achtereen een eerste opsluitlaag van een eerste geleidingstype, een actieve laag die in het zichtbare deel van het emissie spectrum emitteert en een tweede opsluitlaag van een tweede, aan het eerste tegengestelde, geleidingstype worden aangebracht waarna de opsluitlagen van middelen voorzien worden voor een electrische aansluiting, heeft volgens de uitvinding het kenmerk, dat voor het halfgeleidermateriaal van de actieve laag   AIxGa1-xAs   en voor het halfgeleidermateriaal van de opsluitlagen   AlyGawIn1oyowP   gekozen wordt en het aluminium gehalte (x) en de dikte (d) van de actieve laag zodanig gekozen worden dat de golflengte van de emissie ligt tussen ongeveer 770 en 690 nm.

   Hiermee worden op eenvoudige wijze de dioden volgens de uitvinding verkregen. 



   Van de uitvinding zal thans een nadere toelichting volgen aan de hand van een uitvoeringsvoorbeeld en de daarbij behorende tekening, waarin figuur 1 in dwarsdoorsnede een uitvoering van een straling-emitterende halfgeleiderdiode volgens de uitvinding toont ; figuur 2 de licht output versus de stroom van een straling-emitterende halfgeleiderdiode volgens de uitvinding (curve 21) en dezelfde karakteristiek voor een conventionele diode (curve 22) met ongeveer dezelfde emissie golflengte toont. 



   De figuren zijn schematisch en niet op schaal getekend, waarbij in het bijzonder de afmetingen in de dikterichting ter wille van de duidelijkheid zijn overdreven. 

 <Desc/Clms Page number 6> 

 
 EMI6.1 
 



  Overeenkomstige delen zijn als regel in de verschillende voorbeelden met hetzelfde verwijzingscijfer aangeduid. Halfgeleidergebieden van hetzelfde geleidingstype als regel in dezelfde richting gearceerd. 



  Figuur 1 toont in dwarsdoorsnede een eerste uitvoering van een stralingemitterende halfgeleiderdiode volgens de uitvinding. De halfgeleiderdiode omvat een halfgeleiderlichaam 10 met een van een aansluitgeleider 8 voorzien substraat 1 van een eerste, hier het n-, geleidingstype en in dit voorbeeld bestaande uit éénkristallijn galliumarsenide. Daarop is aangebracht een halfgeleiderlagenstructuur welke onder meer een eerste opsluitlaag 2 van een eerste, hier het n-, geleidingstype, een actieve laag die in het zichtbare deel van het spectrum emitteert, en een tweede opsluitlaag 4 van een tweede, hier het p-, geleidingstype.

   Volgens de uitvinding bevat de actieve laag 3A AIxGal-xAs en bevatten de opsluitlagen 2, lnl-Y-wP en bevat de actieve laag 3A een zodanig aluminium gehalte (x) en bezit een zodanige dikte (d) dat de golflengte van de photo-luminescentie emissie ligt tussen ongeveer 770 en 690 nm. Hierdoor bestrijkt een diode volgens de uitvinding een belangrijke leemte in het zichtbare deel van het spectrum. In dit voorbeeld is het aluminium gehalte (x) van de actieve laag tenminste 5 at. % en ten hoogste 20 at. %, hier 8 at. %, bevat de actieve laag 3A een quantumput structuur, en is de dikte van een quantumput laag ongeveer 4 nm. Hier bevat de actieve laag 3A 4 quantumput lagen die van elkaar gescheiden zijn door barrière lagen van AGaAs met een aluminium gehalte (z) van tenminste ongeveer 40 at. %, hier 40 at. 



  De actieve laag 3A is van de opsluitlagen 2, gescheiden door middel van afzonderlijke opsluitlagen 3B van AlGal-zAs met een aluminium gehalte (z) van eveneens tenminste ongeveer 40 at. %, hier 40 at. %, en met een dikte liggend tussen ongeveer 5 en 100 nm, hier 9 nm dik. Mede dankzij deze afzonderlijke opsluitlagen kan de diode van dit voorbeeld een bijzonder groot volgens optisch vermogen leveren, hetgeen voor veel toepassingen een belangrijk voordeel is. Dat de afzonderlijke opsluitlagen 3B AlGaAs bevatten in plaats van evenals de opsluitlagen InAlGaP levert een belangrijk voordeel bij de vervaardiging aangezien deze relatief dikke AlGaAs lagen 3B ongeacht het aluminium gehalte nagenoeg dezelfde roosterconstante bezitten als het GaAs substraat 1. De photo-luminescentie golflengte van de diode van dit voorbeeld bedraagt ongeveer 740 nm.

   De diode is hier uitgevoerd als laserdiode en de golflengte 

 <Desc/Clms Page number 7> 

 van de laser-emissie bedraagt ongeveer 750 nm. Een uitvoering als laser, zoals in dit voorbeeld, is bijzonder aantrekkelijk daar laserdiodes zeer geschikt zijn voor de in de inleiding genoemde toepassingen binnen het genoemde golflengte gebied. Op de tweede tussenlaag bevindt zieh een dunne tussenlaag 5 van InGaP met ongeveer 50 at. % indium en een contactlaag 6 van p-type GaAs. In dit voorbeeld bevatten de opsluitlagen 2 en 4   Ino, 5Alo, 35Gao, nP.    



   Op de contactlaag 6 bevindt zieh een isolerende laag 9, hier van siliciumdioxide, waarin zieh een strookvormige opening bevindt met een breedte van ongeveer 25   gm.   Daarover strekt zieh een geleidende laag 7 uit waarop zieh een-niet in de figuur weergegeven   aansluitgeleider - bevindt. Een dergelijke   aansluitgeleider bevindt zieh ook op een verdere geleidende laag 8 die op het substraat 1 is aangebracht. Tussen het substraat 1 en de eerste opsluitlaag 2 bevindt zieh hier een bufferlaag 11 van   AlGaAs   met een aluminium gehalte (t) van ongeveer 20 at. %.

   Binnen het   halfgeleiderlichaam   10 bevindt zieh een strookvormig gebied 12 waarbinnen zieh een pn-overgang bevindt die bij voldoend hoge stroomsterkte in de doorlaatrichting leidt tot emissie van electromagnetische straling, hier laserstraling omdat het - in het vlak van tekening liggendevoor-en achtervlak van de diode als spiegelvlak is uitgevoerd.

   In dit voorbeeld zijn de volgende samenstellingen, doteringen en dikten voor de diverse halfgeleiderlagen toegepast. 

 <Desc/Clms Page number 8> 

 
 EMI8.1 
 
<tb> 
<tb> Laag <SEP> Halfgeleider <SEP> Type <SEP> Doterings-Dikte <SEP> Bandgap
<tb> concentr. <SEP> (bulk)
<tb> (at/cm3) <SEP> (jim) <SEP> (eV)
<tb> 1 <SEP> GaAs <SEP> N <SEP> 2x10"150 <SEP> 1, <SEP> 4 <SEP> 
<tb> 11 <SEP> Alo, <SEP> 20Gao, <SEP> soAs <SEP> N <SEP> 2x1018 <SEP> 0, <SEP> 1 <SEP> 1, <SEP> 7 <SEP> 
<tb> 2 <SEP> In0,50Al0,35Ga0,15P <SEP> N <SEP> 5x1017 <SEP> 0, <SEP> 8 <SEP> 2, <SEP> 3 <SEP> 
<tb> 3B <SEP> Alo, <SEP> 4oGao, <SEP> roAs <SEP> - <SEP> - <SEP> 0, <SEP> 009 <SEP> 1, <SEP> 9 <SEP> 
<tb> 3A <SEP> Alo, <SEP> 08Gao, <SEP> o92As <SEP> (4x)--0, <SEP> 004 <SEP> 1, <SEP> 5 <SEP> 
<tb> Al0,40Ga0,60As <SEP> (3x) <SEP> - <SEP> - <SEP> 0,0045 <SEP> 1,9
<tb> 3B <SEP> Al0,40Ga0,60As <SEP> - <SEP> - <SEP> 0,

  009 <SEP> 1,9
<tb> 4 <SEP> In0,5Al0,35Ga0,15P <SEP> P <SEP> 3x1017 <SEP> 0,8 <SEP> 2,3
<tb> 5 <SEP> Ino,GaP <SEP> P <SEP> 1x1018 <SEP> 0, <SEP> 1 <SEP> 1, <SEP> 9 <SEP> 
<tb> 6 <SEP> GaAs <SEP> P <SEP> 2x <SEP> 1018 <SEP> 0, <SEP> 5 <SEP> 1, <SEP> 4 <SEP> 
<tb> 
 
De geleidende laag 8 op het substraat 1 is in dit voorbeeld een goud-germanium-nikkellaag, met een dikte van ongeveer   1000  A.   De geleidende laag 7 is in dit voorbeeld een platina-, een tantaal-en een goudlaag laag met een dikte van respectievelijk ongeveer 1000, ongeveer 500 en ongeveer 2500 A. 



   De beschreven straling-emitterende halfgeleiderdiode wordt als volgt volgens de uitvinding vervaardigd (zie figuur   1).   Uitgegaan wordt van een (001) substraat 1 van   éénkristallijn   n-type galliumarsenide. Na polijsten en etsen van het oppervlak dat de (001) oriëntatie heeft wordt hierop bijvoorbeeld vanuit de gasfase met behulp van OMVPE (= Organo Metalic Vapour Phase Epitaxy) en bij een groeitemperatuur van 760 C de volgende halfgeleiderlagenstructuur aangebracht : allereerst een bufferlaag 11 van AlGaAs.

   Vervolgens een eerste opsluitlaag 2 van InAlGaP, een afzonderlijke opsluitlaag 3B van AlGaAs, een actieve laag 3 met 4 AlGaAs quantumput lagen die van elkaar gescheiden worden door 3 barrière lagen van AlGaAs, wederom een afzonderlijke opsluitlaag 3B van AlGaAs een tweede opsluitlaag 4 van InAlGaP, een tussenlaag 5 van InGaP en een contactlaag 6 van GaAs. Voor de keuze van de samenstelling, geleidingstype, doteringsconcentratie, dikte en bandgap van de halfgeleiderlagen wordt verwezen naar de hierboven opgenomen tabel en de   beschrijving   van figuur 1. Na 

 <Desc/Clms Page number 9> 

 verwijderen van de structuur uit de aangroei apparatuur wordt hierop bijvoorbeeld door middel van sputteren een 0,   1 m   dikke isolerende laag 9 van siliciumdioxide aangebracht.

   Met behulp van photolithografie en etsen wordt daarin een strookvormige opening gevormd met een breedte van   25 ism   en waarvan de lengte as loodrecht staat op het vlak van tekening van figuur 1. Na reiniging van de structuur worden de geleidende lagen 7 en 8 bijvoorbeeld door sputteren aangebracht. Na klieven zijn de individuele straling-emitterende dioden - in dit geval laserdioden van het gain-guided type-voor afmontage beschikbaar. 



   Figuur 2 toont de licht output versus de stroom van een straling-emitterende halfgeleiderdiode volgens de uitvinding (curve 21), hier de laserdiode van het uitvoeringsvoorbeeld, en dezelfde karakteristiek voor een conventionele diode (curve 22) met een actieve laag en opsluitlagen van AlGaAs. De laserdiode volgens de uitvinding emitteert bij 750 nm, de conventionele diode is eveneens als laser uitgevoerd maar emitteert bij ongeveer 760 nm.

   De curven zijn CW (=Continous Working) gemeten bij   60  C.   De (laser) diode volgens de uitvinding (curve 21) bezit een zeer geringe startstroom (50 mA bij   60  C)   overeenkomend met een startstroomdichtheid van 0, 4   kA/cm2.   De conventionele laserdiode (curve 22) bezit een hoge startstroom van meer dan 200 mA bij 60    C   overeenkomend met een startstroom-dichtheid van   1, 6 kA/cm2.   



  Wanneer de conventionele laserdiode, evenals de laser volgens de uitvinding, zou emitteren bij ongeveer 750 nm zou deze een nog circa tweemaal hogere startstroom en startstroom-dichtheid bezitten. Een dergelijke diode zou-in tegenstelling tot de diode volgens de uitvinding - niet bruikbaar zijn voor de beoogde toepassingen. Deze metingen laten zien dat een diode volgens de uitvinding een emissie golflengte in het gebied van 770 nm tot 690 nm kan bezitten, terwijl de relatief lage startstroom en het relatief hoge opgewekt vermogen resulteren in een voor de genoemde toepassingen bruikbare diode. 



   De uitvinding is niet beperkt tot de gegeven uitvoeringsvoorbeelden, daar voor de vakman binnen het kader van de uitvinding vele modificaties en variaties mogelijk zijn. Zo kunnen andere samenstellingen van de gekozen halfgeleidermaterialen dan de in het voorbeeld genoemde worden toegepast. Ook kunnen de geleidingstypen alle (tegelijk) door hun tegengestelde worden vervangen. Ook kunnen andere structuren zoals een ribbel structuur worden toegepast. Al naar gelang de toepassing kan voor een LED uitvoering of een laser uitvoering van een straling-emitterende halfgeleiderdiode 

 <Desc/Clms Page number 10> 

 volgens de uitvinding gekozen worden. Binnen de uitvoering als laserdiode kan zowel een gain-guided als een index-guided structuur worden toegepast.

   Tenslotte moet nog opgemerkt worden dat de in de uitvoerings-voorbeelden gebezigde methoden om de halfgeleiderlagen aan te brengen ook een andere dan de MOVPE techniek kan zijn. Zo kan behalve MOVPE ook MOMBE (= Metal Organic Molecular Beam Epitaxy), MBE (= Molecular Beam Epitaxy) VPE (= Vapour Phase Epitaxy) of LPE (= Liquid Phase Epitaxy) worden toegepast.

Claims (12)

  1. Conclusies : EMI11.1 1. Straling-emitterende halfgeleiderdiode omvattende een halfgeleiderlichaam (10) met een halfgeleidersubstraat (1) van een eerste geleidingstype waarop zieh een halfgeleiderlagenstructuur bevindt die achtereenvolgens tenminste omvat een eerste opsluitlaag (2) van het eerste geleidingstype, een actieve laag (3A) die in het zichtbare deel van het spectrum emitteert, en een tweede opsluitlaag (4) van een tweede, aan het eerste tegengestelde, geleidingstype waarbij de eerste en de tweede opsluitlaag (2, van middelen (5, voor een electrische aansluiting voorzien zijn, met het kenmerk, dat de actieve laag (3A) Algal bevat, de opsluitlagen (2, bevatten en de actieve laag (3A) een zodanig aluminium gehalte (x) bevat en een zodanige dikte (d) heeft dat de golflengte van de photo-luminescentie emissie ligt tussen ongeveer 770 en 690 nm.
  2. 2. Straling-emitterende halfgeleiderdiode volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat het aluminium gehalte (x) van de actieve laag (3A) tenminste ongeveer 14, at. % bedraagt en de dikte van de actieve laag (3A) tenminste ongeveer 20 nm bedraagt.
  3. 3. Stra1ing-emitterende halfgeleiderdiode volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat het aluminium gehalte (x) van de actieve laag (3A) tenminste ongeveer 18, at. % bedraagt en de dikte van de actieve laag (3A) tenminste ongeveer 20 nm bedraagt.
  4. 4. Straling-emitterende halfgeleiderdiode volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat het aluminium gehalte (x) van de actieve laag (3A) tenminste ongeveer 1 at. % en ten hoogste ongeveer 15 at. % bedraagt, de actieve laag (3A) een quantumput structuur bezit en de dikte van een quantumput ten minste ongeveer 2, nm bedraagt.
  5. 5. Straling-emitterende halfgeleiderdiode volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat het aluminium gehalte (x) van de actieve laag (3A) tenminste ongeveer 5 at. % en ten hoogste ongeveer 20 at. % bedraagt, de actieve laag (3A) een quantumput structuur bezit en de dikte van een quantumput tenminste ongeveer 4 nm bedraagt.
  6. 6. Straling-emitterende halfgeleiderdiode volgens conclusie 4 of 5, met het kenmerk, dat de actieve laag (3A) een multi quantumput structuur heeft met tenminste 4 qantumput lagen van A1xGal-xAs, met het genoemde aluminium gehalte (x) en de <Desc/Clms Page number 12> genoemde dikte (d), die van elkaar gescheiden zijn door barriere lagen van Ga1-zAs met een aluminium gehalte (z) van tenminste ongeveer 40 at. % en een dikte tussen 4 en 50 nm.
  7. 7. Straling-emitterende halfgeleiderdiode volgens conclusie 4,5 of 6, met het kenmerk, dat zieh tussen de actieve laag (3A) en de opsluitlagen (2, 4) afzonderlijke opsluitlagen (3B) bevinden van AGaAs met een aluminium gehalte (z) van tenminste ongeveer 40 at. % en met een dikte liggend tussen ongeveer 5 en 100 nm.
  8. 8. Straling-emitterende halfgeleiderdiode volgens conclusie 4,5 6, of 7 met het kenmerk, dat de actieve laag (3A) tevens phosphor bevat en het phosphor gehalte ten hoogste ongeveer 30 at. % bedraagt.
  9. 9. Straling-emitterende halfgeleiderdiode volgens een der voorafgaande conclusies, met het kenmerk, dat de dikte van de actieve laag kleiner is dan ongeveer 0, 05 J-tm.
  10. 10. Straling-emitterende halfgeleiderdiode volgens een der voorafgaande conclusies, met het kenmerk, dat het oppervlak van het actieve gebied ligt tussen 25x500 Ad en l00x500 J-tm2.
  11. 11. Straling-emitterende halfgeleiderdiode volgens een der voorafgaande conclusies, met het kenmerk, dat het aluminium gehalte (y) van de opsluitlagen (3B) ten hoogste ongeveer 35 at. % bedraagt en het indium gehalte (w) ongeveer 50 at. % bedraagt.
  12. 12. Werkwijze voor het vervaardigen van een straling-emitterende halfgeleiderdiode waarbij op een halfgeleidersubstraat een halfgeleiderlagenstructuur wordt aangebracht van achtereenvolgens een eerste opsluitlaag (2) van een eerste geleidingstype, een actieve laag (3A) van een in het zichtbare deel van het spectrum emitterend materiaal en een tweede opsluitlaag (4) van een tweede, aan het eerste tegengestelde, geleidingstype, waarna de opsluitlagen (2, 4) van middelen (5, 6, 7, 8) voor een electrische aansluiting voorzien worden, met het kenmerk, dat voor het halfgeleidermateriaal van de actieve laag (3A) AlxGal xAs en voor het halfgeleidermateriaal van de opsluitlagen (2, 4) AlyGawIn1-y-wP gekozen wordt en het aluminium gehalte (x) en de dikte (d) van de actieve laag (3A)
    zodanig gekozen worden dat de golflengte van de emissie ligt tussen ongeveer 770 en 690 nm.
BE9300664A 1993-06-28 1993-06-28 Straling-emitterende halfgeleiderdiode en werkwijze ter vervaardiging daarvan. BE1007251A3 (nl)

Priority Applications (8)

Application Number Priority Date Filing Date Title
BE9300664A BE1007251A3 (nl) 1993-06-28 1993-06-28 Straling-emitterende halfgeleiderdiode en werkwijze ter vervaardiging daarvan.
JP13310494A JPH0722713A (ja) 1993-06-28 1994-06-15 発光半導体ダイオード及びその製造法
EP94201785A EP0637112B1 (en) 1993-06-28 1994-06-22 Radiation-emitting semiconductor diode and method of manufacturing same
DE69412946T DE69412946T2 (de) 1993-06-28 1994-06-22 Lichtemittierende Halbleiterdiode und Herstellungsverfahren
CN94107236A CN1099906A (zh) 1993-06-28 1994-06-24 辐射二极管及其制造方法
AU65901/94A AU675531B2 (en) 1993-06-28 1994-06-24 Radiation-emitting semiconductor diode and method of manufacturing same
US08/266,043 US5545903A (en) 1993-06-28 1994-06-27 Radiation-emitting semiconductor diode and method of manufacturing same
TW083107401A TW299516B (nl) 1993-06-28 1994-08-12

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
BE9300664A BE1007251A3 (nl) 1993-06-28 1993-06-28 Straling-emitterende halfgeleiderdiode en werkwijze ter vervaardiging daarvan.

Publications (1)

Publication Number Publication Date
BE1007251A3 true BE1007251A3 (nl) 1995-05-02

Family

ID=3887135

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
BE9300664A BE1007251A3 (nl) 1993-06-28 1993-06-28 Straling-emitterende halfgeleiderdiode en werkwijze ter vervaardiging daarvan.

Country Status (8)

Country Link
US (1) US5545903A (nl)
EP (1) EP0637112B1 (nl)
JP (1) JPH0722713A (nl)
CN (1) CN1099906A (nl)
AU (1) AU675531B2 (nl)
BE (1) BE1007251A3 (nl)
DE (1) DE69412946T2 (nl)
TW (1) TW299516B (nl)

Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08288544A (ja) 1995-04-14 1996-11-01 Toshiba Corp 半導体発光素子
KR100357979B1 (ko) * 1996-01-08 2003-01-15 삼성전자 주식회사 반도체 레이저 다이오드 및 그 제조 방법
JP2002075880A (ja) * 2000-09-01 2002-03-15 Sanyo Electric Co Ltd 窒化物系半導体層の形成方法および窒化物系半導体素子の製造方法
US6944197B2 (en) * 2001-06-26 2005-09-13 University Of Maryland, Baltimore County Low crosstalk optical gain medium and method for forming same
JP2003273467A (ja) * 2002-03-15 2003-09-26 Toshiba Corp 半導体レーザおよびその製造方法
JP2007129270A (ja) * 2007-02-09 2007-05-24 Sharp Corp 半導体レーザ素子及びその製造方法
KR100962898B1 (ko) 2008-11-14 2010-06-10 엘지이노텍 주식회사 반도체 발광소자 및 그 제조방법
USRE48774E1 (en) 2008-11-14 2021-10-12 Suzhou Lekin Semiconductor Co., Ltd. Semiconductor light emitting device
JP5586371B2 (ja) * 2009-09-15 2014-09-10 昭和電工株式会社 発光ダイオード、発光ダイオードランプ及び照明装置
TWI562398B (en) 2009-09-15 2016-12-11 Showa Denko Kk Light-emitting diode, light-emitting diode lamp and lighting apparatus
JP2011222950A (ja) * 2010-03-24 2011-11-04 Showa Denko Kk 発光ダイオード
JP5586372B2 (ja) * 2010-08-10 2014-09-10 昭和電工株式会社 発光ダイオード、発光ダイオードランプ及び照明装置
JP2012119585A (ja) 2010-12-02 2012-06-21 Showa Denko Kk 発光ダイオード、発光ダイオードランプ及び照明装置
JP2012186194A (ja) * 2011-03-03 2012-09-27 Showa Denko Kk 発光ダイオード
DE102011114380A1 (de) * 2011-09-23 2013-03-28 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierender Halbleiterchip
JP5842520B2 (ja) * 2011-09-30 2016-01-13 三菱電機株式会社 半導体レーザ及びその製造方法
CN102610472B (zh) * 2012-04-01 2014-12-24 南京理工大学 峰值响应在532 nm敏感的反射式GaAlAs光电阴极及其制备方法
JP6101303B2 (ja) * 2015-04-30 2017-03-22 昭和電工株式会社 発光ダイオード、発光ダイオードランプ及び照明装置
JP6999024B2 (ja) * 2017-07-28 2022-01-18 ルミレッズ リミテッド ライアビリティ カンパニー 発光装置における効率的な電子およびホールブロック用の歪みＡｌＧａＩｎＰ層
US11552217B2 (en) * 2018-11-12 2023-01-10 Epistar Corporation Semiconductor device

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0182508A2 (en) * 1984-10-22 1986-05-28 Sharp Kabushiki Kaisha A semiconductor laser device
EP0232431A1 (en) * 1985-09-04 1987-08-19 Hitachi, Ltd. Semiconductor device
US4841531A (en) * 1987-02-12 1989-06-20 Hitachi, Ltd. Semiconductor laser device
EP0368578A2 (en) * 1988-11-08 1990-05-16 Sharp Kabushiki Kaisha A semiconductor laser device
EP0554089A1 (en) * 1992-01-31 1993-08-04 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor light-emitting device

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02134887A (ja) * 1988-11-16 1990-05-23 Hitachi Ltd 半導体レーザ素子及びその製造方法
US5222090A (en) * 1992-03-05 1993-06-22 Mcdonnell Douglas Corporation 700-850 nanometer semiconductor diode laser

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0182508A2 (en) * 1984-10-22 1986-05-28 Sharp Kabushiki Kaisha A semiconductor laser device
EP0232431A1 (en) * 1985-09-04 1987-08-19 Hitachi, Ltd. Semiconductor device
US4841531A (en) * 1987-02-12 1989-06-20 Hitachi, Ltd. Semiconductor laser device
EP0368578A2 (en) * 1988-11-08 1990-05-16 Sharp Kabushiki Kaisha A semiconductor laser device
EP0554089A1 (en) * 1992-01-31 1993-08-04 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor light-emitting device

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
K. ITAYA ET AL: "High temperature continuous operation above 200 C of GaAs lasers using an InGaAlP cladding layer", APPLIED PHYSICS LETTERS., vol. 62, no. 18, 3 May 1993 (1993-05-03), NEW YORK US, pages 2176 - 2178 *
S. NAKATSUKA ET AL: "Reliability of 780 nm high power laserdiodes with thin quantum well active layer", JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS., vol. 3, no. 1, March 1991 (1991-03-01), TOKYO JP, pages 493 - 498 *

Also Published As

Publication number Publication date
AU675531B2 (en) 1997-02-06
US5545903A (en) 1996-08-13
EP0637112B1 (en) 1998-09-02
DE69412946D1 (de) 1998-10-08
EP0637112A1 (en) 1995-02-01
TW299516B (nl) 1997-03-01
JPH0722713A (ja) 1995-01-24
CN1099906A (zh) 1995-03-08
DE69412946T2 (de) 2000-02-24
AU6590194A (en) 1995-01-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
BE1007251A3 (nl) Straling-emitterende halfgeleiderdiode en werkwijze ter vervaardiging daarvan.
EP0458493B1 (en) Vertical cavity surface emitting lasers with electrically conducting mirrors
US5018157A (en) Vertical cavity semiconductor lasers
KR940001793B1 (ko) 전기적으로 펌핑되는 수직 캐비티 레이저장치
JP3038048B2 (ja) 発光半導体ダイオード及びその製造方法
US5889805A (en) Low-threshold high-efficiency laser diodes with aluminum-free active region
US5410159A (en) Light-emitting diode
US5214664A (en) Multiple wavelength semiconductor laser
NL8900748A (nl) Straling-emitterende halfgeleiderinrichting en werkwijze ter vervaardiging van een dergelijke halfgeleiderinrichting.
US5200969A (en) Switchable multiple wavelength semiconductor laser
US5812578A (en) Radiation-emitting index-guided semiconductor diode
US6472691B2 (en) Distributed feedback semiconductor laser device
US20050201439A1 (en) Semiconductor light emitting device and semiconductor light emitting device module
US6546038B1 (en) Semiconductor surface-emitting element
EP1045457A2 (en) Quantum well type light-emitting diode
US5012486A (en) Vertical cavity semiconductor laser with lattice-mismatched mirror stack
US4365260A (en) Semiconductor light emitting device with quantum well active region of indirect bandgap semiconductor material
US5497389A (en) Semiconductor laser device having an active layer and a resonator having a single reflector or pair of reflectors
US7164157B2 (en) Light emitting device and light emitting device module
US20030039284A1 (en) VCSEL with heat-spreading layer
US5675605A (en) Semiconductor surface-emitting optical device having light emitting layer of ordered crystal structure sandwiched between bragg reflectors
JP2940644B2 (ja) 面形発光素子
US5299216A (en) Radiation-emitting semiconductor diode
US4270094A (en) Semiconductor light emitting device
JP2565909B2 (ja) 半導体レ−ザ素子

Legal Events

Date Code Title Description
RE Patent lapsed

Owner name: PHILIPS ELECTRONICS N.V.

Effective date: 19950630