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Gleichstromgekoppelte Verstärkerschaltung
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verwenden. Wird an Stelle der beiden Transistoren in den eingangs beschriebenen Schaltungen je eine Differentialverstärkerstufe vorgesehen, so wird der nachteilige Strom bei der Übersteuerung durch den im allgemeinen sehr hohen, beiden Transistoren einer Differentialverstärkerstufe gemeinsamen Emitterwiderstand wirksam begrenzt, ohne dass der letztere auf Grund der bekannten Eigenschaften der Differentialverstärkerstufe nachteilige Folgen auf die Verstärkung hat.
Die Nachteile der Anwendung der Differentialverstärkerstufen liegen auf ökonomischem Gebiet, da ja fast die doppelte Anzahl Bauelemente notwendig ist, wie bei einer asymmetrischen Schaltung. Zweck der Erfindung ist die Herabsetzung des technischen Aufwandes und des Preises, der notwendig ist, um die nachteiligen Folgen des durch die Übersteuerung einer gleichstromgekoppelten Verstärkerschaltung hervorgerufenen Stromes zwischen den beiden Emittern zu vermeiden.
Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, eine gleichstromgekoppelte Verstärkerschaltung zu schaffen, bei der die Grösse des durch die Überlastung hervorgerufenen Stromes zwischen den beiden Emittern auf einen zulässigen Wert begrenzt wird, ohne dass wesentliche nachteilige Folgen die Funktion und die Eigenschaften der Verstärkerschaltung beeinträchtigen, die dabei nur einen geringen technischen Aufwand erforderlich macht.
Erfindungsgemäss wird dazu bei der eingangs erwähnten Verstärkerschaltung entweder in den Stromweg zwischen dem Kollektor des ersten Transistors und der Basis des zweiten Transistors ein Begrenzungswiderstand solcher Grösse vorgesehen, dass der aus dem Quotienten der Differenz der Grössen der Emitterspeisespannungen und dieses Begrenzungswiderstandes sich ergebende Strom den maximal zulässigen Wert nicht übersteigt oder dass zwischen den Kollektor des ersten Transistors und der Basis des zweiten Transistors eine Diode geschaltet ist, deren Durchlassrichtung der Richtung des Basisstromes im nicht übersteuerten Zustand entspricht, wobei die erste Variante sowohl für den Fall eines Verstärkers mit zwei Transistoren gleichen Leitfähigkeitstyps Verwendung finden kann,
die zweite Variante jedoch nur für den Fall eines Verstärkers mit zwei Transistoren gleichen Leitfähigkeitstyps.
Vorzugsweise ist der Begrenzungswiderstand im Kollektorkreis des ersten Transistors, u. zw. zwischen dem Kollektor und dem Verbindungspunkt zwischen diesem Kollektorkreis und der Basis des zweiten Transistors angeordnet, oder ist der Begrenzungswiderstand direkt zwischen dem Kollektor des ersten Transistors und der Basis des zweiten Transistors angeordnet.
Durch die erfindungsgemässen Lösungen kann der nachteilige Strom ohne wesentliche Nachteile auf den maximal zulässigen Strom begrenzt oder gänzlich vermieden werden, wobei der zusätzliche technische Aufwand nur ein Widerstand bzw. eine Diode ist.
Die erfindungsgemässen Lösungen sollen nachstehend an Hand von drei in den zugehörigen Zeichnungen dargestellten Ausführungsbeispielen näher erläutert werden.
Es zeigen : Fig. 1 ein erstes Ausführungsbeispiel mit einem Begrenzungswiderstand zwischen Kollektor und Kollektorwiderstand des ersten Transistors, Fig. 2 ein zweites Ausführungsbeispiel mit einem Begrenzungswiderstand zwischen dem Kollektor des ersten Transistors und der Basis des zweiten Transistors, Fig. 3 ein drittes Ausführungsbeispiel mit einer Diode zwischen dem Kollektor des ersten Transistors und der Basis des zweiten Transistors.
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fliesst der Strom-I-vom Emitter-E- über den Kollektor-C -, denBegrenzungswiderstand - -Rrr-, den Verbindungspunkt --A--, der Schutzdiode-Ds- zum Emitter-E -, wodurch der Strom --I-- vom Begrenzungswiderstand --RB-- auf den zulässigen Wert begrenzt wird.
In Fig. 2 ist eine gleichstromgekoppelte Verstärkerschaltung dargestellt, die aus zwei komplementären Transistoren --T1 und T2-- besteht. Die Emitter--Ei und Ei--dieser Transistoren liegen an den Emitterspannungen-U und Us--. Der Kollektor --Cl-- des ersten Transistors-T-erhält seine Betriebsspannung über den Kollektorwiderstand-Rc--und ist mit der Basis--B -des zweiten Tran- sistors-T,-über den Begrenzungswiderstand --RB-- verbunden.
Wird die Schaltung in der Richtung und soweit übersteuert, dass die Kollektor-Emitterspannung des zweiten Transistors-T-gleich seiner Restspannung wird, so fliesst der Strom-I-vom Emitter""E.-des zweiten Transistors-T-über seine Basis den Begrenzungswiderstand--und den Kollektor--Ci--des ersten Transistors zu dessen Emitter --E-- Dieser Strom --I-- wird vom Begrenzungswiderstand-RB--auf den zulässigen
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Wert begrenzt.
In Fig. 3 ist eine gleichstromgekoppelte Verstärkerschaltung dargestellt, die aus den beiden Transistoren --T1 und T2-- gleichen Leitfähigkeitstyps besteht. Die Emitter-Eund E -liegen an den
Emitterspannungen-Ul und U2-- Der Kollektor --C1-- des ersten Transistors --T1-- erhält seine Be-
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fliesst.
Wird die Schaltung in der Richtung undso weit übersteuert, dass der zweite Transistor --T2-- ge-
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--D-- einPATENTANSPRÜCHE :
1. Gleichstromgekoppelte Verstärkerschaltung bestehend entweder aus zwei Komplementärtransistoren oder zwei Transistoren gleichen Leitfähigkeitstyps, wobei in diesem Fall ein Schutzwiderstand oder eine Schutzdiode zwischen Basis und Emitter des zweiten Transistors geschaltet ist, vorzugsweise zur Verstärkung von Gleichspannungen, dadurch gekennzeichnet, dass entweder in den Stromweg zwischen dem Kollektor des ersten Transistors (T) und der Basis (B) des zweiten Transistors (T) ein Begrenzungswiderstand (RB) solcher Grösse vorgesehen ist, dass der aus dem Quotienten der Differenz der Grössen der Emitterspeisespannungen (U, ;
U.) und dieses Begrenzungswiderstandes sich ergebende Strom (I) den maximal zulässigen Wert nicht übersteigt oder dass zwischen den Kollektor (Cl) des ersten Transistors und der Basis (B) des zweiten Transistors eine Diode (D) geschaltet ist, deren Durchlassrichtung der Richtung des Basisstromes (IB) im nicht übersteuerten Zustand entspricht, wobei die erste Variante sowohl für den Fall eines Verstärkers mit zwei Komplementärtransistoren als auch eines Verstärkers mit zwei Transistoren gleichen Leitfähigkeitstyps Verwendung finden kann, die zweite Variante jedoch nur für den Fall eines Verstärkers mit zwei Transistoren gleichen Leitfähigkeitstyps.
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