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ATE51103T1 - Mos-speicherzelle mit schwimmendem gate und verfahren zu ihrer verfertigung. - Google Patents

Mos-speicherzelle mit schwimmendem gate und verfahren zu ihrer verfertigung.

Info

Publication number
ATE51103T1
ATE51103T1 AT84903331T AT84903331T ATE51103T1 AT E51103 T1 ATE51103 T1 AT E51103T1 AT 84903331 T AT84903331 T AT 84903331T AT 84903331 T AT84903331 T AT 84903331T AT E51103 T1 ATE51103 T1 AT E51103T1
Authority
AT
Austria
Prior art keywords
production
memory cell
floating gate
mos memory
mos
Prior art date
Application number
AT84903331T
Other languages
English (en)
Inventor
Gust Perlegos
Tsung-Ching Wu
Original Assignee
Seeq Technology Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Seeq Technology Inc filed Critical Seeq Technology Inc
Priority claimed from EP84903331A external-priority patent/EP0160003B1/de
Application granted granted Critical
Publication of ATE51103T1 publication Critical patent/ATE51103T1/de

Links

AT84903331T 1983-08-29 1984-08-29 Mos-speicherzelle mit schwimmendem gate und verfahren zu ihrer verfertigung. ATE51103T1 (de)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US52721383A 1983-08-29 1983-08-29
EP84903331A EP0160003B1 (de) 1983-08-29 1984-08-29 Mos-speicherzelle mit schwimmendem gate und verfahren zu ihrer verfertigung
PCT/US1984/001380 WO1985001146A1 (en) 1983-08-29 1984-08-29 Mos floating gate memory cell and process for fabricating same

Publications (1)

Publication Number Publication Date
ATE51103T1 true ATE51103T1 (de) 1990-03-15

Family

ID=26096277

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
AT84903331T ATE51103T1 (de) 1983-08-29 1984-08-29 Mos-speicherzelle mit schwimmendem gate und verfahren zu ihrer verfertigung.

Country Status (1)

Country Link
AT (1) ATE51103T1 (de)

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